CN107665957A - 显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示装置的制造方法，其包括下述步骤：在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含显示区域的面，形成第一绝缘膜；使有机分子吸附于第一绝缘膜的与基板相反侧的第一面的大致整面；在第一绝缘膜的第一面，将吸附于第一区域的有机分子除去，其中第一区域被划定为包含显示区域且不到第一绝缘膜的端部的内侧的区域；在第一绝缘膜的被除去了有机分子的第一区域形成第二绝缘膜；除去吸附于第一绝缘膜的第一区域外的有机分子；和在第一绝缘膜和第二绝缘膜上，形成与第一绝缘膜在第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。由此，能够抑制水分从绝缘膜的端部侵入，提供可靠性高的显示装置，并且能够使显示区域外周部更窄。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置的制造方法。
背景技术
显示装置通过在各像素设置发光元件，单独地控制发光来显示图像。例如，在作为发光元件使用有机EL元件的有机EL显示装置中，在各像素设置有机EL元件，有机EL元件具有在包括阳极电极和阴极电极的一对电极间夹着含有有机EL材料的层(以下称为“有机EL层”)的构造。有机EL显示装置中，阳极电极在每个像素中作为单个(独用)像素电极而被设置，阴极电极作为跨多个像素被施加共同的电位的共用像素电极而被设置。有机EL显示装置相对于该共用像素电极的电位，在每个像素施加像素电极的电压，由此控制像素的发光。
有机EL层对于水分抵抗力极弱，水分可能从外部渗入到面板内部，当到达有机EL层时产生被称为黑点的非点亮区域。于是，为了防止水分侵入有机EL层，采用以覆盖由有机EL元件排列构成的显示区域的构造的方式形成密封膜的对策。
作为密封膜，大体上一般使用有机绝缘膜和用无机绝缘膜层叠于有机绝缘膜的侧面和上下面的构造。为了防止侧面方向的水分的浸透，配置有机绝缘膜的区域的端部必须由上下面的无机绝缘膜密封。作为端部的定位，例如在日本特开2008-165251号公报中，公开了用堰堤部包围配置有机绝缘膜的区域，使有机绝缘膜被阻挡在堰堤部的内侧而形成的方法。但是，随着近年来的窄边缘化，需要尽可能地使显示区域外周部变窄，有机绝缘膜的端部的位置控制越来越困难。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而完成的，本发明的一实施方式提供一种显示装置的制造方法，其包括下述步骤：在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含显示区域的面，形成第一绝缘膜；使有机分子吸附于第一绝缘膜的与基板相反侧的第一面的大致整面；在第一绝缘膜的第一面，将吸附于第一区域的有机分子除去，其中第一区域被划定为包含显示区域且不到第一绝缘膜的端部的内侧区域；在第一绝缘膜的被除去了有机分子的第一区域形成第二绝缘膜；除去吸附于第一绝缘膜的第一区域外的有机分子；和在第一绝缘膜和第二绝缘膜上，形成与第一绝缘膜在第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。
本发明的一实施方式提供一种显示装置的制造方法，其包括下述步骤：在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含显示区域的面，形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜的与基板相反侧的第一面，使有机分子吸附于第一区域被遮挡了的第一绝缘膜，其中第一区域被划定为包含显示区域且不到第一绝缘膜的端部的内侧区域；在第一绝缘膜的没有吸附有机分子的第一区域形成第二绝缘膜；除去吸附于第一绝缘膜的第一区域外的有机分子；和在第一绝缘膜和第二绝缘膜上，形成与第一绝缘膜在第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。
本发明的一实施方式提供一种显示装置的制造方法，其包括下述步骤：在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含显示区域的面，形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜的与基板相反侧的第一面，在第一区域以外的部分被遮挡了的第一绝缘膜形成密接膜，其中第一区域被划定为包含显示区域且不到第一绝缘膜的端部的内侧区域；在第一绝缘膜的形成有密接膜的第一区域形成第二绝缘膜；和在第一绝缘膜和第二绝缘膜上，形成与第一绝缘膜在第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。
根据本发明，能够抑制水分从绝缘膜的端部侵入，提供可靠性高的显示装置，并且能够使显示区域外周部更窄。
附图说明
图1是表示使用本发明的一实施方式的制造方法制作的显示装置的概要结构的立体图。
图2是表示使用本发明的一实施方式的制造方法制作的显示装置的概要构造的平面图。
图3是表示使用本发明的一实施方式的制造方法制作的显示装置的概要构造的截面图。
