JP5424738B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5424738B2 JP5424738B2 JP2009149054A JP2009149054A JP5424738B2 JP 5424738 B2 JP5424738 B2 JP 5424738B2 JP 2009149054 A JP2009149054 A JP 2009149054A JP 2009149054 A JP2009149054 A JP 2009149054A JP 5424738 B2 JP5424738 B2 JP 5424738B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- region
- bank
- organic
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 74
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 14
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 196
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
Description
駆動回路の設けられた回路基板と、
前記駆動回路を覆う有機材料からなる平坦化膜と、
前記平坦化膜の上に配置された複数の有機発光素子と、
前記複数の有機発光素子を含む表示領域と、
前記平坦化膜の上に設けられ、前記複数の有機発光素子のそれぞれの発光領域に対応した複数の開口を有する、有機材料からなるバンクと、
前記表示領域を覆う有機材料からなる有機保護膜と、
前記有機保護膜を覆う無機材料からなる無機保護膜と、
を備える表示装置であって、
前記平坦化膜を前記表示領域とその周辺領域とに分ける平坦化膜分断領域と、
前記バンクを前記表示領域とその周辺領域とに分けるバンク分断領域とを有しており、
前記バンク分断領域は前記平坦化膜分断領域の中に設けられ、前記バンク分断領域に沿って前記平坦化膜の端部は前記バンクによって覆われており、
前記有機保護膜は、前記周辺領域の平坦化膜およびバンクと離間して設けられ、
前記無機保護膜は、前記有機保護膜の端部および前記表示領域のバンクの端部までを覆っていることを特徴とする。
本発明では、ガラス等の絶縁性支持基板101には、絶縁性支持基板101に含まれる不純物がTFTに悪影響を与えないように無機材料からなるアンダーコート層(不図示)を設ける。そしてアンダーコート層の上に、有機発光素子を動作させるための駆動回路および外部接続端子112を形成する。本発明において、駆動回路は、表示領域内に有機発光素子ごとに設けられる画素回路102、もしくは画素回路102を駆動するための周辺回路103、もしくはその両方を意味している。画素回路102と周辺回路103とは不図示の配線により電気的に接続されている。駆動回路には、多結晶シリコン(以下p−Si)、或いは非晶質シリコン(以下a−Si)等からなるTFTを有するアクティブマトリクス回路を好適に用いることができる。TFTは、シリコン膜の他に、ゲート酸化膜、層間絶縁膜、などを有する公知の構成を採用することができる。以下、駆動回路が設けられた絶縁性支持基板を、単に回路基板と呼ぶ。回路基板を、さらに窒化珪素或いは酸化珪素等の無機絶縁膜で覆うと、TFTの信頼性を高めることができる。
駆動回路が形成された側の回路基板面には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料からなる平坦化膜104が形成する。表示領域Aの周囲であって、かつ駆動回路の設けられていない領域の平坦化膜を除去することにより、平坦化膜104を表示領域Aと周辺領域Cとに分ける平坦化膜分断領域Bが形成される。
平坦化膜上には、コンタクトホール111を介して画素回路102に接続する第一電極105が、有機発光素子ごとに設けられる。第一電極105には、Al、Ag、Au、ITO、IZO、ZnOなど、有機発光素子の電極として公知の材料を用いることができる。
平坦化膜104、及び第一電極105上には、有機発光素子の発光領域に応じた開口を有するバンク106が形成される。バンク106は、第一電極105の端部とその周囲を覆い、後に堆積する有機化合物層が第一電極の膜厚による段差部で段切れしないようにするとともに、有機発光素子の発光領域を規定する役割がある。そして、平坦化膜と同様に、表示領域Aの周囲にバンクを除去した領域が設けられる。
第一電極105上には有機発光層を含む有機化合物層107が形成される。有機化合物層107は前記有機発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層等の機能を持つ層を有しても良い。有機化合物層107の各層には、公知の材料を用いることができる。
有機化合物層107上に第二電極108を形成して、有機発光層が一対の電極に挟まれた有機発光素子が形成される。第二電極108には第一電極105と同様の材料を用いることが出来る。ただし、有機発光素子で発光した光を取り出すため、第一電極105もしくは第二電極108の少なくとも一方を透明にしておかなければならない。そのため、光取り出し側に形成する電極には、ITOやIZOなどの酸化物導電膜や、Ag、Alなどの金属薄膜からなる半透過導電膜、あるいはそれらを積層した膜が好適に用いられる。
第二電極108上に、有機保護膜109と無機保護膜110からなる保護膜を形成する。
本発明にかかる表示装置の製造方法について説明する。
図4に示すように、有機保護膜109の端部をバンクのバンク分断領域B’の外側に形成した以外は実施例1と同様にして表示装置を作製し、温度60℃、湿度90%環境下で1000時間の保存試験を行った。保存試験の結果、約20ヶ所でダークスポットの拡大が確認された。
102 画素回路
103 周辺回路
104 平坦化膜
106 バンク
109 有機保護膜
110 無機保護膜
A 表示領域
B 平坦化膜分断領域
B’ バンク離間領域
C 周辺領域
201 立体構造
202 無機下地膜
B’1 表示領域側離間領域(立体構造)
B’2 外側離間領域
Claims (4)
- 駆動回路の設けられた回路基板と、
前記駆動回路を覆う有機材料からなる平坦化膜と、
前記平坦化膜の上に配置された複数の有機発光素子と、
前記複数の有機発光素子を含む表示領域と、
前記平坦化膜の上に設けられ、前記複数の有機発光素子のそれぞれの発光領域に対応した複数の開口を有する、有機材料からなるバンクと、
前記表示領域を覆う有機材料からなる有機保護膜と、
前記有機保護膜を覆う無機材料からなる無機保護膜と、
を備える表示装置であって、
前記平坦化膜を前記表示領域とその周辺領域とに分ける平坦化膜分断領域と、
前記バンクを前記表示領域とその周辺領域とに分けるバンク分断領域とを有しており、前記バンク分断領域は前記平坦化膜分断領域の中に設けられ、前記バンク分断領域に沿って前記平坦化膜の端部は前記バンクによって覆われており、
前記有機保護膜の端部が、前記周辺領域の平坦化膜およびバンクと離間して、前記バンク分断領域内に配置され、
前記無機保護膜が前記有機保護膜よりも広い領域に形成され、前記有機保護膜および前記バンク分断領域を覆っていることを特徴とする表示装置。 - 前記バンク分断領域に、前記有機保護膜の端部の位置を決める立体構造を有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記立体構造が、前記平坦化膜もしくは前記バンクを構成する材料からなることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記表示領域の有機発光素子と前記有機保護膜との間に、無機下地膜が配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009149054A JP5424738B2 (ja) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | 表示装置 |
US12/819,087 US8159127B2 (en) | 2009-06-23 | 2010-06-18 | Display apparatus |
CN2010102082987A CN101930992B (zh) | 2009-06-23 | 2010-06-18 | 显示装置 |
KR1020100059474A KR20100138816A (ko) | 2009-06-23 | 2010-06-23 | 표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009149054A JP5424738B2 (ja) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011008969A JP2011008969A (ja) | 2011-01-13 |
JP5424738B2 true JP5424738B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=43353680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009149054A Active JP5424738B2 (ja) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | 表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8159127B2 (ja) |
JP (1) | JP5424738B2 (ja) |
KR (1) | KR20100138816A (ja) |
