KR20190103553A - 표시 패널 - Google Patents

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KR20190103553A
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Abstract

표시 패널은 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 주위의 주변 영역을 포함하고, 상기 액티브 영역은, 복수의 발광 화소들을 포함하는 표시 영역, 그리고 복수의 비발광 화소들을 포함하는 비표시 영역을 포함하고, 상기 복수의 발광 화소들은 발광할 수 있는 발광 소자들을 포함하고, 상기 복수의 비발광 화소들은 발광 소자를 포함하지 않거나, 발광할 수 없는 구조의 유사 발광 소자를 포함할 수 있다.

Description

표시 패널{DISPLAY PANEL}
본 개시는 표시 패널에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display) 등의 표시 장치는 영상을 표시할 수 있는 복수의 화소를 포함하는 표시 패널을 포함한다. 각 화소는 데이터 신호를 인가받는 화소 전극을 포함하고, 화소 전극은 적어도 하나의 트랜지스터에 연결되어 전압을 인가받는다.
최근에는 다양한 형태와 다양한 용도의 표시 장치에 대한 수요가 있어서, 사각형 이외에도 원형, 타원형과 같이 비사각 형태의 표시 영역을 가지는 표시 패널이 개발되고 있다.
본 실시예는 비사각 형태의 표시 영역을 가지는 표시 패널을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 패널은 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 주위의 주변 영역을 포함하고, 상기 액티브 영역은, 복수의 발광 화소들을 포함하는 표시 영역, 그리고 복수의 비발광 화소들을 포함하는 비표시 영역을 포함하고, 상기 복수의 발광 화소들은 발광할 수 있는 발광 소자들을 포함하고, 상기 복수의 비발광 화소들은 발광 소자를 포함하지 않거나, 발광할 수 없는 구조의 유사 발광 소자를 포함한다.
상기 비표시 영역은 상기 표시 영역에 인접할 수 있다.
상기 비표시 영역과 상기 표시 영역이 인접한 경계는 제1 굴곡변을 포함할 수 있다.
상기 제1 굴곡변은 평면 뷰에서 상기 복수의 화소들과 상기 복수의 유사 화소들의 어느 것과도 중첩하지 않을 수 있다.
상기 주변 영역에 위치하는 게이트 구동부, 그리고 상기 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 게이트선들을 포함하고, 상기 복수의 게이트선들 중 적어도 하나의 게이트선은 제1방향으로 연장되어 있고, 상기 제1 굴곡변과 교차하며 상기 비표시 영역과 상기 표시 영역을 지날 수 있다.
상기 제1방향으로 뻗는 기준선을 중심으로 비대칭인 형태를 가지는 기판을 포함할 수 있다.
상기 액티브 영역의 가장자리는 상기 제1 굴곡변과 마주하는 적어도 하나의 제2 굴곡변을 포함하고, 상기 기판은 상기 제1 굴곡변에 나란하게 연장된 제3 굴곡변을 포함할 수 있다.
상기 주변 영역은, 상기 표시 영역에 인접한 제1 주변 영역 및 상기 비표시 영역에 인접한 제2 주변 영역을 포함하고, 상기 제2 주변 영역은 회로 기판과 전기적으로 연결되어 있을 수 있다.
상기 비표시 영역은 상기 제1 굴곡변과 마주하는 직선변을 포함하고, 상기 직선변은 상기 비표시 영역과 상기 제2 주변 영역 사이의 경계를 이룰 수 있다.
상기 화소가 포함하는 상기 발광 소자는, 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 도전 영역 위에 위치하는 제1 접촉 구멍을 가지는 제1 절연층, 상기 제1 접촉 구멍을 통해 상기 제1 트랜지스터의 상기 도전 영역과 전기적으로 연결되어 있는 제1 연결 부재, 상기 제1 연결 부재 위에 위치하는 제2 접촉 구멍을 가지는 제2 절연층, 상기 제2 접촉 구멍을 통해 상기 제1 연결 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 위에 위치하는 제1 개구부를 가지는 제3 절연층, 상기 제1 개구부 안에 위치하는 제1 발광층, 그리고 상기 제1 발광층 위에 위치하는 제1 공통 전극을 포함하고, 상기 유사 발광 소자는, 제2 트랜지스터, 상기 제1 절연층에 형성되어 있으며 상기 제2 트랜지스터의 도전 영역 위에 위치하는 제3 접촉 구멍, 상기 제3 접촉 구멍을 통해 상기 제2 트랜지스터의 상기 도전 영역과 전기적으로 연결되어 있는 제2 연결 부재, 상기 제2 절연층에 형성되어 있으며 상기 제2 연결 부재 위에 위치하는 제4 접촉 구멍, 상기 제4 접촉 구멍을 통해 상기 제2 연결 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2 화소 전극, 상기 제3 절연층에 형성되어 있으며 상기 제2 화소 전극 위에 위치하는 제2 개구부, 상기 제2 개구부 안에 위치하는 제2 발광층, 그리고 상기 제2 발광층 위에 위치하는 제2 공통 전극 중 적어도 하나를 제외한 구성을 포함할 수 있다.
한 실시예에 따른 표시 패널은 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 주위의 주변 영역을 포함하고, 상기 액티브 영역은, 복수의 발광 화소들을 포함하는 표시 영역, 그리고 복수의 비발광 화소들을 포함하는 비표시 영역을 포함하고, 상기 복수의 발광 화소들은 발광할 수 있는 발광 소자들을 포함하고, 상기 복수의 비발광 화소들은 발광할 수 없는 유사 발광 소자들을 포함한다.
상기 비발광 화소는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 위치하는 제1 절연층, 그리고 상기 제1 절연층 위에 위치하는 공통 전극을 포함하고, 상기 화소 전극의 윗면 전체는 상기 제1 절연층에 의해 덮여 있을 수 있다.
상기 비발광 화소는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터 위에 위치하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하며 개구부를 가지는 제2 절연층, 상기 개구부 안에 위치하는 발광층, 그리고 상기 발광층 위에 위치하는 공통 전극을 포함하고, 상기 발광층의 밑면 전체는 제1 절연층의 윗면과 접촉할 수 있다.
상기 비발광 화소는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극과 중첩하는 개구부를 가지는 제1 절연층, 그리고 상기 화소 전극 위에 위치하는 공통 전극을 포함하고, 상기 개구부에서 상기 화소 전극의 윗면은 상기 공통 전극과 접촉할 수 있다.
상기 비발광 화소는, 복수의 트랜지스터, 상기 복수의 트랜지스터 위에 위치하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 위치하는 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 위치하는 발광층, 그리고 상기 발광층 위에 위치하는 공통 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 복수의 트랜지스터의 어느 것과도 전기적으로 연결되어 있지 않을 수 있다.
상기 비발광 화소는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극, 그리고 상기 화소 전극 위에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 발광층의 윗면은 어느 전극과도 전기적으로 연결되어 있지 않을 수 있다.
한 실시예에 따른 표시 패널은 복수의 발광 화소들을 포함하는 표시 영역, 그리고 상기 표시 영역에 인접하며 복수의 비발광 화소들을 포함하는 비표시 영역을 포함하고, 상기 발광 화소 및 상기 비발광 화소 각각은, 기판, 상기 기판 위에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터 위에 위치하는 공통 전극, 그리고 상기 공통 전극의 윗면과 접촉하는 제1층을 포함하고, 상기 발광 화소에서의 상기 기판과 상기 제1층 사이의 구조는 상기 비발광 화소에서의 상기 기판과 상기 제1층 사이의 구조와 다르다.
