CN102569665A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示装置及其制造方法，在该有机发光显示装置中，通过从源电极和漏电极延伸而形成像素电极，电容器包括形成在像素电极下方的薄的上电容器电极并构成金属-绝缘体-金属(MIM)CAP结构，从而简化了制造工艺，增大了开口率并提高了电压设计容限。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
本申请对早先于2010年12月8日在韩国知识产权局提交并因此被该局适时地赋予序列号10-2010-0124861的申请做出参考，将其包含于此，并要求其所有权益。
技术领域
本发明的一个或多个方面涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光装置可以被容易地制成薄的，并具有诸如视角宽、响应速度快和功耗低的优点。因此，有机发光装置作为下一代显示装置而备受关注。
发明内容
本发明的一个或多个方面提供了有机发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置及其制造方法简化了制造工艺和/或提高了装置特性和/或开口率。
根据本发明的一方面，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：下电容器电极和有源层，形成在基底上，下电容器电极和有源层包括掺杂有离子杂质的半导体材料；第一绝缘层，覆盖有源层和下电容器电极；第一栅电极，形成在第一绝缘层上并处于有源层上方；第二栅电极，形成在第一栅电极上，第二栅电极包括蚀刻选择率与第一栅电极不同的导电材料；上电容器电极，包括与第一栅电极相同的材料并与第一栅电极形成在同一层，上电容器电极形成在第一绝缘层上并处于下电容器电极上方；第二绝缘层，覆盖第一栅电极和第二栅电极以及上电容器电极；TFT的源电极和漏电极，形成在第二绝缘层上并电连接到有源层；像素电极，从源电极和漏电极中的任一个延伸以覆盖形成有上电容器电极的整个区域；发光层，位于像素电极上；以及对电极，面对像素电极，其中，发光层设置在对电极与像素电极之间。
第二绝缘层的下部可直接连接到第一栅电极和第二栅电极以及上电容器电极，第二绝缘层的上部可直接连接到源电极和漏电极以及像素电极。
第一栅电极和上电容器电极可包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和In2O3组成的组中选择的任一种。
第一栅电极和上电容器电极的厚度可均为
Figure BSA00000629425300021
或小于
Figure BSA00000629425300022
第二栅电极可包括低电阻导电材料，像素电极还可覆盖形成有第二栅电极的区域。
第一栅电极的厚度可为
Figure BSA00000629425300023
或小于
Figure BSA00000629425300024
低电阻导电材料可包括Cu。
像素电极可与源电极和漏电极形成在同一层。
像素电极可包括与源电极和漏电极相同的材料。
像素电极可包括顺序地堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层。
第一导电层可包括钛(Ti)。
第二导电层可包括银(Ag)或铝(Al)。
第三导电层可包括从由ITO、IZO、ZnO和In2O3组成的组中选择的任一种。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：第一掩模操作，包括：在基底上形成半导体层，并通过将半导体层图案化来形成下电容器电极和TFT的有源层；第二掩模操作，包括：在基底上形成第一绝缘层以覆盖有源层和下电容器电极，在第一绝缘层上顺序地堆叠第一导电材料和蚀刻选择率与第一导电材料不同的第二导电材料，通过图案化来形成包括第一导电材料和第二导电材料的栅电极，并通过图案化来形成包括第一导电材料的上电容器电极；第三掩模操作，包括：在第二掩模操作的所得结构上形成第二绝缘层，并通过将第二绝缘层图案化来形成暴露有源层的一部分的接触孔；以及第四掩模操作，包括：在第三掩模操作的所得结构上形成第三导电材料，通过将第三导电材料图案化来形成源电极和漏电极，并通过使源电极和漏电极中的一个延伸以覆盖形成有上电容器电极的整个区域来形成像素电极。
该方法还可包括第五掩模操作，第五掩模操作包括：在第四掩模操作的所得结构上形成第三绝缘层，并通过将第三绝缘层图案化来暴露像素电极。
在执行第五掩模操作之后，可在暴露的像素电极上形成发光层和对电极。
第二掩模操作可使用半色调掩模。
可在第二掩模操作的所得结构上用离子杂质掺杂有源层和下电容器电极。
在第二掩模操作中，第二导电材料可包括低电阻导电材料，在第四掩模操作中，可将像素电极形成为还覆盖形成有第二栅电极的区域。
在第四掩模操作中，可将像素电极形成为直接连接到第二绝缘层。
