CN114823799A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114823799A
CN114823799A CN202210059813.2A CN202210059813A CN114823799A CN 114823799 A CN114823799 A CN 114823799A CN 202210059813 A CN202210059813 A CN 202210059813A CN 114823799 A CN114823799 A CN 114823799A
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic layer
layer
organic
display device
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210059813.2A
Other languages
English (en)
Inventor
河载兴
金钟佑
宋昌泳
朱容赞
朴喜连
杨慧仁
郑雨锡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114823799A publication Critical patent/CN114823799A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明涉及一种显示装置及其制造方法。显示装置包括：包括显示区和在显示区周围的外围区的基板；布置在外围区中的第一有机层；以及布置在显示区和外围区中的第二有机层。第二有机层的侧表面的倾角等于或大于大约10度并且小于或等于大约90度。

Description

显示装置及其制造方法
本申请要求于2021年1月21日递交的韩国专利申请第10-2021-0008792的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。在显示装置领域，由于平板显示(“FPD”)装置薄且轻并且具有大的面积，因此通过替代具有大体积的阴极射线管(“CRT”)，FPD装置得到了显著的发展。FPD装置的示例包括液晶显示(“LCD”)装置、等离子体显示面板(“PDP”)、有机发光显示(“OLED”)装置和电泳显示(“EP”)装置。
在显示装置当中，OLED装置可以包括包含对电极、像素电极和发射层的有机发光二极管。当电压被施加到有机发光二极管的对电极和像素电极时，可见光线从发射层被发射。
OLED装置可以包括发射红色、绿色和蓝色的可见光线的有机发光二极管以实现自然色屏幕，并且每个有机发光二极管的发射层可以根据喷墨印刷制造方法等形成。
此外，显示装置可以具有产生图像的显示区和不产生图像的外围区。已经积极地进行了通过减小在其中布置显示装置的布线等的外围区的面积来增大显示区的研究。
发明内容
一个或多个实施例包括一种非显示区的尺寸减小的显示装置和该显示装置的制造方法。
另外的方面将部分地在下面的描述中阐述并且部分地将根据该描述而显而易见，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：包括显示区和在显示区周围的外围区的基板；布置在外围区中的第一有机层；以及布置在显示区和外围区中的第二有机层，其中，第二有机层的侧表面的倾角等于或大于大约10度并且小于或等于大约90度。
在外围区中，第一有机层可以直接接触第二有机层。
第一有机层的形状在截面图中可以是半圆形或半椭圆形。
第一有机层可以沿着显示区的外围布置。
在平面图中，第一有机层可以限定与显示区重叠的开口。
在平面图中，第二有机层可以与开口的至少一部分重叠。
第一有机层可以是疏水的。
显示装置可以进一步包括布置在显示区中的显示元件，其中，显示元件可以包括像素电极和对电极。
在平面图中，第二有机层可以与显示元件至少部分地重叠。
显示装置可以进一步包括覆盖显示元件的第一无机层。
第一无机层可以布置在第一有机层和第二有机层之下。
第一有机层可以直接布置在第一无机层上。
第二有机层可以直接布置在第一无机层上。
第一无机层可以是亲水的。
显示装置可以进一步包括布置在第一有机层和第二有机层上的第二无机层。
第一无机层可以直接接触外围区中的第二无机层。
根据一个或多个实施例，提供了包括基板的显示装置的制造方法，基板包括显示区和在显示区周围的外围区。制造方法包括：将第一有机材料铺展在外围区中的基板上；通过硬化被铺展的第一有机材料来形成第一有机层；将第二有机材料铺展在显示区和外围区中的基板上；以及通过硬化被铺展的第二有机材料来形成第二有机层，其中，第二有机层的侧表面的倾角等于或大于大约10度并且小于或等于大约90度。
第一有机层的形状在截面图中可以是半圆形或半椭圆形。
在外围区中，第一有机层可以直接接触第二有机层。
第一有机层可以沿着显示区的外围形成。
在平面图中，第一有机层可以限定与显示区重叠的开口。
在平面图中，第二有机层可以与开口的至少一部分重叠。
第一有机层可以是疏水的。
制造方法可以进一步包括：在第二有机材料的铺展之后并且在被铺展的第二有机材料的硬化之前，平坦化被铺展的第二有机材料。
制造方法可以进一步包括：在第一有机材料的铺展之前，在基板上形成显示元件并且在显示元件上形成第一无机层。
第一无机层可以是亲水的。
第一有机层可以直接形成在第一无机层上。
第二有机层可以直接形成在第一无机层上。
制造方法可以进一步包括：在第一有机层和第二有机层上形成第二无机层。
在外围区中，第一无机层可以直接接触第二无机层。
从以下用于实施本发明的详细描述、权利要求和附图，除上面描述的那些之外的其他方面、特征和优点将变得显而易见。
附图说明
从以下结合附图的描述，本公开的特定实施例的上述和其他方面、特征和优点将变得更加显而易见，附图中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
图2和图3是根据实施例的显示装置中包括的像素的等效电路图；
图4是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
图5是沿图4的线I-I’截取的、根据实施例的显示装置的示意性截面图；
图6是图5的部分A的放大图；
图7和图8是根据其他实施例的显示装置的示意性截面图；
图9是根据另一实施例的显示装置的示意性截面图；并且
图10至图15是根据实施例的显示装置的制造方法的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考其示例在附图中示出的实施例，在附图中，相同的附图标记自始至终指代相同的元件。在这一点上，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施例以说明本描述的方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关列出的项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c全部或其变体。
由于本公开允许各种改变和众多实施例，因此将在附图中示出并且在书面描述中详细描述特定实施例。参考用于示出本公开的优选实施例的附图以便获得对本公开、其优点以及通过本公开的实施所实现的方面的充分理解。然而，本公开可以以很多不同的形式体现，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。
将理解，尽管本文可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
如本文所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式。
将进一步理解，本文使用的术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或部件的存在或添加。
将理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，其可以直接或间接形成在另一层、区域或部件上。即，例如，可以存在居间的层、区域或部件。