图4A是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图4B是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图4C是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图4D是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图4E是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图4F是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图5A是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图5B是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图5C是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图5D是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图5E是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图6是表示使用本发明的一实施方式的制造方法制作的显示装置的概要构造的截面图。
图7A是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图7B是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图7C是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图7D是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图7E是表示本发明的一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
附图标记说明
100：显示装置，102、104：基板，106：显示区域，108：像素，110：密封件，111：第一驱动电路，112：第二驱动电路，113：密封区域，114：端子区域，116：连接端子，118：晶体管，120：发光元件，122：单体像素电极，124：共用像素电极，126：发光层，128：隔堤部，130：第一绝缘膜，131：密接膜。132：第二绝缘膜，134：第三绝缘膜，136：掩模，138：有机分子。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的几个实施方式的显示装置。但是，本发明能够以多种不同的方式实施，并不能够被以下例示的实施方式的记载内容限定地加以解释。本发明的实施方式中，特别将有机EL显示装置作为适合的应用例加以例示，但并不限定于此。
附图为了更明确地进行说明，与实际形态相比，有时对各部分的宽度、厚度、形状等示意性地加以表示，仅是一个例子，并不限定本发明的解释。此外，附图的尺寸比率为了方便说明有时与实际的比率不同，有时结构的一部分从附图中省略。本说明书和各图中，对与已存在的图中已述的部件同样的构成要素标注相同的附图标记，适当省略详细说明。
本说明书中，记载某部材或区域位于其它部材或区域之“上(或下)”时，只要没有特别限定，不仅指位于其它部材或区域的紧接上方(或紧接下方)的情况，也包括位于其它部材或区域的上方(或下方)的情况，即，也包括在其它部材或区域的上方(或下方)，与其间存在其它构成要素的情况。
<第一实施方式>
图1是本实施方式的显示装置100的立体图。参照图1说明本实施方式的显示装置100的结构。显示装置100在第一基板102设置有显示区域106。显示区域106由多个像素108排列而构成。在显示区域106的上面设置有作为密封部的第二基板104。第二基板104例如由包围显示区域106的密封件110固定于第一基板102。形成于第一基板102的显示区域106被作为密封部的第二基板104和密封件110密封，使得不会曝露于大气。利用这样的密封构造抑制设置于像素的发光元件的劣化。另外，也可以在设置第二基板104时，不使用包围显示区域106的密封件110而用其它方式固定。
参照图2和图3，说明本实施方式的显示装置100的概要结构。图2是表示使用本实施方式的制造方法制作的显示装置100的概要构造的平面图。图3是表示使用本实施方式的制造方法制作的显示装置100的概要构造的截面图。图3表示图2的A-B截面图。
本实施方式的显示装置100，在第一基板102上设置有形成显示画面的显示区域106。在第一基板102在一端部设置有端子区域114。端子区域114配置于第二基板104的外侧。端子区域114由多个连接端子116构成。连接端子116形成输出影像信号的设备、电源等与连接显示面板的配线基板的接点。连接端子116的该接点露出于外部。在第一基板102设置有将从端子区域114输入的影像信号输出至显示区域106的第一驱动电路111和第二驱动电路112。
显示区域106与第一驱动电路111和第二驱动电路112分别由配线连接。在显示区域106除像素108以外还设置有被称为扫描信号线、影像信号线的配线。显示区域106的各像素108利用这些配线与第一驱动电路111、第二驱动电路112连接。例如，第一驱动电路111是向显示区域106输出扫描信号的驱动电路，第二驱动电路112是向显示区域106输出影像信号的驱动电路。图3表示在显示区域106与第一驱动电路111之间具有密封区域113的方式。
