KR20220027351A - 유기발광 디스플레이 장치 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 175
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 101100214491 Solanum lycopersicum TFT3 gene Proteins 0.000 description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 16
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L27/3262—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H01L27/3246—
-
- H01L27/3248—
-
- H01L27/3272—
-
- H01L51/5209—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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Abstract
본 발명은 데드스페이스의 면적을 줄일 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 위하여, 제1디스플레이영역과 상기 제1디스플레이영역 외측의 제2디스플레이영역과 상기 제2디스플레이영역 외측의 제3디스플레이영역을 갖는 기판과, 상기 기판의 상기 제1디스플레이영역에 배치된 제1박막트랜지스터와, 상기 기판의 상기 제2디스플레이영역에 배치된 제2박막트랜지스터 및 제3박막트랜지스터와, 상기 기판의 상기 제1디스플레이영역에 배치되며 상기 제1박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 제1화소전극과, 상기 기판의 상기 제2디스플레이영역에 배치되며 상기 제2박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 제2화소전극과, 상기 기판의 상기 제3디스플레이영역에 배치되며 상기 제3박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 제3화소전극을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치를 제공한다.
Description
본 발명의 실시예들은 유기발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 데드스페이스의 면적을 줄일 수 있는 유기발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 디스플레이 장치는 복수개의 화소들을 포함하며, 복수개의 화소들 각각은 디스플레이 소자 및 이 디스플레이 소자를 제어하기 위한 화소회로를 포함한다. 화소회로는 박막트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor) 및 스토리지 커패시터 등을 포함한다. 이 외에도, 디스플레이 장치는 디스플레이 소자에 전기적 신호를 인가하기 위한 회로들도 기판의 주변부에 구비한다.
그러나 이러한 종래의 디스플레이 장치에는 기판의 주변부에 위치한 회로 등에 의해 데드스페이스의 면적이 넓다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 데드스페이스의 면적을 줄일 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 제1디스플레이영역과 상기 제1디스플레이영역 외측의 제2디스플레이영역과 상기 제2디스플레이영역 외측의 제3디스플레이영역을 갖는 기판과, 상기 기판의 상기 제1디스플레이영역에 배치된 제1박막트랜지스터와, 상기 기판의 상기 제2디스플레이영역에 배치된 제2박막트랜지스터 및 제3박막트랜지스터와, 상기 기판의 상기 제1디스플레이영역에 배치되며 상기 제1박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 제1화소전극과, 상기 기판의 상기 제2디스플레이영역에 배치되며 상기 제2박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 제2화소전극과, 상기 기판의 상기 제3디스플레이영역에 배치되며 상기 제3박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 제3화소전극을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 제3화소전극은 상기 제2디스플레이영역으로 연장되어 상기 제3박막트랜지스터에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제3디스플레이영역에 배치되는 드라이버 회로부를 더 구비하고, 상기 제3화소전극은 상기 드라이버 회로부 상부에 위치할 수 있다.
상기 드라이버 회로부와 상기 제3화소전극 사이에 개재되는 차폐층을 더 구비할 수 있다.
상기 차폐층에는 정전압이 인가될 수 있다.
상기 제1화소전극과 상기 제2화소전극과 상기 제3화소전극 상부에 위치하는 공통전극과, 상기 공통전극에 전기적으로 연결된 전극전원공급라인을 더 구비하고, 상기 전극전원공급라인은 상기 차폐층에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1화소전극과 상기 제2화소전극과 상기 제3화소전극 상부에 위치하는 공통전극과, 상기 공통전극에 전기적으로 연결된 전극전원공급라인을 더 구비하고, 상기 차폐층은 상기 전극전원공급라인의 일부일 수 있다.
상기 제1디스플레이영역에서 상기 제1화소전극을 복수개 구비하고 상기 제2디스플레이영역에서 상기 제2화소전극을 복수개 구비하며, 상기 제1디스플레이영역에서의 단위면적당 상기 제1화소전극들의 개수는 상기 제2디스플레이영역에서의 단위면적당 상기 제2화소전극들의 개수보다 많을 수 있다.
상기 제3디스플레이영역에서 상기 제3화소전극을 복수개 구비하고, 상기 제2디스플레이영역에서의 단위면적당 상기 제2화소전극들의 개수는 상기 제3디스플레이영역에서의 단위면적당 상기 제3화소전극들의 개수와 같을 수 있다.
상기 제2화소전극의 면적은 상기 제1화소전극의 면적보다 넓을 수 있다.
상기 제3화소전극의 면적은 상기 제1화소전극의 면적보다 넓을 수 있다.
상기 제1화소전극 내지 상기 제3화소전극을 덮되, 상기 제1화소전극의 중앙부를 노출시키는 제1개구와, 상기 제2화소전극의 중앙부를 노출시키는 제2개구와, 상기 제3화소전극의 중앙부를 노출시키는 제3개구를 갖는, 화소정의막을 더 구비할 수 있다.
상기 제2개구의 면적은 상기 제1개구의 면적보다 넓을 수 있다.
상기 제3개구의 면적은 상기 제1개구의 면적보다 넓을 수 있다.
상기 제3개구의 면적은 상기 제2개구의 면적과 같을 수 있다.
상기 제2디스플레이영역에서 상기 제2화소전극을 복수개 구비하고, 상기 제2디스플레이영역에서 상기 제2화소전극들은 균일하게 배치될 수 있다.
상기 제3디스플레이영역에서 상기 제3화소전극을 복수개 구비하고, 상기 제3디스플레이영역에서 상기 제3화소전극들은 균일하게 배치될 수 있다.
상기 제2디스플레이영역은 상기 제1디스플레이영역을 둘러싸고, 상기 제3디스플레이영역은 상기 제2디스플레이영역을 둘러쌀 수 있다.
상기 제3디스플레이영역에서 상기 제3화소전극을 복수개 구비하고, 상기 제2디스플레이영역은 상기 제1디스플레이영역의 일측에 위치하는 제2-1디스플레이영역과 상기 제1디스플레이영역을 중심으로 상기 제2-1디스플레이영역 방향의 반대 방향인 상기 제1디스플레이영역의 타측에 위치하는 제2-2디스플레이영역을 포함하며, 상기 제3디스플레이영역은 상기 제2-1디스플레이영역을 중심으로 상기 제1디스플레이영역 방향의 반대 방향에 위치하는 제3-1디스플레이영역과 상기 제2-2디스플레이영역을 중심으로 상기 제1디스플레이영역 방향의 반대 방향에 위치하는 제3-2디스플레이영역을 포함하고, 상기 제3-1디스플레이영역에 배치되는 제1드라이버 회로부와 상기 제3-2디스플레이영역에 배치되는 제2드라이버 회로부를 더 구비하며, 상기 제3화소전극들 중 일부는 상기 제1드라이버 회로부 상부에 위치하고, 상기 제3화소전극들 중 나머지들은 상기 제2드라이버 회로부 상부에 위치할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 데드스페이스의 면적을 줄일 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치는 스마트폰, 휴대폰, 내비게이션 장치, 게임기, TV, 차량용 헤드 유닛, 노트북 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 태블릿(Tablet) 컴퓨터, PMP(Personal Media Player), PDA(Personal Digital Assistants) 등의 전자장치로 구현될 수도 있다. 또한, 전자장치는 플렉서블 장치일 수 있다.
