CN104766930A - Oled基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED基板及其制备方法、显示装置，其可解决现有的OLED基板在清理发光材料时清理困难的问题。本发明的OLED基板划分成显示区域和周边区域，周边区域具有多个阴极接触区，其包括基底，依次设置在基底上的源漏金属延伸部；钝化层，在其与阴极接触区对应的位置具有多个过孔；阳极金属延伸部，其通过过孔与源漏金属延伸部电性连接；像素限定层，其在与显示区域对应的位置具有多个第一图案，每个第一图案具有一个凸起部和一个凹槽部；在与阴极接触区对应的位置具有多个第二图案，每个第二图案具有一个凸起部和一个凹槽部；第一图案的凸起部与第二图案的凹槽部对应，第一图案的凹槽部与第二图案的凸起部对应。

Description

OLED基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种OLED基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(有机电致发光器件：Organic Light-Emitting Device，简称OLED)由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广等优点，因而有着广阔的应用前景。
OLED在显示器方面有着极其广泛的应用。具体的，以一OLED基板为例进行说明。结合图1和图2所示，该OLED基板包括显示区域1，以及将显示区域1包围的周边区域2，且在周边区域2包括多个阴极接触区21。其中，在OLED基板的基底10上依次形成有源漏(SD)金属延伸部11，该源漏金属延伸部11从显示区域延伸至周边区域的阴极接触区；在源漏金属延伸部11所在层上方形成钝化层12(PVX)，且在位于阴极接触区的钝化层12中形成有多个过孔；在钝化层12上方形成有OLED器件的阳极以及阳极金属线，OLED器件的阳极位于显示区域，且与阳极金属延伸部13同层设置，阳极金属延伸部13同样从显示区域延伸至周边区域的阴极接触区，此时阳极金属延伸部13通过过孔与阴极接触区位置处的SD金属延伸部连接；在OLED器件的阳极以及阳极金属线所在层上方形成有像素限定层14，该像素限定层14在包括位于显示区域的第一开口，以及位于周边区域的阴极接触区的第二开口，每一个第一开口用于容纳一个OLED器件的发光材料，第二开口远大于第一开口的宽度，且第二开口的宽度比阴极接触区的宽度还要大一些；在形成有像素限定层14之后通过连续印刷的方式在整个OLED基底10上形成有机电致发光材料层；由于周边区域不用于显示，此时需要将周边区域位置处的有机电致发光材料清洁干净；最后形成OLED器件的阴极和阴极金属延伸部，OLED器件的阴极位于显示区域，且与阳极金属延伸部13连接，阴极金属延伸部从显示区域延伸至周边区域的阴极接触区。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于在阴极接触区位置处的钝化层12具有多个过孔，可以理解的在形成有机电致发光材料时，落入过孔位置Q的发光材料是很难清理的，其中，显示区域1中第一开口大约可以容纳2-6个图2中Q的区域，而在图1中只是示意性的表示。因此如何避免在过孔所在位置形成有机电致发光材料是一个亟需解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的OLED基板存在的上述问题，提供一种易于清洁、甚至可以省略清洁发光材料步骤的OLED基板及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种OLED基板，将所述OLED基板划分成显示区域和围绕显示区域的周边区域，其中，所述周边区域具有多个阴极接触区，所述OLED基板包括：
基底；
源漏金属延伸部，其设置在基底上方，且所述源漏金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区；
钝化层，其设置在源漏金属延伸部所在层上方，且在所述钝化层与所述阴极接触区对应的位置具有多个过孔；
阳极金属延伸部，其设置在所述钝化层上方，且所述阳极金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区，并通过过孔与所述源漏金属延伸部电性连接；
像素限定层，其设置在所述阳极金属延伸部所在层上方，且所述像素限定层在与所述显示区域对应的位置具有多个连续设置的第一图案，每个所述第一图案具有一个凸起部和一个凹槽部；在与所述阴极接触区对应的位置具有多个连续设置的第二图案，每个所述第二图案具有一个凸起部和一个凹槽部；其中，所述第一图案的凸起部与所述第二图案的凹槽部对应，所述第一图案的凹槽部与所述第二图案的凸起部对应。
优选的是，所述第一图案的凸起部的宽度与所述第二图案的凹槽部的宽度相同，所述第一图案的凹槽部的宽度与所述第二图案的凸起部的宽度相同。
优选的是，所述OLED基板还包括发光材料层；其中，所述发光材料层设置在所述第一图案的凹槽部，以及设置在所述第二图案的凸起部上方。