如图3所示，显示装置100的多个像素分别具有晶体管118和发光元件120。发光元件120具有由单体像素电极122和与其相对配置的共用像素电极124夹着发光层126的构造。单体像素电极122在每个像素是独立的，分别与晶体管118连接。共用像素电极124跨多个像素被施加共用的电位。但是并不限定于此，对共用像素电极124的电位施加也可以对于全部的像素或者一部分像素独立于其它像素地单独进行。
在相邻的2个像素间设置有隔堤部128。隔堤部128以端部覆盖单体像素电极122的周缘部的方式设置。另外，隔堤部128为了防止在单体像素电极122的端部与共用像素电极124短路，而且为了使相邻的像素间绝缘，优选由绝缘材料形成。例如，为了形成隔堤部128，优选使用聚酰亚胺、丙烯酸等有机材料或氧化硅等无机材料。
本实施方式所示的显示装置100具有将发光元件120所发出的光向共用像素电极124侧射出的、所谓顶部发射型的构造。本实施方式中例示了顶部发射型，但并不限定于此，也能够应用于向单体像素电极122侧出射的所谓底部发射型的构造。单体像素电极122为了使由发光层126发出的光向共用像素电极124侧反射，优选由反射率高的金属膜形成。或者可以采用使单体像素电极122为金属膜和透明导电膜的层叠构造，也可以包含有光反射面的构造。另一方面，共用像素电极124为了使由发光层126产生的光透过，优选由具有透光性且具有导电性的ITO(氧化锡添加氧化铟)、IZO(氧化铟-氧化锌)等透明导电膜形成。此外，作为共用像素电极124，可以由能够透过出射光的程度的膜厚形成金属层。
在共用像素电极124的上部设置有密封膜。在例如作为发光元件120使用有机EL元件的有机EL显示装置中，有机EL层对于水分抵抗力极弱，因此可能水分从外部渗入面板内部，到达有机EL层时产生被称为黑点的发光缺陷点。因此，以覆盖显示区域106的方式设置有密封膜。作为密封膜优选使用能够阻隔水分的渗入的绝缘膜，能够使用无机绝缘材料和有机绝缘材料的多层的膜。例如，在使用无机绝缘材料时，能够使用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SixNy)、氧化氮化硅(SiOxNy)、氮化氧化硅(SiNxOy)、氧化铝(AlxOy)、氮化铝(AlxNy)、氧化氮化铝(AlxOyNz)、氮化氧化铝(AlxNyOz)等的膜等(x、y、z可以适当设定)。作为成膜方法，能够使用等离子体CVD法或溅射法。此外，上述的覆盖无机绝缘膜的有机绝缘材料，能够使用聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、氟树脂、硅氧烷树脂等。作为成膜方法，例如能够使用喷墨法。
另外，能够使用在上述有机绝缘层之上层叠无机绝缘层的构造。通过使有机绝缘层和无机绝缘层为层叠构造，能够期待更好的防止水分渗入的效果。在为层叠构造时，有机绝缘层的端部优选由无机绝缘层覆盖。
在本实施方式中，使密封膜为三层构造，从下层侧起设置第一绝缘膜130、第二绝缘膜132、第三绝缘膜134。第一绝缘膜130、第二绝缘膜132和第三绝缘膜134的三层均以覆盖显示区域106的方式配置。即第一绝缘膜130、第二绝缘膜132和第三绝缘膜134的端部位于显示区域106的端部的外侧。
作为第一绝缘膜130，能够使用无机绝缘材料或有机绝缘材料的绝缘材料。作为第一绝缘膜130优选是水分阻隔性高的膜，特别优选使用无机绝缘层。例如能够使用氮化硅膜。此时，由于显示区域106内的发光元件120等引起的凹凸，仅是第一绝缘膜130的单层有时不能够充分覆盖，而产生水分的传送路径。
于是，作为第二层设置用于确保高平坦性的第二绝缘膜132。作为第二绝缘膜132，能够使用丙烯酸等有机绝缘层等。如图3所示，第二绝缘膜132的区域包含显示区域106，但并不包含第一驱动电路111。即第二绝缘膜132的端部位于显示区域106与第一驱动电路111间的密封区域113内。
在平坦性提高了的第二绝缘膜132上，设置第三绝缘膜134。由于第二绝缘膜132进行的平坦化，第三绝缘膜134具有高覆盖性，能够抑制水分的传送路径的产生。作为第三绝缘膜134，能够使用无机绝缘材料或有机绝缘材料的绝缘材料。第三绝缘膜134特别优选使用水分的阻隔性高的膜，例如优选使用氮化硅膜等无机绝缘材料。
并且，在本实施方式中，在层叠三层的绝缘膜的端部，成为第一绝缘膜130和第三绝缘膜134包覆第二绝缘膜132的构造。如图2和图3所示，第一绝缘膜130和第三绝缘膜134比第二绝缘膜132大，在第二绝缘膜132的端部的外侧，第一绝缘膜130和第三绝缘膜134相接触。通过采用这样的构造，特别能够防止第二绝缘膜132的端部露出。在作为第二绝缘膜132使用有机绝缘层时，当其端部露出时，会成为从外部侵入的水分的进入路径。从第二绝缘膜132的端部侵入的水分向发光元件120传送，可能导致显示装置100的寿命下降。
如本实施方式这样，在层叠三层的绝缘膜的端部，成为第一绝缘膜130和第三绝缘膜134包覆第二绝缘膜132的构造，由此能够抑制水分从绝缘膜的端部侵入，提供可靠性高的显示装置。第二绝缘膜132的端部位于密封区域113内，将这样的区域称为“水分阻隔区域”。进而，通过与现有的密封件110的密封构造组合使用，能够期待对水分的耐性的提高，提供可靠性更高的显示装置。此外，根据本实施方式的层叠三层的绝缘膜的构造，能够将密封区域113设计得较窄，能够使显示区域外周部更窄。
<制造方法>
参照图4A～图4F，说明本实施方式的显示装置100的制造方法。另外，在本实施方式中，除了密封膜的形成之外能够使用已有的方法，因此省略其说明，在附图中说明形成显示区域106和密封区域113中的共用像素电极124以上的层的方法。
首先，形成第一绝缘膜130。如图4A所示，在形成有电路的第一基板102的被成膜面形成第一绝缘膜130。在本实施方式中，使用等离子体CVD法形成氮化硅膜。如图2和图3所示，在本实施方式中，第一绝缘膜130在形成有电路的第一基板102的大致整面形成，但并不限定于此。第一绝缘膜130以至少包括显示区域106和密封区域113的一部分的方式形成。
接着，使有机分子138吸附于第一绝缘膜130上的大致整面。如图4B所示，使第一绝缘膜130表面曝露于有机蒸气，使有机分子138吸附。作为有机分子的材料，能够使用酞酸酯类、低分子硅氧烷、磷酸酯类、或羟基甲苯二丁酯等有机分子。但是并不限定于此，有机分子138优选使用对第一绝缘膜130的吸附性高、能够容易地除去、且对第二绝缘膜132材料的拨液性高的材料。通过使有机分子138吸附于第一绝缘膜130的表面，使得在第一绝缘膜130，第二绝缘膜132材料的润湿性变差，拨液性变高。
接着，除去第一绝缘膜130上的一部分的有机分子138。如图4C所示，在第一绝缘膜130配置掩模136，进行通过掩模136的开口部除去有机分子138的前处理。掩模136的开口端部以位于密封区域113的方式配置。即，掩模136的开口部至少使显示区域106露出。前处理例如通过进行含氧气体的辉光放电等离子体处理，在掩模136的开口部除去第一绝缘膜130上的有机分子。作为前处理的方法能够使用等离子体处理、UV/O3、激光等。作为在等离子体处理中使用的气体，能够使用氧、氩、氮、四氟化碳、一氧化二氮等。此外，等离子体处理可以在常压进行，也可以减压进行。通过进行除去第一绝缘膜130上的有机分子138的前处理，使得在第一绝缘膜130，第二绝缘膜132材料的润湿性提高，亲液性变高。
接着，在第一绝缘膜130之上形成第二绝缘膜132。本实施方式中，使用喷墨法形成丙烯酸树脂。在图4C中，掩模136的开口部即有机分子被除去的区域中，润湿性提高，亲液性变高。另一方面，掩模136所保护的残留有机分子的区域中，润湿性仍是变差的状态，拨液性高。结果如图4D所示，第二绝缘膜132在残留有机分子的区域中被拨开，在有机分子被除去的区域有选择地成膜。通过像这样利用有机分子的特性，能够控制第二绝缘膜132的成膜位置。如图2所示，形成第二绝缘膜132的区域比形成第一绝缘膜130的区域小，且包含显示区域106。如图3所示，形成有第二绝缘膜132的区域的端部位于形成有第一绝缘膜130的区域内，且位于密封区域113内。
接着，除去第一绝缘膜130上的残留的有机分子138。如图4E所示，进行除去第一绝缘膜130的有机分子138的处理。例如，通过对被成膜面进行含氧气体的辉光放电等离子体处理，除去第一绝缘膜130上的残留的有机分子。但是并不限定于此，除去第一绝缘膜130的有机分子138的处理能够使用各种方法。通过进行除去第一绝缘膜130上的有机分子138的处理，使得在第一绝缘膜130，第三绝缘膜134材料的密接(紧贴)性变高，并且具有能够防止由于在第一绝缘膜与第三绝缘膜的分界面存在有机物而导致水分传送的效果。此外可以不处理被成膜面整面，而仅处理残留有机分子的第一绝缘膜130上的部位，此外也可以仅处理第一绝缘膜130上的一部分。在仅处理第一绝缘膜130上的一部分时，至少对包围第二绝缘膜132的端部的区域进行处理。
接着，在第一绝缘膜130和第二绝缘膜132之上，形成第三绝缘膜134。在本实施方式中，使用等离子体CVD法形成氮化硅膜。在图4E中，除去了有机分子的区域中，第三绝缘膜134的密接力变高。结果如图4F所示，第三绝缘膜134在第一绝缘膜130和第二绝缘膜132之上成膜。进而第三绝缘膜134成为覆盖第二绝缘膜132的端部的构造。通过这样利用有机分子的特性，能够使第二绝缘膜132在期望的位置有选择地形成。如图2和图3所示，第三绝缘膜134与第一绝缘膜130同样，在形成有电路的第一基板102的大致整面形成，但并不限定于此。形成有第三绝缘膜134的区域比形成有第二绝缘膜132的区域大，形成有第三绝缘膜134的区域的端部位于比形成有第二绝缘膜132的区域的端部靠外侧的位置即可。
根据本发明的成膜方法，为了定位第二绝缘膜132的端部，如图4B和图4C所示，首先在第一绝缘膜130吸附有机分子，接着除去成膜区域的有机分子。换言之，在第一绝缘膜130的非成膜区域有选择地吸附有机分子。通过在第一绝缘膜130吸附有机分子，该区域中，对第二绝缘膜材料的润湿性变差，拨液性变高。在除去了有机分子的区域中，对第二绝缘膜材料的润湿性提高，亲液性变高。结果如图4D所示，第二绝缘膜132在残留有机分子的区域被拨开，在除去了有机分子的区域有选择地成膜。通过这样利用有机分子的特性，能够控制第二绝缘膜132的成膜范围。
通过使用本实施方式的成膜方法的显示装置的制造方法，能够防止第二绝缘膜132的端部从密封膜露出。由此，能够抑制水分从绝缘膜的端部侵入，能够提高可靠性高的显示装置。此外，能够控制层叠三层的密封膜的位置，因此能够将密封区域113设计得较窄，能够使显示区域外周部更窄。
