CN108091674A - Oled背板结构及oled背板制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED背板结构及OLED背板制作方法。该OLED背板结构设置有复合电极(5)，一方面所述复合电极(5)与所述薄膜晶体管(11)的半导体层(111)相接触的部分(51)的材料为导电的金属氧化物，在减轻金属与半导体之间的费米能级钉扎效应的同时又不会引起较大的串联电阻，能够大幅降低金属‑半导体的接触电阻，另一方面，阳极与所述薄膜晶体管(11)的漏极成为一体，消除了阳极与薄膜晶体管(11)的漏极之间的接触电阻，从而能够大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗。
Description
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种OLED背板结构及OLED背板制作方法。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中，OLED显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED背板是OLED显示器的重要组成部分。OLED背板通常包括：
阵列基板，所述阵列基板内设有呈阵列式排布的多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，每一薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极及漏极，其中所述源极、漏极分别接触所述半导体层的两侧；
置于所述阵列基板上的阳极，所述阳极接触所述薄膜晶体管的漏极；
置于所述阳极上有机材料层，所述有机材料层又具体包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、有机发光层(EML)、电子传输层(ETL)及电子注入层(EIL)；
以及置于所述有机材料层上的阴极。
OLED显示器的显示原理为：在一定电压驱动下，电子和空穴分别从所述阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到有机发光层，并在有机发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
具体地，请参阅图1，现有技术中常见的OLED背板在阵列基板100上覆盖有平坦层200，阳极300设于所述平坦层200上并经由贯穿所述平坦层200的过孔201接触薄膜晶体管10的漏极105。其中，所述薄膜晶体管10的源极104、漏极105分别接触该薄膜晶体管10的半导体层101的两侧，所述源极104与半导体层101的接触及所述漏极105与半导体层101的接触属于金属-半导体接触，由于半导体和金属的接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应，金属与半导体的接触势垒很高，接触电阻很大；另外，所述阳极300与薄膜晶体管10的漏极105之间亦存在电极接触电阻。这两种类型的接触电阻叠加会导致OLED显示器的导通电阻较大，从而OLED显示器的能耗较高。
降低导通电阻是降低OLED显示器能耗的关键因素，现有的降低OLED显示器导通电阻的方法一是在所述源极104与半导体层101之间及所述漏极105与半导体层101之间加入一定厚度的绝缘的非金属氧化物介质层，如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等，形成金属-介质层-半导体结构(Metal-Interfacial layer-Semi conductor，MIS)，以减轻费米能级钉扎效应，但是介质层的绝缘性会使得介质层本身引起额外的电阻串联；二是在制作完所述阳极300之后进行金属退火处理来释放各结构层材料的应力，以降低所述阳极300与薄膜晶体管10的漏极105之间的接触电阻，但效果有限。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED背板结构，能够大幅降低金属-半导体的接触电阻，消除阳极与薄膜晶体管的漏极之间的接触电阻，从而大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗。
本发明的另一目的在于提供一种OLED背板制作方法，能够大幅降低金属-半导体的接触电阻，消除阳极与薄膜晶体管漏极之间的接触电阻，从而大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗，并简化制程。
为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED背板结构，包括：
阵列基板，所述阵列基板内设有多个呈阵列式排布的薄膜晶体管；
设在所述阵列基板之上的平坦层；
以及设在所述平坦层上经由过孔接触所述薄膜晶体管的半导体层的复合电极；
所述复合电极与所述薄膜晶体管的半导体层相接触的部分的材料为导电的金属氧化物。
所述复合电极与所述薄膜晶体管的半导体层相接触的部分之上层叠有金属层及叠加层。所述复合电极与所述薄膜晶体管的半导体层相接触的部分的材料为ITO或IZO。
所述金属层的材料为Ag或Cu，所述叠加层的材料为ITO或IZO。
所述过孔包括贯穿所述平坦层的通孔及与所述通孔连通的漏极孔；
所述阵列基板包括柔性衬底、覆盖在所述柔性衬底上的第一缓冲层、覆盖在所述第一缓冲层上的第二缓冲层、设在所述第二缓冲层上的半导体层、覆盖在所述第二缓冲层与半导体层上的第一栅极绝缘层、于所述半导体层上方设在所述第一栅极绝缘层上的第一栅极、覆盖在所述第一栅极绝缘层与第一栅极上的第二栅极绝缘层、于所述第一栅极上方设在所述第二栅极绝缘层上的第二栅极、覆盖在所述第二栅极绝缘层与第二栅极上的第一层间绝缘层、覆盖在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层以及设在所述第二层间绝缘层上经由贯穿所述第二层间绝缘层、第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层与第一栅极绝缘层的源极孔接触所述半导体层一侧的源极；
所述漏极孔贯穿所述第二层间绝缘层、第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层与第一栅极绝缘层，暴露出所述半导体层的另一侧。
本发明还提供一种OLED背板制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、制作出阵列基板，所述阵列基板内设有多个呈阵列式排布且漏极空缺的薄膜晶体管；
步骤S2、在所述阵列基板上涂布平坦层，并对所述平坦层进行图案化处理，获得过孔；
步骤S3、在所述平坦层上成膜复合电极，所述复合电极经由所述过孔接触所述薄膜晶体管的半导体层；
所述复合电极与所述薄膜晶体管的半导体层相接触的部分的材料为导电的金属氧化物。
所述复合电极与所述薄膜晶体管的半导体层相接触的部分之上层叠有金属层及叠加层。
所述复合电极与所述薄膜晶体管的半导体层相接触的部分材料为ITO或IZO。
所述金属层的材料为Ag或Cu，所述叠加层的材料为ITO或IZO。
所述过孔包括贯穿所述平坦层的通孔及与所述通孔连通的漏极孔；
所述阵列基板包括柔性衬底、覆盖在所述柔性衬底上的第一缓冲层、覆盖在所述第一缓冲层上的第二缓冲层、设在所述第二缓冲层上的半导体层、覆盖在所述第二缓冲层与半导体层上的第一栅极绝缘层、于所述半导体层上方设在所述第一栅极绝缘层上的第一栅极、覆盖在所述第一栅极绝缘层与第一栅极上的第二栅极绝缘层、于所述第一栅极上方设在所述第二栅极绝缘层上的第二栅极、覆盖在所述第二栅极绝缘层与第二栅极上的第一层间绝缘层、覆盖在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层以及设在所述第二层间绝缘层上经由贯穿所述第二层间绝缘层、第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层与第一栅极绝缘层的源极孔接触所述半导体层一侧的源极；所述漏极孔贯穿所述第二层间绝缘层、第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层与第一栅极绝缘层，暴露出所述半导体层的另一侧；
所述步骤S1在制作所述阵列基板的过程中，在成膜所述第一层间绝缘层后对所述第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层与第一栅极绝缘层进行蚀刻，暴露出所述半导体层的一侧与另一侧；然后在所述第一层间绝缘层上成膜所述第二层间绝缘层并进行图案化处理，形成所述漏极孔与源极孔；接下来在所述第二层间绝缘层上沉积金属薄膜并进行蚀刻，只保留填充所述源极孔的部分金属薄膜形成所述源极，而将填充所述漏极孔的部分金属薄膜蚀刻掉，所述漏极孔暴露。
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED背板结构，设置有集阳极与薄膜晶体管的漏极于一体的复合电极，一方面所述复合电极与所述薄膜晶体管的半导体层相接触的部分的材料为导电的金属氧化物，在减轻金属与半导体之间的费米能级钉扎效应的同时又不会引起较大的串联电阻，能够大幅降低金属-半导体的接触电阻，另一方面，阳极与所述薄膜晶体管的漏极成为一体，消除了阳极与薄膜晶体管的漏极之间的接触电阻，从而能够大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗。本发明提供的一种OLED背板制作方法，将阳极与薄膜晶体管的漏极合并在一起制程，形成复合电极，能够大幅降低金属-半导体的接触电阻，消除阳极与薄膜晶体管漏极之间的接触电阻，从而大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗，同时省去了金属退火处理，简化了制程。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的OLED背板的剖面结构示意图；
图2为本发明的OLED背板结构的剖面示意图；
图3为对应于图2中A处的局部放大图；
图4为本发明的OLED背板制作方法的流程图；
图5至图8为本发明的OLED背板制作方法的步骤S1的示意图；
图9为本发明的OLED背板制作方法的步骤S2的示意图；
图10为本发明的OLED背板制作方法的步骤S3的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。需要说明的是：在本申请中附图仅为示意图，除非特别说明，并不代表各膜层之间的实际厚度比例、平坦程度、形状与图中相同，可以理解的是，因为工艺和制程限制，实际产品会与示意图有一定差异，例如孔洞的形状、各膜层相结合部分的形貌都会与示意图有所差别，这些是本领域技术人员能够理解并且知悉的。本申请中关于工艺步骤顺序以及膜层结构的描述仅表示与本申请技术问题直接相关的各步骤和膜层之间的先后顺序以及相对位置，并不代表其步骤之间绝对不存在其它工艺步骤或其它膜层结构，例如为了控制良率的检查或修补的工艺步骤、为了完成背板上其它区域而进行的工艺步骤、不同结构背板上膜层数量和种类等，本领域技术人员能够根据本申请的核心思想将这些步骤或结构进行结合。
请参阅图2，本发明提供一种OLED背板结构，包括：
阵列基板1，所述阵列基板1内设有多个呈阵列式排布的薄膜晶体管11；
设在所述阵列基板1之上的平坦层3；
设在所述平坦层3上经由过孔V接触所述薄膜晶体管11的半导体层111的复合电极5；
以及设在所述复合电极5与平坦层3上的像素定义层7，所述像素定义层7具有围拢所述复合电极5的像素开口71。
具体地：
所述过孔V包括贯穿所述平坦层3的通孔V2及与所述通孔V2连通的漏极孔V1。
所述阵列基板1上薄膜晶体管11的结构形式不限，可以为单栅型、双栅型、顶栅型、底栅型等，以图2所示的顶部双栅型结构为例，所述阵列基板1包括柔性衬底121、覆盖在所述柔性衬底121上的第一缓冲层122、覆盖在所述第一缓冲层122上的第二缓冲层123、设在所述第二缓冲层123上的半导体层111、覆盖在所述第二缓冲层123与半导体层111上的第一栅极绝缘层124、于所述半导体层111上方设在所述第一栅极绝缘层124上的第一栅极112、覆盖在所述第一栅极绝缘层124与第一栅极112上的第二栅极绝缘层125、于所述第一栅极112上方设在所述第二栅极绝缘层125上的第二栅极113、覆盖在所述第二栅极绝缘层125与第二栅极113上的第一层间绝缘层126、覆盖在所述第一层间绝缘层126上的第二层间绝缘层127以及设在所述第二层间绝缘层127上经由贯穿所述第二层间绝缘层127、第一层间绝缘层126、第二栅极绝缘层125与第一栅极绝缘层124的源极孔V3接触所述半导体层111一侧的源极114；所述漏极孔V1贯穿所述第二层间绝缘层127、第一层间绝缘层126、第二栅极绝缘层125与第一栅极绝缘层124，暴露出所述半导体层111的另一侧。进一步地，所述柔性衬底121的材料为聚酰亚胺(Polyimide，PI)；所述第一缓冲层122与第二缓冲层123的材料均为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合；所述半导体层111的材料不限于为非晶硅、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)、金属氧化物半导体、锗(Ge)等；所述第一层间绝缘层126的材料为SiOx、SiNx或二者的组合，所述第二层间绝缘层127的材料为有机光阻；所述平坦层3的材料为PI。
所述复合电极5集阳极与所述薄膜晶体管11的漏极于一体。结合图2与图3，所述复合电极5包括与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51及于所述复合电极5与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51之上层叠的有金属层52与叠加层53。需要说明的是，附图3中仅为膜层数量和顺序的示意图，实际工艺中过孔V中的各层形貌厚度并不均匀，会基本填满过孔V。所述复合电极5与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51的材料为导电的金属氧化物，如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(IndiumZinc Oxide，IZO)等，所述金属层52以银(Ag)、铜(Cu)等导电性较好的金属为材料，所述叠加层53以ITO、IZO等导电的金属氧化物为材料，即所述复合电极5可为ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO、ITO/Cu/ITO、ITO/Cu/IZO、IZO/Ag/IZO、IZO/Ag/ITO、IZO/Cu/IZO、IZO/Cu/ITO等叠层结构。
由于所述复合电极5与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51的材料为ITO等导电的金属氧化物，ITO等导电的金属氧化物本身具有较好的导电性能，所述复合电极5与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51在减轻金属与半导体之间的费米能级钉扎效应的同时又不会引起较大的串联电阻，能够大幅降低金属-半导体的接触电阻；由于所述复合电极5集阳极与薄膜晶体管11的漏极为一体，消除了阳极与薄膜晶体管11的漏极之间的接触电阻；这两方面综合起来能够大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗。
请参阅图4，本发明还提供一种OLED背板制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图5至图8，制作出阵列基板1，所述阵列基板1内设有多个呈阵列式排布的薄膜晶体管11。
具体地，所述阵列基板1上薄膜晶体管11的结构形式不限，可以为单栅型、双栅型、顶栅型、底栅型等，以图8所示的顶部双栅型结构为例，所述阵列基板1包括柔性衬底121、覆盖在所述柔性衬底121上的第一缓冲层122、覆盖在所述第一缓冲层122上的第二缓冲层123、设在所述第二缓冲层123上的半导体层111、覆盖在所述第二缓冲层123与半导体层111上的第一栅极绝缘层124、于所述半导体层111上方设在所述第一栅极绝缘层124上的第一栅极112、覆盖在所述第一栅极绝缘层124与第一栅极112上的第二栅极绝缘层125、于所述第一栅极112上方设在所述第二栅极绝缘层125上的第二栅极113、覆盖在所述第二栅极绝缘层125与第二栅极113上的第一层间绝缘层126、覆盖在所述第一层间绝缘层126上的第二层间绝缘层127以及设在所述第二层间绝缘层127上经由贯穿所述第二层间绝缘层127、第一层间绝缘层126、第二栅极绝缘层125与第一栅极绝缘层124的源极孔V3接触所述半导体层111一侧的源极114；一漏极孔V1贯穿所述第二层间绝缘层127、第一层间绝缘层126、第二栅极绝缘层125与第一栅极绝缘层124，暴露出所述半导体层111的另一侧。进一步地，所述柔性衬底121的材料为PI；所述第一缓冲层122与第二缓冲层123的材料均为SiOx、SiNx或二者的组合；所述半导体层111的材料不限于为非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物半导体、锗等；所述第一层间绝缘层126的材料为SiOx、SiNx或二者的组合，所述第二层间绝缘层127的材料为有机光阻；所述平坦层3的材料为PI。
所述步骤S1在制作所述阵列基板1的过程中，在成膜所述第一层间绝缘层126后对所述第一层间绝缘层126、第二栅极绝缘层125与第一栅极绝缘层124进行蚀刻，暴露出所述半导体层111的一侧与另一侧；然后在所述第一层间绝缘层126上成膜所述第二层间绝缘层127并通过曝光或干法蚀刻对所述第二层间绝缘层127进行图案化处理，形成所述漏极孔V1与源极孔V3；接下来在所述第二层间绝缘层127上沉积金属薄膜并进行蚀刻，只保留填充所述源极孔V3的部分金属薄膜形成所述源极114，而将填充所述漏极孔V1的部分金属薄膜蚀刻掉，所述漏极孔V1暴露。
步骤S2、请参阅图9，在所述阵列基板1上涂布以PI为材料的平坦层3，并通过曝光或干法蚀刻对所述平坦层3进行图案化处理，形成贯穿所述平坦层3并与所述漏极孔V1连通的通孔V2，获得由所述通孔V2与漏极孔V1共同构成的过孔V。
步骤S3、请参阅图10，采用现有的制作OLED阳极的工艺在所述平坦层3上成膜复合电极5，所述复合电极5经由所述过孔V接触所述薄膜晶体管11的半导体层111。
具体地，所述复合电极5集阳极与所述薄膜晶体管11的漏极于一体。结合图10与图3，所述复合电极5包括与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51及于所述复合电极5与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51之上层叠的有金属层52与叠加层53。所述复合电极5与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51材料为导电的金属氧化物，如ITO、IZO等，所述金属层52以Ag、Cu等导电性较好的金属为材料，所述叠加层53以ITO、IZO等导电的金属氧化物为材料，即所述复合电极5可为ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO、ITO/Cu/ITO、ITO/Cu/IZO、IZO/Ag/IZO、IZO/Ag/ITO、IZO/Cu/IZO、IZO/Cu/ITO等叠层结构。
由于所述复合电极5与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51的材料为ITO等导电的金属氧化物，ITO等导电的金属氧化物本身具有较好的导电性能，所述复合电极5与所述薄膜晶体管11的半导体层111相接触的部分51在减轻金属与半导体之间的费米能级钉扎效应的同时又不会引起较大的串联电阻，能够大幅降低金属-半导体的接触电阻；由于所述复合电极5集阳极与薄膜晶体管11的漏极为一体，消除了阳极与薄膜晶体管11的漏极之间的接触电阻；这两方面综合起来能够大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗。
由于该步骤S3制作出的所述复合电极5已经能够大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗，后续步骤无需再以降低阳极与薄膜晶体管11的漏极之间的接触电阻为目的来进行金属退火处理，即可以省去金属退火处理，简化制程。
该OLED背板制作方法还进一步包括步骤S4、请参照图2，在所述复合电极5与平坦层3上沉积像素定义层7并通过干法蚀刻进行图案化处理，形成围拢所述复合电极5的像素开口71。
综上所述，本发明的OLED背板结构，设置有集阳极与薄膜晶体管的漏极于一体的复合电极，一方面所述复合电极与所述薄膜晶体管的半导体层相接触的部分的材料为导电的金属氧化物，在减轻金属与半导体之间的费米能级钉扎效应的同时又不会引起较大的串联电阻，能够大幅降低金属-半导体的接触电阻，另一方面，阳极与所述薄膜晶体管的漏极成为一体，消除了阳极与薄膜晶体管的漏极之间的接触电阻，从而能够大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗。本发明的OLED背板制作方法，将阳极与薄膜晶体管的漏极合并在一起制程，形成复合电极，能够大幅降低金属-半导体的接触电阻，消除阳极与薄膜晶体管漏极之间的接触电阻，从而大幅降低OLED显示器的导通电阻，减少能耗，同时省去了金属退火处理，简化了制程。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED背板结构，其特征在于，包括：
阵列基板(1)，所述阵列基板(1)内设有多个呈阵列式排布的薄膜晶体管(11)；
设在所述阵列基板(1)之上的平坦层(3)；
以及设在所述平坦层(3)上经由过孔(V)接触所述薄膜晶体管(11)的半导体层(111)的复合电极(5)；
所述复合电极(5)与所述薄膜晶体管(11)的半导体层(111)相接触的部分(51)的材料为导电的金属氧化物。
2.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述复合电极(5)与所述薄膜晶体管(11)的半导体层(111)相接触的部分(51)之上层叠有金属层(52)及叠加层(53)。
3.如权利要求1或2所述的OLED背板结构，其特征在于，所述复合电极(5)与所述薄膜晶体管(11)的半导体层(111)相接触的部分(51)的材料为ITO或IZO。
4.如权利要求2所述的OLED背板结构，其特征在于，所述金属层(52)的材料为Ag或Cu，所述叠加层(53)的材料为ITO或IZO。
5.如权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述过孔(V)包括贯穿所述平坦层(3)的通孔(V2)及与所述通孔(V2)连通的漏极孔(V1)；
所述阵列基板(1)包括柔性衬底(121)、覆盖在所述柔性衬底(121)上的第一缓冲层(122)、覆盖在所述第一缓冲层(122)上的第二缓冲层(123)、设在所述第二缓冲层(123)上的半导体层(111)、覆盖在所述第二缓冲层(123)与半导体层(111)上的第一栅极绝缘层(124)、于所述半导体层(111)上方设在所述第一栅极绝缘层(124)上的第一栅极(112)、覆盖在所述第一栅极绝缘层(124)与第一栅极(112)上的第二栅极绝缘层(125)、于所述第一栅极(112)上方设在所述第二栅极绝缘层(125)上的第二栅极(113)、覆盖在所述第二栅极绝缘层(125)与第二栅极(113)上的第一层间绝缘层(126)、覆盖在所述第一层间绝缘层(126)上的第二层间绝缘层(127)以及设在所述第二层间绝缘层(127)上经由贯穿所述第二层间绝缘层(127)、第一层间绝缘层(126)、第二栅极绝缘层(125)与第一栅极绝缘层(124)的源极孔(V3)接触所述半导体层(111)一侧的源极(114)；
所述漏极孔(V1)贯穿所述第二层间绝缘层(127)、第一层间绝缘层(126)、第二栅极绝缘层(125)与第一栅极绝缘层(124)，暴露出所述半导体层(111)的另一侧。
6.一种OLED背板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、制作出阵列基板(1)，所述阵列基板(1)内设有多个呈阵列式排布的薄膜晶体管(11)；
步骤S2、在所述阵列基板(1)上涂布平坦层(3)，并对所述平坦层(3)进行图案化处理，获得过孔(V)；
步骤S3、在所述平坦层(3)上成膜复合电极(5)，所述复合电极(5)经由所述过孔(V)接触所述薄膜晶体管(11)的半导体层(111)；
所述复合电极(5)与所述薄膜晶体管(11)的半导体层(111)相接触的部分(51)的材料为导电的金属氧化物。
7.如权利要求6所述的OLED背板制作方法，其特征在于，所述复合电极(5)与所述薄膜晶体管(11)的半导体层(111)相接触的部分(51)之上层叠有金属层(52)及叠加层(53)。
8.如权利要求6或7所述的OLED背板制作方法，其特征在于，所述复合电极(5)与所述薄膜晶体管(11)的半导体层(111)相接触的部分(51)的材料为ITO或IZO。
9.如权利要求7所述的OLED背板制作方法，其特征在于，所述金属层(52)的材料为Ag或Cu，所述叠加层(53)的材料为ITO或IZO。
10.如权利要求6所述的OLED背板制作方法，其特征在于，所述过孔包括贯穿所述平坦层(3)的通孔(V2)及与所述通孔(V2)连通的漏极孔(V1)；
所述阵列基板(1)包括柔性衬底(121)、覆盖在所述柔性衬底(121)上的第一缓冲层(122)、覆盖在所述第一缓冲层(122)上的第二缓冲层(123)、设在所述第二缓冲层(123)上的半导体层(111)、覆盖在所述第二缓冲层(123)与半导体层(111)上的第一栅极绝缘层(124)、于所述半导体层(111)上方设在所述第一栅极绝缘层(124)上的第一栅极(112)、覆盖在所述第一栅极绝缘层(124)与第一栅极(112)上的第二栅极绝缘层(125)、于所述第一栅极(112)上方设在所述第二栅极绝缘层(125)上的第二栅极(113)、覆盖在所述第二栅极绝缘层(125)与第二栅极(113)上的第一层间绝缘层(126)、覆盖在所述第一层间绝缘层(126)上的第二层间绝缘层(127)以及设在所述第二层间绝缘层(127)上经由贯穿所述第二层间绝缘层(127)、第一层间绝缘层(126)、第二栅极绝缘层(125)与第一栅极绝缘层(124)的源极孔(V3)接触所述半导体层(111)一侧的源极(114)；所述漏极孔(V1)贯穿所述第二层间绝缘层(127)、第一层间绝缘层(126)、第二栅极绝缘层(125)与第一栅极绝缘层(124)，暴露出所述半导体层(111)的另一侧；
所述步骤S1在制作所述阵列基板(1)的过程中，在成膜所述第一层间绝缘层(126)后对所述第一层间绝缘层(126)、第二栅极绝缘层(125)与第一栅极绝缘层(124)进行蚀刻，暴露出所述半导体层(111)的一侧与另一侧；然后在所述第一层间绝缘层(126)上成膜所述第二层间绝缘层(127)并进行图案化处理，形成所述漏极孔(V1)与源极孔(V3)；接下来在所述第二层间绝缘层(127)上沉积金属薄膜并进行蚀刻，只保留填充所述源极孔(V3)的部分金属薄膜形成所述源极(114)，而将填充所述漏极孔(V1)的部分金属薄膜蚀刻掉，所述漏极孔(V1)暴露。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108777265A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种电极及其制备方法和有机电致发光器件 |
| CN109003989A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN109638050A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN109659323A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN109659339A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可折叠显示面板及其制作方法和可折叠显示装置 |
| CN112635691A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板的制作方法 |
| WO2021114505A1 (zh) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| WO2021227115A1 (zh) * | 2020-05-09 | 2021-11-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
| US11690241B2 (en) | 2020-05-09 | 2023-06-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED with auxiliary electrode contacting electron transport layer |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111624826A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-09-04 | 福建华佳彩有限公司 | 一种lcd面板及其制备方法 |
| CN115101537A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-09-23 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种阵列基板以及显示面板 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1444426A (zh) * | 2002-03-04 | 2003-09-24 | 三洋电机株式会社 | 电致发光显示装置及其制造方法 |
| CN1599530A (zh) * | 2003-09-18 | 2005-03-23 | 三星Sdi株式会社 | 有源矩阵有机发光显示器件 |
| CN1638569A (zh) * | 2003-12-26 | 2005-07-13 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法 |
| CN1949511A (zh) * | 2005-10-14 | 2007-04-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法 |
| CN101165906A (zh) * | 2006-10-19 | 2008-04-23 | 元太科技工业股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及电子墨水显示装置 |
| CN102082164A (zh) * | 2009-11-30 | 2011-06-01 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示设备及其制造方法 |
| CN102569665A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-11 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN105742299A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素单元及其制作方法、阵列基板及显示装置 |
| CN105929615A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103413898B (zh) * | 2013-08-29 | 2015-11-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法 |
| KR102151235B1 (ko) * | 2013-10-14 | 2020-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치 |
-
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2018
- 2018-01-04 WO PCT/CN2018/071454 patent/WO2019114061A1/zh active Application Filing
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1444426A (zh) * | 2002-03-04 | 2003-09-24 | 三洋电机株式会社 | 电致发光显示装置及其制造方法 |
| CN1599530A (zh) * | 2003-09-18 | 2005-03-23 | 三星Sdi株式会社 | 有源矩阵有机发光显示器件 |
| CN1638569A (zh) * | 2003-12-26 | 2005-07-13 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法 |
| CN1949511A (zh) * | 2005-10-14 | 2007-04-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法 |
| CN101165906A (zh) * | 2006-10-19 | 2008-04-23 | 元太科技工业股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及电子墨水显示装置 |
| CN102082164A (zh) * | 2009-11-30 | 2011-06-01 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示设备及其制造方法 |
| CN102569665A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-11 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN105742299A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素单元及其制作方法、阵列基板及显示装置 |
| CN105929615A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108777265A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种电极及其制备方法和有机电致发光器件 |
| CN109003989A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN109659339A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可折叠显示面板及其制作方法和可折叠显示装置 |
| CN109638050A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN109659323A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN109659323B (zh) * | 2018-12-18 | 2020-12-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| WO2021114505A1 (zh) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| US12107093B2 (en) | 2019-12-10 | 2024-10-01 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel |
| WO2021227115A1 (zh) * | 2020-05-09 | 2021-11-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
| US11690241B2 (en) | 2020-05-09 | 2023-06-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED with auxiliary electrode contacting electron transport layer |
| CN112635691A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板的制作方法 |
| CN112635691B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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