KR102478513B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 화소부를 포함하는 중앙 표시부, 중앙 표시부로부터 제1 방향을 따라 연장되는 제1 에지 표시부 및 중앙 표시부로부터 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되되 제2 화소부를 포함하는 제2 에지 표시부가 배치되는 표시 영역을 포함하는 기판; 및 제1 에지 표시부 및 제2 에지 표시부와 중첩되고, 제1 화소부에 제1 턴 온 타임을 갖는 제1 스캔 신호를 제공하고 제2 화소부에 제2 턴 온 타임을 갖는 제2 스캔 신호를 제공하는 제1 신호 배선부를 포함하고, 제1 에지 표시부는 제1 방향을 따라 연장되는 제1 밴딩 라인을 따라 구부러지고, 제2 에지 표시부는 제2 방향을 따라 연장되는 제2 밴딩 라인을 따라 구부러지며, 제1 턴 온 타임의 길이는 상기 제2 턴 온 타임의 길이보다 길다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 소자를 이용하여 영상을 표시한다. 유기 발광 표시 장치는 빠른 응답 속도를 가지며, 휘도 및 시야각이 크고, 동시에 낮은 소비 전력으로 구동되는 장점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 4면 에지 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 각 표시부 간의 휘도 균일성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 화소부를 포함하는 중앙 표시부, 상기 중앙 표시부로부터 제1 방향을 따라 연장되는 제1 에지 표시부 및 상기 중앙 표시부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되되 제2 화소부를 포함하는 제2 에지 표시부가 배치되는 표시 영역을 포함하는 기판; 및 상기 제1 에지 표시부 및 상기 제2 에지 표시부와 중첩되고, 상기 제1 화소부에 제1 턴 온 타임을 갖는 제1 스캔 신호를 제공하고 상기 제2 화소부에 제2 턴 온 타임을 갖는 제2 스캔 신호를 제공하는 제1 신호 배선부를 포함하고, 상기 제1 에지 표시부는 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 밴딩 라인을 따라 구부러지고, 상기 제2 에지 표시부는 상기 제2 방향을 따라 연장되는 제2 밴딩 라인을 따라 구부러지며, 상기 제1 턴 온 타임의 길이는 상기 제2 턴 온 타임의 길이보다 길다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 화소부를 포함하는 중앙 표시부, 상기 중앙 표시부로부터 제1 방향을 따라 연장되는 제1 에지 표시부 및 상기 중앙 표시부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되되 제2 화소부를 포함하는 제2 에지 표시부가 배치되는 표시 영역을 포함하는 기판; 및 상기 제1 에지 표시부 및 상기 제2 에지 표시부와 중첩되고, 상기 제1 화소부에 제1 펄스 폭을 갖는 제1 스캔 신호를 제공하고 상기 제2 화소부에 제2 펄스 폭을 갖는 제2 스캔 신호를 제공하는 신호 배선부를 포함하고, 상기 제1 에지 표시부는 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 밴딩 라인을 따라 구부러지고, 상기 제2 에지 표시부는 상기 제2 방향을 따라 연장되는 제2 밴딩 라인을 따라 구부러지며, 상기 제1 펄스 폭의 길이는 상기 제2 펄스 폭의 길이보다 길다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1 화소부를 포함하는 중앙 표시부, 상기 중앙 표시부로부터 제1 방향을 따라 연장되는 제1 에지 표시부 및 상기 중앙 표시부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되되 제2 화소부를 포함하는 제2 에지 표시부가 배치되는 표시 영역을 포함하는 기판; 및 상기 제1 에지 표시부 및 상기 제2 에지 표시부와 중첩되고, 상기 제1 화소부와 제1 스캔 라인을 통해 연결되고 상기 제2 화소부와 제2 스캔 라인을 통해 연결되는 신호 배선부를 포함하고, 상기 신호 배선부는, 상기 제1 스캔 라인을 통해 상기 제1 화소부에 제1 턴 온 타임을 갖는 제1 스캔 신호를 제공하고 상기 제2 스캔 라인을 통해 상기 제2 화소부에 제2 턴 온 타임을 갖는 제2 스캔 신호를 제공하며, 상기 제1 스캔 라인의 길이는 상기 제2 스캔 라인의 길이보다 길고, 상기 제1 턴 온 타임의 길이는 상기 제2 턴 온 타임의 길이보다 길다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 복수의 표시부 간의 휘도 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 세로줄 시인 현상 및 가로줄 시인 현상을 개선할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 제4 내지 제7 표시부가 구부러진 형태의 표시 영역을 나타낸 정면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 제4 내지 제7 표시부가 구부러진 형태의 표시 영역을 나타낸 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시한 화소부의 일 실시예를 나타낸 등가 회로도이다.
도 5는 도 1에 도시한 화소부의 다른 실시예를 나타낸 등가 회로도이다.
도 6 내지 도 8은 도 5에 도시한 화소부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 1에 도시한 I-I'선을 따라 자른 단면도이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 신호 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 10b는 도 10a에 도시한 B 영역을 확대한 도면이다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 슬루 레잇 차이를 보상하기 위한 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 데이터 신호 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 16 내지 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여질 수 있다. 또한 도면을 기준으로 다른 소자의 "좌측"에 위치하는 것으로 기술된 소자는 시점에 따라 다른 소자의 "우측"에 위치할 수도 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 표시 영역(110) 및 비표시 영역(120)을 포함하는 기판(100), 구동 집적회로(driver IC, 130), 출력 패드부(140) 및 신호 배선부(150)를 포함할 수 있다.
기판(100)은 절연 기판일 수 있다. 기판(100)은 일 실시예로 유리, 석영, 고분자 수지 등의 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 고분자 물질은 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenapthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyleneterepthalate: PET), 폴리페닐렌설파이드 (polyphenylenesulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(cellulosetriacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합일 수 있다.
기판(100)은 표시 영역(110) 및 비표시 영역(120)을 포함할 수 있다.
표시 영역(110)은 화상을 표시하는 영역으로 정의된다. 표시 영역(110)은 중앙 표시부(MDA) 및 에지 표시부(SDA)를 포함할 수 있다.
중앙 표시부(MDA)와 에지 표시부(SDA)는 제1 내지 제4 벤딩 라인(BL1 내지 BL4)에 의해 구분된다. 보다 상세하게는, 중앙 표시부(MDA)는 제1 내지 제4 벤딩 라인(BL1 내지 BL4)에 의해 구획되는 영역의 내측에 위치하며, 구부러지지 않는 영역으로 정의된다. 이에 반해, 에지 표시부(SDA)는 중앙 표시부(MDA)는 제1 내지 제4 벤딩 라인(BL1 내지 BL4)에 의해 구획되는 영역의 외측에 위치하며, 제1 내지 제4 벤딩 라인(BL1 내지 BL4)을 따라, 구부러지는 영역으로 정의된다.
중앙 표시부(MDA)는 제1 내지 제3 표시부(DA1 내지 DA3)로 구획될 수 있다. 제1 표시부(DA1)를 기준으로, 제2 표시부(DA2)는 제1 표시부(DA1)로부터 제2 방향(d2)을 따라 인접하게 배치되며, 제3 표시부(DA3)는 제1 표시부(DA1)로부터 제4 방향(d4)을 따라 인접하게 배치된다. 제1 표시부(DA1)의 형상은 일 실시예로, 직사각형일 수 있다. 제2 표시부(DA2) 및 제3 표시부(DA3)의 형상은 일 실시예로, 모서리 영역(A)이 둥근 형태의 직사각형일 수 있다. 즉, 제2 표시부(DA2) 및 제3 표시부(DA3)는 모서리 영역(A)이 라운드 형상일 수 있다. 제2 표시부(DA2) 및 제3 표시부(DA3)의 모서리 영역(A)은 일 실시예로 레이저를 이용하여 기판(100)의 적어도 일부를 컷팅(cutting)함으로써 형성될 수 있다.
다만, 상기 직사각형 형상 및 라운드 형상은 도 1에 도시된 것으로 제한되는 것은 아니며, 공정 조건 등을 고려하여 직사각형에 가까운 형상 또는 라운드에 가까운 형상을 모두 포함할 수 있다.
다음으로, 에지 표시부(SDA)에 대해 상세히 설명하기로 한다.
에지 표시부(SDA)는 도 1을 기준으로 중앙 표시부(MDA)의 좌측 및 우측에 위치하는 제1 에지 표시부(SDA1) 및 중앙 표시부(MDA)의 상측 및 하측에 위치하는 제2 에지 표시부(SDA2)를 포함할 수 있다.
제1 에지 표시부(SDA1)는 제4 표시부(DA4) 및 제5 표시부(DA5)를 포함할 수 있다. 제4 표시부(DA4)는 제1 표시부(DA1)로부터 제1 방향(d1)을 따라 인접하게 배치된다. 이는, 제4 표시부(DA4)가 제1 표시부(DA1)로부터 제1 방향(d1)을 따라 연장되도록 배치되는 것으로도 표현될 수 있다. 제5 표시부(DA5)는 제1 표시부(DA1)로부터 제3 방향(d3)을 따라 인접하게 배치된다.
제2 에지 표시부(SDA2)는 제6 표시부(DA6) 및 제7 표시부(DA7)를 포함할 수 있다. 제6 표시부(DA6)는 제1 표시부(DA1)로부터 제2 방향(d2)을 따라 인접하게 배치되며, 제7 표시부(DA7)는 제1 표시부(DA1)로부터 제4 방향(d4)을 따라 인접하게 배치된다.
제4 내지 제7 표시부(DA4 내지 DA7)의 형상은 일 실시예로 직사각형 형상일 수 있다. 일 실시예로, 제4 표시부(DA4)는 제1 표시부(DA1)를 기준으로 제5 표시부(DA5)와 대칭될 수 있다. 또한, 일 실시예로, 제6 표시부(DA6)는 제1 표시부(DA1)를 기준으로 제7 표시부(DA7)와 대칭될 수 있다. 다만, 제4 내지 제7 표시부(DA4 내지 DA7)의 형상은 도 1에 도시된 것으로 제한되는 것은 아니며, 제4 내지 제7 표시부(DA4 내지 DA7)의 형상은 서로 상이할 수도 있다.
