CN104037129A - Tft背板的制造方法及tft背板结构 - Google Patents

Tft背板的制造方法及tft背板结构 Download PDF

Info

Publication number
CN104037129A
CN104037129A CN201410281406.1A CN201410281406A CN104037129A CN 104037129 A CN104037129 A CN 104037129A CN 201410281406 A CN201410281406 A CN 201410281406A CN 104037129 A CN104037129 A CN 104037129A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor layer
layer
insulating barrier
substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410281406.1A
Other languages
English (en)
Inventor
李文辉
张合静
石龙强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201410281406.1A priority Critical patent/CN104037129A/zh
Priority to PCT/CN2014/082123 priority patent/WO2015192417A1/zh
Priority to US14/381,945 priority patent/US9490310B2/en
Publication of CN104037129A publication Critical patent/CN104037129A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种TFT背板的制造方法及TFT背板结构，该方法包括：步骤1、提供形成有栅极(21)、绝缘层(22)与半导体层(23)的基板(20)；步骤2、在基板(20)上连续成膜依次形成第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层；步骤3、对第二金属层、反射电极层与导电氧化物层进行一道光刻制程，使第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层图案化，分别形成源/漏极(253)、反射电极(252)、与像素电极(251)，源/漏极(253)与半导体层(23)连接；步骤4、于源/漏极(253)、反射电极(252)、与像素电极(251)上形成保护层；步骤5、于保护层(26)上形成平坦与像素定义层(27)；步骤6、于平坦与像素定义层(27)上形成光阻间隔物(28)。

Description

TFT背板的制造方法及TFT背板结构
技术领域
本发明涉及平面显示技术领域，尤其涉及一种TFT背板的制造方法及TFT背板结构。
背景技术
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。
有机电致发光显示器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。
OLED通常包括：基板、置于基板上的ITO(氧化铟锡)透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效率，发光层通常采用主/客体掺杂系统。
OLED按照驱动类型可分为PM-OLED(无源OLED)和AM-OLED(有源OLED)。
薄膜晶体管(TFT)在电子装置中被广泛地作为开关装置和驱动装置使用。具体地，因为薄膜晶体管可形成在玻璃基板或塑料基板上，所以它们通常用在诸如液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(OLED)、电泳显示装置(EPD)等平板显示装置领域。
如图1所示，为一种现有的AM-OLED的TFT背板结构，包括基板100，栅极110，栅极绝缘层120，半导体层130，蚀刻阻挡层140，源/漏极150，保护层160，平坦层170，像素电极180，像素定义层190，光阻间隙物200等。该现有的AM-OLED的TFT背板的制造方法为：先由四道光刻制程分别形成栅极110、栅极绝缘层120、半导体层130、刻蚀阻挡层140，接下来通过一道光刻制程形成源/漏极150，然后形成保护层160、平坦层170，再通过一道光刻制程形成像素电极180，最后形成像素定义层190、光阻间隔物200。该AM-OLED的TFT背板的制造方法存在一定的弊端，主要表现在每一层结构的形成均需一道光刻制程(每道光刻制程包括成膜制程、黄光制程、蚀刻、剥离等制程工序)，光刻制程较多，工序流程较长，造成生产效率较低；而工序越多，累积的良率问题也越凸显。同时，通过该方法制得的现有的AM-OLED的TFT背板结构，采用像素电极180搭接源/漏极150的方式，存在接触阻抗，影响AM-OLED的效率，且像素电极180搭接源/漏极150的界面处会占用部分像素面积，造成开口率下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT背板的制造方法，该方法操作简单，能够减少光刻制程，进而缩短制作流程，提高生产效率，提升产品良率。
本发明的另一目的在于提供一种TFT背板结构，能够解决因像素电极搭接源/漏极造成的接触阻抗及占用部分像素面积的问题，使得AM-OLED的效率提高、开口率增大，且该TFT背板结构的制程简单，生产效率较高。
为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT背板的制造方法，包括以下步骤：
步骤1、提供形成有栅极、绝缘层与半导体层的基板；
步骤2、在所述基板上连续成膜依次形成第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层；
步骤3、对所述第二金属层、反射电极层与导电氧化物层进行一道光刻制程，使所述第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层图案化，分别形成源/漏极、反射电极、与像素电极，所述源/漏极与半导体层连接；
步骤4、于所述源/漏极、反射电极、与像素电极上形成保护层；
步骤5、于所述保护层上形成平坦与像素定义层；
步骤6、于所述平坦与像素定义层上形成光阻间隔物。
所述步骤1提供的基板上设有位于基板上的栅极、位于所述栅极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的半导体层及位于所述半导体层上的蚀刻阻挡层。
所述步骤1提供的基板上设有位于基板上的栅极、位于所述栅极上的绝缘层、及位于所述绝缘层上的半导体层。
所述步骤1提供的基板上设有位于基板上的缓冲层、位于所述缓冲层上的半导体层、位于所述半导体层上的绝缘层、位于所述绝缘层上的栅极及位于所述栅极上的第二绝缘层。
所述的TFT背板的制造方法中，所述第二金属层的材料为钼或铝，所述反射电极层的材料为银，所述导电氧化物层的材料为氧化铟锡；所述保护层、平坦与像素定义层的材料为有机材料、无机材料，或者有机材料和无机材料的混合材料；所述半导体层为氧化物半导体层、非晶硅半导体层，多晶硅半导体层或有机半导体层。
本发明还提供一种TFT背板结构，包括：源/漏极、位于所述源/漏极上的反射电极、位于所述反射电极上的像素电极、位于所述像素电极上的保护层、位于所述保护层上的平坦与像素定义层、及位于所述平坦与像素定义层上的光阻间隔物。
所述TFT背板结构还包括基板、位于基板上的栅极、位于所述栅极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的半导体层及位于所述半导体层上的蚀刻阻挡层，所述源/漏极与半导体层连接；所述源/漏极位于所述蚀刻阻挡层上；所述半导体层为氧化物半导体层、非晶硅半导体层，多晶硅半导体层或有机半导体层。
所述TFT背板结构，还包括基板、位于基板上的栅极、位于所述栅极上的绝缘层、及位于所述绝缘层上的半导体层，所述源/漏极与半导体层连接；所述源/漏极位于所述所述半导体层上；所述半导体层为氧化物半导体层、非晶硅半导体层，多晶硅半导体层或有机半导体层。
所述TFT背板结构，还包括基板、位于基板上的缓冲层、位于所述缓冲层上的半导体层、位于所述半导体层上的绝缘层、位于所述绝缘层上的栅极及位于所述栅极上的第二绝缘层；所述源/漏极与半导体层连接；所述源/漏极位于所述所述第二绝缘层上；所述半导体层为氧化物半导体层、非晶硅半导体层，多晶硅半导体层或有机半导体层。
所述源/漏极的材料为钼或铝，所述反射电极的材料为银，所述像素电极的材料为氧化铟锡；所述保护层、平坦与像素定义层的材料为有机材料、无机材料，或者有机材料和无机材料的混合材料。
本发明的有益效果：本发明的TFT背板的制造方法，通过连续成膜依次形成第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层，并采用一道光刻制程，使所述第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层图案化，以分别形成源/漏极、反射电极、与像素电极，减少了光刻制程，进而能够缩短制造流程，提高生产效率，提升产品良率，且该方法简单易操作。本发明的TFT背板结构，通过将反射电极设置于源/漏极上、将像素电极设置于所述反射电极上，解决了因像素电极搭接源/漏极造成的接触阻抗及占用部分像素面积的问题，使得AM-OLED的效率提高、开口率增大，且该TFT背板结构的制程简单，生产效率较高。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的一种AM-OLED的TFT背板结构的示意图；
图2为本发明TFT背板的制造方法的流程图；
图3为本发明TFT背板的制造方法的第一实施例的步骤1的示意图；
图4为本发明TFT背板的制造方法的第一实施例的步骤3的示意图；
图5为本发明TFT背板的制造方法的第一实施例的步骤4的示意图；
图6为本发明TFT背板的制造方法的第一实施例的步骤5的示意图；
图7为本发明TFT背板的制造方法的第一实施例的步骤6的示意图，也是本发明TFT背板结构第一实施例的剖面示意图；
图8为本发明TFT背板的制造方法的第二实施例的步骤1的示意图；
图9为本发明TFT背板的制造方法的第二实施例的步骤6的示意图，也是本发明TFT背板结构第二实施例的剖面示意图；
图10为本发明TFT背板的制造方法的第三实施例的步骤1的示意图；
图11为本发明TFT背板的制造方法的第三实施例的步骤6的示意图，也是本发明TFT背板结构第三实施例的剖面示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2本发明TFT背板的制造方法的流程图，同时参阅图3至图7本发明TFT背板的制造方法的第一实施例的示意图，该第一实施例适用于制造具有蚀刻阻挡层的底栅型的TFT背板。本发明TFT背板的制造方法包括如下步骤：
步骤1、提供形成有栅极21、绝缘层22与半导体层23的基板20。
所述步骤1可由现有技术来实现。在该第一实施例的步骤1中，所述基板20为透明基板，优选的，所述基板20为玻璃基板。所述基板20上设有位于基板20上的栅极21、位于所述栅极21上的绝缘层22、位于所述绝缘层22上的半导体层23及位于所述半导体层23上的蚀刻阻挡层24。所述栅极21、绝缘层22、半导体层23与蚀刻阻挡层24分别通过光刻制程依次形成于所述基板20上。
所述半导体层23可为氧化物半导体层，如铟镓锌氧化物半导体层(IGZO)，也可为非晶硅(a-Si)半导体层、多晶硅(p-Si)半导体层或有机半导体层。
步骤2、在所述基板20上连续成膜依次形成第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层。
具体的，所述第二金属层的材料为钼(Mo)或铝(Al)，所述反射电极层的材料为银(Ag)，所述导电氧化物层的材料为氧化铟锡(ITO)。
步骤3、对所述第二金属层、反射电极层与导电氧化物层进行一道光刻制程，使所述第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层图案化，分别形成源/漏极253、反射电极252、与像素电极251，所述源/漏极253与半导体层23连接。
所述步骤3中，仅通过一道光刻制程形成成源/漏极253、反射电极252、与像素电极251，与现有的TFT背板的制造方法相比，减少了一道单独形成像素电极的光刻制程，缩短了TFT背板的制造流程。
步骤4、于所述源/漏极253、反射电极252、与像素电极251上形成保护层。
具体的，所述保护层26的材料为有机材料、无机材料，或者有机材料和无机材料的混合材料。
步骤5、于所述保护层26上形成平坦与像素定义层27。
具体的，所述平坦与像素定义层27的材料为有机材料、无机材料，或者有机材料和无机材料的混合材料。
步骤6、于所述平坦与像素定义层27上形成光阻间隔物28。
请参阅图8、图9，为本发明TFT背板的制造方法的第二实施例的示意图，该第二实施例适用于制造无蚀刻阻挡层的底栅型的TFT背板。该第二实施例与上述第一实施例的区别在于：
步骤1、提供形成有栅极21’、绝缘层22’与半导体层23’的基板20’。
在该第二实施例的步骤1中，所述基板20’为透明基板，优选的，所述基板20’为玻璃基板。所述基板20’上设有位于基板20’上的栅极21’、位于所述栅极21’上的绝缘层22’、及位于所述绝缘层22’上的半导体层23’。所述栅极21’、绝缘层22’、与半导体层23’分别通过光刻制程依次形成于所述基板20’上。
所述半导体层23’可为氧化物半导体层，如铟镓锌氧化物半导体层(IGZO)，也可为非晶硅(a-Si)半导体层、多晶硅(p-Si)半导体层或有机半导体层。
其它步骤均与第一实施例相同，此处不再赘述。
请参阅图10、图11，为本发明TFT背板的制造方法的第三实施例的示意图，该第三实施例适用于顶栅型的TFT背板结构。该第三实施例与上述第一、第二实施例的区别在于：
步骤1、提供形成有栅极21”、绝缘层22”与半导体层23”的基板20”。
在该第三实施例的步骤1中，所述基板20”为透明基板，优选的，所述基板20”为玻璃基板。所述基板20”上设有位于基板20”上的缓冲层35、位于所述缓冲层35上的半导体层23”、位于所述半导体层23”上的绝缘层22”、位于所述绝缘层22”上的栅极21”及位于所述栅极21”上的第二绝缘层37。所述缓冲层35、半导体层23”、绝缘层22”、栅极21”、第二绝缘层37依次形成于所述基板20”上。
所述半导体层23”可为氧化物半导体层，如铟镓锌氧化物半导体层(IGZO)，也可为非晶硅(a-Si)半导体层、多晶硅(p-Si)半导体层或有机半导体层。
其它步骤均与第一实施例相同，此处不再赘述。
本发明还提供一种TFT背板结构，请参阅图7，为本发明TFT背板结构的第一实施例的剖面示意图，该第一实施例为具有蚀刻阻挡层的底栅型的TFT背板结构。本发明的TFT背板结构，包括：源/漏极253、位于所述源/漏极253上的反射电极252、位于所述反射电极252上的像素电极251、位于所述像素电极251上的保护层26、位于所述保护层26上的平坦与像素定义层27、及位于所述平坦与像素定义层27上的光阻间隔物28。特别需要说明的是，所述源/漏极253、反射电极252、与像素电极251通过依次连续成膜后由一道光刻制程同时形成。所述源/漏极253、反射电极252、与像素电极251的设置方式，解决了因像素电极搭接源/漏极造成的接触阻抗及占用部分像素面积的问题。
所述源/漏极253的材料为钼(Mo)或铝(Al)，所述反射电极252的材料为银(Ag)，所述像素电极251的材料为氧化铟锡(ITO)；所述保护层26、平坦与像素定义层27的材料为有机材料、无机材料，或者有机材料和无机材料的混合材料。
所述TFT背板结构，还包括：基板20、位于基板20上的栅极21、位于所述栅极21上的绝缘层22、位于所述绝缘层22上的半导体层23及位于所述半导体层23上的蚀刻阻挡层24，所述源/漏极253与半导体层23连接；所述源/漏极253位于所述蚀刻阻挡层24上。所述半导体层23可为氧化物半导体层，如铟镓锌氧化物半导体层(IGZO)，也可为非晶硅(a-Si)半导体层、多晶硅(p-Si)半导体层或有机半导体层。
请参阅图9，为本发明TFT背板结构的第二实施例的剖面示意图，该第二实施例为无蚀刻阻挡层的底栅型的TFT背板结构，其与第一实施例的区别在于，所述TFT背板结构还包括：基板20’、位于基板20’上的栅极21’、位于所述栅极21’上的绝缘层22’、及位于所述绝缘层22’上的半导体层23’，所述源/漏极253与半导体层23’连接；所述源/漏极253位于所述所述半导体层23’上。所述半导体层23’可为氧化物半导体层，如铟镓锌氧化物半导体层(IGZO)，也可为非晶硅(a-Si)半导体层、多晶硅(p-Si)半导体层或有机半导体层。
其它结构与第一实施例相同，此处不再赘述。
请参阅图11，为本发明TFT背板结构的第三实施例的剖面示意图，该第三实施例为顶栅型的TFT背板结构，其与第一、第二实施例的区别在于，所述TFT背板结构还包括：基板20”、位于基板20”上的缓冲层35、位于所述缓冲层35上的半导体层23”、位于所述半导体层23”上的绝缘层22”、位于所述绝缘层22”上的栅极21”及位于所述栅极21”上的第二绝缘层37；所述源/漏极253与半导体层23”连接；所述源/漏极253位于所述所述第二绝缘层37上。所述半导体层23”可为氧化物半导体层，如铟镓锌氧化物半导体层(IGZO)，也可为非晶硅(a-Si)半导体层、多晶硅(p-Si)半导体层或有机半导体层。
其它结构与第一实施例相同，此处不再赘述。
综上所述，本发明的TFT背板的制造方法，通过连续成膜依次形成第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层，并采用一道光刻制程，使所述第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层图案化，以分别形成源/漏极、反射电极、与像素电极，减少了光刻制程，进而能够缩短制造流程，提高生产效率，提升产品良率，且该方法简单易操作。本发明的TFT背板结构，通过将反射电极设置于源/漏极上、将像素电极设置于所述反射电极上，解决了因像素电极搭接源/漏极造成的接触阻抗及占用部分像素面积的问题，使得AM-OLED的效率提高、开口率增大，且该TFT背板结构的制程简单，生产效率较高。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种TFT背板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供形成有栅极(21)、绝缘层(22)与半导体层(23)的基板(20)；
步骤2、在所述基板(20)上连续成膜依次形成第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层；
步骤3、对所述第二金属层、反射电极层与导电氧化物层进行一道光刻制程，使所述第二金属层、反射电极层、与导电氧化物层图案化，分别形成源/漏极(253)、反射电极(252)、与像素电极(251)，所述源/漏极(253)与半导体层(23)连接；
步骤4、于所述源/漏极(253)、反射电极(252)、与像素电极(251)上形成保护层；
步骤5、于所述保护层(26)上形成平坦与像素定义层(27)；
步骤6、于所述平坦与像素定义层(27)上形成光阻间隔物(28)。
2.如权利要求1所述的TFT背板的制造方法，其特征在于，所述步骤1提供的基板(20)上设有位于基板(20)上的栅极(21)、位于所述栅极(21)上的绝缘层(22)、位于所述绝缘层(22)上的半导体层(23)及位于所述半导体层(23)上的蚀刻阻挡层(24)。
3.如权利要求1所述的TFT背板的制造方法，其特征在于，所述步骤1提供的基板(20’)上设有位于基板上的栅极(21’)、位于所述栅极(21’)上的绝缘层(22’)、及位于所述绝缘层(22’)上的半导体层(23’)。
4.如权利要求1所述的TFT背板的制造方法，其特征在于，所述步骤1提供的基板(20”)上设有位于基板(20”)上的缓冲层(35)、位于所述缓冲层(35)上的半导体层(23”)、位于所述半导体层(23”)上的绝缘层(22”)、位于所述绝缘层(22”)上的栅极(21”)及位于所述栅极(21”)上的第二绝缘层(37)。
5.如权利要求1所述的TFT背板的制造方法，其特征在于，所述第二金属层的材料为钼或铝，所述反射电极层的材料为银，所述导电氧化物层的材料为氧化铟锡；所述保护层(26)、平坦与像素定义层(27)的材料为有机材料、无机材料，或者有机材料和无机材料的混合材料；所述半导体层(23)为氧化物半导体层、非晶硅半导体层，多晶硅半导体层或有机半导体层。
6.一种TFT背板结构，其特征在于，包括：源/漏极(253)、位于所述源/漏极(253)上的反射电极(252)、位于所述反射电极(252)上的像素电极(251)、位于所述像素电极(251)上的保护层(26)、位于所述保护层(26)上的平坦与像素定义层(27)、及位于所述平坦与像素定义层(27)上的光阻间隔物(28)。
7.如权利要求6所述的TFT背板结构，其特征在于，还包括基板(20)、位于基板(20)上的栅极(21)、位于所述栅极(21)上的绝缘层(22)、位于所述绝缘层(22)上的半导体层(23)及位于所述半导体层(23)上的蚀刻阻挡层(24)，所述源/漏极(253)与半导体层(23)连接；所述源/漏极(253)位于所述蚀刻阻挡层(24)上；所述半导体层(23)为氧化物半导体层、非晶硅半导体层，多晶硅半导体层或有机半导体层。
8.如权利要求6所述的TFT背板结构，其特征在于，还包括基板(20’)、位于基板(20’)上的栅极(21’)、位于所述栅极(21’)上的绝缘层(22’)、及位于所述绝缘层(22’)上的半导体层(23’)，所述源/漏极(253)与半导体层(23’)连接；所述源/漏极(253)位于所述所述半导体层(23’)上；所述半导体层(23’)为氧化物半导体层、非晶硅半导体层，多晶硅半导体层或有机半导体层。
9.如权利要求6所述的TFT背板结构，其特征在于，还包括基板(20”)、位于基板(20”)上的缓冲层(35)、位于所述缓冲层(35)上的半导体层(23”)、位于所述半导体层(23”)上的绝缘层(22”)、位于所述绝缘层(22”)上的栅极(21”)及位于所述栅极(21”)上的第二绝缘层(37)；所述源/漏极(253)与半导体层(23”)连接；所述源/漏极(253)位于所述所述第二绝缘层(37)上；所述半导体层(23”)为氧化物半导体层、非晶硅半导体层，多晶硅半导体层或有机半导体层。
10.如权利要求6所述的TFT背板结构，其特征在于，所述源/漏极(253)、的材料为钼或铝，所述反射电极(252)的材料为银，所述像素电极(251)的材料为氧化铟锡；所述保护层(26)、平坦与像素定义层(27)的材料为有机材料、无机材料，或者有机材料和无机材料的混合材料。
CN201410281406.1A 2014-06-20 2014-06-20 Tft背板的制造方法及tft背板结构 Pending CN104037129A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410281406.1A CN104037129A (zh) 2014-06-20 2014-06-20 Tft背板的制造方法及tft背板结构
PCT/CN2014/082123 WO2015192417A1 (zh) 2014-06-20 2014-07-14 Tft背板的制造方法及tft背板结构
US14/381,945 US9490310B2 (en) 2014-06-20 2014-07-14 Manufacturing method and structure of thin film transistor backplane

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410281406.1A CN104037129A (zh) 2014-06-20 2014-06-20 Tft背板的制造方法及tft背板结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104037129A true CN104037129A (zh) 2014-09-10

Family

ID=51467849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410281406.1A Pending CN104037129A (zh) 2014-06-20 2014-06-20 Tft背板的制造方法及tft背板结构

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9490310B2 (zh)
CN (1) CN104037129A (zh)
WO (1) WO2015192417A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104752344A (zh) * 2015-04-27 2015-07-01 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN104867942A (zh) * 2015-04-29 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及其结构
CN105742297A (zh) * 2016-04-13 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
WO2018049744A1 (zh) * 2016-09-18 2018-03-22 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路的制作方法
CN109065749A (zh) * 2018-07-23 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置
WO2023221782A1 (zh) * 2022-05-18 2023-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107393828A (zh) * 2017-07-12 2017-11-24 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管
CN110515252B (zh) * 2019-08-30 2024-02-20 京东方科技集团股份有限公司 电子纸像素单元、以及电子纸像素单元制备方法
US11296163B2 (en) * 2020-05-27 2022-04-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel and OLED display device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1637557A (zh) * 2003-12-30 2005-07-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器及其制造方法
CN1949511A (zh) * 2005-10-14 2007-04-18 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
US20080121886A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-29 Hyun-Eok Shin Flat panel display and method of fabricating the same
US20080150419A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US20100171107A1 (en) * 2009-01-07 2010-07-08 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US20110220898A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
CN102544054A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN102651455A (zh) * 2012-02-28 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件、amoled器件及其制造方法
CN103794736A (zh) * 2012-10-31 2014-05-14 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8273600B2 (en) * 2009-04-21 2012-09-25 Chan-Long Shieh Self-aligned metal oxide TFT with reduced number of masks
CN101958401B (zh) * 2010-08-24 2012-02-29 友达光电股份有限公司 有机电激发光元件及其制造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1637557A (zh) * 2003-12-30 2005-07-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器及其制造方法
CN1949511A (zh) * 2005-10-14 2007-04-18 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
US20080121886A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-29 Hyun-Eok Shin Flat panel display and method of fabricating the same
US20080150419A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US20100171107A1 (en) * 2009-01-07 2010-07-08 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US20110220898A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
CN102544054A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN102651455A (zh) * 2012-02-28 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件、amoled器件及其制造方法
CN103794736A (zh) * 2012-10-31 2014-05-14 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104752344A (zh) * 2015-04-27 2015-07-01 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN104867942A (zh) * 2015-04-29 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及其结构
WO2016173011A1 (zh) * 2015-04-29 2016-11-03 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及其结构
CN104867942B (zh) * 2015-04-29 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及其结构
CN105742297A (zh) * 2016-04-13 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
WO2017177493A1 (zh) * 2016-04-13 2017-10-19 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
US10074817B2 (en) 2016-04-13 2018-09-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method of fabricating the same
CN105742297B (zh) * 2016-04-13 2019-09-24 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
WO2018049744A1 (zh) * 2016-09-18 2018-03-22 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路的制作方法
CN109065749A (zh) * 2018-07-23 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置
US11005067B2 (en) 2018-07-23 2021-05-11 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display device
WO2023221782A1 (zh) * 2022-05-18 2023-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9490310B2 (en) 2016-11-08
WO2015192417A1 (zh) 2015-12-23
US20160240599A1 (en) 2016-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104037129A (zh) Tft背板的制造方法及tft背板结构
CN104091785A (zh) Tft背板的制作方法及tft背板结构
CN104064688B (zh) 具有存储电容的tft基板的制作方法及该tft基板
US9759966B2 (en) Array substrate and method of manufacturing the same, and display device
CN104810382A (zh) Amoled背板的制作方法及其结构
CN104157678B (zh) 具有高开口率的像素结构及电路
CN104538429B (zh) Amoled背板的制作方法及其结构
CN104183608B (zh) Tft背板结构及其制作方法
CN104465702A (zh) Amoled背板的制作方法
CN108054192A (zh) 柔性amoled基板及其制作方法
CN104952880A (zh) 双栅极tft基板的制作方法及其结构
CN104241298A (zh) Tft背板结构及其制作方法
EP3719844A1 (en) Display substrate, and fabrication method therefor, display panel thereof and display device thereof
CN104966718A (zh) Amoled背板的制作方法及其结构
US10784287B2 (en) TFT substrate and manufacturing method thereof
CN104821329A (zh) Oled显示装置
CN104952879A (zh) 采用coa技术的双栅极tft基板结构
CN104022079A (zh) 薄膜晶体管基板的制造方法
CN104157608B (zh) Tft基板的制作方法及其结构
KR20170028986A (ko) 산화물 반도체 tft 기판의 제작방법 및 구조
CN104766930A (zh) Oled基板及其制备方法、显示装置
CN103474439A (zh) 一种显示装置、阵列基板及其制作方法
CN104157610A (zh) 氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构
CN104157609A (zh) Tft基板的制作方法及其结构
CN103560112B (zh) 薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140910