为了便于说明，可能夸大附图中部件的尺寸。换句话说，因为为了便于说明而任意地示出附图中部件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
在本说明书中，诸如“A和/或B”的表述指示A、B或者A和B。另外，诸如“A和B中的至少一个”的表述指示A、B或者A和B。
在下面描述的实施例中，线“在第一方向或第二方向上”延伸的描述包括线以直线延伸，并且包括线沿着第一方向或第二方向以之字形形状或曲线延伸。
在下面的实施例中，当部件被称为“在平面上”时，理解为从顶部(即，在平面图中)观察部件，并且当部件被称为“在截面上”时，理解为垂直切割并且从侧面(即，在截面图中)观察部件。在下面的实施例中，当部件彼此“重叠”时，部件“在平面上”或“在截面上”重叠。
考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，本文所使用的“大约”或“近似”包括陈述的值并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％之内。在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施例，并且附图中相同的附图标记表示相同的参考元件。
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
参考图1，显示装置1可以包括显示区DA和在显示区DA周围的外围区PA。外围区PA可以围绕显示区DA的至少一部分。像素P可以布置在显示区DA中。显示装置1可以通过从布置在显示区DA中的像素P发射的光来提供图像，并且外围区PA可以是不提供图像的非显示区。
在下文中，显示装置1是有机发光显示装置，但不限于此。在另一实施例中，显示装置1可以是无机发光显示(或无机EL显示)装置或量子点发光显示装置等。例如，显示装置1中包括的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点两者、或者无机材料和量子点两者。
图1示出具有平坦显示表面的显示装置1，但是一个或多个实施例不限于此。在实施例中，显示装置1可以包括立方形显示表面或弯曲显示表面。
当显示装置1包括立方形显示表面时，显示装置1可以包括朝向不同方向的显示区，例如可以包括多面圆柱显示表面。在实施例中，当显示装置1包括弯曲显示表面时，显示装置1可以是柔性的、可折叠的或可卷曲的等。
图1示出可以应用于移动终端的显示装置1。尽管未示出，但是嵌入在主板中的电子模块、相机模块或电力模块等与显示装置1一起位于支架或外壳等中，从而形成移动终端。具体地，显示装置1可以应用于诸如电视机或监视器的大型电子装置，诸如平板计算机、汽车的导航设备、游戏设备或智能手表的中小型电子装置，等等。
图1示出显示装置1包括矩形的显示区DA，但是显示区DA的形状可以改变，例如在平面图中为圆形、椭圆形或者诸如三角形或五边形的多边形。
显示装置1包括布置在显示区DA中的像素P。显示区DA中的每个像素P可以包括有机发光二极管OLED(参见图2)并且可以从有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。如上所述，每个像素P可以被理解为发射红光、绿光、蓝光和白光中的任一种的像素。
像素P可以分别电连接到在第一方向(例如，x方向)上延伸的扫描线SL和在与第一方向(例如，x方向)相交的第二方向(例如，y方向)上延伸的数据线DL。扫描信号可以通过扫描线SL被提供给每个像素P，并且数据信号可以通过数据线DL被提供给每个像素P。
图2和图3是根据实施例的显示装置中包括的像素的等效电路图。
参考图2，每个像素P可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被配置为响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn而将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电力线PL，并且可以被配置为存储与来自开关薄膜晶体管T2的电压与提供给驱动电力线PL的电力电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电力线PL和存储电容器Cst，并且可以被配置为控制从驱动电力线PL流入有机发光二极管OLED并且与存储在存储电容器Cst中的电压相对应的驱动电流。根据驱动电流，有机发光二极管OLED可以发射具有特定亮度的光。
图2示出像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是一个或多个实施例不限于此。
参考图3，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、驱动控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
图3示出每个像素电路PC包括信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电力线PL，但是一个或多个实施例不限于此。在实施例中，信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL中的至少任一条和/或初始化电压线VL可以由相邻的像素电路共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。根据开关薄膜晶体管T2的开关操作，驱动薄膜晶体管T1可以接收数据信号Dm并且可以被配置为将驱动电流传送到有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线SL，并且开关薄膜晶体管T2的源电极可以连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极并且经由驱动控制薄膜晶体管T5连接到驱动电力线PL。
开关薄膜晶体管T2可以根据通过扫描线SL接收到的扫描信号Sn而导通，并且可以执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极并且经由发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极可以连接到存储电容器Cst的电极中的任一个、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3可以根据通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且可以将驱动薄膜晶体管T1的栅电极连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，从而将驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以连接到存储电容器Cst的电极中的任一个、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以根据通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以被配置为将初始化电压Vint传送到驱动薄膜晶体管T1的栅电极，从而执行初始化驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压的初始化操作。
驱动控制薄膜晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。驱动控制薄膜晶体管T5的源电极可以连接到驱动电力线PL。驱动控制薄膜晶体管T5的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据通过发射控制线EL传输的发射控制信号En而同时导通，并且可以被配置为将电力电压ELVDD传送到有机发光二极管OLED，从而允许驱动电流在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到下一扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以根据通过下一扫描线SL+1传输的下一扫描信号Sn+1而导通，并且可以被配置为初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
图3示出第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1。然而，一个或多个实施例不限于此。在实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7都可以连接到前一扫描线SL-1并且可以根据前一扫描信号Sn-1被驱动。
存储电容器Cst的另一电极可以连接到驱动电力线PL。存储电容器Cst的电极中的任一个可以连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。
公共电压ELVSS可以被施加到有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)。有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流并且发光。
像素电路PC不限于参考图2和图3描述的薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计，并且数量和电路设计可以改变。
图4是根据实施例的显示装置的示意性平面图，图5是沿图4的线I-I’截取的、根据实施例的显示装置的示意性截面图，并且图6是图5的部分A的放大图。
参考图4，显示装置1可以包括显示区DA和在显示区DA周围的外围区PA。在显示区DA中，可以布置像素P。
在实施例中，第一有机层320可以布置在外围区PA中。在平面上(即，在平面图中)，第一有机层320可以与显示区DA间隔开特定距离，并且第一有机层320可以沿着显示区DA的外围布置。即，在平面图中，第一有机层320可以具有矩形环形状。第一有机层320可以围绕显示区DA的外侧。在平面图中，第一有机层320可以限定与显示区DA重叠的开口320OP。在限定在第一有机层320中的开口320OP中，可以布置(图5的)第二有机层330。下面将参考图5提供其详细描述。
在下文中，将描述显示装置1的部件的堆叠结构。
参考图5，显示装置1可以包括基板100。在实施例中，显示装置1可以包括显示区DA和在显示区DA周围的外围区PA。在这种情况下，可以理解，显示装置1的基板100包括显示区DA和在显示区DA周围的外围区PA。
在实施例中，薄膜晶体管TFT和显示元件(例如，有机发光二极管OLED)可以布置在基板100的显示区DA中。在实施例中，薄膜晶体管TFT和显示元件(例如，有机发光二极管OLED)可以彼此电连接。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括选自由聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素和聚(亚芳基醚砜)组成的组中的至少一种。基板100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。
在实施例中，基板100可以是例如可弯曲、可折叠或可卷曲等的柔性基板。
缓冲层110可以布置在基板100上。缓冲层110可以在基板100上，可以减少或防止来自基板100的底部的异物、湿气或外部空气的渗透，并且可以在基板100的上表面上提供平坦的上表面。缓冲层110可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机材料的复合物，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。详细地，缓冲层110可以包括选自由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx)组成的组中的至少一种无机绝缘材料。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。在基板100和缓冲层110之间可以进一步包括阻挡层(未示出)，阻挡层防止外部空气的渗透。
薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层110上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D。
半导体层A可以布置在缓冲层110上。在实施例中，半导体层A可以包括氧化物半导体或硅半导体。在实施例中，当半导体层A包括氧化物半导体时，半导体层A可以包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中的至少一种氧化物。例如，半导体层A可以包括InSnZnO(“ITZO”)或InGaZnO(“IGZO”)等。在实施例中，当半导体层A包括硅半导体时，半导体层A可以包括非晶硅(a-Si)或通过使a-Si结晶而产生的低温多晶硅(“LTPS”)。
在实施例中，半导体层A可以包括在平面图中与栅电极G重叠的沟道区以及在沟道区的相对侧的源区和漏区。源区和漏区可以包括具有比沟道区中杂质的浓度高的浓度的杂质。这里，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源区和漏区可以分别被理解为薄膜晶体管TFT的源电极S和漏电极D。
第一绝缘层111可以布置在半导体层A上。第一绝缘层111可以包括选自由SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnOx组成的组中的至少一种无机绝缘材料。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。在实施例中，第一绝缘层111可以是包括上述无机绝缘材料的一层或多层。
栅电极G可以布置在第一绝缘层111上。在平面图中，栅电极G的至少一些部分可以与其下方的半导体层A重叠。栅电极G可以包括选自由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu组成的组中的至少一种金属，并且可以是包括上述材料的单层或多层。栅电极G可以连接到通过其将电信号传输到栅电极G的栅线。
第二绝缘层113可以布置在栅电极G上。第二绝缘层113可以包括选自由SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnOx组成的组中的至少一种无机绝缘材料。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。在实施例中，第二绝缘层113可以是包括上述无机绝缘材料的一层或多层。
存储电容器Cst可以布置在第一绝缘层111上。存储电容器Cst可以包括下电极CE1和在平面图中与下电极CE1重叠的上电极CE2。
下电极CE1可以布置在第一绝缘层111上。在实施例中，薄膜晶体管TFT的栅电极G可以是存储电容器Cst的下电极CE1。即，存储电容器Cst的下电极CE1可以与薄膜晶体管TFT的栅电极G集成。在实施例中，存储电容器Cst的下电极CE1可以作为与薄膜晶体管TFT的栅电极G分离的部件在第一绝缘层111上。
第二绝缘层113可以布置在下电极CE1上，并且上电极CE2可以布置在第二绝缘层113上。在实施例中，上电极CE2的至少一些部分可以与其下方的下电极CE1重叠。在实施例中，在平面图中，下电极CE1和上电极CE2可以至少部分地彼此重叠，第二绝缘层113在下电极CE1和上电极CE2之间。
上电极CE2可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu并且可以是包括上述材料的一层或多层。
第三绝缘层115可以布置在存储电容器Cst上。第三绝缘层115可以包括选自由SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx组成的组中的至少一种无机绝缘材料。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。在实施例中，第三绝缘层115可以是包括上述无机绝缘材料的一层或多层。
源电极S和漏电极D可以布置在第三绝缘层115上。在实施例中，源电极S和/或漏电极D可以通过接触孔分别电连接到其下方的源区和/或漏区。源电极S和漏电极D可以各自包括诸如Mo、Al、Cu或Ti的导电材料并且可以是包括上述材料的一层或多层。在实施例中，源电极S和漏电极D可以各自具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以布置在源电极S和漏电极D上。在实施例中，平坦化层117可以布置在显示区DA中，但是平坦化层117的至少一部分可以延伸到外围区PA。在实施例中，平坦化层117的侧表面可以布置在外围区PA中。
在实施例中，平坦化层117可以包括有机材料或无机材料并且可以是一层或多层。在实施例中，平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺(“PI”)、六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物。可替代地，在实施例中，平坦化层117可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx等。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。在形成平坦化层117之后，可以执行机械化学抛光以提供平坦的上表面。
在实施例中，尽管未示出，平坦化层117可以包括第一平坦化层和第二平坦化层。在实施例中，第一平坦化层和第二平坦化层可以包括相同的材料。在实施例中，第一平坦化层和第二平坦化层可以包括不同的材料。
在实施例中，显示元件可以设置在平坦化层117上。在实施例中，显示元件可以是有机发光二极管OLED。显示元件(例如，有机发光二极管OLED)可以包括像素电极121、发射层122和对电极123。
在实施例中，像素电极121可以布置在平坦化层117上。像素电极121可以是(半透射)透光电极或反射电极。像素电极121可以包括包含Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu或其组合的反射层和形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)和氧化铝锌(“AZO”)组成的组中的至少一种材料。像素电极121可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以布置在平坦化层117上。在实施例中，像素限定层119可以布置在显示区DA中，并且像素限定层119的至少一部分可以延伸到外围区PA。在实施例中，像素限定层119的侧表面可以布置在外围区PA中。
在实施例中，像素限定层119可以限定通过其暴露像素电极121的至少一部分的开口。由像素限定层119中的开口暴露的区域可以被定义为发射区。而且，发射区的外围区域可以是非发射区，并且非发射区可以围绕发射区的至少一部分。即，显示区DA可以包括发射区和围绕发射区的非发射区。
像素限定层119可以通过增大像素电极121与像素电极121上方的对电极123之间的距离来防止在像素电极121的边缘处产生电弧等。像素限定层119可以包括诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO或酚醛树脂的有机绝缘材料并且可以根据旋涂方法等形成。在实施例中，可以进一步在像素限定层119上布置用于防止掩模的压痕的间隔物(未示出)。
发射层122可以布置在像素电极121的被像素限定层119暴露的至少一部分上。尽管未示出，但是第一功能层和第二功能层可以选择性地布置在发射层122上和之下。
在实施例中，第一功能层可以布置在发射层122之下，并且第二功能层可以布置在发射层122上。布置在发射层122上和之下的第一功能层和第二功能层可以统称为有机功能层。
第一功能层可以包括空穴传输层(“HTL”)和/或空穴注入层(“HIL”)，并且第二功能层可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。
发射层122可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。发射层122可以包括低分子量或高分子量有机材料。
当发射层122包括低分子量有机材料时，中间层可以具有发射层122的单一结构或堆叠发射层122以及HIL、HTL、ETL或EIL等的复合结构，并且可以包括各种有机材料，包括铜酞菁(CuPu)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(“NPB”)或三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等。
当发射层122包括高分子量有机材料时，中间层通常可以具有包括HTL和发射层122的结构。在这种情况下，HTL可以包括PEDOT，并且发射层122可以包括聚对苯乙炔(“PPV”)类聚合物或聚芴聚合物等。发射层122可以根据丝网印刷或喷墨印刷方法或者激光诱导热成像(“LITI”)方法等形成。
对电极123可以布置在发射层122上。对电极123可以布置在发射层122上并且覆盖整个发射层122。对电极123可以在显示区DA中并且完全覆盖显示区DA。即，对电极123可以通过使用开口掩模(open mask)一体地形成以完全覆盖布置在显示区DA中的像素P。
对电极123可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极123可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金的透明或半透明电极。可替代地，对电极123可以进一步包括在包含上述材料的透明或半透明电极上的、诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
在实施例中，薄膜封装层300可以布置在有机发光二极管OLED上。薄膜封装层300可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。在实施例中，薄膜封装层300可以包括第一无机层310、第一有机层320、第二有机层330和第二无机层340。
在实施例中，第一无机层310可以布置在对电极123上。在实施例中，第一无机层310可以在显示区DA和外围区PA中。在实施例中，第一无机层310可以覆盖布置在外围区PA中的平坦化层117的侧表面和像素限定层119的侧表面。
第一无机层310可以包括选自由SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnOx组成的组中的至少一种无机绝缘材料。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。
第一无机层310可以是亲水的。因为第一无机层310是亲水的，所以可以提高下面描述的第二有机层330的有机材料的铺展性。因此，第二有机层330的厚度偏差可以减小，并且第二有机层330可以具有平坦的上表面。即，可以提高第二有机层330的平坦度。在这种情况下，术语“亲水的”指示材料与水分子良好地混合。这里，厚度是在垂直于第一方向(即，x方向)和第二方向(即，y方向)的第三方向(即，z方向)上测量的。
在实施例中，第一有机层320可以布置在第一无机层310上。详细地，第一有机层320可以直接在第一无机层310上。第一有机层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI或聚乙烯等。在实施例中，在平面图中，第一有机层320可以不与平坦化层117和/或像素限定层119重叠。
在实施例中，第一有机层320可以布置在外围区PA中。如上面参考图4所述，第一有机层320可以沿着显示区DA的外围布置在外围区PA中。在实施例中，在平面图中，第一有机层320可以限定与显示区DA重叠的开口320OP。
在实施例中，第一有机层320可以是疏水的。在这种情况下，术语“疏水的”指示材料不趋向于与水分子良好地混合(即，材料的特性)。
在显示装置1的外围区PA中，可以布置用于防止形成第二有机层330的有机材料的损失的坝。通过与平坦化层117和/或像素限定层119相同的工艺，外围区PA中的坝可以包括与平坦化层117和/或像素限定层119的材料相同的材料。因为在执行形成平坦化层117和/或像素限定层119的工艺之后执行形成薄膜封装层300的工艺，所以第一无机层310可以形成在坝上。在形成第一无机层310之后，可以铺展形成第二有机层330的有机材料。因为可以在第一无机层310形成在坝上之后铺展形成第二有机层330的有机材料，所以外围区PA中的坝可以与显示区DA间隔开特定距离以防止形成第二有机层330的有机材料的损失。在这种情况下，从显示区DA到外围区PA中的坝的最小距离可以等于或大于大约470微米(μm)。因此，外围区PA中的坝必须与显示区DA隔开特定距离或更多，外围区PA(例如，非显示区)的尺寸可能增大。在这种情况下，多个坝可以布置在外围区PA中。
在实施例中，第一有机层320可以是疏水的，并且形成第二有机层330的有机材料可以是亲水的。因此，因为疏水的第一有机层320沿着显示区DA的外围布置在外围区PA中，所以形成第二有机层330的有机材料到第一有机层320外部的损失可以减少或可以被有效地防止。详细地，第一有机层320可以是疏水的，形成第二有机层330的有机材料可以是亲水的，并且第一有机层320可以沿着显示区DA的外围布置在外围区PA中。因此，形成第二有机层330的亲水的有机材料的铺展性可以在第二有机层330的形成期间由疏水的第一有机层320约束，并且可以有效地防止或减少形成第二有机层330的有机材料溢出到第一有机层320的外部。
在实施例中，第一有机层320与显示区DA之间的距离可以小于坝与显示区DA之间的距离。详细地，外围区PA中的第一有机层320可以与显示区DA间隔开第一距离d1。在这种情况下，第一距离d1可以是从第一有机层320的与显示区DA相邻的端部到显示区DA的最靠近第一有机层320的一侧的距离。即，第一距离d1可以是第一有机层320与显示区DA之间的最小距离。
在实施例中，作为第一有机层320的端部与显示区DA之间的最小距离的第一距离d1可以小于或等于大约470μm。因此，因为作为第一有机层320的端部与显示区DA之间的最小距离的第一距离d1可以小于或等于大约470μm，所以外围区PA(例如，非显示区)的尺寸可以减小。
此外，在实施例中，因为第一有机层320用作用于防止或减少形成第二有机层330的有机材料的损失的坝，所以坝可以不布置在外围区PA中。因为坝不布置在外围区PA中，所以外围区PA的尺寸可以减小，并且因此可以实现全屏显示装置(即，在平面图中，外围区PA可以基本上不被用户看到)。
在实施例中，第二有机层330可以布置在第一无机层310上。详细地，第二有机层330可以直接在第一无机层310上。详细地，第二有机层330可以布置在显示区DA中。在平面图中，显示区DA中的第二有机层330可以与显示元件(例如，有机发光二极管OLED)至少部分地重叠。
在实施例中，第二有机层330可以布置在显示区DA中，并且第二有机层330的至少一部分也可以布置在外围区PA中。在实施例中，在外围区PA中，第二有机层330可以直接接触第一有机层320。在实施例中，第二有机层330可以直接接触第一有机层320的侧表面。可替代地，第二有机层330可以直接接触第一有机层320的上表面的至少一部分和侧表面。
在实施例中，第二有机层330可以布置在限定在第一有机层320中的开口320OP中。在实施例中，第二有机层330可以与限定在第一有机层320中的开口320OP的至少一部分重叠。在实施例中，在平面图中，第二有机层330可以与第一有机层320至少部分地重叠。
参考图5和图6，在实施例中，第二有机层330的侧表面可以以特定的程度倾斜。在实施例中，第二有机层330的侧表面可以具有等于或大于大约10度并且小于或等于大约90度的倾角θ。
在实施例中，当第二有机层330的边缘在第一有机层320的上表面上时，第二有机层330的侧表面的倾角θ可以是由第一有机层320的上表面和第二有机层330的边缘形成的角度(或倾角)。
在实施例中，当第二有机层330的边缘在第一有机层320的侧表面上时，第二有机层330的侧表面的倾角θ可以是由第二有机层330的边缘和第一有机层320的上表面或平行于由第一方向(即，x方向)和第二方向(即，y方向)限定的基板100的上表面的主表面平面形成的角度(或倾角)。
在实施例中，当第二有机层330的边缘在第一有机层320的上表面上时，第二有机层330的侧表面的倾角θ可以是由第一无机层310的上表面和第二有机层330的边缘形成的角度(或倾角)。
在如下面参考图7和图8描述的实施例中，当第一有机层320的形状在截面图中是半圆形或半椭圆形时，第二有机层330的侧表面的倾角θ可以是由第二有机层330的边缘与平行于基板100的上表面的主表面平面形成的角度(或倾角)。
当第二有机层330的侧表面的倾角θ小于大约10度时，第二有机层330的侧表面的倾角θ太小，并且因此，第一有机层320与显示区DA之间在平面图中的距离(例如，第一距离d1)可以增大，从而外围区PA的尺寸可以增大。在这种情况下，因为外围区PA与非显示区相对应，所以外围区PA的尺寸的增大可以指示非显示区的尺寸增大。相反，当第二有机层330的侧表面的倾角θ大于大约90度时，布置在第二有机层330上的第二无机层340可能断开，并且因此，显示元件(例如，有机发光二极管OLED)可能暴露于异物或湿气并且被其损坏。因此，在实施例中，因为第二有机层330的在第一有机层320与第二有机层330之间的侧表面的倾角θ等于或大于大约10度并且小于或等于大约90度，所以第一有机层320与显示区DA之间的距离(例如，第一距离d1)可以减小，并且因此，可以实现全屏显示装置(即，在平面图中，外围区PA可以基本上不被用户看到)。同时，可以有效地防止或减少异物或湿气对显示元件(例如，有机发光二极管OLED)的损坏。
返回参考图5，第二有机层330可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI或聚乙烯等。在实施例中，第二有机层330可以包括与第一有机层320的材料相同的材料。在实施例中，第二有机层330可以包括与第一有机层320的材料不同的材料。
在实施例中，第二无机层340可以布置在第一有机层320和第二有机层330上。详细地，第二无机层340可以直接布置在第一有机层320和第二有机层330上。在实施例中，第二无机层340可以布置在显示区DA和外围区PA中。
在实施例中，因为第一有机层320用作用于防止或减少形成第二有机层330的有机材料的损失的坝，所以坝可以不布置在外围区PA中。因此，第二无机层340可以覆盖其中第一有机层320接触第二有机层330的部分，并且可以布置在第一有机层320和第二有机层330上。
在实施例中，第一有机层320可以直接接触第二有机层330，第一有机层320可以直接接触第二无机层340，并且第二有机层330可以直接接触第二无机层340。在实施例中，第二无机层340可以直接布置在其中第一有机层320直接接触第二有机层330的部分上。
在实施例中，第一无机层310和第二无机层340可以围绕有机层(例如，第一有机层320和第二有机层330)。在实施例中，第一无机层310和第二无机层340可以在外围区PA中彼此直接接触。
第二无机层340可以包括选自由SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnOx组成的组中的至少一种无机绝缘材料。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。
图7和图8是根据其他实施例的显示装置的示意性截面图。图7和图8的实施例与图5的实施例的不同之处在于，第一有机层320在截面图中的形状分别为半圆形和半椭圆形。在图7和图8中，与图5中的那些附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将不重复其描述。
参考图5，在实施例中，第一有机层320的形状可以是矩形。然而，一个或多个实施例不限于此。例如，第一有机层320的形状可以改变，例如可以是正方形或梯形等。
此外，如图7中所示，第一有机层320的形状可以是半圆形，并且如图8中所示，第一有机层320的形状可以是半椭圆形。
在实施例中，不平坦部分可以形成在第一有机层320的表面上。由于不平坦部分形成在第一有机层320的表面上，因此可以有效地防止或减少形成第二有机层330的有机材料溢出到第一有机层320的外部。
图9是根据另一实施例的显示装置的示意性截面图。图9的实施例与图5的实施例的不同之处在于，在平面图中，第一有机层320与平坦化层117和/或像素限定层119重叠。在图9中，与图5中的那些附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将不重复其描述。
参考图9，第一有机层320可以布置在外围区PA中。在实施例中，第一有机层320可以布置在第一无机层310上。详细地，第一有机层320可以直接在第一无机层310上。
在实施例中，在平面图中，第一有机层320可以与平坦化层117和/或像素限定层119的至少一部分重叠。例如，平坦化层117和/或像素限定层119可以布置在显示区DA和外围区PA中，并且在平面图中，外围区PA中的第一有机层320可以与在其下方的平坦化层117和/或像素限定层119的至少一部分重叠。
在另一实施例中，在平面图中，第一有机层320可以与平坦化层117的至少一部分重叠，但是可以不与像素限定层119重叠。
第二有机层330可以布置在第一无机层310上。详细地，第二有机层330可以直接布置在第一无机层310上。
在实施例中，第二有机层330可以布置在显示区DA中，并且第二有机层330的至少一部分也可以布置在外围区PA中。在实施例中，在平面图中，第二有机层330可以与限定在第一有机层320中的开口320OP的至少一部分重叠。在实施例中，第二有机层330可以布置在限定在第一有机层320中的开口320OP中。
在实施例中，第二无机层340可以布置在第一有机层320和第二有机层330上。详细地，第二无机层340可以直接布置在第一有机层320和第二有机层330上。详细地，第二无机层340可以布置在显示区DA和外围区PA中。
图10至图15是根据实施例的显示装置的制造方法的示意性截面图。
参考图10至图15顺序地描述显示装置的制造方法。
参考图10至图15，显示装置的制造方法可以包括：将第一有机材料320M铺展在外围区PA中的基板100上；通过硬化铺展的第一有机材料320M来形成第一有机层320；将第二有机材料330M铺展在显示区DA和外围区PA中的基板100上；以及通过硬化第二有机材料330M来形成第二有机层330。具体地，将第二有机材料330M从显示区DA铺展到外围区PA中的第一有机层320。
参考图10，缓冲层110可以形成在基板100上。缓冲层110可以形成在显示区DA和外围区PA中。基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。在基板100和缓冲层110之间可以进一步包括阻挡层(未示出)，阻挡层防止外部空气的渗透。
薄膜晶体管TFT可以形成在缓冲层110上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D。
半导体层A可以形成在缓冲层110上。第一绝缘层111可以形成在半导体层A上。栅电极G可以形成在第一绝缘层111上。第二绝缘层113可以形成在栅电极G上，并且上电极CE2可以形成在第二绝缘层113上。
在实施例中，下电极CE1可以形成在第一绝缘层111上。下电极CE1和上电极CE2可以形成存储电容器Cst。在实施例中，下电极CE1和栅电极G可以一体地形成。可替代地，下电极CE1和栅电极G可以彼此分离。
第三绝缘层115可以形成在上电极CE2上，并且源电极S和漏电极D可以形成在第三绝缘层115上。平坦化层117可以形成在源电极S和漏电极D上。在实施例中，平坦化层117可以形成在显示区DA中，并且平坦化层117的至少一部分也可以形成在外围区PA中。
作为显示元件的有机发光二极管OLED可以形成在平坦化层117上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极121和对电极123。
像素电极121可以形成在平坦化层117上，并且像素限定层119可以形成在像素电极121上。像素限定层119可以限定通过其暴露像素电极121的至少一部分的开口。在实施例中，像素限定层119可以形成在显示区DA中，并且像素限定层119的至少一部分也可以形成在外围区PA中。
发射层122可以形成在像素电极121上，并且对电极123可以形成在发射层122上。尽管未示出，但是第一功能层可以形成在像素电极121与发射层122之间，并且第二功能层可以形成在发射层122与对电极123之间。在实施例中，第一功能层和第二功能层可以统称为有机功能层。
第一无机层310可以形成在作为显示元件的有机发光二极管OLED上。在实施例中，第一无机层310可以形成在显示区DA和外围区PA中。第一无机层310可以覆盖布置在外围区PA中的平坦化层117的侧表面和像素限定层119的侧表面。
在实施例中，第一无机层310和/或下面描述的第二有机材料330M可以是亲水的。因为第一无机层310和/或第二有机材料330M是亲水的，所以可以提高形成第二有机层330的第二有机材料330M的铺展性，并且因此，可以减小第二有机层330的厚度偏差。
参考图11，在第一无机层310形成在显示区DA和外围区PA中之后，可以将第一有机材料320M铺展在外围区PA中。
在实施例中，可以将第一有机材料320M铺展在形成在外围区PA中的第一无机层310上。可以将第一有机材料320M沿着显示区DA的外围铺展。
图11示出以矩形形式铺展第一有机材料320M，但是一个或多个实施例不限于此。在另一实施例中，在截面图中，可以以诸如梯形、半圆形和半椭圆形的不同形式铺展第一有机材料320M。
第一有机材料320M可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI或聚乙烯等。
然后，参考图12，可以通过硬化第一有机材料320M来形成第一有机层320。
在实施例中，第一有机层320可以通过硬化铺展在外围区PA中的第一有机材料320M而形成。在这种情况下，第一有机材料320M可以通过使用激光或紫外线利用掩模来硬化。在实施例中，硬化的第一有机层320可以是疏水的。因为硬化的第一有机层320是疏水的，所以第一有机层320可以用作防止形成第二有机层330的第二有机材料330M的损失的坝。
在实施例中，第一有机层320可以形成在第一无机层310上。详细地，第一有机层320可以直接形成在第一无机层310上。
第一有机层320可以沿着显示区DA的外围形成在外围区PA中。在实施例中，在平面图中，第一有机层320可以限定与显示区DA重叠的开口320OP。
参考图13，在通过硬化第一有机材料320M来形成第一有机层320之后，可以进一步执行铺展第二有机材料330M。
在实施例中，可以将第二有机材料330M铺展在显示区DA中。而且，可以将第二有机材料330M铺展在外围区PA的至少一部分中。可以将第二有机材料330M铺展在第一无机层310上。详细地，可以将第二有机材料330M直接铺展在第一无机层310上。
第二有机材料330M可以直接接触第一有机层320，并且可以被铺展在限定在第一有机层320中的开口320OP中。在平面图中，第二有机材料330M可以与限定在第一有机层320中的开口320OP的至少一部分重叠。
在实施例中，第二有机材料330M可以包括与第一有机材料320M相同的材料。可替代地，第二有机材料330M可以包括与第一有机材料320M不同的材料。
在实施例中，第二有机材料330M可以是亲水的。因为将亲水的第二有机材料330M铺展在亲水的第一无机层310上，所以可以提高第二有机材料330M的铺展性。因此，因为提高了第二有机材料330M的铺展性，所以下面描述的第二有机层330的厚度偏差可以减小。
此外，因为第一有机层320是疏水的并且第二有机材料330M是亲水的，所以可以限制第二有机材料330M的铺展性，并且因此可以有效地防止或减少第二有机材料330M向第一有机层320的外侧的流动。
参考图14，在将第二有机材料330M铺展在显示区DA和外围区PA中之后，可以通过硬化第二有机材料330M来形成第二有机层330。在实施例中，第二有机层330可以通过硬化被铺展在显示区DA和外围区PA中(具体地，在显示区DA与第一有机层320之间的外围区PA中)的第二有机材料330M而形成。
在实施例中，第二有机层330可以形成在第一无机层310上。详细地，第二有机层330可以直接形成在第一无机层310上。
在实施例中，第二有机层330可以形成在显示区DA中。在平面图中，形成在显示区DA中的第二有机层330可以与显示元件(例如，有机发光二极管OLED)至少部分地重叠。
在实施例中，第二有机层330可以形成在显示区DA中，并且第二有机层330的至少一部分也可以形成在外围区PA中。在实施例中，在外围区PA中，第二有机层330可以直接接触第一有机层320。在实施例中，在平面图中，第二有机层330可以与限定在第一有机层320中的开口320OP的至少一部分重叠。在实施例中，第二有机层330可以形成在限定在第一有机层320中的开口320OP中。
在实施例中，第二有机层330的侧表面可以具有等于或大于大约10度并且小于或等于大约90度的倾角θ。当第二有机层330的侧表面的倾角θ小于大约10度时，第二有机层330的侧表面的倾角θ太小，并且因此，第一有机层320与显示区DA之间的距离(例如，图5，第一距离d1)可以增大，从而外围区PA的尺寸可以增大。在这种情况下，因为外围区PA与非显示区相对应，所以外围区PA的尺寸的增大可以指示非显示区的尺寸增大。相反，当第二有机层330的侧表面的倾角θ大于大约90度时，形成在第二有机层330上的第二无机层340可能断开，并且因此，显示元件(例如，有机发光二极管OLED)可能被异物或湿气损坏。因此，因为第二有机层330的在第一有机层320与第二有机层330之间的侧表面的倾角θ等于或大于大约10度并且小于或等于大约90度，所以第一有机层320与显示区DA之间的距离可以减小，并且因此，可以实现全屏显示装置(即，在平面图中，外围区PA可以基本上不被用户看到)。同时，可以防止或减少异物或湿气对显示元件(例如，有机发光二极管OLED)的损坏。
在将第一有机材料320M铺展在外围区PA中之后，可以通过硬化铺展的第一有机材料320M来形成第一有机层320，并且可以铺展第二有机材料330M以在显示区DA和外围区PA中形成第二有机层330，从而利用第一有机层320防止或减少第二有机材料330M的损失。在这种情况下，因为第一有机层320是疏水的并且形成第二有机层330的第二有机材料330M是亲水的，所以可以有效地防止或减少形成第二有机层330的第二有机材料330M溢出到第一有机层320的外部。因此，第二有机层330可以在外围区PA中形成在第一有机层320与显示区DA之间。
因为第一有机层320用作用于防止或减少形成第二有机层330的第二有机材料330M的损失的坝，所以由于从外围区PA去除了坝而可以减小外围区PA(例如，非显示区)的尺寸，并且因此可以实现全屏显示装置。详细地，因为第一有机层320用作用于防止或减少形成第二有机层330的第二有机材料330M的损失的坝，所以由于第一有机层320与显示区DA之间的最小距离相对于坝与显示区DA之间的最小距离的减小而可以减小外围区PA(例如，非显示区)的尺寸，并且因此，可以实现全屏显示装置(即，在平面图中，外围区PA可以基本上不被用户看到)。
尽管未示出，但是在通过硬化第二有机材料330M来形成第二有机层330之前，可以进一步执行平坦化第二有机材料330M。由于执行第二有机材料330M的平坦化，因此第二有机层330的厚度偏差可以减小。
参考图15，在通过硬化第二有机材料330M来形成第二有机层330之后，可以执行在第一有机层320和第二有机层330上形成第二无机层340。
在实施例中，第二无机层340可以形成在显示区DA和外围区PA中。在实施例中，第二无机层340可以形成在第一无机层310、第一有机层320和第二有机层330上。在实施例中，第一无机层310和第二无机层340可以在外围区PA中彼此直接接触。
在实施例中，可以将第一有机材料320M铺展在外围区PA中，并且可以硬化铺展的第一有机材料320M，从而形成第一有机层320。在这种情况下，硬化的第一有机层320可以与显示区DA间隔开特定距离，并且第一有机层320可以围绕显示区DA的至少一部分。然后，可以在显示区DA和外围区PA中将第二有机材料330M铺展到第一有机层320。
在实施例中，因为硬化的第一有机层320可以是疏水的，所以外围区PA中的第一有机层320可以用作用于防止或减少被铺展以形成第二有机层330的第二有机材料330M的损失的坝。在实施例中，第一有机层320与显示区DA之间的距离可以小于坝与显示区DA之间的距离。
因此，由于第一有机层320而不是坝布置在外围区PA中，因此外围区PA(例如，非显示区)的尺寸可以减小，并且可以同时实现全屏显示装置(即，在平面图中，外围区PA可以基本上不被用户看到)。
根据一个或多个实施例，可以实现一种沿着显示区的外围布置的第一有机层防止或减少形成第二有机层的有机材料向第一有机层的外侧溢出的显示装置和该显示装置的制造方法。然而，本公开的范围不受上述效果的限制。
应当理解，本文描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (30)

1.一种显示装置，包括：
包括显示区和围绕所述显示区的外围区的基板；
布置在所述外围区中的第一有机层；以及
布置在所述显示区和所述外围区中的第二有机层，
其中，所述第二有机层的侧表面的倾角等于或大于10度并且小于或等于90度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述外围区中，所述第一有机层直接接触所述第二有机层。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有机层的形状在截面图中是半圆形或半椭圆形。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有机层沿着所述显示区的外围布置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，在平面图中，所述第一有机层限定与所述显示区重叠的开口。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在所述平面图中，所述第二有机层与所述开口的至少一部分重叠。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的显示装置，其中，所述第一有机层是疏水的。
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括布置在所述显示区中的显示元件，
其中，所述显示元件包括像素电极和对电极。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，在平面图中，所述第二有机层与所述显示元件至少部分地重叠。
10.根据权利要求8所述的显示装置，进一步包括覆盖所述显示元件的第一无机层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一无机层布置在所述第一有机层和所述第二有机层之下。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一有机层直接布置在所述第一无机层上。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二有机层直接布置在所述第一无机层上。
14.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一无机层是亲水的。
15.根据权利要求10所述的显示装置，进一步包括布置在所述第一有机层和所述第二有机层上的第二无机层。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，在所述外围区中，所述第一无机层直接接触所述第二无机层。
17.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括基板，所述基板包括显示区和在所述显示区周围的外围区，所述制造方法包括：
将第一有机材料铺展在所述外围区中的所述基板上；
通过硬化被铺展的所述第一有机材料来形成第一有机层；
将第二有机材料铺展在所述显示区和所述外围区中的所述基板上；以及
通过硬化被铺展的所述第二有机材料来形成第二有机层，
其中，所述第二有机层的侧表面的倾角等于或大于10度并且小于或等于90度。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述第一有机层的形状在截面图中是半圆形或半椭圆形。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其中，在所述外围区中，所述第一有机层直接接触所述第二有机层。
20.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述第一有机层沿着所述显示区的外围形成。
21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，在平面图中，所述第一有机层限定与所述显示区重叠的开口。
22.根据权利要求21所述的制造方法，其中，在所述平面图中，所述第二有机层与所述开口的至少一部分重叠。
23.根据权利要求17-22中任一项所述的制造方法，其中，所述第一有机层是疏水的。
24.根据权利要求17-22中任一项所述的制造方法，进一步包括：在所述第二有机材料的所述铺展之后并且在被铺展的所述第二有机材料的所述硬化之前，平坦化被铺展的所述第二有机材料。
25.根据权利要求17-22中任一项所述的制造方法，进一步包括：
在所述第一有机材料的所述铺展之前，在所述基板上形成显示元件并且在所述显示元件上形成第一无机层。
26.根据权利要求25所述的制造方法，其中，所述第一无机层是亲水的。
27.根据权利要求25所述的制造方法，其中，所述第一有机层直接形成在所述第一无机层上。
28.根据权利要求25所述的制造方法，其中，所述第二有机层直接形成在所述第一无机层上。
29.根据权利要求25所述的制造方法，进一步包括：在所述第一有机层和所述第二有机层上形成第二无机层。
30.根据权利要求29所述的制造方法，其中，在所述外围区中，所述第一无机层直接接触所述第二无机层。
CN202210059813.2A 2021-01-21 2022-01-19 显示装置及其制造方法 Pending CN114823799A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0008792 2021-01-21
KR1020210008792A KR20220106261A (ko) 2021-01-21 2021-01-21 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114823799A true CN114823799A (zh) 2022-07-29

Family

ID=82405425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210059813.2A Pending CN114823799A (zh) 2021-01-21 2022-01-19 显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220231256A1 (zh)
KR (1) KR20220106261A (zh)
CN (1) CN114823799A (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101255537B1 (ko) * 2010-11-26 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
US9997427B2 (en) * 2016-08-23 2018-06-12 Yang-Chen Chen Display panel with dam structure
US20190127529A1 (en) * 2017-11-02 2019-05-02 Honeywell International Inc. Polyimide for flexible displays, flexible displays, and methods for making flexible displays
CN109860411A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
CN109065744B (zh) * 2018-07-10 2020-03-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其封装方法
US10840477B2 (en) * 2018-09-20 2020-11-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display device
CN109301084B (zh) * 2018-09-28 2020-06-16 京东方科技集团股份有限公司 封装结构、电子装置及封装方法
CN110416434B (zh) * 2019-08-06 2022-01-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220106261A (ko) 2022-07-29
US20220231256A1 (en) 2022-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11864407B2 (en) Display device with structure for preventing organic material overflow
US11832502B2 (en) Display device including dummy pixels in a non-display area
US11251235B2 (en) Display panel
KR20210008240A (ko) 표시 장치
US11581378B2 (en) Display apparatus having pixel electrodes arranged on a planarization layer
US11502157B2 (en) Display panel
US20210183983A1 (en) Display device
US11424422B2 (en) Display device with opening pattern
CN112530992A (zh) 显示装置
US11950460B2 (en) Display device
US11626457B2 (en) Display device including external light-absorbing layer
CN114078919A (zh) 显示设备
US11638383B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR20210148505A (ko) 유기발광 디스플레이 장치
US20220059637A1 (en) Display apparatus
US20220231256A1 (en) Display apparatus and manufacturing the same
US11910648B2 (en) Thin film transistor substrate, display apparatus, and method of manufacturing the thin film transistor substrate
US11730022B2 (en) Display device including a sidewall having an inclination angle and method of manufacturing the same
US20230389382A1 (en) Display apparatus
KR20210134176A (ko) 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN112490267A (zh) 显示装置
CN114695448A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination