CN101950755B - 像素结构以及有机发光元件的像素结构 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机发光元件的像素结构，其包括第一扫描线以及第二扫描线、约略垂直第一扫描线以及第二扫描线设置的数据线与电源信号线、约略平行第一扫描线以及第二扫描线设置的发光信号线与参考信号线、共用晶体管以及第一像素单元以及第二像素单元。共用晶体管具有共用栅极、共用源极与共用漏极，且共用栅极与第一扫描线电性连接，共用漏极与参考信号线电性连接。第一像素单元以及第二像素单元各自具有第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管、电容器以及发光元件。本发明同时涉及一种像素结构。

Description

像素结构以及有机发光元件的像素结构

技术领域

本发明涉及一种像素结构，且特别是有关于一种有机发光元件的像素结构。

背景技术

有机发光元件是一种自发光性的发光元件。由于使用有机发光元件的显示器具有无视角限制、低制造成本、高反应速度(约为液晶的百倍以上)、省电、可使用于可携式机器、工作温度范围大以及重量轻且可随硬件设备小型化及薄型化等等。因此，使用有机发光元件的显器具有极大的发展潜力，可望成为下一世代的新颖平面显示器。

通常有机发光元件的显示器的一个像素结构可由多个薄膜晶体管以及一个电容器的搭配来驱动此像素结构。然而，因像素电路结构中使用多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管势必占据此像素结构特定的面积。如此一来，像素电路结构中就没有多余的空间可以再设置其他构件。或者是，所述像素电路结构就不易缩小化，而难以应用于高解析度的显示器上。

发明内容

本发明提供一种像素结构以及有机发光元件的像素结构，其可以节省像素结构的构件所需占用的面积。

本发明提出一种有机发光元件的像素结构，其包括第一扫描线以及第二扫描线、约略垂直第一扫描线以及第二扫描线设置的数据线与电源线、约略平行第一扫描线以及第二扫描线设置的发光信号线与参考信号线、共用晶体管以及第一像素单元以及第二像素单元。共用晶体管具有共用栅极、共用源极与共用漏极，且共用栅极与第一扫描线电性连接，共用漏极与参考信号线电性连接。第一像素单元以及第二像素单元各自具有第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管、电容器以及发光元件。第一薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极与第一漏极，第一栅极与第一扫描线电性连接，第一漏极与共用晶体管的共用源极电性连接。第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极与第二漏极，第二栅极与发光信号线电性连接。电容器具有第一电容电极与第二电容电极，第一电容电极与第一薄膜晶体管的第一源极电性连接，第二电容电极与第二薄膜晶体管的第二漏极电性连接。第三薄膜晶体管具有第三栅极、第三源极与第三漏极，第三栅极与第二扫描线电性连接，第三漏极与第一薄膜晶体管的第一源极电性连接。第四薄膜晶体管具有第四栅极、第四源极与第四漏极，第四栅极与第一薄膜晶体管的第一源极以及第三薄膜晶体管的第三漏极电性连接，第四源极与第二薄膜晶体管的第二源极电性连接。第五薄膜晶体管具有第五栅极、第五源极与第五漏极，第五栅极与发光信号线电性连接，第五源极与第四薄膜晶体管的第四漏极以及第三薄膜晶体管的第三源极电性连接。第六薄膜晶体管具有第六栅极、第六源极与第六漏极，第六栅极与第二扫描线电性连接，第六源极与数据线电性连接，第六漏极与第二薄膜晶体管的第二源极以及第四薄膜晶体管的第四源极电性连接。发光元件与第五薄膜晶体管的漏极电性连接。

