CN114068588A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的一方面，提供一种显示装置，具备：基板，具有显示区域和环绕所述显示区域的周边区域；薄膜晶体管，位于所述显示区域，并包括半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极；第一无机绝缘层，位于所述基板上且位于所述栅极电极下方，并覆盖所述半导体层；第二无机绝缘层，位于所述第一无机绝缘层上，并覆盖所述栅极电极；第三无机绝缘层，位于所述第二无机绝缘层上，并在所述周边区域中具有第1‑3开口；有机绝缘层，位于所述第三无机绝缘层上，并覆盖所述源极电极以及所述漏极电极，并且在所述周边区域中具有与所述第1‑3开口重叠的第二开口；以及图案部，位于在所述有机绝缘层下方配置的层上，并与所述第1‑3开口以及所述第二开口重叠。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及显示装置，更详细地涉及能够将制造过程或者制造之后使用过程中的不良产生最小化的显示装置。
背景技术
在显示装置之中，有机发光显示装置由于具有不仅可视角度宽且对比度优异而且响应速度快的优点，作为下一代显示装置受到瞩目。这样的有机发光显示装置既用作手机等之类小型产品的显示部，也用作电视等之类大型产品的显示部。
具体地，有机发光显示装置具备包括空穴注入电极和电子注入电极以及形成在它们之间的有机发光层的有机发光元件，是从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发光层中复合所生成的激子(exciton)从激发态(excited state)跃迁到基态(ground state)并产生光的自发光型显示装置。
发明内容
本发明的实施例用于解决包括上述那样的问题在内的各种问题，可以提供能够将制造过程或者制造之后使用过程中的不良产生最小化的显示装置。但是，这样的问题是例示性的，本发明的范围不被此限定。
根据本发明的一观点，提供一种显示装置，具备：基板，具有显示区域和环绕所述显示区域的周边区域；薄膜晶体管，位于所述显示区域，并包括半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极；第一无机绝缘层，位于所述基板上且位于所述栅极电极下方，并覆盖所述半导体层；第二无机绝缘层，位于所述第一无机绝缘层上，并覆盖所述栅极电极；第三无机绝缘层，位于所述第二无机绝缘层上，并在所述周边区域中具有第1-3开口；有机绝缘层，位于所述第三无机绝缘层上，并覆盖所述源极电极以及所述漏极电极，并且在所述周边区域中具有与所述第1-3开口重叠的第二开口；以及图案部，位于在所述有机绝缘层下方配置的层上，并与所述第1-3开口以及所述第二开口重叠。
根据本实施例，可以是，所述图案部包括位于所述基板上的第一图案层，所述显示装置还具备：缓冲层，介于所述基板和所述第一无机绝缘层之间，并在所述周边区域中覆盖所述第一图案层。
根据本实施例，可以是，所述半导体层位于所述缓冲层上。
根据本实施例，可以是，所述第二无机绝缘层在所述周边区域中具有与所述第1-3开口重叠的第1-2开口。
根据本实施例，可以是，所述第一无机绝缘层在所述周边区域中具有与所述第1-2开口以及所述第1-3开口重叠的第1-1开口。
根据本实施例，可以是，所述图案部包括位于与所述栅极电极相同的层上的第二图案层。
根据本实施例，可以是，所述第二图案层包含与所述栅极电极相同的物质。
根据本实施例，可以是，所述图案部包括位于与所述源极电极以及所述漏极电极相同的层上的第三图案层。
根据本实施例，可以是，所述第三图案层包含与所述源极电极以及所述漏极电极相同的物质。
根据本实施例，可以是，所述显示装置还具备：存储电容器，具有与所述栅极电极一体的下电极以及在所述第二无机绝缘层和所述第三无机绝缘层之间设置成与所述栅极电极重叠的上电极，所述图案部包括位于与所述上电极相同的层上的第四图案层。
根据本实施例，可以是，所述第四图案层包含与所述上电极相同的物质。
根据本实施例，可以是，所述显示装置还具备：像素电极，在所述显示区域中与所述薄膜晶体管电连接，并位于所述有机绝缘层上；以及像素界定膜，遍布所述显示区域和所述周边区域而位于所述有机绝缘层上，所述像素界定膜在所述周边区域中具有与所述第1-3开口以及所述第二开口重叠的第三开口。
根据本发明的另一观点，提供一种显示装置，具备：基板，具有显示区域和环绕所述显示区域的周边区域；至少一个无机绝缘层，位于所述基板上；有机绝缘层，位于所述至少一个无机绝缘层上；开口部，位于所述周边区域，并包括形成在所述至少一个无机绝缘层中的第一开口和形成在所述有机绝缘层中的第二开口；以及图案部，位于所述周边区域，并与所述开口部重叠，在通过所述开口部暴露的层中，从与所述开口部重叠的部分的上面到所述基板的上面的距离比从不与所述开口部重叠的部分的上面到所述基板的上面的距离远。
根据本实施例，可以是，所述至少一个无机绝缘层包括位于所述基板上的第一无机绝缘层、位于所述第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层以及位于所述第二无机绝缘层上的第三无机绝缘层中的至少一个，所述第一开口包括形成在所述第一无机绝缘层中的第1-1开口、形成在所述第二无机绝缘层中的第1-2开口以及形成在所述第三无机绝缘层中的第1-3开口中的至少一个。
根据本实施例，可以是，通过所述开口部暴露的层为所述第一无机绝缘层、所述第二无机绝缘层或所述第三无机绝缘层。
根据本实施例，可以是，所述显示装置还具备：薄膜晶体管，位于所述显示区域，并包括半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极，所述第一无机绝缘层覆盖所述半导体层，所述第二无机绝缘层覆盖所述栅极电极，所述第三无机绝缘层覆盖所述源极电极以及所述漏极电极。
根据本实施例，可以是，所述图案部包括位于所述基板上的第一图案层、位于所述第一无机绝缘层上的第二图案层以及位于所述第二无机绝缘层上的第三图案层中的至少一个。
根据本实施例，可以是，所述显示装置还具备：薄膜晶体管，位于所述显示区域，并包括半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极，所述第二图案层包含与所述栅极电极相同的物质，所述第三图案层包含与所述源极电极以及所述漏极电极相同的物质。
根据本实施例，可以是，所述显示装置还具备：存储电容器，具有与所述栅极电极一体的下电极以及设置成在所述第二无机绝缘层和所述第三无机绝缘层之间与所述栅极电极重叠的上电极，所述图案部还包括：第四图案层，包含与所述上电极相同的物质。
根据本实施例，可以是，所述显示装置还具备：像素电极，位于所述有机绝缘层上，在通过所述开口部暴露的层上不存在包含与所述像素电极相同的物质的残膜。
除前述以外的其他方面、特征、益处从以下的用于实施发明的具体内容、权利要求书以及附图变得清楚。
(发明的效果)
根据如上述那样构成的本发明的一实施例，能够实现将制造过程或者制造之后使用过程中的不良产生最小化的显示装置。当然，本发明的范围不被这样的效果限定。
附图说明
图1是概要示出根据本发明的一实施例的母基板的一部分的平面图。
图2是放大示出图1的母基板所具有的任一个单位区域的平面图。
图3是沿图2的Ⅰ-Ⅰ’线截取的显示装置的截面图。
图4至图9是概要示出在工艺过程中产生像素电极物质残膜的工艺过程的一例的截面图。
图10是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图11是概要示出根据本发明的另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图12是概要示出根据本发明的又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图13是概要示出根据本发明的又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图14是概要示出根据本发明的又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图15是概要示出根据本发明的又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
(附图标记说明)
100：基板
101：缓冲层
103：第一无机绝缘层
105：第二无机绝缘层
107：第三无机绝缘层
109：有机绝缘层
110：像素界定膜
200：显示元件
300：开口部
310：第一开口
310-1：第1-1开口
310-2：第1-2开口
310-3：第1-3开口
320：第二开口
330：第三开口
400：图案部
410：第一图案层
420：第二图案层
430：第三图案层
440：第四图案层
具体实施方式
本发明可以施加各种变换，可以具有各种实施例，附图中例示出特定实施例，并在详细的说明中进行详细说明。本发明的效果、特征以及达成其的方法可以参照与附图一起详细后述的实施例会变明确。但是，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以各种形态实现。
以下，参照所附附图详细说明本发明的实施例，在参照附图进行说明时，对相同或者对应的构成要件赋予相同的附图标记，省略对其的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等用语以将一个构成要件与其他构成要件进行区分的目的来使用而不是限定性含义。
在以下的实施例中，除非在文脉上明确表示为不同含义，单数表达包括复数表达。
在以下的实施例中，包括或具有等用语意指说明书上记载的特征或者构成要件的存在，并不是预先排除一个以上的其他特征或构成要件的附加可能性。
在以下的实施例中，当表述为膜、区域、构成要件等部分在其他部分之上或上时，不仅包括直接在其他部分之上的情况，还包括其他膜、区域、构成要件等介于其中间的情况。
在附图中，为了便于说明，可能放大或缩小构成要件其尺寸。例如，附图中示出的各构成的大小和厚度是为了便于说明而任意示出的，因此本发明并不是必须限定于图示。
当某一实施例可以不同地实现时，特定工艺顺序也可以与说明的顺序不同地执行。例如，连续说明的两个工艺既可以实质上同时执行，也可以以与说明的顺序相反的顺序进行。
在本说明书中，“A及/或B”表示A、或者B、或者A和B的情况。另外，“A及B中至少一个”表示A、或者B、或者A和B的情况。
在以下的实施例中，当称为连接膜、区域、构成要件等时，包括膜、区域、构成要件直接连接的情况，或/及在膜、区域、构成要件的中间介有其他膜、区域、构成要件而间接连接的情况。例如，当在本说明书中称为膜、区域、构成要件等电连接时，表示膜、区域、构成要件等直接电连接的情况，及/或在其中间介有其他膜、区域、构成要件等而间接电连接的情况。
x轴、y轴及z轴不限于直角坐标系上的三轴，可以解释为包括其的广泛含义。例如，x轴、y轴及z轴可以彼此正交，但也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
以下，参照所附附图，详细说明本发明的实施例。
图1是概要示出根据本发明的一实施例的母基板MG的一部分的平面图。
如图1所示，根据本发明的一实施例的母基板MG包括多个单位区域CA。具体地，母基板MG包括位于多个单位区域CA的各个中的基板100(参照图3)。
母基板MG用于制造显示装置，多个单位区域CA的各个可以对应于设置在显示装置中的显示面板。此时，显示装置作为显示动态图像或静态图像的装置可以不仅用于移动电话(mobile phone)、智能电话(smart phone)、平板电脑(tablet personal computer)、移动通信终端机、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP，portable multimediaplayer)、导航仪、超移动个人计算机(UMPC，Ultra Mobile PC)等之类携带用电子设备，还用于电视、笔记本电脑、显示器、广告牌、物联网(internet of things，IOT)等各种产品的显示屏。另外，根据一实施例的显示装置可以用于如智能手表(smart watch)、手表电话(watch phone)、眼镜式显示器以及头戴式显示器(head mounted display，HMD)那样的可穿戴装置(wearable device)。
在图1中示出了具有用于制造平坦(flat)形态的平板显示装置的多个单位区域CA的母基板MG，但是通过本发明的母基板MG制造的显示装置可以是具有柔性而能够容易弯曲或折叠或卷曲的柔性(flexible)显示装置。例如，显示装置可以是能够折叠并展开的可折叠(foldable)显示装置、显示面弯曲的曲屏(curved)显示装置、显示面以外的区域弯曲的曲面(bended)显示装置、能够卷曲或展开的可卷曲(rollable)显示装置以及可延伸的可伸展(stretchable)显示装置等。
作为一实施例，多个单位区域CA可以在母基板MG沿第一方向(例如，x方向)及/或与第一方向交叉的第二方向(例如，y方向)配置。在图1中示出了第一方向和第二方向正交的情况，但不限于此。例如，第一方向和第二方向可以形成锐角，或者形成钝角。
作为另一实施例，如图1所示，多个单位区域CA的大小可以在平面(例如，xy平面)上彼此相同。但是，不限于此，多个单位区域CA中的至少一个单位区域的平面上大小可以与多个单位区域CA中的其他单位区域的平面上大小不同。
可以对母基板MG执行多个工艺而形成与多个单位区域CA的各个对应的元件，并执行按照单位区域CA划分的切割(cutting)工艺，从而制造多个显示面板。另外，可以追加执行针对划分的各个显示面板的研磨工艺。在这样的切割工艺以及研磨工艺过程中，可能有物理外力传递到显示面板，由此可能在显示面板外侧产生裂纹(crack)。产生的裂纹可能沿位于母基板MG上的无机绝缘层向显示面板内侧传播。即，位于各个显示面板所具备的基板100(参照图3)上的无机绝缘层可能提供可传播裂纹的路径。根据后述的本发明的实施例，在周边区域PA(参照图2)中以环绕显示区域DA(参照图2)的至少一侧的方式在无机绝缘层中的一部分形成开口而分离，从而能够防止或者最小化裂纹向显示面板内侧传播。
图2是放大示出图1的母基板MG所具有的任一个单位区域CA的平面图。
如图2所示，根据本发明的一实施例的母基板MG所具有的多个单位区域CA各自具有发出光的显示区域DA和不发出光的周边区域PA。周边区域PA可以整体地环绕显示区域DA。基板100(参照图3)可以具备相当于显示区域DA的第一区域和相当于周边区域PA的第二区域，在基板100的第一区域可以配置有像素电路以及与像素电路分别电连接的显示元件。另外，周边区域PA可以在至少一侧包括焊盘区域PDA。
在图2中示出具有平面上矩形形态的显示区域DA的显示面板。如图2所示，显示区域DA可以具有具备第一方向(x方向)的短边和第二方向(y方向)的长边的矩形的平面形态。第一方向(x方向)的短边和第二方向(y方向)的长边相交的棱角可以圆圆地形成为具有预定的曲率或者形成为直角。但是，显示区域DA的平面形态不限于上述的例示，可以具有其他多边形、椭圆形或者非定型形状等。
像素可以位于显示区域DA。像素可以具备像素电路以及与像素电路电连接的显示元件200(参照图3)。此时，显示元件200可以是有机发光二极管(organic light-emittingdevice，OLED)，但不限于此。
传送要施加于显示区域DA的电信号的各种布线可以位于整体地环绕显示区域DA的周边区域PA。另外，在周边区域PA也可以具备薄膜晶体管(未图示)。配置于周边区域PA的薄膜晶体管可以是用于对向显示区域DA内施加的电信号进行控制的电路部的一部分。
作为一实施例，周边区域PA可以在一侧包括焊盘区域PDA。在焊盘区域PDA上可以配置有包括多个焊盘的焊盘部。包括在焊盘部中的多个焊盘各自可以通过与后述的印刷电路板(PCB)的焊盘电接触而接收通过印刷电路板(PCB)输入的信号的传送。为此，焊盘部可以包括多个焊盘。多个焊盘可以不被绝缘层覆盖并暴露而与印刷电路板(PCB)等电连接。
作为另一实施例，显示面板可以包括位于一侧的构件(component)(未图示)。构件可以是利用光或声响的电子要件。例如，电子要件可以是如紫外线传感器那样接收并利用光的传感器、接收光来拍摄图像的相机、输出并感测光或声响来测定距离或识别指纹等的传感器、输出光的小型灯或者输出声音的音箱等。
开口部300可以在周边区域PA设置成环绕显示区域DA的至少一部分。在图2中示出为开口部300设置成当在平面上观察时将显示区域DA的左侧、右侧、上侧以及下侧完全环绕，但不限于此。例如，开口部300当然可以进行设置成当在平面上观察时将显示区域DA的左侧、右侧、上侧以及下侧的一部分环绕等各种变形。
图案部400可以在周边区域PA设置成环绕显示区域DA的至少一部分。具体地，图案部400设置成对应于开口部300所在的区域与开口部300重叠。
以下，参照图3，更详细地说明包括在根据本发明的一实施例的显示装置中的结构。
图3是沿图2的Ⅰ-Ⅰ’线截取的显示装置的截面图。
基板100可以包含玻璃、金属或者高分子树脂。如果基板100具有柔性或者可弯曲特性，则基板100例如可以包含聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)之类的高分子树脂。当然，基板100也可以具有包括分别包含这样的高分子树脂的两个层和介于这些层之间的包含(氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的)无机物的阻挡层的多层结构等，可进行各种变形。
缓冲层101可以位于基板100上。缓冲层101可以包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等之类无机物，并可以形成为单层或者多层。另外，缓冲层101可以延伸形成到显示区域以及非显示区域。这样的缓冲层101可以起到提高基板100的上面的平滑性，或者防止或最小化杂质或湿气从基板100的外侧等渗透到活性层的作用。
在显示区域DA中，像素电路可以位于缓冲层101上。作为一实施例，位于显示区域DA的各个像素所具备的像素电路可以包括多个薄膜晶体管以及存储电容器Cst。各个像素所具备薄膜晶体管的数量没有限制，可以进行2个至7个等各种变形。另外，各个像素当然可以根据需要还包括电容器。
各个薄膜晶体管可以包括半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极。具体地，如图3所示，可以是，第一薄膜晶体管T1包括第一半导体层A1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1以及第一漏极电极D1，第二薄膜晶体管T2包括第二半导体层A2、第二栅极电极G2、第二源极电极S2、第二漏极电极D2。此时，第一薄膜晶体管T1可以与显示元件200连接而作为驱动显示元件200的驱动薄膜晶体管发挥功能。第二薄膜晶体管T2可以与数据线(未图示)连接而作为开关薄膜晶体管发挥功能。以下，说明根据本发明的一实施例的显示装置所具备的具体结构，其可以适用于显示装置所具备多个薄膜晶体管中的至少一个(例如，T1、T2)。
半导体层可以位于缓冲层101上，并包含非晶硅或者多晶硅。作为具体例，半导体层可以包含从包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)以及锌(Zn)的组中选择的一个以上物质的氧化物。另外，半导体层可以作为Zn氧化物类物质包含Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等。另外，半导体层可以是在ZnO中含有铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)之类金属的IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITZO(In-Sn-Zn-O)或者IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O)半导体。半导体层可以在沟道区域的两旁包括掺杂杂质的源极区域以及漏极区域。
栅极电极在半导体层上方设置成与半导体层至少一部分重叠。这样的栅极电极可以包含含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的各种导电性物质，并可以具有各种层结构。例如，栅极电极可以包括Mo层和Al层，或者具有Mo/Al/Mo的多层结构。另外，在选择性实施例中，栅极电极可以具有包括覆盖金属物质的ITO层的多层结构。
源极电极以及漏极电极也可以包含含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的各种导电性物质，并具有各种层结构。例如，源极电极以及漏极电极可以包括Ti层和Al层，或者具有Ti/Al/Ti的多层结构。源极电极以及漏极电极可以通过接触孔接通于半导体层的源极区域或者漏极区域。另外，在选择性实施例中，源极电极以及漏极电极可以具有包括覆盖金属物质的ITO层的多层结构。
另一方面，为了确保半导体层和栅极电极间的绝缘性，第一无机绝缘层103可以介于半导体层和栅极电极之间。即，第一无机绝缘层103可以位于基板100且位于栅极电极下方，并覆盖半导体层。这样的第一无机绝缘层103可以是包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等无机物的绝缘层。
在第一无机绝缘层103上，第二无机绝缘层105可以设置成覆盖栅极电极。这样的第二无机绝缘层105可以是包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等无机物的绝缘层。
存储电容器Cst可以具有下电极CE1以及上电极CE2。
可以是，下电极CE1连接于第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极G1，上电极CE2连接于驱动电压线(未图示)。此时，下电极CE1可以与第一栅极电极G1是一体。即，第一栅极电极G1可以不仅执行作为第一薄膜晶体管T1的控制电极的功能，还执行作为存储电容器Cst的下电极CE1的功能。存储电容器Cst可以通过存储并保持与驱动电压线和第一栅极电极G1的两端电压之差对应的电压，保持施加于第一栅极电极G1的电压。
上电极CE2将第二无机绝缘层105置于中间与下电极CE1重叠。在此情况下，第二无机绝缘层105可以起到存储电容器Cst的电介质层的功能。上电极CE2可以包含含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以形成为包含上述的材料的多层或单层。作为一例，上电极CE2可以是Mo的单层或者Mo/Al/Mo的多层。另外，在选择性实施例中，源极电极以及漏极电极可以具有包括覆盖金属物质的ITO层的多层结构。
在第二无机绝缘层105上，第三无机绝缘层107可以设置成覆盖存储电容器Cst的上电极CE2。即，上电极CE2可以介于第二无机绝缘层105和第三无机绝缘层107之间。另外，源极电极以及漏极电极可以位于第三无机绝缘层107上。这样的第三无机绝缘层107可以是包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等无机物的绝缘层。
在第三无机绝缘层107上，保护层(未图示)可以设置成覆盖源极电极以及漏极电极。这样的保护层可以是包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等无机物的绝缘层。
另一方面，如此包含无机物的无机绝缘层(无机绝缘层103、无机绝缘层105、无机绝缘层107、保护层等)可以通过化学气相沉积(CVD，Chemical vapor deposition)或者原子层沉积(ALD，Atomic layer deposition)等形成，但不限于此。
另外，作为一实施例，无机绝缘层中的至少一个可以在周边区域PA具有开口。例如，在位于有机绝缘层109下方的无机绝缘层中位于最上方的无机绝缘层是第三无机绝缘层107的情况下，第三无机绝缘层107可以在周边区域PA具有第1-3开口310-3。通过此，能够防止在制造过程或者制造之后使用过程中因外力产生的裂纹向显示面板内侧传播。
有机绝缘层109可以位于源极电极以及漏极电极上。有机绝缘层109可以具有平坦的上面以使像素电极210能够平坦地形成。有机绝缘层109可以是由有机物质构成的膜形成为单层或者多层。这样的有机绝缘层109可以包含苯并环丁烯(BCB，Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(HMDSO，Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)或聚苯乙烯(Polystylene，PS)之类普通的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及它们的混合物等。
有机绝缘层109可以遍布显示区域DA和显示区域DA外侧的周边区域PA而配置于基板100上方，并在周边区域PA具有使第三无机绝缘层107暴露的第二开口320。通过此，能够防止从外部渗透的杂质等通过有机绝缘层109的有机物质到达至显示区域DA内部。
在基板100的显示区域DA中，显示元件200位于有机绝缘层109上。在显示元件200是有机发光二极管的情况下，显示元件200可以具有像素电极210、对象电极230以及介于它们之间且包括发光层的中间层220。
像素电极210通过在有机绝缘层109等形成的接触孔与源极电极以及漏极电极中的任一个接触，从而与薄膜晶体管电连接。这样的像素电极210可以是(半)透光性电极或者反射电极。在一部分实施例中，像素电极210可以具备包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物等的反射膜和在反射膜上形成的透明或者半透明电极层。透明或者半透明电极层可以具备从包括氧化铟锡(ITO；indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO；indiumzinc oxide)、氧化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、氧化铟镓(IGO；indium gallium oxide)以及氧化锌铝(AZO；aluminum zinc oxide)的组中选择的一个以上。另外，像素电极210可以具有以ITO/Ag/ITO层叠的结构。
在有机绝缘层109上方，像素界定膜110可以遍布并位于显示区域DA和周边区域PA。像素界定膜110具有与各像素对应的开口，从而能够起到界定像素(或者发光区域)的作用。此时，开口形成为使得像素电极210的中央部的至少一部分暴露。
另外，像素界定膜110增加像素电极210的边缘和像素电极210上方的对象电极230之间的距离，从而能够起到防止在像素电极210的边缘产生电弧等的作用。这样的像素界定膜110可以包含从由聚酰胺、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组中选择的一个以上的有机绝缘物质，并可以通过旋涂等方法形成。
另一方面，像素界定膜110可以具有形成为与开口部300所包括的开口重叠的第三开口330。即，开口部300可以包括在周边区域PA形成于像素界定膜110的第三开口330。例如，像素界定膜110可以具有形成为与形成于第三无机绝缘层107的第1-3开口310-3以及形成于有机绝缘层109的第二开口320重叠的第三开口330。通过此，能够防止从外部渗透的杂质等通过像素界定膜110流入，从而能够防止或减少在显示装置中实现的图像的质量降低。
中间层220可以包含低分子或者高分子物质。在中间层220包含低分子物质的情况下，中间层220可以具有空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)、空穴输送层(HTL：HoleTransport Layer)、发光层(EML：Emission Layer)、电子输送层(ETL：Electron TransportLayer)、电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)等以单一或复合的结构层叠的结构，并可以通过真空蒸镀的方法形成。在中间层220包含高分子物质的情况下，中间层220可以具有包括空穴输送层(HTL)以及发光层(EML)的结构。此时，可以是，空穴输送层包含聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)，发光层包含聚对苯撑乙烯(PPV，Poly-Phenylenevinylene)类以及聚芴(Polyfluorene)类等高分子物质。这样的中间层220可以通过丝网印刷、喷墨印刷方法、蒸镀法或者激光热转印方法(LITI；Laser Induced Thermal Imaging)等形成。当然中间层220不是必须限于此，当然也可以具有各种结构。
中间层220既可以包括如图3所示那样图案化成与各个像素对应的层，也可以包括遍布多个像素而成一体的层。
对象电极230位于显示区域DA上方。作为具体例，对象电极230可以包括以覆盖显示区域的整面的方式成一体的层并配置于显示区域上方。即，对象电极230可以在多个像素中形成为一体而对应于多个像素电极210。此时，对象电极230可以覆盖显示区域DA，并且延伸形成至显示区域DA外侧的周边区域PA的一部分。作为具体的另一例，对象电极230可以图案化并形成为与多个像素电极210的各个对应。
对象电极230可以是透光性电极或者反射电极。在一部分实施例中，对象电极230可以是透明或者半透明电极，并可以包括含有Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg以及它们的化合物的功函数小的金属薄膜。另外，除金属薄膜以外，可以还包括ITO、IZO、ZnO或者In2O3等的透明导电氧化物(TCO，transparent conductive oxide)膜。
这样的有机发光元件由于来自外部的水分或氧气等容易损坏，因此可以使封装层(500)覆盖这样的有机发光元件来对其进行保护。封装层500可以覆盖显示区域DA并延伸至显示区域DA外侧。这样的封装层500可以如图4所示那样包括第一无机封装层510、有机封装层520以及第二无机封装层530。
第一无机封装层510可以覆盖对象电极230，并包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等。当然也可以根据需要，在第一无机封装层510和对象电极230之间介有覆盖层等其他层。这样的第一无机封装层510由于沿着其下方的结构物形成，其上面变得不平坦。
有机封装层520覆盖这样的第一无机封装层510，可以与第一无机封装层510不同地使其上面大致平坦。具体地，有机封装层520可以在与显示区域DA对应的部分使上面大致平坦。这样的有机封装层520可以包含从由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、磺化聚乙烯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷组成的组中选择的一个以上的材料。
第二无机封装层530可以覆盖有机封装层520并包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等。这样的第二无机封装层530在位于显示区域DA外侧的其边缘与第一无机封装层510接触，从而能够使有机封装层有机封装层520不暴露到外部。
如此，封装层500包括第一无机封装层510、有机封装层520以及第二无机封装层530，通过这样的多层结构，即使在封装层500内产生裂纹，也能够使得这样的裂纹在第一无机封装层510和有机封装层520之间或者有机封装层520和第二无机封装层530之间不连接。通过此，能够防止或最小化形成来自外部的水分或氧气等向显示区域DA渗透的路径。
开口部300在周边区域PA设置成环绕显示区域DA的至少一部分。作为一实施例，开口部300包括在无机绝缘层的至少一部分形成的第一开口310、在有机绝缘层109形成的第二开口320以及在像素界定膜110形成的第三开口330。此时，第一开口310、第二开口320以及第三开口330设置成当垂直观察基板100时相互重叠。
这样的开口部300所在的区域相比于开口部300不存在的区域形成深的谷，存在在利用光致抗蚀剂的曝光工艺中曝光能量难以充分地传递至开口部300的底面的问题。在此，“开口部300的底面”可以意指通过开口部300暴露的层的上面。例如，在图案化像素电极210的曝光工艺过程中，在因开口部300暴露的无机绝缘层的上面留下像素电极物质残膜211(参照图9)，因而在制造过程或者制造之后使用过程中可能导致不良。这样的像素电极物质残膜211包含与像素电极210相同的物质，可以具有以ITO/Ag/ITO层叠的结构。当像素电极物质残膜211的Ag层没有被ITO层完全覆盖而存在针孔(pinhole)缺陷等时，Ag粒子流出并流入到显示区域DA而可能导致短路之类的不良。以下，参照图4至图9来说明产生像素电极物质残膜211的过程的一例。
图4至图9是概要示出在工艺过程中产生像素电极物质残膜的工艺过程的一例的截面图。
如图4所示，在显示区域DA形成薄膜晶体管T1、T2以及存储电容器Cst，并以覆盖薄膜晶体管T1、T2的方式形成有机绝缘层109。
此时，缓冲层101位于基板100上。第一无机绝缘层103位于缓冲层101上且位于栅极电极G1、G2下方，并覆盖半导体层A1、A2。第二无机绝缘层105位于第一无机绝缘层103上，并覆盖栅极电极G1、G2。第三无机绝缘层107位于第二无机绝缘层105上并覆盖上电极CE2。有机绝缘层109位于第三无机绝缘层107上并覆盖源极电极S1、S2以及漏极电极D1、D2。
另一方面，开口部300可以位于周边区域PA。开口部300可以包括在有机绝缘层109以及无机绝缘层103、105、107中的至少一个形成的第一开口310。图4至图9中示出了第三无机绝缘层107具有第1-3开口310-3且在有机绝缘层109具有第二开口320的情况，但不限于此。例如，可以是，第二无机绝缘层105具有第1-2开口310-2，第三无机绝缘层107具有第1-3开口310-3，有机绝缘层109具有第二开口320。另外，可以是，第一无机绝缘层103具有第1-1开口310-1，第二无机绝缘层105具有第1-2开口310-2，第三无机绝缘层107具有第1-3开口310-3，有机绝缘层109具有第二开口320。另一方面，第1-1开口310-1、第1-2开口310-2、第1-3开口310-3以及第二开口320设置成彼此重叠。
接着，如图5所示，针对基板100整面，在有机绝缘层109上形成像素电极物质210a。
像素电极物质210a可以在显示区域DA覆盖有机绝缘层109并通过在有机绝缘层109形成的接触孔与第一薄膜晶体管T1的第一漏极电极D1接触。另外，像素电极物质210a可以在周边区域PA覆盖有机绝缘层109，并覆盖开口部300的内侧面以及底面。例如，如图5所示，像素电极物质210a形成为在周边区域PA覆盖在第三无机绝缘层107形成的第1-3开口310-3的内侧面、在有机绝缘层109形成的第二开口320的内侧面、通过开口部300暴露的第二无机绝缘层105的上面。
接着，如图6所示，为了将像素电极物质210a图案化为像素电极210，针对基板100整面，在像素电极物质210a上涂布光致抗蚀剂物质PR。光致抗蚀剂物质PR可以作为正性光致抗蚀剂包括聚甲基丙烯酸甲酯、萘醌二叠氮化物、聚丁烯-1-砜等，但不限于上述的例示。
接着，如图7所示，执行掩模(mask)工艺而将光致抗蚀剂物质PR图案化。在掩模工艺中，被传递曝光能量的部分被去除光致抗蚀剂物质PR，被掩模阻断曝光能量的部分不被去除光致抗蚀剂物质PR。此时，开口部300具有相对深的谷，充分的曝光能量可能传递不到开口部300的底面，由此，填充开口部300的光致抗蚀剂物质PR不被完全去除，一部分留在开口部300的底面。
接着，如图8所示，执行将像素电极物质210a图案化为像素电极210的工艺。此时，由于在图7的掩模工艺中残留的位于开口部300的底面的残留光致抗蚀剂物质PR，覆盖着开口部300的底面的像素电极物质210a的至少一部分可能不被完全去除。由此，在开口部300的底面，像素电极物质210a不被去除，留有像素电极物质残膜211。
接着，如图9所示，执行去除光致抗蚀剂物质PR的工艺。去除光致抗蚀剂物质PR的工艺可以是剥离(lift off)工艺、清洗(strip)工艺等，但不限于此。
如此，当以形成有像素电极物质残膜211的状态执行后续工艺来制造显示装置时，像素电极物质残膜211所包含的金属物质(例如，Ag等)以粒子状态移动到显示区域DA侧而在制造过程或者制造之后使用过程中可能导致不良。
根据本发明的实施例的显示装置具备与开口部300重叠的图案部400(参照图10)，从而能够防止形成像素电极物质残膜211。具体地，图案部400位于以与开口部300所包括的开口重叠的方式配置在有机绝缘层109下方的层上，从而可以形成台阶以与开口部300对应。即，台阶形成到图案部400所包括的图案层的厚度量而使开口部300的底面变高。更详细而言，在通过开口部300暴露的层中，从与开口部300重叠的部分的上面到基板100的上面的距离比从不与开口部300重叠的部分的上面到基板100的上面的距离远。由此，减小开口部300的深度，曝光能量能够充分地传递至开口部300的底面而能够使得在开口部300的底面上不形成像素电极物质残膜211。
以下，参照图10至图15，详细说明显示装置所具备的图案部400的实施例，附图中相同的附图标记表示相同的构成要件，省略针对与前述的内容重复的内容的说明。
图10是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图10所示，开口部300可以包括在第三无机绝缘层107形成的第1-3开口310-3、在有机绝缘层109形成的第二开口320以及在像素界定膜110形成的第三开口330。另外，图案部400可以包括第一图案层410。
在图10中示出了开口部300包括在无机绝缘层形成的第一开口310即第1-3开口310-3、在有机绝缘层109形成的第二开口320以及在像素界定膜110形成的第三开口330的情况，但开口部300所包括的第一开口310不限于此。例如，第一开口310可以包括在第三无机绝缘层107形成的第1-3开口310-3，或者包括在第二无机绝缘层105形成的第1-2开口310-2以及在第三无机绝缘层107形成的第1-3开口310-3，或者包括在第一无机绝缘层103形成的第1-1开口310-1、在第二无机绝缘层105形成的第1-2开口310-2以及在第三无机绝缘层107形成的第1-3开口310-3。其也可以相同地适用于后述的实施例。
第一图案层410可以位于基板100上，并被介于基板100和第一无机绝缘层103之间的缓冲层101覆盖。第一图案层410设置成与第1-3开口310-3、第二开口320以及第三开口330重叠。通过此，开口部300的底面即通过第1-3开口310-3暴露的第二无机绝缘层105的上面可以在开口部300内设置成相对更高。这样的第一图案层410可以包含黑色矩阵、黑色颜料、金属物质等。
作为一实施例，第一图案层410可以包含与在显示区域DA中为了保护半导体层等而配置的下金属层(BML)相同的物质，并位于相同的层上。因此，第一图案层410和下金属层(BML)可以在一个工艺中同时图案化。
图11是概要示出根据本发明的另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
在图11中示出开口部300包括在无机绝缘层形成的第一开口310即第1-1开口310-1、第1-2开口310-2及第1-3开口310-3、在有机绝缘层109形成的第二开口320以及在像素界定膜110形成的第三开口330的情况。
图案部400可以包括第一图案层410。第一图案层410位于基板100上，并设置成与开口部300所包括的开口310-1、310-2、310-3、320、330重叠而形成台阶。另外，第一图案层410被缓冲层101覆盖，因此通过开口部300，包含绝缘物质的缓冲层101的一部分暴露而第一图案层410不暴露，从而能够防止产生不良。
图12是概要示出根据本发明的另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图12所示，开口部300可以包括第1-3开口310-3、第二开口320以及第三开口330。另外，图案部400可以包括第二图案层420。
第二图案层420位于第一无机绝缘层103上，并设置成与开口部300所包括的开口310-3、320、330重叠而形成台阶。另外，第二图案层420被第二无机绝缘层105覆盖，因此通过开口部300，包含绝缘物质的第二无机绝缘层105的一部分暴露而第二图案层420不暴露，从而能够防止产生不良。
这样的第二图案层420可以包含与栅极电极相同的物质，并位于相同的层上。因此，第二图案层420和栅极电极可以在一个工艺同时图案化。
作为一实施例，与图12中示出的不同，可以还在第二无机绝缘层105形成第1-2开口310-2。在此情况下，第二图案层420的上面通过第1-2开口310-2暴露。因此，优选的是第二图案层420具有包括覆盖金属物质的ITO层的多层结构。
图13是概要示出根据本发明的又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图13所示，开口部300可以包括第1-3开口310-3、第二开口320以及第三开口330。另外，图案部400可以包括第三图案层430。
第三图案层430位于第二无机绝缘层105上，并设置成与开口部300所包括的开口310-3、320、330重叠而形成台阶。此时，第三图案层430的上面通过第1-3开口310-3暴露。因此，优选的是第三图案层430具有包括覆盖金属物质的ITO层的多层结构。
这样的第三图案层430可以包含与源极电极以及漏极电极相同的物质，并位于相同的层上。因此，第三图案层430和源极电极以及漏极电极可以在一个工艺中同时图案化来形成。
图14是概要示出根据本发明的又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图14所示，开口部300可以包括第1-3开口310-3、第二开口320以及第三开口330。另外，图案部400可以包括第四图案层440。
第四图案层440位于第二无机绝缘层105上，并设置成与开口部300所包括的开口310-3、320、330重叠而形成台阶。此时，第四图案层440的上面通过第1-3开口310-3暴露。因此，优选的是第四图案层440具有包括覆盖金属物质的ITO层的多层结构。
这样的第四图案层440可以包含与存储电容器Cst的上电极CE2相同的物质，并位于相同的层上。因此，第四图案层440和上电极CE2可以在一个工艺中同时图案化来形成。
图15是概要示出根据本发明的又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图案部400可以包括前述的第一图案层410、第二图案层420、第三图案层430以及第四图案层440中的至少两个。
在图15中示出了图案部400包括第一图案层410、第二图案层420以及第三图案层430，但不限于此。例如，图案部400可以如包括第一图案层410以及第二图案层420，或者包括第一图案层410以及第三图案层430，或者包括第一图案层410以及第四图案层440，或者包括第二图案层420以及第三图案层430，或者包括第二图案层420以及第四图案层440的情况等那样包括两个图案层。另外，图案部400可以如包括第一图案层410、第二图案层420以及第三图案层430，或者包括第一图案层410、第二图案层420以及第四图案层440的情况等那样包括三个图案层。
另一方面，当然可以针对各个情况适用前述的在无机绝缘层形成的第一开口310所包括的开口的各种组合。
如此，当图案部400包括多个图案层时，与仅包括一个图案层的情况相比，可以形成更大的台阶。另外，台阶越大，开口部300的底面所在的高度越高，开口部300的深度缩小，从而到达至开口部300的底面的曝光能量增加，能够防止形成像素电极物质残膜211。
至此，仅对显示装置进行了主要说明，但是本发明不限于此。例如，用于制造这种显示装置的显示装置制造方法也主张属于本发明的范围。
虽然参照附图中示出的实施例来说明了本发明，但是这仅是示例性的，在本技术领域中具有通常知识的人员应理解从其可以进行各种变形以及等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应由所附的权利要求书的技术构思来决定。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，具备：
基板，具有显示区域和环绕所述显示区域的周边区域；
薄膜晶体管，位于所述显示区域，并包括半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极；
第一无机绝缘层，位于所述基板上且位于所述栅极电极下方，并覆盖所述半导体层；
第二无机绝缘层，位于所述第一无机绝缘层上，并覆盖所述栅极电极；
第三无机绝缘层，位于所述第二无机绝缘层上，并在所述周边区域中具有第1-3开口；
有机绝缘层，位于所述第三无机绝缘层上，并覆盖所述源极电极以及所述漏极电极，并且在所述周边区域中具有与所述第1-3开口重叠的第二开口；以及
图案部，位于在所述有机绝缘层下方配置的层上，并与所述第1-3开口以及所述第二开口重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述图案部包括位于所述基板上的第一图案层，
所述显示装置还具备：
缓冲层，介于所述基板和所述第一无机绝缘层之间，并在所述周边区域中覆盖所述第一图案层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述半导体层位于所述缓冲层上。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第二无机绝缘层在所述周边区域中具有与所述第1-3开口重叠的第1-2开口。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一无机绝缘层在所述周边区域中具有与所述第1-2开口以及所述第1-3开口重叠的第1-1开口。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述图案部包括位于与所述栅极电极相同的层上的第二图案层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第二图案层包含与所述栅极电极相同的物质。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述图案部包括位于与所述源极电极以及所述漏极电极相同的层上的第三图案层。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述第三图案层包含与所述源极电极以及所述漏极电极相同的物质。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还具备：
存储电容器，具有与所述栅极电极一体的下电极以及在所述第二无机绝缘层和所述第三无机绝缘层之间设置成与所述栅极电极重叠的上电极，
所述图案部包括位于与所述上电极相同的层上的第四图案层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述第四图案层包含与所述上电极相同的物质。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还具备：
像素电极，在所述显示区域中与所述薄膜晶体管电连接，并位于所述有机绝缘层上；以及
像素界定膜，遍布所述显示区域和所述周边区域而位于所述有机绝缘层上，
所述像素界定膜在所述周边区域中具有与所述第1-3开口以及所述第二开口重叠的第三开口。
13.一种显示装置，其中，具备：
基板，具有显示区域和环绕所述显示区域的周边区域；
至少一个无机绝缘层，位于所述基板上；
有机绝缘层，位于所述至少一个无机绝缘层上；
开口部，位于所述周边区域，并包括形成在所述至少一个无机绝缘层中的第一开口和形成在所述有机绝缘层中的第二开口；以及
图案部，位于所述周边区域，并与所述开口部重叠，
在通过所述开口部暴露的层中，从与所述开口部重叠的部分的上面到所述基板的上面的距离比从不与所述开口部重叠的部分的上面到所述基板的上面的距离远。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述至少一个无机绝缘层包括位于所述基板上的第一无机绝缘层、位于所述第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层以及位于所述第二无机绝缘层上的第三无机绝缘层中的至少一个，
所述第一开口包括形成在所述第一无机绝缘层中的第1-1开口、形成在所述第二无机绝缘层中的第1-2开口以及形成在所述第三无机绝缘层中的第1-3开口中的至少一个。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
通过所述开口部暴露的层为所述第一无机绝缘层、所述第二无机绝缘层或所述第三无机绝缘层。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述显示装置还具备：薄膜晶体管，位于所述显示区域，并包括半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极，
所述第一无机绝缘层覆盖所述半导体层，所述第二无机绝缘层覆盖所述栅极电极，所述第三无机绝缘层覆盖所述源极电极以及所述漏极电极。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述图案部包括位于所述基板上的第一图案层、位于所述第一无机绝缘层上的第二图案层以及位于所述第二无机绝缘层上的第三图案层中的至少一个。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述显示装置还具备：薄膜晶体管，位于所述显示区域，并包括半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极，
所述第二图案层包含与所述栅极电极相同的物质，所述第三图案层包含与所述源极电极以及所述漏极电极相同的物质。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述显示装置还具备：存储电容器，具有与所述栅极电极一体的下电极以及设置成在所述第二无机绝缘层和所述第三无机绝缘层之间与所述栅极电极重叠的上电极，
所述图案部还包括：第四图案层，包含与所述上电极相同的物质。
20.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述显示装置还具备：像素电极，位于所述有机绝缘层上，
在通过所述开口部暴露的层上不存在包含与所述像素电极相同的物质的残膜。
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