进一步优选的是，所述OLED基板还包括阴极，以及与阴极连接的阴极金属延伸部；其中，所述阴极和阴极金属延伸部设置在发光材料层上方，且所述阴极设置在显示区域，所述阴极金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区，并通过第二图案的凹槽部与所述阳极金属延伸部连接。
优选的是，所述OLED基板还包括设置显示区域的阳极，所述阳极与所述阳极金属延伸部同层且断开设置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种OLED基板的制备方法，包括：
在基底上，通过构图工艺形成包括源漏金属延伸部的图形；其中，所述源漏金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区；
在完成上述步骤的基底上，形成钝化层，并通过构图工艺在所述钝化层与所述阴极接触区对应的位置形成多个过孔；
在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括阳极金属延伸部的图形；其中，所述阳极金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区，并通过过孔与所述源漏金属延伸部电性连接；
在完成上述步骤的基底上，形成像素限定层，并通过构图工艺在所述像素限定层与所述显示区域对应的位置形成多个连续设置第一图案，每个所述第一图案具有一个凸起部和一个凹槽部；在与所述周边区域的阴极接触区对应的位置形成多个连续设置的第二图案，每个所述第二图案具有一个凸起部和一个凹槽部；其中，所述第一图案的凸起部与所述第二图案的凹槽部对应，所述第一图案的凹槽部与所述第二图案的凸起部对应。
优选的是，所述第一图案的凸起部的宽度与所述第二图案的凹槽部的宽度相同，所述第一图案的凹槽部的宽度与所述第二图案的凸起部的宽度相同。
优选的是，在所述形成像素限定层之后还包括：
形成发光材料层的步骤；其中，所述发光材料形成在所述第一图案的凹槽部，以及所述第二图案的凸起部上方。
进一步优选的是，所述形成发光材料是采用连续打印的方式形成的。
进一步优选的是，在所述形成发光材料层的步骤之后还包括：
通过构图工艺形成包括阴极，以及与阴极连接的阴极金属延伸部的图形；其中，所述阴极和阴极金属延伸部设置在发光材料层上方，且所述阴极设置在显示区域，所述阴极金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区，并通过第二图案的凹槽部与所述阳极金属延伸部连接。
优选的是，在形成所述阳极金属延伸部的同时还形成有阳极的图形；其中，述阳极与所述阳极金属延伸部同层且断开设置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的OLED基板。
本发明具有如下有益效果：
由于本发明的像素限定层在与显示区域对应的位置具有多个连续设置的第一图案，在与周边区域的阴极接触区对应的位置具有多个连续设置的第二图案，且第一图案的凸起部与第二图案的凹槽部对应，第一图案的凹槽部与第二图案的凸起部对应；或者说第一图案和第二图案相反的图案。因此，采用连续打印的方式在像素限定层中印刷发光材料，以形成OLED器件的发光材料层时，发光材料不会印刷至第二图案的凹槽部中，只是留在了第二图案的凸起部上，此时避免了发光材料落入第二图案的凹槽部下方与钝化层过孔位置对应的地方，导致在清理发光材料时困难的问题。
附图说明
图1为现有的和实施例1的OLED基板的平面示意图；
图2为图1的阴极接触区A-A剖面图与显示区域的像素限定层比较示意图；
图3为本发明的实施例1的OLED阴极接触区像素限定层与显示区域的像素限定层的比较示意图；
图4为在图3的基础上形成发光材料层的示意图；
图5为在图4的基础上形成阴极金属延伸部的示意图；
其中附图标记为：1、显示区域；2、周边区域；21、阴极接触区；10、基底；11、源漏金属延伸部；12、钝化层；13、阳极金属延伸部；14、像素限定层；15、发光材料层；16、阴极金属延伸部；100、第一图案；101、第一图案的凹槽部；102、第一图案的凸起部；200、第二图案；201、第二图案的凹槽部；202、第二图案的凸起部。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
结合图1、3所示，本实施例提供一种OLED基板，其中，由于本实施例的OLED基板的平面示意图与现有技术相同，因此均用图1表示，将该OLED基板划分成显示区域1和围绕显示区域1的周边区域2，其中，在周边区域2具有多个阴极接触区21。本实施例的OLED基板具体包括：基底10；源漏金属延伸部11，其设置在基底10上方，且所述源漏金属延伸部11从所述显示区域1延伸至所述周边区域2的阴极接触区21；钝化层12，其设置在源漏金属延伸部11所在层上方，且在所述钝化层12与所述阴极接触区21对应的位置具有多个过孔；阳极金属延伸部13，其设置在所述钝化层12上方，且所述阳极金属延伸部13从所述显示区域1延伸至所述周边区域2的阴极接触区21，并通过过孔与所述源漏金属延伸部11电性连接；像素限定层14，其设置在所述阳极金属延伸部13所在层上方，且所述像素限定层14在与所述显示区域1对应的位置具有多个连续设置的第一图案100，每个所述第一图案100具有一个凸起部102和一个凹槽部101；在与所述周边区域2的阴极接触区21对应的位置具有多个连续设置的第二图案200，每个所述第二图案200具有一个凸起部202和一个凹槽部201；其中，所述第一图案的凸起部102与所述第二图案的凹槽部201对应，所述第一图案的凹槽部101与所述第二图案的凸起部202对应。