CN (1) | CN101930992B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10795230B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device which can be folded or rolled |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8766269B2 (en) * | 2009-07-02 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and electronic device |
JP5341701B2 (ja) | 2009-10-02 | 2013-11-13 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびデジタルカメラ |
KR101842586B1 (ko) * | 2011-04-05 | 2018-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101873476B1 (ko) | 2011-04-11 | 2018-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101811027B1 (ko) | 2011-07-07 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101931177B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101879831B1 (ko) * | 2012-03-21 | 2018-07-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 플렉시블 표시 장치용 원장 기판 |
WO2014017075A1 (ja) | 2012-07-26 | 2014-01-30 | パナソニック株式会社 | 有機el装置 |
KR101937258B1 (ko) * | 2012-09-04 | 2019-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101978783B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2019-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
KR101473309B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101473310B1 (ko) * | 2012-12-06 | 2014-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101994227B1 (ko) | 2012-12-07 | 2019-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
JP6182985B2 (ja) | 2013-06-05 | 2017-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
CN103353679B (zh) * | 2013-06-20 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法 |
JP6220208B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-10-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
KR102109661B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2020-05-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 |
EP3095134A1 (en) * | 2014-01-14 | 2016-11-23 | Koninklijke Philips N.V. | Organic light emitting diode |
WO2015136670A1 (ja) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
KR102209241B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2021-01-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6307384B2 (ja) * | 2014-08-11 | 2018-04-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP6175644B2 (ja) * | 2014-08-19 | 2017-08-09 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
KR102317393B1 (ko) * | 2014-10-17 | 2021-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
JP6412791B2 (ja) | 2014-12-18 | 2018-10-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR102462424B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2022-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102345004B1 (ko) * | 2015-02-26 | 2021-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102396296B1 (ko) * | 2015-03-06 | 2022-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US9991478B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-06-05 | Industrial Technology Research Institute | Methods for fabricating an organic electro-luminescence device and flexible electric device |
CN105206620B (zh) * | 2015-08-27 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜封装结构及其制备方法、显示装置 |
CN105070743B (zh) | 2015-09-10 | 2018-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
KR102439506B1 (ko) | 2015-10-16 | 2022-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN105609532B (zh) * | 2015-12-21 | 2019-11-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
CN105489786B (zh) * | 2016-02-29 | 2018-01-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 阵列基板的封装结构及封装方法、显示面板 |
JP6717700B2 (ja) * | 2016-07-28 | 2020-07-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
US20200043997A1 (en) * | 2016-10-03 | 2020-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el display device, and organic el display device manufacturing method |
CN206179906U (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置 |
JP7002855B2 (ja) * | 2017-04-05 | 2022-01-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US11018214B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
US20200152910A1 (en) * | 2017-09-29 | 2020-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CN107731754B (zh) * | 2017-10-23 | 2019-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 |
CN207705199U (zh) * | 2017-11-24 | 2018-08-07 | 昆山国显光电有限公司 | 显示器件 |
CN111357114B (zh) * | 2017-12-11 | 2021-07-20 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | Oled薄膜封装结构及显示模组 |