在第四掩模操作中，第三导电材料可包括第一层、第二层和第三层，第一层包括Ti，第二层包括Ag或Al，第三层包括从由ITO、IZO、ZnO和In2O3组成的组中选择的任一种。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，对本发明更完全的理解以及本发明的许多附随的优点将变得容易清楚，同时其变得更好理解，附图中同样的标记表示相同或相似的组件，其中：
图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置的剖视图；
图2是根据本发明实施例的有机发光显示装置的用于描述像素电极、晶体管区域和电容器区域的位置关系的平面图；
图3至图8是用于描述根据本发明实施例的有机发光显示装置的制造方法的剖视图；
图9是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的剖视图；以及
图10是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的用于描述像素电极、晶体管区域和电容器区域的位置关系的平面图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明，本发明的示例性实施例示出在附图中。
图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置1的剖视图。图2是根据本发明实施例的有机发光显示装置1的用于描述像素电极116、晶体管区域TFT1和电容器区域CAP1的位置关系的平面图。
参照图1和图2，包括发光层118的像素区域PXL1、包括薄膜晶体管(TFT)的晶体管区域TFT1和包括电容器的电容器区域CAP1形成在有机发光显示装置1的基底10上。
在晶体管区域TFT1中，TFT的有源层211可设置在基底10上。
基底10可由诸如玻璃材料、塑性材料或金属材料的各种材料形成。
虽然未在图1和图2中示出，但是SiO2和/或SiNx缓冲层(未示出)可形成在基底10上，以使基底10的表面平整并防止杂质透入基底10中。
有源层211可由包括非晶硅或多晶硅的半导体形成，并可包括沟道区211c以及设置在沟道区211c外侧并掺杂有离子杂质的源区211a和漏区211b。源区211a和漏区211b可通过掺杂III族元素由p型半导体形成，并可通过掺杂V族元素由n型半导体形成。
第一栅电极213和第二栅电极214可以顺序地堆叠在有源层211上，以对应于有源层211的沟道区211c，其中，作为栅极绝缘层的第一绝缘层12设置在有源层211和第一栅电极213之间。
第一绝缘层12使有源层211与第一栅电极213彼此绝缘，并可由诸如SiNx和/或SiO2的无机材料形成。
第一栅电极213和第二栅电极214可包括具有不同蚀刻选择率的导电材料。例如，第一栅电极213和第二栅电极214可包括从由诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)及它们的合金组成的组中选择的具有不同蚀刻选择率的导电材料。根据本实施例，第一栅电极213由作为透明导电材料的ITO形成，第二栅电极214由厚度为h1的三层结构Mo/Al/Mo形成。除了ITO之外，第一栅电极213可由选自于氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和In2O3组成的组的透明导电材料形成。
虽然未在图1和图2中示出，但是第一栅电极213和第二栅电极214连接到用于将导通/截止信号施加到TFT的栅极线(未示出)。
包括接触孔C1和C2的第二绝缘层15设置在第一栅电极213和第二栅电极214上。第二绝缘层15用作使第一栅电极213和第二栅电极214与源电极/漏电极216彼此绝缘的层间绝缘层，并且还用作直接形成在像素电极116下方的平坦化层，如下面将描述的。
第二绝缘层15可由各种绝缘材料形成，例如，可由诸如氧化物和氮化物的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料形成。用于形成第二绝缘层15的无机绝缘层可包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST(钛酸锶钡)、PZT(锆钛酸铅)等。用于形成第二绝缘层15的有机绝缘层可包括通用聚合物(PMMA、PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及这些物质的共混物。另外，第二绝缘层15可由有机绝缘层和无机绝缘层的复合堆叠物形成。
源电极和漏电极216通过接触孔C1和C2连接到有源层211的源区211a和漏区211b。在这种情况下，源电极和漏电极216中的一个可以在第二绝缘层15上延伸以用作像素电极116，因此不需要用于形成单独的像素电极的工艺，从而简化了制造工艺。在图1和图2中，源电极和漏电极216被示出为单层，但是本实施例不限于此。也就是说，源电极和漏电极216可以包括多层，如下面将描述的。
在电容器区域CAP1中，由与TFT的有源层211的材料相同的材料形成的下电容器电极311a设置在基底10上。下电容器电极311a可包括掺杂有离子杂质的半导体，所述离子杂质是与TFT的有源层211的源区211a和漏区211b的离子杂质相同的材料。如果下电容器电极311a由没有掺杂离子杂质的本征半导体形成，则该电容器电极与上电容器电极313一起构成金属氧化物半导体(MOS)CAP结构。然而，如果下电容器电极311a由掺杂有离子杂质的半导体形成，则该电容器电极与上电容器电极313一起可构成金属-绝缘体-金属(MIM)CAP结构。与MOS CAP结构相比，MIM CAP结构可在宽的电压范围内保持恒定的静电容量，从而在电路设计中提高了电压设计容限。
如下面所描述的，用离子杂质掺杂下电容器电极311a的工艺与用离子杂质掺杂TFT的有源层211的源区211a和漏区211b的工艺同时执行。因此，通过在单个工艺中执行高成本的掺杂操作，可以降低掺杂成本。
用作栅极绝缘层和介电层的第一绝缘层12形成在下电容器电极311a上，上电容器电极313设置在第一绝缘层12上。
上电容器电极313可由与第一栅电极213相同的材料形成，并可与第一栅电极213形成在同一层上。在这种情况下，上电容器电极313可以形成为尽可能薄。像素电极116可以直接形成在第二绝缘层15上，以覆盖形成有上电容器电极313的整个区域，从而减小用作平坦化层的第二绝缘层15的阶差。因此，上电容器电极313的厚度可以是
Figure BSA00000629425300051
或更小。
用作平坦化层的第二绝缘层15可以设置在第一栅电极213和第二栅电极214以及上电容器电极313上。
从源电极和漏电极216中的一个延伸的像素电极116形成在第二绝缘层15上，并且像素电极116形成为覆盖整个区域，在该整个区域中，上电容器电极313形成在第二绝缘层15下方。
如果上电容器电极313厚，则第二绝缘层15的与上电容器电极313的边缘部分对应的部分的阶差因上电容器电极313的厚度而增大。另外，形成在阶差大的第二绝缘层15上的像素电极116和发光层118具有台阶，从而导致诸如暗点之类的缺陷。因此，如果上电容器电极313厚，则像素电极116需要形成在除了形成有上电容器电极313的区域之外的平坦区域上。在这种情况下，因为形成像素电极116的范围会减小，所以开口率减小。
然而，根据本实施例，在有机发光显示装置1中，将上电容器电极313形成得薄，因此可以仅使用第二绝缘层15来使像素电极116的下部平坦化，而不用形成单独的平坦化层。结果，像素电极116可以在形成有上电容器电极313的位置直接形成在第二绝缘层15的上部上，从而增大了开口率。
在像素区域PXL1中，从源电极和漏电极216中的一个延伸的像素电极116设置在第二绝缘层15上。如上所述，像素电极116由与源电极和漏电极216相同的材料形成，并与源电极和漏电极216形成在同一层。在这种情况下，像素电极116可用作反射电极。另外，像素电极116可形成为覆盖形成有上电容器电极313的整个区域。
第三绝缘层17设置在第二绝缘层15上，且第三绝缘层17包括穿过其的开口C3，开口C3暴露像素电极116的上部。第三绝缘层17可由有机材料或无机材料形成。
发光层118形成在开口C3中。发光层118可由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。
当发光层118是低分子量有机层时，可以相对于发光层118堆叠空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。如果需要，则可以堆叠各种层。可用的有机材料的示例可包括铜肽菁(CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。
当发光层118是高分子量有机层时，还可将HTL堆叠到发光层118。HTL可由聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)等形成。在这种情况下，可用的有机材料的示例可包括诸如聚苯撑乙烯撑、聚芴等的高分子量有机材料。
作为共电极的对电极119设置在发光层118上。在有机发光显示装置1中，像素电极116可用作阳极，对电极119可用作阴极，但是像素电极116和对电极119的极性可以与此相反。
根据本实施例，在有机发光显示装置1中，不需要形成单独的像素电极的方法，从而简化了制造工艺；并且形成了金属-绝缘体-金属(MIM)CAP结构，从而在电路设计中提高了电压设计容限。另外，在单个操作中同时执行高成本的掺杂工艺，从而降低了掺杂成本。因为像素电极116可以直接形成在设置在形成有上电容器电极313的区域上的第二绝缘层15上，所以增大了开口率。
在下文中，参照图3至图8描述制造有机发光显示装置1的方法。
图3是用于描述根据本发明实施例的有机发光显示装置1的第一掩模操作的所得物的剖视图。
参照图3，可在基底10上形成TFT的有源层211和电容器的电极311。
虽然未在图3中示出，但是在基底10上形成半导体层(未示出)，并将光致抗蚀剂涂覆在半导体层(未示出)上。利用第一光掩模(未示出)使用光刻法将半导体层(未示出)图案化，从而同时形成TFT的有源层211和电容器的电极311。
借助光刻的第一掩模操作通过下述步骤来执行：通过曝光装置(未示出)对第一光掩模(未示出)曝光，然后对第一光掩模执行显影、蚀刻以及剥离或灰化(研磨)。
半导体层(未示出)可包括非晶硅或多晶硅。在这种情况下，可通过使非晶硅结晶来形成多晶硅。通过使用诸如快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、受激准分子激光退火(ELA)法、金属诱导结晶(MIC)法、金属诱导横向结晶(MILC)法、顺序横向固化(SLS)法等的各种方法来使非晶硅结晶。
图4是用于描述根据本发明实施例的有机发光显示装置1的第二掩模操作的所得物的剖视图。
参照图4，在图3的第一掩模操作的所得物上堆叠第一绝缘层12，在第一绝缘层12上顺序地堆叠第一导电材料13和蚀刻选择率与第一导电材料13不同的第二导电材料14，然后在第二导电材料14上涂覆光致抗蚀剂PR。
对所得的结构执行使用第二光掩模M的第二掩模操作。可以以包括阻光部分M1、半透射部分M2和透射部分M3的半色调掩模来准备第二光掩模M。
第一导电材料13和第二导电材料14具有不同的蚀刻选择率。例如，第一导电材料13和第二导电材料14可选自于从由诸如ITO、IZO、ZnO和In2O3的透明导电材料、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)及它们的合金组成的组中选择的具有不同蚀刻选择率的导电材料。
参照图5，作为第二光掩模操作的结果，第一导电材料13和第二导电材料14被分别图案化成TFT的第一栅电极213和第二栅电极214，同时第一导电材料13被图案化成上电容器电极313。
用离子杂质掺杂上述结构。离子杂质可以是III族或V族元素。用浓度为1×1015原子/cm3或更大浓度的离子杂质掺杂TFT的有源层211和下电容器电极311。
在这种情况下，通过使用第一栅电极213和第二栅电极214作为自对准掩模用离子杂质掺杂有源层211，因此有源层211包括用离子杂质掺杂的源区211a和漏区211b以及设置在源区211a与漏区211b之间的沟道区211c。也就是说，通过使用第一栅电极213和第二栅电极214作为自对准掩模，而不需要单独的光掩模，可以形成源区211a和漏区211b。
如上所述，因为上电容器电极313被形成为具有
Figure BSA00000629425300081
或更小的小厚度，所以离子杂质穿过上电容器电极313以掺杂电容器的电极311，从而形成下电容器电极311a。结果，掺杂有离子杂质的下电容器电极311a与上电容电极313一起构成金属-绝缘体-金属(MIM)CAP结构，从而在电路设计中提高了电压设计容限。另外，可以在单个掺杂操作中同时掺杂有源层211和下电容器电极311a，从而降低了制造成本。
图6是用于描述根据本发明实施例的有机发光显示装置1的第三掩模操作的结果的剖视图。
参照图6，在图5的第二掩模操作的所得结构上堆叠第二绝缘层15，并通过将第二绝缘层15图案化来形成穿过其的接触孔C1和C2，接触孔C1和C2暴露有源层211的源区211a和漏区211b的部分。
如上所述，第二绝缘层15用作使第一栅电极213和第二栅电极214与源电极和漏电极216彼此绝缘的层间绝缘层。另外，第二绝缘层15可以覆盖具有小厚度的上电容器电极313的上部，从而用作如下文所述的其上形成有像素电极116的平坦化层。
图7是用于描述根据本发明实施例的有机发光显示装置1的第四掩模操作的剖视图。
参照图7，在图6的第三掩模操作的所得结构上形成源电极和漏电极216以及从源电极和漏电极216中的任一个延伸的像素电极116。也就是说，由与源电极和漏电极216相同的材料形成像素电极116。
源电极和漏电极216与像素电极116均可包括单层或多层。如图7中所示，源电极和漏电极216与像素电极116包括第一层116a、第二层116b和第三层116c。作为平坦化层的第一层116a可包括具有优良的耐久性和电特性以及与第二绝缘层15的优良的粘附性的Ti。第二层116b可包括Ag或Al，以用作反射导电层。第三层116c可包括从由ITO、IZO、ZnO和In2O3组成的组中选择的任一种，以用作透射导电层。
图8是用于描述根据本发明实施例的有机发光显示装置1的第五掩模操作的剖视图。
参照图8，在图7的第四掩模操作的所得结构上形成第三绝缘层17。在第五掩模操作中，在第三绝缘层17中形成穿过其的开口C3，开口C3暴露像素电极116的上表面。在开口C3中形成发光层(118，见图1)，因此通过将电压施加到像素电极l16和对电极(119，见图1)来从发光层(118)发光。因此，扩大了发光区域，从而增大了开口率。
在下文中，参照图9和图10描述有机发光显示装置2。
图9是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置2的剖视图。图10是根据本发明实施例的有机发光显示装置2的用于描述像素电极116′、晶体管区域TFT2和电容器区域CAP2的位置关系的平面图。在图1和图10中，附图中同样的标记表示同样的元件，因此将针对与图1的上述实施例的不同之处来描述有机发光显示装置2。
参照图9和图10，有机发光显示装置2包括形成在基底10上的像素区域PXL2、晶体管区域TFT2和电容器区域CAP2，像素区域PXL2包括发光层118，晶体管区域TFT2包括薄膜晶体管(TFT)，电容器区域CAP2包括电容器。
TFT的包括沟道区211c以及源区211a和漏区211b的有源层211形成在基底10上的晶体管区域TFT2中。第一绝缘层12形成在有源层211上。第一栅电极213和第二栅电极214′对应于沟道区211c顺序地形成。源区211a和漏区211b掺杂有离子杂质。
第一栅电极213和第二栅电极214′由具有不同蚀刻选择率的导电材料形成。根据本实施例，第二栅电极214′由低电阻导电材料形成。例如，第二栅电极214′可由Cu形成。因为第二栅电极214′由低电阻导电材料形成，所以连接到第二栅电极214′的布线(例如栅极线(未示出))和第二栅电极214′可形成为具有比参照图1和图2描述的第二栅电极214的厚度h1小的厚度h2。因此，形成在连接到第二栅电极214′的布线或第二栅电极214′上的第二绝缘层15的阶差可以被最小化。通过使作为平坦化层的第二绝缘层15的阶差最小化，可以将像素电极116′扩大至第一栅电极213和第二栅电极214′的上部，如下面所描述的。
包括接触孔C1′和C2′的第二绝缘层15形成在第一栅电极213和第二栅电极214′上。第二绝缘层15用作使第一栅电极213和第二栅电极214′与源电极和漏电极216彼此绝缘的层间绝缘层，并用作直接形成在像素电极116′下方的平坦化层。
源电极和漏电极216通过接触孔C1′和C2′连接到有源层211的源区211a和漏区211b。在这种情况下，源电极和漏电极216中的一个可以在第二绝缘层15上延伸以用作像素电极116′，因此不需要形成单独的像素电极的工艺，从而简化了制造工艺。
与TFT的有源层211的源区211a和漏区211b类似，掺杂有离子杂质的下电容器电极311a形成在基底10上的电容器区域CAP2中。用作介电层以及栅极绝缘层的第一绝缘层12形成在下电容器电极311a上。上电容器电极313形成在第一绝缘层12上。上电容器电极313由与第一栅电极213相同的材料形成，并与第一栅电极213形成在同一层。在这种情况下，上电容器电极313可以形成为尽可能薄。如上所述，像素电极116′直接形成在第二绝缘层15上，以覆盖形成有上电容器电极313的整个区域，从而减小用作平坦化层的第二绝缘层15的阶差。因此，上电容器电极313的厚度可以是
Figure BSA00000629425300101
或更小。
用作平坦化层的第二绝缘层15形成在第一栅电极213和第二栅电极214′以及上电容器电极313上。
从源电极和漏电极216中的一个延伸的像素电极116′形成在第二绝缘层15上，并且像素电极116′形成为覆盖形成在第二绝缘层15下方的上电容器电极313以及TFT的第一栅电极213和第二栅电极214′的上部。
根据本实施例，因为晶体管区域TFT2的第二栅电极214′以及上电容器电极313由低电阻导电材料形成以具有小的厚度，所以像素电极116′可被形成为覆盖第一栅电极213和第二栅电极214′的上部以及上电容器电极313，从而进一步增大开口率。
如上所述，一种有机发光显示装置及一种制造该有机发光显示装置的方法可以提供下述效果。
第一、不需要形成单独的像素电极的工艺，从而简化了制造工艺。
第二、因为形成了MIM CAP结构，所以在电路设计中可提高电压设计容限。
第三、通过在单个工艺中执行高成本的掺杂操作，可降低掺杂成本。
第四、像素电极形成在形成有电容器的部分上，从而增大了开口率。
第五、因为不需要单独的平坦化层，所以可以简化制造工艺并可获得薄的显示装置。
第六、可以通过使用五个掩模操作制造上述有机发光显示装置。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明的由权利要求书限定的精神和范围的情况下，在这里可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置，包括：
下电容器电极和有源层，形成在基底上，下电容器电极和有源层包括掺杂有离子杂质的半导体材料；
第一绝缘层，覆盖有源层和下电容器电极；
第一栅电极，形成在第一绝缘层上并处于有源层上方；
第二栅电极，形成在第一栅电极上，第二栅电极包括蚀刻选择率与第一栅电极不同的导电材料；
上电容器电极，包括与第一栅电极相同的材料并与第一栅电极形成在同一层，上电容器电极形成在第一绝缘层上并处于下电容器电极上方；
第二绝缘层，覆盖第一栅电极和第二栅电极以及上电容器电极；
源电极和漏电极，形成在第二绝缘层上并电连接到有源层；
像素电极，从源电极和漏电极中的一个延伸以覆盖形成有上电容器电极的整个区域；
发光层，位于像素电极上；以及
对电极，面对像素电极，其中，发光层设置在对电极与像素电极之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，第二绝缘层的下部直接连接到第一栅电极和第二栅电极以及上电容器电极，
第二绝缘层的上部直接连接到源电极和漏电极以及像素电极。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，第一栅电极和上电容器电极包括从由氧化铟锡、氧化铟锌、ZnO和In2O3组成的组中选择的任一种。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，第一栅电极和上电容器电极的厚度均为
Figure FSA00000629425200011
或小于
Figure FSA00000629425200012
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，由上电容器电极和下电容器电极形成的电容器包括金属-绝缘体-金属结构。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，第二栅电极包括低电阻导电材料，像素电极还覆盖形成有第二栅电极的区域。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，低电阻导电材料包括铜。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，像素电极与源电极和漏电极形成在同一层。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，像素电极包括与源电极和漏电极相同的材料。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，像素电极包括顺序地堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，第一导电层包括钛。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，第二导电层包括银或铝。
13.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，第三导电层包括从由氧化铟锡、氧化铟锌、ZnO和In2O3组成的组中选择的任一种。
14.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
第一掩模操作，包括：在基底上形成半导体层，并通过将半导体层图案化来形成下电容器电极和薄膜晶体管的有源层；
第二掩模操作，包括：在基底上形成第一绝缘层以覆盖有源层和下电容器电极，在第一绝缘层上顺序地堆叠第一导电材料和蚀刻选择率与第一导电材料不同的第二导电材料，通过图案化来形成包括第一导电材料和第二导电材料的栅电极，并通过图案化来形成包括第一导电材料的上电容器电极；
第三掩模操作，包括：在第二掩模操作的所得结构上形成第二绝缘层，并通过将第二绝缘层图案化来形成暴露有源层的一部分的接触孔；以及
第四掩模操作，包括：在第三掩模操作的所得结构上形成第三导电材料，通过将第三导电材料图案化来形成源电极和漏电极，并通过使源电极和漏电极中的一个延伸以覆盖形成有上电容器电极的整个区域来形成像素电极。
15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括第五掩模操作，第五掩模操作包括：在第四掩模操作的所得结构上形成第三绝缘层，并通过将第三绝缘层图案化来暴露像素电极。
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：在执行第五掩模操作之后，在暴露的像素电极上形成发光层和对电极。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，第二掩模操作使用半色调掩模。
18.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：在第二掩模操作的所得结构上用离子杂质掺杂有源层和下电容器电极。
19.根据权利要求14所述的方法，其中，在第二掩模操作中，第二导电材料包括低电阻导电材料，
在第四掩模操作中，将像素电极形成为还覆盖形成有第二栅电极的区域。
20.根据权利要求14所述的方法，其中，在第四掩模操作中，第三导电材料包括第一层、第二层和第三层，第一层包括钛，第二层包括银或铝，第三层包括从由氧化铟锡、氧化铟锌、ZnO和In2O3组成的组中选择的任一种。
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