CN104821329A - Oled显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED显示装置，通过在上基板的下表面设置辅助导电层，所述辅助导电层与位于所述下基板的上表面的第二电极直接接触并且电性连接，可以增加第二电极的导电能力，减少第二电极的电阻，使得面内电压均匀，提高显示均一性，减少面板亮度不均、Mura等问题，并且可减薄第二电极的厚度，节省第二电极材料，提高第二电极的透光性。

Description

OLED显示装置
技术领域
本发明涉及平面显示器领域，尤其涉及一种OLED显示装置。
背景技术
主动矩阵平面显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。其中，有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示技术是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，再加上其生产设备投资远小于薄膜晶体管型液晶显示屏(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜，随着研究的进一步深入，新技术的不断涌现，OLED显示器件必将有一个突破性的发展。
如图1所示，为现有的一种OLED显示装置，其包括上基板200、下基板400、及密封连接上基板200与下基板400的封框胶600；
所述下基板400包括第一电极450和设于第一电极450上并位于下基板400顶部的第二电极480所述上基板200仅作为封装盖板用途以隔绝水汽，第一电极450仅作为像素电极(阳极)，第二电极480(阴极)一般较薄，尤其在顶发光型OLED中，第二电极450需做成透明电极，因此需要做到更薄以具有较好的透光性，由于第二电极450越薄，其电阻越大，尤其在大尺寸OLED显示装置中，有可能造成面内电压不均，影响显示均一性，造成亮度不均、Mura(显示器亮度不均匀造成各种痕迹的现象)等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示装置，可减小第二电极的电阻，提高面内电压的均匀性，改善面板亮度不均、Mura等问题。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示装置，包括上基板、下基板、及密封连接上基板与下基板的封框胶；
所述上基板包括第一基板、及设于第一基板上的辅助导电层；
所述下基板包括第二基板、设于第二基板上的TFT层、设于TFT层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的第一电极、设于第二绝缘层与第一电极上的像素定义层、设于第一电极上的OLED发光层、及设于像素定义层与OLED发光层上的第二电极；
所述上基板设于所述下基板的上方，且所述上基板上设有辅助导电层的一侧与所述下基板上设有第二电极的一侧相向设置，所述辅助导电层与所述第二电极直接接触并且电性连接。
所述上基板中还包括设于第一基板上的第一光阻间隙物，所述辅助导电层设于所述第一光阻间隙物与第一基板之上，且覆盖所述第一光阻间隙物，其中，所述辅助导电层上覆盖所述第一光阻间隙物的区域与位于所述下基板上表面的第二电极直接接触，使得所述第二电极与辅助导电层实现电性连接。
所述下基板中还包括设于像素定义层上的第二光阻间隙物，所述第二电极设于所述第二光阻间隙物、像素定义层、及OLED发光层之上，且覆盖所述第二光阻间隙物，其中，所述第二电极上覆盖所述第二光阻间隙物的区域与位于所述上基板下表面的辅助导电层直接接触，使得所述第二电极与辅助导电层实现电性连接。
所述上基板中还包括设于第一基板上的第一光阻间隙物，所述辅助导电层设于所述第一光阻间隙物与第一基板之上，且覆盖所述第一光阻间隙物；所述下基板中还包括设于像素定义层上的第二光阻间隙物，所述第二电极设于所述第二光阻间隙物、像素定义层、及OLED发光层之上，且覆盖所述第二光阻间隙物，其中，所述上基板中的第一光阻间隙物与所述下基板中的第二光阻间隙物对应设置，所述辅助导电层上覆盖所述第一光阻间隙物的区域与所述第二电极上覆盖所述第二光阻间隙物的区域直接接触，使得所述第二电极与辅助导电层实现电性连接。
所述辅助导电层为一整面的结构。
所述辅助导电层为连续的网状结构。
所述辅助导电层为多个不连续的部分所组成。
所述辅助导电层为透明导电层或不透明导电层。
所述辅助导电层的材料为氧化铟锡、铟镓氧化锌、氧化锡、铜、铝、铬、钛或钼。
所述下基板中，所述第一绝缘层与第二绝缘层上对应TFT层上方设有第一过孔，所述第一电极经由第一过孔与所述TFT层相连接；所述像素定义层上对应第一电极上方设有第二过孔，所述OLED发光层位于该第二过孔内。
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED显示装置，通过在上基板的下表面设置辅助导电层，所述辅助导电层与位于所述下基板的上表面的第二电极直接接触并且电性连接，可以增加第二电极的导电能力，减少第二电极的电阻，使得面内电压均匀，提高显示均一性，减少面板亮度不均、Mura等问题，并且可减薄第二电极的厚度，节省第二电极材料，提高第二电极的透光性。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有技术中一种OLED显示装置的结构示意图；
图2为本发明OLED显示装置第一实施例的结构示意图；
图3为本发明OLED显示装置第二实施例的结构示意图；
图4为本发明OLED显示装置第三实施例的结构示意图；
图5为本发明OLED显示装置中辅助导电层的一种结构示意图；
图6为本发明OLED显示装置中辅助导电层的另一种结构示意图；
图7为本发明OLED显示装置中辅助导电层的再一种结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2至图4，本发明提供一种OLED显示装置，包括上基板20、下基板40、及密封连接上基板20与下基板40的封框胶60；
所述上基板20包括第一基板21、及设于第一基板21上的辅助导电层23；
所述下基板40包括第二基板41、设于第二基板41上的TFT层42、设于TFT层42上的第一绝缘层43、设于第一绝缘层43上的第二绝缘层44、设于第二绝缘层44上的第一电极45、设于第二绝缘层44与第一电极45上的像素定义层46、设有第一电极45上的OLED发光层47、及设于像素定义层46与OLED发光层47上的第二电极48；
所述下基板40中，所述第一绝缘层43与第二绝缘层44上对应TFT层42上方设有第一过孔434，所述第一电极45经由第一过孔434与所述TFT层42相连接；所述像素定义层46上对应第一电极45上方设有第二过孔465，所述OLED发光层47位于该第二过孔465内；
所述上基板20设于所述下基板40的上方，且所述上基板20上设有辅助导电层23的一侧与所述下基板40上设有第二电极48的一侧相向设置，所述辅助导电层23与所述第二电极48直接接触并且电性连接。
具体的，所述第一基板21与第二基板41可以为玻璃基板、塑料基板、或者铝板，所述第一基板21与第二基板41的材料可以相同或者不同。
所述第一基板21与第二基板41中至少有一个是透明的。
优选的，所述第一基板21与第二基板41均为玻璃基板。
所述封框胶60为UV胶。
请参阅图2，为本发明OLED显示装置的第一实施例，在该实施例中，所述上基板20中还包括设于第一基板21上的第一光阻间隙物25，所述第一光阻间隙物25是设于第一基板21上的凸起，其不具有导电性。所述辅助导电层23设于所述第一光阻间隙物25与第一基板21之上，且覆盖所述第一光阻间隙物25，其中，所述辅助导电层23上覆盖所述第一光阻间隙物25的区域与位于所述下基板40上表面的第二电极48直接接触，使得所述第二电极48与辅助导电层23实现电性连接。
请参阅图3，为本发明OLED显示装置的第二实施例，在该实施例中，所述下基板40中还包括设于像素定义层46上的第二光阻间隙物49，所述第二光阻间隙物49是设于第一基板21上的凸起，其不具有导电性。所述第二电极48设于所述第二光阻间隙物49、像素定义层46、及OLED发光层47之上，且覆盖所述第二光阻间隙物49，其中，所述第二电极48上覆盖所述第二光阻间隙物49的区域与位于所述上基板20下表面的辅助导电层23直接接触，使得所述第二电极48与辅助导电层23实现电性连接。
请参阅图4，为本发明OLED显示装置的第三实施例，在该实施例中，所述上基板20中还包括设于第一基板21上的第一光阻间隙物25，所述辅助导电层23设于所述第一光阻间隙物25与第一基板21之上，且覆盖所述第一光阻间隙物25；所述下基板40中还包括设于像素定义层46上的第二光阻间隙物49，所述第二电极48设于所述第二光阻间隙物49、像素定义层46、及OLED发光层47之上，且覆盖所述第二光阻间隙物49，其中，所述上基板20中的第一光阻间隙物25与所述下基板40中的第二光阻间隙物49对应设置，所述辅助导电层23上覆盖所述第一光阻间隙物25的区域与所述第二电极48上覆盖所述第二光阻间隙物49的区域直接接触，使得所述第二电极48与辅助导电层23实现电性连接。
上述第一至第三实施例中，所述第一光阻间隙物25与第二光阻间隙物49均为柱体结构，如圆柱或棱柱等。
具体的，所述第一光阻间隙物25与第二光阻间隙物49的材料为不导电的有机光阻或无机材料，优选地，所述第一光阻间隙物25与第二光阻间隙物49的材料均为有机光阻；所述第一光阻间隙物25与第二光阻间隙物49采用有机光阻制作，制程成熟、简单，可量产，只需黄光一道工序，成本低。
所述辅助导电层23可以是透明导电层或不透明导电层；优选地，所述辅助导电层23为透明导电层。
所述辅助导电层23的材料为氧化铟锡、铟镓氧化锌、氧化锡、铜、铝、铬、钛或钼。
如图4-6所示，所述辅助导电层23/23’/23”可以具有多种形状，如图4所示，所述辅助导电层23为一整面的结构；如图5所示，所述辅助导电层23’为连续的网状结构；如图6所示，所述辅助导电层23”由多个不连续的部分组成。
综上所述，本发明提供的一种OLED显示装置，通过在上基板的下表面设置辅助导电层，所述辅助导电层与位于所述下基板的上表面的第二电极直接接触并且电性连接，可以增加第二电极的导电能力，减少第二电极的电阻，使得面内电压均匀，提高显示均一性，减少面板亮度不均、Mura等问题，并且可减薄第二电极的厚度，节省第二电极材料，提高第二电极的透光性。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括上基板(20)、下基板(40)、及密封连接上基板(20)与下基板(40)的封框胶(60)；
所述上基板(20)包括第一基板(21)、及设于第一基板(21)上的辅助导电层(23)；
所述下基板(40)包括第二基板(41)、设于第二基板(41)上的TFT层(42)、设于TFT层(42)上的第一绝缘层(43)、设于第一绝缘层(43)上的第二绝缘层(44)、设于第二绝缘层(44)上的第一电极(45)、设于第二绝缘层(44)与第一电极(45)上的像素定义层(46)、及设于第一电极(45)上的OLED发光层(47)、设于像素定义层(46)与OLED发光层(47)上的第二电极(48)；
所述上基板(20)设于所述下基板(40)的上方，且所述上基板(20)上设有辅助导电层(23)的一侧与所述下基板(40)上设有第二电极(48)的一侧相向设置，所述辅助导电层(23)与所述第二电极(48)直接接触并且电性连接。
2.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述上基板(20)中还包括设于第一基板(21)上的第一光阻间隙物(25)，所述辅助导电层(23)设于所述第一光阻间隙物(25)与第一基板(21)之上，且覆盖所述第一光阻间隙物(25)，其中，所述辅助导电层(23)上覆盖所述第一光阻间隙物(25)的区域与位于所述下基板(40)上表面的第二电极(48)直接接触，使得所述第二电极(48)与辅助导电层(23)实现电性连接。
3.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述下基板(40)中还包括设于像素定义层(46)上的第二光阻间隙物(49)，所述第二电极(48)设于所述第二光阻间隙物(49)、像素定义层(46)、及OLED发光层(47)之上，且覆盖所述第二光阻间隙物(49)，其中，所述第二电极(48)上覆盖所述第二光阻间隙物(49)的区域与位于所述上基板(20)下表面的辅助导电层(23)直接接触，使得所述第二电极(48)与辅助导电层(23)实现电性连接。
4.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述上基板(20)中还包括设于第一基板(21)上的第一光阻间隙物(25)，所述辅助导电层(23)设于所述第一光阻间隙物(25)与第一基板(21)之上，且覆盖所述第一光阻间隙物(25)；所述下基板(40)中还包括设于像素定义层(46)上的第二光阻间隙物(49)，所述第二电极(48)设于所述第二光阻间隙物(49)、像素定义层(46)、及OLED发光层(47)之上，且覆盖所述第二光阻间隙物(49)，其中，所述上基板(20)中的第一光阻间隙物(25)与所述下基板(40)中的第二光阻间隙物(49)对应设置，所述辅助导电层(23)上覆盖所述第一光阻间隙物(25)的区域与所述第二电极(48)上覆盖所述第二光阻间隙物(49)的区域直接接触，使得所述第二电极(48)与辅助导电层(23)实现电性连接。
5.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述辅助导电层(23)为一整面的结构。
6.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述辅助导电层(23)为连续的网状结构。
7.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述辅助导电层(23)为多个不连续的部分所组成。
8.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述辅助导电层(23)为透明导电层或不透明导电层。
9.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述辅助导电层(23)的材料为氧化铟锡、铟镓氧化锌、氧化锡、铜、铝、铬、钛或钼。
10.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述下基板(40)中，所述第一绝缘层(43)与第二绝缘层(44)上对应TFT层(42)上方设有第一过孔(434)，所述第一电极(45)经由第一过孔(434)与所述TFT层(42)相连接；所述像素定义层(46)上对应第一电极(45)上方设有第二过孔(465)，所述OLED发光层(47)位于该第二过孔(465)内。
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