제4 표시부(DA4)는 제1 밴딩 라인(BL1)을 따라 제1 표시부(DA1)의 배면 방향으로 구부러질 수 있다. 제5 표시부(DA5)는 제3 밴딩 라인(BL3)을 따라 제1 표시부(DA1)의 배면 방향으로 구부러질 수 있다. 또한, 제6 표시부(DA6)는 제2 밴딩 라인(BL2)을 따라, 제7 표시부(DA7)는 제4 밴딩 라인(BL4)을 따라 각각 제1 표시부(DA1)의 배면 방향으로 구부러질 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하여, 제4 내지 제7 표시부(DA4 내지 DA7)가 구부러진 형태에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 제4 내지 제7 표시부가 구부러진 형태의 표시 영역을 나타낸 정면도이다. 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 제4 내지 제7 표시부가 구부러진 형태의 표시 영역을 나타낸 측면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 정면에서 중앙 표시부(MDA), 즉 제1 내지 제3 표시부(DA1 내지 DA3)만 사용자에 의해 관측된다. 이에 따라, 제1 내지 제3 표시부(DA1 내지 DA3)는 사용자에게 정면 방향으로의 영상을 제공한다. 제1 및 제2 에지 표시부(SDA1, SDA2), 즉 제4 내지 제7 표시부(DA4 내지 DA7)는 제1 내지 제4 밴딩 라인(BL1 내지 BL4)에 의해 각각 제1 표시부(DA1)의 배면으로 구부러짐에 따라, 정면에서 사용자에 의해 관측되지 않는다.
도 2a, 도 2b 및 도 3을 참조하면, 제1 내지 제4 밴딩 라인(BL1 내지 BL4)에 의해 각각 제1 표시부(DA1)의 배면으로 구부러진 제4 내지 제7 표시부(DA4 내지 DA7)는 사용자에게 측면 방향에서의 영상을 제공한다. 도 2b 및 도 3에서는 제4 표시부(DA4) 및 제7 표시부(DA7)에서 영상이 제공되는 것을 예로 든다.
한편, 제4 내지 제7 표시부(DA4 내지 DA7)가 메인 표시부(MDA)에 대해 수직으로 구부러진 것으로 도시되어 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제4 내지 제7 표시부(DA4 내지 DA7)는 메인 표시부(MDA)에 대해 소정의 곡률을 갖는 라운드 형상을 갖도록 구부러질 수도 있다. 또한, 제4 내지 제7 표시부(DA4 내지 DA7)는 메인 표시부(MDA)의 배면과 중첩되도록 구부러질 수도 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7)를 포함함으로써, 정면 및 4개의 측면 모두에서 영상을 표시할 수 있다. 한편, 중앙 표시부(MDA), 제1 에지 표시부(SDA1) 및 제2 에지 표시부(SDA2)는 일 실시예로 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 예를 들어, 메인 표시부(MDA)만 영상을 표시하고, 제1 및 제2 에지 표시부(SDA1, SDA2)는 영상을 표시하지 않을 수 있다. 이와 반대로, 제1 및 제2 에지 표시부(SDA1, SDA2) 중 적어도 일부에서만 영상을 표시할 수도 있다.
다시 도 1을 참조하면, 비표시 영역(120)은 표시 영역(110)의 외측에 배치되며, 화상을 표시하지 않는 영역으로 정의된다. 비표시 영역(120)은 일 실시예로, 표시 영역(110)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 도 1에서는 비표시 영역(120)이 표시 영역(110)을 둘러싸는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 비표시 영역(120)은 다른 실시예로, 표시 영역(110)의 일 측 또는 타 측에만 인접하게 배치되거나, 또는 표시 영역(110)을 기준으로 표시 영역(110)의 일 측 및 양 측에 각각 인접하게 배치될 수도 있다.
구동 집적회로(130)는 비표시 영역(120) 상에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 구동 집적회로(130)는 비표시 영역(120) 중 제7 표시부(DA7)와 후술하는 출력 패드부(140) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 구동 집적회로(130)는 일 실시예로 기판(100) 상에 직접 실장될 수 있다. 한편, 도 1에서는 구동 집적회로(130)를 하나로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니며 복수의 구동 집적회로가 비표시 영역(120) 상에 배치될 수도 있다.
구동 집적회로(130)는 출력 패드부(140)로부터 제공받은 구동 신호를 기초로, 복수의 데이터 신호를 생성하여 복수의 화소부(PX)로 제공할 수 있다. 이를 위해, 기판(100) 상에는 출력 패드부(140)와 구동 집적회로(130)를 전기적으로 연결시키는 복수의 입력 라인이 배치될 수 있다. 또한, 기판(100) 상에는 중앙 표시부(MDA) 및 에지 표시부(SDA)와 구동 집적회로(130)를 전기적으로 연결시키는 복수의 출력 라인이 배치될 수 있다.
상기 복수의 입력 라인 및 상기 복수의 출력 라인 각각과 구동 집적회로(130) 간의 전기적인 연결방법은 특별히 제한되지 않는다. 구동 집적회로(130)는 일 실시예로, 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film, ACF)을 이용하여, 상기 복수의 입력 라인 및 상기 복수의 출력 라인 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 이방성 도전 필름은 일 실시예로 접착 수지 및 접착 수지 내에 분산된 복수의 도전 입자를 포함할 수 있다.
출력 패드부(140)는 일 실시예로 기판(100)의 가장자리를 따라 제1 방향(d1)으로 연장되는 복수의 출력 패드를 포함할 수 있다. 출력 패드부(140)는 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board, 도면 미도시)과 전기적으로 연결된다. 인쇄 회로 기판은 일 실시예로 연성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit)일 수 있다. 인쇄 회로 기판이 연성 인쇄 회로인 경우, 연성 인쇄 회로를 제7 표시부(DA7)의 배면을 향해 접음으로써, 표시 영역(110) 외측에 위치하는 데드 스페이스(dead space)의 면적을 최소화할 수 있다.
출력 패드부(140)는 상기 인쇄 회로 기판(PCB)으로부터 제공받은 신호를 구동 집적회로(130)에 제공하거나, 또는 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7)에 직접 제공할 수도 있다.
기판(100) 상에 비표시 영역(120)과 중첩되는 밴딩 영역(Bending Area: BA)이 배치될 수 있다. 밴딩 영역(BA)은 밴딩 영역(BA) 상에 위치하는 가상의 밴딩 라인을 따라 구부러지는 영역으로 정의된다. 밴딩 영역(BA)은 일 실시예로 제7 표시부(DA7)와 구동 집적회로(130) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 기판(100)은 밴딩 영역(BA) 상의 가상의 밴딩 라인을 중심으로 휘어질 수 있다. 이를 통해, 표시 영역(110) 외측에 배치되는 데드 스페이스의 면적을 최소화시킬 수 있다. 상기 밴딩 영역(BA)은 생략될 수도 있다
신호 배선부(150)는 비표시 영역(120) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예로, 신호 배선부(150)는 제7 표시부(DA7), 제3 표시부(DA3), 제4 표시부(DA4), 제2 표시부(DA2) 및 제6 표시부(DA6) 각각의 일 측을 따라 연장되도록 배치될 수 있다.
신호 배선부(150)는 복수의 구동 신호를 생성하여, 생성된 복수의 구동 신호를 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7) 각각에 배치되는 복수의 화소부(PX)에 제공할 수 있다. 여기서, 구동 신호의 종류는 화소부(PX)에 포함되는 트랜지스터 및 유기 발광 소자 간의 배치 형태에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 구동 신호는 트랜지스터를 턴 온 시킬 수 있는 스캔 신호이거나, 화소부(PX)의 발광을 제어할 수 있는 발광 제어 신호일 수 있다. 또는 구동 신호는 상기 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 모두 포함할 수도 있다. 신호 배선부(150)는 일 실시예로, 상기 구동 신호를 생성하기 위한 복수의 트랜지스터를 포함하거나, 또는 별도의 구동 집적회로를 통해 상기 구동 신호를 생성할 수도 있다.
신호 배선부(150)가 구동 신호의 생성하고 생성된 구동 신호를 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7)에 제공할 수 있는 경우라면, 신호 배선부(150)의 배치 형태는 도 1에 도시된 것으로 제한되는 것은 아니다.
전술한 바와 같이, 구동 신호는 화소부(PX)에 포함되는 트랜지스터 및 유기 발광 소자 간의 배치 형태에 따라 달라질 수 있다. 이하, 화소부(PX)에 포함되는 구성 및 이에 따른 구동 신호에 대해 도 4 내지 도 8을 참조하여 설명하기로 한다.
도 4는 도 1에 도시한 화소부의 일 실시예를 나타낸 등가 회로도이다. 도 4에 도시한 화소부는 제j 데이터 라인(DLj, j는 1 이상의 자연수)을 통해 구동 집적회로(130)와 전기적으로 연결되며, 제i 스캔 라인(SLi, i는 1 이상의 자연수)을 통해 신호 배선부(150)와 전기적으로 연결되는 것을 예시한다.
도 4를 참조하면, 화소부(PX)는 스캔 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT), 스토리지 커패시터(Cst) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다.
스캔 트랜지스터(ST)는 제3 방향(d3)으로 연장되는 제i 스캔 라인(SLi)과 전기적으로 연결되는 게이트 전극, 제4 방향(d4)으로 연장되는 제j 데이터 라인(DLj)과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 스캔 트랜지스터(ST)는 제i 스캔 라인(SLi)으로부터 제공받은 제i 스캔 신호(Si)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 제j 데이터 라인(DLj)으로부터 제공받은 제j 데이터 신호(Dj)를 제1 노드(N1)에 제공할 수 있다.
