WO2012086111A1 - 有機elディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]中央部に位置する有効発光領域と、外周部に位置し、前記有効発光領域を囲むダミー領域とを有するTFTパネルと、前記有効発光領域に配置された複数の発光素子と、前記ダミー領域に配置された複数の非発光素子と、を有する有機ELディスプレイパネルであって、前記発光素子は、前記TFTパネルに内蔵された薄膜トランジスタと、前記TFTパネルにおける前記発光素子の領域の一端部に設けられたコンタクトホールと、前記TFTパネル上に配置され、前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと接続した画素電極と、前記画素電極上に配置された有機機能層と、前記TFTパネル上に配置され、かつ前記有機機能層の配置領域を規定するバンクと、前記有機機能層上に配置された対向電極と、を有し、前記非発光素子は、前記TFTパネル上に配置されたバンクと、前記バンクによって規定された領域内に形成された有機機能層と、を有し、前記複数の非発光素子のうち、前記発光素子の領域の他端側で前記発光素子に隣接する前記非発光素子のみが、前記TFTパネルにおける前記非発光素子の領域の一端部に設けられたホールをさらに有する、有機ELディスプレイパネル。
[2]前記複数の非発光素子のうち、前記有効発光領域に隣接する前記非発光素子は、前記TFTパネルに内蔵された薄膜トランジスタをさらに有し、前記非発光素子が有する薄膜トランジスタは機能しない、[1]に記載の有機ELディスプレイパネル。
[3]前記複数の非発光素子のうち、前記有効発光領域に隣接する前記非発光素子は、前記TFTパネル上に配置された画素電極をさらに有する、[1]または[2]に記載の有機ELディスプレイパネル。
[4]前記複数の非発光素子のうち、前記有効発光領域に隣接する前記非発光素子は、対向電極を有さない、[1]~[3]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイパネル。
[5]前記バンクは、前記素子の四方を囲む、[1]~[4]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイパネル。
[6]前記バンクは、一列に並んだ前記素子を規定する、[1]~[4]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイパネル。
[7][1]~[6]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイパネルを製造する方法であって、薄膜トランジスタが配置された基板上に平坦化膜を形成することで前記TFTパネルを準備するステップと、前記有効発光領域の前記TFTパネルの平坦化膜における前記発光素子の領域の一端部に前記コンタクトホールを形成し、前記ダミー領域のうち、前記発光素子の領域の他端側で前記発光素子に隣接する前記非発光素子が形成される領域の前記TFTパネルの平坦化膜における前記非発光素子の領域の一端部にのみ、前記ホールを形成するステップと、前記TFTパネルの前記有効発光領域に画素電極を形成するステップと、前記TFTパネル上に前記バンクを形成するステップと、前記バンクによって規定された領域内に前記有機機能層を塗布形成するステップと、前記TFTパネルの前記有効発光領域上に前記対向電極を形成するステップと、を有する、有機ELディスプレイパネルの製造方法。
本発明の有機ELディスプレイパネルは、各有機EL素子を独立して薄膜トランジスタで駆動するアクティブマトリクス型の有機ELディスプレイパネルである。また、本発明の有機ELディスプレイパネルは、各有機EL素子の有機機能層が塗布法で形成される湿式型の有機ELディスプレイパネルである。本発明の有機ELディスプレイパネルは、トップエミッション型であってもボトムエミッション型であってもよい。
発光素子は、TFTパネルに内蔵されたTFTと、TFTパネルに設けられたコンタクトホールと、TFTパネル上に配置された画素電極と、画素電極上に配置された有機機能層と、有機機能層の配置領域を規定するバンクと、有機機能層上に配置された対向電極と、を有する。
非発光素子は、少なくともTFTパネル上に配置されたバンクと、バンクによって規定された領域内に形成された有機機能層と、を有する。非発光素子は、さらに、TFT、画素電極、対向電極を有していてもよい。
本発明の有機ELディスプレイパネルは、本発明の効果を損なわない限り、任意の方法で製造され得る。
1)TFTパネルを準備する第1ステップと、
2)TFTパネルにコンタクトホールおよびダミーホールを形成する第2ステップと、
3)TFTパネルの有効発光領域に画素電極を形成する第3ステップと、
4)TFTパネル上にバンクを形成する第4ステップと、
5)バンクによって規定された領域内に有機機能層の材料液を塗布し、有機機能層を形成する第5ステップと、を有する。以下、それぞれのステップについて説明する。
実施の形態1では、トップエミッション型の有機ELディスプレイパネルについて説明する。
実施の形態1では、非発光素子がTFTを有さない形態について説明した。実施の形態2では、非発光素子がTFTを有する形態について説明する。
実施の形態2では、非発光素子が画素電極(反射陽極)および正孔注入層を有さない形態について説明した。実施の形態3では、非発光素子が画素電極および正孔注入層を有する形態について説明する。
実施の形態4では、非発光素子が対向電極を有さない形態について説明する。
実施の形態5では、バンクが一列に並んだ素子を規定する形態について説明する。
実施例では、実施の形態4の有機ELディスプレイパネルを作製した。まず、旭硝子株式会社製ガラス基板AN100(370mm×470mm×0.7mm)上に平坦化膜を5μmの厚さで形成し、TFTパネルを作成した。
[式1]膜厚左右差=(左端での膜厚)-(右端での膜厚)
(左端は左側のバンクの頂部から7.5μm素子の中心側の有機発光層の点を意味し、右端は右側のバンクの頂部から7.5μm素子の中心側の有機発光層の点を意味する。)
比較例では、TFTパネルのダミー領域にはダミーホールを形成しなかった以外は、実施例と同様に有機ELディスプレイパネルを作製した。比較例の有機ELディスプレイパネルの境界発光素子の有機発光層の膜形状を原子間力顕微鏡(タカノ株式会社製 AS-7B)で測定し、境界発光素子の有機発光層の断面プロファイルを求めた。境界発光素子の有機発光層の断面プロファイルを図12Aに示す。図12Aにおいて、縦軸は膜厚(nm)を、横軸は基板上における測定位置(nm)を表す。図12Aに示されたプロファイルは、図12BのBB’線による断面のプロファイルである。
図11Aに示されるように、実施例では、バンクの高さが素子の両端で等しい。一方、図12Aに示されるように、比較例ではバンクの高さが素子の両端で異なっている。具体的には、コンタクトホールが形成されている側のバンクは、コンタクトホールが形成されてない側のバンクに比べて、200nm程度低くなっている。この結果は、境界非発光素子が有するホールが、境界発光素子が有するバンクの形状に影響を与えることを示唆する。
101 基板
103 TFT
105 平坦化膜
107 コンタクトホール
109 ダミーホール
110 TFTパネル
120 発光素子
121 反射陽極
123 正孔注入層
125 有機発光層
127 バンク
129 透明陰極
130 非発光素子
D ダミー領域
L 有効発光領域
Claims (7)
- 中央部に位置する有効発光領域と、外周部に位置し、前記有効発光領域を囲むダミー領域とを有するTFTパネルと、前記有効発光領域に配置された複数の発光素子と、前記ダミー領域に配置された複数の非発光素子と、を有する有機ELディスプレイパネルであって、
前記発光素子は、
前記TFTパネルに内蔵された薄膜トランジスタと、
前記TFTパネルにおける前記発光素子の領域の一端部に設けられたコンタクトホールと、
前記TFTパネル上に配置され、前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと接続した画素電極と、
前記画素電極上に配置された有機機能層と、
前記TFTパネル上に配置され、かつ前記有機機能層の配置領域を規定するバンクと、
前記有機機能層上に配置された対向電極と、を有し、
前記非発光素子は、
前記TFTパネル上に配置されたバンクと、
前記バンクによって規定された領域内に形成された有機機能層と、を有し、
前記複数の非発光素子のうち、前記発光素子の領域の他端側で前記発光素子に隣接する前記非発光素子のみが、前記TFTパネルにおける前記非発光素子の領域の一端部に設けられたホールをさらに有する、有機ELディスプレイパネル。 - 前記複数の非発光素子のうち、前記有効発光領域に隣接する前記非発光素子は、前記TFTパネルに内蔵された薄膜トランジスタをさらに有し、
前記非発光素子が有する薄膜トランジスタは機能しない、請求項1に記載の有機ELディスプレイパネル。 - 前記複数の非発光素子のうち、前記有効発光領域に隣接する前記非発光素子は、前記TFTパネル上に配置された画素電極をさらに有する、請求項1に記載の有機ELディスプレイパネル。
- 前記複数の非発光素子のうち、前記有効発光領域に隣接する前記非発光素子は、対向電極を有さない、請求項1に記載の有機ELディスプレイパネル。
- 前記バンクは、前記素子の四方を囲む、請求項1に記載の有機ELディスプレイパネル。
- 前記バンクは、一列に並んだ前記素子を規定する、請求項1に記載の有機ELディスプレイパネル。
- 請求項1に記載の有機ELディスプレイパネルを製造する方法であって、
薄膜トランジスタが配置された基板上に平坦化膜を形成することで前記TFTパネルを準備するステップと、
前記有効発光領域の前記TFTパネルの平坦化膜における前記発光素子の領域の一端部に前記コンタクトホールを形成し、前記ダミー領域のうち、前記発光素子の領域の他端側で前記発光素子に隣接する前記非発光素子が形成される領域の前記TFTパネルの平坦化膜における前記非発光素子の領域の一端部にのみ、前記ホールを形成するステップと、
前記TFTパネルの前記有効発光領域に画素電極を形成するステップと、
前記TFTパネル上に前記バンクを形成するステップと、
前記バンクによって規定された領域内に前記有機機能層を塗布形成するステップと、
前記TFTパネルの前記有効発光領域上に前記対向電極を形成するステップと、を有する、有機ELディスプレイパネルの製造方法。
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