JP6717700B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、表示装置の製造方法に関する。
表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。例えば発光素子として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置においては、各画素に有機ＥＬ素子が設けられ、有機ＥＬ素子は、アノード電極、およびカソード電極から成る一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「有機ＥＬ層」という）を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、アノード電極が画素ごとに個別画素電極として設けられ、カソード電極は複数の画素に跨って共通の電位が印加される共通画素電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通画素電極の電位に対し、画素電極の電圧を画素ごとに印加することで、画素の発光を制御している。
有機ＥＬ層は水分に極めて弱く、外部からパネル内部に水分が浸入し、有機ＥＬ層に到達するとダークスポットと呼ばれる非点灯領域が発生し得る。そこで、有機ＥＬ層への水分の侵入を防止するために、有機ＥＬ素子が配列された表示領域の構造を覆うように、封止膜を形成する対策が取られている。
封止膜としては、主として有機絶縁膜と、有機絶縁膜の側面及び上下面を無機絶縁膜で積層した構造が一般的に用いられる。側面方向の水分の浸透を防止するために、有機絶縁膜を配置する領域の端部は、上下面の無機絶縁膜によって封止されている必要がある。端部の位置決定としては、例えば特許文献１に、有機絶縁膜を配置する領域を堰止部で囲み、有機絶縁膜が堰止部の内側に堰き止められて形成される方法が開示されている。
しかしながら、近年の狭額縁化に伴って表示領域外周部を極力狭くする必要があり、有機絶縁膜の端部の位置制御がますます困難になってきている。本発明は、上記課題に鑑み、簡略化された成膜方法を用いた信頼性の高い表示装置の製造方法を提供する。
本発明の一実施形態によると、複数の表示素子が配列された表示領域を有する基板の、表示領域を含む面に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の基板とは反対側の第１面の略全面に有機分子を吸着させ、第１の絶縁膜の第１面において、表示領域を含み、第１の絶縁膜の端部に至らない内側の領域として画定される第１の領域に吸着する有機分子を除去し、第１の絶縁膜において有機分子が除去された第１の領域に第２の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の第１の領域外に吸着された有機分子を除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜上に、第２の絶縁膜の外側で第１の絶縁膜と接する第３の絶縁膜を形成すること、とを含む表示装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施形態によると、複数の表示素子が配列された表示領域を有する基板の、表示領域を含む面に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の基板とは反対側の第１面において、表示領域を含み、第１の絶縁膜の端部に至らない内側の領域として画定される第１の領域をマスクした第１の絶縁膜に有機分子を吸着させ、第１の絶縁膜において有機分子が吸着されない第１の領域に第２の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の第１の領域外に吸着された有機分子を除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜上に、第２の絶縁膜の外側で第１の絶縁膜と接する第３の絶縁膜を形成すること、とを含む表示装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施形態によると、複数の表示素子が配列された表示領域を有する基板の、表示領域を含む面に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の基板とは反対側の第１面において、表示領域を含み、第１の絶縁膜の端部に至らない内側の領域として画定される第１の領域以外をマスクした第１の絶縁膜に密着膜を形成し、第１の絶縁膜において密着膜が形成された第１の領域に第２の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜上に、第２の絶縁膜の外側で第１の絶縁膜と接する第３の絶縁膜を形成すること、とを含む表示装置の製造方法が提供される。
以下、図面を参照して、本発明のいくつかの実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。本発明の実施形態では、特に有機ＥＬ表示装置を好適な応用例として例示するが、これに限定されるものではない。
図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上（又は下）」にあるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。表示装置１００は、第１基板１０２に表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は、例えば、表示領域１０６を囲むシール材１１０によって第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素に設けられる発光素子の劣化を抑制している。尚、第２基板１０４の設置に際して、表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いず他の手段で固定しても良い。
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。表示装置１００は、第１基板１０２に表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は、例えば、表示領域１０６を囲むシール材１１０によって第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素に設けられる発光素子の劣化を抑制している。尚、第２基板１０４の設置に際して、表示領域１０６を囲むシール材１１０を用いず他の手段で固定しても良い。