상기 발광 화소는, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 화소 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극의 윗면 및 상기 공통 전극의 밑면과 접촉하는 제1 발광층을 포함하고, 상기 비발광 화소는, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2 화소 전극을 포함하고, 상기 제2 화소 전극의 윗면 전체는 절연층으로 덮여 있을 수 있다.
상기 발광 화소는, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 화소 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극의 윗면 및 상기 공통 전극의 밑면과 접촉하는 제1 발광층을 포함하고, 상기 비발광 화소는, 상기 공통 전극의 밑면과 접촉하는 제2 발광층을 포함하고, 상기 제2 발광층의 밑면은 어느 도전체와도 전기적으로 연결되어 있지 않을 수 있다.
상기 발광 화소는, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 화소 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극의 윗면 및 상기 공통 전극의 밑면과 접촉하는 제1 발광층을 포함하고, 상기 비발광 화소는 발광층을 포함하지 않을 수 있다.
본 기재에 따른 실시예들에 따르면, 비사각 형태의 표시 영역을 가지는 표시 패널이 제공될 수 있다.
도 1은 한 실시예에 따른 표시 패널의 배치도이고,
도 2는 도 1 에 도시한 표시 패널의 영역들을 간략히 도시한 배치도이고,
도 3a 및 도 3b는 각각 한 실시예에 따른 표시 패널의 영역들을 간략히 도시한 배치도이고,
도 4는 한 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역과 비표시 영역 사이의 경계를 나타낸 도면이고,
도 5는 한 실시예에 따른 표시 패널이 포함하는 한 화소에 대한 배치도이고,
도 6은 도 5에 도시한 표시 패널을 Va-Vb 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 7, 도 8 및 도 9a는 각각 한 실시예에 따른 표시 패널의 비발광 화소에 대한 단면도로서 도 5에 도시한 Va-Vb 선에 대응하는 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 9b는 도 9a에 도시한 비발광 화소를 포함하는 표시 패널의 개략적인 배치도이고,
도 10, 도 11 및 도 12는 각각 한 실시예에 따른 표시 패널의 비발광 화소에 대한 단면도로서 도 5에 도시한 Va-Vb 선에 대응하는 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 13은 한 실시예에 따른 표시 패널들을 포함하는 헤드마운트 표시 장치를 도시한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
명세서 전체에서, 평면 뷰(in a plan view)는 서로 교차하는 두 방향(예를 들어, 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2))에 평행한 면을 관찰하는 뷰를 의미하고(평면상이라고도 표현함), 단면 뷰(in a cross-sectional view)는 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)에 평행한 면에 수직인 방향(예를 들어, 제3방향(DR3))으로 자른 면을 관찰하는 뷰를 의미한다. 또한, 두 구성 요소가 중첩한다고 할 때는 다른 언급이 없는 한 두 구성 요소가 제3방향(DR3)으로, 예를 들어 기판의 윗면에 수직인 방향으로, 중첩하는 것을 의미한다.
먼저 도 1 내지 도 7을 참조하여 한 실시예에 따른 표시 패널에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 한 실시예에 따른 표시 패널(1000)은 기판(110)을 포함할 수 있다. 기판(110)은 유리, 플라스틱 등의 절연 물질을 포함할 수 있다. 기판(110)은 유연성(flexibility)을 가질 수도 있고 실질적으로 고정된 형태를 가지는 강성 기판일 수도 있다.
표시 패널(1000)과 기판(110)은 액티브 영역(AA)과 액티브 영역(AA) 주위의 주변 영역(PA)을 포함한다. 액티브 영역(AA)은 표시 영역(DA)과 적어도 하나의 비표시 영역(DAf)을 포함한다. 적어도 하나의 비표시 영역(DAf)은 표시 영역(DA)에 인접하여 위치할 수 있다.
액티브 영역(AA)에는 복수의 신호선들(121, 171)이 위치한다. 액티브 영역(AA) 중 표시 영역(DA)에는 복수의 화소들(PX)이 위치하고 비표시 영역(DAf)에는 복수의 유사 화소들(failed pixel)(PXf)이 위치한다. 화소(PX)는 발광 화소라 하고, 유사 화소(PXf)는 비발광 화소라고도 할 수 있다.
신호선들(121, 171)은 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선들(121), 그리고 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선들(171)을 포함할 수 있다. 액티브 영역(AA)에서 게이트선(121)과 데이터선(171)에 연결된 스위칭 소자는 게이트 신호에 따라 턴온 또는 턴오프되고, 턴온된 스위칭 소자는 스위칭 소자에 연결된 전극에 데이터선(171)이 전달하는 데이터 신호를 전달할 수 있다. 각 게이트선(121)은 대략 제1방향(DR1)으로 연장되어 있고, 각 데이터선(171)은 복수의 게이트선들(121)과 교차하며 대략 제2방향(DR2)으로 연장되어 있을 수 있다.
표시 영역(DA)은 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)에 평행한 면 상에서 영상을 표시할 수 있다. 표시 영역(DA)에 위치하는 각 화소(PX)는 적어도 하나의 스위칭 소자 및 이에 연결된 발광 소자를 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 표시 패널(1000)에 집적되어 있는 트랜지스터 등의 삼단자 소자일 수 있고, 적어도 하나의 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 전기적으로 연결되어 있을 수 있다. 표시 장치가 영상을 표시할 때 표시 영역(DA)에 위치하는 화소들(PX)은 빛을 내보내어 관찰자가 표시 영역(DA)에 의해 표시되는 영상을 관찰할 수 있다.
표시 영역(DA)의 가장자리(boundary)는 하나의 폐루프(closed loop) 형태로서 비사각 형태를 이룰 수 있다(경우에 따라서는 사각 형태일 수도 있음). 예를 들어, 표시 영역(DA)의 가장자리는 적어도 하나의 굴곡변(DCG1, DCG2)(curved edge)을 포함할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 두 굴곡변들(DCG1, DCG2)은 표시 영역(DA)의 상부 및 하부에 위치하는 서로 마주하는 두 가장자리를 이룰 수 있다.
굴곡변(DCG1, DCG2)은 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 곡선일 수도 있고, 이와 달리 굴곡변(DCG1, DCG2) 중 적어도 하나는 계단형으로서 적어도 하나의 꺾인 부분을 포함할 수도 있다. 굴곡변(DCG1, DCG2) 중 적어도 하나가 계단형으로 꺾인 경우 굴곡변(DCG1, DCG2)은 제1방향(DR1) 또는 제2방향(DR2)으로 연장된 복수의 직선을 포함할 수 있다.
굴곡변(DCG2)이 계단형인 경우, 굴곡변(DCG2)은 도 4에 도시한 바와 같이 굴곡변(DCG2)에 인접한 비표시 영역(DAf)의 유사 화소들(PXf)과 표시 영역(DA)의 화소들(PX) 사이를 지나는 경계에 해당할 수 있다. 이에 따라, 굴곡변(DCG2)은 평면 뷰에서 복수의 화소들(PX)와 복수의 유사 화소들(PXf)의 어느 것의 내부와도 중첩하지 않을 수 있다. 표시 패널(1000)의 해상도가 상당히 높을 경우, 굴곡변(DCG1, DCG2)은 대체로 곡선으로 인식될 수 있다.
도 1을 참조하면, 표시 영역(DA)의 가장자리는 두 굴곡변(DCG1, DCG2) 사이를 연결하는 변들(DEG1, DEG2)을 더 포함할 수 있다. 두 변들(DEG1, DEG2)은 표시 영역(DA)의 좌측 및 우측에 위치하는 서로 마주하는 두 가장자리를 이룰 수 있으며 대략 제2방향(DR2)에 평행하게 연장된 직선변일 수 있다.