<第二实施方式>
在本实施方式与第一实施方式中，显示装置100的构造、一部分的制造工序是相同的，因此省略重复说明。
<制造方法>
第一实施方式的成膜方法中，在第一绝缘膜130的大致整面吸附有机分子，接着除去第一绝缘膜130上的第二绝缘膜132的成膜区域中的有机分子，形成第二绝缘膜132。而第二实施方式的成膜方法中，在第一绝缘膜130上的第二绝缘膜132的非成膜区域吸附有机分子，形成第二绝缘膜132。其中，对与第一实施方式同样的部分，省略其详细说明。
参照图5A～图5E，说明本实施方式的显示装置100的制造方法。另外，本实施方式中，除了绝缘膜的形成之外能够使用已有的方法，因此省略其说明，在附图中说明形成显示区域106和密封区域113中的共用像素电极124以上的层的方法。
首先，形成第一绝缘膜130。如图5A所示，在形成有电路的第一基板102的被成膜面形成第一绝缘膜130。在本实施方式中，使用等离子体CVD法形成氮化硅膜。如图2和图3所示，在本实施方式中，第一绝缘膜130在形成有电路的第一基板102的大致整面形成，但并不限定于此。第一绝缘膜130以至少包含显示区域106和密封区域113的一部分的方式形成。
接着，在第一绝缘膜130的一部分吸附有机分子138。如图5B所示，在第一绝缘膜130配置掩模136，通过掩模136的开口部而曝露于有机蒸气中，使有机分子138吸附。掩模136以端部位于密封区域113的方式配置。即，掩模136至少对显示区域106进行遮挡。掩模的开口部为包围显示区域106的形状，因此如果掩模难以保持，则可以使用多个掩模，分成多次使有机分子138吸附。例如，可以将包围显示区域106的开口部分为2个，分2次分别使有机分子138吸附。此时2个掩模均至少对显示区域106进行遮挡。各个开口部可以一部分重叠。作为有机分子的材料，能够使用酞酸酯类、低分子硅氧烷、磷酸酯类、或羟基甲苯二丁酯等有机分子。但是并不限定于此，有机分子138优选对第一绝缘膜130的吸附性高、对第二绝缘膜132材料的拨液性高、且能够容易地除去的材料。通过在第一绝缘膜130表面吸附有机分子138，使得在第一绝缘膜130，第二绝缘膜132材料的润湿性变差，拨液性变高。
接着，在第一绝缘膜130之上形成第二绝缘膜132。本实施方式中，使用喷墨法形成丙烯酸树脂。在图5B中，在掩模136的开口部吸附有机分子的区域中，润湿性变差，拨液性变高。另一方面，在配置有掩模136而没有吸附有机分子的区域中，润湿性不变，具有亲液性。结果如图5C所示，第二绝缘膜132在吸附了有机分子的区域被拨开，在没有吸附有机分子的区域有选择地成膜。通过这样利用有机分子的特性，能够控制第二绝缘膜132的成膜位置。如图2所示，形成有第二绝缘膜132的区域比形成有第一绝缘膜130的区域小，且包含显示区域106。如图3所示，形成有第二绝缘膜132的区域的端部位于形成有第一绝缘膜130的区域内，且位于密封区域113内。
接着，除去第一绝缘膜130上的残留的有机分子138。如图5D所示，进行除去第一绝缘膜130的有机分子138的处理。例如，通过对被成膜面进行含氧气体的辉光放电等离子体处理，除去第一绝缘膜130上的有机分子。但是并不限定于此，作为前处理的方法能够使用等离子体处理、UV/O3、激光等。作为等离子体处理中使用的气体，能够使用氧、氩、氮、四氟化碳、一氧化二氮等。此外，等离子体处理可以在常压下进行，也可以减压进行。通过进行除去第一绝缘膜130上的有机分子138的处理，使得在第一绝缘膜130，第三绝缘膜134材料的密接(紧贴)性变高，并且具有能够防止由于在第一绝缘膜与第三绝缘膜的分界面存在有机物而导致水分传送的效果。此外可以不处理被成膜面整面，而仅处理吸附有机分子的第一绝缘膜130上的部位，此外也可以仅处理第一绝缘膜130上的一部分。在仅处理第一绝缘膜130上的一部分时，至少对包围第二绝缘膜132的端部的区域进行处理。
接着，在第一绝缘膜130和第二绝缘膜132之上，形成第三绝缘膜134。在本实施方式中，使用等离子体CVD法形成氮化硅膜。在图5D中，除去了有机分子的区域中，第三绝缘膜134的密接力变高。结果如图5E所示，第三绝缘膜134在第一绝缘膜130和第二绝缘膜132之上成膜。并且，第三绝缘膜134成为覆盖第二绝缘膜132的端部的构造。通过这样利用有机分子的特性，能够使第二绝缘膜132在期望的位置有选择地形成。如图2和图3所示，第三绝缘膜134与第一绝缘膜130同样，在形成有电路的第一基板102的大致整面形成，但并不限定于此。形成第三绝缘膜134的区域比形成第二绝缘膜132的区域大，形成第三绝缘膜134的区域的端部位于比形成第二绝缘膜132的区域的端部靠外侧的位置即可。
根据本发明的成膜方法，为了定位第二绝缘膜132的端部，如图5B所示，在第一绝缘膜130的非成膜区域有选择地吸附有机分子。通过在第一绝缘膜130吸附有机分子，该区域中润湿性变差、拨液性变高。在没有吸附有机分子的区域中，润湿性不变，具有亲液性。结果如图5C所示，第二绝缘膜132在吸附了有机分子的区域中被拨开，在没有吸附有机分子的区域有选择地成膜。通过像这样利用有机分子的特性，能够控制第二绝缘膜132的成膜位置。
根据使用本实施方式的成膜方法的显示装置的制造方法，能够防止第二绝缘膜132的端部从密封膜露出。由此，能够抑制水分从绝缘膜的端部侵入，能够提供可靠性高的显示装置。此外，能够控制层叠三层的密封膜的位置，因此能够将密封区域113设计得较窄，能够使显示区域外周部更窄。