図２及び図３を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成について説明する。図２は、本実施形態に係る製造方法を用いて作製された表示装置１００の概略構造を示す平面図である。図３は、本実施形態に係る製造方法を用いて作製された表示装置１００の概略構造を示す断面図である。図３は、図２のＡ−Ｂに沿った断面図を示している。
本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２上に表示画面を形成する表示領域１０６が設けられている。第１基板１０２には、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６は、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネルを接続する配線基板との接点を形成する。接続端子１１６におけるこの接点は、外部に露出している。第１基板１０２には端子領域１１４から入力された映像信号を表示領域１０６に出力する第１駆動回路１１１および第２駆動回路１１２が設けられている。
表示領域１０６と、第１駆動回路１１１及び第２駆動回路１１２とは、それぞれ配線によって接続される。表示領域１０６は、画素１０８以外に走査信号線、映像信号線と呼ばれる配線が設けられている。表示領域１０６の各画素１０８は、これらの配線により第１駆動回路１１１、第２駆動回路１１２と接続されている。例えば、第１駆動回路１１１は、表示領域１０６に走査信号を出力する駆動回路であり、第２駆動回路１１２は表示領域１０６に映像信号を出力する駆動回路である。図３は、表示領域１０６と第１駆動回路１１１との間に封止領域１１３を有する態様を示す。
図３に示すように、表示装置１００の複数の画素の各々は、トランジスタ１１８及び発光素子１２０を有する。発光素子１２０は、個別画素電極１２２とこれに対向して配置される共通画素電極１２４とで発光層１２６を挟んだ構造を有している。個別画素電極１２２は画素ごとに独立しており、それぞれトランジスタ１１８と接続される。共通画素電極１２４は複数の画素に跨って共通の電位が印加される。しかしながらこれに限定されず、共通画素電極１２４への電位印加は全て、または一部の画素に対して他と独立して個別に行われても構わない。
隣接する２つの画素の間には、バンク１２８が設けられている。バンク１２８は、端部が個別画素電極１２２の周縁部を覆うように設けられている。なお、バンク１２８は、個別画素電極１２２の端部において共通画素電極１２４と短絡することを防ぎ、かつ隣接する画素間を絶縁するものであるので、絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、バンク１２８を形成するには、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化シリコン等の無機材料を用いることが好ましい。
本実施形態で示す表示装置１００は、発光素子１２０が発光した光を共通画素電極１２４側に出射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有している。本実施形態においてはトップエミッション型を例示するが、これに限らず個別画素電極１２２側に出射する、いわゆるボトムエミッション型に適用することも可能である。個別画素電極１２２は、発光層１２６で発光した光を、共通画素電極１２４側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、個別画素電極１２２を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。一方、共通画素電極１２４は、発光層１２６で発生した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通画素電極１２４として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。
共通画素電極１２４の上部には封止膜が設けられている。例えば発光素子１２０として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ層は、水分に極めて弱いため、外部からパネル内部に水分が浸入し、有機ＥＬ層に到達するとダークスポットと呼ばれる発光欠陥点が発生し得る。そのため、表示領域１０６を覆うように封止膜が設けられている。封止膜においては水分の浸入を遮断できる絶縁膜を用いることが好ましく、無機絶縁材料と有機絶縁材料の複層の膜を用いることができる。例えば、無機絶縁材料を使用する場合、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉxＮy）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）、窒化アルミニウム（ＡｌxＮy）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌxＯyＮz））、窒化酸化アルミニウム （ＡｌxＮyＯz）等の膜などを使用することができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。成膜方法としては、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。また、上述の無機絶縁膜を覆う有機絶縁材料は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを使用することができる。成膜方法としては、例えばインクジェット法を用いることができる。
更に、上記の有機絶縁層の上に無機絶縁層を積層した構造を用いることができる。有機絶縁層および無機絶縁層を積層構造にすることによって、水分の侵入の更なる防止が期待できる。積層構造とした場合、有機絶縁層の端部は無機絶縁層によって覆われていることが望ましい。
本実施形態においては、封止膜を三層構造とし、下層側より、第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、そして第３の絶縁膜１３４を設ける。第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４の三層は、いずれも表示領域１０６を覆うように配置されている。すなわち第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４の端部は表示領域１０６の端部の外側に位置する。
第１の絶縁膜１３０としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料の絶縁材料を用いることができる。第１の絶縁膜１３０としては水分の遮断性の高い膜が好ましく、特に無機絶縁層を用いるのが好ましい。例えば窒化シリコン膜を用いることができる。このとき、表示領域１０６内の発光素子１２０等による凹凸のために、第１の絶縁膜１３０のみの単層では十分に被覆することができず、水分の伝搬経路が発生する場合がある。
