TWI406228B - 畫素結構以及有機發光元件的畫素結構 - Google Patents

Description

畫素結構以及有機發光元件的畫素結構

本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種有機發光元件的畫素結構。

有機發光元件是一種自發光性之發光元件。由於使用有機發光元件之顯示器具有無視角限制、低製造成本、高反應速度(約為液晶的百倍以上)、省電、可使用於可攜式機器、工作溫度範圍大以及重量輕且可隨硬體設備小型化及薄型化等等。因此，使用有機發光元件之顯器具有極大的發展潛力，可望成為下一世代的新穎平面顯示器。

通常有機發光元件之顯示器的一個畫素結構可由多個薄膜電晶體以及一個電容器之搭配來驅動此畫素結構。然而，因畫素電路結構中使用多個薄膜電晶體，所述多個薄膜電晶體勢必佔據此畫素結構特定的面積。如此一來，畫素電路結構中就沒有多餘的空間可以再設置其他構件。或者是，所述畫素電路結構就不易縮小化，而難以應用於高解析度的顯示器上。

本發明提供一種畫素結構以及有機發光元件的畫素結構，其可以節省畫素結構之構件所需佔用的面積。

本發明提出一種有機發光元件的畫素結構，其包括第一掃描線以及第二掃描線、約略垂直第一掃描線以及第二掃描線設置的資料線與電源線、約略平行第一掃描線以及第二掃描線設置的發光訊號線與參考訊號線、共用電晶體以及第一畫素單元以及第二畫素單元。共用電晶體具有共用閘極、共用源極與共用汲極，且共用閘極與第一掃描線電性連接，共用汲極與參考訊號線電性連接。第一畫素單元以及第二畫素單元各自具有第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜電晶體、電容器以及發光元件。第一薄膜電晶體具有第一閘極、第一源極與第一汲極，第一閘極與第一掃描線電性連接，第一汲極與共用電晶體的共用源極電性連接。第二薄膜電晶體具有第二閘極、第二源極與第二汲極，第二閘極與發光訊號線電性連接。電容器具有第一電容電極與第二電容電極，第一電容電極與第一薄膜電晶體的第一源極電性連接，第二電容電極與第二薄膜電晶體的第二汲極電性連接。第三薄膜電晶體具有第三閘極、第三源極與第三汲極，第三閘極與第二掃描線電性連接，第三汲極與第一薄膜電晶體的第一源極電性連接。第四薄膜電晶體具有第四閘極、第四源極與第四汲極，第四閘極與第一薄膜電晶體的第一源極以及第三薄膜電晶體的第三汲極電性連接，第四源極與第二薄膜電晶體的第二源極電性連接。第五薄膜電晶體具有第五閘極、第五源極與第五汲極，第五閘極與發光訊號線電性連接，第五源極與第四薄膜電晶體的第四汲極以及第三薄膜電晶體的第三源極電性連接。第六薄膜電晶體具有第六閘極、第六源極與第六汲極，第六閘極與第二掃描線電性連接，第六源極與資料線電性連接，第六汲極與第二薄膜電晶體的第二源極以及第四薄膜電晶體的第四源極電性連接。發光元件與第五薄膜電晶體的汲極電性連接。