<第三实施方式>
在本实施方式与第一实施方式中，一部分的显示装置100的构造、一部分的制造工程是相同的，因此省略重复说明。
参照图6说明本实施方式的显示装置100的概要结构。图6是表示使用本实施方式的制造方法制作的显示装置100的概要构造的截面图。图6表示图2的A-B截面图。第三实施方式的显示装置100的构造除了密封膜的结构之外与第一实施方式同样，因此对重复的构造和结构省略说明，主要说明不同点。
在共用像素电极124的上部设置有密封膜。在例如作为发光元件120使用有机EL元件的有机EL显示装置中，有机EL层对于水分的抵抗力极弱，因此水分可能从外部渗入到面板内部，到达有机EL层时产生被称为黑点的发光缺陷点。因此，以覆盖显示区域106的方式设置有密封膜。作为密封膜优选使用能够阻隔水分的渗入的绝缘膜，能够使用无机绝缘材料和有机绝缘材料的多层的膜。例如，在使用无机绝缘材料时，能够使用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SixNy)、氧化氮化硅(SiOxNy)、氮化氧化硅(SiNxOy)、氧化铝(AlxOy)、氮化铝(AlxNy)、氧化氮化铝(AlxOyNz)、氮化氧化铝(AlxNyOz)等的膜等(x、y、z可以适当设定)。作为成膜方法，能够使用等离子体CVD法或溅射法。
此外，上述的覆盖无机绝缘膜的有机绝缘材料，能够使用聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、氟树脂、硅氧烷树脂等。作为成膜方法，例如能够使用喷墨法。在本实施方式中，为了控制有机绝缘膜的成膜位置，在要形成有机绝缘膜的位置形成密接膜131。作为密接膜131的材料，能够使用氧化硅、非晶硅等无机分子。通过在上述无机绝缘膜上形成密接膜131，有机绝缘材料的润湿性提高，能够构成形成有机绝缘膜的区域和没有形成有机绝缘膜的区域。
并且，能够采用在上述有机绝缘层之上层叠无机绝缘层的构造。通过使有机绝缘层和无机绝缘层成为层叠构造，能够期待更好的防止水分渗入的效果。在为层叠构造时，有机绝缘层的端部优选由无机绝缘层覆盖。
在本实施方式中，使密封膜为三层构造，从下层侧起设置第一绝缘膜130、第二绝缘膜132、第三绝缘膜134。在第一绝缘膜130与第二绝缘膜132之间设置密接膜131。第一绝缘膜130、密接膜131、第二绝缘膜132和第三绝缘膜134的四层均以覆盖显示区域106的方式配置。即第一绝缘膜130、密接膜131、第二绝缘膜132和第三绝缘膜134的端部位于显示区域106的端部的外侧。
作为第一绝缘膜130，能够使用无机绝缘材料或有机绝缘材料的绝缘材料。作为第一绝缘膜130优选是水分阻隔性高的膜，特别优选使用无机绝缘层。例如能够使用氮化硅膜。此时，由于显示区域106内的发光元件120等引起的凹凸，仅是第一绝缘膜130的单层有时不能够充分覆盖，而产生水分的传送路径。
于是，作为第二层设置用于确保高平坦性的第二绝缘膜132。作为第二绝缘膜132，能够使用丙烯酸等有机绝缘层等。如图6所示，第二绝缘膜132的区域包含显示区域106，但并不包含第一驱动电路111。即第二绝缘膜132的端部位于显示区域106与第一驱动电路111间的密封区域113内。在本实施方式中，在要形成第二绝缘膜132的位置预先形成密接膜131。即密接膜131的端部位于显示区域106与第一驱动电路111间的密封区域113内。作为密接膜131的材料，能够使用氧化硅、非晶硅等无机分子。通过在第一绝缘膜130上形成密接膜131，在形成有密接膜131的区域中，有机绝缘材料的润湿性提高，能够构成形成第二绝缘膜132的区域和不形成第二绝缘膜132的区域。
在平坦性提高了的第二绝缘膜132上，设置第三绝缘膜134。由于第二绝缘膜132进行的平坦化，第三绝缘膜134具有高覆盖性，能够抑制水分的传送路径的产生。作为第三绝缘膜134，能够使用无机绝缘材料或有机绝缘材料的绝缘材料。第三绝缘膜134特别优选使用水分的阻隔性高的膜，例如优选使用氮化硅膜等无机绝缘材料。
并且，在本实施方式中，成为在层叠后的绝缘膜的端部，第一绝缘膜130和第三绝缘膜134包覆密接膜131和第二绝缘膜132的构造。如图6所示，第一绝缘膜130和第三绝缘膜134比密接膜131和第二绝缘膜132大，在密接膜131和第二绝缘膜132的端部的外侧，第一绝缘膜130与第三绝缘膜134相接触。通过采用这样的构造，特别能够防止第二绝缘膜132的端部露出。在作为第二绝缘膜132使用有机绝缘层时，当其端部露出时，会成为从外部侵入的水分的进入路径。从第二绝缘膜132的端部侵入的水分向发光元件120传送，可能导致显示装置100的寿命下降。
如本实施方式那样，成为在层叠后的绝缘膜的端部，第一绝缘膜130和第三绝缘膜134包覆密接膜131和第二绝缘膜132的构造，由此能够抑制水分从绝缘膜的端部侵入，提供可靠性高的显示装置。并且，通过与现有的密封件110的密封构造组合使用，能够期待对水分的耐性的提高，提供可靠性更高的显示装置。此外，根据本实施方式的层叠的绝缘膜的构造，能够将密封区域113设计得较窄，能够使显示区域外周部更窄。
<制造方法>