구동 트랜지스터(DT)는 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결되는 게이트 전극, 제1 구동 전압(ELVDD)을 제공받는 소스 전극 및 유기 발광 소자(OLED)의 일 전극과 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)의 타 전극은 제2 구동 전압(ELVSS)이 제공된다. 여기서, 제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS)은 직류 전압이며, 제2 구동 전압(ELVSS)은 제1 구동 전압(ELVDD)보다 전압 레벨이 낮다.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DT)는 제j 데이터 신호(Dj)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 구동 전류의 전류량을 제어할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결되는 일 전극 및 제1 구동 전압(ELVDD)을 제공받는 타 전극을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)에 제공되는 전압과 제1 구동 전압(ELVDD) 간의 전압 차를 충전할 수 있다.
도 4에 도시된 화소부(PX)는 별도의 발광 제어 트랜지스터를 포함하지 않으므로, 전술한 신호 배선부(150)로부터 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7) 각각에 위치하는 복수의 화소부(PX)에 제공되는 구동 신호는 제i 스캔 신호(Si)를 포함하는 복수의 스캔 신호일 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하여, 복수의 화소부(PX)의 다른 실시예에 대해 설명하기로 한다. 도 5에 도시한 화소부의 경우, 도 4에 도시한 화소부(PX)와의 구분을 위해, 도면 부호 PX'를 사용하기로 한다.
도 5는 도 1에 도시한 화소부의 다른 실시예를 나타낸 등가 회로도이다. 도 5에 도시한 화소부(PX')는 제j 데이터 라인(DLj)을 통해 구동 집적회로(130)와 전기적으로 연결되며, 서로 이웃하는 제i-1 스캔 라인(SLi-1) 및 제i 스캔 라인(SLi)을 통해 신호 배선부(150)와 전기적으로 연결되는 것을 예시한다. 또한, 화소부(PX')는 신호 배선부(150)와 제i 발광 제어 라인(EMLi)을 통해 전기적으로 연결되는 것을 예시한다.
도 5를 참조하면, 화소부(PX')는 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7), 스토리지 커패시터(Cst) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7)는 일 실시예로 PMOS 트랜지스터일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7)는 NMOS 트랜지스터일 수도 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)와 연결되는 게이트 전극, 제3 노드(N3)와 연결되는 소스 전극 및 제2 노드(N2)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제i 스캔 신호(Si)를 제공받는 게이트 전극, 제j 데이터 라인(DLj)과 연결되는 소스 전극 및 제3 노드(N3)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 제i 스캔 신호(Si)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 제j 데이터 신호(Dj)를 제3 노드(N3)와 연결되는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 제공할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제j 데이터 신호(Dj)를 기초로, 유기 발광 다이오드(OLED)에 제공되는 구동 전류(I1)의 전류량을 제어할 수 있다.
보다 상세하게 설명하기로 한다. 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 전극 및 소스 전극 간 전위 차(Vgs, 이하 게이트-소스 전압(Vgs))에 따라, 유기 발광 소자(OLED)에 제공되는 구동 전류(I1)를 제어할 수 있다. 보다 상세하게는, 제1 트랜지스터(T1)는 게이트-소스 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth)보다 클 때 턴 온 되며, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극의 전압 레벨이 유기 발광 소자(OLED)의 문턱 전압보다 커지면, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극 및 드레인 전극 간의 전류, 즉 구동 전류(I1)가 유기 발광 소자(OLED)에 제공된다. 즉, 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터일 수 있으며, 도 4의 구동 트랜지스터(DA)에 대응될 수 있다. 또한, 제2 트랜지스터(T2)는 스캔 트랜지스터일 수 있으며, 도 4의 스캔 트랜지스터(ST)에 대응될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제i 스캔 신호(Si)를 제공받는 게이트 전극과, 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 연결되는 소스 전극 및 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제i 스캔 신호(Si)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극 및 게이트 전극을 서로 연결시킬 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 스위칭 동작을 통해, 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킴으로써, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)을 보상할 수 있다. 즉, 제3 트랜지스터(T3)는 보상 트랜지스터일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)가 다이오드 연결되면, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 제공되는 제j 데이터 신호(Dj)에 대응되는 전압에서, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)만큼 하강된 전압이, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 제공될 수 있다. 상기 제j 데이터 신호(Dj)에 대응되는 전압(Vk)에서, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)만큼 하강된 전압을 문턱 전압(Vth)이 반영된 전압(Vk-Vth)으로 지칭한다.
제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극과 연결되어 있으므로, 문턱 전압(Vth)이 반영된 전압(Vk-Vth)은 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 유지된다. 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)이 반영된 전압(Vk-Vth)이 게이트 전극에 인가되어 유지되므로, 제1 트랜지스터(T1)에 흐르는 구동 전류(I1)는 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)에 따른 영향을 받지 않는다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth) 편차가 보상될 수 있으며, 휘도가 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제i-1 스캔 신호(Si-1)를 제공받는 게이트 전극과, 초기화 전압(VINT)을 제공받는 소스 전극 및 제1 노드(N1)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제i-1 스캔 신호(Si-1)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 초기화 전압(VINT)을 제1 노드(N1)에 제공할 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 노드(N1)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 연결된다. 또한, 제i-1 스캔 신호(Si-1)는 제i 스캔 신호(Si)에 비해 상대적으로 먼저 제공되는 신호이다.
따라서, 제4 트랜지스터(T4)는 제2 트랜지스터(T2)가 턴 온 되기 전에 먼저 턴 온 됨으로써, 초기화 전압(VINT)을 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 제공할 수 있다. 초기화 전압(VINT)의 전압 레벨은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압 레벨을 충분히 낮출 수 있는 경우라면, 특별히 제한되지 않는다. 즉, 제4 트랜지스터(T4)는 초기화 트랜지스터일 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 제i 발광 제어 신호(EMi)를 제공받는 게이트 전극, 제1 구동 전압(ELVDD)을 제공받는 소스 전극 및 제3 노드(N3)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 제i 발광 제어 신호(EMi)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 제1 구동 전압(ELVDD)을 제3 노드(N3)와 연결되는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 제공할 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 제i 발광 제어 신호(EMi)를 제공받는 게이트 전극, 제2 노드(N2)와 연결되는 소스 전극 및 제4 노드(N4)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 제i 발광 제어 신호(EMi)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 유기 발광 소자(OLED) 방향으로 구동 전류(I1)가 흐를 수 있도록 전류 경로를 형성할 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 전류(I1)에 대응하는 발광 전류(I2)에 따라 발광할 수 있다. 즉, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어 트랜지스터일 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 제i 스캔 신호(Si)를 제공받는 게이트 전극, 초기화 전압(VINT)을 제공받는 소스 전극 및 제4 노드(N4)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)가 턴 오프된 상태에서, 초기화 전압(VINT)의 설정 전압에 의해, 제4 노드(N4)에서 제7 트랜지스터(T7) 방향으로 바이패스 전류(I3)가 흐를 수 있다.
만약, 블랙 영상을 표시하기 위한 제1 트랜지스터(T1)의 최소 전류가 구동 전류(I1)로써 흐를 경우에도, 유기 발광 소자(OLED)가 발광하게 된다면 블랙 영상이 제대로 표시되지 않는다. 즉, 제7 트랜지스터(T7)는 제1 트랜지스터(T1)의 최소 전류의 일부를 바이패스 전류(I3)로써, 유기 발광 소자(OLED) 방향 외의 전류 경로로 분산시킬 수 있다. 여기서, 제1 트랜지스터(T1)의 최소 전류는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(Vgs)이 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)보다 전압 레벨이 낮아, 제1 트랜지스터(T1)가 턴 오프되는 조건에서의 전류를 의미한다. 상기 블랙 영상은 제1 트랜지스터(T1)를 턴 오프시키는 조건에서의 최소 구동 전류가 유기 발광 소자(OLED)에 전달됨으로써 표시된다. 블랙 영상을 표시하는 최소 구동 전류가 흐르는 경우, 바이패스 전류(I3)의 우회 전달의 영향이 크다. 이에 반해, 일반 영상 또는 화이트 영상을 표시하는 구동 전류가 흐르는 경우, 바이패스 전류(I3)의 영향이 거의 없다고 할 수 있다. 이에 따라, 블랙 영상을 표시하는 구동 전류가 흐를 경우, 구동 전류(I1)로부터 제7 트랜지스터(T7)를 통해 빠져나온 바이패스 전류(I3)의 전류량만큼 감소된 유기 발광 소자(OLED)의 발광 전류(I2)는 상기 블랙 영상을 확실히 표현할 수 있을 수준으로의 최소 전류량을 가지게 된다. 따라서, 정확한 블랙 영상을 구현함으로써, 콘트라스트비를 향상시킬 수 있다. 즉, 제7 트랜지스터(T7)는 바이패스 트랜지스터일 수 있다. 한편, 제7 트랜지스터(T7)는 도 2에 도시된 것과 달리, 제i 스캔 신호(Si) 대신 제i-1 스캔 신호(Si-1)를 기초로 스위칭 동작을 수행할 수도 있다.
상기 도 5에 도시한 화소부(PX')의 동작에 대해 도 6 내지 도 8을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 6 내지 도 8은 도 5에 도시한 화소부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 제1 구동 구간(P1)동안, 제i-1 스캔 신호(Si-1)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 전환된다. 제i 스캔 신호(Si) 및 제i 발광 제어 신호(EMi)는 하이 레벨을 유지한다.
제i-1 스캔 신호(Si-1)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 전환되면, 화소부(PX')의 제4 트랜지스터(T4)가 턴 온 된다. 화소부(PX')의 제4 트랜지스터(T4)는 초기화 전압(VINT)을 제1 노드(N1)에 제공할 수 있다. 여기서, 초기화 전압(VINT)의 레벨은 제1 노드(N1)를 초기화시킬 수 있을 정도로 충분히 낮게 설정될 수 있다. 화소부(PX')의 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 상기 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결되므로, 초기화 전압(VINT)으로 설정된다.
도 7을 참조하면, 제2 구동 구간(P2) 동안, 제i 스캔 신호(Si)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 전환된다. 또한, 제i-1 스캔 신호(Si-1)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 전환된다. 제i 발광 제어 신호(EMi)는 하이 레벨을 유지한다.
이에 따라, 화소부(PX')의 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3) 및 제7 트랜지스터(T7)가 턴 온 되며, 제4 트랜지스터(T4)가 턴 오프 된다. 화소부(PX')의 제3 트랜지스터(T3)가 턴 온 되면, 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드(diode) 연결된다. 화소부(PX')의 제2 트랜지스터(T2)를 통해 제j 데이터 라인(DLj)으로부터 제공되는 제1 데이터 신호(D1)는 제3 노드(N3) 및 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여, 제1 노드(N1)로 제공된다. 화소부(PX')의 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 연결 상태이므로, 제1 노드(N1)는 제1 데이터 신호(D1)에 대응되는 전압 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)의 차전압이 전달된다. 즉, 화소부(PX')의 제1 노드(N1)는 제1 데이터 신호(D1)에 대응되는 전압 레벨에서 화소부(PX')의 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)의 절대값만큼 감소한 차전압이 제공된다.
화소부(PX')의 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)에 제공된 상기 차전압과 제1 구동 전압(ELVDD) 사이의 전압 차에 대응하는 전하를 저장한다. 한편, 화소부(PX')의 제7 트랜지스터(T7)가 턴 온 되면, 제4 노드(N4)는 초기화 전압(VINT)으로 설정된다.
도 8을 참조하여, 제3 구동 구간(P3)에 대해 설명하기로 한다. 제3 구동 구간(P3)은 발광 구간으로 정의된다. 제3 구동 구간(P3) 동안, 제i-1 스캔 신호(Si-1)는 하이 레벨을 유지한다. 제i 스캔 신호(Si)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 전환된다. 제i 스캔 신호(Si)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 전환된 이후, 제i 발광 제어 신호(EMi)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 전환된다.
이에 따라, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴 온 되며, 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3) 및 제7 트랜지스터(T7)가 턴 오프 된다. 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴 온 되면, 제1 구동 전압(ELVDD)으로부터 제5 트랜지스터(T5), 제1 트랜지스터(T1), 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여, 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류가 흐르게 된다.
도 5에 도시된 화소부(PX')는 스캔 트랜지스터에 대응되는 제2 트랜지스터(T2), 발광 제어 트랜지스터에 대응되는 제5 및 제6 트랜지스터(T5, T6)을 포함한다. 이에 따라, 전술한 신호 배선부(150)로부터 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7) 각각에 위치하는 복수의 화소부(PX')에 제공되는 구동 신호는 제i 스캔 신호(Si)를 포함하는 복수의 스캔 신호와, 제i 발광 제어 신호(EMi)를 포함하는 복수의 발광 제어 신호일 수 있다.
한편, 도 4 및 도 5에 도시한 화소부(PX, PX')는 각각 제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS)을 제공받을 수 있다. 상기 제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS)은 별도의 구동 전압 라인을 통해 전원 제공부(도면 미도시)로부터 제공받을 수 있다. 여기서, 신호 배선부(150)는 상기 구동 전압 라인을 포함할 수도 있다. 또는, 상기 구동 전압 라인은 상기 신호 배선부(150)와 인접하게 배치될 수도 있다.
다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)에 포함되는 구성들의 적층 구조를, 도 5에 도시한 화소부(PX')의 경우를 기준으로 예를 들어 설명하기로 한다.
도 9는 도 1에 도시한 I-I'선을 따라 자른 단면도이다. 도 1 내지 도 8에서 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 버퍼층(210)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(210)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(210)은 기판(100)을 통한 외부로부터의 수분 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(210)은 기판(100)의 표면을 평탄화할 수 있다. 버퍼층(210)은 일 실시예로 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막 및 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(210)은 기판(100)의 종류 또는 공정 조건 등에 따라 생략될 수도 있다.
반도체 패턴(ACT)을 포함하는 반도체층은 버퍼층(210) 상에 배치될 수 있다. 반도체층에 대해 반도체 패턴(ACT)을 기준으로 설명하기로 한다. 반도체 패턴(ACT)은 일 실시예로, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 및 산화물 반도체 중에서 선택되는 하나 또는 두 개 이상을 혼합하여 형성될 수 있다. 반도체 패턴(ACT)은 일 실시예로 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(ACTa), 불순물이 도핑된 소스 영역(ACTb) 및 드레인 영역(ACTc)을 포함할 수 있다. 소스 영역(ACTb)은 채널 영역(ACTa)의 일 측에 위치하며, 후술하는 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결된다. 드레인 영역(ACTc)은 채널 영역(ACTa)의 타 측에 위치하며, 후술하는 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다.
제1 절연층(220)은 반도체 패턴(ACT)을 포함하는 반도체층 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(220)은 일 실시예로 게이트 절연층일 수 있다. 제1 절연층(220)은 일 실시예로 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 절연물질, BCB(BenzoCycloButene), 아크릴계 물질, 및 폴리이미드와 같은 유기 절연 물질로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 하나 이상의 물질을 혼합하여 형성할 수 있다.
게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 도전체는 제1 절연층(220) 상에 배치될 수 있다. 여기서, 게이트 전극(GE)은 도 5에 도시한 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극이다. 게이트 도전체는 도 5에 도시한 제i 스캔 라인(SLi)도 포함할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 제i 스캔 라인(SLi)으로부터 연장될 수 있으며, 반도체 패턴(ACT)과 중첩될 수 있다. 게이트 도전체는 예컨대, 알루미늄 합금을 포함하는 알루미늄(Al) 계열의 금속, 은 합금을 포함하는 은(Ag) 계열의 금속, 구리 합금을 포함하는 구리(Cu)계열의 금속, 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴(Mo) 계열 금속, 크롬(Cr), 티탄(Ti), 및 탄탈륨(Ta) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
제2 절연층(230)은 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 도전체 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(230)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 절연물질, BCB(BenzoCycloButene), 아크릴계 물질, 및 폴리이미드와 같은 유기 절연 물질로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 하나 이상의 물질을 혼합하여 형성할 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 도전체는 제2 절연층(230) 상에 배치될 수 있다. 여기서, 소스 전극(SE)은 도 5에 도시한 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극이다. 또한, 드레인 전극(DE)은 도 5에 도시한 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극이다.
데이터 도전체는 도 2에 도시한 제j 데이터 라인(DLj)뿐만 아니라, 도 5에 도시한 제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS)을 제공하는 구동 전압 라인을 포함할 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 제2 절연층(230) 상에 서로 이격되어 배치된다. 데이터 도전체는 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질으로 이루어진 군 중 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. 데이터 도전체는 일 실시예로 니켈(Ni), 코발트(Co), 티탄(Ti), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 베릴륨(Be), 니오브(Nb), 금(Au), 철(Fe), 셀렌(Se) 또는 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어진 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 금속에 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 니오브(Nb), 백금(Pt), 하프늄(Hf), 산소(O) 및 질소(N)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함시켜 형성한 합금이 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)의 재료로서 이용될 수 있다.
전술한, 반도체 패턴(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 도 5의 제1 트랜지스터(T1)를 구성한다.
평탄화층(240)은 데이터 도전체 상에 배치될 수 있다. 평탄화층(240)은 단차를 제거함에 따라, 후술하는 화소 전극(250) 및 유기 발광층(270)의 발광 효율을 높일 수 있다. 평탄화층(240)은 일 실시예로 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(240)은 폴리이미드(polyimide), 폴리아크릴(polyacryl) 및 폴리실록산(polysiloxane) 중 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 다른 실시예로, 평탄화층(240)은 무기 물질을 포함하여 구성되거나, 또는 무기 물질 및 유기 물질의 복합 형태로 구성될 수도 있다. 평탄화층(240)에는 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출시키는 제1 컨택홀(CNT1)이 형성될 수 있다.
화소 전극(250)은 평탄화층(240) 상에 배치될 수 있다. 화소 전극(250)은 제1 컨택홀(CNT1)에 의해 노출된 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 화소 전극(250)은 정공 주입 전극인 애노드(anode)일 수 있다. 화소 전극(250)이 애노드 전극인 경우, 화소 전극(250)은 정공 주입이 용이하도록 일함수가 높은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 화소 전극(250)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 화소 전극(250)은 일 실시예로 반사성 재료를 포함할 수 있다. 반사성 재료는 일 실시예로, 은(Ag), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 마그네슘-인듐(Mg-In) 및 마그네슘-은(Mg-Ag)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
화소 전극(250)은 일 실시예로, 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 화소 전극(250)은 2 이상의 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수도 있다.
화소 전극(250)이 다중막으로 형성되는 경우, 화소 전극(250)은 일 실시예로, 반사막 및 상기 반사막 상에 배치되는 투명 또는 반투명 전극을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소 전극(250)은 반사막 및 상기 반사막 하부에 배치되는 투명 또는 반투명 전극을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(250)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
여기서, 투명 또는 반투명 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indiu, Oxide), (IGO, Indium Gallium Oxide) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
화소 정의막(260)은 화소 전극(250) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(260)은 화소 전극(250)의 적어도 일부를 노출하는 개구부를 포함한다. 화소 정의막(260)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 화소 정의막(260)은 포토 레지스트, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물, 폴리아크릴계 수지 등의 재료를 포함할 수 있다.
유기 발광층(270)은 화소 전극(250) 및 화소 정의막(260) 상에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 유기 발광층(270)은 화소 전극(250) 중 화소 정의막(260)의 개구부를 통해 노출되는 영역 상에 배치될 수 있다. 유기 발광층(270)은 일 실시예로, 화소 정의막(260)의 측벽의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
유기 발광층(270)은 일 실시예로 적색, 청색 및 녹색 중 하나의 색을 발광할 수 있다. 다른 실시예로, 유기 발광층(270)은 백색을 발광하거나, 또는 시안(cyan), 마젠타(magenta) 및 옐로우(yellow) 중 하나의 색을 발광할 수도 있다. 유기 발광층(270)이 백색을 발광하는 경우, 유기 발광층(270)은 백색 발광 재료를 포함하거나, 또는 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층된 형태를 가짐으로써 백색을 발광할 수도 있다.
공통 전극(280)은 유기 발광층(270) 및 화소 정의막(260) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(280)은 일 실시예로 유기 발광층(270) 및 화소 정의막(260) 상에 전면적으로 형성될 수 있다. 공통 전극(280)은 일 실시예로 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 공통 전극(280)은 일 실시예로 Li. Ca, Lif/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 공통 전극(280)은 일함수가 낮은 재료로 이루어질 수 있다. 공통 전극(280)은 일 실시예로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indiu, Oxide), (IGO, Indium Gallium Oxide) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 투명 또는 반투명 전극일 수 있다.
전술한, 화소 전극(250), 유기 발광층(270) 및 공통 전극(280)은 유기 발광 소자(OLED)를 구성할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 유기 발광 소자(OLED)는 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 등을 더 포함하는 다층 구조일 수 있다.
봉지층(300)은 기판(100)과 대향되도록 배치되되, 유기 발광 소자(OLED)를 덮을 수 있다. 봉지층(300)은 외부로부터 유입될 수 있는 수분 및 공기 등이 유기 발광 소자(OLED)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(300)은 일 실시예로 제1 무기층(301), 유기층(302) 및 제2 무기층(303)을 포함할 수 있다.
제1 무기층(301)은 공통 전극(280) 상에 배치될 수 있다. 제1 무기층(301)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiONx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
유기층(302)은 제1 무기층(301) 상에 배치될 수 있다. 유기층(302)은 에폭시, 아크릴레이트 또는 우레탄아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 유기층(302)은 화소 정의막(260)에 의한 단차를 평탄화시킬 수 있다.
제2 무기층(303)은 유기층(302) 상에 배치될 수 있다. 제2 무기층(303)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiONx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
한편, 도 9에서는 제1 무기층(301), 유기층(302) 및 제2 무기층(303)이 각각 단일 층인 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제1 무기층(301), 유기층(302) 및 제2 무기층(303) 중 적어도 하나의 층은 다층 구조로 형성될 수도 있다.
봉지층(300)은 다른 실시예로 HMDSO층(Hexamethyldisiloxane layer)을 포함할 수 있다. 보다 상세하게는, 봉지층(300)은 제1 무기층(301), 제2 무기층(303) 및 상기 제1 무기층(301)과 제2 무기층(303) 사이에 배치되는 HMDSO층을 포함할 수 있다. 즉, 전술한 유기층(302)이 HMDSO층으로 대체될 수 있다.
상기 HMDSO층은 일 실시예로 제1 무기층(301) 형성 이후, 동일한 챔버(chamber)를 통해 형성될 수 있다. 이를 통해, 봉지층(300) 형성 공정을 간소화할 수 있다. 또한, 스트레스(stress)를 흡수할 수 있는 HMDSO층을 포함함으로써, 봉지층(300)은 충분한 유연성을 가질 수 있다.
이와는 달리, 봉지층(300)은 투명 절연 기판일 수도 있다. 여기서, 투명 절연 기판은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등일 수 있다. 봉지층(300)이 투명 절연 기판인 경우, 봉지층(300)은 기판(100)과 별도의 실링(sealing) 부재를 통해 결합될 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 봉지층(300) 상에는 편광층, 입력 감지층 및 윈도우 층이 배치될 수 있다.
편광층은 외부로부터 입사되는 외부 광의 반사율을 저감시킬 수 있다. 일 실시예로 편광층은 위상 지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 편광층은 생략될 수도 있다. 편광층이 생략되는 경우, 봉지층(300) 상에는 외광 반사에 의한 색 분리를 개선하기 위해, 블랙 매트릭스(Black matrix) 및 컬러 필터(Color filter)가 배치될 수 있다.
입력 감지층은 일 실시예로 봉지층(300) 상에 직접 형성될 수 있다. 다른 실시예로, 입력 감지층은 별도의 접착 부재를 통해 봉지층(300)과 결합될 수도 있다.
다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)의 구동 신호 특성 및 이를 보상하는 방법에 대해 설명하기로 한다.
먼저, 도 10a 및 도 10b을 참조하여, 신호 배선부(150)로부터 출력되는 구동 신호의 특성에 대해 설명하기로 한다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 신호 특성을 설명하기 위한 도면이다. 도 10b는 도 10a에 도시한 B 영역을 확대한 도면이다. 이하, 도 10a에 도시한 B 영역을 기준으로 설명하되, 보다 상세하게는, 제1a, 제1b, 제2a, 제2b, 제3a 및 제3b 화소부, 상기 제1a, 제1b, 제2a, 제2b, 제3a 및 제3b 화소부 각각과 전기적으로 연결되는 제1 내지 제3 스캔 라인(SL1 내지 SL3) 및 제1 내지 제3 발광 제어 라인(EML1 내지 EML3)을 기준으로 설명하기로 한다. 여기서, 화소부를 지칭하는 “제1a 내지 제3b”와, 스캔 라인 및 발광 제어 라인을 지칭하는 “제1 내지 제3”은 서로 간의 구분을 위한 것이며, 배치 순서 등을 한정하는 것은 아니다. 한편, 제1a 내지 제3b 화소부(PX1a 내지 PX3b)는 도 5에 도시한 화소부(PX')의 구성을 포함하는 것으로 예시한다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 제1 스캔 라인(SL1)은 신호 배선부(150)로부터 제3 방향(d3)을 따라 연장될 수 있다. 제1 스캔 라인(SL1)은 제4 표시부(DA4), 제1 표시부(DA1) 및 제5 표시부(DA5)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 제1 스캔 라인(SL1)은 제4 표시부(DA4), 제1 표시부(DA1) 및 제5 표시부(DA5) 각각에 배치되는 복수의 화소부들과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제1 스캔 라인(SL1)은 제1 밴딩 라인(BL1) 및 제3 밴딩 라인(BL3)을 따라 각각 구부러지는 제4 표시부(DA4) 및 제5 표시부(DA5)와 중첩됨에 따라, 적어도 두 개의 구부러지는 영역(E1 및 E2)을 포함할 수 있다.
제2 스캔 라인(SL2)은 신호 배선부(150)로부터 제3 방향(d3)을 따라 연장되되, 제2 표시부(DA2)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 제3 스캔 라인(SL3)은 신호 배선부(150)로부터 제3 방향(d3)을 따라 연장되되, 제6 표시부(DA6)와 중첩되도록 배치될 수 있다.
제1 스캔 라인(SL1)이 제4 표시부(DA4), 제1 표시부(DA1) 및 제5 표시부(DA5) 모두와 중첩되므로, 제1 스캔 라인(SL1)의 길이(l1)는 제2 스캔 라인(SL2)의 길이(l2) 및 제3 스캔 라인(SL3)의 길이(l3)보다 길다. 한편, 제2 표시부(DA2)의 폭은 제6 표시부(DA6)의 폭보다 넓을 수 있다. 이에 따라, 제2 표시부(DA2)와 중첩되는 제2 스캔 라인(SL2)의 길이(l2)는 제6 표시부(DA6)와 중첩되는 제3 스캔 라인(SL3)의 길이(l3)보다 길 수 있다.
즉, 제1 내지 제3 스캔 라인(SL1 내지 SL3)의 길이가 서로 다르므로, 이에 따라 스캔 라인으로부터 출력되는 스캔 신호 간의 슬루 레잇(slew rate)가 상이해질 수 있다.
예를 들어 설명하기로 한다. 제1a 화소부(PX1a)는 제1 스캔 라인(SL1)과 연결되되, 제1 스캔 라인(SL1)과 연결된 화소부 중 가장 먼저 턴 온 전압을 갖는 제1 스캔 신호(S1)를 제공받는 화소부를 예시한다. 제1b 화소부(PX1b)는 제1 스캔 라인(SL1)과 연결되되, 제1 스캔 라인(SL1)과 연결된 화소부 중 가장 나중에 턴 온 전압을 갖는 제1 스캔 신호(S1)를 제공받는 화소부를 예시한다.
제1b 화소부(PX1b)는 제1a 화소부(PX1a)에 비해, 상대적으로 나중에 턴 온 전압을 갖는 제1 스캔 신호(S1)가 제공되므로, 제1 스캔 라인(SL1) 자체의 배선 저항 성분으로 인한 전압 강하(IR drop)로 인해, 제1a 화소부(PX1a)에 제공되는 제1 스캔 신호(S1)와 제1b 화소부(PX1b)에 제공되는 제1 스캔 신호(S1) 간의 슬루 레잇이 상이하게 될 수 있다. 이에 따라, 제1b 화소부(PX1b)는 연결된 데이터 라인으로부터 데이터 신호를 충분히 제공받을 수 있는 시간을 확보하지 못하게 된다. 여기서, 상기 시간은 결국 화소부에 포함되어 상기 스캔 신호를 제공받는 트랜지스터가 턴 온 되기 위한 전압 레벨을 제공하는 시간을 의미하며, 이하 상기 시간을 턴 온 타임(turn on time)으로 정의한다. 제1b 화소부(PX1b), 보다 상세하게는 제2 트랜지스터(T2, 도 5 참조)의 턴 온 타임을 충분히 확보하지 못하는 경우, 필요로 하는 데이터 신호를 충분히 제공받지 못하게 되어, 화질 불량을 야기시키게 된다.
전술한 슬루 레잇 차이는 제2 스캔 라인(SL2)과 연결되는 제2a 화소부(PX2a) 및 제2b 화소부(PX2b) 간에서도 발생될 수 있다. 또한, 제3 스캔 라인(SL3)과 연결되는 제3a 화소부(PX3a) 및 제3b 화소부(PX3b) 간에서도 발생될 수 있다.
한편, 상기 슬루 레잇 차이는 스캔 라인의 길이에 영향을 받으므로, 서로 길이가 상이한 제1 내지 제3 스캔 라인(SL1 내지 SL3)과 각각 연결되는 제1b 화소부(PX1b), 제2b 화소부(PX2b) 및 제3b 화소부(PX3b) 각각의 슬루 레잇도 서로 상이할 수 있다.
제1 발광 제어 라인(EML1)은 신호 배선부(150)로부터 제3 방향(d3)을 따라 연장될 수 있다. 제1 발광 제어 라인(EML1)은 제4 표시부(DA4), 제1 표시부(DA1) 및 제5 표시부(DA5)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 제1 발광 제어 라인(EML1)은 제4 표시부(DA4), 제1 표시부(DA1) 및 제5 표시부(DA5) 각각에 배치되는 복수의 화소부들과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 발광 제어 라인(EML1)은 제1 밴딩 라인(BL1) 및 제3 밴딩 라인(BL3)을 따라 각각 구부러지는 제4 표시부(DA4) 및 제5 표시부(DA5)와 중첩됨에 따라, 적어도 두 개의 구부러지는 영역(E1 및 E2)을 포함할 수 있다.
제2 발광 제어 라인(EML2)은 신호 배선부(150)로부터 제3 방향(d3)을 따라 연장되되, 제2 표시부(DA2)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 제3 발광 제어 라인(EML3)은 신호 배선부(150)로부터 제3 방향(d3)을 따라 연장되되, 제6 표시부(DA6)와 중첩되도록 배치될 수 있다.
제1 발광 제어 라인(EML1)으로부터 제1a 및 제1b 화소부(PX1a, PX1b)에 제공되는 제1 발광 제어 신호(EM1), 제2 발광 제어 라인(EML2)으로부터 제2a 및 제2b 화소부(PX2a, PX2b)에 제공되는 제2 발광 제어 신호(EM2) 및 제3 발광 제어 라인(EML3)으로부터 제3a 및 제3b 화소부(PX3a, PX3b)에 제공되는 제3 발광 제어 신호(EM3) 간에도 각 발광 제어 라인의 길이(l4, l5, l6) 및 화소부의 배치 위치 차이로 인해, 슬루 레잇이 상이할 수 있다.
이하, 상기 슬루 레잇 차이를 보상하기 위한 방법에 대해 도 11 내지 도 14를 참조하여 설명하기로 한다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 슬루 레잇 차이를 보상하기 위한 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11a를 먼저 참조하면, 신호 배선부(150)는 신호 배선부(150)와 연결되는 스캔 라인의 길이를 고려하여, 스캔 라인으로 제공되는 스캔 신호의 턴 온 타임의 길이를 조절할 수 있다. 보다 상세하게는, 신호 배선부(150)는 상대적으로 길이가 긴 스캔 라인에 제공되는 스캔 신호의 턴 온 타임의 길이를, 길이가 짧은 스캔 라인에 제공되는 스캔 신호의 턴 온 타임의 길이보다, 길도록 조절할 수 있다.
예를 들어 설명하기로 한다. 제1 스캔 라인(SL1)에 제공되는 제1 스캔 신호(S1)의 턴 온 타임의 길이(t1)는 제2 스캔 라인(SL2)에 제공되는 제2 스캔 신호(S2)의 턴 온 타임의 길이(t2) 및 제3 스캔 라인(SL3)에 제공되는 제3 스캔 신호(S3)의 턴 온 타임의 길이(t3)보다 길다. 한편, 제2 스캔 신호(S2)의 턴 온 타임의 길이(t2)는 제3 스캔 신호(S3)의 턴 온 타임의 길이(t3)보다 길 수 있다.
상기 제1 스캔 신호(S1)의 턴 온 타임의 길이(t1)가 제2 스캔 신호(S2)의 턴 온 타임의 길이(t2) 및 제3 스캔 신호(S3)의 턴 온 타임의 길이(t3)보다 긴 경우라면, 각 턴 온 타임의 길이의 값은 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예로, 각 턴 온 타임의 길이는, 제1 내지 제3 스캔 라인(SL1 내지 SL3)의 길이에 따른 슬루 레잇 차이를 보상함으로써, 각 스캔 라인이 배치되는 표시부 간의 휘도 차이를 최소화시킬 수 있을 정도로 설정될 수 있다.
따라서, 제1 스캔 신호(S1)를 제공받는 제1b 화소부(PX1b)의 경우, 제1 스캔 신호(S1)가 충분한 턴 온 타임을 가짐으로써, 제1b 화소부(PX1b)와 연결된 데이터 라인으로부터 제공받는 데이터 신호에 대응되는 전압을 스토리지 커패시터(Cst, 도 5 참조)에 충전할 수 있는 시간을 충분히 확보할 수 있다. 이를 통해, 각 표시부 간의 휘도 차이를 최소화시킬 수 있어 표시 품질을 향상시킬 수 있으며, 상기 휘도 차이로 인해 표시 영역(110)에 발생될 수 있는 가로줄 시인 현상을 개선할 수 있다.
한편, 도 5를 함께 참조하면, 충분한 시간 동안 제1 내지 제3 발광 제어 신호(EM1 내지 EM3)가 턴 오프되지 않으면, 도 7에서 설명한 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth) 보상이 제대로 수행되지 않는다. 한편, 발광 제어 신호를 제공받는 트랜지스터가 턴 오프되기 위한 전압 레벨을 제공하는 시간을 이하 턴 오프 타임(turn off time)으로 정의한다.
도 11b를 참조하면, 신호 배선부(150)는 신호 배선부(150)와 연결되는 발광 제어 라인의 길이를 고려하여, 발광 제어 라인으로 제공되는 발광 제어 신호의 턴 오프 타임의 길이를 조절할 수 있다. 보다 상세하게는, 신호 배선부(150)는 상대적으로 길이가 긴 발광 제어 라인에 제공되는 발광 제어 신호의 턴 오프 타임의 길이를, 길이가 짧은 발광 제어 라인에 제공되는 발광 제어 신호의 턴 오프 타임의 길이보다, 길게 할 수 있다.
예를 들어 설명하기로 한다. 제1 발광 제어 라인(EML1)에 제공되는 제1 발광 제어 신호(EM1)의 턴 오프 타임의 길이(t4)는 제2 발광 제어 라인(EML2)에 제공되는 제2 발광 제어 신호(EM2)의 턴 오프 타임의 길이(t5) 및 제3 발광 제어 라인(EML3)에 제공되는 제3 발광 제어 신호(EM3)의 턴 오프 타임의 길이(t6)보다 길다. 한편, 제2 발광 제어 신호(EM2)의 턴 오프 타임의 길이(t5)는 제3 발광 제어 신호(EM3)의 턴 오프 타임의 길이(t6)보다 길 수 있다.
따라서, 제1 발광 제어 신호(EM1)를 제공받는 제1b 화소부(PX1b)의 경우, 제1 발광 제어 신호(EM1)가 충분한 턴 오프 타임을 가짐으로써, 제1 트랜지스터(T1, 도 5 참조)의 문턱 전압(Vth)을 보상할 수 있는 시간을 충분히 확보할 수 있다.
도 12a를 참조하면, 도 11a에 도시된 것과 달리, 제2 스캔 신호(S2)의 턴 온 타임의 길이(t2)는 제3 스캔 신호(S3)의 턴 온 타임의 길이(t3)와 동일할 수도 있다.
즉, 제2 스캔 라인(SL2)의 길이(l2) 및 제3 스캔 라인(SL3)의 길이(l3)의 차이는 제3 스캔 라인(SL3)의 길이(l3)와 제1 스캔 라인(SL1)의 길이(l1)의 차이에 비해 작다. 이에 따라, 도 11a에 도시된 것과 같이, 제2 스캔 신호(S2)의 턴 온 타임의 길이(t2)는 제3 스캔 신호(S3)의 턴 온 타임의 길이(t3)를 동일하게 형성할 수도 있다.
또한, 도 12b를 참조하면, 도 12a에 도시된 것과 달리, 제2 발광 제어 신호(EM2)의 턴 오프 타임의 길이(t5)는 제3 발광 제어 신호(EM3)의 턴 오프 타임의 길이(t6)와 동일할 수도 있다.
다만, 각 스캔 신호의 턴 온 타임 및 각 발광 제어 신호의 턴 오프 타임은 도 11 및 도 12에서 설명한 것으로 한정되는 것은 아니며, 각 스캔 신호가 제공되는 스캔 라인 및 각 발광 제어 신호가 제공되는 발광 제어 라인의 길이를 고려하여, 조절될 수 있다.
도 13 및 도 14를 참조하여, 각 스캔 라인의 슬루 레잇 차이를 보상하기 위한 다른 실시예에 대해 설명하기로 한다.
도 13에 도시한 스캔 신호의 경우, 도 12에 도시한 스캔 신호와 비교하여, 턴 온 타임의 길이(t)는 서로 동일하되, 펄스 폭의 길이가 서로 다른 점에서 차이가 있다.
신호 배선부(150)는 신호 배선부(150)와 연결되는 스캔 라인의 길이를 고려하여, 스캔 라인으로 제공되는 스캔 신호의 펄스 폭의 길이를 조절할 수 있다. 여기서, 펄스 폭은 스캔 신호의 최저 전압과 최고 전압 간의 전압 레벨 차이로 정의된다. 보다 상세하게는, 신호 배선부(150)는 상대적으로 길이가 긴 스캔 라인에 제공되는 스캔 신호의 펄스 폭의 길이를, 길이가 짧은 스캔 라인에 제공되는 스캔 신호의 펄스 폭의 길이보다, 길도록 조절할 수 있다.
예를 들어 설명하기로 한다. 제1 스캔 라인(SL1)에 제공되는 제1 스캔 신호(S1)의 펄스 폭의 길이(h1)는 제2 스캔 라인(SL2)에 제공되는 제2 스캔 신호(S2)의 펄스 폭의 길이(h2) 및 제3 스캔 라인(SL3)에 제공되는 제3 스캔 신호(S3)의 펄스 폭의 길이(h3)보다 길다. 한편, 제2 스캔 신호(S2)의 펄스 폭의 길이(h2)는 제3 스캔 신호(S3)의 펄스 폭의 길이(h3)보다 길 수 있다.
상기 제1 스캔 신호(S1)의 펄스 폭의 길이(h1)가 제2 스캔 신호(S2)의 펄스 폭의 길이(h2) 및 제3 스캔 신호(S3)의 펄스 폭의 길이(h3)보다 긴 경우라면, 각 펄스 폭의 길이 값은 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예로, 펄스 폭의 길이는, 제1 내지 제3 스캔 라인(SL1 내지 SL3)의 길이에 따른 슬루 레잇 차이를 보상함으로써, 각 스캔 라인이 배치되는 표시부 간의 휘도 차이를 최소화시킬 수 있을 정도로 설정될 수 있다.
이를 통해, 각 표시부 간의 휘도 차이를 최소화시킬 수 있어 표시 품질을 향상시킬 수 있으며, 상기 휘도 차이로 인해 표시 영역(110)에 발생될 수 있는 가로줄 시인 현상을 개선할 수 있다.
도 14는 참조하면, 도 13에 도시된 것과 달리, 제2 스캔 신호(S2)의 펄스 폭의 길이(h2)는 제3 스캔 신호(S3)의 펄스 폭의 길이(h3)와 동일할 수도 있다.
즉, 제2 스캔 라인(SL2)의 길이(l2) 및 제3 스캔 라인(SL3)의 길이(l3)의 차이는 제3 스캔 라인(SL3)의 길이(l3)와 제1 스캔 라인(SL1)의 길이(l1)의 차이에 비해 작다. 이에 따라, 도 14에 도시된 것과 같이, 제2 스캔 신호(S2)의 펄스 폭의 길이(h2)는 제3 스캔 신호(S3)의 펄스 폭의 길이(h3)를 동일하게 형성할 수도 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 턴 온 타임의 길이 및 펄스 폭의 길이 모두를 조절함으로써, 슬루 레잇 차이를 보상할 수도 있다.
다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)의 데이터 신호 특성 및 이를 보상하는 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 데이터 신호 특성을 설명하기 위한 도면이다. 도 15에서는, 제1 데이터 라인(DL1), 제2 데이터 라인(DL2) 및 제3 데이터 라인(DL3)을 기준으로 설명하기로 한다. 여기서 데이터 라인을 지칭하는 “제1 내지 제3”은 서로 간의 구분을 위한 것이며, 데이터 라인의 배치 순서 등을 한정하는 것은 아니다.
이하, 제1 내지 제3 데이터 라인(DL1 내지 DL3)과 연결되는 제4a 화소부(PX4a), 제4b 화소부(PX4b), 제4c 화소부(PX4c), 제4d 화소부(PX4d) 및 제4e 화소부(PX4e)를 기준으로 설명하기로 한다.
여기서, 제4a 화소부(PX4a)는 제1 데이터 라인(DL1)과 연결되되, 제4 표시부(DA4)에 배치된다. 제4b 화소부(PX4b)는 제2 데이터 라인(DL2)과 연결되되, 제1 표시부(DA1)에 배치된다. 제4c 화소부(PX4c)는 제3 데이터 라인(DL3)과 연결되되, 제5 표시부(DA5)에 배치된다. 또한, 제4d 화소부(PX4d) 및 제4e 화소부(PX4e)는 각각 제2 표시부(DA2) 및 제6 표시부(DA6)에 배치되되, 동일한 제2 데이터 라인(DL2)과 연결된다. 한편, 제4a 화소부(PX4a), 제4b 화소부(PX4b) 및 제4c 화소부(PX4c)는 서로 동일한 행에 배치됨에 따라, 동일한 스캔 라인과 연결된다.
전술한 바와 같이, 제4 표시부(DA4) 및 제5 표시부(DA5)는 각각 제1 밴딩 라인(BA1) 및 제2 밴딩 라인(BA2)을 따라 제1 표시부(DA1)의 배면 방향으로 구부러진다. 이에 따라, 제4 표시부(DA4)에 배치되는 제4a 화소부(PX4a)에 제1 데이터 신호(D1)를 제공하기 위한 제1 데이터 라인(DL1)은 제1 영역(F1)에 위치하는 구부러진 영역(bent portion)을 가질 수 있다. 또한, 제5 표시부(DA5)에 배치되는 제4c 화소부(PX4a)에 제3 데이터 신호(D3)를 제공하기 위한 제3 데이터 라인(DL3)은 제2 영역(F2)에 위치하는 구부러진 영역을 가질 수 있다. 이에 반해, 제4b 화소부(PX4b)에 제2 데이터 신호(D2)를 제공하기 위한 제2 데이터 라인(DL2)은 구부러진 영역을 포함하지 않는다.
이에 따라, 동일한 행에 배치되는 제4a 화소부(PX4a), 제4b 화소부(PX4b) 및 제4c 화소부(PX4c)와 각각 연결되는 제1 내지 제3 데이터 라인(DL1 내지 DL3)의 길이는 서로 상이할 수 있다. 보다 상세하게는, 구동 집적회로(130)에서부터 제4a 화소부(PX4a), 제4b 화소부(PX4b) 및 제4c 화소부(PX4c) 각각까지의 데이터 라인의 길이는 서로 상이할 수 있다.
상기 데이터 라인의 길이가 상이함에 따라, 데이터 라인의 배선 저항으로 인한 전압 강하로 인해, 각 데이터 라인과 연결되는 화소부 간의 휘도 차이 및 세로줄 시인 현상이 발생될 수 있다.
또한, 동일한 제2 데이터 라인(DL2)에 연결되는 제4b 화소부(PX4b), 제4d 화소부(PX4d) 및 제4e 화소부(PX4e) 간에도, 상대적으로 구동 집적회로(130)와의 거리 차이가 존재하므로, 이에 따른 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7) 간의 휘도 차이가 발생될 수 있다. 즉, 각 표시부에 동일한 데이터 신호를 인가하더라도, 상대적으로 제1 표시부(DA1)의 휘도가 나머지 표시부에 비해 휘도가 높을 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 화소부가 배치되는 표시부의 위치를 고려하여, 보정된 데이터 신호를 상기 화소부에 제공할 수 있다.
제2 데이터 라인(DL2)을 기준으로 예를 들어 설명하기로 한다.
제2 데이터 라인(DL2)과 연결되는 제4b 화소부(PX4b), 제4d 화소부(PX4d) 및 제4e 화소부(PX4e) 중 제6 표시부(DA6)에 배치되는 제4d 화소부(PX4d)가 제4b 화소부(PX4b) 및 제4e 화소부(PX4e)에 비해 휘도가 상대적으로 낮으므로, 제4d 화소부(PX4d)를 기준으로, 제4b 화소부(PX4b) 및 제4e 화소부(PX4e)에 제공되는 데이터 신호를 보정할 수 있다.
보다 상세하게는, 제4d 화소부(PX4d)에 제공되는 제2 데이터 신호(D2)는 그대로 제4d 화소부(PX4d)에 제공하되, 제4e 화소부(PX4e)가 원래 표시해야할 계조 데이터에서 보정을 통해 계조 값을 낮춘 제2 데이터 신호(D2)가 제4e 화소부(PX4e)에 제공될 수 있다. 또한, 제4b 화소부(PX4b)가 원래 표시해야할 계조 데이터에서 보정을 통해 계조 값을 낮춘 제2 데이터 신호(D2)가 제4b 화소부(PX4b)에 제공될 수 있다. 여기서, 제4b 화소부(PX4b)에 제공되는 보정된 제2 데이터 신호(D2)의 계조 값은 제4e 화소부(PX4e)에 제공되는 보정된 제2 데이터 신호(D2)의 계조 값보다 낮을 수 있다.
상기 계조 값을 낮추는 정도는 구동 집적회로(130)와 당해 화소부 간의 거리를 기초로 결정될 수 있다. 보다 상세하게는, 거리가 가장 가까운 화소부에 제공되는 데이터 신호에 대응되는 계조 데이터의 계조 값을 낮추는 정도가 가장 클 수 있다.
즉, 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7)에 배치되는 복수의 화소부(PX)에 제공되는 데이터 신호의 계조 값을, 각 화소부와 구동 집적회로(130) 간의 거리를 고려하여 조절함으로써, 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7)의 휘도 균일성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하기로 한다. 다만, 도 1 내지 도 15에서 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 16 내지 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 16을 먼저 참조하여 설명하기로 한다. 도 16에 도시한 유기 발광 표시 장치(20)는 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치(10)와 비교하여, 제1 신호 배선부(150a) 및 제2 신호 배선부(150b)를 포함하는 점에서 차이가 있다. 즉, 도 16에 도시한 유기 발광 표시 장치(20)는 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치(10)의 신호 배선부(150)에 대응되는 제1 신호 배선부(150a) 뿐만 아니라, 중앙 표시부(MDA)를 기준으로 제1 신호 배선부(150a)에 대응되는 제2 신호 배선부(150b)를 더 포함할 수 있다.
제2 신호 배선부(150b)는 제7 표시부(DA7), 제3 표시부(DA3), 제4 표시부(DA4), 제2 표시부(DA2) 및 제6 표시부(DA6) 각각의 타 측을 따라 연장되도록 배치될 수 있다.
제1 및 제2 신호 배선부(150a, 150b)는 복수의 구동 신호를 생성하여, 생성된 복수의 구동 신호를 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7) 각각에 배치되는 복수의 화소부(PX)에 제공할 수 있다.
일 실시예로, 제1 신호 배선부(150a) 및 제2 신호 배선부(150b)는 서로 동일한 신호를 생성하여 각각 복수의 화소부(PX)에 제공할 수 있다. 예를 들어, 제1 신호 배선부(150a) 및 제2 신호 배선부(150b) 모두가 제1 스캔 신호(S1)를 제1 스캔 라인(SL1)에 제공하는 경우, 상기 제1 스캔 신호(S1)가 제공되는 제1 스캔 라인(SL1)의 배선 저항에 의한 전압 강하를 방지할 수 있다. 다만, 이 경우에도, 제1 스캔 라인(SL1)의 길이가 제2 스캔 라인(SL2) 및 제3 스캔 라인(SL3) 각각의 길이 차이로 인해 발생되는 슬루 레잇 차이를 보상하기 위해, 제1 스캔 라인(SL1)에 제공되는 제1 스캔 신호(S1)의 턴 온 타임 및/또는 펄스 폭의 길이를 상대적으로 길게 형성할 수 있다.
다른 실시예로, 제1 신호 배선부(150a) 및 제2 신호 배선부(150b)는 서로 다른 신호를 생성하여 각각 복수의 화소부(PX)에 제공할 수도 있다. 예를 들어, 제1 신호 배선부(150a)는 전술한 복수의 스캔 신호를 생성하여, 복수의 화소부(PX)에 제공하는 스캔 구동부일 수 있다. 제2 신호 배선부(150b)는 전술한 복수의 발광 제어 신호를 생성하여, 복수의 화소부(PX)에 제공하는 발광 구동부일 수 있다.
도 17을 참조하면, 제2 표시부(DA2) 및 제3 표시부(DA3)는 모서리 영역(A1)이 직각으로 형성될 수 있다. 즉, 도 17에 도시된 유기 발광 표시 장치(30)는 제2 표시부(DA2) 및 제3 표시부(DA3)의 모서리 영역(A1)이 직각인 점에서, 라운드 형상을 갖는 모서리 영역(A)을 포함하는 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치(10)와 차이가 있다.
신호 배선부(150)는 제7 표시부(DA7), 제3 표시부(DA3), 제4 표시부(DA4), 제2 표시부(DA2) 및 제6 표시부(DA6)의 외곽을 따라 연장되되, 대체로 인접한 표시부의 외곽 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다.
도 18에 도시한 유기 발광 표시 장치(40)는 제6 표시부(DA6)를 포함하지 않는 점에서, 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치(10)와 차이가 있다.
또한, 도 19에 도시한 유기 발광 표시 장치(50)는 제5 표시부(DA5)를 추가로 포함하지 않는 점에서, 도 18에 도시한 유기 발광 표시 장치(40)와 차이가 있다.
즉, 반드시 제1 내지 제7 표시부(DA1 내지 DA7) 모두를 포함하지 않더라도, 동일 방향으로 연장되는 스캔 라인, 데이터 라인 또는 발광 제어 라인드 간의 길이 차로 인해 휘도 차이가 발생되는 경우, 각 라인에 제공되는 신호의 턴 온 타임의 길이, 펄스 폭의 길이 및/또는 데이터 보상 방법을 조절함으로써, 복수의 표시부의 휘도 차이를 최소화시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판;
110: 표시 영역;
120: 비표시 영역;
130: 구동 집적회로;
140: 출력 패드부;
150: 신호 배선부;

Claims (20)

  1. 제1 화소부를 포함하는 중앙 표시부, 상기 중앙 표시부로부터 제1 방향을 따라 연장되는 제1 에지 표시부 및 상기 중앙 표시부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되되 제2 화소부를 포함하는 제2 에지 표시부가 배치되는 표시 영역을 포함하는 기판; 및
    상기 제1 에지 표시부 및 상기 제2 에지 표시부와 중첩되고, 상기 제1 화소부에 제1 턴 온 타임을 갖는 제1 스캔 신호를 제공하고 상기 제2 화소부에 제2 턴 온 타임을 갖는 제2 스캔 신호를 제공하는 제1 신호 배선부를 포함하고,
    상기 제1 에지 표시부는 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 밴딩 라인을 따라 구부러지고, 상기 제2 에지 표시부는 상기 제2 방향을 따라 연장되는 제2 밴딩 라인을 따라 구부러지며,
    상기 제1 턴 온 타임의 길이는 상기 제2 턴 온 타임의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스캔 신호의 펄스 폭의 길이는 상기 제2 스캔 신호의 펄스 폭의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중앙 표시부는,
    상기 제1 화소부가 배치되는 제1 중앙 표시부 및 상기 제1 중앙 표시부와 상기 제2 에지 표시부 사이에 배치되되 제3 화소부를 포함하는 제2 중앙 표시부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 신호 배선부는 상기 제3 화소부에 제3 턴 온 타임을 갖는 제3 스캔 신호를 제공하고,
    상기 제3 턴 온 타임의 길이는 상기 제1 턴 온 타임의 길이보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 중앙 표시부의 모서리 영역은 라운드 형상인 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 신호 배선부는, 상기 제1 화소부에 제1 턴 오프 타임을 갖는 제1 발광 제어 신호를 제공하고, 상기 제2 화소부에 제2 턴 오프 타임을 갖는 제2 발광 제어 신호를 제공하며,
    상기 제1 턴 오프 타임의 길이는 상기 제2 턴 오프 타임의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 표시 영역은, 상기 중앙 표시부로부터 상기 제1 방향에 대향되는 제3 방향을 따라 연장되는 제3 에지 표시부 및 상기 중앙 표시부로부터 상기 제2 방향에 대향되는 제4 방향을 따라 연장되되 제4 화소부를 포함하는 제4 에지 표시부를 더 포함하고,
    상기 제3 에지 표시부는 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 밴딩 라인을 따라 구부러지고, 상기 제4 에지 표시부는 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제4 밴딩 라인을 따라 구부러지는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 신호 배선부는 상기 제4 화소부에 제4 턴 온 타임을 갖는 제4 스캔 신호를 제공하고,
    상기 제1 턴 온 타임의 길이는 상기 제4 턴 온 타임의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2 에지 표시부, 상기 제3 에지 표시부 및 상기 제4 에지 표시부와 중첩되는 제2 신호 배선부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 신호 배선부는, 상기 제1 화소부와 상기 제1 스캔 신호를 제공하는 제1 스캔 라인을 통해 연결되고, 상기 제2 화소부와 상기 제2 스캔 신호를 제공하는 제2 스캔 라인을 통해 연결되며,
    상기 제1 스캔 라인의 길이는 상기 제2 스캔 라인의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  11. 제1 화소부를 포함하는 중앙 표시부, 상기 중앙 표시부로부터 제1 방향을 따라 연장되는 제1 에지 표시부 및 상기 중앙 표시부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되되 제2 화소부를 포함하는 제2 에지 표시부가 배치되는 표시 영역을 포함하는 기판; 및
    상기 제1 에지 표시부 및 상기 제2 에지 표시부와 중첩되고, 상기 제1 화소부에 제1 펄스 폭을 갖는 제1 스캔 신호를 제공하고 상기 제2 화소부에 제2 펄스 폭을 갖는 제2 스캔 신호를 제공하는 신호 배선부를 포함하고,
    상기 제1 에지 표시부는 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 밴딩 라인을 따라 구부러지고, 상기 제2 에지 표시부는 상기 제2 방향을 따라 연장되는 제2 밴딩 라인을 따라 구부러지며,
    상기 제1 펄스 폭의 길이는 상기 제2 펄스 폭의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 스캔 신호는 제1 턴 온 타임을 가지며, 상기 제2 스캔 신호는 제2 턴 온 타임을 가지고,
    제1 턴 온 타임의 길이는 상기 제2 턴 온 타임의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 신호 배선부는, 상기 제1 화소부와 상기 제1 스캔 신호를 제공하는 제1 스캔 라인을 통해 연결되고, 상기 제2 화소부와 상기 제2 스캔 신호를 제공하는 제2 스캔 라인을 통해 연결되며,
    상기 제1 스캔 라인의 길이는 상기 제2 스캔 라인의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 중앙 표시부는,
    상기 제1 화소부가 배치되는 제1 중앙 표시부 및 상기 제1 중앙 표시부와 상기 제2 에지 표시부 사이에 배치되되 제3 화소부를 포함하는 제2 중앙 표시부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 신호 배선부는 상기 제3 화소부에 제3 펄스 폭을 갖는 제3 스캔 신호를 제공하고,
    상기 제3 펄스 폭의 길이는 상기 제1 펄스 폭의 길이보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  16. 제1 화소부를 포함하는 중앙 표시부, 상기 중앙 표시부로부터 제1 방향을 따라 연장되는 제1 에지 표시부 및 상기 중앙 표시부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되되 제2 화소부를 포함하는 제2 에지 표시부가 배치되는 표시 영역을 포함하는 기판; 및
    상기 제1 에지 표시부 및 상기 제2 에지 표시부와 중첩되고, 상기 제1 화소부와 제1 스캔 라인을 통해 연결되고 상기 제2 화소부와 제2 스캔 라인을 통해 연결되는 신호 배선부를 포함하고,
    상기 신호 배선부는, 상기 제1 스캔 라인을 통해 상기 제1 화소부에 제1 턴 온 타임을 갖는 제1 스캔 신호를 제공하고 상기 제2 스캔 라인을 통해 상기 제2 화소부에 제2 턴 온 타임을 갖는 제2 스캔 신호를 제공하며,
    상기 제1 스캔 라인의 길이는 상기 제2 스캔 라인의 길이보다 길고, 상기 제1 턴 온 타임의 길이는 상기 제2 턴 온 타임의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 스캔 신호의 펄스 폭의 길이는 상기 제2 스캔 신호의 펄스 폭의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 중앙 표시부는,
    상기 제1 화소부가 배치되는 제1 중앙 표시부 및 상기 제1 중앙 표시부와 상기 제2 에지 표시부 사이에 배치되되 제3 화소부를 포함하는 제2 중앙 표시부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 신호 배선부는 상기 제3 화소부에 제3 스캔 라인을 통해 제3 턴 온 타임을 갖는 제3 스캔 신호를 제공하고,
    상기 제1 스캔 라인의 길이는 상기 제3 스캔 라인의 길이보다 길며, 상기 제3 턴 온 타임의 길이는 상기 제1 턴 온 타임의 길이보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 신호 배선부는, 상기 제1 화소부에 제1 턴 오프 타임을 갖는 제1 발광 제어 신호를 제공하고, 상기 제2 화소부에 제2 턴 오프 타임을 갖는 제2 발광 제어 신호를 제공하며,
    상기 제1 턴 오프 타임의 길이는 상기 제2 턴 오프 타임의 길이보다 긴 유기 발광 표시 장치.
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