在本实施例中，由于像素限定层14在与显示区域1对应的位置具有多个连续设置的第一图案100，在与周边区域2的阴极接触区21对应的位置具有多个连续设置的第二图案200，且第一图案的凸起部102与第二图案的凹槽部201对应，第一图案的凹槽部101与第二图案的凸起部202对应；或者说第一图案100和第二图案200相反的图案。因此，采用连续打印的方式印刷发光材料，以形成OLED器件的发光材料层15时，发光材料不会印刷至第二图案200的凹槽部中，只是留在了第二图案的凸起部202上，此时避免了发光材料落入第二图案的凹槽部201下方与钝化层12过孔位置对应的地方Q，导致在清理发光材料时困难的问题。需要说明的是，连续打印的方式是指，沿第一图案的凹槽部101所在行方向或者列方向逐次印刷。由于本实施例中第一图案100和第二图案200的凹槽部和凸起部位置恰恰相反，因此当印刷到第二图案200时，发光材料只能被印刷至第二图案200的凸起部位置。图3中显示区域1的第一图案的凹槽部101中对应大约2-6个Q位置的大小，而图3也只是示意性的表示。
其中，在基底10上还设置有薄膜晶体管的各层结构，例如栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极等，源漏金属延伸部11与源极和漏极是同层设置的。
优选的，在实施例OLED基板中，所述第一图案的凸起部102的宽度与所述第二图案的凹槽部201的宽度相同，所述第一图案的凹槽部101的宽度与所述第二图案的凸起部202的宽度相同。之所以如此设置是为了，尽可能避免在形成有机发光材料层时，发光材料落入第二图案的凹槽部201中，导致清洁困难的问题。
如图4所示，优选的，本实施例的OLED基板还包括发光材料层15；其中，所述发光材料层15设置在所述第一图案的凹槽部101，以及设置在所述第二图案的凸起部202上方。也就是说，在连续打印发光材料以形成发光材料层15时，在显示区域1发光材料落入每个第一图案的凹槽部101，以形成每一个OLED发光单元的发光材料层15；在周边区域2的阴极接触区21的发光材料落在第二图案的凸起部202，此时发光材料可以保持在第二图案的凸起部202上，无需对发光材料的清洁工作，提高生产效率；当然也可以将第二图案的凸起部202上发光材料清理干净，较现有的OLED基板结构而言，此时的清理工作的难度大大降低。而且像素限定层14的材料为疏水性材料，因此发光材料被印刷至第二图案的凸起部202上时，也不会流入第二图案的凹槽部201中。
如图5所示，进一步优选的，本实施例的OLED基板还包括阴极，以及与阴极连接的阴极金属延伸部16；其中，所述阴极和阴极金属延伸部16设置在发光材料层15上方，且所述阴极设置在显示区域1，所述阴极金属延伸部16从所述显示区域1延伸至所述周边区域2的阴极接触区21，并通过第二图案的凹槽部201与所述阳极金属延伸部13连接。此时，可以通过在阴极接触区21位置输入阴极所需要的信号。
优选的，本实施例的OLED基板还包括设置显示区域1的阳极，所述阳极与所述阳极金属延伸部13同层且断开设置。可以理解的是，OLED基板上所形成的每一个OLED发光单元均具有一个单独的阳极，每个阳极则通过相应的像素单元中的薄膜晶体管进行驱动。
本实施例所提供的OLED基板的结构，解决了现有的OLED基板在清理发光材料时困难的问题。
实施例2：
本实施例提供一种OLED基板的制备方法，其可用于制备实施例1中的OLED基板。该制备方法具体包括：
步骤一、在基底10上，通过构图工艺形成包括源漏金属延伸部11的图形；其中，所述源漏金属延伸部11从所述显示区域1延伸至所述周边区域2的阴极接触区21。
需要说明的是，在基底10上形成源漏金属延伸部11之前，还包括在基底10上形成薄膜晶体管的各层结构，其中，源漏金属延伸部11可以与薄膜晶体管的源极和漏极采用一次构图工艺形成，此时可以简化工艺步骤。
具体的，在该步骤中基底10采用玻璃、树脂、蓝宝石、石英等透明材料制成、且经过预先清洗。具体的，在基底10上采用溅射方式、热蒸发方式、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition：简称CVD)方式形成源漏金属薄膜，对该源漏金属薄膜进行光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离形成包括源漏金属延伸部11的图形。
其中，源漏金属薄膜(源极1)的材料采用钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、钛(Ti)和铜(Cu)中的一种或它们中多种材料形成的单层或多层复合叠层，优选为Mo、Al或含Mo、Al的合金组成的单层或多层复合膜。
步骤二、在完成上述步骤的基底10上，形成钝化层12，并通过构图工艺在所述钝化层12与所述阴极接触区21对应的位置形成多个过孔。
具体的，在该步骤中采用热生长、常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子辅助体化学气相淀积、溅射等制备方法，形成钝化层12；然后在钝化层12上涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离形成贯穿钝化层12的多个过孔。
其中，钝化层12的材料可以为硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)、铪的氧化物(HfOx)、硅的氮氧化物(SiON)、铝的氧化物(AlOx)等或由其中两种或三种组成的多层膜组成。
步骤三、在完成上述步骤的基底10上，通过构图工艺形成包括阳极金属延伸部13的图形；其中，所述阳极金属延伸部13从所述显示区域1延伸至所述周边区域2的阴极接触区21，并通过过孔与所述源漏金属延伸部11电性连接。
优选的，与此同时在显示区域1还形成有阳极的图形，其中阳极与阳极金属延伸部13断开设置。
具体的，在该步骤中采用溅射方式、热蒸发方式或化学气相沉积方式沉积导电膜，并通过构图工艺形成阳极和阳极金属延伸部13的图形，阳极是与薄膜晶体管的漏极电性连接，阳极金属延伸部13的图形通过过孔与源漏金属延伸部11电性连接
其中，导电膜为ITO(氧化铟锡)/Ag(银)/ITO(氧化铟锡)或者Ag(银)/ITO(氧化铟锡)结构；或者，把上述结构中的ITO换成IZO(氧化铟锌)、IGZO(氧化铟镓锌)或InGaSnO(氧化铟镓锡)。当然，也可以采用具有导电性能及高功函数值的无机金属氧化物、有机导电聚合物或金属材料形成，无机金属氧化物包括氧化铟锡或氧化锌，有机导电聚合物包括PEDOT:SS、PANI，金属材料包括金、铜、银或铂。
步骤四、在完成上述步骤的基底10上，形成像素限定层14，并通过构图在所述像素限定层14与所述显示区域1对应的位置形成多个连续设置第一图案100，每个所述第一图案100具有一个凸起部102和一个凹槽部101；在与所述周边区域2的阴极接触区21对应的位置形成多个连续设置的第二图案200，每个所述第二图案200具有一个凸起部202和一个凹槽部201；其中，所述第一图案的凸起部102与所述第二图案的凹槽部201对应，所述第一图案的凹槽部101与所述第二图案的凸起部202对应。
具体的，在该步骤中采用涂布方式形成像素限定层14；然后在对像素限定层14上曝光、显影在显示区域1形成多个第一图案100；在阴极接触区21形成多个第二图案200。
其中，像素限定层14的材料可以为疏液的有机含氟材料。所述第一图案的凸起部102的宽度与所述第二图案的凹槽部201的宽度相同，所述第一图案的凹槽部101的宽度与所述第二图案的凸起部202的宽度相同。之所以如此设置是为了，尽可能避免在形成有机发光材料层时，发光材料落入第二图案的凹槽部201中，导致清洁困难的问题。
步骤五、在完成上述步骤的基底10上，形成发光材料层15的步骤；其中，所述发光材料形成在所述第一图案的凹槽部101，以及所述第二图案的凸起部202上方。
具体的，在该步骤中采用连续打印的方式形成发光材料层15。
步骤六、在完成上述步骤的基底10上，通过构图工艺形成包括阴极，以及与阴极连接的阴极金属延伸部16的图形；其中，阴极及金属延伸部所述阴极形成在显示区域1，所述阴极金属延伸部16从所述显示区域1延伸至所述周边区域2的阴极接触区21，并通过第二图案的凹槽部201与所述阳极金属延伸部13连接。
具体的，在该步骤中采用溅射或蒸镀形成阴极，以及与阴极连接的阴极金属延伸部16的图形。
其中，阴极和阴极金属延伸部16的材料为：采用低功函数金属材料，比如：锂、镁、钙、锶、铝、铟等或上述金属与铜、金、银的合金制成；或者采用一层很薄的缓冲绝缘层(如LiF、CsCO3等)和上述金属或合金制成。
至此，形成OLED基板。
实施例3：
本实施例提供一种显示装置，其包括上述OLED基板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例的显示装置中具有实施例1中的OLED基板，故其性能更好。
当然，本实施例的显示装置中还可以包括其他常规结构，如电源单元、显示驱动单元等。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种OLED基板，将所述OLED基板划分成显示区域和围绕显示区域的周边区域，其中，所述周边区域具有多个阴极接触区，其特征在于，所述OLED基板包括：
基底；
源漏金属延伸部，其设置在基底上方，且所述源漏金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区；
钝化层，其设置在源漏金属延伸部所在层上方，且在所述钝化层与所述阴极接触区对应的位置具有多个过孔；
阳极金属延伸部，其设置在所述钝化层上方，且所述阳极金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区，并通过过孔与所述源漏金属延伸部电性连接；
像素限定层，其设置在所述阳极金属延伸部所在层上方，且所述像素限定层在与所述显示区域对应的位置具有多个连续设置的第一图案，每个所述第一图案具有一个凸起部和一个凹槽部；在与所述阴极接触区对应的位置具有多个连续设置的第二图案，每个所述第二图案具有一个凸起部和一个凹槽部；其中，所述第一图案的凸起部与所述第二图案的凹槽部对应，所述第一图案的凹槽部与所述第二图案的凸起部对应。
2.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述第一图案的凸起部的宽度与所述第二图案的凹槽部的宽度相同，所述第一图案的凹槽部的宽度与所述第二图案的凸起部的宽度相同。
3.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述OLED基板还包括发光材料层；其中，所述发光材料层设置在所述第一图案的凹槽部，以及设置在所述第二图案的凸起部上方。
4.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述OLED基板还包括阴极，以及与阴极连接的阴极金属延伸部；其中，所述阴极和阴极金属延伸部设置在发光材料层上方，且所述阴极设置在显示区域，所述阴极金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区，并通过第二图案的凹槽部与所述阳极金属延伸部连接。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的OLED基板，其特征在于，所述OLED基板还包括设置显示区域的阳极，所述阳极与所述阳极金属延伸部同层且断开设置。
6.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上，通过构图工艺形成包括源漏金属延伸部的图形；其中，所述源漏金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区；
在完成上述步骤的基底上，形成钝化层，并通过构图工艺在所述钝化层与所述阴极接触区对应的位置形成多个过孔；
在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括阳极金属延伸部的图形；其中，所述阳极金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区，并通过过孔与所述源漏金属延伸部电性连接；
在完成上述步骤的基底上，形成像素限定层，并通过构图工艺在所述像素限定层与所述显示区域对应的位置形成多个连续设置第一图案，每个所述第一图案具有一个凸起部和一个凹槽部；在与所述周边区域的阴极接触区对应的位置形成多个连续设置的第二图案，每个所述第二图案具有一个凸起部和一个凹槽部；其中，所述第一图案的凸起部与所述第二图案的凹槽部对应，所述第一图案的凹槽部与所述第二图案的凸起部对应。
7.根据权利要求6所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述第一图案的凸起部的宽度与所述第二图案的凹槽部的宽度相同，所述第一图案的凹槽部的宽度与所述第二图案的凸起部的宽度相同。
8.根据权利要求6所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在所述形成像素限定层之后还包括：
形成发光材料层的步骤；其中，所述发光材料形成在所述第一图案的凹槽部，以及所述第二图案的凸起部上方。
9.根据权利要求8所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述形成发光材料是采用连续打印的方式形成的。
10.根据权利要求9所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在所述形成发光材料层的步骤之后还包括：
通过构图工艺形成包括阴极，以及与阴极连接的阴极金属延伸部的图形；其中，所述阴极和阴极金属延伸部设置在发光材料层上方，且所述阴极设置在显示区域，所述阴极金属延伸部从所述显示区域延伸至所述周边区域的阴极接触区，并通过第二图案的凹槽部与所述阳极金属延伸部连接。
11.根据权利要求8所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在形成所述阳极金属延伸部的同时还形成有阳极的图形；其中，述阳极与所述阳极金属延伸部同层且断开设置。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-5中任意一项所述的OLED基板。
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