CN112086577A - 显示装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示装置及其制备方法，所述显示装置包括显示区和非显示区，所述显示装置包括阵列基板、平坦层、像素定义层和防护层，所述平坦层设置于所述阵列基板上，所述像素定义层位于所述显示区，所述像素定义层设置于所述平坦层上，所述防护层位于所述非显示区，所述防护层设置于所述平坦层上。在本申请中，通过在位于非显示区的平坦层上设置防护层，进而防止水氧入侵显示装置，并防止显示装置中的结构受到划伤以及不影响后续制程，进而提高显示装置的信赖性。

Description

显示装置及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示装置及其制备方法。

背景技术

近年来，有机发光二极管显示装置以其独有的优势正吸引着业内绝大多数从业者注意，在中小尺寸显示领域更有取代液晶显示面板的趋势，现阶段中的有机发光二极管面板大多依赖蒸镀制程，其中，在蒸镀制程中用于图形定义的治具为金属掩模版，但是因为金属掩膜板在使用刻蚀制程后形成开口，且开口与基板直接接触，进而会对基板造成划伤，因划伤产生的异物可能会对后续的制程产品信赖性不良的结果，并且半刻蚀设计会造成边缘膜厚不均区域增加，不利于实现窄边框。

发明内容

本申请提供一种显示装置及其制备方法，以解决现有技术中对基板划伤的问题。

本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括显示区和非显示区，所述显示装置包括：

一阵列基板；

平坦层，所述平坦层设置于所述阵列基板上；

像素定义层，所述像素定义层位于所述显示区，所述像素定义层设置于所述平坦层上；以及

防护层，所述防护层位于所述非显示区，所述防护层设置于所述平坦层上。

在本申请所提供的显示装置中，所述防护层的材料为类金刚石。

在本申请所提供的显示装置中，所述防护层的厚度为3纳米-980纳米。

在本申请所提供的显示装置中，所述显示装置还包括支撑结构，所述支撑结构设置于所述像素定义层上。

在本申请所提供的显示装置中，所述显示装置还包括挡墙，所述非显示区包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于靠近所述像素定义层的一侧，所述第二区域位于远离所述像素定义层的一侧，所述挡墙设置于所述第二区域上的平坦层，所述防护层覆盖所述挡墙，所述挡墙的高度与所述防护层的厚度之和大于所述支撑结构的高度。

在本申请所提供的显示装置中，所述显示装置还包括阴极接触层，所述阴极接触层设置于所述第一区域的平坦层上。

本申请还提供一种显示装置的制备方法，所述显示装置包括显示区和非显示区，所述显示装置的制备方法包括：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板上依次层叠形成平坦层以及像素定义层，所述像素定义层位于所述显示区；以及

在所述非显示区，在所述平坦层上形成防护层。

在本申请所提供的显示装置的制备方法中，所述在所述阵列基板上形成平坦层以及像素定义层的步骤之后，在所述非显示区，在所述平坦层上形成防护层的步骤之前，包括：

在所述显示区，在所述像素定义层及所述平坦层上形成保护层。

在本申请所提供的显示装置的制备方法中，所述保护层的材料为聚酯、SiOx或SiNx中的一种或几种组合。

在本申请所提供的显示装置的制备方法中，所述保护层为金属掩膜版。

本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括显示区和非显示区，所述显示装置包括阵列基板、平坦层、像素定义层和防护层，所述平坦层设置于所述阵列基板上，所述像素定义层位于所述显示区，所述像素定义层设置于所述平坦层上，所述防护层位于所述非显示区，所述防护层设置于所述平坦层上。在本申请中，通过在位于非显示区的平坦层上设置防护层，进而防止水氧入侵显示装置，并防止显示装置中的结构受到划伤以及不影响后续制程，进而提高显示装置的信赖性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的显示装置的俯视图。

图2为本申请提供的显示装置沿AB线的截面图。

图3为本申请提供的显示装置的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1，图1为本申请提供的显示装置的俯视图。本申请提供一种显示装置10。所述显示装置10包括显示区11和非显示区12。所述非显示区12围绕所述显示区11。所述显示装置10包括阴极膜层20、驱动芯片30、覆晶薄膜40、柔性电路板绑定区50和防护层60。所述阴极膜层20、所述驱动芯片30、所述覆晶薄膜40、所述柔性电路板绑定区50和所述防护层60位于所述非显示区12。所述阴极膜层20围绕所述显示区11设置。所述覆晶薄膜40与所述阴极膜层20连接。所述驱动芯片30绑定于所述覆晶薄膜40上。所述柔性电路板绑定区50设置于所述覆晶薄膜40远离所述阴极膜层20的一侧。设置有所述驱动芯片30。所述防护层60围绕所述阴极膜层20、所述覆晶薄膜40以及所述柔性电路板绑定区50设置。

请参阅图2，图2为本申请提供的显示装置沿AB线的截面图。所述显示装置10包括阵列基板100、平坦层200、像素定义层300和防护层60。所述非显示区12包括第一区域13和第二区域14。所述第一区域13位于靠近所述像素定义层300的一侧。所述第二区域14位于远离所述像素定义层300的一侧。

所述阵列基板100包括基板110、遮光层120、缓冲层130和晶体管140。所述基板110可以为聚酰亚胺或玻璃等。所述遮光层120和所述缓冲层130依次层叠设置于所述基板110上。所述晶体管140位于所述显示区11。所述晶体管140设置于所述缓冲层130上。所述晶体管140包括栅极141、栅极绝缘层142、有源层143、源极144和漏极145。所述栅极141设置于所述缓冲层120上。所述栅极绝缘层142覆盖所述栅极141。所述有源层143设置于所述栅极绝缘层142上。所述源极144设置于所述有源层143的一侧，并与所述有源层143电连接。所述漏极145设置于所述有源层143的另一侧，并与所述有源层143电连接。

所述平坦层200设置于所述阵列基板110上。具体的，所述平坦层200覆盖所述栅极绝缘层142以及所述有源层143。在所述显示区11，所述平坦层200包括第一通孔201和第二通孔202。所述第一通孔201贯穿所述平坦层200以暴露所述有源层143的一侧。所述第二通孔202贯穿所述平坦层200以暴露所述有源层143的另一侧。所述源极144填充于所述第一通孔201中，并通过所述第一通孔201与有源层143电连接。所述漏极145填充于所述第二通孔202中，并通过第二通孔202与所述有源层143电连接。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括钝化层400。所述钝化层400覆盖所述平坦层200、所述源极144以及所述漏极145。在所述显示区11，所述钝化层400包括第三通孔401。所述第三通孔401贯穿所述钝化层400以暴露所述漏极145。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括阳极500。所述阳极500设置于所述第三通孔401中以及所述钝化层400上。所述阳极500与所述漏极145电连接。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括阴极接触层600。所述第二所述阴极接触层600设置于所述第一区域13的平坦层200上。具体的，所述阴极接触层600包括第一部分610和第二部分620。所述第一部分610与所述有源层143同层设置，设置于所述栅极绝缘层142上。在所述第一区域13，所述钝化层400还包括第一过孔402和第二过孔403。所述第一过孔402贯穿所述钝化层400及所述平坦层200以暴露所述第一部分610的一侧。所述第二过孔403贯穿所述钝化层400及所述平坦层20以暴露所述第一部分610的另一侧。所述第二部分620设置于所述第一过孔402中、所述第二过孔403以及所述钝化层400上。所述第二部分620通过所述第一过孔402以及所述第二过孔403与所述第一部分610电连接。

所述像素定义层300位于所述显示区11。所述像素定义层300设置于所述平坦层200上。具体的，所述像素定义层300设置于所述显示区11的钝化层400上。所述像素定义层300包括第四通孔301。所述第四通孔301贯穿所述像素定义层300以暴露所述阳极500。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括隔离层700。所述隔离层700设置于所述阴极接触层600上。所述隔离层700具有若干第五通孔701。所述第五通孔701贯穿所述隔离层700以暴露所述阴极接触层600。

在本申请中，用隔离层将阴极接触层划分为多个区域，避免了在显示装置制备的过程中造成阴极接触层中的某个区域划伤或者存有异物，进而使得另外的区域仍然可以正常使用，进而提高显示装置的良率，并降低生产成本。

在另一实施例中，所述显示装10置还包括挡墙800。所述挡墙800设置于所述第二区域14上的平坦层200上。所述挡墙用于防止显示装置的结构固化之前的流动相溢出。

在另一实施例中，所述显示装10置还包括堤坝900。所述堤坝900设置于所述第二区域14上的平坦层200上。所述堤坝900与所述挡墙800同层设置，并位于所述挡墙800与所述隔离层700之间。所述堤坝900的高度h小于所述挡墙800的高度H。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括支撑结构1000。所述支撑结构1000设置于所述像素定义层300上。所述支撑结构1000用于支撑显示装置的结构在后续制程中对其他结构的压伤或划伤。

在另一实施例中，所述显示装10置还包括裂痕阻挡坝1100。所述裂痕阻挡坝1100设置于所述第二区域14上的平坦层200上。所述裂痕阻挡坝1100位于所述挡墙800远离所述堤坝900的一侧。裂痕阻挡坝用于防止其他结构在后续制程中产生裂痕。

所述防护层60位于所述非显示区11。所述防护层60设置于所述平坦层200上。具体的，所述防护层60覆盖所述钝化层400、所述挡墙800、所述堤坝900以及所述裂痕阻挡坝1100。所述挡墙800的高度与所述防护层60的厚度之和D大于所述支撑结构1000的高度d。所述防护层60的材料为类金刚石。所述防护层60的厚度L为3纳米-980纳米。具体的，在一些实施例中，所述防护层60的厚度L可以为4纳米、6纳米、8纳米、10纳米、206纳米、700纳米和920纳米等。当所述防护层60的厚度L在3至10纳米之间时，所述显示装置可以弯折。

在本申请中，将挡墙的高度与所述防护层的厚度之和设置为大于所述支撑结构的高度，可以避免支撑结构在后续制程或使用过程中造成划伤或压伤，保证后续制程或使用正常进行；

防护层采用类金刚石形成，使得防护层具有防水氧渗透作用的薄硬膜，避免显示装置的其它结构在后续制程中，等待时间过长而吸入水汽，进而导致在后续制程中，水汽因受热释出而使得膜层剥离

防护层采用类金刚石形成，使得防护层具有防划伤的薄硬膜，可以减少因为金属掩膜版压伤或是划伤挡墙以及堤坝后产生的异物在后续的薄膜封装制程中造成封装失效，进而避免水氧入侵，进而提高显示装置的信赖性以及使用寿命。

防护层采用类金刚石形成，并设置在非显示区，可以减少显示装置外围金属线路因为模组制程异物压伤或是高温高湿环境造成金属氧化值上升，进而提高显示装置的良率。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括发光层1200。所述发光层1200设置于所述第四通孔301中。所述发光层1200包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层中的一种。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括阴极1300。所述阴极1300覆盖所述发光层1200、所述像素定义层300、所述支撑结构1000、所述隔离层700以及所述第五通孔701。所述阴极1300通过所述第五通孔701与所述阴极接触层600电连接。所述阴极接触层600与所述发光层1200通过所述阴极1300电连接。所述阴极接触层600和所述阴极1300形成图1中的阴极膜层20。所述阳极500、所述发光层1200以及所述阴极1300组成有机发光二极管。

图3为本申请提供的显示装置的制备方法的流程图。本申请还提供一种显示装置的制备方法，所述显示装置10包括显示区11和非显示区12。所述显示装置的制备方法包括：

71、提供一阵列基板100。

所述阵列基板100包括基板110、遮光层120、缓冲层130和晶体管140。所述基板110可以为聚酰亚胺或玻璃等。所述遮光层120和所述缓冲层130依次层叠设置于所述基板110上。所述晶体管140位于所述显示区11。所述晶体管140设置于所述缓冲层130上。所述晶体管140包括栅极141、栅极绝缘层142、有源层143、源极144和漏极145。所述栅极141设置于所述缓冲层120上。所述栅极绝缘层142覆盖所述栅极141。所述有源层143设置于所述栅极绝缘层142上。所述源极144设置于所述有源层143的一侧，并与所述有源层143电连接。所述漏极145设置于所述有源层143的另一侧，并与所述有源层143电连接。所述有源层143形成后，所述阴极接触层600的第一部分610设置于所述第一区域13的栅极绝缘层142上。所述第一部分610与所述有源层143同层设置。

72、在所述阵列基板100上依次层叠形成平坦层200以及像素定义层300。所述像素定义层300位于所述显示区11。

具体的，在所述栅极绝缘层142以及所述有源层143上设置平坦层200材料，对所述平坦层200材料进行蚀刻，形成平坦层200。在所述显示区11，所述平坦层200包括第一通孔201和第二通孔202。所述第一通孔201贯穿所述平坦层200以暴露所述有源层143的一侧。所述第二通孔202贯穿所述平坦层200以暴露所述有源层143的另一侧。所述源极144填充于所述第一通孔201中，并通过所述第一通孔201与有源层143电连接。所述漏极145填充于所述第二通孔202中，并通过第二通孔202与所述有源层143电连接。

在一实施例中，在所述阵列基板100上形成平坦层200的步骤之后，还包括：

在所述平坦层200、所述源极144以及所述漏极145上设置钝化层400材料，对所述钝化层400材料进行蚀刻，形成钝化层400。所述钝化层400包括第三通孔401、第一过孔402和第二过孔403。所述第三通孔401位于在所述显示区11。所述第三通孔401贯穿所述钝化层400以暴露所述漏极145。第一过孔402和第二过孔403位于所述第一区域13，所述第一过孔402贯穿所述钝化层400及所述平坦层20以暴露所述第一部分610的一侧。所述第二过孔403贯穿所述钝化层400及所述平坦层200以暴露所述第一部分610的另一侧。

在一实施例中，在所述平坦层200、所述源极144以及所述漏极145上形成钝化层400的步骤之后，还包括：

在所述第三通孔401中以及所述钝化层400上形成阳极500。所述阳极500与所述漏极145电连接。

在一实施例中，在所述第三通孔401中以及所述钝化层400上形成阳极500的步骤之后，还包括：

在所述第一区域13的钝化层400上、所述第一过孔402和所述第二过孔403中设置第二所述阴极接触层600的第二部分620。所述第二部分620通过所述第一过孔402以及所述第二过孔403与所述第一部分610电连接。所述第一部分610和所述第二部分620为所述阴极接触层600。

在所述第一区域13的钝化层400上、所述第一过孔402和所述第二过孔403中设置第二所述阴极接触层600的第二部分620的步骤之后，包括：

在所述显示区11的平坦层200上设置像素定义层300。具体的，在钝化层400以及所述阴极接触层600上设置像素定义层300材料、隔离层700材料以及堤坝900材料。对所述像素定义层300材料、所述隔离层700材料以及所述堤坝900材料蚀刻形成像素定义层300、隔离层700以及堤坝900。所述像素定义层300位于所述显示区11的钝化层400上。所述像素定义层300包括第四通孔301。所述第四通孔301贯穿所述像素定义层300以暴露所述阳极500。所述隔离层700位于所述阴极接触层600上。所述隔离层700具有若干第五通孔701。所述第五通孔701贯穿所述隔离层700以暴露所述阴极接触层600。所述堤坝900位于所述第二区域14上的平坦层200上。

在本申请中，用隔离层将阴极接触层划分为多个区域，避免了在显示装置制备的过程中造成阴极接触层中的某个区域划伤或者存有异物，进而使得另外的区域仍然可以正常使用，进而提高显示装置的良率。

在一实施例中，在钝化层400以及所述阴极接触层600上设置像素定义层300、隔离层700以及堤坝900的步骤之后，还包括：

在所述像素定义层300以及所述钝化层400上设置挡墙800材料以及所述支撑结构1000材料，蚀刻形成挡墙800以及支撑结构1000。所述挡墙800位于所述第二区域14上的平坦层200上。所述挡墙用于防止显示装置的结构固化之前的流动相溢出。所述支撑结构1000位于所述像素定义层300上。所述支撑结构1000用于支撑显示装置的结构在后续制程中对其他结构的压伤或划伤。

在一实施例中，在所述像素定义层300以及所述钝化层400上形成挡墙800以及所述支撑结构1000的步骤之后，还包括：

所述第二区域14上的平坦层200上设置裂痕阻挡坝1100材料，蚀刻所述裂痕阻挡坝1100材料形成裂痕阻挡坝1100。所述裂痕阻挡坝1100位于所述挡墙800远离所述堤坝900的一侧。裂痕阻挡坝用于防止其他结构在后续制程中产生裂痕。

73、在所述非显示区12，在所述平坦层200上形成防护层60。

将所述阵列基板100、所述平坦层200以及所述像素定义层300传送至烤箱中，进行烘烤去除有机光阻中吸附的水汽。烘烤的温度为120摄氏度-250摄氏度。具体的，烘烤的温度可以为125摄氏度、146摄氏度、181摄氏度和238摄氏度等。烘烤时间为10分钟-590分钟。具体的，烘烤时间为17分钟、90分钟、260分钟、372分钟和570分钟等。时间会随着温度的升高而缩短。在烤箱中去除水汽后，在所述阵列基板100、所述像素定义层300、所述隔离层700、所述阴极接触层600以及所述支撑结构1000上形成保护层。所述保护层的材料为聚酯、SiOx或SiNx中的一种或几种组合。在本实施例中，所述保护层的材料为聚酯。然后，传送至等离子体增强化学法设备中。在所述非显示区12，在所述钝化层400、所述挡墙800、所述堤坝900以及所述裂痕阻挡坝1100上形成防护层60。所述防护层60的材料为类金刚石。所述防护层60的厚度L为3纳米-980纳米。具体的，在一些实施例中，所述防护层60的厚度L可以为4纳米、6纳米、8纳米、10纳米、206纳米、700纳米和920纳米等。当所述防护层60的厚度L在3至10纳米之间时，所述显示装置可以弯折。形成防护层60之后，将所述阵列基板100、所述平坦层200、所述像素定义层300以及防护层60传送出等离子体增强化学法设备，并去除聚酯保护膜。

去除保护层后的步骤之后，包括:

在所述第四通孔301中填充发光层1200材料形成发光层1200。所述发光层1200包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层中的一种。

在所述第四通孔301中填充发光层1200的步骤之后，包括：

在所述发光层1200、所述像素定义层300上、所述支撑结构1000上、所述隔离层700上以及所述第五通孔701中形成阴极1300。所述阴极1300通过所述第五通孔701与所述阴极接触层600电连接。所述阴极接触层600与所述发光层1200通过所述阴极1300电连接。所述阴极接触层600和所述阴极1300形成图1中的阴极膜层20。所述阳极500、所述发光层1200以及所述阴极1300组成有机发光二极管。

在另一实施例中，在烤箱中去除水汽后，可以不先在所述阵列基板100、所述像素定义层300、所述隔离层700、所述阴极接触层600以及所述支撑结构1000上形成聚酯保护层。先将其传送至等离子体增强化学法设备中。将腔体内图形化的金属掩膜版保护层与所述阵列基板100、所述像素定义层300、所述隔离层700、所述阴极接触层600经过对位贴合。所述保护层为等离子体增强化学法设备中的金属掩膜版。然后，在所述非显示区12，在所述钝化层400、所述挡墙800、所述堤坝900以及所述裂痕阻挡坝1100上形成防护层60。然后，传送出等离子体增强化学法设备，然后，在进行后续的发光层1200和阴极1300的制程。

在本申请中，将挡墙的高度与所述防护层的厚度之和设置为大于所述支撑结构的高度，可以避免支撑结构在后续制程或使用过程中造成划伤或压伤，保证后续制程或使用正常进行；防护层采用类金刚石形成，使得防护层具有防水氧渗透作用的薄硬膜，避免显示装置的其它结构在后续制程中，等待时间过长而吸入水汽，进而导致在后续制程中，水汽因受热释出而使得膜层剥离；防护层采用类金刚石形成，使得防护层具有防划伤的薄硬膜，可以减少因为金属掩膜版压伤或是划伤挡墙以及堤坝后产生的异物在后续的薄膜封装制程中造成封装失效，进而避免水氧入侵，进而提高显示装置的信赖性以及使用寿命；防护层采用类金刚石形成，并设置在非显示区，可以减少显示装置外围金属线路因为模组制程异物压伤或是高温高湿环境造成金属氧化值上升，进而提高显示装置的良率。

本申请提供一种显示装置及其制备方法，所述显示装置包括显示区和非显示区，所述显示装置包括阵列基板、平坦层、像素定义层和防护层，所述平坦层设置于所述阵列基板上，所述像素定义层位于所述显示区，所述像素定义层设置于所述平坦层上，所述防护层位于所述非显示区，所述防护层设置于所述平坦层上。在本申请中，通过在位于非显示区的平坦层上设置防护层，进而防止水氧入侵显示装置，并防止显示装置中的结构受到划伤以及不影响后续制程，进而提高显示装置的信赖性。

以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括显示区和非显示区，所述显示装置包括：

一阵列基板；

平坦层，所述平坦层设置于所述阵列基板上；

像素定义层，所述像素定义层位于所述显示区，所述像素定义层设置于所述平坦层上；以及

防护层，所述防护层位于所述非显示区，所述防护层设置于所述平坦层上。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述防护层的材料为类金刚石。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述防护层的厚度为3纳米-980纳米。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括支撑结构，所述支撑结构设置于所述像素定义层上。

5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括挡墙，所述非显示区包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于靠近所述像素定义层的一侧，所述第二区域位于远离所述像素定义层的一侧，所述挡墙设置于所述第二区域上的平坦层，所述防护层覆盖所述挡墙，所述挡墙的高度与所述防护层的厚度之和大于所述支撑结构的高度。

6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括阴极接触层，所述阴极接触层设置于所述第一区域的平坦层上。

7.一种显示装置的制备方法，其特征在于，所述显示装置包括显示区和非显示区，所述显示装置的制备方法包括：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板上依次层叠形成平坦层以及像素定义层，所述像素定义层位于所述显示区；以及

在所述非显示区，在所述平坦层上形成防护层。

8.如权利要求7所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述阵列基板上形成平坦层以及像素定义层的步骤之后，在所述非显示区，在所述平坦层上形成防护层的步骤之前，包括：

在所述显示区，在所述像素定义层及所述平坦层上形成保护层。

9.如权利要求8所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为聚酯、SiOx或SiNx中的一种或几种组合。

10.如权利要求8所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述保护层为金属掩膜版。

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