여기서, 좌측 및 우측은 한 실시예에 따른 표시 패널(1000)의 대략적인 가상의 중심선(CL)을 기준으로 좌측 및 우측을 의미하며 이후에도 동일하다. 또한, 설명의 편의를 위해 상측의 굴곡변(DCG1)과 변들(DEG1, DEG2) 사이의 경계를 지나는 가상의 가로선(EL1), 그리고 하측의 굴곡변(DCG2)과 변들(DEG1, DEG2) 사이의 경계를 지나는 가상의 가로선(EL2)을 표시하였다. 앞으로 상측이라 하면 가로선(EL1)을 기준으로 위쪽을 의미하고 하측이라 하면 가로선(EL2)을 기준으로 아래쪽을 의미할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 달리, 표시 영역(DA)의 가장자리는 직선변을 포함하지 않고 전체적으로 둥근 원형 또는 타원형을 이룰 수도 있다. 이는 도 1 및 도 2에 도시한 변들(DEG1, DEG2)이 표시 영역(DA)의 전체 가장자리에서 차지하는 비율을 상당히 줄임으로써 이루어질 수 있다.
비표시 영역(DAf)은 표시 영역(DA)과 달리 영상을 표시할 수 없다. 구체적으로, 표시 장치가 영상을 표시할 때 표시 영역(DA)은 빛을 자체적으로 발하지만 비표시 영역(DAf)에 위치하는 유사 화소들(PXf)은 빛을 내보내지 않아 관찰자에게는 비표시 영역으로 인식될 수 있다. 비표시 영역(DAf)은 표시 영역(DA)과 거의 동일한 구조를 가질 수 있으나 영상을 표시할 수 없는 구조를 가진다. 마찬가지로, 유사 화소(PXf)는 화소(PX)와 거의 동일한 구조를 가질 수 있으나 빛을 발광할 수 없는 구조를 가질 수 있다. 즉, 화소(PX)는 데이터 전압을 인가받아 빛을 발할 수 있으나, 유사 화소(PXf)는 빛 자체를 발할 수 없는 구조를 가질 수 있다. 이의 구체적인 구조는 뒤에서 설명하도록 한다.
비표시 영역(DAf)에 위치하는 유사 화소들(PXf)의 배열 형태는 표시 영역(DA)에 위치하는 화소들(PX)의 배열 형태와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(DAf)에 위치하는 유사 화소들(PXf) 사이의 피치 또는 유사 화소(PXf)의 크기는 표시 영역(DA)에 위치하는 화소들(PX) 사이의 피치 또는 화소(PX)의 크기와 실질적으로 동일할 수 있다
앞에서 설명한 바와 같이, 적어도 하나의 비표시 영역(DAf)은 표시 영역(DA)에 인접하여 위치할 수 있으며, 특히 표시 영역(DA)이 포함하는 적어도 하나의 굴곡변(DCG2)에 바로 인접하여 위치할 수 있다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 좌측의 비표시 영역(DAf)은 표시 영역(DA)의 하부의 굴곡변(DCG2)의 좌측 부분에 바로 인접하여 위치하고, 우측의 비표시 영역(DAf)은 표시 영역(DA)의 하부의 굴곡변(DCG2)의 우측 부분에 바로 인접하여 위치할 수 있다. 이에 따라 비표시 영역(DAf)과 표시 영역(DA) 사이의 경계는 표시 영역(DA)의 굴곡변(DCG2)과 동일할 수 있다.
비표시 영역(DAf)과 표시 영역(DA) 사이의 경계인 굴곡변(DCG2)은 별도의 구성 요소 또는 별도의 층의 실제 가장자리는 아니며, 앞에서 설명한 바와 같이 굴곡변(DCG2)에 인접한 비표시 영역(DAf)의 유사 화소들(PXf)과 표시 영역(DA)의 화소들(PX) 사이를 지나는 경계일 수 있다. 굴곡변(DCG2)에 인접한 비표시 영역(DAf)의 유사 화소들(PXf)과 표시 영역(DA)의 화소들(PX) 사이의 경계는, 표시 패널(1000)이 영상을 표시할 때 영상이 표시하는 영역과 표시되지 않는 영역으로 구별될 수도 있고, 영상을 표시하지 않을 때에는 이후에서 설명하는 바와 같이 발광을 할 수 없는 유사 화소들(PXf)과 발광이 가능한 화소들(PX) 사이의 경계로 구분될 수 있다.
비표시 영역(DAf)의 가장자리 중 표시 영역(DA)과 인접하지 않는 가장자리는 변(DSGf)을 포함할 수 있다. 변(DSGf)은 대체로 제1방향(DR1)에 평행하게 연장되어 있는 직선변일 수 있다. 변(DSGf)은 액티브 영역(AA)의 하부 가장자리에 포함될 수 있다. 한 실시예로 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 변(DSGf)의 일부는 표시 영역(DA)의 하측의 굴곡변(DCG2)과 접할(tangential) 수 있다.
표시 영역(DA)과 비표시 영역(DAf)을 포함하는 액티브 영역(AA)의 전체적인 평면 형태는 하부 및 좌우측의 변들(DEG1, DEG2, DSGf)과 상부의 굴곡변(DCG1)으로 둘러싸인 비사각 형태를 이룰 수 있다. 설명의 편의를 위해, 표시 영역(DA)의 굴곡변(DCG1)은 액티브 영역(AA)의 굴곡변(DCG1)이라고도 하고, 표시 영역(DA)의 변들(DEG1, DEG2)은 액티브 영역(AA)의 변들(DEG1, DEG2)이라고도 하고, 비표시 영역(DAf)의 변(DSGf)은 액티브 영역(AA)의 변(DSGf)이라고 한다.
특히 본 실시예에서, 서로 인접한 표시 영역(DA)과 비표시 영역(DAf) 사이의 경계는 굴곡변(DCG2)을 이룰 수 있고, 적어도 하나의 게이트선(121)이 표시 영역(DA)과 비표시 영역(DAf) 사이의 경계를 이루는 굴곡변(DCG2)과 교차하며 연장되어 있을 수 있다. 즉, 표시 영역(DA)과 비표시 영역(DAf) 사이의 경계를 이루는 굴곡변(DCG2)과 교차하는 게이트선(121)은 좌측의 비표시 영역(DAf)을 지난 후 좌측의 굴곡변(DCG2)과 교차하여 표시 영역(DA)을 지나고 다시 우측의 굴곡변(DCG2)과 교차한 후 우측의 비표시 영역(DAf)을 지날 수 있다.
주변 영역(PA)은 액티브 영역(AA)의 가장자리 중 좌측, 우측 및 상측의 가장자리 주변에 위치하는 제1 주변 영역(PA1)과 하측의 가장자리 주변에 위치하는 제2 주변 영역(PA2)을 포함할 수 있다.
제1 주변 영역(PA1)은 액티브 영역(AA)의 전체적인 가장자리를 따라 연장되어 있을 수 있다. 따라서 제1 주변 영역(PA1)은 액티브 영역(AA)의 좌측의 변(DEG1)과 우측의 변(DEG2)을 따라 뻗는 한 쌍의 직선부와 액티브 영역(AA)의 상측의 굴곡변(DCG1)을 따라 뻗는 곡선부를 포함할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 주변 영역(PA1)은 액티브 영역(AA)의 상측, 좌측 및 우측 가장자리부터 기판(110)의 가장자리까지의 영역을 포함할 수 있다. 기판(110)의 가장자리 중 제1 주변 영역(PA1)에 인접한 가장자리는, 액티브 영역(AA)의 변들(DEG1, DEG2)에 나란하게 연장된 변들(SEG1, SEG2), 그리고 액티브 영역(AA)의 상측의 굴곡변(DCG1)에 대체로 나란하게 연장된 굴곡변(SCG)을 포함할 수 있다.
굴곡변(SCG)은 대체로 둥근(round) 곡선 형태일 수 있다. 굴곡변(SCG)은 두 변들(SEG1, SEG2) 사이에서 두 변들(SEG1, SEG2)과 연결되어 있을 수 있다. 변들(SEG1, SEG2)은 각각 직선변일 수 있다. 기판(110)의 가장자리는 곧 표시 패널(1000)의 가장자리이므로 기판(110)의 가장자리의 변들(SEG1, SEG2)과 굴곡변(SCG)은 표시 패널(1000)의 가장자리의 변들(SEG1, SEG2)과 굴곡변(SCG)이라 할 수 있다.
제2 주변 영역(PA2)은 비표시 영역(DAf)의 아래쪽에 위치할 수 있다. 제2 주변 영역(PA2)은 액티브 영역(AA)의 하측 가장자리부터 기판(110)의 가장자리까지의 영역을 포함할 수 있다. 기판(110)의 가장자리 중 제2 주변 영역(PA2)에 인접한 가장자리는 비표시 영역(DAf) 또는 액티브 영역(AA)의 하측의 변(DSGf)에 나란하게 연장된 변(SSG), 그리고 제1 주변 영역(PA1)으로부터 연장된 변들(SEG1, SEG2)을 포함할 수 있다. 변(SSG)은 직선변일 수 있다. 기판(110)의 하측의 변(SSG)과 좌우측의 변들(SEG1, SEG2)이 만나는 모서리는 도시한 바와 같이 뾰족할 수도 있고, 이와 달리 사선으로 모따기되어 있거나 둥근(round) 곡선을 이룰 수도 있다.
제1 주변 영역(PA1)에는 게이트 구동부(400a, 400b)가 위치할 수 있다.
게이트 구동부(400a, 400b)는 액티브 영역(AA)에 위치하는 게이트선들(121)과 연결되어 게이트 신호를 전달할 수 있다. 각 게이트 구동부(400a, 400b)는 순차적으로 연결되어 있는 복수의 스테이지들(40, 41)을 포함할 수 있다. 각 스테이지(40, 41)는 대응하는 각 게이트선(121)과 연결되어 있을 수 있다. 스테이지들(40, 41)을 포함하는 게이트 구동부(400a, 400b)는 액티브 영역(AA)에 위치하는 복수의 신호선들(121, 171) 및 스위칭 소자들과 함께 기판(110) 위에 형성되어 있을 수 있다.
각 스테이지(40, 41)는 게이트 신호를 생성하기 위한 복수의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있고, 복수의 트랜지스터와 커패시터가 밀집되어 형성되어 있는 영역은 대체로 어느 한 방향으로 긴 형태를 가질 수 있다.
스테이지들(40, 41) 중, 액티브 영역(AA)의 변(DEG1, DEG2)과 기판(110)의 변(SEG1, SEG2) 사이에 위치하는 스테이지(40)는 대체로 제1방향(DR1)에 나란한 방향으로 긴 형태를 가질 수 있다. 이에 반해, 액티브 영역(AA)의 굴곡변(DCG1)과 기판(110)의 굴곡변(SCG) 사이에 위치하는 스테이지(41)는 대체로 제1방향(DR1) 및 제2방향(DR2)과 다른 방향으로 긴 형태를 가질 수 있다.
제1 주변 영역(PA1) 중 좌측 및 우측에 위치하는 스테이지(40)들은 대체로 서로 동일한 형태를 가지며 대체로 제2방향(DR2)으로 배열되어 있으나, 제1 주변 영역(PA1) 중 가로선(EL1)을 기준으로 상측에 위치하는 스테이지들(41)은 스테이지(40)와 다른 형태로 배치될 수 있다. 구체적을, 스테이지들(41)은 굴곡변(DCG1)을 따라 점차 회전된 상태로 배치될 수 있다. 전체적으로, 스테이지들(40, 41)이 긴 방향은 액티브 영역(AA)의 가장자리에 대한 수선의 방향에 대체로 나란할 수 있다.
좌측 또는 우측에 위치하는 게이트 구동부(400a, 400b) 중 하나는 생략될 수도 있다.
제2 주변 영역(PA2)에는 구동 회로부(700) 및 패드부(PAD)가 위치할 수 있다.
구동 회로부(700)는 표시 패널(1000)을 구동하기 위한 구동 신호를 제1 주변 영역(PA1) 및 액티브 영역(AA)에 출력할 수 있다. 구동 회로부(700)는 표시 패널(1000)에 본딩되어 접속되어 있는 구동 회로칩을 포함할 수 있다. 데이터선들(171)은 제2 주변 영역(PA)으로 연장되어 구동 회로부(700)와 연결될 수 있고, 구동 회로부(700)로부터 데이터 신호를 전달받을 수 있다.
패드부(PAD)는 표시 패널(1000)의 하측 가장자리에 인접한 곳에 위치할 수 있다. 패드부(PAD)는 FPC와 같은 회로 기판과의 전기적 접속을 위한 복수의 패드들을 포함할 수 있다.
한 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(1000)의 패드부(PAD)에 전기적으로 연결되어 있는 회로 기판(600)을 더 포함할 수 있다. 회로 기판(600)은 플렉서블한 필름 형태일 수 있다.
표시 패널(1000)은 주변 영역(PA)에 위치하는 전압 전달선(177)을 더 포함할 수 있다. 전압 전달선(177)은 제1 주변 영역(PA1)에서 액티브 영역(AA)의 가장자리를 따라 연장되어 있는 부분과 제2 주변 영역(PA2)에 위치하며 패드부(PAD)에 연결되어 있는 부분을 포함할 수 있다. 전압 전달선(177)은 액티브 영역(AA)에 전달될 수 있는 공통 전압(ELVSS)과 같은 일정한 전압을 전달할 수 있다.
이와 같이 한 실시예에 따른 표시 장치에 구동 신호를 전달할 수 있는 회로 기판(600)이 표시 패널(1000)의 하부에 연결되기 위해서 기판(110)의 하측의 가장자리(예를 들어 변(SSG))가 상측의 가장자리의 굴곡변(SCG)과 같은 형태로는 굴곡되어 있지 않을 수 있다. 즉, 표시 패널(1000) 및 기판(110)의 가장자리가 상하로 비대칭인 형태를 가질 수 있다. 이와 같이 확보된 기판(110)의 제2 주변 영역(PA2)에는 회로 기판(600)과 연결되는 복수의 배선들이 위치할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널(1000)의 좌측 및 우측에 위치하는 비표시 영역들(DAf)은 실질적으로 서로 이격되어 있을 수 있다. 비표시 영역들(DAf)의 하측의 변(DSGf)은 대체로 하나의 연속적인 선을 이룰 수 있다.
도 3a를 참조하면, 앞에서 설명한 표시 패널(1000)과 대부분 동일한 표시 패널(1000a)의 좌측 및 우측에 위치하는 비표시 영역들(DAf)은 서로 연결되어 하나의 연속적인 비표시 영역(DAf)을 이룰 수도 있다. 이 경우 비표시 영역(DAf)의 하측의 변(DSGf)은 표시 영역(DA)의 하측의 굴곡변(DCG2)과 이격되어 있을 수 있다.
도 3b를 참조하면, 앞에서 설명한 표시 패널(1000)과 대부분 동일한 표시 패널(1000b)의 좌측 및 우측에 위치하는 비표시 영역들(DAf)은 제1방향(DR1)으로 서로 이격되어 있으며, 비표시 영역들(DAf)의 각 변들(DSGf)도 서로 이격되어 있을 수 있다. 이 경우, 변들(DSGf)은 표시 영역(DA)의 하측의 굴곡변(DCG2)과 접하지는 않을 수 있다.
한 실시예에 따른 표시 패널(1000, 1000a, 1000b)은 기판(110) 위에 위치하며 패터닝되어 있는 복수의 층들을 포함할 수 있다. 도 5 및 도 6을 참조하여 이들 층들의 평면 구조 및 단면 구조에 대해 설명한다.
기판(110) 위에 배리어층(120)이 위치할 수 있다. 배리어층(120)은 도시한 바와 같이 복수의 층들을 포함할 수도 있고 단일층으로 이루어질 수도 있다.
배리어층(120) 위에는 액티브 패턴(130)이 위치한다. 액티브 패턴(130)은 한 화소(PX)가 포함하는 복수의 트랜지스터들(T1, T2, T3_1, T3_2, T4_1, T4_2, T5, T6, T7) 각각의 채널을 형성하는 채널 영역(channel region)(131a, 131b, 131c_1, 131c_2, 131d_1, 131d_2, 131e, 131f, 131g) 및 도전 영역(conductive region)을 포함할 수 있다. 액티브 패턴(130)의 도전 영역은 각 트랜지스터(T1, T2, T3_1, T3_2, T4_1, T4_2, T5, T6, T7)의 채널 영역(131a, 131b, 131c_1, 131c_2, 131d_1, 131d_2, 131e, 131f, 131g)의 양쪽에 위치하는 소스 영역(136a, 136b, 136c_1, 136c_2, 136d_1, 136d_2, 136e, 136f, 136g) 및 드레인 영역(137a, 137b, 137c_1, 137c_2, 137d_1, 137d_2, 137e, 137f, 137g)을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(130)은 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(130) 위에는 제1 절연층(141)이 위치하고, 제1 절연층(141) 위에는 제1 도전층이 위치할 수 있다. 제1 도전층은, 복수의 스캔선들(151, 152, 154) 및 제어선(153), 그리고 구동 게이트 전극(155a)을 포함할 수 있다. 스캔선(154)은 실질적으로 스캔선(152)과 같은 종류의 스캔선으로서 스캔선(152)이 전달하는 스캔 신호 다음 단의 스캔 신호를 전달할 수 있다. 복수의 스캔선들(151, 152, 154) 및 제어선(153)은 앞에서 설명한 게이트선(121)에 포함될 수 있다.
액티브 패턴(130) 및 이와 중첩하는 복수의 스캔선(151, 152, 154) 및 제어선(153)은 함께 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3_1, T3_2, T4_1, T4_2, T5, T6, T7)를 형성할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 채널 영역(131a), 소스 영역(136a) 및 드레인 영역(137a), 그리고 채널 영역(131a)과 평면상 중첩하는 구동 게이트 전극(155a)을 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 채널 영역(131b), 소스 영역(136b) 및 드레인 영역(137b), 그리고 채널 영역(131b)과 평면상 중첩하는 스캔선(151)의 일부인 게이트 전극(155b)을 포함한다. 제3 트랜지스터(T3_1, T3_2)는 서로 연결되어 있는 서브 트랜지스터(T3_1, T3_2)를 포함할 수 있다. 서브 트랜지스터(T3_1)는 채널 영역(131c_1), 소스 영역(136c_1) 및 드레인 영역(137c_1), 그리고 채널 영역(131c_1)과 중첩하는 스캔선(151)의 일부인 게이트 전극(155c_1)을 포함한다. 서브 트랜지스터(T3_2)는 채널 영역(131c_2), 소스 영역(136c_2) 및 드레인 영역(137c_2), 그리고 채널 영역(131c_2)과 중첩하는 스캔선(151)의 일부인 게이트 전극(155c_2)을 포함한다. 제4 트랜지스터(T4_1, T4_2)는 서로 연결되어 있는 서브 트랜지스터(T4_1) 및 서브 트랜지스터(T4_2)를 포함할 수 있다. 서브 트랜지스터(T4_1)는 채널 영역(131d_1), 소스 영역(136d_1) 및 드레인 영역(137d_1), 그리고 채널 영역(131d_1)과 중첩하는 스캔선(152)의 일부인 게이트 전극(155d_1)을 포함한다. 서브 트랜지스터(T4_2)는 채널 영역(131d_2), 소스 영역(136d_2) 및 드레인 영역(137d_2), 그리고 채널 영역(131d_2)과 중첩하는 스캔선(152)의 일부인 게이트 전극(155d_2)을 포함한다. 제5 트랜지스터(T5)는 채널 영역(131e), 소스 영역(136e) 및 드레인 영역(137e), 그리고 채널 영역(131e)과 중첩하는 제어선(153)의 일부인 게이트 전극(155e)을 포함한다. 제6 트랜지스터(T6)는 채널 영역(131f), 소스 영역(136f) 및 드레인 영역(137f), 그리고 채널 영역(131f)과 중첩하는 제어선(153)의 일부인 게이트 전극(155f)을 포함한다. 제7 트랜지스터(T7)는 채널 영역(131g), 소스 영역(136g) 및 드레인 영역(137g), 그리고 채널 영역(131g)과 중첩하는 스캔선(154)의 일부인 게이트 전극(155g)을 포함한다.
제1 도전층 및 제1 절연층(141) 위에는 제2 절연층(142)이 위치할 수 있고, 제2 절연층(142) 위에는 제2 도전층이 위치할 수 있다. 제2 도전층은 스토리지선(156) 및 초기화 전압을 전달하는 초기화 전압선(159) 등을 포함할 수 있다. 스토리지선(156)은 각 화소(PX)에 위치하는 확장부(157)를 포함할 수 있다. 확장부(157)의 일부는 제거되어 개구부(51)를 이룰 수 있다.
제2 도전층 및 제2 절연층(142) 위에는 제3 절연층(160)이 위치할 수 있다.
배리어층(120), 제1 절연층(141), 제2 절연층(142), 그리고 제3 절연층(160) 중 적어도 하나는 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiON) 등의 무기 절연 물질 및/또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 절연층(141), 제2 절연층(142) 및 제3 절연층(160)의 일부 또는 전부는 복수의 접촉 구멍들(61, 62, 63, 64, 65, 67, 68, 69)을 포함할 수 있다.
제3 절연층(160) 위에는 제3 도전층이 위치할 수 있다. 제3 도전층은 앞에서 설명한 전압 전달선(177) 및 데이터선(171), 그리고 구동 전압선(172) 및 복수의 연결 부재들(174, 175, 179)을 포함할 수 있다. 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대체로 제2방향(DR2)으로 연장되어 복수의 스캔선(151, 152, 154)과 교차할 수 있다.
연결 부재(174)의 일부는 스토리지선(156)의 확장부(157)의 개구부(51) 및 개구부(51) 안의 접촉 구멍(61)을 통해 구동 게이트 전극(155a)과 연결되어 있고, 연결 부재(174)의 다른 일부는 접촉 구멍(63)을 통해 제3 트랜지스터(T3)의 서브 트랜지스터(T3_1)의 드레인 영역(137c_1) 및 제4 트랜지스터(T4)의 서브 트랜지스터(T4_1)의 드레인 영역(137d_1)과 연결되어 있을 수 있다. 연결 부재(175)는 접촉 구멍(64)을 통해 초기화 전압선(159)과 연결되고 접촉 구멍(65)을 통해 제7 트랜지스터(T7)의 드레인 영역(137g)과 연결되어 있을 수 있다. 연결 부재(179)는 접촉 구멍(69)을 통해 제6 트랜지스터(T6)의 드레인 영역(137f)과 연결되어 있을 수 있다. 데이터선(171)은 접촉 구멍(62)을 통해 제2 트랜지스터(T2)의 소스 영역(136b)과 연결되어 있고, 구동 전압선(172)은 접촉 구멍(67)을 통해 제5 트랜지스터(T5)의 소스 영역(136e)과 연결되고, 접촉 구멍(68)을 통해 스토리지선(156)의 확장부(157)와 연결되어 있을 수 있다. 따라서 스토리지선(156)의 확장부(157)는 구동 전압선(172)의 구동 전압(ELVDD)을 인가받을 수 있다.
제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층 중 적어도 하나는 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈늄(Ta), 이들 중 적어도 둘의 합금 등의 도전 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(142)을 사이에 두고 서로 중첩하는 구동 게이트 전극(155a)과 스토리지선(156)의 확장부(157)는 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다.
제3 도전층과 제3 절연층(160) 위에는 제4 절연층인 보호막(180)이 위치한다. 보호막(180)은 연결 부재(179) 위에 위치하는 접촉 구멍(89)을 포함할 수 있다. 보호막(180)은 무기 절연 물질 및/또는 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
보호막(180) 위에는 화소 전극층이 위치한다. 화소 전극층은 화소 전극(191)을 포함할 수 있다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(89)을 통해 연결 부재(179)와 연결되어 데이터 전압을 인가받을 수 있다. 화소 전극층은 화소 도전 패턴(192)을 더 포함할 수 있는데, 화소 도전 패턴(192)은 인접한 화소 전극(191)의 가장자리를 따라 굴곡되어 있을 수 있다. 화소 도전 패턴(192)은 초기화 전압을 전달할 수 있다. 화소 도전 패턴(192)은 생략될 수도 있다. 화소 전극층은 반투과성 도전 물질 또는 반사성 도전 물질을 포함할 수 있다.
보호막(180) 및 화소 전극층 위에는 제5 절연층인 화소 정의층(350)이 위치한다. 화소 정의층(350)은 화소 전극(191) 위에 위치하는 부분의 일부가 제거되어 화소 전극(191)과 중첩하는 개구부(351)를 가질 수 있다. 화소 정의층(350)은 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 등의 감광성 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의층(350)은 투명하거나 불투명할 수도 잇고, 블랙 카본과 같은 색소를 포함할 수도 있다.
화소 전극(191) 위에는 발광층(370)이 위치한다. 발광층(370)은 화소 정의층(350)의 개구부(351) 안에 위치하는 부분을 포함할 수 있다. 발광층(370)은 유기 발광 물질 또는 무기 발광 물질을 포함할 수 있다. 평면 뷰에서, 개구부(351)의 영역은 각 화소(PX)가 발광하는 영역에 대응할 수 있다.
발광층(370) 위에는 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 화소 정의층(350) 위에도 형성되어 복수의 화소(PX)에 걸쳐 연속적으로 형성되어 있을 수 있다. 공통 전극(270)은 도전성 투명 물질을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에서, 각 화소(PX)의 화소 전극(191), 발광층(370) 및 공통 전극(270)은 함께 발광 소자인 발광 다이오드(ED)를 이루며, 화소 전극(191) 및 공통 전극(270) 중 하나가 캐소드(cathode)가 되고 나머지 하나가 애노드(anode)가 된다. 발광 다이오드(ED)는 자발광 소자(self-illuminating element)이다.
공통 전극(270) 위에는 밀봉층(380)이 위치할 수 있다. 밀봉층(380)은 외부로부터의 불순물의 침투를 방지하여 발광 다이오드(ED)를 보호할 수 있다. 밀봉층(380)은 교대로 적층된 적어도 하나의 유기층(382) 및 적어도 하나의 무기층(381, 383)을 포함할 수 있다. 유기층(382)의 하측면은 접촉하고 있는 무기층(381)의 표면을 따라 기판(110)에 대해 다른 높이를 가질 수 있으나 상측면은 대체로 평탄면을 이룰 수 있다.
도 5 및 도 6과 함께 도 7 내지 12를 참조하여 표시 패널(1000, 1000a, 1000b)의 비표시 영역(DAf)에 위치하는 유사 화소(PXf)의 다양한 구조에 대해 설명한다.
앞에서 설명한 바와 같이 유사 화소(PXf)는 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 화소(PX)와 거의 동일한 구조를 가질 수 있으나 빛을 생성할 수 없어 발광할 수 없는 구조를 가질 수 있다.
구체적으로, 화소(PX)의 발광 다이오드(ED)의 공통 전극(270)은 화소(PX)가 포함하는 복수의 트랜지스터들(특히, 제6 트랜지스터(T6))과 전기적으로 연결되어 전압을 인가받아 발광층(370)에 전류가 흐를 수 있다. 그러나, 유사 화소(PXf)는 발광 다이오드를 포함하지 않거나(예를 들어, 발광층을 포함하지 않거나), 발광 다이오드의 구조와 같은 구조의 유사 발광 다이오드를 포함하여도 화소 전극이 복수의 트랜지스터들(특히, 제6 트랜지스터(T6))과 전기적으로 연결되어 있지 않아 전압을 인가받을 수 없고 이에 따라 유사 발광 다이오드에 전류가 흐르지 않아 발광할 수 없는 구조를 가질 수 있다.
먼저 도 7을 참조하면, 비발광 화소인 유사 화소(PXf)의 한 예로서 유사 화소(PXfa)는 화소(PX)와 대부분 동일한 구조를 가지나, 화소 정의층(350)은 유사 화소(PXf)의 화소 전극(191) 위에 위치하는 개구부(351)를 포함하지 않을 수 있다. 이에 따라 화소 전극(191)의 윗면 전체는 화소 정의층(350)에 의해 덮이고 접촉하며, 화소 정의층(350) 위에 발광층(370f)이 증착되어도 발광층(370f)은 화소 전극(191)과 접촉할 수 없다. 발광층(370f)은 앞에서 설명한 발광층(370)과 대부분 동일하나 화소 정의층(350) 위에 위치할 수 있다. 이와 달리 발광층(370f)은 생략될 수도 있다. 이에 따라 유사 화소(PXfa)에서는 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 발광 다이오드를 형성하지 못하여 유사 화소(PXfa)는 발광할 수 없다.
다음 도 8을 참조하면, 유사 화소(PXf)의 한 예로서 유사 화소(PXfb)는 화소(PX)와 대부분 동일한 구조를 가지나, 화소 전극(191)이 형성되어 있지 않을 수 있다. 따라서 발광층(370)이 형성되더라도 발광층(370)의 밑면 전체는 어느 도전체 또는 어느 전극과도 접촉하지 않고 보호막(180)의 윗면과 접촉할 수 있다. 이에 따라 유사 화소(PXfb)에서는 발광 다이오드가 형성되어 있지 않아 유사 화소(PXfb)는 발광할 수 없다.
다음 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 유사 화소(PXf)의 한 예로서 유사 화소(PXfc)는 화소(PX)와 대부분 동일한 구조를 가지나, 발광층(370)이 형성되어 있지 않을 수 있다. 따라서 비표시 영역(DAf)에 위치하는 공통 전극(270b)은 화소 전극(191)의 윗면과 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라 유사 화소(PXfc)에서는 발광 다이오드가 형성되어 있지 않아 유사 화소(PXfc)는 발광할 수 없다.
도 9b를 참조하면, 본 실시예에서 비표시 영역(DAf)에 위치하는 공통 전극(270b)은 표시 영역(DA)에 위치하는 공통 전극(270a)과 전기적, 물리적으로 분리되어 있을 수 있다. 공통 전극(270a)은 앞에서 설명한 공통 전극(270)과 대부분 동일하나 표시 영역(DA)에만 한정되어 위치할 수 있다. 비표시 영역(DA)에 위치하는 공통 전극(270b)은 공통 전압을 인가 받지 않고 플로팅되어 있을 수 있다.
도 9a 및 도 9b에 도시한 바와 달리, 비표시 영역(DAf)에는 공통 전극(270, 270b)이 생략될 수도 있다. 이 경우, 비표시 영역(DAf)에서 화소 전극(191) 윗면 전체는 공통 전극이 아닌 다른 층(예를 들어, 밀봉층(380)과 같은 절연층)과 접촉할 수 있다.
다음 도 10 및 도 11을 참조하면, 유사 화소(PXf)의 한 예로서 유사 화소(PXfd, PXfe)는 화소(PX)와 대부분 동일한 구조를 가지나, 화소 전극(191)이 어느 트랜지스터와도 전기적으로 연결되어 있지 않아 전압을 인가받지 못할 수 있다.
구체적으로 도 10을 참조하면, 유사 화소(PXfd)는 화소(PX)와 대부분 동일한 구조를 가지나, 연결 부재(179)가 형성되어 있지 않을 수 있다. 따라서, 화소 전극(191)은 데이터 전압을 전달할 수 있는 트랜지스터(예를 들어, 트랜지스터(T6))와 전기적으로 연결되어 있지 않아 데이터 전압을 인가받을 수 없다. 따라서, 화소 전극(191), 발광층(370), 그리고 공통 전극(270)이 유사 발광 다이오드(EDf)를 형성하여도, 표시 패널이 구동될 때 유사 화소(PXf)의 유사 발광 다이오드(EDf)는 항상 꺼진 상태가 되고 발광할 수 없다.
도 10에 도시한 바와 달리, 연결 부재(179)는 형성되어 있거나 형성되어 있지 않으면서 제3 절연층(160)의 접촉 구멍(69)이 형성되어 있지 않아 제6 트랜지스터(T6)의 드레인 영역(137f) 전체 위를 제3 절연층(160)이 덮고 있을 수도 있다.
다음 도 11을 참조하면, 유사 화소(PXf)의 한 예로서 유사 화소(PXfe)는 화소(PX)와 대부분 동일한 구조를 가지나, 보호막(180)은 연결 부재(179) 위에 위치하는 접촉 구멍(89)을 포함하지 않을 수 있다. 이에 따라, 화소 전극(191)은 데이터 전압을 전달받을 수 있는 연결 부재(179)와 전기적으로 연결될 수 없어 데이터 전압을 인가받을 수 없다. 따라서, 화소 전극(191), 발광층(370), 그리고 공통 전극(270)이 유사 발광 다이오드(EDf)를 형성하여도, 표시 장치가 구동될 때 유사 화소(PXf)의 유사 발광 다이오드(EDf)는 항상 꺼진 상태가 되고 발광할 수 없다.
다음 도 12를 참조하면, 유사 화소(PXf)의 한 예로서 유사 화소(PXfg)는 화소(PX)와 대부분 동일한 구조를 가지나, 발광층(370) 및 화소 정의층(350) 위에 공통 전극(270)이 형성되어 있지 않을 수 있다. 즉, 발광층(370)의 윗면은 어느 전극과도 전기적으로 연결되어 있지 않을 수 있다. 이에 따라 유사 화소(PXfg)에서는 발광 다이오드가 형성되어 있지 않아서 유사 화소(PXfg)는 발광할 수 없다.
한 실시예에 따른 표시 패널은 앞에서 설명한 도 7 내지 도 12에 도시한 유사 화소(PXfa, PXfb, PXfc, PXfd, PXfe, PXfg)의 각 특징들 중 복수 특징을 포함할 수도 있다.
도시한 바 외에도 유사 화소(PXf)는 발광 소자, 즉 발광 다이오드가 형성되지 않거나 발광 다이오드 구조와 동일한 유사 발광 다이오드를 포함하여도 화소 전극에 전압이 전달될 수 없는 다양한 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(DAf)에서는, 액티브 패턴(130)의 층이 모두 제거되어 있거나, 적어도 제6 트랜지스터(T6)가 생략되거나, 절연층에 형성된 모든 접촉 구멍(61, 62, 63, 64, 65, 67, 68, 69)이 생략되거나, 제1 도전층이 모두 생략되거나, 제3 도전층이 모두 생략되거나, 이 들 중 적어도 2가지가 적용되거나, 앞에서 도시하면서 설명한 특징들과 조합되어 적용될 수도 있을 것이다. 모든 경우, 추가되는 층이 있거나 추가되는 구성은 별도로 있지 않으면서 비표시 영역(DAf)을 형성할 수 있어 제조 비용이 증가하지 않을 수 있다.
앞에서 설명한 도면들과 함께 도 13을 참조하면, 한 실시예에 따른 표시 장치는 앞에서 설명한 여러 실시예에 따른 표시 패널(1000, 1000a, 1000b)을 포함할 수 있다. 예를 들어 헤드마운트 표시 장치(2000)는 실시예에 따른 한 쌍의 표시 패널(1000L, 1000R)과 이를 고정하는 프레임(2001)을 포함할 수 있다. 각 표시 패널(1000L, 1000R)은 사용자의 양안에 각각 대응하여 각 눈에 입사될 영상을 표시할 수 있다.
각 표시 패널(1000L, 1000R)은 사용자의 코에 인접한 쪽에 표시 패널(1000L, 1000R)의 굴곡변(SCG)이 위치하도록 배치될 수 있다. 즉, 비표시 영역(DAf)을 위로 굴곡변(SCG)을 아래로 향하도록 배치하여 굴곡변(SCG)이 사용자의 코에 인접한 곳에 위치함으로써 코 부분의 사용감을 좋게 할 수 있다. 사용자의 코에서 먼 쪽에 위치하는 표시 패널(1000L, 1000R)의 가장자리는 굴곡변(SCG)과 같은 형태로 굴곡되어 있지 않을 수 있다. 표시 패널(1000L, 1000R)의 위쪽 가장자리 부근에 비표시 영역(DAf)을 위치시켜 각 눈에서 시인되는 영상의 표시 영역(DA)이 비사각 형태, 예를 들어 원형 또는 타원형으로 인식될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (20)

  1. 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 주위의 주변 영역을 포함하고,
    상기 액티브 영역은, 복수의 발광 화소들을 포함하는 표시 영역, 그리고 복수의 비발광 화소들을 포함하는 비표시 영역을 포함하고,
    상기 복수의 발광 화소들은 발광할 수 있는 발광 소자들을 포함하고,
    상기 복수의 비발광 화소들은 발광 소자를 포함하지 않거나, 발광할 수 없는 구조의 유사 발광 소자를 포함하는
    표시 패널.
  2. 제1항에서,
    상기 비표시 영역은 상기 표시 영역에 인접하는 표시 패널.
  3. 제2항에서,
    상기 비표시 영역과 상기 표시 영역이 인접한 경계는 제1 굴곡변을 포함하는 표시 패널.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 굴곡변은 평면 뷰에서 상기 복수의 발광 화소들과 상기 복수의 비발광 화소들의 어느 것의 내부와도 중첩하지 않는 표시 패널.
  5. 제3항에서,
    상기 주변 영역에 위치하는 게이트 구동부, 그리고
    상기 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 게이트선들을 포함하고,
    상기 복수의 게이트선들 중 적어도 하나의 게이트선은 제1방향으로 연장되어 있고, 상기 제1 굴곡변과 교차하며 상기 비표시 영역과 상기 표시 영역을 지나는
    표시 패널.
  6. 제1항에서,
    한 기준선을 중심으로 비대칭인 형태를 가지는 기판을 포함하는 표시 패널.
  7. 제6항에서,
    상기 액티브 영역의 가장자리는 상기 제1 굴곡변 및 상기 제1 굴곡변과 마주하는 적어도 하나의 제2 굴곡변을 포함하고,
    상기 기판은 상기 제1 굴곡변에 나란하게 연장된 제3 굴곡변을 포함하는
    표시 패널.
  8. 제7항에서,
    상기 주변 영역은, 상기 표시 영역에 인접한 제1 주변 영역 및 상기 비표시 영역에 인접한 제2 주변 영역을 포함하고,
    상기 제2 주변 영역은 회로 기판과 전기적으로 연결되어 있는
    표시 패널.
  9. 제8항에서,
    상기 비표시 영역은 상기 제1 굴곡변과 마주하는 직선변을 포함하고,
    상기 직선변은 상기 비표시 영역과 상기 제2 주변 영역 사이의 경계를 이루는
    표시 패널.
  10. 제1항에서,
    상기 발광 화소가 포함하는 상기 발광 소자는,
    제1 트랜지스터,
    상기 제1 트랜지스터의 도전 영역 위에 위치하는 제1 접촉 구멍을 가지는 제1 절연층,
    상기 제1 접촉 구멍을 통해 상기 제1 트랜지스터의 상기 도전 영역과 전기적으로 연결되어 있는 제1 연결 부재,
    상기 제1 연결 부재 위에 위치하는 제2 접촉 구멍을 가지는 제2 절연층,
    상기 제2 접촉 구멍을 통해 상기 제1 연결 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제1 화소 전극,
    상기 제1 화소 전극 위에 위치하는 제1 개구부를 가지는 제3 절연층,
    상기 제1 개구부 안에 위치하는 제1 발광층, 그리고
    상기 제1 발광층 위에 위치하는 제1 공통 전극
    을 포함하고,
    상기 유사 발광 소자는, 제2 트랜지스터, 상기 제1 절연층에 형성되어 있으며 상기 제2 트랜지스터의 도전 영역 위에 위치하는 제3 접촉 구멍, 상기 제3 접촉 구멍을 통해 상기 제2 트랜지스터의 상기 도전 영역과 전기적으로 연결되어 있는 제2 연결 부재, 상기 제2 절연층에 형성되어 있으며 상기 제2 연결 부재 위에 위치하는 제4 접촉 구멍, 상기 제4 접촉 구멍을 통해 상기 제2 연결 부재와 전기적으로 연결되어 있는 제2 화소 전극, 상기 제3 절연층에 형성되어 있으며 상기 제2 화소 전극 위에 위치하는 제2 개구부, 상기 제2 개구부 안에 위치하는 제2 발광층, 그리고 상기 제2 발광층 위에 위치하는 제2 공통 전극 중 적어도 하나를 제외한 구성을 포함하는
    표시 패널.
  11. 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 주위의 주변 영역을 포함하고,
    상기 액티브 영역은, 복수의 발광 화소들을 포함하는 표시 영역, 그리고 복수의 비발광 화소들을 포함하는 비표시 영역을 포함하고,
    상기 복수의 발광 화소들은 발광할 수 있는 발광 소자들을 포함하고,
    상기 복수의 비발광 화소들은 발광할 수 없는 유사 발광 소자들을 포함하는
    표시 패널.
  12. 제11항에서,
    상기 비발광 화소는,
    트랜지스터,
    상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극,
    상기 화소 전극 위에 위치하는 제1 절연층, 그리고
    상기 제1 절연층 위에 위치하는 공통 전극
    을 포함하고,
    상기 화소 전극의 윗면 전체는 상기 제1 절연층에 의해 덮여 있는
    표시 패널.
  13. 제11항에서,
    상기 비발광 화소는,
    트랜지스터,
    상기 트랜지스터 위에 위치하는 제1 절연층,
    상기 제1 절연층 위에 위치하며 개구부를 가지는 제2 절연층,
    상기 개구부 안에 위치하는 발광층, 그리고
    상기 발광층 위에 위치하는 공통 전극
    을 포함하고,
    상기 발광층의 밑면 전체는 제1 절연층의 윗면과 접촉하는
    표시 패널.
  14. 제11항에서,
    상기 비발광 화소는,
    트랜지스터,
    상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극,
    상기 화소 전극과 중첩하는 개구부를 가지는 제1 절연층, 그리고
    상기 화소 전극 위에 위치하는 공통 전극
    을 포함하고,
    상기 개구부에서 상기 화소 전극의 윗면은 상기 공통 전극과 접촉하는
    표시 패널.
  15. 제11항에서,
    상기 비발광 화소는,
    복수의 트랜지스터,
    상기 복수의 트랜지스터 위에 위치하는 제1 절연층,
    상기 제1 절연층 위에 위치하는 화소 전극,
    상기 화소 전극 위에 위치하는 발광층, 그리고
    상기 발광층 위에 위치하는 공통 전극
    을 포함하고,
    상기 화소 전극은 상기 복수의 트랜지스터의 어느 것과도 전기적으로 연결되어 있지 않은
    표시 패널.
  16. 제11항에서,
    상기 비발광 화소는,
    트랜지스터,
    상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극, 그리고
    상기 화소 전극 위에 위치하는 발광층
    을 포함하고,
    상기 발광층의 윗면은 어느 전극과도 전기적으로 연결되어 있지 않은
    표시 패널.
  17. 복수의 발광 화소들을 포함하는 표시 영역, 그리고 상기 표시 영역에 인접하며 복수의 비발광 화소들을 포함하는 비표시 영역을 포함하고,
    상기 발광 화소 및 상기 비발광 화소 각각은,
    기판,
    상기 기판 위에 위치하는 트랜지스터,
    상기 트랜지스터 위에 위치하는 공통 전극, 그리고
    상기 공통 전극의 윗면과 접촉하는 제1층
    을 포함하고,
    상기 발광 화소에서의 상기 기판과 상기 제1층 사이의 구조는 상기 비발광 화소에서의 상기 기판과 상기 제1층 사이의 구조와 다른
    표시 패널.
  18. 제17항에서,
    상기 발광 화소는, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 화소 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극의 윗면 및 상기 공통 전극의 밑면과 접촉하는 제1 발광층을 포함하고,
    상기 비발광 화소는, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2 화소 전극을 포함하고,
    상기 제2 화소 전극의 윗면 전체는 절연층으로 덮여 있는
    표시 패널.
  19. 제17항에서,
    상기 발광 화소는, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 화소 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극의 윗면 및 상기 공통 전극의 밑면과 접촉하는 제1 발광층을 포함하고,
    상기 비발광 화소는, 상기 공통 전극의 밑면과 접촉하는 제2 발광층을 포함하고,
    상기 제2 발광층의 밑면은 어느 도전체와도 전기적으로 연결되어 있지 않은
    표시 패널.
  20. 제17항에서,
    상기 발광 화소는, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 화소 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극의 윗면 및 상기 공통 전극의 밑면과 접촉하는 제1 발광층을 포함하고,
    상기 비발광 화소는 발광층을 포함하지 않는
    표시 패널.
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