CN103794736A - 柔性有机电致发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及柔性有机电致发光装置，其包括：具有包括多个像素区域的显示区以及在显示区外部的非显示区的基板；位于各像素区域的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管；形成在各像素区域的第一电极，其连接到驱动薄膜晶体管的漏极；堤岸，其使各像素区域绝缘；间隔体，其形成在基板的非显示区中的堤岸上，并且布置在与显示区的侧面平行的垂直方向上；有机发光层，其针对各像素区域分开地形成在第一电极上；第二电极，其形成在有机发光层上的显示区的整个表面上；有机层，其形成在包括第二电极的基板的整个表面上；阻挡膜，其面向基板；以及粘合剂，其插入在基板和阻挡膜之间，以将基板粘合到阻挡膜，以实现面板形态。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光装置（以下称为“OLED”），更具体地，本发明涉及用于阻止水分渗入到有机电致发光装置以提高有机电致发光装置的寿命的柔性有机电致发光装置。
背景技术
作为一种平板显示器（FPD）的有机电致发光装置可以具有高亮度和低工作电压的特性。此外，因为有机电致发光装置作为自发地发光的自发光型显示器而工作，所以有机电致发光装置具有高的对比度，并且允许实现超薄显示器。此外，有机发光二极管的优点在于，诸如利用几微秒（μs）的响应时间来促进运动影像的实现，没有视角限制，即使在低温也具有稳定性并且以DC5V到15V之间的低电压来进行驱动，因而便于制造和设计有机发光二极管的驱动电路。
此外，可以仅利用沉积和封装设备来实现有机电致发光装置的制造工艺，因此制造工艺非常简单。
可以将具有这样的特性的有机发光二极管大致划分成无源矩阵型和有源矩阵型，在无源矩阵型中，可以将装置配置为扫描线和信号线彼此交叉的矩阵形式，并且随着时间的推移顺序地驱动扫描线以驱动各像素，因此需要与平均亮度和线的数目的乘积一样大的瞬时亮度来显示平均亮度。
然而，有源矩阵型具有这样的结构，其中，针对各像素区域设置有作为用于将像素区域接通或断开的开关装置的薄膜晶体管，并且连接到开关晶体管的驱动晶体管被连接到电源线和有机发光二极管，并针对各像素区域而形成。
这里，可以以像素区域为单位接通或断开连接到驱动晶体管的第一电极，并且面对第一电极的第二电极可以充当公共电极，从而与插入在两个电极之间的有机发光层一起实现有机发光二极管。
在具有这样的特性的有源矩阵型中，施加到像素区域的电压可以被充在存储电容器（Cst）中，并且一直施加到施加下一帧信号为止，从而针对一个画面连续地进行驱动而不管扫描线的数目。
因此，即使施加了低电流，也能够获得相同的亮度，从而具有提高低功耗、细间距（fine pitch）和大屏幕尺寸显示器的优点，因此在最近几年，有源矩阵型有机电致发光装置已被广泛地使用。
下面将参照附图描述这样的有源矩阵型有机电致发光装置的基本结构和操作特性。
图1是典型的有源矩阵型有机电致发光装置中的一个像素区域的电路图。
参照图1，典型的有源矩阵型有机电致发光装置10的一个像素区域可以包括开关薄膜晶体管（STr）、驱动薄膜晶体管（DTr）、存储电容器（Cst）和有机发光二极管（E）。
在第一方向上形成选通线（GL），并且在与第一方向交叉的第二方向上设置数据线（DL），数据线（DL）与选通线（GL）一起限定像素区域（P），并且形成与数据线（DL）分开以施加电源电压的电源线（PL）。
此外，在数据线（DL）与选通线（GL）彼此交叉的部分形成开关薄膜晶体管（STr），并且在各像素区域（P）中形成电连接到开关薄膜晶体管（STr）的驱动薄膜晶体管（DTr）。
这里，驱动薄膜晶体管（DTr）电连接到有机发光二极管（E）。换言之，作为有机发光二极管（E）的一侧端子的第一电极连接到驱动薄膜晶体管（DTr）的漏极，并且作为有机发光二极管（E）的另一端子的第二电极连接到电源线（PL）。这里，电源线（PL）向有机发光二极管（E）传送电源电压。此外，在驱动薄膜晶体管（DTr）的栅极和源极之间形成存储电容器（Cst）。
因此，当通过选通线（GL）施加信号时，开关薄膜晶体管（STr）被接通，数据线（DL）的信号被传送至驱动薄膜晶体管（DTr）的栅极，以接通驱动薄膜晶体管（DTr），从而通过有机发光二极管（E）发光。这里，当驱动薄膜晶体管（DTr）处于接通状态时，从电源线（PL）流过有机发光二极管（E）的电流的水平被确定，由此，有机发光二极管（E）可以实现灰阶，并且存储电容器（Cst）可以起到当开关薄膜晶体管（STr）断开时恒定地保持驱动薄膜晶体管（DTr）的栅电压的作用，从而允许即使当开关薄膜晶体管（STr）处于断开状态时，也恒定地保持流过有机发光二极管（E）的电流的水平直到下一帧为止。
另一方面，图2是示意性地例示了根据相关技术的有机电致发光装置的多个子像素区域的平面图，作为示出水分通过一个子像素渗入并且扩散到相邻的子像素区域的示意图。
图3是根据相关技术的有机电致发光装置的示意性截面图。
图4是根据相关技术的有机电致发光装置的放大的示意性截面图，作为示意性地例示了通过堤岸渗入的水分沿着堤岸扩散的放大的截面图。
参照图2，根据相关技术的有机电致发光装置10，在基板11上限定显示区（AA），在显示区（AA）的外部限定非显示区（NA），并且设置了多个像素区域（P），多个像素区域（P）中的每一个被限定为由选通线（未示出）和数据线（未示出）所围绕的区域，并且在显示区（AA）中与数据线（未示出）平行地设置电源线（未示出）。
这里，开关薄膜晶体管（STr）（未示出）和驱动薄膜晶体管（DTr）（未示出）分别形成在多个像素区域（SP）中，并且连接到驱动薄膜晶体管（DTr）。
根据相关技术的有机电致发光装置10，通过钝化层（未示出）来封装形成有驱动薄膜晶体管（DTr）和有机发光二极管（E）的基板11。
具体地描述根据相关技术的有机电致发光装置10，如图3所示，限定了显示区（AA），在基板11上的显示区（AA）的外部限定非显示区（NA），并且设置多个像素区域（P），各像素区域（P）被限定为由选通线（未示出）和数据线（未示出）所围绕的区域，并且在显示区（AA）中与数据线（未示出）平行地设置电源线（未示出）。
这里，在基板11上设置用诸如二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）（无机绝缘材料）这样的绝缘材料形成的缓冲层（未示出）。
此外，在缓冲层（未示出）上部的显示区（AA）内的各像素区域（SP）形成由纯多晶硅制成的半导体层13，以分别与驱动区域（未示出）和开关区域（未示出）相对应，半导体层13包括在其中部形成沟道的第一区域13a以及在第一区域13a的两个侧面掺杂高浓度的杂质的第二区域13b和13c。
在包括半导体层13的缓冲层（未示出）上形成栅绝缘层15，并且在栅绝缘层15上设置驱动区域（未示出）和开关区域（未示出），因此，将栅极17形成为与半导体层13各自的第一区域13a相对应。
此外，在栅绝缘层15上形成选通线（未示出），选通线连接到在开关区域（未示出）中形成的栅极（未示出），并且沿一个方向延伸。
另一方面，在栅极17和选通线（未示出）上的显示区的整个表面上形成层间绝缘层19。这里，在层间绝缘层19及其下部的栅绝缘层15上设置半导体层接触孔（未示出），半导体层接触孔露出分别位于各半导体层的第一区域13a的两个侧面的第二区域13b和13c。
此外，在包括半导体层接触孔（未示出）的层间绝缘层19的上部形成数据线（未示出）以及与数据线分开的电源线（未示出），数据线与选通线（未示出）交叉以限定像素区域（SP），并且数据线用第二金属材料形成。这里，可以在用选通线（未示出）形成的层（即，栅绝缘层）上形成与选通线（未示出）分开并与选通线平行的电源线（未示出）。
另外，在层间绝缘层19上的各驱动区域（未示出）和开关区域（未示出）中形成源极23a和漏极23b，源极23a和漏极23b与彼此分开的第二区域13b和13c相接触，通过半导体层接触孔（未示出）而分别露出，并且由与数据线（未示出）相同的第二金属材料形成。这里，顺序地沉积在驱动区域（未示出）上的半导体层和栅绝缘层以及栅极17和层间绝缘层19以及形成为彼此分开的源极23a和漏极23b形成了驱动薄膜晶体管（DTr）。
另一方面，在驱动薄膜晶体管（DTr）和开关薄膜晶体管（未示出）上形成具有用于将驱动薄膜晶体管（DTr）的漏极23b露出的漏极接触孔（未示出）的第二层间绝缘层25和有机绝缘层27。
此外，在有机绝缘层27上形成第一电极29，第一电极29通过驱动薄膜晶体管（DTr）的漏极23b和漏极接触孔（未示出）与漏极接触孔（未示出）接触并且具有针对各像素区域（SP）分开的形式。
另外，在第一电极29上的各像素区域（SP）的边界和非显示区（NA）中形成堤岸31a、31b。
此外，在各像素区域（SP）的堤岸31a的上部形成第一间隔体33a，并且在非显示区（NA）的堤岸31b的上部以规则的间隔形成第二间隔体33b。这里，各像素区域（SP）的第一间隔体33a形成为点形状，并且在面板外部的非显示区（NA）的第二间隔体33b按与显示区（AA）的侧面相垂直的水平方向以规则的间隔进行布置，并且如图3所示，形成为具有比第一间隔体33a相对更大的尺寸的条形。
然而，在面板外部的非显示区（NA）的第二间隔体33b的情况下，当在封装处理期间涂敷有机层时，具有流动性的有机层41如图5所示地沿第二间隔体33b流动。
因此，当在面板的外部区域中不均匀地涂敷有机层41时，依次地沉积在其上部的无机层（即，第二钝化层43的堆叠覆盖）变差，从而提供了水汽路径。
另外，在由堤岸31a围绕的各像素区域（SP）内的第一电极29上形成有机发光层35，有机发光层35包括用于分别发射红色、绿色和蓝色的有机发光图案（未示出）。
此外，在有机发光层35和堤岸31a的上部的显示区（AA）的整个表面上形成第二电极37。这里，第一电极29和第二电极37以及插入在29和37两个电极之间的有机发光层35形成有机发光二极管（E）。
另一方面，在包括第二电极37的基板的整个表面上形成第一钝化层39。
此外，在第一钝化层39上涂敷诸如聚合物这样的高分子有机物质，以形成有机层41。
另外，在包括有机层41的基板的整个表面上另外形成第二钝化层43，以阻挡水分通过有机层41渗入。
此外，在包括第二钝化层43的基板的整个表面上设置粘合剂，以面向阻挡膜47用于有机发光二极管（E）的封装，并且将粘合剂45完全胶合到基板11和阻挡膜47，并且粘合剂45插入在基板11和阻挡膜47之间。
以这种方式，通过粘合剂45将基板101固定到阻挡膜47以形成面板形态，从而配置根据相关技术的有机电致发光装置10。
然而，根据相关技术的有机电致发光装置，按照与显示区的侧面相垂直的水平方向以规则的间隔来布置面板的外部的非显示区的第二间隔体，由于第二间隔体形成为具有比第一间隔体的尺寸相对更大的尺寸的条形，所以当在封装处理期间涂敷有机层时，具有流动性的有机层如图5所示地沿着第二间隔体流动。
以这种方式，当在面板的外部区域中不均匀地涂敷有机层时，依次地沉积在其上部的无机层（即，第二钝化层的堆叠覆盖）变差，从而提供了水汽路径。
此外，面板外部的不均匀部分具有不平坦的台阶，从而当执行阻挡膜接合时容易生成气泡。
因此，通过由缺陷部分（即，位于面板的外部的有机层部分）引入的氧（O）和水分（H2O）引起诸如像素收缩等这样的可靠性问题，从而引起故障。
发明内容
本发明是要解决相关技术中的以上问题，本发明的目的是要提供具有增强的间隔体结构的柔性有机电致发光装置，其中，所述间隔体结构被改变以提高柔性显示器的可靠性。
为了实现以上目的，根据本发明的柔性有机电致发光装置可以包括：基板，所述基板被限定为具有包括多个像素区域的显示区以及在所述显示区外部的非显示区；开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管形成在所述基板的各像素区域；第一电极，所述第一电极连接到所述驱动薄膜晶体管的漏极，并且形成在所述各像素区域；堤岸，所述堤岸形成在包括所述第一电极的所述基板的所述显示区和所述非显示区上，以使所述各像素区域绝缘；间隔体，所述间隔体形成在所述基板的所述非显示区中的堤岸上，并且布置在与所述显示区的侧面平行的垂直方向上；有机发光层，所述有机发光层针对所述各像素区域分开地形成在所述第一电极上；第二电极，所述第二电极形成在所述有机发光层上的所述显示区的整个表面上；有机层，所述有机层形成在包括所述第二电极的所述基板的整个表面上；阻挡膜，所述阻挡膜面向所述基板；以及粘合剂，所述粘合剂插入在所述基板和所述阻挡膜之间，以将所述基板粘合到所述阻挡膜，以实现面板形态。
根据本发明的有机电致发光装置，可以在与所述显示区的侧面平行的方向（即，垂直方向）上将位于所述面板的外部的第二间隔体和第三间隔体的结构以规则的间隔显示为两列形式，或者可以在与所述显示区的侧面平行的方向上将所述第二间隔体的结构布置为直线形式（即，竖直形式），而不是如相关技术那样在所述非显示区中与显示区的侧面垂直地将其纵向地布置成条形，以将在针对封装处理的有机层的涂敷期间的扩散缺陷最小化并且将有机层的边缘部分的台阶最小化，从而抑制水分通过有机层的侧面渗透。
此外，根据本发明的有机电致发光装置，可以在与所述显示区的侧面平行的方向（即，垂直方向）上将位于面板的外部的第二间隔体和第三间隔体的结构以规则的间隔显示为两列形式，或者可以在与所述显示区的侧面平行的方向上将所述第二间隔体的结构布置成直线形式（即，竖直形式），以防止在针对封装处理的有机层的涂敷期间的扩散缺陷，并且增强随后形成的第二钝化层的堆叠覆盖，从而防止水分渗入有机层的侧面以提高可靠性。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步的理解，附图被并入到本说明书中并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是典型的有源矩阵型有机电致发光装置中的一个像素区域的电路图；
图2是例示了根据相关技术的有机电致发光装置中的显示区和非显示区的示意性平面图；
图3是例示了作为图2的“A”的放大的平面图的在相关技术的典型的有机电致发光装置中的非显示区中所设置的间隔体的放大的平面图；
图4是作为沿图2中的线IV-IV的截面图的示出了相关技术中的典型的有机电致发光装置的示意性截面图；
图5是示意性地示出了从相关技术的典型的有机电致发光装置的非显示区中所布置的间隔体的上部发生的水分渗透现象的放大的截面图；
图6是例示了在根据本发明的实施方式的柔性有机电致发光装置中的显示区和非显示区的示意性平面图；
图7是例示了作为图6中的“B”的放大的平面图的在根据本发明的实施方式的有机电致发光装置中的非显示区中所设置的间隔体的放大的平面图；
图8是例示了作为沿图6中的线VIII-VIII的截面图的根据本发明的实施方式的有机电致发光装置的示意性截面图；
图9是例示了根据本发明的另一实施方式的在柔性有机电致发光装置中的显示区和非显示区的示意性平面图；并且
图10是例示了作为沿图9的线X-X的截面图的根据本发明的另一实施方式的有机电致发光装置的示意性截面图。
具体实施方式
下面，将参照附图描述根据本发明的优选的实施方式的有机电致发光装置。
图6是例示了在根据本发明的实施方式的柔性有机电致发光装置中的显示区和非显示区的示意性平面图。
图7是例示了作为图6中的“B”的放大的平面图的在根据本发明的实施方式的有机电致发光装置中的非显示区中所设置的间隔体的放大的平面图。
图8是例示了作为沿图6中的线VIII-VIII的截面图的根据本发明的实施方式的有机电致发光装置的示意性截面图。
根据发射的光的传输方向将根据本发明的实施方式的柔性有机电致发光装置100划分成顶发射型和底发射型，下面，将作为示例描述顶发射型。
参照图6、图7和图8，在根据本发明的实施方式的柔性有机电致发光装置100中，通过阻挡膜147封装形成有驱动薄膜晶体管（DTr）和有机发光二极管（E）的基板101。
具体地描述根据本发明的实施方式的柔性有机电致发光装置100，如图6所示，在具有柔性特性的基板101上限定显示区（AA），在显示区（AA）的外部限定非显示区（NA），并且设置了多个像素区域（P），多个像素区域（P）各自被限定为由选通线（未示出）和数据线（未示出）所围绕的区域，并且在显示区（AA）中与数据线（未示出）平行地设置电源线（未示出）。
这里，用柔性玻璃基板或具有柔性特性的塑料材料来制造柔性基板101，以即使当像纸一样弯曲柔性有机电致发光装置100时也能照原样保持显示性能。
此外，在基板101上设置用绝缘材料二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）（无机绝缘材料）来制成的缓冲层103。这里，缓冲层103形成在后续处理期间形成的半导体层105的下部，以防止由于在半导体层105的结晶期间由来自基板101的内部的碱离子（alkali icon）的发射所导致的半导体层105的特性劣化。
此外，在缓冲层103的上部的显示区（AA）内的各像素区域（P）处形成由纯多晶硅制成的半导体层105，以分别与驱动区域（未示出）和开关区域（未示出）相对应，半导体层105包括在其中部形成沟道的第一区域105a以及在第一区域105a的两个侧面掺杂有高浓度杂质的第二区域105b和105c。
在包括半导体层105的缓冲层103上形成栅绝缘层107，并且在栅绝缘层107上的驱动区域（未示出）和开关区域（未示出）中与各半导体层105的第一区域105a相对应地形成栅极109。
此外，在栅绝缘层107上形成连接到形成在开关区域（未示出）中的栅极（未示出）并沿一个方向延伸的选通线（未示出）。这里，栅极109和选通线（未示出）可以具有用低电阻特性的例如铝（Al）、铝合金（AlNd）、铜（Cu）、铜合金、钼（Mo）和钼钛（MoTi）中的任何一种这样的第一金属材料制成的单层结构，或者可以具有用第一金属材料中的两种或更多种材料制成的双层或三层结构。根据附图，例示了栅极109和选通线（未示出）具有单层结构。
另一方面，在栅极109和选通线（未示出）上的显示区的整个表面上形成由例如二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）（无机绝缘材料）这样的绝缘材料制成的第一层间绝缘层121。这里，在第一层间绝缘层121和位于第一层间绝缘层121的下部的栅绝缘层107上设置用于将分别位于各半导体层的第一区域105a的两个侧面的第二区域105b和105c露出的半导体层接触孔（未示出）。
此外，在包括半导体层接触孔（未示出）的第一层间绝缘层121的上部形成与选通线（未示出）交叉以对像素区域（SP）进行限定的数据线123，数据线123用诸如铝（Al）、铝合金（AlNd）、铜（Cu）、铜合金、钼（Mo）和钼钛（MoTi）、铬（Cr）和钛（Ti）中的任何一种或者两种或更多种材料这样的第二金属材料制成。这里，可以在形成有选通线（未示出）的层（即，栅绝缘层）上形成与选通线（未示出）分开并与选通线平行的电源线（未示出）。
另外，在第一层间绝缘层121上的驱动区域（未示出）和开关区域（未示出）各自中形成源极123a和漏极123b，其中，源极123a和漏极123b与彼此分开的第二区域105b和105c相接触，并通过半导体层接触孔（未示出）将源极123a和漏极123b分别露出，并且由与数据线（未示出）的材料相同的第二金属材料形成源极123a和漏极123b。这里，顺序地沉积在驱动区域（未示出）上的半导体层和栅绝缘层、栅极109和第一层间绝缘层121以及形成为彼此分开的源极123a和漏极123b形成了驱动薄膜晶体管（DTr）。
另一方面，尽管在图中作为示例示出了数据线123、源极123a和漏极123b都具有单层结构，但组成元件可以具有双层或三层结构。
这里，尽管在图中没有示出，但在开关区域（未示出）中还形成具有与驱动薄膜晶体管（DTr）相同的层结构的开关薄膜晶体管（未示出）。这里，开关薄膜晶体管（未示出）电连接到驱动薄膜晶体管（DTr）、选通线（未示出）和数据线123。换言之，选通线和数据线123分别连接到开关薄膜晶体管（未示出）的栅极（未示出）和源极（未示出），并且开关薄膜晶体管（未示出）的漏极（未示出）电连接到驱动薄膜晶体管（DTr）的栅极109。
另一方面，根据本发明的实施方式的有机电致发光装置的基板101，示出了驱动薄膜晶体管（DTr）和开关薄膜晶体管（未示出）具有多晶硅半导体层105，并且作为示例被配置为顶栅型，但本领域技术人员应该理解，驱动薄膜晶体管（DTr）和开关薄膜晶体管（未示出）还可以被配置为具有非晶硅半导体层的底栅型。
当驱动薄膜晶体管（DTr）和开关薄膜晶体管（未示出，STr）被配置为底栅型时，层结构包括栅极、栅绝缘层、纯非晶硅的有源层、用具有掺杂了杂质的非晶硅的欧姆接触层制成的彼此分开的半导体层、彼此分开的源极和漏极。这里，其特性在于：在形成有栅极的层上将选通线形成为连接到开关薄膜晶体管的栅极，并且在形成有开关薄膜晶体管的源极的层上将数据线形成为连接到源极。
另一方面，在驱动薄膜晶体管（DTr）和开关薄膜晶体管（未示出）上形成具有用于将驱动薄膜晶体管（DTr）的漏极123b露出的漏极接触孔（未示出）的第二层间绝缘层125和有机绝缘层127。这里，将无机绝缘材料二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）用于第二层间绝缘层125。此外，将诸如聚合物这样的高分子有机物质用于有机绝缘层127。
此外，在有机绝缘层127上形成第一电极129，第一电极129通过漏极接触孔（未示出）与驱动薄膜晶体管（DTr）的漏极123b相接触，并且针对各像素区域（SP）具有分开的形式。
另外，在第一电极129的各像素区域（SP）的边界和非显示区（NA）中形成堤岸131a和131b，其中，具体地用诸如苯并环丁烯（BCB）、聚酰亚胺或光亚克力这样的绝缘材料来制造堤岸131a和131b。这里，堤岸131a以围绕各像素区域（SP）的形式形成为与第一电极129的边缘交叠，并且在显示区（AA）中形成总体上具有多个开口部分的晶格形状。此外，堤岸131b在非显示区（NA）中形成总体上覆盖驱动电路单元的上部的形状。
此外，在各像素区域（SP）的堤岸131a的上部形成第一间隔体133a，并且在非显示区（NA）的堤岸131b的上部以规则间隔形成第二间隔体133b和133c。这里，第一间隔体133a用于保持预定的间隙以不允许在有机发光层的沉积处理期间掩膜与基板101相接触。
另外，各像素区域（SP）的第一间隔体133a形成为点形状，并且在与显示区（AA）的侧面平行的垂直方向上以规则的间隔将面板外部的非显示区（NA）的第二间隔体133b和第三间隔体133c布置为两列形式。这里，第二间隔体133b和第三间隔体133c交替地布置为两列形式，并且布置为彼此不对应。换言之，将第二间隔体133b和第三间隔体133c的长边缘布置为平行于与第二间隔体133b和第三间隔体133c的长边缘相对应的显示区的一侧边缘。具体地，将在第一列中形成的间隔体交替地布置为与形成在第二列中的间隔体不对应。
这里，位于面板的外部的非显示区（NA）的第二间隔体133b和第三间隔体133c用于当在封装处理期间涂敷有机层时使扩散最小化并且允许在边缘部分的台阶处均匀地进行涂敷。
此外，将面板外部的非显示区（NA）的第二间隔体133b和第三间隔体133c布置在位于有机电致发光装置的两侧的非显示区（NA）内（即，在位于彼此相对应的短边缘处的非显示区（NA）内）。这是因为，由于有机电致发光装置的短边缘侧的区域比长边缘侧的区域更窄，所以在有机层的涂敷期间在非显示区（NA）的短边缘侧会突然地形成有机层扩散或台阶。
因此，在面板外部的非显示区（NA）的第二间隔体133b和第三间隔体133c优选地形成在位于有机电致发光装置的两个短边缘侧的非显示区（NA）内。
另外，在由堤岸131a围绕的各像素区（SP）内的第一电极129上形成包括用于分别发射红色、绿色和蓝色的有机发光图案（未示出）的有机发光层135。有机发光层135可以被配置为用有机发光材料制成的单层，或者，尽管在图中没有示出，但可以被配置为具有空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层。
此外，在有机发光层135和堤岸131a的上部的显示区（AA）的整个表面上形成第二电极137。这里，第一电极129、第二电极137以及插入在129和137两个电极之间的有机发光层135形成了有机发光二极管（E）。
针对有机发光二极管（E），当根据所选择的颜色信号向第一电极129和第二电极137施加预定的电压时，从第一电极129注入的空穴和从第二电极137提供的电子被传输到有机发光层135以形成激子，并且当激子从激发态跃迁到基态时，光被产生并且以可见光的形式发射。此时，发射的光通过透明的第二电极137到达外部，因此柔性有机电致发光装置100实现任何图像。
另一方面，在包括第二电极137的基板的整个表面上形成用绝缘材料（具体地，无机绝缘材料二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx））制成的第一钝化层139。这里，仅利用第二电极137无法完全抑制水分渗入到有机发光层135，因此在第二电极137上形成第一钝化层139，以完全抑制水分渗入到有机发光层135。
此外，在第一钝化层139上涂敷诸如聚合物这样的高分子有机物质，以形成有机层141。这里，可以将烯烃聚合物（聚乙烯、聚丙烯）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、环氧树脂、氟树脂、聚硅氧烷等用于形成了有机层141的高分子层。
另外，在包括有机层141的基板的整个表面上另外形成由例如二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）（无机绝缘材料）这样的绝缘材料制成的第二钝化层143，以阻止水分通过有机层141渗入。
此外，尽管在图中没有示出，但在包括第二钝化层143的基板的整个表面上设置粘合剂，以面向阻挡膜147用于封装有机发光二极管（E），并且由具有透明粘合特性的玻璃料、有机绝缘材料和高分子物质中的任何一种制成的粘合剂（未示出）被完全胶合到基板101和阻挡膜147而没有空气层，并且被插入在基板101和阻挡膜147之间。这里，根据本发明，将作为示例描述针对粘合剂145使用压敏胶（PSA）的情况。
以这种方式，通过粘合剂145将基板101固定到阻挡膜147以形成面板形态，从而配置根据本发明的实施方式的有机电致发光装置100。
根据本发明的实施方式的有机电致发光装置100，可以在与显示区（AA）的侧面平行的方向（即，垂直方向）上以规则的间隔将位于面板的外部的第二间隔体133b和第三间隔体133c的结构显示为两列形式，而不是如在相关技术中地在非显示区（NA）中与显示区的侧面垂直地以条形纵向地设置第二间隔体133b和第三间隔体133c，以将在针对封装处理的有机层的涂敷期间的扩散缺陷最小化，并且将有机层的边缘部分处的台阶最小化，从而抑制水分通过有机层的侧面渗透。
此外，根据本发明的实施方式的有机电致发光装置100，可以在与显示区（AA）的侧面平行的方向（即，垂直方向）以规则的间隔将位于面板的外部的第二间隔体133b和第三间隔体133c的结构显示为两列形式，以防止在针对封装处理的有机层的涂敷期间的扩散缺陷，并且增强随后形成的第二钝化层的堆叠覆盖，从而防止水分渗入到有机层的侧面，以提高可靠性。
另一方面，下面将参照图9和图10描述根据本发明的另一实施方式的柔性有机电致发光装置。
图9是例示了根据本发明的另一实施方式的柔性有机电致发光装置的显示区和非显示区的示意性平面图。
图10是例示了作为沿图9的线X-X的截面图的根据本发明的另一实施方式的有机电致发光装置的示意性截面图。
根据发射的光的传输方向将根据本发明的另一实施方式的柔性有机电致发光装置200划分成顶发射型和底发射型，下面，根据本发明，将作为示例描述顶发射型。
此外，除了第二间隔体233b的结构之外，根据本发明的另一实施方式的柔性有机电致发光装置200具有与根据本发明的实施方式的有机电致发光装置相同的组成部件，下面将对其进行详细描述。
参照图9和图10，在根据本发明的另一实施方式的柔性有机电致发光装置200中，由阻挡膜130对形成有驱动薄膜晶体管（DTr）和有机发光二极管（E）的基板101进行封装。
具体地描述根据本发明的另一实施方式的柔性有机电致发光装置200，如图9所示，在具有柔性特性的基板201上限定显示区（AA），在显示区（AA）的外部限定非显示区（NA），并且设置了多个像素区域（P），各自被限定为由选通线（未示出）和数据线（未示出）围绕的区域，并且在显示区（AA）中与数据线（未示出）平行地设置电源线（未示出）。
这里，用柔性玻璃基板或具有柔性特性的塑料材料来制造柔性基板201，以即使当像纸一样弯曲柔性有机电致发光装置200时也能照原样保持显示性能。
此外，在基板201上设置由绝缘材料二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）（无机绝缘材料）制成的缓冲层203。这里，缓冲层203形成在后续处理期间形成的半导体层205的下部，以防止由于在半导体层205的结晶期间由来自基板201的内部的碱离子的发射所导致的半导体层205的特性劣化。
此外，在缓冲层203的上部的显示区（AA）内的各像素区域（P）处形成由纯多晶硅制成的半导体层205，以分别与驱动区域（未示出）和开关区域（未示出）相对应，并且半导体层205包括在其中部形成沟道的第一区域205a以及在第一区域205a的两个侧面掺杂有高浓度杂质的第二区域205b和205c。
在包括半导体层205的缓冲层203上形成栅绝缘层207，并且在栅绝缘层207上形成栅极209，以对应于驱动区域（未示出）和开关区域（未示出）中的各半导体层205的第一区域205a。
此外，在栅绝缘层207上形成选通线（未示出），选通线连接到形成在开关区域（未示出）中的栅极（未示出）并且沿一个方向延伸。这里，栅极209和选通线（未示出）可以具有由低电阻特性的例如铝（Al）、铝合金（AlNd）、铜（Cu）、铜合金、钼（Mo）和钼钛（MoTi）中的任何一种材料这样的第一金属材料制成的单层结构，或者可以具有由第一金属材料中的两种或更多种材料制成的双层或三层结构。根据附图，例示了栅极209和选通线（未示出）具有单层结构。
另一方面，在栅极209和选通线（未示出）上的显示区的整个表面上形成由诸如无机绝缘材料二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）这样的绝缘材料制成的第一层间绝缘层221。这里，在第一层间绝缘层221和位于第一层间绝缘层221的下部的栅绝缘层207上设置用于将分别位于各半导体层的第一区域205a的两个侧面处的第二区域205b和205c露出的半导体层接触孔（未示出）。
此外，在包括半导体层接触孔（未示出）的第一层间绝缘层221的上部形成数据线223以及与数据线223分开的电源线（未示出），数据线223与选通线（未示出）交叉以限定像素区域（SP），并且用诸如铝（Al）、铝合金（AlNd）、铜（Cu）、铜合金、钼（Mo）、钼钛（MoTi）、铬（Cr）和钛（Ti）中的任何一种或两种或更多种材料这样的第二金属材料制成。这里，可以在形成有选通线（未示出）的层（即，栅绝缘层）上与选通线（未示出）分开并与选通线平行地形成电源线（未示出）。
另外，在第一层间绝缘层221上的各驱动区域（未示出）和开关区域（未示出）中形成源极223a和漏极223b，其中，源极223a和漏极223b与彼此分开的第二区域205b和205c相接触，并通过半导体层接触孔（未示出）将源极223a和漏极223b分别露出，并且用与数据线（未示出）的材料相同的第二金属材料来形成源极223a和漏极223b。这里，顺序地沉积在驱动区域（未示出）上的半导体层和栅绝缘层、栅极209和第一层间绝缘层221以及形成为彼此分开的源极223a和漏极223b形成了驱动薄膜晶体管（DTr）。
另一方面，尽管在图中作为示例示出了数据线223、源极223a和漏极223b都具有单层结构，但组成元件可以具有双层或三层结构。
这里，尽管在图中没有示出，但在开关区域（未示出）中还形成有具有与驱动薄膜晶体管（DTr）相同的层结构的开关薄膜晶体管（未示出）。这里，开关薄膜晶体管（未示出）电连接到驱动薄膜晶体管（DTr）、选通线（未示出）和数据线223。换言之，选通线和数据线223分别连接到开关薄膜晶体管（未示出）的栅极（未示出）和源极（未示出），并且开关薄膜晶体管（未示出）的漏极（未示出）电连接到驱动薄膜晶体管（DTr）的栅极209。
另一方面，根据本发明的实施方式的有机电致发光装置的基板201，示出了驱动薄膜晶体管（DTr）和开关薄膜晶体管（未示出）具有多晶硅半导体层205，并且作为示例被配置为顶栅型，但本领域技术人员应该理解，驱动薄膜晶体管（DTr）和开关薄膜晶体管（未示出）还可以被配置为具有非晶硅半导体层的底栅型。
当驱动薄膜晶体管（DTr）和开关薄膜晶体管（未示出，STr）被配置为底栅型时，层状结构包括栅极、栅绝缘层、纯非晶硅的有源层、由具有掺杂了杂质的非晶硅的欧姆接触层制成的彼此分开的半导体层、以及彼此分开的源极和漏极。这里，其特性在于：在形成有栅极的层上将选通线形成为连接到开关薄膜晶体管的栅极，并且在形成有开关薄膜晶体管的源极的层上将数据线形成为连接到源极。
另一方面，在驱动薄膜晶体管（DTr）和开关薄膜晶体管（未示出）上形成具有用于将驱动薄膜晶体管（DTr）的漏极223b露出的漏极接触孔（未示出）的第二层间绝缘层225和有机绝缘层227。这里，将无机绝缘材料二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）用于第二层间绝缘层225。此外，将诸如聚合物这样的高分子有机物质用于有机绝缘层227。
此外，在有机绝缘层227上形成第一电极229，第一电极229通过漏极接触孔（未示出）与驱动薄膜晶体管（DTr）的漏极223b相接触，并且针对各像素区域（SP）具有分开的形式。
另外，在第一电极229的各像素区域（SP）的边界和非显示区（NA）中形成具体地用诸如苯并环丁烯（BCB）、聚酰亚胺或光亚克力这样的绝缘材料制成的堤岸231a和231b。这里，堤岸231a以围绕各像素区域（SP）的形式形成为与第一电极229的边缘交叠，并且在显示区（AA）中形成总体上具有多个开口部分的晶格形状。此外，堤岸231b在非显示区（NA）中形成总体上覆盖驱动电路单元的上部的形状。
此外，在各像素区域（SP）的堤岸231a的上部形成第一间隔体233a，并且在非显示区（NA）的堤岸231b的上部形成第二间隔体233b。这里，第一间隔体233a用于保持预定的间隙以不允许在有机发光层的沉积处理期间掩膜与基板201相接触。
这里，各像素区域（SP）的第一间隔体233a形成为点形状，并且在与显示区（AA）的侧面平行的垂直方向上将面板外部的非显示区（NA）的第二间隔体233b布置为条状。换言之，将第二间隔体233b的长边缘布置为平行于与第二间隔体233b的长边缘相对应的显示区（AA）的一侧边缘。这里，在面板外部的非显示区（NA）的第二间隔体233b用于当在封装处理期间涂敷有机层时使扩散最小化并且允许在边缘部分的台阶处均匀地进行涂敷。
此外，将在面板外部的非显示区（NA）的第二间隔体233b布置在位于有机电致发光装置的两侧处的非显示区（NA）内（即，在位于彼此相对应的短边缘处的非显示区（NA）内）。这是因为，由于在有机电致发光装置的短边缘侧的区域（即，边框）比长边缘侧的区域更窄，所以在有机层的涂敷期间在非显示区（NA）的短边缘侧会突然地形成有机层扩散或台阶。因此，在面板外部的非显示区（NA）的第二间隔体233b优选地形成在位于有机电致发光装置的两个短边缘侧的非显示区（NA）内。
另外，在由堤岸231a围绕的各像素区（SP）内的第一电极229上形成包括用于分别发射红色、绿色和蓝色的有机发光图案（未示出）的有机发光层235。有机发光层235可以被配置为由有机发光材料制成的单层，或者，尽管在图中没有示出，但可以被配置为具有空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层。
此外，在有机发光层235和堤岸231a的上部的显示区（AA）的整个表面上形成第二电极237。这里，第一电极229、第二电极237以及插入在229和237两个电极之间的有机发光层235形成了有机发光二极管（E）。
针对有机发光二极管（E），当根据所选择的颜色信号向第一电极229和第二电极237施加预定的电压时，从第一电极229注入的空穴和从第二电极237提供的电子被传输到有机发光层235以形成激子，并且当激子从激发态跃迁到基态时，光被产生并且以可见光的形式发射。此时，发射的光通过透明的第二电极237到达外部，因而柔性有机电致发光装置200实现任何图像。
另一方面，在包括第二电极237的基板的整个表面上形成由具体地是二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）（无机绝缘材料）的绝缘材料制成的第一钝化层239。这里，仅利用第二电极237无法完全抑制水分渗入到有机发光层235，因而在第二电极237上形成第一钝化层239，以完全抑制水分渗入到有机发光层235。
此外，在第一钝化层239上涂敷诸如聚合物这样的高分子有机物质，以形成有机层241。这里，可以将烯烃聚合物（聚乙烯、聚丙烯）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、环氧树脂、氟树脂、聚硅氧烷等用于形成了有机层241的高分子层。
另外，在包括有机层241的基板的整个表面上另外形成由例如二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）（无机绝缘材料）这样的绝缘材料制成的第二钝化层243，以阻止水分通过有机层241渗透。
此外，尽管在图中没有示出，但在包括第二钝化层243的基板的整个表面上设置粘合剂，以面向阻挡膜247用于封装有机发光二极管（E），并且由具有透明粘合特性的玻璃料、有机绝缘材料和高分子物质中的任何一种制成的粘合剂（未示出）被完全胶合到基板201和阻挡膜247而没有空气层，并且被插入在基板201和阻挡膜247之间。这里，根据本发明，将作为示例描述针对粘合剂245使用压敏胶（PSA）的情况。
以这种方式，通过粘合剂245将基板201固定到阻挡膜247以形成面板形态，从而配置根据本发明的有机电致发光装置200。
根据本发明的另一实施方式的有机电致发光装置200，可以在与显示区（AA）的侧面平行的方向（即，垂直方向）上将位于面板的外部的第二间隔体233b的结构显示为直线形状，而不是如在相关技术中地在非显示区（NA）中与显示区的侧面垂直地以条形纵向地设置第二间隔体233b，以将在针对封装处理的有机层的涂敷期间的扩散缺陷最小化，并且将有机层的边缘部分处的台阶最小化，从而抑制水分通过有机层的侧面渗透。
此外，根据本发明的另一实施方式的有机电致发光装置200，可以在与显示区（AA）的侧面平行的方向（即，垂直方向）上将位于面板的外部的第二间隔体233b的结构显示为直线形状，以防止在针对封装处理的有机层的涂敷期间的扩散缺陷，并且增强随后形成的第二钝化层的堆叠覆盖，从而防止水分渗入到有机层的侧面，以提高可靠性。
然而，本领域技术人员可以理解的是，在不改变本发明的技术构思和必要特征的情况下，前述的本发明可以实现为其它特定的形式。
因此，应该理解的是，前面的实施方式仅为说明性的，在所有方面都不是限制性的。本发明的范围由所附权利要求限定，而不是由详细的描述限定，从权利要求的含义、范围和等同概念推导出的所有改变和修改应该被解释为包括在本发明的范围内。
Claims (8)
1.一种柔性有机电致发光装置，所述柔性有机电致发光装置包括：
基板，所述基板被限定为具有包括多个像素区域的显示区以及在所述显示区外部的非显示区；
开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管形成在所述基板的各像素区域；
第一电极，所述第一电极连接到所述驱动薄膜晶体管的漏极，并且形成在所述各像素区域；
堤岸，所述堤岸形成在包括所述第一电极的所述基板的所述显示区和所述非显示区上，以使所述各像素区域绝缘；
间隔体，所述间隔体形成在所述基板的所述非显示区中的堤岸上，并且布置在与所述显示区的侧面平行的垂直方向上；
有机发光层，所述有机发光层针对所述各像素区域分开地形成在所述第一电极上；
第二电极，所述第二电极形成在所述有机发光层上的所述显示区的整个表面上；
有机层，所述有机层形成在包括所述第二电极的所述基板的整个表面上；
阻挡膜，所述阻挡膜面向所述基板；以及
粘合剂，所述粘合剂插入在所述基板和所述阻挡膜之间，以将所述基板粘合到所述阻挡膜，以实现面板形态。
2.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光装置，其中，所述间隔体在所述非显示区中的与所述显示区的侧面平行的垂直方向上彼此分开预定的距离，并且被布置为两列形式。
3.根据权利要求2所述的柔性有机电致发光装置，其中，将形成在第一列中的间隔体交替地布置为不与形成在第二列中的间隔体相对应。
4.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光装置，其中，在所述非显示区中的与所述显示区的侧面平行的垂直方向上将所述间隔体布置为直线形状。
5.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光装置，其中，将所述间隔体形成在所述显示区的所述堤岸上。
6.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光装置，其中，将由无机绝缘材料制成的钝化层插入在所述有机层的上部和下部之间。
7.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光装置，其中，所述基板被配置为从柔性玻璃基板和塑料板中选择的一种。
8.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光装置，其中，将有机绝缘层和由无机绝缘材料制成的层间绝缘层插入在所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管二者与所述第一电极之间。
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