本发明提出一种像素结构，其包括第一扫描线以及第二扫描线、约略垂直第一扫描线以及第二扫描线设置的数据线与电源线、约略平行第一扫描线以及第二扫描线设置的发光信号线与参考信号线、共用晶体管以及第一像素单元以及第二像素单元。共用晶体管具有共用栅极、共用源极与共用漏极，且共用栅极与第一扫描线电性连接，共用漏极与参考信号线电性连接。第一像素单元以及第二像素单元各自具有第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管以及电容器。第一薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极与第一漏极，第一栅极与第一扫描线电性连接，第一漏极与共用晶体管的共用源极电性连接。第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极与第二漏极，第二栅极与发光信号线电性连接。电容器具有第一电容电极与第二电容电极，第一电容电极与第一薄膜晶体管的第一源极电性连接，第二电容电极与第二薄膜晶体管的第二漏极电性连接。第三薄膜晶体管具有第三栅极、第三源极与第三漏极，第三栅极与第二扫描线电性连接，第三漏极与第一薄膜晶体管的第一源极电性连接。第四薄膜晶体管具有第四栅极、第四源极与第四漏极，第四栅极与第一薄膜晶体管的第一源极以及第三薄膜晶体管的第三漏极电性连接，第四源极与第二薄膜晶体管的第二源极电性连接。第五薄膜晶体管具有第五栅极、第五源极与第五漏极，第五栅极与发光信号线电性连接，第五源极与第四薄膜晶体管的第四漏极以及第三薄膜晶体管的第三源极电性连接。第六薄膜晶体管具有第六栅极、第六源极与第六漏极，第六栅极与第二扫描线电性连接，第六源极与数据线电性连接，第六漏极与第二薄膜晶体管的第二源极以及第四薄膜晶体管的第四源极电性连接。

基于上述，由于本发明的像素结构的第一像素单元以及第二像素单元共同使用所述共用晶体管，因此可以节省像素结构的第一像素单元以及第二像素单元中各自的薄膜晶体管所需占用的像素面积。如此一来，便可缩小像素结构的面积，以利应用于高解析度产品上。即使不对像素结构作缩小化，也可在所省下的像素结构的空间中设置其他元件或构件。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图；

图2是图1的像素结构的等效电路图；

图3是图1的标号200的放大示意图；

图4是图1中沿着剖面线A-A’以及剖面线B-B’的剖面示意图；

图5是根据本发明另一实施例的像素结构的俯视示意图；

图6是图5中沿着剖面线A-A’以及剖面线B-B’的剖面示意图。

其中，附图标记

100：基板                        102、104、106：绝缘层

110：第一电极层                  112：发光层

114：第二电极层                  SL1、SL2：扫描线

DL：数据线                       RL：参考信号线

EL：发光信号线                   T、T1～T6、T1’～T6’：薄膜晶体管

G1～G6、G1’～G6’：栅极         S1～S6、S1’～S6’：源极

D1～D6、D1’～D6’：漏极         C、C’：电容器

E1、E2、E1’、E2’：电容电极     O、O’：发光元件

CH、CH5：通道                    PO：多晶硅层

U、U’：像素单元            V1～V11、V1’～V11’：接触窗

Vdd、Vss：电源线

具体实施方式

图1是根据本发明一实施例的有机发光元件的像素结构的俯视示意图。图2是图1的像素结构的等效电路图。为了详述本发明，图1的像素结构省略绘示发光元件的膜层。有关发光元件的膜层将于后续段落详细说明。

请先参考图1以及图2，本实施例的像素结构包括第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2、数据线DL、参考信号线RL、发光信号线EL、共用晶体管T、第一像素单元U以及第二像素单元U1。

第一扫描线SL1、第二扫描线SL2以及数据线DL是设置在基板上。数据线DL约略垂直第一扫描线以及第二扫描线设置。换言之，数据线DL的延伸方向与第一扫描线SL1及第二扫描线SL2的延伸方向垂直。另外，第一扫描线SL1及第二扫描线SL2与数据线DL属于不同的膜层。基于导电性的考虑，第一扫描线SL1及第二扫描线SL2与数据线DL一般是使用金属材料。但，本发明不限于此。

参考信号线RL是设置在基板上。根据本实施例，参考信号线RL约略平行第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2设置。换言之，参考信号线RL的延伸方向与第一扫描线SL1及第二扫描线SL2的延伸方向平行。但，本发明不限于此。根据其他的实施例，参考信号线RL亦可以是平行数据线DL设置。在本实施例中，参考信号线RL有一部分是与数据线DL属于同一膜层，参考信号线RL的另一部分则是与第一扫描线SL1及第二扫描线SL2属于同一膜层，且参考信号线RL的所述两个部分是通过接触窗V2、V2’而彼此电性连接。

发光信号线EL是设置在基板上。根据本实施例，发光信号线EL约略平行第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2设置。换言之，参考信号线RL的延伸方向与第一扫描线SL1及第二扫描线SL2的延伸方向平行。

共用晶体管T具有共用栅极G、共用源极S与共用漏极D，且共用栅极G与第一扫描线SL1电性连接，共用漏极D与参考信号线RL电性连接。根据本实施例，共用漏极D是通过接触窗V1而与参考信号线RL电性连接。

第一像素单元U具有第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、电容器C以及发光元件O。第二像素单元U’具有第一薄膜晶体管T1’、第二薄膜晶体管T2’、第三薄膜晶体管T3’、第四薄膜晶体管T4’、第五薄膜晶体管T5’、第六薄膜晶体管T6’、电容器C’以及发光元件O’。

在第一像素单元U中，第一薄膜晶体管T1具有第一栅极G1、第一源极S1与第一漏极D1，第一栅极G1与第一扫描线SL1电性连接，第一漏极D1与共用晶体管T的共用源极S电性连接。

第二薄膜晶体管T2具有第二栅极G2、第二源极S2与第二漏极D2，第二栅极G2与发光信号线EL电性连接。

电容器C具有第一电容电极E1与第二电容电极E2，第一电容电极E1与第一薄膜晶体管T1的第一源极S1电性连接，第二电容电极E2与第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2电性连接。

根据本发明的一实施例，第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2以及电容器C的第二电容电极E2电性连接至第一电源线(Vdd)。在此，第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2是通过接触窗V9而电性连接至第一电源线(Vdd)，电容器C的第二电容电极E2是通过接触窗V11而电性连接至第一电源线(Vdd)。

第三薄膜晶体管T3具有第三栅极G3、第三源极S3与第三漏极D3，第三栅极G3与第二扫描线SL2电性连接，第三漏极D3与第一薄膜晶体管T1的第一源极S1电性连接。

第四薄膜晶体管T4具有第四栅极G4、第四源极S4与第四漏极D4，第四栅极G4与第一薄膜晶体管T1的第一源极S1以及第三薄膜晶体管T3的第三漏极D3电性连接，第四源极S4与第二薄膜晶体管T2的第二源极S2电性连接。在此，第四栅极G4是通过接触窗V3、V5而电性连接至第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1。

第五薄膜晶体管T5具有第五栅极G5、第五源极S5与第五漏极D5，第五栅极G5与发光信号线EL电性连接，第五源极S5与第四薄膜晶体管T4的第四漏极D4以及第三薄膜晶体管T3的第三源极S3电性连接。在此，第五源极S5是通过接触窗V6、V7而与第四薄膜晶体管T4的第四漏极D4电性连接。

第六薄膜晶体管T6具有第六栅极G6、第六源极S6与第六漏极D6，第六栅极G6与第二扫描线SL2电性连接，第六源极S6与数据线DL电性连接，第六漏极D6与第二薄膜晶体管T2的第二源极S2以及第四薄膜晶体管T4的第四源极S4电性连接。在此，第六源极S6通过接触窗V4与数据线DL电性连接。