在第一实施方式的成膜方法中，在第一绝缘膜130的大致整面吸附有机分子，接着，除去第一绝缘膜130上的第二绝缘膜132的成膜区域中的有机分子后，形成第二绝缘膜132。在第二实施方式的成膜方法中，在第一绝缘膜130上的第二绝缘膜132的非成膜区域吸附有机分子后，形成第二绝缘膜132。第三实施方式中，在第一绝缘膜130上的第二绝缘膜132的成膜区域形成氧化硅、非晶硅等的密接膜131，在密接膜131上形成第二绝缘膜132。此时，在包围显示区域的外部区域的基板端侧即外侧不形成密接膜131。由此，在基板端附近的所述外部区域的一部分不会形成第二绝缘膜132。
参照图7A～图7E，说明本实施方式的显示装置100的制造方法。另外，在本实施方式中，除了绝缘膜的形成之外能够使用已有的方法，因此省略其说明，在附图中说明形成显示区域106和密封区域113中的共用像素电极124以上的层的方法。
首先，形成第一绝缘膜130。如图7A所示，在形成有电路的第一基板102的被成膜面形成第一绝缘膜130。在本实施方式中，使用等离子体CVD法形成氮化硅膜。如图7A所示，在本实施方式中，第一绝缘膜130在形成有电路的第一基板102的大致整面形成，但并不限定于此。第一绝缘膜130以至少包含显示区域106和密封区域113的一部分的方式形成。
接着，在第一绝缘膜130的一部分形成密接膜131。如图7B所示，在第一绝缘膜130配置掩模136，经由掩模136的开口部，通过使用等离子体的CVD法、或使用靶的溅射法、或其它方法，形成密接膜131。掩模136的开口端部以位于密封区域113的方式配置。即，掩模136的开口部至少使显示区域106露出。作为密接膜131的材料，能够使用氧化硅、非晶硅等无机分子。但是并不限定于此，密接膜131优选使用对第一绝缘膜130的吸附性高、对第二绝缘膜132材料的密接性高的材料。通过在第一绝缘膜130表面形成密接膜131，在形成有密接膜131的区域中第二绝缘膜132材料的润湿性提高，能够构成形成第二绝缘膜132的区域和不形成第二绝缘膜132的区域。
接着，在密接膜131之上形成第二绝缘膜132。本实施方式中，使用喷墨法形成丙烯酸树脂。在图7B中，在掩模136的开口部即形成有密接膜131的区域中，润湿性提高，亲液性变高。另一方面，在被掩模136覆盖的区域中，润湿性不变，拨液性相对高。结果如图7C所示，第二绝缘膜132在形成有密接膜131的区域中有选择地成膜。通过像这样利用密接膜的特性，能够控制第二绝缘膜132的成膜位置。如图6所示，形成有密接膜131和第二绝缘膜132的区域比形成有第一绝缘膜130的区域小，且包含显示区域106。如图6所示，形成有密接膜131和第二绝缘膜132的区域的端部位于形成有第一绝缘膜130的区域内，且位于密封区域113内。
接着，可以对第一绝缘膜130和第二绝缘膜132上进行含一氧化二氮的气体的辉光放电等离子体处理。通过进行辉光放电等离子体处理，除去第一绝缘膜130和第二绝缘膜132上的有机分子等的拨水性物质。但是并不限定于此，除去第一绝缘膜130和第二绝缘膜132上的有机分子等的处理能够使用各种方法。通过进行除去第一绝缘膜130和第二绝缘膜132上的有机分子等的处理，使得在第一绝缘膜130和第二绝缘膜132，第三绝缘膜134材料的密接性变高。此外，可以不对被成膜面整面进行处理，仅处理第一绝缘膜130上的部位，也可以仅处理第一绝缘膜130上的一部分。在仅处理第一绝缘膜130上的一部分时，至少对包围第二绝缘膜132的端部的区域进行处理。
接着，在第一绝缘膜130和第二绝缘膜132之上，形成第三绝缘膜134。在本实施方式中，使用等离子体CVD法形成氮化硅膜。在图7D中，在除去了有机分子等的区域中，第三绝缘膜134的密接力变高。结果如图7E所示，第三绝缘膜134在第一绝缘膜130和第二绝缘膜132之上成膜。并且，第三绝缘膜134成为覆盖密接膜131和第二绝缘膜132的端部的构造。通过这样利用密接膜131的特性，能够使第二绝缘膜132在期望的位置有选择地形成。如图6所示，第三绝缘膜134与第一绝缘膜130同样，在形成有电路的第一基板102的大致整面形成，但并不限定于此。形成有第三绝缘膜134的区域比形成有密接膜131和第二绝缘膜132的区域大，形成有第三绝缘膜134的区域的端部位于比形成有密接膜131和第二绝缘膜132的区域的端部靠外侧的位置即可。
根据本发明的成膜方法，为了定位第二绝缘膜132的端部，如图7B所示，在第一绝缘膜130上的第二绝缘膜132的成膜区域有选择地形成密接膜131。通过在第一绝缘膜130上形成密接膜131，形成有密接膜131的区域对第二绝缘膜材料的润湿性提高，亲液性变高。结果如图7C所示，第二绝缘膜132在形成有密接膜131的区域有选择地成膜。通过像这样利用密接膜131的特性，能够控制第二绝缘膜132的成膜范围。
根据使用本实施方式的成膜方法的显示装置的制造方法，能够防止密接膜131和第二绝缘膜132的端部从密封膜露出。由此，能够抑制水分从绝缘膜的端部侵入，能够提供可靠性高的显示装置。此外，能够控制层叠三层的密封膜的位置，因此能够将密封区域113设计得较窄，能够使显示区域外周部更窄。
以上说明了本发明的优选实施方式的显示装置100和其制造方法。但是，它们仅是例示，本发明的技术范围不被其限定。实际上，本领域的技术人员能够不脱离权利要求范围中的本发明的主旨地进行各种变更。这些变更当然应该解释为属于本发明的技术范围。
Claims (17)
1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含所述显示区域的面，形成第一绝缘膜；