そこで、第二層として高い平坦性を確保するための第２の絶縁膜１３２を設ける。第２の絶縁膜１３２としては、アクリル等の有機絶縁層等を用いることができる。図３に示すように、第２の絶縁膜１３２の領域は、表示領域１０６を含むが、第１駆動回路１１１は含まない。すなわち第２の絶縁膜１３２の端部は、表示領域１０６と第１駆動回路１１１の間の封止領域１１３内に位置する。
平坦性の向上した第２の絶縁膜１３２上に、第３の絶縁膜１３４を設ける。第２の絶縁膜１３２による平坦化のため、第３の絶縁膜１３４は高い被覆性を有し、水分の伝搬経路の発生を抑制することができる。第３の絶縁膜１３４としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料の絶縁材料を用いることができる。第３の絶縁膜１３４は、特に水分の遮断性が高い膜が好ましく、例えば窒化シリコン膜等の無機絶縁材料を用いることが好ましい。
更に、本実施形態においては、三層に積層された絶縁膜の端部において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が、第２の絶縁膜１３２を被覆する構造となっている。図２および図３に示すように、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、第２の絶縁膜１３２より大きく、第２の絶縁膜１３２の端部の外側で第１の絶縁膜１３０と第３の絶縁膜１３４とが接している。このような構造を採用することによって、特に第２の絶縁膜１３２の端部が露出することを防いでいる。第２の絶縁膜１３２として有機絶縁層が用いられた場合、その端部が露出していると、外部から侵入した水分の侵入経路となり得る。第２の絶縁膜１３２の端部から侵入した水分は発光素子１２０へ伝搬し、表示装置１００の寿命を低下させることが懸念される。
本実施形態のように、三層に積層された絶縁膜の端部において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が、第２の絶縁膜１３２を被覆する構造とすることで、絶縁膜の端部からの水分の侵入を抑制することができ、信頼性の高い表示装置を提供することができる。第２の絶縁膜１３２の端部は、封止領域１１３内に位置し、このような領域を「水分遮断領域」ともいう。更に、従来のシール材１１０による封止構造と組み合わせて用いることによって更なる水分への耐性向上が期待でき、更に信頼性の高い表示装置を提供することができる。また、本実施形態による三層に積層された絶縁膜の構造によって、封止領域１１３を狭く設計することができ、表示領域外周部をより狭くすることが可能となる。
＜製造方法＞
図４を参照して、本実施形態における表示装置１００の製造方法について説明する。尚、本実施形態においては、封止膜の形成以外は既存の方法を用いることが可能であるため、その説明を省略し、図面においては表示領域１０６および封止領域１１３における、共通画素電極１２４以上の層を成膜する方法として説明する。
図４を参照して、本実施形態における表示装置１００の製造方法について説明する。尚、本実施形態においては、封止膜の形成以外は既存の方法を用いることが可能であるため、その説明を省略し、図面においては表示領域１０６および封止領域１１３における、共通画素電極１２４以上の層を成膜する方法として説明する。
先ず、第１の絶縁膜１３０を形成する。図４（Ａ）に示すように、回路を形成した第１基板１０２の被成膜面に第１の絶縁膜１３０を成膜する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。図２および３に示すように、本実施形態において第１の絶縁膜１３０は、回路を形成した第１基板１０２の略全面に形成したがこれに限定されない。第１の絶縁膜１３０は、少なくとも表示領域１０６および封止領域１１３の一部を含むように形成する。
次に、第１の絶縁膜１３０上の略全面に有機分子１３８を吸着させる。図４（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１３０表面を有機蒸気に曝露し、有機分子１３８を吸着させる。有機分子の材料としては、フタル酸エステル類、低分子シロキサン、リン酸エステル類、またはジブチルヒドロキシトルエン等の有機分子を用いることができる。しかしながらこれに限定されず、有機分子１３８は、第１の絶縁膜１３０に対して吸着性が高く、容易に除去でき、かつ第２の絶縁膜１３２材料に対して撥液性が高い材料が好ましい。第１の絶縁膜１３０表面に有機分子１３８を吸着させることで、第１の絶縁膜１３０において第２の絶縁膜１３２材料の濡れ性が悪化し、撥液性が高くなる。
次に、第１の絶縁膜１３０上の一部の有機分子１３８を除去する。図４（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１３０にマスク１３６を配置し、マスク１３６の開口部を通して有機分子１３８を除去する前処理を行う。マスク１３６の開口端部は封止領域１１３に位置するように配置する。すなわち、マスク１３６の開口部は、少なくとも表示領域１０６を露出する。前処理は例えば、酸素を含む気体のグロー放電プラズマ処理を行うことで、マスク１３６の開口部において第１の絶縁膜１３０上の有機分子が除去される。前処理の方法としてはプラズマ処理、ＵＶ／Ｏ3、レーザー等を用いることができる。プラズマ処理に用いるガスとしては酸素、アルゴン、窒素、四フッ化炭素、亜酸化窒素等を用いることができる。また、プラズマ処理は常圧で行っても、減圧で行っても良い。第１の絶縁膜１３０上の有機分子１３８を除去する前処理を行うことで、第１の絶縁膜１３０において第２の絶縁膜１３２材料の濡れ性が向上し親液性が高くなる。
次に、第１の絶縁膜１３０の上に、第２の絶縁膜１３２を成膜する。本実施形態では、アクリル樹脂をインクジェット法を用いて成膜する。図４（Ｃ）においてマスク１３６の開口部である有機分子が除去された領域は、濡れ性が向上し親液性が高くなる。一方で、マスク１３６が保護した有機分子が残る領域は、濡れ性が悪化したままで撥液性が高くなる。この結果図４（Ｄ）に示すように、第２の絶縁膜１３２は、有機分子が残る領域では撥かれ、有機分子が除去された領域に選択的に成膜される。このように有機分子の特性を利用することで、第２の絶縁膜１３２の成膜位置を制御することができる。図２に示すように、第２の絶縁膜１３２を成膜する領域は、第１の絶縁膜１３０を成膜する領域より小さく、且つ表示領域１０６を含む。図３に示すように、第２の絶縁膜１３２を成膜する領域の端部は、第１の絶縁膜１３０を成膜する領域内であり、且つ封止領域１１３内に位置する。