도 1에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 디스플레이 장치는 제1디스플레이영역(DA1), 제2디스플레이영역(DA2) 및 제3디스플레이영역(DA3)을 갖는다. 디스플레이 장치가 제1디스플레이영역(DA1), 제2디스플레이영역(DA2) 및 제3디스플레이영역(DA3)을 갖는다는 것은, 디스플레이 장치가 포함하는 기판(100, 도 2 참조)이 그와 같은 제1디스플레이영역(DA1), 제2디스플레이영역(DA2) 및 제3디스플레이영역(DA3)을 갖는 것으로 이해할 수 있다. 제2디스플레이영역(DA2)은 제1디스플레이영역(DA1)의 외측에 위치하고, 제3디스플레이영역(DA3)은 제2디스플레이영역(DA2) 외측에 위치한다.
도 1에서는 디스플레이면에 대해 수직인 방향에서 바라볼 시 또는 기판(100)의 상면에 수직인 방향에서 바라볼 시 디스플레이 장치가 대략 사각형 형상인 것으로 도시하고 있는데, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 디스플레이 장치는 도 1에 도시된 것과 같은 (xy평면 상에서의) 평면도에서 직사각형 형상을 갖는 것에 국한되지 않고, 원형 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한 기판(100)은 필요에 따라 벤딩영역을 가져 해당 벤딩영역에서 벤딩될 수도 있다.
이러한 기판(100)은 글라스나 메탈을 포함할 수 있다. 또한, 기판(100)은 플렉서블 또는 벤더블 특성을 갖는 다양한 물질을 포함할 수 있는데, 예컨대 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
물론 기판(100)은 이와 같은 고분자 수지를 포함하는 두 개의 층들과 그 층들 사이에 개재된 무기물을 포함하는 배리어층을 포함하는 다층구조를 가질 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다. 이 경우 배리어층은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다.
제1디스플레이영역(DA1), 제2디스플레이영역(DA2) 및 제3디스플레이영역(DA3) 각각에는 디스플레이 소자들이 위치할 수 있다. 일 예로 디스플레이 소자는 유기발광 다이오드(OLED)일 수 있으며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 기판(100) 상에는 이러한 유기발광 다이오드의 발광 정도 등을 제어하는 박막트랜지스터 및 커패시터 등이 배치된다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 2의 단면도에서 각 구성요소들의 크기는 편의상 과장 및/또는 축소되었다. 이는 후술하는 단면도들에 있어서도 마찬가지이다.
도 2에 도시된 것과 같이, 제1디스플레이영역(DA1)에는 제1박막트랜지스터(TFT1)가 배치되고, 제2디스플레이영역(DA2)에는 제2박막트랜지스터(TFT2)와 제3박막트랜지스터(TFT3)가 배치된다. 이러한 제1박막트랜지스터(TFT1) 내지 제3박막트랜지스터(TFT3)는 반도체층을 포함한다.
반도체층은 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 물론 기판(100) 상에는 버퍼층(110)이 형성되고, 반도체층은 버퍼층(110) 상에 형성될 수 있다.
버퍼층(110)은 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(110)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층구조 또는 다층구조를 가질 수 있다. 일 예로, 버퍼층(110)은 제1버퍼층과 제2버퍼층이 적층된 구조를 가질 수 있으며, 이때 제1버퍼층과 제2버퍼층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1버퍼층은 실리콘나이트라이드를 포함하고, 제2버퍼층은 실리콘옥사이드를 포함할 수 있다.
이처럼, 제1버퍼층이 실리콘 질화물을 포함할 경우, 실리콘 질화물 형성 시 수소를 포함하도록 할 수 있다. 이를 통하여 버퍼층 상에 형성되는 반도체층의 캐리어 모빌리티가 향상되어 박막트랜지스터의 전기적 특성이 향상될 수 있다. 또한, 반도체층은 실리콘 물질을 포함할 수 있는데, 이 경우 실리콘을 포함하는 반도체층과 실리콘 산화물을 함유하는 제2버퍼층간의 계면 접합 특성이 향상되어, 박막트랜지스터의 전기적 특성이 향상될 수 있다.
반도체층은 저온 폴리실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 포함할 수 있다. 폴리실리콘 물질은 전자이동도가 높아 (100㎠/Vs 이상), 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하다. 다른 예로, 반도체층은 아모퍼스 실리콘(a-Si) 및/또는 산화물 반도체를 포함할 수도 있다. 또는, 복수개의 박막트랜지스터들 중 일부 반도체층은 저온 폴리실리콘(LTPS)을 포함하고, 다른 일부 반도체층은 아모퍼스 실리콘(a-Si) 및/또는 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.
반도체층 상에는 게이트절연막(130)이 위치하며, 게이트절연막(130) 상에는 제1박막트랜지스터(TFT1) 내지 제3박막트랜지스터(TFT3)가 포함하는 게이트전극들과, 각종 배선들(미도시)이 위치할 수 있다. 게이트절연막(130)은 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiNx), 실리콘옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 티타늄옥사이드(TiO2), 탄탈륨옥사이드(Ta2O5), 하프늄옥사이드(HfO2) 또는 징크옥사이드(ZnO2)를 포함할 수 있다.
제1박막트랜지스터(TFT1) 내지 제3박막트랜지스터(TFT3)가 포함하는 게이트전극들을 비롯하여 게이트절연막(130) 상에 위치하는 도전층들은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층구조 또는 단층구조를 가질 수 있다. 일 예로, 제1박막트랜지스터(TFT1) 내지 제3박막트랜지스터(TFT3)가 포함하는 게이트전극들은 Mo/Al의 다층구조를 갖거나 Mo/Al/Mo의 다층구조를 가질 수 있다.
제1박막트랜지스터(TFT1) 내지 제3박막트랜지스터(TFT3)가 포함하는 게이트전극들을 비롯하여 게이트절연막(130) 상에 위치하는 도전층들 상에는 층간절연층(150)이 위치한다. 층간절연층(150)은 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiNx), 실리콘옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 티타늄옥사이드(TiO2), 탄탈륨옥사이드(Ta2O5), 하프늄옥사이드(HfO2) 또는 징크옥사이드(ZnO2) 등을 포함할 수 있다. 물론 필요하다면 제1박막트랜지스터(TFT1) 내지 제3박막트랜지스터(TFT3)가 포함하는 게이트전극들을 비롯하여 게이트절연막(130) 상에 위치하는 도전층들을 덮는 무기절연층을 포함하고, 이 무기절연층 상에 층간절연층(150)이 위치하도록 할 수 있다. 이 경우 무기절연층과 층간절연층(150) 사이에도 도전층이 개재될 수 있으며, 이 도전층은 예컨대 Mo/Al의 다층구조를 갖거나 Mo/Al/Mo의 다층구조를 가질 수 있다.
층간절연층(150) 상에는 데이터라인, 전원전압선 등이 배치될 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이 제1박막트랜지스터(TFT1) 내지 제3박막트랜지스터(TFT3)의 소스전극들 및 드레인전극들 역시 층간절연층(150) 상에 위치할 수 있다. 참고로 층간절연층(150) 상에는 접속메탈이나 배선의 일부들이 위치하는데, 이러한 접속메탈이나 배선의 일부들을 제1박막트랜지스터(TFT1) 내지 제3박막트랜지스터(TFT3)의 소스전극들 및 드레인전극들로 간주할 수도 있다. 층간절연층(150) 상에 위치하는 이러한 도전층들은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층구조 또는 단층구조를 가질 수 있다. 일 예로, 제1박막트랜지스터(TFT1) 내지 제3박막트랜지스터(TFT3)의 소스전극들 및 드레인전극들은 Ti/Al/Ti의 다층구조를 가질 수 있다.
층간절연층(150) 상에 위치하는 도전층들은 보호층(160)으로 덮인다. 보호층(160)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PXMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 또는 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 물론 보호층(160)은 무기물로 형성될 수도 있는데, 이 경우 보호층(160)은 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiNx), 실리콘옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 티타늄옥사이드(TiO2), 탄탈륨옥사이드(Ta2O5), 하프늄옥사이드(HfO2) 또는 징크옥사이드(ZnO2) 등을 포함할 수 있다.
보호층(160) 상에는 필요에 따라 도전층이 위치할 수 있다. 도 2에서는 편의상 그러한 도전층을 생략하였다. 보호층(160) 상의 도전층은 보호층(160) 하부에 위치한 도전층들을 서로 연결하는 브릿지이거나, 보호층(160) 하부에 위치한 도전층을 상부에 위치한 도전층에 연결하는 브릿지일 수 있다. 그러한 브릿지는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층구조 또는 단층구조를 가질 수 있다. 일 예로, 보호층(160) 상의 브릿지는 Ti/Al/Ti의 다층구조를 가질 수 있다.
그러한 브릿지 상에는 평탄화층(170)이 위치하며, 평탄화층(170) 상에 유기발광 다이오드(OLED)가 위치할 수 있다. 즉, 평탄화층(170) 상에는 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)이 위치할 수 있다. 평탄화층(170)은 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다. 평탄화층(170)은 유기물을 포함할 수 있으며, 단층구조 또는 다층구조를 가질 수 있다. 이러한, 평탄화층(170)은 벤조시클로부텐(benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), 헥사메틸디실록산(HMDSO: hexamethyldisiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA: polymethylmethacrylate)나, 폴리스티렌(polystyrene)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 또는 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 평탄화층(170)은 무기물을 포함할 수도 있다. 이러한, 평탄화층(170)은 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiNx), 실리콘옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 티타늄옥사이드(TiO2), 탄탈륨옥사이드(Ta2O5), 하프늄옥사이드(HfO2) 또는 징크옥사이드(ZnO2) 등을 포함할 수 있다. 평탄화층(170)이 무기물을 포함하는 경우, 경우에 따라서 화학적 평탄화 폴리싱을 진행할 수 있다. 한편, 평탄화층(170)은 유기물질 및 무기물질을 모두 포함할 수도 있다.
제1디스플레이영역(DA1) 내의 유기발광 다이오드는 제1화소전극(311), 공통전극(330) 및 이들 사이에 위치하고 발광층을 포함하는 제1중간층(320 또는 321)을 구비할 수 있다. 제1디스플레이영역(DA1)의 외측에 위치한 제2디스플레이영역(DA2) 내의 유기발광 다이오드는 제2화소전극(312), 공통전극(330) 및 이들 사이에 위치하고 발광층을 포함하는 제2중간층(322)을 구비할 수 있다. 제2디스플레이영역(DA2)의 외측에 위치한 제3디스플레이영역(DA3) 내의 유기발광 다이오드는 제3화소전극(313), 공통전극(330) 및 이들 사이에 위치하고 발광층을 포함하는 제3중간층(323)을 구비할 수 있다. 즉, 공통전극(330)은 제1디스플레이영역(DA1) 내지 제3디스플레이영역(DA3)에 있어서 일체(一體)일 수 있다.
제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(313) 각각은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등을 포함하는 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(313) 각각은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조를 가질 수 있다.
평탄화층(170) 상에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있으며, 화소정의막(180)은 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(313) 각각의 중앙부가 노출되도록 하는 개구들을 가짐으로써 화소의 발광영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 또한, 화소정의막(180)은 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(313) 각각의 가장자리와 그 상부의 공통전극(330)의 사이의 거리를 증가시킴으로써, 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(313)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(180)은 폴리이미드, 폴리아미드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
제1중간층(320 또는 321), 제2중간층(322) 및 제3중간층(323)은 유기발광층을 포함할 수 있다. 유기발광층은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 유기발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 유기발광층의 아래 및 위에는, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층이 선택적으로 더 배치될 수 있다. 제1중간층(320 또는 321), 제2중간층(322) 및 제3중간층(323)에 포함된 층들 중 홀 수송층, 홀 주입층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 등과 같은 층은 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(313)에 걸쳐서 일체(一體)로 형성될 수 있다. 물론 홀 수송층, 홀 주입층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 등은 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(313) 각각에 대응하도록 아일랜드 형상으로 패터닝될 수도 있다.
공통전극(330)은 투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 공통전극(330)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막을 포함할 수 있다. 또한, 금속 박막 외에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 TCO(transparent conductive oxide)막을 더 포함할 수 있다. 이러한 공통전극(330)은 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(313)에 걸쳐서 일체(一體)로 형성될 수 있다.
공통전극(330) 상에는 제1무기봉지층, 제2무기봉지층 및 이들 사이에 개재된 유기봉지층을 포함하는 봉지층(미도시)이 위치할 수 있다. 제1무기봉지층과 제2무기봉지층은 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiNx), 실리콘옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 티타늄옥사이드(TiO2), 탄탈륨옥사이드(Ta2O5), 하프늄옥사이드(HfO2) 또는 징크옥사이드(ZnO2)를 포함할 수 있다. 유기봉지층은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
제1화소전극(311)은 제1디스플레이영역(DA1)에 배치되며, 역시 제1디스플레이영역(DA1)에 위치한 제1박막트랜지스터(TFT1)에 전기적으로 연결된다. 즉, 제1화소전극(311)은 보호층(160)과 평탄화층(170)에 형성된 컨택홀을 통해 제1박막트랜지스터(TFT1)에 전기적으로 연결된다. 물론 경우에 따라서는 제1화소전극(311)은 평탄화층(170)에 형성된 컨택홀을 통해 보호층(160)과 평탄화층(170) 사이에 위치하는 브릿지에 전기적으로 연결되고, 이 브릿지는 보호층(160)에 형성된 컨택홀을 통해 제1박막트랜지스터(TFT1)에 전기적으로 연결될 수도 있다. 이는 다른 화소전극들에 있어서도 마찬가지이다.
제2화소전극(312)은 제1디스플레이영역(DA1)의 외측에 위치한 제2디스플레이영역(DA2)에 배치되며, 역시 제2디스플레이영역(DA2)에 위치한 제2박막트랜지스터(TFT2)에 전기적으로 연결된다. 제3화소전극(313)은 제2디스플레이영역(DA2)의 외측에 위치한 제3디스플레이영역(DA3)에 배치된다. 그런데 제3화소전극(313)은 제3디스플레이영역(DA3)이 아닌 제2디스플레이영역(DA2)에 위치한 제3박막트랜지스터(TFT3)에 전기적으로 연결된다.
이와 같은 본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 경우, 디스플레이소자가 배치되지 않는 영역인 데드스페이스의 면적을 획기적으로 줄일 수 있다.
기판(100)의 가장자리 근방에는 드라이버 회로부나 전원공급배선 등이 배치될 수 있다. 종래의 디스플레이 장치는 이러한 드라이버 회로부나 전원공급배선 등이 배치되는 곳에는 디스플레이 소자가 배치되지 않아, 데드스페이스의 면적이 넓다는 문제점이 있었다.
하지만 본 실시예에 따른 디스플레이 장치의 경우, 데드스페이스의 면적을 획기적으로 줄일 수 있다. 구체적으로, 도 2에 도시된 것과 같이 제3디스플레이영역(DA3)에 위치한 제3화소전극(313)은 제3디스플레이영역(DA3)이 아닌 제2디스플레이영역(DA2)에 위치한 제3박막트랜지스터(TFT3)에 전기적으로 연결된다. 이에 따라 제3화소전극(313) 하부에는 드라이버 회로부나 전원공급배선 등이 위치하게 되어, 드라이버 회로부나 전원공급배선 등에 의해 데드스페이스가 늘어나는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 2에서는 제3화소전극(313) 하부에 드라이버 회로부(DC)가 위치하는 것을 도시하고 있다. 드라이버 회로부(DC)는 예컨대 디스플레이영역 내의 화소전극들에 전기적으로 연결된 스위칭 박막트랜지스터의 게이트전극에 인가하는 주사신호를 생성할 수 있다. 도 2에서는 편의상 드라이버 회로부(DC)가 하나의 박막트랜지스터를 구비하는 것으로 도시하고 있으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 드라이버 회로부(DC)는 복수개의 박막트랜지스터들을 구비할 수 있고 또 커패시터와 같은 다른 전자요소들을 포함할 수도 있다.
한편, 이러한 드라이버 회로부(DC) 상부에 제3화소전극(313)이 존재함에 따라, 제3화소전극(313)에 인가되는 전기적 신호에 드라이버 회로부(DC)가 영향을 받을 수도 있다. 따라서 드라이버 회로부(DC)가 제3화소전극(313)에 인가되는 전기적 신호에 영향받는 것을 방지하기 위해, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도인 도 3에 도시된 것과 같이, 디스플레이 장치는 차폐층(SL)을 더 구비할 수 있다. 차폐층(SL)은 드라이버 회로부(DC)와 제3화소전극(313) 사이에 개재되어, 드라이버 회로부(DC)가 제3화소전극(313)에 인가되는 전기적 신호에 영향받는 것을 방지할 수 있다.
이러한 차폐층(SL)은 보호층(160)과 평탄화층(170) 사이에 개재될 수 있다. 이 경우, 차폐층(SL)은 보호층(160)과 평탄화층(170) 사이에 개재되는 브릿지와 같은 다른 도전층들을 형성할 시 동일 물질로 동시에 형성될 수 있다. 차폐층(SL)은 드라이버 회로부(DC)와 중첩할 수 있다.
차폐층(SL)이 드라이버 회로부(DC)가 제3화소전극(313)에 인가되는 전기적 신호에 영향받는 것을 방지하는 역할을 확실하게 하도록 하기 위해, 차폐층(SL)에는 정전압이 인가되도록 할 수 있다. 예컨대 차폐층(SL)은 접지될 수 있다. 또는, 차폐층(SL)은 전극전원공급라인에 전기적으로 연결될 수 있다. 전술한 것과 같이 공통전극(330)은 제1화소전극(311) 내지 제3화소전극(313)과 중첩하는바, 이러한 공통전극(330)에는 일정한 전압이 인가된다. 공통전극(330)에 그러한 전압을 인가하는 배선은 공통전극(330)에 전기적으로 연결된 전극전원공급라인이며, 차폐층(SL)은 그러한 전극전원공급라인에 전기적으로 연결될 수 있다.
경우에 따라서는, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도인 도 4에 도시된 것과 같이, 차폐층(SL)은 전극전원공급라인의 일부일 수도 있다. 전극전원공급라인은 디스플레이영역 외측에서 공통전극(330)에 전기적으로 연결되는데, 그러한 전극전원공급라인이 제3디스플레이영역(DA3) 내로 연장되어 드라이버 회로부(DC)와 제3화소전극(313) 사이에 개재되는 차폐층(SL)이 될 수 있다. 참고로 공통전극(330)은 전극전원공급라인에 직접 컨택할 수도 있지만, 도 4에 도시된 것과 같이 제1화소전극(311)을 형성할 시 동일 물질로 동시에 형성된 연결전극(301)에 공통전극(330)이 컨택하고, 이 연결전극(301)이 전극전원공급라인에 컨택하여, 공통전극(330)이 전극전원공급라인에 전기적으로 연결되도록 할 수 있다. 이 경우 연결전극(301)은 평탄화층(170)에 형성된 컨택홀을 통해 전극전원공급라인에 연결된다.
