CN107527551A - 具有改善的环境耐受性的显示设备 - Google Patents

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CN107527551A CN201710449755.3A CN201710449755A CN107527551A CN 107527551 A CN107527551 A CN 107527551A CN 201710449755 A CN201710449755 A CN 201710449755A CN 107527551 A CN107527551 A CN 107527551A
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Abstract

公开了一种显示设备，该显示设备包括衬底、薄膜封装层和第一阻挡坝，其中，衬底包括显示区和围绕显示区的非显示区，薄膜封装层布置在衬底上，第一阻挡坝布置在显示区外部，第一阻挡坝具有至少一层。第一阻挡坝的多个部分被去除，并且因此，第一阻挡坝的经分割的片段彼此间隔开，以及第二阻挡坝布置在第一阻挡坝的与间隔部分对应的前部和后部的至少一个中。

Description

具有改善的环境耐受性的显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年6月16日提交至韩国知识产权局的第10-2016-0075099号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式大体涉及显示设备。更具体地，一个或多个实施方式涉及具有改善的环境耐受性的显示设备。
背景技术
通常，显示设备可用于移动装置(诸如，智能手机、膝上型计算机、数字相机、摄像机、移动信息终端以及平板个人计算机)和电子装置(诸如，台式计算机、TV盒、户外广告面板、展览用显示设备、车辆仪表板以及平视显示器(HUD))中。
近来，更纤薄的显示设备已经被开发。
此外，柔性显示设备易于携带以及可应用于具有各种形状的装置。基于有机发光显示技术的柔性显示设备可以是最吸引人的柔性显示设备之一。柔性显示设备可以沿一个或多个方向弯曲。
然而，由于外部碰撞，外部空气和水分可能渗透至显示设备的显示区中。
发明内容
一个或多个实施方式包括具有对外部空气和水分的改善的抵抗力的显示设备。
额外的方面将在以下描述中部分地陈述，并且将从描述中显而易见，或可通过实践所呈现的实施方式而习得。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括衬底、薄膜封装层和第一阻挡坝，其中，衬底包括显示区和围绕显示区的非显示区，薄膜封装层布置在衬底上，第一阻挡坝布置在显示区外部，第一阻挡坝具有至少一层。第一阻挡坝的多个部分通过所述部分之间的空隙彼此间隔开，以及第二阻挡坝布置成与第一阻挡坝中的空隙的前部和后部中的至少一个对应。
第一阻挡坝可具有以下中的一种：至少一层有机膜结构、至少一层无机膜结构以及包括至少一层有机膜和至少一层无机膜的层叠结构。
第一阻挡坝可包围显示区。
第二阻挡坝可具有以下中的一种：至少一层有机膜结构、至少一层无机膜结构以及包括至少一层有机膜和至少一层无机膜的层叠结构。
第二阻挡坝可布置在显示区与第一阻挡坝之间，第二阻挡坝的第一侧壁可面对显示区，以及第二阻挡坝的第二侧壁可面对第一阻挡坝中的空隙。
第二阻挡坝可具有比空隙大的长度，以及第二阻挡坝的一个端部可与第一阻挡坝的第一端部重叠，第一阻挡坝的第一端部与空隙的一个端部相邻，第二阻挡坝的相对端部可与第一阻挡坝的第二端部重叠，第一阻挡坝的第二端部与空隙的相对端部相邻，以使得第二阻挡坝可延伸超过空隙的一个端部和空隙的相对端部二者。
第二阻挡坝可具有岛状。
第二阻挡坝可包围显示区。
第二阻挡坝可布置在第一阻挡坝的前部和后部二者处。
显示区可包括薄膜晶体管、显示元件以及至少一个有机膜，其中，薄膜晶体管包括半导体有源层、栅电极、源电极和漏电极，显示元件连接至薄膜晶体管。多个电压供应线可布置在非显示区中，至少一个有机膜可布置在显示区上，以及第一阻挡坝和第二阻挡坝可彼此间隔开。
电压供应线可包括分别施加有不同的电压的第一电压供应线和第二电压供应线，第一电压供应线和第二电压供应线可在其间具有间隙，以及连接有机膜和第一阻挡坝的连接器可布置在间隙中。
连接器可穿过不具有有机膜的分离区。
第二阻挡坝可布置在分离区中。
第二阻挡坝可布置在有机膜与第一阻挡坝之间，第二阻挡坝的第一侧壁可面对布置在显示区上的有机膜，以及第二阻挡坝的第二侧壁可面对第一阻挡坝中的空隙。