使有机分子吸附于所述第一绝缘膜的与所述基板相反侧的第一面的大致整面；
在所述第一绝缘膜的所述第一面，将吸附于第一区域的所述有机分子除去，其中所述第一区域被划定为包含所述显示区域且不到所述第一绝缘膜的端部的内侧区域；
在所述第一绝缘膜的被除去了所述有机分子的所述第一区域形成第二绝缘膜；
除去吸附于所述第一绝缘膜的所述第一区域外的所述有机分子；和
在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜上，形成与所述第一绝缘膜在所述第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
在所述第一绝缘膜上配置具有使所述第一区域露出的开口部的掩模来进行等离子体处理，除去所述有机分子。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述等离子体处理利用含氧的气体的辉光放电等离子体来进行处理。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述有机分子是选自酞酸酯类、低分子硅氧烷、磷酸酯类和羟基甲苯二丁酯中的一种或多种有机材料的分子。
5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述有机分子使所述第一绝缘膜的第一面的拨液性变高。
6.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含所述显示区域的面，形成第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜的与所述基板相反侧的第一面，使有机分子吸附于第一区域被遮挡了的所述第一绝缘膜，其中所述第一区域被划定为包含所述显示区域且不到所述第一绝缘膜的端部的内侧区域；
在所述第一绝缘膜的没有吸附所述有机分子的所述第一区域形成第二绝缘膜；
除去吸附于所述第一绝缘膜的所述第一区域外的所述有机分子；和
在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜上，形成与所述第一绝缘膜在所述第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。
7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述有机分子是选自酞酸酯类、低分子硅氧烷、磷酸酯类和羟基甲苯二丁酯中的一种或多种有机材料的分子。
8.如权利要求7所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述有机分子使所述第一绝缘膜的第一面的拨液性变高。
9.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
在具有由多个显示元件排列而成的显示区域的基板的包含所述显示区域的面，形成第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜的与所述基板相反侧的第一面，在第一区域以外的部分被遮挡了的所述第一绝缘膜形成密接膜，其中所述第一区域被划定为包含所述显示区域且不到所述第一绝缘膜的端部的内侧区域；
在所述第一绝缘膜的形成有所述密接膜的所述第一区域形成第二绝缘膜；和
在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜上，形成与所述第一绝缘膜在所述第二绝缘膜的外侧接触的第三绝缘膜。
10.如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述密接膜形成在所述第一区域，不形成在比第一区域靠外侧的区域。
11.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述密接膜是氧化硅或非晶硅。
12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述密接膜使所述第二绝缘膜的密接性变高。
13.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
将所述第二绝缘膜的端部形成在比所述显示区域的端部靠外侧的位置，将所述第一绝缘膜的端部和所述第三绝缘膜的端部形成在比所述第二绝缘膜的端部靠外侧的位置。
14.如权利要求13所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述基板还具有包含驱动电路的驱动电路区域，
将所述第一区域形成在所述驱动电路区域的外侧。
15.如权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述第二绝缘膜的端部形成在所述显示区域的端部与驱动电路区域的端部之间。
16.如权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述第二绝缘膜由喷墨法形成。
17.如权利要求16所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述第二绝缘膜使用有机绝缘材料形成。
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