한편, 디스플레이 장치는 제1디스플레이영역(DA1) 내에 제1화소전극(311)을 복수개 구비하고, 제2디스플레이영역(DA2) 내에 제2화소전극(312)을 복수개 구비하며, 제3디스플레이영역(DA3) 내에 제3화소전극(313)을 복수개 구비할 수 있다. 도 2 내지 도 4에 도시된 것과 같이, 제3디스플레이영역(DA3)에 위치한 제3화소전극(313)은 제3디스플레이영역(DA3)이 아닌 제2디스플레이영역(DA2)에 위치한 제3박막트랜지스터(TFT3)에 전기적으로 연결된다. 이를 위해, 제3화소전극(313)은 제2디스플레이영역(DA2)으로 (-x 방향으로) 연장되어 제3박막트랜지스터(TFT3)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이처럼 제3화소전극(313)이 제2디스플레이영역(DA2)으로 (-x 방향으로) 연장되기에 제2디스플레이영역(DA2) 내에 그러한 연장부가 위치할 공간이 필요하고, 나아가 제3화소전극(313)을 제어하는 제3박막트랜지스터(TFT3)가 제2디스플레이영역(DA2) 내에 위치하기에 제2디스플레이영역(DA2) 내에 그러한 제3박막트랜지스터(TFT3)가 위치할 공간이 필요하므로 제2디스플레이영역(DA2) 내에 위치하는 제2박막트랜지스터(TFT2)의 개수에 제한이 있을 수밖에 없다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도인 도 5에 도시된 것과 같이, 제2디스플레이영역(DA2) 내에 존재하는 제2화소전극(312)의 단위면적당 개수는 제1디스플레이영역(DA1) 내에 존재하는 제1화소전극(311)의 단위면적당 개수보다 적을 수 있다.
그리고, 제3화소전극(313)은 제2디스플레이영역(DA2)으로 (-x 방향으로) 연장되기에 제3디스플레이영역(DA3) 내에 그러한 연장부가 위치할 공간이 필요하고, 나아가 제3화소전극(313)을 제어하는 제3박막트랜지스터(TFT3)가 제2디스플레이영역(DA2) 내에 위치하기에 제2디스플레이영역(DA2) 내에 위치할 수 있는 제3박막트랜지스터(TFT3)의 개수에 제한이 있을 수밖에 없다. 이에 따라, 도 5에 도시된 것과 같이, 제3디스플레이영역(DA3) 내에 존재하는 제3화소전극(313)의 단위면적당 개수는 제1디스플레이영역(DA1) 내에 존재하는 제1화소전극(311)의 단위면적당 개수보다 적을 수 있다.
한편, 제2디스플레이영역(DA2)과 제3디스플레이영역(DA3)에서의 해상도를 동일 또는 유사하게 유지하는 것이 바람직하다. 디스플레이영역 내에 있어서 해상도가 변하는 정도가 적을수록, 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있기 때문이다. 따라서 제2디스플레이영역(DA2) 내에 존재하는 제2화소전극(312)의 단위면적당 개수가 제3디스플레이영역(DA3) 내에 존재하는 제3화소전극(313)의 단위면적당 개수와 같도록 할 수 있다.
도 5에서는 제2디스플레이영역(DA2)에서 적색용 제2화소전극(312R), 녹색용 제2화소전극(312G), 청색용 제2화소전극(312B) 및 녹색용 제2화소전극(312G)의 세트가, 세트들 사이에 공간이 존재하도록 (y축과 평행한) 일 방향을 따라서 반복하여 위치하는 것으로 도시하고 있다. 제3디스플레이영역(DA3)에서도 적색용 제3화소전극(313R), 녹색용 제3화소전극(313G), 청색용 제3화소전극(313B) 및 녹색용 제3화소전극(313G)의 세트가, 세트들 사이에 공간이 존재하도록 (y축과 평행한) 일 방향을 따라서 반복하여 위치하는 것으로 도시하고 있다. 이 경우, 제1디스플레이영역(DA1)에서 (y축과 평행한) 일 방향을 따라서 적색용 제1화소전극(311R)과 청색용 제1화소전극(311B)이 교번하여 위치하지만, 제2디스플레이영역(DA2)에서는 (y축과 평행한) 일 방향을 따라서 적색용 제2화소전극(312R)들이 배열되고, 제3디스플레이영역(DA3)에서는 (y축과 평행한) 일 방향을 따라서 적색용 제3화소전극(313R)들이 배열된다.
하지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도인 도 6에 도시된 것과 같이, 제2디스플레이영역(DA2)에서 청색용 제2화소전극(312B), 녹색용 제2화소전극(312G), 적색용 제2화소전극(312R) 및 녹색용 제2화소전극(312G)의 서브세트와, 적색용 제2화소전극(312R), 녹색용 제2화소전극(312G), 청색용 제2화소전극(312B) 및 녹색용 제2화소전극(312G)의 서브세트를 포함하는 세트가, 세트들 사이에 공간이 존재하도록 (y축과 평행한) 일 방향을 따라서 반복하여 위치할 수 있다. 이에 따라 제1디스플레이영역(DA1)에서와 마찬가지로 제2디스플레이영역(DA2)에서도, (y축과 평행한) 일 방향을 따라서 적색용 제2화소전극(312R)과 청색용 제2화소전극(312B)이 교번하여 위치하도록 할 수 있다.
마찬가지로 제3디스플레이영역(DA3)에서 청색용 제3화소전극(313B), 녹색용 제3화소전극(313G), 적색용 제3화소전극(313R) 및 녹색용 제3화소전극(313G)의 서브세트와, 적색용 제3화소전극(313R), 녹색용 제3화소전극(313G), 청색용 제3화소전극(313B) 및 녹색용 제3화소전극(313G)의 서브세트를 포함하는 세트가, 세트들 사이에 공간이 존재하도록 (y축과 평행한) 일 방향을 따라서 반복하여 위치할 수 있다. 이에 따라 제1디스플레이영역(DA1)에서와 마찬가지로 제3디스플레이영역(DA3)에서도, (y축과 평행한) 일 방향을 따라서 적색용 제3화소전극(313R)과 청색용 제3화소전극(313B)이 교번하여 위치하도록 할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 본 실시예에 따른 디스플레이 장치의 경우, 제1디스플레이영역(DA1) 내에서 제1화소전극들(311R, 311G, 311B)이 균일하게 배치된 것과 마찬가지로, 제2디스플레이영역(DA2)에서도 제2화소전극들(312R, 312G, 312B)이 균일하게 배치되고, 제3디스플레이영역(DA3)에서도 제3화소전극들(313R, 313G, 313B)이 균일하게 배치된다. 이에 따라 제1디스플레이영역(DA1)에서는 물론, 제2디스플레이영역(DA2)과 제3디스플레이영역(DA3)에서도 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있다. 참고로 도 6에 도시된 것과 같이 제3화소전극들(313R, 313G, 313B)은 제2디스플레이영역(DA2) 내로 연장되는바, 도 7에서는 도시의 편의상 그와 같은 제3화소전극들(313R, 313G, 313B)의 연장부들을 도시하지 않았다. 이는 후술하는 실시예들을 도시하는 평면도들에서도 마찬가지이다.
한편, 도 2 내지 도 7에 도시된 것과 같이 제2디스플레이영역(DA2) 내에 존재하는 제2화소전극(312)의 단위면적당 개수가 제1디스플레이영역(DA1) 내에 존재하는 제1화소전극(311)의 단위면적당 개수보다 적고, 제3디스플레이영역(DA3) 내에 존재하는 제3화소전극(313)의 단위면적당 개수가 제1디스플레이영역(DA1) 내에 존재하는 제1화소전극(311)의 단위면적당 개수보다 적다. 그 결과 제2디스플레이영역(DA2) 및 제3디스플레이영역(DA3)에서도 제1디스플레이영역(DA1)에서와 동일/유사한 휘도의 광이 방출되도록 하기 위해서는, 제1디스플레이영역(DA1)의 각 화소에서 방출되는 광량보다 제2디스플레이영역(DA2) 및 제3디스플레이영역(DA3)의 각 화소에서 방출되는 광량이 더 많아야 한다. 이에 따라 제1디스플레이영역(DA1)의 화소들보다, 제2디스플레이영역(DA2) 및 제3디스플레이영역(DA3)의 화소들이 상대적으로 더 빨리 열화된다는 문제점이 발생할 수 있다.
도 8은 이러한 문제점을 해결하기 위한, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 8에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 디스플레이 장치의 경우 제2디스플레이영역(DA2)에 위치한 제2화소전극들(312R, 312G, 312B) 각각의 면적은, 제1디스플레이영역(DA1)에 위치한 제1화소전극들(311R, 311G, 311B) 각각의 면적보다 넓다. 마찬가지로 제3디스플레이영역(DA3)에 위치한 제3화소전극들(313R, 313G, 313B) 각각의 면적은, 제1디스플레이영역(DA1)에 위치한 제1화소전극들(311R, 311G, 311B) 각각의 면적보다 넓다.
이를 통해 제1디스플레이영역(DA1)의 각 화소에서 방출되는 광량보다 제2디스플레이영역(DA2) 및 제3디스플레이영역(DA3)의 각 화소에서 방출되는 광량이 더 많도록 하면서도, 제2디스플레이영역(DA2) 및 제3디스플레이영역(DA3)의 화소들이 제1디스플레이영역(DA1)의 화소들보다 상대적으로 더 빨리 열화되는 것을 방지할 수 있다.
참고로 적색광을 방출하는 화소와 청색광을 방출하는 화소와 녹색광을 방출하는 화소를 포함하는 하나의 화소 세트에 있어서, 적색광을 방출하는 화소에서의 화소전극의 면적과, 녹색광을 방출하는 화소에서의 화소전극의 면적과, 청색광을 방출하는 화소에서의 화소전극의 면적은 상이할 수 있다. 따라서 도 8을 참조하여 전술한 제1디스플레이영역(DA1)에서의 제1화소전극의 면적과 제2디스플레이영역(DA2)에서의 제2화소전극의 면적의 비교는, 동일한 파장의 광을 방출하는 화소들에 있어서의 면적 비교일 수 있다. 제1디스플레이영역(DA1)에서의 제1화소전극의 면적과 제3디스플레이영역(DA3)에서의 제3화소전극의 면적의 비교의 경우에도 마찬가지이다.
이처럼 제2디스플레이영역(DA2)에 위치한 제2화소전극들(312R, 312G, 312B) 각각의 면적이 제1디스플레이영역(DA1)에 위치한 제1화소전극들(311R, 311G, 311B) 각각의 면적보다 넓게 하는 것과 동시에, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도인 도 9에 도시된 것과 같이, 화소정의막(180)의 개구들의 면적도 고려할 필요가 있다. 유기발광 다이오드가 열화된다는 것은 유기발광 다이오드의 발광층을 포함하는 중간층이 열화된다는 의미이기 때문이다. 따라서 발광층을 포함하는 중간층의 면적을 고려할 필요가 있다.
전술한 것과 같이 화소정의막(180)은 화소전극들 각각의 중앙부가 노출되도록 하는 개구들을 가짐으로써 화소의 발광영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 본 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 제2화소전극(312)의 중앙부를 노출시키는 화소정의막(180)의 제2개구의 면적(A2)이, 제1화소전극(311)의 중앙부를 노출시키는 화소정의막(180)의 제1개구의 면적(A1)보다 넓다. 이에 따라 제2화소전극(312) 상의 제2중간층(322)의 면적 역시 제1화소전극(311) 상의 제1중간층(320 또는 321)의 면적보다 넓게 된다. 이를 통해 제1디스플레이영역(DA1)의 각 화소에서 방출되는 광량보다 제2디스플레이영역(DA2)의 각 화소에서 방출되는 광량이 더 많도록 하면서도, 제2디스플레이영역(DA2)의 화소들이 제1디스플레이영역(DA1)의 화소들보다 상대적으로 더 빨리 열화되는 것을 방지할 수 있다.
마찬가지로 제3화소전극(313)의 중앙부를 노출시키는 화소정의막(180)의 제3개구의 면적(A3)이, 제1화소전극(311)의 중앙부를 노출시키는 화소정의막(180)의 제1개구의 면적(A1)보다 넓다. 이에 따라 제3화소전극(313) 상의 제3중간층(323)의 면적 역시 제1화소전극(311) 상의 제1중간층(320 또는 321)의 면적보다 넓게 된다. 이를 통해 제1디스플레이영역(DA1)의 각 화소에서 방출되는 광량보다 제3디스플레이영역(DA3)의 각 화소에서 방출되는 광량이 더 많도록 하면서도, 제3디스플레이영역(DA3)의 화소들이 제1디스플레이영역(DA1)의 화소들보다 상대적으로 더 빨리 열화되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 본 실시예에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 제2디스플레이영역(DA2)과 제3디스플레이영역(DA3)에서 균일한 품질의 이미지를 디스플레이할 수 있도록 하기 위해, 제3화소전극(313)의 중앙부를 노출시키는 화소정의막(180)의 제3개구의 면적(A3)이, 제2화소전극(312)의 중앙부를 노출시키는 화소정의막(180)의 제2개구의 면적(A2)과 같도록 할 수 있다.
참고로 적색광을 방출하는 화소와 청색광을 방출하는 화소와 녹색광을 방출하는 화소를 포함하는 하나의 화소 세트에 있어서, 적색광을 방출하는 화소에서의 화소정의막(180)의 개구의 면적과, 녹색광을 방출하는 화소에서의 화소정의막(180)의 개구의 면적과, 청색광을 방출하는 화소에서의 화소정의막(180)의 개구의 면적은 상이할 수 있다. 따라서 도 9를 참조하여 전술한 제1디스플레이영역(DA1)에서의 제1개구의 면적(A1)과 제2디스플레이영역(DA2)에서의 제2개구의 면적(A2)의 비교는, 동일한 파장의 광을 방출하는 화소들에 있어서의 면적 비교이다. 제1디스플레이영역(DA1)에서의 제1개구의 면적(A1)과 제3디스플레이영역(DA3)에서의 제3개구의 면적(A3)의 비교 역시 마찬가지이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 10에 도시된 것과 같이, 제1디스플레이영역(DA) 외측에 위치하는 제2디스플레이영역(DA2)은, 제1디스플레이영역(DA1)의 (+x 방향) 일측에 위치하는 제2-1디스플레이영역(DA2-1)과, 제1디스플레이영역(DA1)을 중심으로 제2-1디스플레이영역(DA2-1) 방향의 반대 방향(-x 방향)인 제1디스플레이영역(DA1)의 타측에 위치하는 제2-2디스플레이영역(DA2-2)을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 제2디스플레이영역(DA2) 외측에 위치한 제3디스플레이영역(DA3)은, 제2-1디스플레이영역(DA2-1)을 중심으로 제1디스플레이영역(DA1) 방향의 반대 방향(+x 방향)에 위치하는 제3-1디스플레이영역(DA3-1)과, 제2-2디스플레이영역(DA2-2)을 중심으로 제1디스플레이영역(DA1) 방향의 반대 방향(-x 방향)에 위치하는 제3-2디스플레이영역(DA3-2)을 포함할 수 있다.
이때, 디스플레이 장치는 제1드라이버 회로부(DC1)와 제2드라이버 회로부(DC2)를 구비하되, 제1드라이버 회로부(DC1)는 제3-1디스플레이영역(DA3-1)에 배치되도록 하고 제2드라이버 회로부(DC2)는 제3-2디스플레이영역(DA3-2)에 배치되도록 할 수 있다. 이때 제3화소전극들 중 일부는 제1드라이버 회로부(DC1) 상부에 위치하고, 제3화소전극들 중 나머지들은 제2드라이버 회로부(DC2) 상부에 위치하도록 할 수 있다. 그 결과, 제1디스플레이영역(DA1)의 (+x 방향과 -x 방향의) 양측에서의 데드스페이스의 면적을 획기적으로 줄일 수 있다. 제1드라이버 회로부(DC1)와 제2드라이버 회로부(DC2)는 예컨대 스캔라인들에 인가되는 전기적 신호를 생성하거나 전달하는 역할을 할 수 있다.
물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1에 도시된 것과 같이 제2디스플레이영역(DA2)은 제1디스플레이영역(DA1)을 둘러싸고, 제3디스플레이영역(DA3)은 제2디스플레이영역(DA2)을 둘러쌀 수 있다. 이때 제1디스플레이영역(DA1)을 중심으로 (-x 방향과 +x 방향의) 제2디스플레이영역(DA2)의 부분과 제3디스플레이영역(DA3)의 부분에만 제2화소전극들과 제3화소전극들이 배치되는 것이 아니라, 제1디스플레이영역(DA1)을 중심으로 (-y 방향과 +y 방향의) 제2디스플레이영역(DA2)의 부분과 제3디스플레이영역(DA3)의 부분에도 제2화소전극들과 제3화소전극들이 배치되도록 할 수 있다. 이를 통해 디스플레이 장치의 데드스페이스의 면적을 획기적으로 줄일 수 있다. 물론 디스플레이 장치의 최외곽 코너부에도 제3화소전극들이 배치되도록 할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
DA1: 제1디스플레이영역
DA2: 제2디스플레이영역
DA3: 제3디스플레이영역 100: 기판
110: 버퍼층 130: 게이트절연막
150: 층간절연층 160: 보호층
170: 평탄화층 180: 화소정의막
301: 연결전극 311: 제1화소전극
312: 제2화소전극 313: 제3화소전극
320, 321: 제1중간층 322: 제2중간층
323: 제3중간층 330: 공통전극
DA3: 제3디스플레이영역 100: 기판
110: 버퍼층 130: 게이트절연막
150: 층간절연층 160: 보호층
170: 평탄화층 180: 화소정의막
301: 연결전극 311: 제1화소전극
312: 제2화소전극 313: 제3화소전극
320, 321: 제1중간층 322: 제2중간층
323: 제3중간층 330: 공통전극
Claims (19)
- 제1디스플레이영역과, 상기 제1디스플레이영역 외측의 제2디스플레이영역과, 상기 제2디스플레이영역 외측의 제3디스플레이영역을 갖는 기판;
상기 기판의 상기 제1디스플레이영역에 배치된 제1박막트랜지스터;
상기 기판의 상기 제2디스플레이영역에 배치된 제2박막트랜지스터 및 제3박막트랜지스터;
상기 기판의 상기 제1디스플레이영역에 배치되며 상기 제1박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 제1화소전극;
상기 기판의 상기 제2디스플레이영역에 배치되며 상기 제2박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 제2화소전극; 및
상기 기판의 상기 제3디스플레이영역에 배치되며 상기 제3박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 제3화소전극;
을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제3화소전극은 상기 제2디스플레이영역으로 연장되어 상기 제3박막트랜지스터에 전기적으로 연결된, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제3디스플레이영역에 배치되는 드라이버 회로부를 더 구비하고,
상기 제3화소전극은 상기 드라이버 회로부 상부에 위치하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제3항에 있어서,
상기 드라이버 회로부와 상기 제3화소전극 사이에 개재되는 차폐층을 더 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제4항에 있어서,
상기 차폐층에는 정전압이 인가되는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극 상부에 위치하는 공통전극; 및
상기 공통전극에 전기적으로 연결된 전극전원공급라인;
을 더 구비하고, 상기 전극전원공급라인은 상기 차폐층에 전기적으로 연결된, 유기발광 디스플레이 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극 상부에 위치하는 공통전극; 및
상기 공통전극에 전기적으로 연결된 전극전원공급라인;
을 더 구비하고, 상기 차폐층은 상기 전극전원공급라인의 일부인, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1디스플레이영역에서 상기 제1화소전극을 복수개 구비하고, 상기 제2디스플레이영역에서 상기 제2화소전극을 복수개 구비하며,
상기 제1디스플레이영역에서의 단위면적당 상기 제1화소전극들의 개수는, 상기 제2디스플레이영역에서의 단위면적당 상기 제2화소전극들의 개수보다 많은, 유기발광 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제3디스플레이영역에서 상기 제3화소전극을 복수개 구비하고,
상기 제2디스플레이영역에서의 단위면적당 상기 제2화소전극들의 개수는 상기 제3디스플레이영역에서의 단위면적당 상기 제3화소전극들의 개수와 같은, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2화소전극의 면적은, 상기 제1화소전극의 면적보다 넓은, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제3화소전극의 면적은, 상기 제1화소전극의 면적보다 넓은, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1화소전극 내지 상기 제3화소전극을 덮되, 상기 제1화소전극의 중앙부를 노출시키는 제1개구와, 상기 제2화소전극의 중앙부를 노출시키는 제2개구와, 상기 제3화소전극의 중앙부를 노출시키는 제3개구를 갖는, 화소정의막을 더 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제2개구의 면적은 상기 제1개구의 면적보다 넓은, 유기발광 디스플레이 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제3개구의 면적은 상기 제1개구의 면적보다 넓은, 유기발광 디스플레이 장치. - 제14항에 있어서,
상기 제3개구의 면적은 상기 제2개구의 면적과 같은, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2디스플레이영역에서 상기 제2화소전극을 복수개 구비하고, 상기 제2디스플레이영역에서 상기 제2화소전극들은 균일하게 배치된, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제3디스플레이영역에서 상기 제3화소전극을 복수개 구비하고, 상기 제3디스플레이영역에서 상기 제3화소전극들은 균일하게 배치된, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2디스플레이영역은 상기 제1디스플레이영역을 둘러싸고, 상기 제3디스플레이영역은 상기 제2디스플레이영역을 둘러싸는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제3디스플레이영역에서 상기 제3화소전극을 복수개 구비하고,
상기 제2디스플레이영역은, 상기 제1디스플레이영역의 일측에 위치하는 제2-1디스플레이영역과, 상기 제1디스플레이영역을 중심으로 상기 제2-1디스플레이영역 방향의 반대 방향인 상기 제1디스플레이영역의 타측에 위치하는 제2-2디스플레이영역을 포함하며,
상기 제3디스플레이영역은, 상기 제2-1디스플레이영역을 중심으로 상기 제1디스플레이영역 방향의 반대 방향에 위치하는 제3-1디스플레이영역과, 상기 제2-2디스플레이영역을 중심으로 상기 제1디스플레이영역 방향의 반대 방향에 위치하는 제3-2디스플레이영역을 포함하고,
상기 제3-1디스플레이영역에 배치되는 제1드라이버 회로부와 상기 제3-2디스플레이영역에 배치되는 제2드라이버 회로부를 더 구비하며,
상기 제3화소전극들 중 일부는 상기 제1드라이버 회로부 상부에 위치하고, 상기 제3화소전극들 중 나머지들은 상기 제2드라이버 회로부 상부에 위치하는, 유기발광 디스플레이 장치.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200107967A KR20220027351A (ko) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 유기발광 디스플레이 장치 |
| US17/358,087 US11877477B2 (en) | 2020-08-26 | 2021-06-25 | Organic light-emitting display apparatus |
| CN202110979680.6A CN114122072A (zh) | 2020-08-26 | 2021-08-25 | 有机发光显示设备 |
| US18/533,112 US20240107820A1 (en) | 2020-08-26 | 2023-12-07 | Organic light-emitting display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200107967A KR20220027351A (ko) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 유기발광 디스플레이 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220027351A true KR20220027351A (ko) | 2022-03-08 |
Family
ID=80359071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200107967A KR20220027351A (ko) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 유기발광 디스플레이 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11877477B2 (ko) |
| KR (1) | KR20220027351A (ko) |
| CN (1) | CN114122072A (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117769303A (zh) * | 2020-10-27 | 2024-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| KR20220085418A (ko) * | 2020-12-15 | 2022-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| US11854490B1 (en) * | 2021-08-16 | 2023-12-26 | Apple Inc. | Displays with gate driver circuitry in an active area |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010153449A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Seiko Epson Corp | 光源一体型光電変換装置 |
| KR101064430B1 (ko) | 2010-04-13 | 2011-09-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| KR102409906B1 (ko) | 2015-10-22 | 2022-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
| US9911762B2 (en) * | 2015-12-03 | 2018-03-06 | Innolux Corporation | Display device |
| KR102479918B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2022-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US10957755B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-23 | Lg Display Co., Ltd. | Display panel having a gate driving circuit arranged distributively in a display region of the display panel and organic light-emitting diode display device using the same |
| KR102449218B1 (ko) * | 2017-09-19 | 2022-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20190036461A (ko) | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | Oled 표시패널과 이를 이용한 oled 표시 장치 |
| KR102352312B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2022-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102478513B1 (ko) * | 2017-10-11 | 2022-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN110503917A (zh) | 2018-05-16 | 2019-11-26 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 像素驱动电路及具有像素驱动电路的显示装置 |
| CN109314115B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-04-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有屏蔽层的三维存储器件及其形成方法 |
| KR102578096B1 (ko) | 2018-09-21 | 2023-09-14 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 중 일부 영역이 시각적으로 인식되는 현상을 개선하기 위한 전자 장치 |
-
2020
- 2020-08-26 KR KR1020200107967A patent/KR20220027351A/ko unknown
-
2021
- 2021-06-25 US US17/358,087 patent/US11877477B2/en active Active
- 2021-08-25 CN CN202110979680.6A patent/CN114122072A/zh active Pending
-
2023
- 2023-12-07 US US18/533,112 patent/US20240107820A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11877477B2 (en) | 2024-01-16 |
| US20220069037A1 (en) | 2022-03-03 |
| US20240107820A1 (en) | 2024-03-28 |
| CN114122072A (zh) | 2022-03-01 |
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