JP6975033B2 (ja) | 2017-12-19 | 2021-12-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2019142294A1 (ja) * | 2018-01-18 | 2019-07-25 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
JP2019125551A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US11508798B2 (en) | 2018-03-12 | 2022-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device having circular, oval, polygonal frame with opening in bending portion |
KR20200003328A (ko) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
WO2020017007A1 (ja) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
CN109461837A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-03-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled薄膜封装结构 |
KR102637116B1 (ko) * | 2018-11-20 | 2024-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN109585680B (zh) * | 2018-12-03 | 2020-04-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282240A (ja) | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
JP4518747B2 (ja) | 2003-05-08 | 2010-08-04 | 三洋電機株式会社 | 有機el表示装置 |
JP4278499B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2009-06-17 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
JP4776949B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2011-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2005317476A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
CN100524886C (zh) * | 2004-12-24 | 2009-08-05 | 奥博特瑞克斯株式会社 | 有机el显示装置及其制造方法 |
US7936122B2 (en) * | 2007-12-14 | 2011-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic EL display apparatus |
JP4458379B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 有機el表示装置 |
WO2011016126A1 (ja) | 2009-08-06 | 2011-02-10 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
JP5341701B2 (ja) | 2009-10-02 | 2013-11-13 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびデジタルカメラ |
-
2009
- 2009-06-23 JP JP2009149054A patent/JP5424738B2/ja active Active
-
2010
- 2010-06-18 CN CN2010102082987A patent/CN101930992B/zh active Active
- 2010-06-18 US US12/819,087 patent/US8159127B2/en active Active
- 2010-06-23 KR KR1020100059474A patent/KR20100138816A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10795230B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device which can be folded or rolled |
US11320709B2 (en) | 2016-11-11 | 2022-05-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device which can be folded or rolled |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8159127B2 (en) | 2012-04-17 |
JP2011008969A (ja) | 2011-01-13 |
CN101930992A (zh) | 2010-12-29 |
US20100320909A1 (en) | 2010-12-23 |
KR20100138816A (ko) | 2010-12-31 |
CN101930992B (zh) | 2012-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5424738B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4458379B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
JP5409315B2 (ja) | 表示装置 | |
US7936122B2 (en) | Organic EL display apparatus | |
USRE49770E1 (en) | Flexible display having a crack suppressing layer | |
KR101274785B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
JP6016407B2 (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
KR101077680B1 (ko) | 표시 장치용 소자 기판의 제조 방법 | |
JP2014154450A (ja) | 有機半導体素子および有機半導体素子の製造方法 | |
JP2008177169A (ja) | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイデバイス及びその製造方法 | |
US20190252415A1 (en) | Array substrates and manufacturing methods thereof, and display panels | |
JP2019102446A (ja) | 有機発光装置 | |
JP2014002880A (ja) | 有機el装置の製造方法 | |
EP3399555B1 (en) | Flexible display apparatus and manufacturing method therefor | |
WO2014162395A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2009283242A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2006317762A (ja) | 表示装置用素子基板及びその製造方法 | |
JP2012038574A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
KR102335496B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
KR102230692B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
US20210359076A1 (en) | Organic electroluminescent device and method for producing same | |
KR102177169B1 (ko) | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 | |
JP2007264354A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2010277864A (ja) | 積層基板および発光素子の製造方法 | |
JP2008166167A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子アレイ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131126 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5424738 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |