WO2015027532A1 - 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法 - Google Patents

有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法 Download PDF

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thin film
film transistor
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杨宗颖
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深圳市华星光电技术有限公司
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting diode, and more particularly to an organic light emitting diode anode connecting structure and a manufacturing method thereof. Background technique
  • Organic Light Emitting Diode Display also known as organic electroluminescent diode
  • OLED Organic Light Emitting Diode Display
  • organic electroluminescent diode is a new display technology developed since the mid-20th century. Compared with liquid crystal displays, organic electroluminescent diodes have all solid state, active illumination, high brightness, high contrast, ultra-thin, low cost, low power consumption, fast response, wide viewing angle, wide operating temperature range, easy flexible display, etc. advantage.
  • the structure of an organic electroluminescent diode generally includes: a substrate, an anode, a cathode, and an organic functional layer.
  • the principle of light emission is a very thin multilayer organic material vapor-deposited between the anode and the cathode, and is injected into the organic semiconductor film by a positive carrier. The combination produces luminescence.
  • the organic functional layer of the organic electroluminescent diode is generally composed of three functional layers, namely a Hole Transport Layer (HTL), an Emissive Layer (EML), and an electron transport functional layer (Elective Transport). Layer, ETL).
  • Each functional layer may be one layer, or more than one layer, such as a hole transport functional layer, sometimes subdivided into a hole injection layer and a hole transport layer; an electron transport functional layer, which may be subdivided into an electron transport layer and an electron
  • the injection layer but its functions are similar, so it is collectively referred to as a hole transport functional layer and an electron transport functional layer.
  • the production method of full-color organic electroluminescent diode is mainly composed of red, green and blue (RGB) three-color parallel independent illumination method, white light plus color filter method and color conversion method, among which red, green and blue are juxtaposed.
  • the independent illuminating method has the most potential and is the most practical application.
  • the manufacturing method is that the red, green and blue light materials of different subjects and objects are selected.
  • Organic electroluminescent diodes can be classified into passive driving and active driving depending on the driving method. That is, direct addressing and thin film transistor (TFT) matrix addressing.
  • the active-driven organic electroluminescent diode is an active matrix organic light emitting device (AMOLED).
  • FIG. 1 and FIG. 2 are diagrams of an existing anode connection structure of an organic light emitting diode. It is intended that the anode 100 is electrically connected to the low temperature polysilicon layer 500 through the source/drain 300 of the driving thin film transistor. Due to the presence of the metal layer of the source/drain 300, the spacing between the switching thin film transistors on both sides thereof is relatively Larger, making the area of the pixel relatively large, resulting in fewer pixels per inch, resulting in a lower resolution. Summary of the invention
  • Another object of the present invention is to provide a method for fabricating an anode connection structure of an organic light emitting diode, which is simple in process, can effectively reduce pixel area, and improve resolution.
  • the present invention provides an OLED anode connection structure, comprising: a thin film transistor and an anode of an organic light emitting diode on the thin film transistor, the thin film transistor comprising a low temperature polysilicon layer on the substrate, located in the low temperature polysilicon layer a gate insulating layer, a gate on the gate insulating layer, a protective layer on the gate, and a source/drain on the protective layer, wherein an anode of the organic light emitting diode is connected to the low temperature polysilicon layer .
  • a planarization layer is further disposed between the thin film transistor and the anode of the organic light emitting diode.
  • the substrate is a glass substrate.
  • An isolation layer is further disposed between the substrate and the low temperature polysilicon layer.
  • the anode of the organic light emitting diode comprises one of an indium tin oxide layer, an indium zinc oxide, an aluminum layer, a silver layer, and a molybdenum layer or a laminate thereof.
  • the invention also provides an OLED anode connection structure, comprising: a thin film transistor and an anode of an organic light emitting diode on the thin film transistor, the thin film transistor comprising a low temperature polysilicon layer on the substrate and a gate on the low temperature polysilicon layer An insulating layer, a gate on the gate insulating layer, a protective layer on the gate, and a source/drain on the protective layer, wherein an anode of the organic light emitting diode is connected to the low temperature polysilicon layer;
  • a planarization layer is further disposed between the thin film transistor and the anode of the organic light emitting diode.
  • the substrate is a glass substrate.
  • An isolation layer is further disposed between the substrate and the low temperature polysilicon layer.
  • the anode of the organic light emitting diode comprises one of an indium tin oxide layer, an indium zinc oxide, an aluminum layer, a silver layer, and a molybdenum layer or a laminate thereof.
  • the invention also provides a method for fabricating an anode connection structure of an organic light emitting diode, comprising the following steps:
  • Step 1 providing a substrate on which a thin film transistor is formed; Step 2, forming a planarization layer on the thin film transistor;
  • Step 3 Digging a hole in the planarization layer and the thin film transistor to expose a low temperature polysilicon layer of the thin film transistor;
  • Step 4 forming a conductive layer on the planarization layer and the exposed low temperature polysilicon layer, and patterning the conductive layer to form a new source/drain on the low temperature polysilicon layer, and forming an anode of the organic light emitting diode on the planarization layer The anode of the organic light emitting diode is connected to the new source/drain.
  • the thin film transistor includes a low temperature polysilicon layer on a substrate, a gate insulating layer on the low temperature polysilicon layer, a gate on the gate insulating layer, a protective layer on the gate, and source/drain on the protective layer. pole.
  • the substrate is a glass substrate.
  • An isolation layer is further disposed between the substrate and the low temperature polysilicon layer.
  • the conductive layer includes one of an indium tin oxide layer, an indium zinc oxide, an aluminum layer, a silver layer, and a molybdenum layer or a laminate thereof.
  • the organic light emitting diode anode connecting structure of the present invention and the manufacturing method thereof by directly connecting the anode of the organic light emitting diode to the low temperature polysilicon layer of the thin film transistor, do not need the transfer of the source/drain metal layer, effectively reducing The spacing between the small adjacent two switching thin film transistors, thereby effectively reducing the area of the pixels, increasing the number of pixels per unit area (per inch), and improving the resolution of the panel using the OLED anode connection structure.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a conventional anode connection structure of an organic light emitting diode
  • FIG. 2 is a plan view showing a conventional anode connection structure of an organic light emitting diode
  • FIG. 3 is a schematic structural view of an anode connection structure of an organic light emitting diode according to the present invention.
  • FIG. 4 is a top plan view of an anode connection structure of an organic light emitting diode according to the present invention.
  • FIG. 5 is a flow chart of a method for fabricating an anode connection structure of an organic light emitting diode according to the present invention. detailed description
  • the present invention provides an OLED anode connection structure, including: a thin film transistor 20 and an anode (Anode) 40 of an organic light emitting diode disposed on the thin film transistor 20, wherein the thin film transistor 20 includes a substrate.
  • the anode 40 of the organic light emitting diode is directly connected to the low temperature polysilicon layer 24, thereby effectively reducing the adjacent two switching thin film transistors
  • the spacing between the two, thereby effectively reducing the area of the pixel, increases the number of pixels per unit area (per inch), and improves the resolution of the panel using the OLED anode connection structure.
  • the thin film transistor 20 includes a switching thin film transistor and a driving thin film transistor, and an anode 40 of the organic light emitting diode is connected to the low temperature polysilicon layer 24 of the driving thin film transistor.
  • a planarization layer 60 is further disposed between the thin film transistor 20 and the anode 40 of the organic light emitting diode to avoid corrosion cracking of impurities in the anode 40 of the organic light emitting diode, thereby affecting the display effect.
  • the substrate 22 is a glass substrate;
  • the anode 40 of the organic light emitting diode includes an indium tin oxide (ITO) layer, an indium zinc oxide (IZO) layer, an aluminum (A1) layer, a 4 ⁇ (Ag) layer, and molybdenum One of the (Mo) layers or a laminate thereof.
  • an isolation layer is further disposed between the substrate 22 and the low temperature polysilicon layer 24.
  • the present invention further provides a method for fabricating an anode connection structure of an organic light emitting diode, comprising the following steps:
  • Step 1 A substrate 22 is provided, on which a thin film transistor 20 is formed.
  • the substrate 22 is a glass substrate, and the thin film transistor 20 includes a low temperature polysilicon layer 24 on the substrate 22, a gate insulating layer 26 on the low temperature polysilicon layer 24, a gate on the gate insulating layer 26, and a gate.
  • the protective layer 27 on the pole and the source/drain 28 on the protective layer 27.