第一电压供应线可包括：与显示区的侧部对应的第一主线；以及在第一方向上从第一主线延伸的第一连接线，第二电压供应线可包括：包围显示区的其余区域的第二主线；以及在第一方向上从第二主线延伸的第二连接线，以及间隙可定位在第一连接线和第二连接线之间。
第二阻挡坝可具有岛状。
第二阻挡坝可包围显示区。
半导体有源层和栅电极之间布置有栅极绝缘层；栅电极与源电极和漏电极之间布置有层间绝缘层；源电极和漏电极上布置有平坦化膜；平坦化膜上布置有像素限定层；以及像素限定层上布置有间隔件，第一阻挡坝可包括与栅极绝缘层、层间绝缘层、平坦化膜、像素限定层和间隔件中的至少一种的材料相同的材料，以及有机膜可依次在与衬底垂直的方向上层叠。
第二阻挡坝可与栅极绝缘层、层间绝缘层、平坦化膜、像素限定层和间隔件中的至少一种位于同一层。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括衬底、薄膜封装层和第一阻挡坝，其中，衬底包括显示区和围绕显示区的非显示区，薄膜封装层布置在衬底上，第一阻挡坝布置在显示区的外部，第一阻挡坝具有至少一层。第一阻挡坝的多个部分通过所述部分之间的空隙彼此间隔开，以及第二阻挡坝布置成与第一阻挡坝中的空隙的前部和后部中的至少一个对应，以及第二阻挡坝包围显示区。
第一阻挡坝可包围显示区。
附图说明
从以下结合附图的实施方式的描述中，这些和/或其它方面将变得显而易见并更容易理解，附图中：
图1是根据本公开实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是沿图1的线Ⅱ-Ⅱ'截取的剖视图；
图3是图1的显示设备中的平坦化膜、电压供应线、第一阻挡坝和第二阻挡坝的示意性平面图；
图4是图3的平坦化膜以及第一阻挡坝和第二阻挡坝的放大平面图；
图5是沿图3的线Ⅴ-Ⅴ'截取的剖视图；
图6是根据本公开另一实施方式的平坦化膜以及第一阻挡坝和第二阻挡坝的放大平面图；以及
图7是图4的变型。
具体实施方式
现在将详细参照实施方式，实施方式的示例在附图中示出，在全部附图中，相同的附图标记代表相同的元件。就此而言，所呈现的实施方式可具有不同的形式，并且不应被理解为限于本文中所陈述的描述。相应地，以下仅通过参照附图对实施方式进行描述来说明本说明书的方面。当诸如“......中的至少一个”的表述在元件的列表之后时，修饰元件的整个列表，而不修饰列表中的单个元件。
由于发明构思可具有多种修改实施方式，优选的实施方式在附图中示出并在详细描述中进行了描述。然而，这不将发明构思限制在具体实施方式内，并且应理解的是，发明构思涵盖在发明构思的思想和技术范围内的所有修改、等同和替换。在本公开的描述中，当认为对相关技术的某些详细说明可能不必要地使发明构思的要旨模糊时，省略了对它们的详细说明。
将理解的是，虽然在本文中可使用用语“第一”、“第二”等描述多种部件，但这些部件不应受到这些用语的限制。这些用语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
此申请中使用的用语仅用于描述某些实施方式，不旨在限制所呈现的实施方式。如本文中所使用的，除非上下文清楚地另有指示，否则单数形式“一(a)”、“一(an)”以及“该(the)”还旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用用语“包括”和/或“包括有”时，指示所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或添加。
现在将参照附图更全面地描述本公开，附图中示出了本公开的实施方式。附图中相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，将省略对它们的重复描述。附图可能不是按比例的。所有数值为近似的，并可变化。具体材料和合成物的所有示例被认为是非限制性的且仅为示例性的。可代替地使用其它合适的材料和合成物。
图1是根据本公开实施方式的显示设备10的示意性平面图；图2是沿图1的线Ⅱ-Ⅱ'截取的剖视图；图3是图1的显示设备10中的平坦化膜109、电压供应线300、第一阻挡坝410和第二阻挡坝420的示意性平面图；图4是图3的平坦化膜109以及第一阻挡坝410和第二阻挡坝420的放大平面图；以及图5是沿图3的线Ⅴ-Ⅴ'截取的剖视图。
参照图1至图5，显示设备10可包括衬底101、在衬底101上的显示单元100以及密封显示单元100的薄膜封装层200。
衬底101可包括多种材料。例如，衬底101可包括主要包括SiO2的透明玻璃。然而，衬底101不限于此，并可包括透明塑性材料。塑性材料可以是聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的一种。
当显示器是其中图像被引导通过衬底101的底部发射型显示器时，衬底101可包括透明材料。当显示器替代地为顶部发射型显示器(其引导图像远离衬底101)时，衬底101可不包括透明材料。在该后一情形中，衬底101可例如包括金属。例如，衬底101可包括铜(Cu)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、不锈钢(SUS)、因瓦(invar)合金、因科镍(inconel)合金或科瓦(koval)合金。
显示单元100可布置在衬底101上。衬底101可包括显示区DA和围绕显示区DA的非显示区NDA，其中显示区DA显示用户可识别的图像。
多个像素P可布置在显示区DA中。像素P可布置在数据线DL和扫描线SL的交叉点附近。向显示元件114供应电力的电压供应线300可布置在非显示区NDA中。根据实施方式，电源(未示出)或将电信号从信号发生器(未示出)传输至显示区DA的焊盘单元150可布置在非显示区NDA中。
在下文中，将参照图2详细描述显示单元100的结构。
为了便于描述，图2仅示出了由薄膜晶体管110代表的驱动薄膜晶体管，并未示出开关薄膜晶体管和存储电容器，即使它们可以存在。
缓冲层102可布置在衬底101上。缓冲层102可在衬底101上提供平坦表面，以及可阻止外来物质或水分从衬底101的渗透。例如，缓冲层102可包括无机材料(诸如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化钛(TiO2)或氮氧化钛(TiON))、有机材料(诸如，聚酰亚胺、聚酯或压克力)或它们的多种堆叠。
薄膜晶体管110和电连接至薄膜晶体管110的显示元件114可布置在衬底101上。
薄膜晶体管110可包括半导体有源层103、栅电极105、源电极107以及漏电极108。在下文中，假定薄膜晶体管110是顶栅型薄膜晶体管，其中，半导体有源层103、栅电极105、源电极107以及漏电极108顺序地形成。然而，本实施方式不限于此，以及薄膜晶体管110可具有多种配置和类型，诸如，底栅型晶体管。
半导体有源层103可包括半导体材料(诸如，非晶硅或多晶硅)。然而，本实施方式不限于此，并且半导体有源层103可包括多种材料。根据实施方式，半导体有源层103可包括有机半导体材料。根据另一实施方式，半导体有源层103可包括氧化物半导体材料。例如，半导体有源层103可包括从12族、13族和14族的金属元素(诸如，锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)和锗(Ge)及其任意组合)选择的材料的氧化物。
栅极绝缘膜104可布置在半导体有源层103上。栅极绝缘膜104可包括无机材料(诸如，硅氧化物或硅氮化物)，以及可包括单个层或多个层。根据另一实施方式，栅极绝缘膜104可包括有机材料以及可包括单个层或多个层。栅极绝缘膜104可使半导体有源层103与栅电极105绝缘。栅极绝缘膜104可延伸至显示区DA及非显示区NDA中的一部分。
栅电极105可布置在栅极绝缘膜104上。栅电极105可连接至向薄膜晶体管110施加导通(ON)/截止(OFF)信号的栅线(未示出)。
栅电极105可包括低电阻金属。例如，栅电极105可包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)选择的金属中的至少一种，以及可包括单个层或多个层。
层间绝缘膜106可布置在栅电极105上。层间绝缘膜106可使栅电极105与源电极107和漏电极108绝缘。层间绝缘膜106可延伸至显示区DA及非显示区NDA中的一部分。
层间绝缘膜106可包括无机材料以及可包括单个层或多个层。例如，无机材料可以是金属氧化物或金属氮化物，以及具体地，无机材料可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锆(ZrO2)。根据另一实施方式，层间绝缘膜106可包括有机材料以及可包括单个层或多个层。
源电极107和漏电极108可布置在层间绝缘膜106上。源电极107和漏电极108可接触半导体有源层103的区域。
例如，源电极107和漏电极108可包括从Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu选择的金属中的至少一种，以及可包括单个层或多个层。例如，源电极107和漏电极108可具有Ti、Al和Ti的三层结构。
钝化膜115和平坦化膜109可布置在薄膜晶体管110上。
钝化膜115可在显示设备10的制造过程期间保护薄膜晶体管110免受杂质影响。钝化膜115可包括无机材料，诸如，SiO2、SiNx或SiON。
平坦化膜109的上表面通过消除由薄膜晶体管110引起的台阶来制造为平坦的，并且因此，可防止由于显示元件114下方的凹陷而引起的显示元件114中的缺陷。平坦化膜109可包括有机材料，以及可包括单个层或多个层。有机材料可包括一般聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、包括酚醛基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物或其任意混合物。根据实施方式，平坦化膜109可以是无机绝缘膜和有机绝缘膜的复合层叠。
显示元件114可布置在平坦化膜109上。显示元件114可以是有机发光器件，其中有机发光器件包括第一电极111、第二电极113以及在第一电极111和第二电极113之间的中间层112。
第一电极111可布置在平坦化膜109上，并可电连接至薄膜晶体管110。第一电极111可具有多种形状。例如，第一电极111可被图案化成岛状。
作为一个示例，第一电极111可以是反射电极。照此，第一电极111可包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)和铝锌氧化物(AZO)中的至少一种。
第二电极113可以是透明或半透明电极，并可包括具有小功函数的金属薄膜，例如，Li、Ca、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的一些化合物。此外，还可通过透明电极材料(诸如，ITO、IZO、ZnO或In2O3)在金属薄膜上形成有辅助电极层或总线电极。因此，第二电极113可传输从包括在中间层112中的有机发射层发出的光。从有机发射层发出的光可直接发射至第二电极113或当第一电极111被配置为反射电极时在被第一电极111反射之后发射至第二电极113。
然而，根据本实施方式的显示单元100不限于顶部发射型配置，并且可以是底部发射型显示器，在底部发射型显示器中，来自有机发射层的光朝衬底101发射。在这种情况下，第一电极111可包括透明或半透明电极，以及第二电极113可包括反射电极。此外，根据本实施方式的显示单元100可以是双面发射型显示器，其朝显示单元100的前侧和后侧二者发射光。
像素限定层119可布置在第一电极111上，其中像素限定层119包括一种或多种绝缘材料。像素限定层119可包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)和酚醛树脂中的至少一种有机绝缘材料，并可通过旋涂形成。像素限定层119可暴露第一电极111的预定区域，并且包括有机发射层的中间层112可布置在该暴露的区域上。像素限定层119可因此限定有机发光器件的像素区域。
包括在中间层112中的有机发射层可包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。除有机发射层之外，中间层112还可选择性地包括功能层，诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)。
间隔件120可布置在像素限定层119上。间隔件120可包括有机材料，以及可包括单个层或多个层。间隔件120可布置在像素区域周围。间隔件120可将衬底101和薄膜封装层200彼此强联接或粘合。间隔件120可保护显示特性不受外部碰撞影响。
间隔件120和像素限定层119可通过照相过程(photographic process)或光刻过程由光敏材料形成。根据实施方式，间隔件120和像素限定层119可同时通过曝光过程形成，其中曝光量通过半色调掩模调节。
薄膜封装层200可通过密封显示单元100来保护显示单元100不受外部氧和水分影响。薄膜封装层200可包括无机膜210和无机膜220中的至少一个，以及至少一个有机膜230。图2示出了其中有机膜230夹在无机膜210和无机膜220之间的薄膜封装层200的示例。然而，本公开不限于此。例如，薄膜封装层200还可包括以任意数量交替层叠的多个附加的无机封装膜和有机封装膜。
有机膜230可包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂和二苯嵌苯树脂中的至少一种有机材料。
无机膜210和无机膜220可包括SiNx、AlN、氮化锆(ZrN)、TiON、氮化铪(HfN)、氮化钽(TaN)、SiOx、Al2O3、TiO2、氧化锡(SnO2)、氧化铈(CeO2)和SiON中的至少一种无机材料。
在图2和图3中，电压供应线300可布置在非显示区NDA中。电压供应线300可包括第一电压供应线310和第二电压供应线320。例如，第一电压供应线310可以是第一电源电压(ELVDD)线，以及第二电压供应线320可以是第二电源电压(ELVSS)线。第二电压供应线320可连接至第二电极113。图2示出了其中第二电压供应线320和第二电极113经由布线116彼此连接的示例。然而，本公开不限于此，并且第二电压供应线320和第二电极113可替代地直接彼此连接。
第一电压供应线310可包括布置成与显示区DA的侧部对应的第一主线311和第一连接线312。
当显示区DA的形状为矩形时，第一主线311可布置成与显示区DA的任一侧部对应。第一主线311可布置成与显示区DA的任一侧部平行。与第一主线311对应的任一侧部可与焊盘单元150相邻。
第一连接线312可在第一方向上从第一主线311延伸。第一方向可以是从显示区DA至焊盘单元150的方向，以及第一连接线312可电连接至焊盘单元150。第一连接线312的一部分可被暴露。
第二电压供应线320可包括第二主线321和第二连接线322，第二主线321包围显示区DA的其余区域和第一主线311的两端，以及第二连接线322在第一方向上从第二主线321延伸。第二连接线322可电连接至焊盘单元150。第二连接线322的一部分可被暴露。
第一连接线312和第二连接线322可在第二方向上布置成彼此间隔开。第一连接线312和第二连接线322可以以间隔d彼此分离。
根据实施方式，电压供应线300可由与源电极107和漏电极108的材料相同的材料形成。例如，电压供应线300可具有层状结构，该层状结构具有包括Ti的第一层、包括Al的第二层以及包括Ti的第三层。电压供应线300的侧表面可被钝化膜115覆盖。
第一阻挡坝410的至少一层可布置在显示区DA的外部。第一阻挡坝410可包围显示区DA。当形成薄膜封装层200的有机膜230以密封显示单元100时，第一阻挡坝410可阻止有机材料在沿衬底101的边缘的方向上流动，以及可防止有机膜230的边缘拖尾的形成。根据实施方式，第一阻挡坝410可覆盖第二主线321的外侧边缘。
第一阻挡坝410可具有至少一个层。根据实施方式，第一阻挡坝410可包括第一坝部411、布置在第一坝部411上的第二坝部412以及布置在第二坝部412上的第三坝部413。第一坝部411至第三坝部413可在与衬底101垂直的方向上依次层叠。
第一坝部411可与平坦化膜109位于同一层。第一坝部411可由与平坦化膜109的材料相同的材料通过同样的过程形成。第二坝部412可与像素限定层119位于同一层。第二坝部412可以由与像素限定层119的材料相同的材料通过同样的过程形成。第三坝部413可与间隔件120位于同一层。第三坝部413可以由与间隔件120的材料相同的材料通过同样的过程形成。
虽然将三层的第一阻挡坝410作为示例描述，但第一阻挡坝410不限于此。第一阻挡坝410可具有以下中的一种：至少一层有机膜结构、至少一层无机膜结构以及包括至少一层有机膜和至少一层无机膜的层叠结构。
根据实施方式，第一阻挡坝410在数量上可以是多个。即，多个第一阻挡坝410可在与衬底101平行的方向上布置成相互间隔开。当第一阻挡坝410包括多个坝时，第一阻挡坝410的高度可朝衬底101的边缘增加。
当形成薄膜封装层200的有机膜230时，第一阻挡坝410可阻止有机材料在沿衬底101的边缘的方向上流动，并且因此有机膜230可布置在第一阻挡坝410的内侧。同时，薄膜封装层200的无机膜210和无机膜220可比有机膜230宽。无机膜210和无机膜220可覆盖第一阻挡坝410的外表面。无机膜210和无机膜220可在第一阻挡坝410外部彼此接触。薄膜封装层200可连接至第一阻挡坝410。
根据实施方式，不具有有机膜的分离区SA可布置在第一阻挡坝410和布置于显示区DA上的至少一个有机层之间。例如，平坦化膜109可布置在显示区DA上。平坦化膜109可在显示区DA外部延伸预定距离。根据实施方式，平坦化膜109的端部109a可覆盖第二主线321的内边缘。
分离区SA可布置在平坦化膜109的端部109a和第一阻挡坝410之间。分离区SA可防止外部空气或水分通过平坦化膜109(其可由有机材料形成)渗透至显示区DA中。
根据实施方式，布置在显示区DA上的有机膜不限于平坦化膜109，只要有机膜(其可例如包括像素限定层119)布置在布置于显示区DA上的每个元件上。布置在显示区DA上的有机膜可具有包括单个层或多个层的结构。
同时，间隔d可在第一电压供应线310的第一连接线312和第二电压供应线320的第二连接线322之间。为了覆盖间隔d，连接平坦化膜109与第一阻挡坝410的连接器301可以布置在间隔d中。连接器301可穿过不具有有机膜的分离区SA。根据实施方式，如果在分别施加有不同电压的第一电压供应线310和第二电压供应线320之间存在多个间隔，则连接器301可通过穿过分离区SA而布置在每个间隔中。
当第一阻挡坝410(例如通过碰撞、静电或薄膜封装层200的损坏)损坏时，第一阻挡坝410可能是外部空气或水分渗透通过的路径。外部空气或水分可通过位于间隔d中的连接器301渗透至显示区DA中。因此，显示区DA中可能发生像素收缩。
为了阻挡外部空气或水分的渗透路径，可去除第一阻挡坝410的至少一部分，并且因此，第一阻挡坝410的经分割的片段可彼此间隔开。换言之，间隔部分414或空隙可形成在第一阻挡坝410的端部410a和第一阻挡坝410的另一端部410b之间。间隔部分414可与这样的部分对应，在该部分中，包围显示区DA的第一阻挡坝410中的一部分被去除。根据实施方式，间隔部分414可以是其中去除了形成第一阻挡坝410的有机膜中的至少一层的区域。
因此，如图4所示，即使外部碰撞施加于显示设备10，如虚线所示，沿第一阻挡坝410流动的外部空气或水分也可被第一阻挡坝410的端部410a阻挡，并且因此，外部空气或水分可不渗透至显示区DA中。
同时，第二阻挡坝420可布置在间隔部分414的前方以防止薄膜封装层200的有机材料流动至间隔部分414中。
根据实施方式，第二阻挡坝420可布置在分离区SA中。第二阻挡坝420可布置在有机膜(例如，覆盖显示区DA的平坦化膜109)和第一阻挡坝410之间。第一阻挡坝410和第二阻挡坝420可以以预定距离g1彼此间隔开。
第二阻挡坝420的第一侧壁421可面对布置在显示区DA上的平坦化膜109。第二阻挡坝420的第二侧壁422可面对具有间隔部分414的第一阻挡坝410。根据实施方式，第二阻挡坝420可布置在第一阻挡坝410的前方，以及可具有岛状。
第二阻挡坝420可以比间隔部分414长以完全覆盖间隔部分414。第二阻挡坝420的端部420a可与第一阻挡坝410的端部410a重叠，以及第二阻挡坝420的另一端部420b可与第一阻挡坝410的另一端部410b重叠。因此，间隔部分414可在第二阻挡坝420的端部420a和另一端部410b之间被阻挡或完全覆盖。
第二阻挡坝420可以与布置在显示区DA中的有机膜中的至少一个位于同一层。根据实施方式，第二阻挡坝420可与平坦化膜109位于同一层。第二阻挡坝420可以由与平坦化膜109的材料相同的材料通过同样的过程形成。
根据实施方式，第二阻挡坝420可形成有这样的结构，该结构包括平坦化膜109和像素限定层119的多层层叠。
根据实施方式，虽然作为示例描述了第二阻挡坝420具有至少一层有机膜结构，但第二阻挡坝420不限于此。第二阻挡坝420可具有以下中的一种：至少一层有机膜结构、至少一层无机膜结构以及包括至少一层有机膜和至少一层无机膜的层叠结构。
根据实施方式，第二阻挡坝420可布置在第一电压供应线310或第二电压供应线320上。
根据实施方式，第二阻挡坝420可布置在第一阻挡坝410的前部和后部中的至少一个中。例如，如图7所示，第二阻挡坝720可布置在第一阻挡坝410的前部和后部二者中。第二阻挡坝720可包括布置在平坦化膜109和第一阻挡坝410之间的第一坝部721，以及布置在第一阻挡坝410的外侧的第二坝部722。
图6是根据本公开另一实施方式的平坦化膜109以及第一阻挡坝610和第二阻挡坝620的放大平面图。
在下文中，图1至图6中相同的附图标记指代相同的元件，并且因此，省略任何重复的描述。
参照图6，不具有有机膜的分离区SA可布置在有机膜(例如，覆盖(图3的)显示区DA的平坦化膜109)和第一阻挡坝610之间。连接器301可布置在平坦化膜109和第一阻挡坝610之间。连接器301可穿过分离区SA。
根据实施方式，平坦化膜109、第一阻挡坝610和连接器301可包括有机膜。
根据实施方式，第一阻挡坝610可具有以下中的一种：至少一层有机膜结构、至少一层无机膜结构以及包括至少一层有机膜和至少一层无机膜的层叠结构。
可去除第一阻挡坝610的至少一部分，并且因此，第一阻挡坝610的经分割的片段可彼此间隔开。间隔部分或空隙612可形成在第一阻挡坝610的端部610a和第一阻挡坝610的另一端部610b之间。空隙612可以与这样的部分对应，在该部分中，第一阻挡坝610的一部分被去除。根据实施方式，间隔部分612可以是其中去除了形成第一阻挡坝610的有机膜中的至少一层的区域。
第二阻挡坝620可布置在间隔部分612的前方。根据实施方式，第二阻挡坝620可布置在第一阻挡坝610的前部和后部的至少一个中。与图4的实施方式不同，第二阻挡坝620可形成为基本上包围显示区DA的带状或其它形状。第二阻挡坝620的形状可与第一阻挡坝610的形状对应。第二阻挡坝620可连接至连接器301。根据实施方式，第二阻挡坝620可形成为其中至少一部分被开口的开环，或形成为完全包围显示区DA的闭环。
根据实施方式，第二阻挡坝620可具有以下中的一种：至少一层有机膜结构、至少一层无机膜结构以及包括至少一层有机膜和至少一层无机膜的层叠结构。
第二阻挡坝620可布置在分离区SA中。第二阻挡坝620可布置在平坦化膜109和第一阻挡坝610之间。第二阻挡坝620的第一侧壁621可面对平坦化膜109。第二阻挡坝620的第二侧壁622可面对具有间隔部分612的第一阻挡坝610。第一阻挡坝610和第二阻挡坝620可以以预定距离g2彼此间隔开。
由于第一阻挡坝610包括间隔部分612，第一阻挡坝610可阻止外部空气或水分渗透或渗入至显示区DA中。由于第二阻挡坝620包围显示区DA，第二阻挡坝620可阻止(图2的)薄膜封装层的有机材料流动到第一阻挡坝610外侧。
由于第一阻挡坝的至少一部分被去除，根据本公开示例性实施方式的显示设备可阻挡外部空气或水分渗透至或渗入至显示区中的路径，并且因此，第一阻挡坝的经分割的片段彼此间隔开。此外，由于第二阻挡坝布置在第一阻挡坝中的空隙的前部或后部的至少一个中，第二阻挡坝可防止薄膜封装层的有机材料流动至间隔部分中。
应理解，在本文中描述的实施方式应当仅以描述性的含义理解而不是出于限制的目的。对每一实施方式中的特征或方面的描述应当通常理解为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。
虽然已参照附图描述了一个或多个实施方式，但本领域的普通技术人员将理解的是，在不背离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可在形式和细节上作出多种改变。以上描述的多种特征和其它实施方式可因此以任何方式混合及匹配，以产生与本发明一致的其它实施方式。

Claims (21)

1.显示设备，包括：
衬底，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
薄膜封装层，布置在所述衬底上；
第一阻挡坝，布置在所述显示区外部，所述第一阻挡坝具有至少一层，其中，所述第一阻挡坝的多个部分通过所述部分之间的空隙彼此间隔开；以及
第二阻挡坝，布置成与所述第一阻挡坝中的所述空隙的前部和后部中的至少一个对应。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一阻挡坝具有以下中的一种：
至少一层有机膜结构，
至少一层无机膜结构，以及
包括至少一层有机膜和至少一层无机膜的层叠结构。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述第一阻挡坝包围所述显示区。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝具有以下中的一种：
至少一层有机膜结构，
至少一层无机膜结构，以及
包括至少一层有机膜和至少一层无机膜的层叠结构。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝布置在所述显示区和所述第一阻挡坝之间，
所述第二阻挡坝的第一侧壁面对所述显示区，以及
所述第二阻挡坝的第二侧壁面对所述第一阻挡坝中的所述空隙。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝具有比所述空隙大的长度，以及
所述第二阻挡坝的一个端部与所述第一阻挡坝的第一端部重叠，所述第一阻挡坝的第一端部与所述空隙的一个端部相邻，所述第二阻挡坝的相对端部与所述第一阻挡坝的第二端部重叠，所述第一阻挡坝的第二端部与所述空隙的相对端部相邻，以使得所述第二阻挡坝延伸超过所述空隙的所述一个端部和所述空隙的所述相对端部二者。
7.根据权利要求4所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝具有岛状。
8.根据权利要求4所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝包围所述显示区。
9.根据权利要求4所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝布置于所述第一阻挡坝的前部和后部二者处。
10.根据权利要求3所述的显示设备，其中，
所述显示区包括：
薄膜晶体管，包括半导体有源层、栅电极、源电极以及漏电极，
显示元件，连接至所述薄膜晶体管，以及
至少一个有机膜，
所述非显示区中布置有多个电压供应线，
所述至少一个有机膜布置在所述显示区上，以及
所述第一阻挡坝与所述第二阻挡坝彼此间隔开。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，
所述电压供应线包括第一电压供应线和第二电压供应线，所述第一电压供应线和所述第二电压供应线分别施加有不同的电压，
所述第一电压供应线和所述第二电压供应线之间具有间隙，以及
配置成连接所述至少一个有机膜与所述第一阻挡坝的连接器布置在所述间隙中。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，
所述连接器配置成穿过不具有所述至少一个有机膜的分离区。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝布置在所述分离区中。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝布置在所述至少一个有机膜和所述第一阻挡坝之间，
所述第二阻挡坝的第一侧壁面对所述至少一个有机膜，以及
所述第二阻挡坝的第二侧壁面对所述第一阻挡坝中的所述空隙。
15.根据权利要求11所述的显示设备，其中，
所述第一电压供应线包括与所述显示区的侧部对应的第一主线和在第一方向上从所述第一主线延伸的第一连接线，
所述第二电压供应线包括包围所述显示区的其余区域的第二主线，以及在所述第一方向上从所述第二主线延伸的第二连接线，以及
所述间隙布置在所述第一连接线和所述第二连接线之间。
16.根据权利要求10所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝具有岛状。
17.根据权利要求10所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝包围所述显示区。
18.根据权利要求10所述的显示设备，其中，
所述半导体有源层和所述栅电极之间布置有栅极绝缘层；
所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间布置有层间绝缘层；
所述源电极和所述漏电极上布置有平坦化膜；
所述平坦化膜上布置有像素限定层；以及
所述像素限定层上布置有间隔件，
所述第一阻挡坝包括与所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述平坦化膜、所述像素限定层和所述间隔件中至少一种的材料相同的材料，以及
所述至少一个有机膜依次在与所述衬底垂直的方向上层叠。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，
所述第二阻挡坝与所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述平坦化膜、所述像素限定层和所述间隔件中的至少一种位于同一层。
20.显示设备，包括：
衬底，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
薄膜封装层，布置在所述衬底上；
第一阻挡坝，布置在所述显示区外部，所述第一阻挡坝具有至少一层，其中，所述第一阻挡坝的多个部分通过所述部分之间的空隙彼此间隔开；以及
第二阻挡坝，布置成与所述第一阻挡坝中的所述空隙的前部和后部中的至少一个对应，
其中，所述第二阻挡坝包围所述显示区。
21.根据权利要求20所述的显示设备，其中，
所述第一阻挡坝包围所述显示区。
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