次に、第１の絶縁膜１３０上の残りの有機分子１３８を除去する。図４（Ｅ）に示すように、第１の絶縁膜１３０の有機分子１３８を除去する処理を行う。例えば、被成膜面を酸素を含む気体のグロー放電プラズマ処理を行うことで、第１の絶縁膜１３０上の残りの有機分子が除去される。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁膜１３０の有機分子１３８を除去する処理は様々な方法を用いることができる。第１の絶縁膜１３０上の有機分子１３８を除去する処理を行うことで、第１の絶縁膜１３０において第３の絶縁膜１３４材料の密着性が高くなるとともに、第１の絶縁膜と第３の絶縁膜の界面に有機物が存在することによる水分伝搬を防ぐことができる効果がある。また被成膜面全面を処理するのではなく、有機分子が残っている第１の絶縁膜１３０上のみを処理してもよく、また第１の絶縁膜１３０上の一部のみを処理してもよい。第１の絶縁膜１３０上の一部のみを処理する場合、少なくとも第２の絶縁膜１３２の端部を囲う領域を処理する。
次に、第１の絶縁膜１３０、および第２の絶縁膜１３２の上に、第３の絶縁膜１３４を成膜する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。図４（Ｅ）において、有機分子が除去された領域は、第３の絶縁膜１３４の密着力が高くなる。この結果図４（Ｆ）に示すように、第３の絶縁膜１３４は、第１の絶縁膜１３０、および第２の絶縁膜１３２の上に成膜される。さらに第３の絶縁膜１３４は、第２の絶縁膜１３２の端部を覆う構造となる。このように有機分子の特性を利用することで、第２の絶縁膜１３２を意図した位置に選択的に形成することができる。図２および図３に示すように、第３の絶縁膜１３４は、第１の絶縁膜１３０と同じく、回路を形成した第１基板１０２の略全面に形成したが、これに限定されない。第３の絶縁膜１３４を成膜する領域は、第２の絶縁膜１３２を成膜する領域より大きく、第３の絶縁膜１３４を成膜する領域の端部は、第２の絶縁膜１３２を成膜する領域の端部より外側に位置すればよい。
本発明に係る成膜方法によれば、第２の絶縁膜１３２の端部の位置決定のために、図４（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、まず第１の絶縁膜１３０に有機分子を吸着し、次に成膜領域の有機分子を除去する。言い換えると、第１の絶縁膜１３０の非成膜領域に選択的に有機分子を吸着する。第１の絶縁膜１３０に有機分子を吸着することで、その領域は第２の絶縁膜材料に対する濡れ性が悪化し撥液性が高くなる。有機分子を除去した領域は、第２の絶縁膜材料に対する濡れ性が向上し親液性が高くなる。この結果図４（Ｄ）に示すように、第２の絶縁膜１３２は、有機分子が残る領域では撥かれ、有機分子が除去された領域に選択的に成膜される。このように有機分子の特性を利用することで、第２の絶縁膜１３２の成膜範囲を制御することができる。
本実施形態に係る成膜方法を用いた表示装置の製造方法によって、第２の絶縁膜１３２の端部が封止膜から露出することを防ぐことができる。これによって、絶縁膜の端部からの水分の侵入を抑制することができ、信頼性の高い表示装置を提供することができる。また、三層に積層された封止膜の位置を制御することができるため、封止領域１１３を狭く設計することができ、表示領域外周部をより狭くすることが可能となる。
＜第２実施形態＞
本実施形態と第１実施形態において、表示装置１００の構造や、一部の製造工程については共通するため、重複する説明は省略する。
本実施形態と第１実施形態において、表示装置１００の構造や、一部の製造工程については共通するため、重複する説明は省略する。
＜製造方法＞
第１実施形態に係る成膜方法では、第１の絶縁膜１３０の略全面に有機分子を吸着し、次に第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の成膜領域における有機分子を除去して、第２の絶縁膜１３２を成膜した。第２実施形態に係る成膜方法では、第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の非成膜領域に有機分子を吸着し、第２の絶縁膜１３２を成膜する。なお第１実施形態と同様である部分は、その詳しい説明を省略する。
第１実施形態に係る成膜方法では、第１の絶縁膜１３０の略全面に有機分子を吸着し、次に第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の成膜領域における有機分子を除去して、第２の絶縁膜１３２を成膜した。第２実施形態に係る成膜方法では、第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の非成膜領域に有機分子を吸着し、第２の絶縁膜１３２を成膜する。なお第１実施形態と同様である部分は、その詳しい説明を省略する。
図５を参照して、本実施形態における表示装置１００の製造方法について説明する。尚、本実施形態においては、絶縁膜の形成以外は既存の方法を用いることが可能であるため、その説明は省略し、図面においては表示領域１０６および封止領域１１３における、共通画素電極１２４以上の層を成膜する方法として説明する。
先ず、第１の絶縁膜１３０を形成する。図５（Ａ）に示すように、回路を形成した第１基板１０２の被成膜面に第１の絶縁膜１３０を成膜する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。図２および３に示すように、本実施形態において第１の絶縁膜１３０は、回路を形成した第１基板１０２の略全面に形成したがこれに限定されない。第１の絶縁膜１３０は、少なくとも表示領域１０６および封止領域１１３の一部を含むように形成する。
次に、第１の絶縁膜１３０の一部に、有機分子１３８を吸着させる。図５（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１３０にマスク１３６を配置し、マスク１３６の開口部を通して有機蒸気に曝露し、有機分子１３８を吸着させる。マスク１３６の端部は封止領域１１３に位置するように配置する。すなわち、マスク１３６は、少なくとも表示領域１０６をマスクする。マスクの開口部が表示領域１０６を囲う形状となることから、マスクの保持が困難であれば、複数のマスクを用いて、複数回に分けて有機分子１３８を吸着させてもよい。例えば、表示領域１０６を囲う開口部を２つに分けて、２度別々に有機分子１３８を吸着させてもよい。この時２つのマスクはいずれも少なくとも表示領域１０６をマスクする。それぞれの開口部は、一部重なり合ってもよい。有機分子の材料としては、フタル酸エステル類、低分子シロキサン、リン酸エステル類、またはジブチルヒドロキシトルエン等の有機分子を用いることができる。しかしながらこれに限定されず、有機分子１３８は、第１の絶縁膜１３０に対して吸着性が高く、第２の絶縁膜１３２材料に対して撥液性が高く、かつ容易に除去できる材料が好ましい。第１の絶縁膜１３０表面に有機分子１３８を吸着させることで、第１の絶縁膜１３０において第２の絶縁膜１３２材料の濡れ性が悪化し、撥液性が高くなる。
次に、第１の絶縁膜１３０の上に、第２の絶縁膜１３２を成膜する。本実施形態では、アクリル樹脂をインクジェット法を用いて成膜する。図５（Ｂ）において、マスク１３６の開口部で有機分子が吸着する領域は、濡れ性が悪化し、撥液性が高くなる。一方で、マスク１３６が配置された有機分子が吸着しない領域は、濡れ性が変わらず、親液性がある。この結果図５（Ｃ）に示すように、第２の絶縁膜１３２は、有機分子が吸着した領域では撥かれ、有機分子が吸着しない領域に選択的に成膜される。このように有機分子の特性を利用することで、第２の絶縁膜１３２の成膜位置を制御することができる。図２に示すように、第２の絶縁膜１３２を成膜する領域は、第１の絶縁膜１３０を成膜する領域より小さく、且つ表示領域１０６を含む。図３に示すように、第２の絶縁膜１３２を成膜する領域の端部は、第１の絶縁膜１３０を成膜する領域内であり、且つ封止領域１１３内に位置する。
次に、第１の絶縁膜１３０上の残りの有機分子１３８を除去する。図５（Ｄ）に示すように、第１の絶縁膜１３０の有機分子１３８を除去する処理を行う。例えば、被成膜面を酸素を含む気体のグロー放電プラズマ処理を行うことで、第１の絶縁膜１３０上の有機分子が除去される。しかしながらこれに限定されず、前処理の方法としてはプラズマ処理、ＵＶ／Ｏ3、レーザー等を用いることができる。プラズマ処理に用いるガスとしては酸素、アルゴン、窒素、四フッ化炭素、亜酸化窒素等を用いることができる。また、プラズマ処理は常圧で行っても、減圧で行っても良い。第１の絶縁膜１３０上の有機分子１３８を除去する処理を行うことで、第１の絶縁膜１３０において第３の絶縁膜１３４材料の密着性が高くなるとともに、第１の絶縁膜と第３の絶縁膜の界面に有機物が存在することによる水分伝搬を防ぐことができる効果がある。また被成膜面全面を処理するのではなく、有機分子が吸着する第１の絶縁膜１３０上のみを処理してもよく、また第１の絶縁膜１３０上の一部のみを処理してもよい。第１の絶縁膜１３０上の一部のみを処理する場合、少なくとも第２の絶縁膜１３２の端部を囲う領域を処理する。
次に、第１の絶縁膜１３０、および第２の絶縁膜１３２の上に、第３の絶縁膜１３４を成膜する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。図５（Ｄ）において、有機分子が除去された領域は、第３の絶縁膜１３４の密着力が高くなる。この結果図５（Ｅ）に示すように、第３の絶縁膜１３４は、第１の絶縁膜１３０、および第２の絶縁膜１３２の上に成膜される。さらに第３の絶縁膜１３４は、第２の絶縁膜１３２の端部を覆う構造となる。このように有機分子の特性を利用することで、第２の絶縁膜１３２を意図した位置に選択的に形成することができる。図２および図３に示すように、第３の絶縁膜１３４は、第１の絶縁膜１３０と同じく、回路を形成した第１基板１０２の略全面に形成したが、これに限定されない。第３の絶縁膜１３４を成膜する領域は、第２の絶縁膜１３２を成膜する領域より大きく、第３の絶縁膜１３４を成膜する領域の端部は、第２の絶縁膜１３２を成膜する領域の端部より外側に位置すればよい。
本発明による成膜方法によれば、第２の絶縁膜１３２の端部の位置決定のために、図５（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１３０の非成膜領域に選択的に有機分子を吸着する。第１の絶縁膜１３０に有機分子を吸着することで、その領域は濡れ性が悪化し撥液性が高くなる。有機分子を吸着しない領域は、濡れ性が変わらず親液性がある。この結果図５（Ｃ）に示すように、第２の絶縁膜１３２は、有機分子が吸着した領域では撥かれ、有機分子が吸着しない領域に選択的に成膜される。このように有機分子の特性を利用することで、第２の絶縁膜１３２の成膜位置を制御することができる。
本実施形態に係る成膜方法を用いた表示装置の製造方法によって、第２の絶縁膜１３２の端部が封止膜から露出することを防ぐことができる。これによって、絶縁膜の端部からの水分の侵入を抑制することができ、信頼性の高い表示装置を提供することができる。また、三層に積層された封止膜の位置を制御することができるため、封止領域１１３を狭く設計することができ、表示領域外周部をより狭くすることが可能となる。
＜第３実施形態＞
本実施形態と第１実施形態において、一部の表示装置１００の構造や、一部の製造工程については共通するため、重複する説明は省略する。
本実施形態と第１実施形態において、一部の表示装置１００の構造や、一部の製造工程については共通するため、重複する説明は省略する。
図６を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成について説明する。図６は、本実施形態に係る製造方法を用いて作製された表示装置１００の概略構造を示す断面図である。図６は、図２のＡ−Ｂに沿った断面図を示している。第３実施形態に係る表示装置１００の構造は、封止膜の構成以外は第１実施形態と同様であるので、重複する構造および構成に関しては説明を省略し、主に相違点について説明する。
共通画素電極１２４の上部には封止膜が設けられている。例えば発光素子１２０として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ層は、水分に極めて弱いため、外部からパネル内部に水分が浸入し、有機ＥＬ層に到達するとダークスポットと呼ばれる発光欠陥点が発生し得る。そのため、表示領域１０６を覆うように封止膜が設けられている。封止膜においては水分の浸入を遮断できる絶縁膜を用いることが好ましく、無機絶縁材料と有機絶縁材料の複層の膜を用いることができる。例えば、無機絶縁材料を使用する場合、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉxＮy）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）、窒化アルミニウム（ＡｌxＮy）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌxＯyＮz））、窒化酸化アルミニウム （ＡｌxＮyＯz）等の膜などを使用することができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。成膜方法としては、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。
また、上述の無機絶縁膜を覆う有機絶縁材料は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを使用することができる。成膜方法としては、例えばインクジェット法を用いることができる。有機絶縁膜の成膜位置を制御するため、本実施形態においては有機絶縁膜を成膜する位置に密着膜１３１を成膜する。密着膜１３１の材料としては、酸化シリコンやアモルファスシリコンなどの無機分子を用いることができる。上述の無機絶縁膜上に密着膜１３１を形成することで、有機絶縁材料の濡れ性が向上し、有機絶縁膜が形成される領域と形成されない領域を形成することができる。
更に、上記の有機絶縁層の上に無機絶縁層を積層した構造を用いることができる。有機絶縁層および無機絶縁層を積層構造にすることによって、水分の侵入の更なる防止が期待できる。積層構造とした場合、有機絶縁層の端部は無機絶縁層によって覆われていることが望ましい。
本実施形態においては、封止膜を三層構造とし、下層側より、第１の絶縁膜１３０、第２の絶縁膜１３２、そして第３の絶縁膜１３４を設ける。第１の絶縁膜１３０と第２の絶縁膜１３２との間には、密着膜１３１を設ける。第１の絶縁膜１３０、密着膜１３１、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４の四層は、いずれも表示領域１０６を覆うように配置されている。すなわち第１の絶縁膜１３０、密着膜１３１、第２の絶縁膜１３２、および第３の絶縁膜１３４の端部は表示領域１０６の端部の外側に位置する。
第１の絶縁膜１３０としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料の絶縁材料を用いることができる。第１の絶縁膜１３０としては水分の遮断性の高い膜が好ましく、特に無機絶縁層を用いるのが好ましい。例えば窒化シリコン膜を用いることができる。このとき、表示領域１０６内の発光素子１２０等による凹凸のために、第１の絶縁膜１３０のみの単層では十分に被覆することができず、水分の伝搬経路が発生する場合がある。
そこで、第二層として高い平坦性を確保するための第２の絶縁膜１３２を設ける。第２の絶縁膜１３２としては、アクリル等の有機絶縁層等を用いることができる。図６に示すように、第２の絶縁膜１３２の領域は、表示領域１０６を含むが、第１駆動回路１１１は含まない。すなわち第２の絶縁膜１３２の端部は、表示領域１０６と第１駆動回路１１１の間の封止領域１１３内に位置する。本実施形態においては、第２の絶縁膜１３２を成膜する位置にあらかじめ密着膜１３１を成膜する。すなわち密着膜１３１の端部は、表示領域１０６と第１駆動回路１１１の間の封止領域１１３内に位置する。密着膜１３１の材料としては、酸化シリコンやアモルファスシリコンなどの無機分子を用いることができる。第１の絶縁膜１３０上に密着膜１３１を形成することで、密着膜１３１を形成した領域において有機絶縁材料の濡れ性が向上し、第２の絶縁膜１３２が形成される領域と形成されない領域を形成することができる。
平坦性の向上した第２の絶縁膜１３２上に、第３の絶縁膜１３４を設ける。第２の絶縁膜１３２による平坦化のため、第３の絶縁膜１３４は高い被覆性を有し、水分の伝搬経路の発生を抑制することができる。第３の絶縁膜１３４としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料の絶縁材料を用いることができる。第３の絶縁膜１３４は、特に水分の遮断性が高い膜が好ましく、例えば窒化シリコン膜等の無機絶縁材料を用いることが好ましい。
更に、本実施形態においては、積層された絶縁膜の端部において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２を被覆する構造となっている。図６に示すように、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４は、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２より大きく、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２の端部の外側で第１の絶縁膜１３０と第３の絶縁膜１３４とが接している。このような構造を採用することによって、特に第２の絶縁膜１３２の端部が露出することを防いでいる。第２の絶縁膜１３２として有機絶縁層が用いられた場合、その端部が露出していると、外部から侵入した水分の侵入経路となり得る。第２の絶縁膜１３２の端部から侵入した水分は発光素子１２０へ伝搬し、表示装置１００の寿命を低下させることが懸念される。
本実施形態のように、積層された絶縁膜の端部において、第１の絶縁膜１３０および第３の絶縁膜１３４が、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２を被覆する構造とすることで、絶縁膜の端部からの水分の侵入を抑制することができ、信頼性の高い表示装置を提供することができる。更に、従来のシール材１１０による封止構造と組み合わせて用いることによって更なる水分への耐性向上が期待でき、更に信頼性の高い表示装置を提供することができる。また、本実施形態による積層された絶縁膜の構造によって、封止領域１１３を狭く設計することができ、表示領域外周部をより狭くすることが可能となる。
＜製造方法＞
第１実施形態に係る成膜方法では、第１の絶縁膜１３０の略全面に有機分子を吸着し、次に第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の成膜領域における有機分子を除去して、第２の絶縁膜１３２を成膜した。第２実施形態に係る成膜方法では、第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の非成膜領域に有機分子を吸着し、第２の絶縁膜１３２を成膜した。第３実施形態では、第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の成膜領域に酸化シリコンやアモルファスシリコン等の密着膜１３１を形成し、密着膜１３１上に第２の絶縁膜１３２を成膜する。このとき表示領域を取り囲む外部領域の基板端側すなわち外側には密着膜１３１が形成されない。このことにより基板端付近の前記外部領域の一部には第２の絶縁膜１３２も形成されない。
第１実施形態に係る成膜方法では、第１の絶縁膜１３０の略全面に有機分子を吸着し、次に第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の成膜領域における有機分子を除去して、第２の絶縁膜１３２を成膜した。第２実施形態に係る成膜方法では、第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の非成膜領域に有機分子を吸着し、第２の絶縁膜１３２を成膜した。第３実施形態では、第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の成膜領域に酸化シリコンやアモルファスシリコン等の密着膜１３１を形成し、密着膜１３１上に第２の絶縁膜１３２を成膜する。このとき表示領域を取り囲む外部領域の基板端側すなわち外側には密着膜１３１が形成されない。このことにより基板端付近の前記外部領域の一部には第２の絶縁膜１３２も形成されない。
図７を参照して、本実施形態における表示装置１００の製造方法について説明する。尚、本実施形態においては、絶縁膜の形成以外は既存の方法を用いることが可能であるため、その説明は省略し、図面においては表示領域１０６および封止領域１１３における、共通画素電極１２４以上の層を成膜する方法として説明する。
先ず、第１の絶縁膜１３０を形成する。図７（Ａ）に示すように、回路を形成した第１基板１０２の被成膜面に第１の絶縁膜１３０を成膜する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。図７および７に示すように、本実施形態において第１の絶縁膜１３０は、回路を形成した第１基板１０２の略全面に形成したがこれに限定されない。第１の絶縁膜１３０は、少なくとも表示領域１０６および封止領域１１３の一部を含むように形成する。
次に、第１の絶縁膜１３０の一部に、密着膜１３１を形成する。図７（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１３０にマスク１３６を配置し、マスク１３６の開口部を通してプラズマを用いたＣＶＤ法、またはターゲットを用いたスパッタ法やその他の方法により、密着膜１３１を形成する。マスク１３６の開口端部は封止領域１１３に位置するように配置する。すなわち、マスク１３６の開口部は、少なくとも表示領域１０６を露出する。密着膜１３１の材料としては、酸化シリコンやアモルファスシリコンなどの無機分子を用いることができる。しかしながらこれに限定されず、密着膜１３１は第１の絶縁膜１３０に対して吸着性が高く、第２の絶縁膜１３２材料に対しても密着性が高い材料が好ましい。第１の絶縁膜１３０表面に密着膜１３１を形成することで、密着膜１３１を形成した領域において第２の絶縁膜１３２材料の濡れ性が向上し、第２の絶縁膜１３２が形成される領域と形成されない領域を形成することができる。
次に、密着膜１３１の上に、第２の絶縁膜１３２を成膜する。本実施形態では、アクリル樹脂をインクジェット法を用いて成膜する。図７（Ｂ）においてマスク１３６の開口部である密着膜１３１が形成された領域は、濡れ性が向上し親液性が高くなる。一方で、マスク１３６によって覆われる領域は、濡れ性が変化せず、相対的に撥液性が高くなる。この結果図７（Ｃ）に示すように、第２の絶縁膜１３２は、密着膜１３１が形成された領域に選択的に成膜される。このように密着膜の特性を利用することで、第２の絶縁膜１３２の成膜位置を制御することができる。図６に示すように、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２を成膜する領域は、第１の絶縁膜１３０を成膜する領域より小さく、且つ表示領域１０６を含む。図６に示すように、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２を成膜する領域の端部は、第１の絶縁膜１３０を成膜する領域内であり、且つ封止領域１１３内に位置する。
次に、第１の絶縁膜１３０および第２の絶縁膜１３２上を、亜酸化窒素を含む気体のグロー放電プラズマ処理を行ってもよい。グロー放電プラズマ処理を行うことで、第１の絶縁膜１３０および第２の絶縁膜１３２上の有機分子などの撥水性物質が除去される。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁膜１３０および第２の絶縁膜１３２上の有機分子などを除去する処理は様々な方法を用いることができる。第１の絶縁膜１３０および第２の絶縁膜１３２上の有機分子などを除去する処理を行うことで、第１の絶縁膜１３０および第２の絶縁膜１３２において、第３の絶縁膜１３４材料の密着性が高くなる。また被成膜面全面を処理するのではなく、第１の絶縁膜１３０上のみを処理してもよく、また第１の絶縁膜１３０上の一部のみを処理してもよい。第１の絶縁膜１３０上の一部のみを処理する場合、少なくとも第２の絶縁膜１３２の端部を囲う領域を処理する。
次に、第１の絶縁膜１３０および第２の絶縁膜１３２の上に、第３の絶縁膜１３４を成膜する。本実施形態では、窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する。図７（Ｄ）において、有機分子などが除去された領域は、第３の絶縁膜１３４の密着力が高くなる。この結果、図７（Ｅ）に示すように、第３の絶縁膜１３４は、第１の絶縁膜１３０、および第２の絶縁膜１３２の上に成膜される。さらに第３の絶縁膜１３４は、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２の端部を覆う構造となる。このように密着膜１３１の特性を利用することで、第２の絶縁膜１３２を意図した位置に選択的に形成することができる。図６に示すように、第３の絶縁膜１３４は、第１の絶縁膜１３０と同じく、回路を形成した第１基板１０２の略全面に形成したが、これに限定されない。第３の絶縁膜１３４を成膜する領域は、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２を成膜する領域より大きく、第３の絶縁膜１３４を成膜する領域の端部は、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２を成膜する領域の端部より外側に位置すればよい。
本発明に係る成膜方法によれば、第２の絶縁膜１３２の端部の位置決定のために、図７（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１３０上の第２の絶縁膜１３２の成膜領域に選択的に密着膜１３１を形成する。第１の絶縁膜１３０上に密着膜１３１を形成することで、密着膜１３１を形成した領域は第２の絶縁膜材料に対する濡れ性が向上し親液性が高くなる。この結果図７（Ｃ）に示すように、第２の絶縁膜１３２は、密着膜１３１が形成された領域に選択的に成膜される。このように密着膜１３１の特性を利用することで、第２の絶縁膜１３２の成膜範囲を制御することができる。
本実施形態に係る成膜方法を用いた表示装置の製造方法によって、密着膜１３１および第２の絶縁膜１３２の端部が封止膜から露出することを防ぐことができる。これによって、絶縁膜の端部からの水分の侵入を抑制することができ、信頼性の高い表示装置を提供することができる。また、三層に積層された封止膜の位置を制御することができるため、封止領域１１３を狭く設計することができ、表示領域外周部をより狭くすることが可能となる。
以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置１００及びその製造方法について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
表示装置：１００、基板：１０２、１０４、表示領域：１０６、画素：１０８、シール材：１１０、第１駆動回路：１１１、第２駆動回路：１１２、封止領域：１１３、端子領域：１１４、接続端子：１１６、トランジスタ：１１８、発光素子：１２０、個別画素電極：１２２、共通画素電極：１２４、発光層：１２６、バンク：１２８、第１の絶縁膜：１３０、密着膜：１３１、第２の絶縁膜：１３２、第３の絶縁膜：１３４、マスク：１３６、有機分子：１３８
Claims (18)
- 複数の表示素子が配列された表示領域を有する基板の、前記表示領域を含む面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の前記基板とは反対側の第１面の略全面に有機分子を吸着させ、
前記第１の絶縁膜の前記第１面において、前記表示領域を含み、前記第１の絶縁膜の端部に至らない内側の領域として画定される第１の領域に吸着する前記有機分子を除去し、
前記第１の絶縁膜において前記有機分子が除去された前記第１の領域に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の前記第１の領域外に吸着された前記有機分子を除去し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜の外側で前記第１の絶縁膜と接する第３の絶縁膜を形成すること、
とを含む表示装置の製造方法。 - 前記第１の絶縁膜上に、前記第１の領域を露出させる開口部を有するマスクを配置してプラズマ処理を行い、前記有機分子を除去する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
- 前記プラズマ処理は、酸素を含む気体のグロー放電プラズマで処理する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
- 複数の表示素子が配列された表示領域を有する基板の、前記表示領域を含む面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の前記基板とは反対側の第１面において、前記表示領域を含み、前記第１の絶縁膜の端部に至らない内側の領域として画定される第１の領域をマスクした前記第１の絶縁膜に有機分子を吸着させ、
前記第１の絶縁膜において前記有機分子が吸着されない前記第１の領域に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の前記第１の領域外に吸着された前記有機分子を除去し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜の外側で前記第１の絶縁膜と接する第３の絶縁膜を形成すること、
とを含む表示装置の製造方法。 - 前記有機分子は、フタル酸エステル類、低分子シロキサン、リン酸エステル類、またはジブチルヒドロキシトルエンから選択される一種又は複数の有機材料の分子である、請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機分子は、前記第１の絶縁膜の第１面の撥液性を高くする、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
- 複数の表示素子が配列された表示領域を有する基板の、前記表示領域を含む面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の前記基板とは反対側の第１面において、前記表示領域を含み、前記第１の絶縁膜の端部に至らない内側の領域として画定される第１の領域以外をマスクした前記第１の絶縁膜に密着膜を形成し、
前記第１の絶縁膜において密着膜が形成された前記第１の領域に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜の外側で前記第１の絶縁膜と接する第３の絶縁膜を形成すること、
とを含む表示装置の製造方法。 - 前記密着膜は前記第1の領域に形成され、第1の領域よりも外側の領域には形成されないことを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
- 前記密着膜は酸化シリコンまたはアモルファスシリコンである、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
- 前記密着膜は、前記第２の絶縁膜の密着性を高くする、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第２の絶縁膜の端部を、前記表示領域の端部より外側に形成し、前記第１の絶縁膜の端部および前記第３の絶縁膜の端部を、前記第２の絶縁膜の端部より外側に形成する、請求項１乃至１０の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記基板はさらに駆動回路を含む駆動回路領域を有し、
前記第１の領域を前記駆動回路領域の外側に形成する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第２の絶縁膜の端部は、前記表示領域の端部と駆動回路領域の端部との間に形成する、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第２の絶縁膜を、インクジェット法で形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第２の絶縁膜は、有機絶縁材料を用いて形成する、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法で形成する、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、無機絶縁材料を用いて形成する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、窒化シリコン膜を用いて形成する、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
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