  • the thin film transistor 20 includes a switching thin film transistor and a driving thin film transistor.
  • Step 2 A planarization layer 60 is formed on the thin film transistor 20.
  • the planarization layer 60 serves to prevent corrosion corrosion of impurities in the anode 40 of the organic light emitting diode, thereby affecting the display effect.
  • Step 3 Holes are formed in the planarization layer 60 and the thin film transistor 20 to expose the low temperature polysilicon layer 24 of the thin film transistor 20. Specifically, a hole is formed in the planarization layer 60 and the driving thin film transistor corresponding to the source/drain 28 by a mask process to expose a metal layer as the source/drain 28; the source/drain 28 is etched away. The metal layer is exposed to the underlying low temperature polysilicon layer 24.
  • Step 4 Form a conductive layer on the planarization layer 60 and the exposed low temperature polysilicon layer 24, and pattern the conductive layer to form a new source/drain 280 on the low temperature polysilicon layer 24 to form a complete driving thin film transistor.
  • the anode 40 of the organic light emitting diode is formed on the planarization layer 60. Since the new source/drain 280 and the anode 40 of the organic light emitting diode are both formed of a conductive layer, the anode of the organic light emitting diode is made during the preparation process.
  • the anode 40 of the organic light emitting diode is directly connected to the low temperature polysilicon layer 24, thereby effectively reducing the spacing between adjacent two switching thin film transistors. Further, the area of the pixel is effectively reduced, the number of pixels per unit area (per inch) is increased, and the resolution of the panel using the OLED anode connection structure is improved.
  • the conductive layer comprises one of an indium tin oxide layer, an indium zinc oxide, an aluminum layer, a silver layer, and a molybdenum layer or a laminate thereof.
  • an isolation layer is further disposed between the substrate 22 and the low temperature polysilicon layer 24.
  • the OLED anode connection structure of the present invention and the manufacturing method thereof can be effectively reduced by directly connecting the anode of the OLED to the low temperature polysilicon layer of the thin film transistor without the switching of the source/drain metal layer.
  • the spacing between adjacent two switching thin film transistors, thereby effectively reducing the area of the pixel, increases the number of pixels per unit area (per inch), and improves the resolution of the panel using the OLED anode connection structure.

Abstract

一种有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法，该结构包括：薄膜晶体管（20）及位于薄膜晶体管（20）上的有机发光二极管的阳极（40），薄膜晶体管（20）包括位于基板（22）上的低温多晶硅层（24）、位于低温多晶硅层（24）上的栅极绝缘层（26）、位于栅极绝缘层（26）上的栅极、位于栅极上的保护层（27）及位于保护层（27）上的源/漏极（28），有机发光二极管的阳极（40）连接于低温多晶硅层（24）上。通过将有机发光二极管阳极直接连接于薄膜晶体管的低温多晶硅层，有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距，提高了单位面积（每英寸）内像素的数量，提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。

Description

有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法 技术领域
本发明涉及一种发光二极管， 尤其涉及一种有机发光二极管阳极连接 结构及其制作方法。 背景技术
有机发光二极管或有机发光显示器 （Organic Light Emitting Diode Display, OLED ) 又称为有机电致发光二极管， 是自 20世纪中期发展起来 的一种新型显示技术。 与液晶显示器相比， 有机电致发光二极管具有全固 态、 主动发光、 高亮度、 高对比度、 超薄、 低成本、 低功耗、 快速响应、 宽视角、 工作温度范围宽、 易于柔性显示等诸多优点。 有机电致发光二极 管的结构一般包括： 基板、 阳极、 阴极和有机功能层， 其发光原理是通过 阳极和阴极间蒸镀的非常薄的多层有机材料， 由正负载流子注入有机半导 体薄膜后复合产生发光。 有机电致发光二极管的有机功能层， 一般由三个 功能层构成， 分别为空穴传输功能层 （Hole Transport Layer, HTL ) 、 发 光功能层 ( Emissive Layer, EML ) 、 电子传输功能层 ( Electron Transport Layer, ETL ) 。 每个功能层可以是一层， 或者一层以上， 例如空穴传输功 能层， 有时可以细分为空穴注入层和空穴传输层； 电子传输功能层， 可以 细分为电子传输层和电子注入层， 但其功能相近， 故统称为空穴传输功能 层， 电子传输功能层。
目前， 全彩有机电致发光二极管的制作方法以红绿蓝 （RGB )三色并 列独立发光法、 白光加彩色滤光片法、 色转换法三种方式为主， 其中红绿 蓝三色并列独立发光法最有潜力， 实际应用最多， 其制作方法是红绿蓝选 用不同主体和客体的发光材料。
有机电致发光二极管， 根据其驱动方式， 可以分为无源驱动和有源驱 动两大类。 即直接寻址和薄膜晶体管 （TFT ) 矩阵寻址两类。 所述有源驱 动类有机电致发光二极管即是有源矩阵式有机电致发光二极管 （ Active Matrix Organic Light Emitting Device , AMOLED ) 。
由于 AMOLED 的像素电路和补偿电路比液晶显示装置 （ Liquid
Crystal Display, LCD )像素复杂的多， 目前 AMOLED产品的每英寸所拥 有的像素 （Pixels Per Inch, PPI )数目少于 280个， 解析度相对较低。
请参阅图 1 及图 2, 为现有的一种有机发光二极管阳极连接结构的示 意图， 其阳极 100通过驱动薄膜晶体管的源 /漏极 300电性连接于低温多晶 硅层 500上， 由于该源 /漏极 300的金属层的存在， 使得其两侧开关薄膜晶 体管之间的间距相对较大， 使得像素的面积相对较大， 导致每英寸所拥有 的像素数目较少， 进而导致解析度相对较低。 发明内容
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管阳极连接结构， 其结构简 单， 成本低， 像素面积小， 解析度高。
本发明的另一目的在于提供一种有机发光二极管阳极连接结构的制作 方法， 其制程简单， 能有效减小像素面积， 提高解析度。
为实现上述目的， 本发明提供一种有机发光二极管阳极连接结构， 包 括： 薄膜晶体管及位于薄膜晶体管上的有机发光二极管的阳极， 所述薄膜 晶体管包括位于基板上的低温多晶硅层、 位于低温多晶硅层上的栅极绝缘 层、 位于栅极绝缘层上的栅极、 位于栅极上的保护层及位于保护层上的源 / 漏极， 所述有机发光二极管的阳极连接于所述低温多晶硅层上。
所述薄膜晶体管与有机发光二极管的阳极之间还设有平坦化层。
所述基板为玻璃基板。
所述基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。
所述有机发光二极管的阳极包括氧化铟锡层、 氧化铟锌、 铝层、 银 层、 及钼层之一或其叠层。
本发明还提供一种有机发光二极管阳极连接结构， 包括： 薄膜晶体管 及位于薄膜晶体管上的有机发光二极管的阳极， 所述薄膜晶体管包括位于 基板上的低温多晶硅层、 位于低温多晶硅层上的栅极绝缘层、 位于栅极绝 缘层上的栅极、 位于栅极上的保护层及位于保护层上的源 /漏极， 所述有机 发光二极管的阳极连接于所述低温多晶硅层上；
其中， 所述薄膜晶体管与有机发光二极管的阳极之间还设有平坦化 层。
所述基板为玻璃基板。
所述基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。
所述有机发光二极管的阳极包括氧化铟锡层、 氧化铟锌、 铝层、 银 层、 及钼层之一或其叠层。
本发明还提供一种有机发光二极管阳极连接结构的制作方法， 包括以 下步骤：
步骤 1、 提供一基板， 该基板上形成有薄膜晶体管； 步骤 2、 在薄膜晶体管上形成平坦化层；
步骤 3、 在平坦化层及薄膜晶体管上挖孔， 露出薄膜晶体管的低温多 晶硅层；
步骤 4、 在平坦化层及露出的低温多晶硅层上形成导电层， 并图案化 该导电层， 以在低温多晶硅层上形成新的源 /漏极， 在平坦化层上形成有机 发光二极管的阳极， 该有机发光二极管的阳极连接于所述新的源 /漏极。
所述薄膜晶体管包括位于基板上的低温多晶硅层、 位于低温多晶硅层 上的栅极绝缘层、 位于栅极绝缘层上的栅极、 位于栅极上的保护层及位于 保护层上的源 /漏极。
所述基板为玻璃基板。
所述基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。
所述导电层包括氧化铟锡层、 氧化铟锌、 铝层、 银层、 及钼层之一或 其叠层。
本发明的有益效果： 本发明的有机发光二极管阳极连接结构及其制作 方法， 通过将有机发光二极管阳极直接连接于薄膜晶体管的低温多晶硅 层， 不需要源 /漏极金属层的转接， 有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的 间距， 进而有效缩小像素的面积， 提高了单位面积 （每英寸） 内像素的数 量， 提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容， 请参阅以下有关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明
下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图 1为现有的有机发光二极管阳极连接结构的结构示意图；
图 2为现有的有机发光二极管阳极连接结构的俯视图；
图 3为本发明有机发光二极管阳极连接结构的结构示意图；
图 4为本发明有机发光二极管阳极连接结构的俯视图；
图 5为本发明有机发光二极管阳极连接结构的制作方法的流程图。 具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图 3及图 4, 本发明提供一种有机发光二极管阳极连接结构， 包括： 薄膜晶体管 20 及位于薄膜晶体管 20 上的有机发光二极管的阳极 ( Anode ) 40, 所述薄膜晶体管 20 包括位于基板 22 上的低温多晶硅层 ( Poly ) 24、 位于低温多晶硅层 24上的栅极绝缘层（ GI ) 26、 位于栅极绝 缘层 26 上的栅极（未图示） 、 位于栅极上的保护层 （ILD ) 27 及位于保 护层 27上的源 /漏极 ( SD ) 28, 所述有机发光二极管的阳极 40直接连接 于所述低温多晶硅层 24 上， 进而有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的 间距， 进而有效缩小像素的面积， 提高了单位面积 （每英寸） 内像素的数 量， 提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。
所述薄膜晶体管 20 包括开关薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管， 所述有 机发光二极管的阳极 40 连接于所述驱动薄膜晶体管的低温多晶硅层 24 上。
所述薄膜晶体管 20与有机发光二极管的阳极 40之间还设有平坦化层 60 , 以避免有机发光二极管的阳极 40 中的杂质腐蚀断裂， 影响显示效 果。
具体地， 所述基板 22为玻璃基板； 所述有机发光二极管的阳极 40包 括氧化铟锡（ITO )层、 氧化铟锌（IZO ) 、 铝 （A1 )层、 4艮（Ag ) 层、 及钼 （Mo )层之一或其叠层。
值得一提的是， 所述基板 22 与低温多晶硅层 24之间还设有隔离层
29, 以防止杂质扩散至薄膜晶体管 20, 导致薄膜晶体管 20不良。
请参阅图 5, 并参考图 3 及图 4, 本发明还提供一种有机发光二极管 阳极连接结构的制作方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 提供一基板 22 , 该基板 22上形成有薄膜晶体管 20。
所述基板 22为玻璃基板， 所述薄膜晶体管 20 包括位于基板 22上的 低温多晶硅层 24、 位于低温多晶硅层 24上的栅极绝缘层 26、 位于栅极绝 缘层 26上的栅极、 位于栅极上的保护层 27及位于保护层 27上的源 /漏极 28。
所述薄膜晶体管 20包括开关薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管。
步骤 2、 在薄膜晶体管 20上形成平坦化层 60。
所述平坦化层 60用于防止有机发光二极管的阳极 40中的杂质腐蚀断 裂， 影响显示效果。
步骤 3、 在平坦化层 60及薄膜晶体管 20上挖孔， 露出薄膜晶体管 20 的低温多晶硅层 24。 具体地， 通过光罩工艺在平坦化层 60及驱动薄膜晶体管上对应源 /漏 极 28 的位置挖孔， 以露出作为源 /漏极 28 的金属层； 再蚀刻掉该作为源 / 漏极 28的金属层， 以露出下方的低温多晶硅层 24。
步骤 4、 在平坦化层 60及露出的低温多晶硅层 24上形成导电层， 并 图案化该导电层， 以在低温多晶硅层 24 上形成新的源 /漏极 280 , 以形成 完整的驱动薄膜晶体管， 同时， 在平坦化层 60 上形成有机发光二极管的 阳极 40, 由于新的源 /漏极 280与有机发光二极管的阳极 40均由导电层形 成， 在制备过程中， 使得该有机发光二极管的阳极 40 与所述新的源 /漏极 280之间不切断， 使得所述有机发光二极管的阳极 40直接连接于所述低温 多晶硅层 24 上， 进而有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距， 进而 有效缩小像素的面积， 提高了单位面积 （每英寸） 内像素的数量， 提升了 使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。
在本实施例中， 所述导电层包括氧化铟锡层、 氧化铟锌、 铝层、 银 层、 及钼层之一或其叠层。
值得一提的是， 所述基板 22 与低温多晶硅层 24之间还设有隔离层
29 , 以防止杂质扩散至薄膜晶体管 20, 导致薄膜晶体管 20不良。
综上所述， 本发明的有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法， 通 过将有机发光二极管阳极直接连接于薄膜晶体管的低温多晶硅层， 不需要 源 /漏极金属层的转接， 有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距， 进而 有效缩小像素的面积， 提高了单位面积 （每英寸） 内像素的数量， 提升了 使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims

权 利 要 求
1、 一种有机发光二极管阳极连接结构， 包括： 薄膜晶体管及位于薄 膜晶体管上的有机发光二极管的阳极， 所述薄膜晶体管包括位于基板上的 低温多晶硅层、 位于低温多晶硅层上的栅极绝缘层、 位于栅极绝缘层上的 栅极、 位于栅极上的保护层及位于保护层上的源 /漏极， 所述有机发光二极 管的阳极连接于所述低温多晶硅层上。
2、 如权利要求 1 所述的有机发光二极管阳极连接结构， 其中， 所述 薄膜晶体管与有机发光二极管的阳极之间还设有平坦化层。
3、 如权利要求 1 所述的有机发光二极管阳极连接结构， 其中， 所述 基板为玻璃基板。
4、 如权利要求 1 所述的有机发光二极管阳极连接结构， 其中， 所述 基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。
5、 如权利要求 1 所述的有机发光二极管阳极连接结构， 其中， 所述 有机发光二极管的阳极包括氧化铟锡层、 氧化铟锌、 铝层、 银层、 及钼层 之一或其叠层。
6、 一种有机发光二极管阳极连接结构， 包括： 薄膜晶体管及位于薄 膜晶体管上的有机发光二极管的阳极， 所述薄膜晶体管包括位于基板上的 低温多晶硅层、 位于低温多晶硅层上的栅极绝缘层、 位于栅极绝缘层上的 栅极、 位于栅极上的保护层及位于保护层上的源 /漏极， 所述有机发光二极 管的阳极连接于所述低温多晶硅层上；
其中， 所述薄膜晶体管与有机发光二极管的阳极之间还设有平坦化 层。
7、 如权利要求 6 所述的有机发光二极管阳极连接结构， 其中， 所述 基板为玻璃基板。
8、 如权利要求 6 所述的有机发光二极管阳极连接结构， 其中， 所述 基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。
9、 如权利要求 6 所述的有机发光二极管阳极连接结构， 其中， 所述 有机发光二极管的阳极包括氧化铟锡层、 氧化铟锌、 铝层、 银层、 及钼层 之一或其叠层。
10、 一种有机发光二极管阳极连接结构的制作方法， 包括以下步骤： 步骤 1、 提供一基板， 该基板上形成有薄膜晶体管；
步骤 2、 在薄膜晶体管上形成平坦化层； 步骤 3、 在平坦化层及薄膜晶体管上挖孔， 露出薄膜晶体管的低温多 晶硅层；
步骤 4、 在平坦化层及露出的低温多晶硅层上形成导电层， 并图案化 该导电层， 以在低温多晶硅层上形成新的源 /漏极， 在平坦化层上形成有机 发光二极管的阳极， 该有机发光二极管的阳极连接于所述新的源 /漏极。
11、 如权利要求 10 所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方 法， 其中， 所述薄膜晶体管包括位于基板上的低温多晶硅层、 位于低温多 晶硅层上的栅极绝缘层、 位于栅极绝缘层上的栅极、 位于栅极上的保护层 及位于保护层上的源 /漏极。
12、 如权利要求 11 所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方 法， 其中， 所述基板为玻璃基板。
13、 如权利要求 11 所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方 法， 其中， 所述基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。
14、 如权利要求 11 所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方 法， 其中， 所述导电层包括氧化铟锡层、 氧化铟锌、 铝层、 银层、 及钼层 之一或其叠层。
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