CN111624826A - 一种lcd面板及其制备方法 - Google Patents
一种lcd面板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111624826A CN111624826A CN202010379952.4A CN202010379952A CN111624826A CN 111624826 A CN111624826 A CN 111624826A CN 202010379952 A CN202010379952 A CN 202010379952A CN 111624826 A CN111624826 A CN 111624826A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- source metal
- layers
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 100
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明涉及面板技术领域，特别涉及一种LCD面板及其制备方法，包括屏下指纹探测区域，屏下指纹探测区域包括第一基板，第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层、第一半导体层、第一钝化层、第一平坦层和第一透明层，通过设置第一栅极金属层、第一源极金属层和第一半导体层构成TFT器件，通过设置第一半导体层和第二半导体层构成光电二极管，当有光照射到该器件时会产生光生电流，当TFT器件打开时，电流会被传感线探测，不同位置所探测电荷量的比列不同，使得映射出指纹的纹路，从而实现指纹识别的功能。
Description
技术领域
本发明涉及面板技术领域，特别涉及一种LCD面板及其制备方法。
背景技术
随着全面屏手机市场的井喷式爆发，屏下指纹技术的应用也逐渐成为行业的主流标配；根据技术特点的不同，屏下指纹大致可分为：电容式指纹识别，光学式指纹识别和超声波式指纹识别三种；这三种屏下指纹技术各有优缺点，电容式指纹识别具有成本低，功耗低，但是灵敏度低的特点；光学式指纹识别则具有灵敏度高，但功耗高的特点；超声波指纹识别技术主要是技术性还不够成熟。
其中光学式指纹识别技术可结合OLED(有机发光二极管的英文)技术以实现全面屏的屏下指纹技术；搭载有光敏元件阵列的背板(Photo Diode Backplane)设计在OLED显示屏下方，当有手指触摸做指纹采集时，OLED屏所发出的光打在手指指纹的纹路上，再反射到下方的光敏元件上，光敏元件将光信号转化为电信号，并传送至数据分析单元就可分析出指纹特征，但是目前市场上还未有LCD(液晶显示器的英文)屏幕的屏下指纹识别设计。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种LCD面板及其制备方法，在不影响显示质量的前提下实现LCD屏下指纹识别。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种LCD面板，包括屏下指纹探测区域，所述屏下指纹探测区域包括第一基板，所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层、第一半导体层、第一钝化层、第一平坦层和第一透明层，所述第一栅极绝缘层分别与第一栅极金属层、第一基板和第一源极金属层接触，所述第一钝化层的一侧面分别与第一半导体层和第一源极金属层接触，所述第一钝化层的一侧面相对的另一侧面与第一平坦层的一侧面接触，所述第一平坦层内嵌设有第二半导体层，所述第二半导体层远离第一钝化层的一侧面与第一透明层接触，所述第一平坦层的一侧面相对的另一侧面与第一透明层接触。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种LCD面板的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一第一基板，且在所述第一基板上覆盖有第一栅极金属层；
S2、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于第一栅极金属层表面；
S3、形成第一源极金属层，且覆盖于第一栅极绝缘层表面；
S4、形成第一半导体层，且覆盖于第一源极金属层表面；
S5、形成第一钝化层，且覆盖于第一半导体层表面；
S6、形成第二半导体层，且覆盖于第一钝化层表面；
S7、形成第一平坦层，且覆盖于第二半导体层表面；所述第一平坦层与第一钝化层接触；
S8、形成第一透明层，且覆盖于第一平坦层表面；所述第一透明层与第二半导体层接触。
本发明的有益效果在于：
通过设置第一栅极金属层、第一源极金属层和第一半导体层构成TFT器件，通过设置第一半导体层和第二半导体层构成光电二极管，当有光照射到该器件时会产生光生电流，当TFT器件打开时，电流会被传感线探测，不同位置所探测电荷量的比列不同，使得映射出指纹的纹路，从而实现指纹识别的功能。
附图说明
图1为根据本发明的一种LCD面板的屏下指纹探测区域的结构示意图；
图2为根据本发明的一种LCD面板的液晶显示区域的结构示意图；
图3为根据本发明的一种LCD面板的屏下指纹探测区域的电路示意图；
图4为根据本发明的一种LCD面板的控制方法的步骤流程图；
标号说明：
1、屏下指纹探测区域；101、第一基板；102、第一栅极金属层；103、第一栅极绝缘层；104、第一源极金属层；105、第一半导体层；106、第一钝化层；107、第二半导体层；108、第一平坦层；109、第一透明层；
2、液晶显示区域；201、第二基板；202、第二栅极金属层；203、第二栅极绝缘层；204、第二源极金属层；205、第三半导体层；206、第二钝化层；207、第二平坦层；208、顶部绝缘层；209、第二透明层；210、第三透明层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种LCD面板，包括屏下指纹探测区域，所述屏下指纹探测区域包括第一基板，所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层、第一半导体层、第一钝化层、第一平坦层和第一透明层，所述第一栅极绝缘层分别与第一栅极金属层、第一基板和第一源极金属层接触，所述第一钝化层的一侧面分别与第一半导体层和第一源极金属层接触，所述第一钝化层的一侧面相对的另一侧面与第一平坦层的一侧面接触，所述第一平坦层内嵌设有第二半导体层，所述第二半导体层远离第一钝化层的一侧面与第一透明层接触，所述第一平坦层的一侧面相对的另一侧面与第一透明层接触。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过设置第一栅极金属层、第一源极金属层和第一半导体层构成TFT器件，通过设置第一半导体层和第二半导体层构成光电二极管，当有光照射到该器件时会产生光生电流，当TFT器件打开时，电流会被传感线探测，不同位置所探测电荷量的比列不同，使得映射出指纹的纹路，从而实现指纹识别的功能。
进一步的，还包括液晶显示区域，所述液晶显示区域包括第二基板，所述第二基板的一侧面上依次层叠设有第二栅极金属层、第二栅极绝缘层、第二源极金属层、第三半导体层、第二钝化层、第二平坦层和顶部绝缘层，所述第二钝化层上设有第一过孔，所述第二平坦层上设有第二过孔，所述顶部绝缘层上设有第三过孔，所述第二过孔位于第一过孔和第三过孔之间且分别与第一过孔和第三过孔相通，所述第一过孔、第二过孔和第三过孔三者中均填充有第二透明层，所述第一过孔中填充的第二透明层与第二源极金属层接触。
由上述描述可知，通过设置液晶显示区域，背光会穿过液晶显示区域，光线穿过被手反射到屏下指纹探测区域，由于屏下指纹探测区域有金属层遮挡，所以背光的光线会被遮挡，无法影响屏下指纹探测区域探测的灵敏度；手上纹路对光线的反射强度不一样，故实际照射到屏下指纹探测区域的光电器件的光强不一样，经光电二极管转换成的电流不一样，从而IC可通过算法计算出纹路和电流的对应关系，最终实现屏下指纹识别功能。
进一步的，所述第二平坦层和顶部绝缘层之间设有两个第三透明层，所述第三过孔中填充的第二透明层位于两个第三透明层之间。
进一步的，所述第二源极金属层的数量为两个，所述第三半导体层位于两个第二源极金属层之间且分别与两个第二源极金属层接触。
由上述描述可知，第二栅极金属层、两个第二源极金属层和第三半导体层构成TFT器件，第二栅极金属层能够遮住背光的光线，从而避免了背光对TFT器件的影响。
进一步的，所述第一源极金属层的数量和第一半导体层的数量均为两个，两个所述第一半导体层中的其中一个第一半导体层位于两个第一源极金属层之间且分别与两个第一源极金属层接触，两个所述第一半导体层中的其中另一个第一半导体层位于其中一个第一源极金属层远离第一栅极绝缘层的一侧面上。
进一步的，所述第二半导体层与两个第一半导体层中的其中另一个第一半导体层接触。
由上述描述可知，第二半导体层与两个第一半导体层中的其中另一个第一半导体层接触形成光电二极管。
请参照图4，本发明提供的另一种技术方案：
一种LCD面板的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一第一基板，且在所述第一基板上覆盖有第一栅极金属层；
S2、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于第一栅极金属层表面；
S3、形成第一源极金属层，且覆盖于第一栅极绝缘层表面；
S4、形成第一半导体层，且覆盖于第一源极金属层表面；
S5、形成第一钝化层，且覆盖于第一半导体层表面；
S6、形成第二半导体层，且覆盖于第一钝化层表面；
S7、形成第一平坦层，且覆盖于第二半导体层表面；所述第一平坦层与第一钝化层接触；
S8、形成第一透明层，且覆盖于第一平坦层表面；所述第一透明层与第二半导体层接触。
请参照图1至图3，本发明的实施例一为：
请参照图1，一种LCD面板，包括屏下指纹探测区域1，所述屏下指纹探测区域1包括第一基板101，所述第一基板101的一侧面上依次层叠设有第一栅极金属层102、第一栅极绝缘层103、第一源极金属层104、第一半导体层105、第一钝化层106、第一平坦层108和第一透明层109，所述第一栅极绝缘层103分别与第一栅极金属层102、第一基板101和第一源极金属层104接触，所述第一钝化层106的一侧面分别与第一半导体层105和第一源极金属层104接触，所述第一钝化层106的一侧面相对的另一侧面与第一平坦层108的一侧面接触，所述第一平坦层108内嵌设有第二半导体层107，所述第二半导体层107远离第一钝化层106的一侧面与第一透明层109接触，所述第一平坦层108的一侧面相对的另一侧面与第一透明层109接触。
请参照图2，还包括液晶显示区域2，所述液晶显示区域2包括第二基板201，所述第二基板201的一侧面上依次层叠设有第二栅极金属层202、第二栅极绝缘层203、第二源极金属层204、第三半导体层205、第二钝化层206、第二平坦层207和顶部绝缘层208，所述第二钝化层206上设有第一过孔，所述第二平坦层207上设有第二过孔，所述顶部绝缘层208上设有第三过孔，所述第二过孔位于第一过孔和第三过孔之间且分别与第一过孔和第三过孔相通，所述第一过孔、第二过孔和第三过孔三者中均填充有第二透明层209，所述第一过孔中填充的第二透明层209与第二源极金属层204接触。
请参照图2，所述第二平坦层207和顶部绝缘层208之间设有两个第三透明层210，所述第三过孔中填充的第二透明层209位于两个第三透明层210之间。
请参照图2，所述第二源极金属层204的数量为两个，所述第三半导体层205位于两个第二源极金属层204之间且分别与两个第二源极金属层204接触。
请参照图1，所述第一源极金属层104的数量和第一半导体层105的数量均为两个，两个所述第一半导体层105中的其中一个第一半导体层105位于两个第一源极金属层104之间且分别与两个第一源极金属层104接触，两个所述第一半导体层105中的其中另一个第一半导体层105位于其中一个第一源极金属层104远离第一栅极绝缘层103的一侧面上。
请参照图1，所述第二半导体层107与两个第一半导体层105中的其中另一个第一半导体层105接触。