本發明提出一種畫素結構，其包括第一掃描線以及第二掃描線、約略垂直第一掃描線以及第二掃描線設置的資料線與電源線、約略平行第一掃描線以及第二掃描線設置的發光訊號線與參考訊號線、共用電晶體以及第一畫素單元以及第二畫素單元。共用電晶體具有共用閘極、共用源極與共用汲極，且共用閘極與第一掃描線電性連接，共用汲極與參考訊號線電性連接。第一畫素單元以及第二畫素單元各自具有第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜電晶體以及電容器。第一薄膜電晶體具有第一閘極、第一源極與第一汲極，第一閘極與第一掃描線電性連接，第一汲極與共用電晶體的共用源極電性連接。第二薄膜電晶體具有第二閘極、第二源極與第二汲極，第二閘極與發光訊號線電性連接。電容器具有第一電容電極與第二電容電極，第一電容電極與第一薄膜電晶體的第一源極電性連接，第二電容電極與第二薄膜電晶體的第二汲極電性連接。第三薄膜電晶體具有第三閘極、第三源極與第三汲極，第三閘極與第二掃描線電性連接，第三汲極與第一薄膜電晶體的第一源極電性連接。第四薄膜電晶體具有第四閘極、第四源極與第四汲極，第四閘極與第一薄膜電晶體的第一源極以及第三薄膜電晶體的第三汲極電性連接，第四源極與第二薄膜電晶體的第二源極電性連接。第五薄膜電晶體具有第五閘極、第五源極與第五汲極，第五閘極與發光訊號線電性連接，第五源極與第四薄膜電晶體的第四汲極以及第三薄膜電晶體的第三源極電性連接。第六薄膜電晶體具有第六閘極、第六源極與第六汲極，第六閘極與第二掃描線電性連接，第六源極與資料線電性連接，第六汲極與第二薄膜電晶體的第二源極以及第四薄膜電晶體的第四源極電性連接。

基於上述，由於本發明之畫素結構之第一畫素單元以及第二畫素單元共同使用所述共用電晶體，因此可以節省畫素結構之第一畫素單元以及第二畫素單元中各自的薄膜電晶體所需佔用的畫素面積。如此一來，便可縮小畫素結構的面積，以利應用於高解析度產品上。即使不對畫素結構作縮小化，也可在所省下的畫素結構的空間中設置其他元件或構件。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是根據本發明一實施例之有機發光元件的畫素結構的上視示意圖。圖2是圖1之畫素結構的等效電路圖。為了詳述本發明，圖1之畫素結構省略繪示發光元件的膜層。有關發光元件之膜層將於後續段落詳細說明。

請先參考圖1以及圖2，本實施例之畫素結構包括第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2、資料線DL、參考訊號線RL、發光訊號線EL、共用電晶體T、第一畫素單元U以及第二畫素單元U1。

第一掃描線SL1、第二掃描線SL2以及資料線DL是設置在基板上。資料線DL約略垂直第一掃描線以及第二掃描線設置。換言之，資料線DL的延伸方向與第一掃描線SL1及第二掃描線SL2的延伸方向垂直。另外，第一掃描線SL1及第二掃描線SL2與資料線DL屬於不同的膜層。基於導電性的考量，第一掃描線SL1及第二掃描線SL2與資料線DL一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此。

參考訊號線RL是設置在基板上。根據本實施例，參考訊號線RL約略平行第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2設置。換言之，參考訊號線RL的延伸方向與第一掃描線SL1及第二掃描線SL2的延伸方向平行。然，本發明不限於此。根據其他的實施例，參考訊號線RL亦可以是平行資料線DL設置。在本實施例中，參考訊號線RL有一部分是與資料線DL屬於同一膜層，參考訊號線RL的另一部分則是與第一掃描線SL1及第二掃描線SL2屬於同一膜層，且參考訊號線RL的所述兩個部分是藉由接觸窗V2、V2’而彼此電性連接。

發光訊號線EL是設置在基板上。根據本實施例，發光訊號線EL約略平行第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2設置。換言之，參考訊號線RL的延伸方向與第一掃描線SL1及第二掃描線SL2的延伸方向平行。

共用電晶體T具有共用閘極G、共用源極S與共用汲極D，且共用閘極G與第一掃描線SL1電性連接，共用汲極D與參考訊號線RL電性連接。根據本實施例，共用汲極D是藉由接觸窗V1而與參考訊號線RL電性連接。

第一畫素單元U具有第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2、第三薄膜電晶體T3、第四薄膜電晶體T4、第五薄膜電晶體T5、第六薄膜電晶體T6、電容器C以及發光元件O。第二畫素單元U’具有第一薄膜電晶體T1’、第二薄膜電晶體T2’、第三薄膜電晶體T3’、第四薄膜電晶體T4’、第五薄膜電晶體T5’、第六薄膜電晶體T6’、電容器C’以及發光元件O’。

在第一畫素單元U中，第一薄膜電晶體T1具有第一閘極G1、第一源極S1與第一汲極D1，第一閘極G1與第一掃描線SL1電性連接，第一汲極D1與共用電晶體T的共用源極S電性連接。

第二薄膜電晶體T2具有第二閘極G2、第二源極S2與第二汲極D2，第二閘極G2與發光訊號線EL電性連接。

電容器C具有第一電容電極E1與第二電容電極E2，第一電容電極E1與第一薄膜電晶體T1的第一源極S1電性連接，第二電容電極E2與第二薄膜電晶體T2的第二汲極D2電性連接。

根據本發明之一實施例，第二薄膜電晶體T2的第二汲極D2以及電容器C的第二電容電極E2電性連接至第一電源線(Vdd)。在此，第二薄膜電晶體T2的第二汲極D2是透過接觸窗V9而電性連接至第一電源線(Vdd)，電容器C的第二電容電極E2是透過接觸窗V11而電性連接至第一電源線(Vdd)。

第三薄膜電晶體T3具有第三閘極G3、第三源極S3與第三汲極D3，第三閘極G3與第二掃描線SL2電性連接，第三汲極D3與第一薄膜電晶體T1的第一源極S1電性連接。

第四薄膜電晶體T4具有第四閘極G4、第四源極S4與第四汲極D4，第四閘極G4與第一薄膜電晶體T1的第一源極S1以及第三薄膜電晶體T3的第三汲極D3電性連接，第四源極S4與第二薄膜電晶體T2的第二源極S2電性連接。在此，第四閘極G4是透過接觸窗V3、V5而電性連接至第一薄膜電晶體T1的第一汲極D1。

第五薄膜電晶體T5具有第五閘極G5、第五源極S5與第五汲極D5，第五閘極G5與發光訊號線EL電性連接，第五源極S5與第四薄膜電晶體T4的第四汲極D4以及第三薄膜電晶體T3的第三源極S3電性連接。在此，第五源極S5是透過接觸窗V6、V7而與第四薄膜電晶體T4的第四汲極D4電性連接。

第六薄膜電晶體T6具有第六閘極G6、第六源極S6與第六汲極D6，第六閘極G6與第二掃描線SL2電性連接，第六源極S6與資料線DL電性連接，第六汲極D6與第二薄膜電晶體T2的第二源極S2以及第四薄膜電晶體T4的第四源極S4電性連接。在此，第六源極S6透過接觸窗V4與資料線DL電性連接。

發光元件O與第五薄膜電晶體T5的第五汲極D5電性連接。在此，發光元件O透過接觸窗V8、V10與第五薄膜電晶體T5的第五汲極D5電性連接。

在第二畫素單元U’中，第一薄膜電晶體T1’具有第一閘極G1’、第一源極S1’與第一汲極D1’，第一閘極G1’與第一掃描線SL1電性連接，第一汲極D1’與共用電晶體T的共用汲極S電性連接。

第二薄膜電晶體T2’具有第二閘極G2’、第二源極S2’與第二汲極D2’，第二閘極G2’與發光訊號線EL電性連接。

電容器C’具有第一電容電極E1’與第二電容電極E2’，第一電容電極E1’與第一薄膜電晶體T1’的第一源極S1’電性連接，第二電容電極E2’與第二薄膜電晶體T’的第二汲極D2’電性連接。

根據本發明之一實施例，第二薄膜電晶體T2’的第二汲極D2’以及電容器C’的第二電容電極E2’電性連接至第一電源線(Vdd)。在此，第二薄膜電晶體T2’的第二汲極D2’是透過接觸窗V9’而電性連接至第一電源線(Vdd)，電容器C’的第二電容電極E2’是透過接觸窗V11’而電性連接至第一電源線(Vdd)。

第三薄膜電晶體T3’具有第三閘極G3’、第三源極S3’與第三汲極D3’，第三閘極G3’與第二掃描線SL2電性連接，第三汲極D3’與第一薄膜電晶體T1’的第一源極S1’電性連接。

第四薄膜電晶體T4’具有第四閘極G4’、第四源極S4’與第四汲極D4’，第四閘極G4’與第一薄膜電晶體T1’的第一源極S1’以及第三薄膜電晶體T3’的第三汲極D3’電性連接，第四源極S4’與第二薄膜電晶體T2’的第二源極S2’電性連接。在此，第四閘極G4’是透過接觸窗V3’、V5’而電性連接至第一薄膜電晶體T1’的第一源極S1’。

第五薄膜電晶體T5’具有第五閘極G5’、第五源極S5’與第五汲極D5’，第五閘極G5’與發光訊號線EL電性連接’第五源極S5’與第四薄膜電晶體T4’的第四汲極D4’以及第三薄膜電晶體T3’的第三源極S3’電性連接。在此，第五源極S5’是透過接觸窗V6’、V7’而與第四薄膜電晶體T4’的第四汲極D4’電性連接。

第六薄膜電晶體T6’具有第六閘極G6’、第六源極S6’與第六汲極D6’，第六閘極G6’與第二掃描線SL2電性連接’第六源極S6’與資料線DL電性連接’第六汲極D6’與第二薄膜電晶體T2’的第二源極S2’以及第四薄膜電晶體T4’的第四源極S4’電性連接。在此，第六源極S6’透過接觸窗V4’與資料線DL電性連接。

發光元件O’與第五薄膜電晶體T5’的第五汲極D5’電性連接。在此，發光元件O透過接觸窗V8’、V10’與第五薄膜電晶體T5的第五汲極D5電性連接。

圖3為圖1之標號200的放大圖。根據以上所述，共用電晶體T是設置在第一畫素單元U與第二畫素單元U’的交界處，因此本發明之第一畫素單元U與第二畫素單元U’可以共同使用共用電晶體T。由於第一畫素單元U與第二畫素單元U’可以共同使用共用電晶體T，因此此種畫素結構的設計相較於無共用電晶體之設計的畫素結構來說可以節省約8.8%的面積。也就是，在既有的畫素結構的尺寸之下，可以另外空出8.8%的面積。所空出的面積可以另外設置其他構件或元件，也可以直接將畫素尺寸縮小，以利於應用在高解析度的顯示器上。

值得一提的是，上述共用電晶體T、第一薄膜電晶體T1,T1’、第二薄膜電晶體T2,T2’、第三薄膜電晶體T3,T3’、第四薄膜電晶體T4.T4’、第五薄膜電晶體T5,T5’以及第六薄膜電晶體T6,T6’可選自非晶矽薄膜電晶體、多晶矽薄膜電晶體及氧化物薄膜電晶體所組成族群其中之一及其組合。若是以多晶矽薄膜電晶體為例，所述薄膜電晶體之結構大致如下所述。

圖4是圖1中沿著剖面線A-A’以及剖面線B-B’的剖面示意圖。圖4是以共用電晶體之剖面以及第五薄膜電晶體之剖面為例來說明多晶矽薄膜電晶體之結構。實際是，第一、第二、第三、第四以及第六薄膜電晶體之結構也是類似結構。請參照圖4，共用電晶體T包括設置在基板100上之多晶矽層，其包括有源極S、通道CH以及汲極D。絕緣層102覆蓋住所述多晶矽層。在通道CH上方之絕緣層102上設置有閘極G。類似地，第五電晶體T5包括設置在基板100上之多晶矽層PO，其包括有源極S5、通道CH5以及汲極D5。絕緣層102覆蓋住所述多晶矽層PO。在通道CH5上方之絕緣層102上設置有閘極G5。

此外，絕緣層104覆蓋住共用電晶體T以及第五電晶體T5。參考訊號線RL設置在絕緣層104上，且透過接觸窗V1與汲極D電性連接。在絕緣層104中還設置有源極與汲極金屬層(未標示出)，其分別與第一源極S5與第五汲極D5電性連接。

上述設置有電晶體之膜層在此又可稱為畫素結構層P。而在此畫素結構層P上方可另外設置發光元件O，如此即可構成有機發光元件之畫素結構。

更詳細而言，絕緣層106覆蓋住絕緣層104，且絕緣層106上設置有第一電極層110。第一電極層110可與第五薄膜電晶體T5的汲極D5電性連接。根據本實施例，發光元件O的第一電極層110與第五薄膜電晶體T5的第五汲極D5之間是透過接觸窗V10而電性連接。

在第一電極層110上則設置有發光層112。發光層112可為有機發光層或無機發光層。根據發光層112所使用之材質，此有機發光元件可稱為有機有機發光元件或是無機有機發光元件。另外，每一畫素單元U或U’之發光元件O、O’的發光層112可為紅色有機發光圖案、綠色有機發光圖案、藍色有機發光圖案或是混合各頻譜的光產生的不同顏色(例如白、橘、紫、...等)發光圖案。

此外，發光層112上設置有第二電極層114。根據本發明之一實施例，發光元件O的第二電極層114是電性連接至第二電源線(Vss)。根據其他實施例，上述之發光元件O更可包括電子傳輸層、電子注入層、電洞傳輸層以及電洞注入層(未繪示)。

上述之有機發光元件的畫素結構的參考訊號線RL的一部分是與掃描線同一膜層，且另一部分是與資料線同一膜層。然，本發明不限於此。根據其他實施例，參考訊號線RL亦可以設置在其他膜層，如下所述。

圖5是根據本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖。圖6是圖5中沿著剖面線A-A’以及剖面線B-B’的剖面示意圖。請參照圖5以及圖6，圖5與圖6之實施例與上述圖1及圖4之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖5與圖6之實施例與上述圖1及圖4之實施例不同之處在於參考訊號線RL是與發光元件O的第一電極層110屬於同一膜層。根據此實施例，參考訊號線RL與共用電晶體T的汲極D是透過接觸窗V1而電性連接。

由於此實施例是將參考訊號線RL設置在與發光元件O的第一電極層110同一膜層，因此參考訊號線RL可以與第一掃描線SL1重疊設置。換言之，參考訊號線RL可設置在第一掃描線SL1的正上方。如此，便可進一步節省畫素結構中之構件或元件所需佔用的空間。

綜上所述，由於本發明之畫素結構之第一畫素單元以及第二畫素單元共同使用所述共用電晶體，因此可以節省畫素結構之第一畫素單元以及第二畫素單元中各自的薄膜電晶體所需佔用的面積。如此一來，便可縮小畫素結構的面積，以利應用於高解析度產品上。即使不對畫素結構作縮小化，也可在所省下的畫素結構的空間中設置其他元件或構件。

此外，本發明可進一步將參考訊號線設置在與發光元件的第一電極層同一膜層。因此，參考訊號線可設置在第一掃描線的正上方。如此，便可進一步節省畫素結構中之構件或元件所需佔用的空間。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．基板

102、104、106．．．絕緣層

110．．．第一電極層

112．．．發光層

114．．．第二電極層

SL1、SL2．．．掃描線

DL．．．資料線

RL．．．參考訊號線

EL．．．發光訊號線

T、T1~T6、T1’~T6’．．．薄膜電晶體

G1~G6、G1’~G6’．．．閘極

S1~S6、S1’~S6’．．．源極

D1~D6、D1’~D6’．．．汲極

C、C’．．．電容器

E1、E2、E1’、E2’．．．電容電極

O、O’．．．發光元件

CH、CH5．．．通道

PO．．．多晶矽層

U、U’．．．畫素單元

V1～V11、V1’～V11’．．．接觸窗

Vdd、Vss．．．電源線

圖1是根據本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。

圖2是圖1之畫素結構的等效電路圖。

圖3是圖1之標號200的放大示意圖。

圖4是圖1中沿著剖面線A-A’以及剖面線B-B’的剖面示意圖。

圖5是根據本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖。

圖6是圖5中沿著剖面線A-A’以及剖面線B-B’的剖面示意圖。

SL1、SL2．．．掃描線

DL．．．資料線

RL．．．參考訊號線

EL．．．發光訊號線

T、T1~T6、T1’~T6’．．．薄膜電晶體

G1~G6、G1’~G6’．．．閘極

S1~S6、S1’~S6’．．．源極

D1~D6、D1’~D6’．．．汲極

C、C’．．．電容器

E1、E2、E1’、E2’．．．電容電極

O、O’．．．發光元件

Vdd、Vss．．．電源線

Claims (16)

1. 一種有機發光元件的畫素結構，包括：一第一掃描線以及一第二掃描線；一資料線，其約略垂直該第一掃描線以及該第二掃描線設置；一參考訊號線；一發光訊號線，其約略平行該第一掃描線以及該第二掃描線設置；一共用電晶體，具有一共用閘極、一共用源極與一共用汲極，該共用閘極與該第一掃描線電性連接，該共用汲極與該參考訊號線電性連接；一第一畫素單元以及一第二畫素單元，且該第一畫素單元以及該第二畫素單元各自具有：一第一薄膜電晶體，具有一第一閘極，一第一源極與一第一汲極，該第一閘極與該第一掃描線電性連接，該第一汲極與該共用電晶體的該共用源極電性連接；一第二薄膜電晶體，具有一第二閘極、一第二源極與一第二汲極，該第二閘極與該發光訊號線電性連接；一電容器，具有一第一電容電極與一第二電容電極，該第一電容電極與該第一薄膜電晶體的該第一源極電性連接，該第二電容電極與該第二薄膜電晶體的該第二汲極電性連接；一第三薄膜電晶體，具有一第三閘極、一第三源極與一第三汲極，該第三閘極與該第二掃描線電性連接，該第三汲極與該第一薄膜電晶體的該第一源極電性連接；一第四薄膜電晶體，具有一第四閘極、一第四源極與一第四汲極，該第四閘極與該第一薄膜電晶體的該第一源極以及該第三薄膜電晶體的該第三汲極電性連接，該第四源極與該第二薄膜電晶體的該第二源極電性連接；一第五薄膜電晶體，具有一第五閘極、一第五源極與一第五汲極，該第五閘極與該發光訊號線電性連接，該第五源極與該第四薄膜電晶體的該第四汲極以及該第三薄膜電晶體的第三源極電性連接；一第六薄膜電晶體，具有一第六閘極、一第六源極與一第六汲極，該第六閘極與該第二掃描線電性連接，該第六源極與該資料線電性連接，該第六汲極與該第二薄膜電晶體的該第二源極以及該第四薄膜電晶體的該第四源極電性連接；以及一發光元件，其與該第五薄膜電晶體的汲極電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光元件的畫素結構，其中該參考訊號線的一部分與該第一掃描線及該第二掃描線是屬於同一膜層，該參考訊號線的另一部分與該資料線是屬於同一膜層。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光元件的畫素結構，其中該第二薄膜電晶體的該第二汲極以及該電容器的該第二電容電極電性連接至一第一電源線(Vdd)。
4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光元件的畫素結構，其中該發光元件包括：一第一電極層，其與該第五薄膜電晶體的汲極電性連接；一發光層，位於該第一電極層上；以及一第二電極層，位於該發光層上。
5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光元件的畫素結構，其中該參考訊號線與該發光元件的該第一電極層是屬於同一膜層。
6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光元件的畫素結構，其中該參考訊號線與該第一掃描線重疊設置。
7. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光元件的畫素結構，其中該參考訊號線與該共用電晶體的該汲極是透過一接觸窗而電性連接。
8. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光元件的畫素結構，其中該發光元件的該第一電極層與該第五薄膜電晶體的該第五汲極之間是透過一接觸窗而電性連接。
9. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光元件的畫素結構，其中該發光元件的該第二電極層是電性連接至一第二電源線(Vss)。
10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光元件的畫素結構，其中該共用電晶體、該第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體以及第六薄膜電晶體係選自由一非晶矽薄膜電晶體、一多晶矽薄膜電晶體或一氧化物薄膜電晶體所組成族群其中之一及其組合。
11. 一種畫素結構，包括：一第一掃描線以及一第二掃描線；一資料線，其約略垂直該第一掃描線以及該第二掃描線設置；一參考訊號線；一發光訊號線，其約略平行該第一掃描線以及該第二掃描線設置；一共用電晶體，具有一共用閘極、一共用源極與一共用汲極，該共用閘極與該第一掃描線電性連接，該共用汲極與該參考訊號線電性連接；一第一畫素單元以及一第二畫素單元，且該第一畫素單元以及該第二畫素單元各自具有：一第一薄膜電晶體，具有一第一閘極、一第一源極與一第一汲極，該第一閘極與該第一掃描線電性連接，該第一汲極與該共用電晶體的該共用源極電性連接；一第二薄膜電晶體，具有一第二閘極、一第二源極與一第二汲極，該第二閘極與該發光訊號線電性連接；一電容器，具有一第一電容電極與一第二電容電極，該第一電容電極與該第一薄膜電晶體的該第一源極電性連接，該第二電容電極與該第二薄膜電晶體的該第二汲極電性連接；一第三薄膜電晶體，具有一第三閘極、一第三源極與一第三汲極，該第三閘極與該第二掃描線電性連接，該第三汲極與該第一薄膜電晶體的該第一源極電性連接；一第四薄膜電晶體，具有一第四閘極、一第四源極與一第四汲極，該第四閘極與該第一薄膜電晶體的該第一源極以及該第三薄膜電晶體的該第三汲極電性連接，該第四源極與該第二薄膜電晶體的該第二源極電性連接；一第五薄膜電晶體，具有一第五閘極、一第五源極與一第五汲極，該第五閘極與該發光訊號線電性連接，該第五源極與該第四薄膜電晶體的該第四汲極以及該第三薄膜電晶體的第三源極電性連接；以及一第六薄膜電晶體，具有一第六閘極、一第六源極與一第六汲極，該第六閘極與該第二掃描線電性連接，該第六源極與該資料線電性連接，該第六汲極與該第二薄膜電晶體的該第二源極以及該第四薄膜電晶體的該第四源極電性連接。
12. 如申請專利範圍第11項所述之畫素結構，其中該參考訊號線的一部分與該第一掃描線及該第二掃描線是屬於同一膜層，該參考訊號線的另一部分與該資料線是屬於同一膜層。
13. 如申請專利範圍第11項所述之畫素結構，其中該參考訊號線與該第一掃描線及該第二掃描線是屬於不同膜層。
14. 如申請專利範圍第13項所述之畫素結構，其中該參考訊號線與該第一掃描線重疊設置。
15. 如申請專利範圍第11項所述之畫素結構，其中該參考訊號線與該第一薄膜電晶體的源極是透過一接觸窗而電性連接。
16. 如申請專利範圍第11項所述之畫素結構，其中該共用電晶體、該第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體以及第六薄膜電晶體係選自由一非晶矽薄膜電晶體、一多晶矽薄膜電晶體或一氧化物薄膜電晶體所組成族群其中之一及其組合。