发光元件O与第五薄膜晶体管T5的第五漏极D5电性连接。在此，发光元件O通过接触窗V8、V10与第五薄膜晶体管T5的第五漏极D5电性连接。

在第二像素单元U’中，第一薄膜晶体管T1’具有第一栅极G1’、第一源极S1’与第一漏极D1’，第一栅极G1’与第一扫描线SL1电性连接，第一漏极D1’与共用晶体管T的共用漏极S电性连接。

第二薄膜晶体管T2’具有第二栅极G2’、第二源极S2’与第二漏极D2’，第二栅极G2’与发光信号线EL电性连接。

电容器C’具有第一电容电极E1’与第二电容电极E2’，第一电容电极E1’与第一薄膜晶体管T1’的第一源极S1’电性连接，第二电容电极E2’与第二薄膜晶体管T’的第二漏极D2’电性连接。

根据本发明的一实施例，第二薄膜晶体管T2’的第二漏极D2’以及电容器C’的第二电容电极E2’电性连接至第一电源线(Vdd)。在此，第二薄膜晶体管T2’的第二漏极D2’是通过接触窗V9’而电性连接至第一电源线(Vdd)，电容器C’的第二电容电极E2’是通过接触窗V11’而电性连接至第一电源线(Vdd)。

第三薄膜晶体管T3’具有第三栅极G3’、第三源极S3’与第三漏极D3’，第三栅极G3’与第二扫描线SL2电性连接，第三漏极D3’与第一薄膜晶体管T1’的第一源极S1’电性连接。

第四薄膜晶体管T4’具有第四栅极G4’、第四源极S4’与第四漏极D4’，第四栅极G4’与第一薄膜晶体管T1’的第一源极S1’以及第三薄膜晶体管T3’的第三漏极D3’电性连接，第四源极S4’与第二薄膜晶体管T2’的第二源极S2’电性连接。在此，第四栅极G4’是通过接触窗V3’、V5’而电性连接至第一薄膜晶体管T1’的第一源极S1’。

第五薄膜晶体管T5’具有第五栅极G5’、第五源极S5’与第五漏极D5’，第五栅极G5’与发光信号线EL电性连接，第五源极S5’与第四薄膜晶体管T4’的第四漏极D4’以及第三薄膜晶体管T3’的第三源极S3’电性连接。在此，第五源极S5’是通过接触窗V6’、V7’而与第四薄膜晶体管T4’的第四漏极D4’电性连接。

第六薄膜晶体管T6’具有第六栅极G6’、第六源极S6’与第六漏极D6’，第六栅极G6’与第二扫描线SL2电性连接，第六源极S6’与数据线DL电性连接，第六漏极D6’与第二薄膜晶体管T2’的第二源极S2’以及第四薄膜晶体管T4’的第四源极S4’电性连接。在此，第六源极S6’通过接触窗V4’与数据线DL电性连接。

发光元件O’与第五薄膜晶体管T5’的第五漏极D5’电性连接。在此，发光元件O通过接触窗V8’、V10’与第五薄膜晶体管T5的第五漏极D5电性连接。

图3为图1的标号200的放大图。根据以上所述，共用晶体管T是设置在第一像素单元U与第二像素单元U’的交界处，因此本发明的第一像素单元U与第二像素单元U’可以共同使用共用晶体管T。由于第一像素单元U与第二像素单元U’可以共同使用共用晶体管T，因此此种像素结构的设计相较于无共用晶体管的设计的像素结构来说可以节省约8.8％的面积。也就是，在既有的像素结构的尺寸之下，可以另外空出8.8％的面积。所空出的面积可以另外设置其他构件或元件，也可以直接将像素尺寸缩小，以利于应用在高解析度的显示器上。

值得一提的是，上述共用晶体管T、第一薄膜晶体管T1，T1’、第二薄膜晶体管T2，T2’、第三薄膜晶体管T3，T3’、第四薄膜晶体管T4.T4’、第五薄膜晶体管T5，T5’以及第六薄膜晶体管T6，T6’可选自非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管及氧化物薄膜晶体管所组成族群其中之一及其组合。上述的上述共用晶体管T、第一薄膜晶体管T1，T1’、第二薄膜晶体管T2，T2’、第三薄膜晶体管T3，T3’、第四薄膜晶体管T4.T4’、第五薄膜晶体管T5，T5’以及第六薄膜晶体管T6，T6’可以全部都使用相同种类的薄膜晶体管，例如都使用非晶硅薄膜晶体管，亦可以依照需求混合搭配使用不同种类的薄膜晶体管，以达到所需的电性需求，此为本领域技术人员所熟知，因此不再赘述。若是以多晶硅薄膜晶体管为例，所述薄膜晶体管的结构大致如下所述。

图4是图1中沿着剖面线A-A’以及剖面线B-B’的剖面示意图。图4是以共用晶体管的剖面以及第五薄膜晶体管的剖面为例来说明多晶硅薄膜晶体管的结构。实际是，第一、第二、第三、第四以及第六薄膜晶体管的结构也是类似结构。请参照图4，共用晶体管T包括设置在基板100上的多晶硅层，其包括有源极S、通道CH以及漏极D。绝缘层102覆盖住所述多晶硅层。在通道CH上方的绝缘层102上设置有栅极G。类似地，第五晶体管T5包括设置在基板100上的多晶硅层PO，其包括有源极S5、通道CH5以及漏极D5。绝缘层102覆盖住所述多晶硅层PO。在通道CH5上方的绝缘层102上设置有栅极G5。

此外，绝缘层104覆盖住共用晶体管T以及第五晶体管T5。参考信号线RL设置在绝缘层104上，且通过接触窗V1与漏极D电性连接。在绝缘层104中还设置有源极与漏极金属层(未标示出)，其分别与第一源极S5与第五漏极D5电性连接。

上述设置有晶体管的膜层在此又可称为像素结构层P。而在此像素结构层P上方可另外设置发光元件O，如此即可构成有机发光元件的像素结构。

更详细而言，绝缘层106覆盖住绝缘层104，且绝缘层106上设置有第一电极层110。第一电极层110可与第五薄膜晶体管T5的漏极D5电性连接。根据本实施例，发光元件O的第一电极层110与第五薄膜晶体管T5的第五漏极D5之间是通过接触窗V10而电性连接。

在第一电极层110上则设置有发光层112。发光层112可为有机发光层或无机发光层。根据发光层112所使用的材质，此有机发光元件可称为有机有机发光元件或是无机有机发光元件。另外，每一像素单元U或U’的发光元件O、O’的发光层112可为红色有机发光图案、绿色有机发光图案、蓝色有机发光图案或是混合各频谱的光产生的不同颜色(例如白、橘、紫、...等)发光图案。

此外，发光层112上设置有第二电极层114。根据本发明的一实施例，发光元件O的第二电极层114是电性连接至第二电源线(Vss)。根据其他实施例，上述的发光元件O更可包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层(未绘示)。

上述的有机发光元件的像素结构的参考信号线RL的一部分是与扫描线同一膜层，且另一部分是与数据线同一膜层。但，本发明不限于此。根据其他实施例，参考信号线RL亦可以设置在其他膜层，如下所述。

图5是根据本发明另一实施例的像素结构的俯视示意图。图6是图5中沿着剖面线A-A’以及剖面线B-B’的剖面示意图。请参照图5以及图6，图5与图6的实施例与上述图1及图4的实施例相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。图5与图6的实施例与上述图1及图4的实施例不同之处在于参考信号线RL是与发光元件O的第一电极层110属于同一膜层。根据此实施例，参考信号线RL与共用晶体管T的漏极D是通过接触窗V1而电性连接。

由于此实施例是将参考信号线RL设置在与发光元件O的第一电极层110同一膜层，因此参考信号线RL可以与第一扫描线SL1重叠设置。换言之，参考信号线RL可设置在第一扫描线SL1的正上方。如此，便可进一步节省像素结构中的构件或元件所需占用的空间。

综上所述，由于本发明的像素结构的第一像素单元以及第二像素单元共同使用所述共用晶体管，因此可以节省像素结构的第一像素单元以及第二像素单元中各自的薄膜晶体管所需占用的面积。如此一来，便可缩小像素结构的面积，以利应用于高解析度产品上。即使不对像素结构作缩小化，也可在所省下的像素结构的空间中设置其他元件或构件。

此外，本发明可进一步将参考信号线设置在与发光元件的第一电极层同一膜层。因此，参考信号线可设置在第一扫描线的正上方。如此，便可进一步节省像素结构中的构件或元件所需占用的空间。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (16)

1.一种有机发光元件的像素结构，其特征在于，包括：

一第一扫描线以及一第二扫描线；

一数据线，其垂直该第一扫描线以及该第二扫描线设置；

一参考信号线；

一发光信号线，其平行该第一扫描线以及该第二扫描线设置；

一共用晶体管，具有一共用栅极、一共用源极与一共用漏极，该共用栅极与该第一扫描线电性连接，该共用漏极与该参考信号线电性连接；

一第一像素单元以及一第二像素单元，且该第一像素单元以及该第二像素单元各自具有一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一电容器、一第三薄膜晶体管、一第四薄膜晶体管、一第五薄膜晶体管、一第六薄膜晶体管以及一发光元件，其中：

该第一薄膜晶体管，具有一第一栅极、一第一源极与一第一漏极，该第一栅极与该第一扫描线电性连接，该第一漏极与该共用晶体管的该共用源极电性连接；

该第二薄膜晶体管，具有一第二栅极、一第二源极与一第二漏极，该第二栅极与该发光信号线电性连接；

该电容器，具有一第一电容电极与一第二电容电极，该第一电容电极与该第一薄膜晶体管的该第一源极电性连接，该第二电容电极与该第二薄膜晶体管的该第二漏极电性连接；

该第三薄膜晶体管，具有一第三栅极、一第三源极与一第三漏极，该第三栅极与该第二扫描线电性连接，该第三漏极与该第一薄膜晶体管的该第一源极电性连接；

该第四薄膜晶体管，具有一第四栅极、一第四源极与一第四漏极，该第四栅极与该第一薄膜晶体管的该第一源极以及该第三薄膜晶体管的该第三漏极电性连接，该第四源极与该第二薄膜晶体管的该第二源极电性连接；

该第五薄膜晶体管，具有一第五栅极、一第五源极与一第五漏极，该第五栅极与该发光信号线电性连接，该第五源极与该第四薄膜晶体管的该第四漏极以及该第三薄膜晶体管的第三源极电性连接；

该第六薄膜晶体管，具有一第六栅极、一第六源极与一第六漏极，该第六栅极与该第二扫描线电性连接，该第六源极与该数据线电性连接，该第六漏极与该第二薄膜晶体管的该第二源极以及该第四薄膜晶体管的该第四源极电性连接；以及

该发光元件，其与该第五薄膜晶体管的该第五漏极电性连接。

2.根据权利要求1所述的有机发光元件的像素结构，其特征在于，该参考信号线的一部分与该第一扫描线及该第二扫描线是属于同一膜层，该参考信号线的另一部分与该数据线是属于同一膜层。

3.根据权利要求1所述的有机发光元件的像素结构，其特征在于，该第二薄膜晶体管的该第二漏极以及该电容器的该第二电容电极电性连接至一第一电源线。

4.根据权利要求1所述的有机发光元件的像素结构，其特征在于，该发光元件包括：

一第一电极层，其与该第五薄膜晶体管的漏极电性连接；

一发光层，位于该第一电极层上；以及

一第二电极层，位于该发光层上。

5.根据权利要求4所述的有机发光元件的像素结构，其特征在于，该参考信号线与该发光元件的该第一电极层是属于同一膜层。

6.根据权利要求5所述的有机发光元件的像素结构，其特征在于，该参考信号线与该第一扫描线重叠设置。

7.根据权利要求5所述的有机发光元件的像素结构，其特征在于，该参考信号线与该共用晶体管的该漏极是通过一接触窗而电性连接。

8.根据权利要求4所述的有机发光元件的像素结构，其特征在于，该发光元件的该第一电极层与该第五薄膜晶体管的该第五漏极之间是通过一接触窗而电性连接。

9.根据权利要求4所述的有机发光元件的像素结构，其特征在于，该发光元件的该第二电极层是电性连接至一第二电源线。

10.根据权利要求1所述的有机发光元件的像素结构，其特征在于，该共用晶体管、该第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及第六薄膜晶体管选自由一非晶硅薄膜晶体管、一多晶硅薄膜晶体管或一氧化物薄膜晶体管所组成族群其中之一及其组合。

11.一种像素结构，其特征在于，包括：

一第一扫描线以及一第二扫描线；

一数据线，其垂直该第一扫描线以及该第二扫描线设置；

一参考信号线；

一发光信号线，其平行该第一扫描线以及该第二扫描线设置；

一共用晶体管，具有一共用栅极、一共用源极与一共用漏极，该共用栅极与该第一扫描线电性连接，该共用漏极与该参考信号线电性连接；

一第一像素单元以及一第二像素单元，且该第一像素单元以及该第二像素单元各自具有一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一电容器、一第三薄膜晶体管、一第四薄膜晶体管、一第五薄膜晶体管以及一第六薄膜晶体管，其中：

该第一薄膜晶体管，具有一第一栅极、一第一源极与一第一漏极，该第一栅极与该第一扫描线电性连接，该第一漏极与该共用晶体管的该共用源极电性连接；

该第二薄膜晶体管，具有一第二栅极、一第二源极与一第二漏极，该第二栅极与该发光信号线电性连接；

该电容器，具有一第一电容电极与一第二电容电极，该第一电容电极与该第一薄膜晶体管的该第一源极电性连接，该第二电容电极与该第二薄膜晶体管的该第二漏极电性连接；

该第三薄膜晶体管，具有一第三栅极、一第三源极与一第三漏极，该第三栅极与该第二扫描线电性连接，该第三漏极与该第一薄膜晶体管的该第一源极电性连接；

该第四薄膜晶体管，具有一第四栅极、一第四源极与一第四漏极，该第四栅极与该第一薄膜晶体管的该第一源极以及该第三薄膜晶体管的该第三漏极电性连接，该第四源极与该第二薄膜晶体管的该第二源极电性连接；

该第五薄膜晶体管，具有一第五栅极、一第五源极与一第五漏极，该第五栅极与该发光信号线电性连接，该第五源极与该第四薄膜晶体管的该第四漏极以及该第三薄膜晶体管的第三源极电性连接；以及

该第六薄膜晶体管，具有一第六栅极、一第六源极与一第六漏极，该第六栅极与该第二扫描线电性连接，该第六源极与该数据线电性连接，该第六漏极与该第二薄膜晶体管的该第二源极以及该第四薄膜晶体管的该第四源极电性连接。

12.根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该参考信号线的一部分与该第一扫描线及该第二扫描线是属于同一膜层，该参考信号线的另一部分与该数据线是属于同一膜层。

13.根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该参考信号线与该第一扫描线及该第二扫描线是属于不同膜层。

14.根据权利要求13所述的像素结构，其特征在于，该参考信号线与该第一扫描线重叠设置。

15.根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该参考信号线与该共用晶体管的共用漏极是通过一接触窗而电性连接。

16.根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该共用晶体管、该第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及第六薄膜晶体管选自由一非晶硅薄膜晶体管、一多晶硅薄膜晶体管或一氧化物薄膜晶体管所组成族群其中之一及其组合。

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