所述屏下指纹探测区域1形成的TFT器件(晶体管T1)和发光二极管(二极管D1)的电路连接结构请参照图3，所述晶体管T1的栅极分别与晶体管T1的源极、外设的栅极走线(即图3中用Sensor line表示)和外设的传感线(即图3中用Gate表示)电连接，所述晶体管T1的漏极与二极管D1的阳极电连接，所述二极管D1的阴极接地；所述第一栅极金属层102作为TFT器件的栅极，两个第一源极金属层104分别作为TFT器件的源极和漏极。
在实际工艺施作过程中，所述第一基板101和第二基板201为分布在不同区域的同一层基板，在进行蒸镀制程是同时制作形成的；所述第一基板101和第二基板201的厚度均为0.4μm-0.5μm，优选为0.41μm；
所述第一栅极金属层102和第二栅极金属层202为分布在不同区域的同一层栅极金属层，在进行蒸镀涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的(由于不同的基板在制作缓冲层时使用的制程不一样)，栅极金属层的材质优选石墨烯、碳纳米管和纳米银线等材料，鉴于当前高导电耐弯折材料技术尚待突破，栅极金属层亦可以采用金属如铝、钼、钛、镍、铜、银和铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金；所述第一栅极金属层102和第二栅极金属层202的厚度均为0.2μm-0.3μm，优选为0.25μm；
所述第一栅极绝缘层103和第二栅极绝缘层203为分布在不同区域的同一层栅极绝缘层，在进行化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的(由于不同的基板在制作缓冲层时使用的制程不一样)，栅极绝缘层的材质为有SiOx、SiNx、氧化钛和氧化铝等；所述第一栅极绝缘层103和第二栅极绝缘层203的厚度均为0.2μm-0.3μm，优选为0.25μm；
所述第一源极金属层104和第二源极金属层204为分布在不同区域的同一层源极金属层，在进行蒸镀涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的(由于不同的基板在制作缓冲层时使用的制程不一样)，第一源极金属层104和第二源极金属层204的材质与第一栅极金属层102的材质一样，所述第一源极金属层104和第二源极金属层204的厚度均为0.2μm-0.3μm，优选为0.25μm；
所述第一半导体层105和第三半导体层205为分布在不同区域的同一层半导体层，在进行蒸镀涂布或化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的(由于不同的基板在制作缓冲层时使用的制程不一样)，所述第一半导体层105和第二半导体层107的材质为金属氧化物半导体材料，例如IGZO、IGZTO和IZO等，所述第一半导体层105和第二半导体层107的厚度均为0.3μm-0.4μm，优选为0.35μm；
所述第一钝化层106和第二钝化层206为分布在不同区域的同一层钝化层，在进行化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的(由于不同的基板在制作缓冲层时使用的制程不一样)，钝化层的材质与栅极绝缘层的材质一样，所述第一钝化层106和第二钝化层206的厚度均为0.5μm-0.6μm，优选为0.55μm；
所述第一平坦层108和第二平坦层207为分布在不同区域的同一层平坦层，在进行化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的(由于不同的基板在制作缓冲层时使用的制程不一样)，平坦层的材质与栅极绝缘层的材质一样，所述第一平坦层108和第二平坦层207的厚度均为1.5μm-2.5μm，优选为2.0μm；
所述第一透明层109和第三透明层210为分布在不同区域的同一层透明层，在进行化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)制程是同时制作形成的(由于不同的基板在制作缓冲层时使用的制程不一样)，所述第一透明层109和第三透明层210的材质均为ITO，所述第一透明层109和第三透明层210的厚度均为0.03μm-0.1μm，优选为0.065μm；
所述顶部绝缘层208的材质与第一栅极绝缘层103的材质一样，所述顶部绝缘层208的厚度为0.3μm-0.4μm，优选为0.33μm；
所述第二透明层209的材质与第一透明层109的材质一样，所述第二透明层209的厚度为0.03μm-0.1μm，优选为0.065μm。
请参照图4，本发明的实施例二为：
一种LCD面板的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一第一基板101，且在所述第一基板101上覆盖有第一栅极金属层102；
S2、形成第一栅极绝缘层103，且覆盖于第一栅极金属层102表面；
S3、形成第一源极金属层104，且覆盖于第一栅极绝缘层103表面；
S4、形成第一半导体层105，且覆盖于第一源极金属层104表面；
S5、形成第一钝化层106，且覆盖于第一半导体层105表面；
S6、形成第二半导体层107，且覆盖于第一钝化层106表面；
S7、形成第一平坦层108，且覆盖于第二半导体层107表面；所述第一平坦层108与第一钝化层106接触；
S8、形成第一透明层109，且覆盖于第一平坦层108表面；所述第一透明层109与第二半导体层107接触。
综上所述，本发明提供的一种LCD面板及其制备方法，通过设置第一栅极金属层、第一源极金属层和第一半导体层构成TFT器件，通过设置第一半导体层和第二半导体层构成光电二极管，当有光照射到该器件时会产生光生电流，当TFT器件打开时，电流会被传感线探测，不同位置所探测电荷量的比列不同，使得映射出指纹的纹路，从而实现指纹识别的功能。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种LCD面板，其特征在于，包括屏下指纹探测区域，所述屏下指纹探测区域包括第一基板，所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层、第一半导体层、第一钝化层、第一平坦层和第一透明层，所述第一栅极绝缘层分别与第一栅极金属层、第一基板和第一源极金属层接触，所述第一钝化层的一侧面分别与第一半导体层和第一源极金属层接触，所述第一钝化层的一侧面相对的另一侧面与第一平坦层的一侧面接触，所述第一平坦层内嵌设有第二半导体层，所述第二半导体层远离第一钝化层的一侧面与第一透明层接触，所述第一平坦层的一侧面相对的另一侧面与第一透明层接触。
2.根据权利要求1所述的LCD面板，其特征在于，还包括液晶显示区域，所述液晶显示区域包括第二基板，所述第二基板的一侧面上依次层叠设有第二栅极金属层、第二栅极绝缘层、第二源极金属层、第三半导体层、第二钝化层、第二平坦层和顶部绝缘层，所述第二钝化层上设有第一过孔，所述第二平坦层上设有第二过孔，所述顶部绝缘层上设有第三过孔，所述第二过孔位于第一过孔和第三过孔之间且分别与第一过孔和第三过孔相通，所述第一过孔、第二过孔和第三过孔三者中均填充有第二透明层，所述第一过孔中填充的第二透明层与第二源极金属层接触。
3.根据权利要求2所述的LCD面板，其特征在于，所述第二平坦层和顶部绝缘层之间设有两个第三透明层，所述第三过孔中填充的第二透明层位于两个第三透明层之间。
4.根据权利要求2所述的LCD面板，其特征在于，所述第二源极金属层的数量为两个，所述第三半导体层位于两个第二源极金属层之间且分别与两个第二源极金属层接触。
5.根据权利要求1所述的LCD面板，其特征在于，所述第一源极金属层的数量和第一半导体层的数量均为两个，两个所述第一半导体层中的其中一个第一半导体层位于两个第一源极金属层之间且分别与两个第一源极金属层接触，两个所述第一半导体层中的其中另一个第一半导体层位于其中一个第一源极金属层远离第一栅极绝缘层的一侧面上。
6.根据权利要求5所述的LCD面板，其特征在于，所述第二半导体层与两个第一半导体层中的其中另一个第一半导体层接触。
7.一种权利要求1所述的LCD面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一第一基板，且在所述第一基板上覆盖有第一栅极金属层；
S2、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于第一栅极金属层表面；
S3、形成第一源极金属层，且覆盖于第一栅极绝缘层表面；
S4、形成第一半导体层，且覆盖于第一源极金属层表面；
S5、形成第一钝化层，且覆盖于第一半导体层表面；
S6、形成第二半导体层，且覆盖于第一钝化层表面；
S7、形成第一平坦层，且覆盖于第二半导体层表面；所述第一平坦层与第一钝化层接触；
S8、形成第一透明层，且覆盖于第一平坦层表面；所述第一透明层与第二半导体层接触。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010379952.4A CN111624826A (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 一种lcd面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010379952.4A CN111624826A (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 一种lcd面板及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111624826A true CN111624826A (zh) | 2020-09-04 |
Family
ID=72259064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010379952.4A Pending CN111624826A (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 一种lcd面板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111624826A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013116990A1 (zh) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
| WO2013116992A1 (zh) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
| WO2015051646A1 (zh) * | 2013-10-09 | 2015-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法 |
| US20150294993A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-10-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof, display device |
| US20180219184A1 (en) * | 2016-09-18 | 2018-08-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of amoled pixel driver circuit |
| WO2019041479A1 (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled-tft基板及其制造方法、显示面板 |
| WO2019080255A1 (zh) * | 2017-10-24 | 2019-05-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 透明oled显示器及其制作方法 |
| WO2019114061A1 (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板结构及oled背板制作方法 |
| CN212322034U (zh) * | 2020-05-08 | 2021-01-08 | 福建华佳彩有限公司 | 一种lcd面板 |
-
2020
- 2020-05-08 CN CN202010379952.4A patent/CN111624826A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013116990A1 (zh) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
| WO2013116992A1 (zh) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
| WO2015051646A1 (zh) * | 2013-10-09 | 2015-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法 |
| US20150294993A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-10-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof, display device |
| US20180219184A1 (en) * | 2016-09-18 | 2018-08-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of amoled pixel driver circuit |
| WO2019041479A1 (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled-tft基板及其制造方法、显示面板 |
| WO2019080255A1 (zh) * | 2017-10-24 | 2019-05-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 透明oled显示器及其制作方法 |
| WO2019114061A1 (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板结构及oled背板制作方法 |
| CN212322034U (zh) * | 2020-05-08 | 2021-01-08 | 福建华佳彩有限公司 | 一种lcd面板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9804720B2 (en) | OLED touch display panel | |
| US10361255B2 (en) | Display panel and display device | |
| KR101322981B1 (ko) | 터치 소자를 구비한 표시장치 | |
| US10762326B2 (en) | Fingerprint identification device and manufacturing method thereof, and electronic device | |
| KR101048931B1 (ko) | 터치 스크린 패널 | |
| US10095335B2 (en) | In-cell type touch panel and manufacturing method thereof, liquid crystal display device | |
| US10289224B2 (en) | Pressure sensing display and manufacturing method thereof | |
| US9400580B2 (en) | Touch panel and method of fabricating the same | |
| CN103262011B (zh) | 触摸面板及具备其的显示装置以及触摸面板的制造方法 | |
| US8174015B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| KR20180066667A (ko) | 전자 기기 | |
| US8203539B2 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
| KR20100041318A (ko) | 광도전체를 이용한 터치스크린 기능이 내장된 액정표시장치 | |
| CN107122750A (zh) | 一种光学指纹识别装置及显示面板 | |
| CN108598109A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN113644103A (zh) | 显示设备 | |
| CN104679356A (zh) | 光学传感单元、触摸面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN108766984B (zh) | 有机发光显示面板和显示装置 | |
| US8994691B2 (en) | In-cell capacitive touch panel and method of manufacturing the same | |
| CN112101270A (zh) | 一种应用于屏下指纹识别的显示面板 | |
| CN212322034U (zh) | 一种lcd面板 | |
| KR100902211B1 (ko) | 터치패널 일체형 유기전계발광 표시장치 | |
| KR20220019123A (ko) | 지문 센서, 지문 센서의 제조 방법, 및 지문 센서를 포함한 표시 장치 | |
| US11075240B2 (en) | Texture recognition assembly and method of manufacturing the same, and display apparatus | |
| CN111624826A (zh) | 一种lcd面板及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |