CN105244315B - 显示面板结构及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请一种显示面板结构及制备方法，涉及半导体技术领域，将本来设置于封装玻璃胶层下方的数据线去除，并通过在栅绝缘层中制备贯穿封装区并延伸其外的栅极线，以基于通孔工艺的基础上利用上述的栅极线将位于封装区两侧的数据线均予以连接，进而能够有效的避免因玻璃胶烧结(镭射)工艺时，造成的数据线断裂缺陷的产生，进而提高产品的良率。

Description

显示面板结构及制备方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种显示面板结构及制备方法。
背景技术
目前，在制备AMOLED显示器件时，在封装区进行玻璃膏(Frit)固化时，会使得被封装区所暴露的数据线(Data Line，简称DL)由于内应力作用，致使产生断裂等缺陷的产生，进而影响后续制备的产品器件的性能及良率。
图1～3为传统对显示器件进行封装的流程结构示意图；如图1至3所示，首先，在玻璃衬底(Glass)11之上依次制备缓冲层(Buffer)12、栅绝缘层(Gate Insulating layer，简称GI)13、层间绝缘层(Interlayer Dielectric，简称ILD)14、数据线(Data Line，简称DL)15、钝化层(BP)16、平坦化层(Planarization Layer，简称PL)17和像素定义层(PixelDefining Layer，简称PD)，继续于像素定义层18上制备间隔层(Spacer Layer，简称SP)19后，刻蚀暴露的像素定义层18至数据线15的表面，以形成贯穿像素定义层18、平坦化层17及钝化层16的封装凹槽10，即形成图1所示的结构。
其次，如图2所示，玻璃膏101直接覆盖在数据线15的表面上，而数据线15一般又为三层结构(即Ti/Al/Ti)，且位于最下方的Ti层又与层间绝缘层14贴合，所以在封装凹槽10中涂覆玻璃膏(Fan Out Frit)101后，继续激光烧结工艺(即图2中箭头所示)时，即对玻璃膏101激光烧结封装的过程中，由于数据线15上下层间粘合度不同，进而导致内应力出现就会造成如图3中所示的断裂102现象的产生，甚至使得位于封装凹槽10下方或附近的数据线15出现断线缺陷，进而导致产品失效(Fail)，大大降低了产品的良率。
发明内容
鉴于上述技术问题，本申请提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板具有显示区和包含封装区的非显示区，所述制备方法包括：
提供一基板；
于所述基板上制备栅绝缘层后，在所述栅绝缘层之上制备栅极线，且所述栅极线由所述显示区贯穿所述封装区并延伸至相对所述显示区另一侧的所述非显示区中；
制备层间绝缘层覆盖所述栅极线及所述栅绝缘层暴露的表面后，分别于所述封装区两侧的所述层间绝缘层中各制备一连接孔，以将所述栅极线分别位于所述封装区两侧的部分表面予以暴露；
制备数据线薄膜覆盖所述连接孔的底部及侧壁，且所述数据线薄膜还覆盖所述层间绝缘层的上表面；
去除位于所述封装区内的所述数据线薄膜后，以形成位于所述封装区两侧并经由所述连接孔连接所述栅极线的数据线；
依次制备钝化层、平坦化层和像素定义层后，于所述封装区中制备依次贯穿所述像素定义层、所述平坦化层和所述钝化层并暴露位于所述封装区的所述层间绝缘层表面的封装凹槽；
涂覆封装胶充满并突出于所述封装凹槽；
将一对向基板设置于所述封装胶之上后，对所述封装胶进行固化工艺，以利用所述封装胶将所述基板和所述对向基板予以密封。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板的制备方法中：
所述封装胶为玻璃胶。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板的制备方法还包括：
在所述显示区中所述像素定义层上制备多个像素凹槽；以及
于所述多个像素凹槽之上制备有机发光层。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板的制备方法中：
所述显示面板为有机发光显示面板。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板的制备方法还包括：
于所述显示区的所述像素定义层之上制备间隔层；其中
所述对向基板设置于所述间隔层之上。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板的制备方法还包括：
于所述基板之上制备缓冲层后，制备所述栅绝缘层覆盖所述缓冲层的上表面。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板的制备方法中：
制备第一氮化硅薄膜覆盖所述基板的上表面后，继续第一氧化硅薄膜覆盖所述第一氮化硅薄膜的上表面，以形成所述缓冲层。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板的制备方法中：
采用激光烧结对所述封装胶进行所述固化工艺。
本申请还提供了一种显示面板结构，具有显示区和包含封装区的非显示区，所述显示面板结构包括：
基板，且在位于非显示区的所述基板之上按照从下至上顺序设置有栅绝缘层、层间绝缘层、钝化层、平坦化层和像素定义层；
栅极线，设置在所述栅绝缘层与所述层间绝缘层之间，且所述栅极线由所述显示区贯穿所述封装区并延伸至相对所述显示区另一侧的所述非显示区中；
两连接孔，贯穿所述层间绝缘层，以将所述栅极线分别位于所述封装区两侧的部分表面予以暴露；
数据线，设置于所述层间绝缘层上的所述封装区的两侧，并经由所述连接孔连接所述栅极线；
封装凹槽，依次贯穿所述像素定义层、所述平坦化层和所述钝化层并暴露位于所述封装区的所述层间绝缘层的表面；
封装胶，充满并突出所述封装凹槽；
对向基板，设置于所述基板上的所述封装胶上，所述封装胶将所述基板和所述对向基板予以密封。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板结构中：
所述封装胶为玻璃胶。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板结构还包括：
多个像素凹槽，设置在所述显示区中所述像素定义层上；其中
所述多个像素凹槽上分别设置有有机发光层。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板结构中：
所述显示面板为有机发光显示面板。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板结构还包括：
间隔层，设置于所述显示区的所述像素定义层和所述对向基板之间。
作为一个优选的实施例，上述的显示面板结构还包括：
缓冲层，位于所述基板与所述栅绝缘层之间。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：
本申请中的技术方案是将本来设置于扇出封装胶层下方的数据线去除，并通过在栅绝缘层中制备贯穿封装区并延伸其外的栅极线，以基于通孔工艺利用上述的栅极线将位于封装区两侧的数据线予以连接，进而能够有效的避免因封装胶烧结(镭射)工艺时，造成的数据线断裂缺陷的产生，进而提高产品的良率。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1～3为传统对显示器件进行封装的流程结构示意图；
图4～11为本申请实施例中显示面板的制备方法。
具体实施方式
本申请中提供的显示面板结构及制备方法，主要是为改善封装区(Fan Out)数据线(DL)断线等缺陷，通过在封装区刻蚀形成连接孔(CT)，并于栅绝缘层的氮化硅(SiNx)层之上沉积栅极线(GL)，以在后续制备数据线(DL)时，去除位于封装区封装胶下方的数据线，并利用上述的连接孔及栅极线实现数据线之间的连接，进而使得数据线不会与封装胶(如玻璃膏(Frit))直接接触，进而能够有效的避免因后续封装胶激光烧结工艺时造成的内应力而致使数据线断线等缺陷的产生，以有效的提高制备显示器件的性能及良率。
下面结合附图和具体实施例对本申请的实施例进行详细说明。
实施例一
图4～11为本申请实施例中显示面板的制备方法；如图4～11所示，本实施例提供了一种显示面板的制备方法，该显示器件具有显示区和包含封装区20的非显示区(需要注意的是，本申请中的图4～11仅示出显示器件制备时的非显示区中结构，即在该非显示区进行器件制备的同时在显示区中会同时制备形成显示单元及其他显示器件的部件结构，由于其不是本实施例技术方案的重点，本领域技术人员在基于常规显示器件制备工艺的基础上，结合本申请实施例记载的技术方案便能够获知其具体制备的工艺步骤，故在此便不予累述)，包括：
首先，提供基板(如玻璃基板(Glass)等)21，且该基板21具有用于设置器件结构的正面表面(即图4～11所示的上表面)及相对于该正面表面的背部表面(即图4～11所示的下表面)，即后续制备的器件结构均位于基板21的上表面上方。
其次，于上述基板21的正面表面上按照从下至上顺序依次制备缓冲层(Buffer)22和栅绝缘层(GI)23，并刻蚀去除部分栅绝缘层24后，形成栅极线凹槽24，即形成如图4所示的贯穿封装区20并延伸出其外一部分的栅极线凹槽24，且该栅极线凹槽24全部位于非显示区中；另外，上述的栅绝缘层23均部分被刻蚀掉，使得栅极线凹槽24的底部(即图4中虚线所示位置处)位于栅绝缘层23之中，即栅极线凹槽24底部表面与缓冲层22之间还保留有部分栅绝缘层23，以两者隔离开来。
优选的，上述的缓冲层22包括第一氮化硅薄膜(图中未示出)和第一氧化硅薄膜(图中未示出)，且第一氮化硅薄膜(SiNx)覆盖上述基板21的正面表面上，而第一氧化硅薄膜(SiOx)覆盖上述第一氮化硅薄膜的上表面。
优选的，上述的栅绝缘层23包括依次叠置的第二氧化硅薄膜、第二氮化硅薄膜和第三氮化硅薄膜，即第二氧化硅薄膜覆盖上述缓冲层22(即第一氧化硅薄膜)的上表面，第二氮化硅薄膜覆盖第二氧化硅薄膜的上表面，而第三氮化硅薄膜则覆盖上述第二氮化硅薄膜的上表面；另外，第二氧化硅薄膜和第二氮化硅薄膜作为显示器件的第一栅绝缘层(GI1)，而第三氮化硅薄膜则作为显示器件的第二栅绝缘层(GI2)。
之后，如图5所示，沉积栅极线薄膜(图中未示出)充满上述的栅极线凹槽24并将栅绝缘层23暴露的表面予以覆盖，去除除栅极线凹槽24中以外区域的栅极线薄膜，使得保留的栅极线薄膜作为显示器件的栅极线241，即该栅极线241贯穿上述的封装区20并延伸至相对显示区另一侧的非显示区中，以便于后续制备的连接孔能将其端部的表面予以暴露。
优选的，上述的栅极线薄膜(即栅极线241)可包括制备显示器件的第一栅极线(GL1)和第二栅极线(GL2)，且第一栅极线覆盖上述的栅极线凹槽24的底部表面及侧壁，而第二栅极线则充满剩余的栅极线凹槽24。
进一步的，如图6所示，继续制备层间绝缘层(ILD)25覆盖上述的栅绝缘层23及栅极线241暴露的表面，且该层间绝缘层25可包括第四氮化硅薄膜和第三氧化硅薄膜，且该第四氮化硅薄膜覆盖上述栅极线241(即第二栅极线)的上表面及栅绝缘层23(即第三氮化硅薄膜)暴露的上表面，而第三氧化硅薄膜则覆盖上述第四氮化硅薄膜的上表面。
进一步的，如图7所示，临近上述封装区20的两侧，刻蚀位于非显示区中层间绝缘层25至上述栅极线241部分上表面，以形成将栅极线241两端端部的部分上表面均予以暴露的连接孔261和连接孔262，即依次刻蚀上述的第三氧化硅薄膜和第四氮化硅薄膜，以形成贯穿第三氧化硅薄膜和第四氮化硅薄膜至栅极线241端部表面的连接孔261和连接孔262，以将上述栅极线241分别位于封装区20两侧的部分表面予以暴露。
进一步的，如图8所示，沉积数据线(DL)26覆盖上述连接孔261和连接孔262的底部及侧壁，且该数据线26还将剩余的层间绝缘层25暴露的上表面均予以覆盖，即此时位于连接孔261和连接孔262底部的数据线26与栅极线241连接。
进一步的，刻蚀位于封装区20的数据线26至层间绝缘层25的上表面，以使得位于封装区20两侧的数据线26断线，但其能够通过栅极线241实现导通连接；继续制备钝化层(BP)27充满上述的连接孔261和连接孔262，且该钝化层27还将位于封装区20中暴露的层间绝缘层25的表面均予以覆盖；制备平坦化层(PL)28覆盖钝化层27的上表面，制备像素定义层(PD)覆盖上述平坦化层28的上表面后，于非显示区中临近上述的封装区20在像素定义层29的上表面上制备间隔层(SP)30，进而形成如图9所述的结构。
优选的，在制备上述的像素定义层之后，继续在位于显示区的像素定义层之上设置多个像素凹槽，并在该多个像素凹槽之上分别制备有机发光层。
进一步的，在封装区20中依次刻蚀上述的像素定义层29、平坦化层28和钝化层27至层间绝缘层25的上表面，以形成如图10所示的封装凹槽31。
最后，基于图10所示结构的基础上，涂布封装胶(如玻璃膏(Frit))充满并突出上述的封装凹槽31，以形成扇出封装胶301；后续，将对向基板贴合于上述的封装胶301之上后，对该封装胶301进行诸如激光烧结等固化工艺，以利用该扇出封装胶301将上述的基板21和对向基板32予以密封。由于本实施例中位于扇出封装胶301下方的不是数据线而是层间绝缘层25，而位于封装区20两侧的数据线26是通过位于层间绝缘层25下方的栅极线241连接，即在扇出封装胶301与栅极线241之间间隔着曾将绝缘层25，故在后续的激光烧结工艺时，能够有效避免因激光烧结而致使的栅极线241内应力的产生，从而有效避免因激光烧结固化工艺而造成的数据线断裂缺陷的产生。
实施例二
基于上述实施例一的基础上，如图3～11本实施例中提供了一种显示面板结构(如有机发光显示面板等)，且该显示面板结构具有显示区和包含封装区的非显示区，上述显示面板结构包括：
基板21，且在位于上述非显示区中的基板21的上方按照从下至上顺序依次设置有缓冲层22、栅绝缘层23、层间绝缘层25、钝化层27、平坦化层28和像素定义层29；
栅极线241，设置在栅绝缘层23与层间绝缘层25之间，且栅极线241由显示区贯穿封装区20并延伸至相对显示区另一侧的封装区的部分非显示区中；
连接孔261、262，贯穿层间绝缘层25，以将栅极线241分别位于封装区两侧的部分表面予以暴露；
数据线26，设置于封装区20的两侧，并经由连接孔261、262连接栅极线241；
封装凹槽31，依次贯穿位于封装区20内的像素定义层29、平坦化层28和钝化层27并暴露位于封装区的层间绝缘层25的表面；
封装胶301，充满并突出上述封装凹槽31，以将设置于显示区的显示单元予以密封；
间隔层，临近封装区20设置在位于非显示区的像素定义层29之上；
对向基板32，设置于基板21上的封装胶301上，且封装胶301将基板21和对向基板32予以密封。
优选的，像素定义层29在显示区还包括多个像素凹槽，且在像素凹槽上分别设置有有机发光层。
需要注意的是，本实施例所提供的结构可基于上述实施例一中记载的方法来制备，故在实施例一描述的制备工艺、膜层材质及膜层之间的位置关系等技术特征均可适用于本实施的结构中，故在此便不予雷士。
综上，本申请实施例中的显示面板结构及制备方法，通过在封装区刻蚀形成连接孔，并于栅绝缘层的氮化硅层之上沉积栅极线，以在后续制备数据线时，去除位于扇区封装胶下方的数据线，并利用上述的连接孔及栅极线实现数据线之间的连接，即将原先的数据线改进为通过上述位于层间绝缘层下方的栅极线(即第一栅极线和第二栅极线)实现位于封装区两侧数据线的连接，进而使得数据线不会与封装胶直接接触，进而能够有效的避免因后续封装胶激光烧结工艺时造成的内应力而致使数据线断线等缺陷的产生，以有效的提高制备显示器件的性能及良率。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (14)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板具有显示区和包含封装区的非显示区，所述制备方法包括：
提供一基板；
于所述基板上制备栅绝缘层后，在所述栅绝缘层之上制备栅极线，且所述栅极线由所述显示区贯穿所述封装区并延伸至相对所述显示区另一侧的所述非显示区中；
制备层间绝缘层覆盖所述栅极线及所述栅绝缘层暴露的表面后，分别于所述封装区两侧的所述层间绝缘层中各制备一连接孔，以将所述栅极线分别位于所述封装区两侧的部分表面予以暴露；
制备数据线薄膜覆盖所述连接孔的底部及侧壁，且所述数据线薄膜还覆盖所述层间绝缘层的上表面；
去除位于所述封装区内的所述数据线薄膜后，以形成位于所述封装区两侧并经由所述连接孔连接所述栅极线的数据线；
依次制备钝化层、平坦化层和像素定义层后，于所述封装区中制备依次贯穿所述像素定义层、所述平坦化层和所述钝化层并暴露位于所述封装区的所述层间绝缘层表面的封装凹槽；
涂覆封装胶充满并突出于所述封装凹槽；
将一对向基板设置于所述封装胶之上后，对所述封装胶进行固化工艺，以利用所述封装胶将所述基板和所述对向基板予以密封。
2.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法中：
所述封装胶为玻璃胶。
3.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述显示区中所述像素定义层上制备多个像素凹槽；以及
于所述多个像素凹槽之上制备有机发光层。
4.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法中：
所述显示面板为有机发光显示面板。
5.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
于所述显示区的所述像素定义层之上制备间隔层；其中
所述对向基板设置于所述间隔层之上。
6.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
于所述基板之上制备缓冲层后，制备所述栅绝缘层覆盖所述缓冲层的上表面。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法中：
制备第一氮化硅薄膜覆盖所述基板的上表面后，继续第一氧化硅薄膜覆盖所述第一氮化硅薄膜的上表面，以形成所述缓冲层。
8.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法中：
采用激光烧结对所述封装胶进行所述固化工艺。
9.一种显示面板结构，其特征在于，具有显示区和包含封装区的非显示区，所述显示面板结构包括：
基板，且在位于非显示区的所述基板之上按照从下至上顺序设置有栅绝缘层、层间绝缘层、钝化层、平坦化层和像素定义层；
栅极线，设置在所述栅绝缘层与所述层间绝缘层之间，且所述栅极线由所述显示区贯穿所述封装区并延伸至相对所述显示区另一侧的所述非显示区中；
两连接孔，贯穿所述层间绝缘层，以将所述栅极线分别位于所述封装区两侧的部分表面予以暴露；
数据线，设置于所述层间绝缘层上的所述封装区的两侧，并经由所述连接孔连接所述栅极线；
封装凹槽，依次贯穿所述像素定义层、所述平坦化层和所述钝化层并暴露位于所述封装区的所述层间绝缘层的表面；
封装胶，充满并突出所述封装凹槽；
对向基板，设置于所述基板上的所述封装胶上，所述封装胶将所述基板和所述对向基板予以密封。
10.如权利要求9所述的显示面板结构，其特征在于，所述结构中：
所述封装胶为玻璃胶。
11.如权利要求9所述的显示面板结构，其特征在于，所述结构还包括：
多个像素凹槽，设置在所述显示区中所述像素定义层上；其中
所述多个像素凹槽上分别设置有有机发光层。
12.如权利要求11所述的显示面板结构，其特征在于，所述结构中：
所述显示面板为有机发光显示面板。
13.如权利要求9所述的显示面板结构，其特征在于，所述结构还包括：
间隔层，设置于所述显示区的所述像素定义层和所述对向基板之间。
14.如权利要求9所述的显示面板结构，其特征在于，所述结构还包括：
缓冲层，位于所述基板与所述栅绝缘层之间。
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