TWI659527B - 顯示裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種顯示裝置之製造方法，其包含以下步驟：於具有排列有複數個顯示元件之顯示區域之基板之包含顯示區域的面形成第1絕緣膜；使第1絕緣膜之與基板相反側之第1面之大致整個面吸附有機分子；於第1絕緣膜之第1面中，將吸附於劃定為包含顯示區域在內、且未到達第1絕緣膜之端部之內側之區域的第1區域之有機分子去除；於第1絕緣膜在已去除有機分子之第1區域形成第2絕緣膜；將吸附於第1絕緣膜之第1區域外之有機分子去除；及於第1絕緣膜及第2絕緣膜上，形成於第2絕緣膜之外側與第1絕緣膜相接之第3絕緣膜。
Description
本發明係關於一種顯示裝置之製造方法。
顯示裝置係於各像素設置發光元件，藉由個別地控制發光而顯示圖像。例如，於使用有機EL(Electroluminescence，電致發光)元件作為發光元件之有機EL顯示裝置中，於各像素設置有機EL元件，有機EL元件係具有於包括陽極電極及陰極電極之一對電極間夾持有包含有機EL材料之層(以下，稱為「有機EL層」)之構造。有機EL顯示裝置係陽極電極針對每個像素而作為個別像素電極設置，陰極電極跨複數個像素作為施加共通之電位之共通像素電極設置。有機EL顯示裝置係藉由對該共通像素電極之電位，針對每個像素施加像素電極之電壓，而控制像素之發光。 有機EL層極其不耐水分，若水分自外部滲入至面板內部，到達有機EL層則會產生被稱為暗點之非點亮區域。因此，為了防止水分向有機EL層滲入，而採取以覆蓋排列著有機EL元件之顯示區域之構造之方式形成密封膜的對策。 作為密封膜，一般而言係使用主要由有機絕緣膜與形成於有機絕緣膜之側面及上下表面之無機絕緣膜積層而成之構造。為了防止側面方向之水分之浸透，配置有機絕緣膜之區域之端部必須藉由上下表面之無機絕緣膜而密封。作為端部之位置決定，例如於日本專利特開2008-165251號公報中，揭示有如下方法：利用攔截部包圍配置有機絕緣膜之區域，有機絕緣膜被攔截部之內側堵住而形成。然而，伴隨近年來之窄邊緣化而必須使顯示區域外周部極力變窄，有機絕緣膜之端部之位置控制日益趨於困難。
[解決問題之技術手段] 根據本發明之一實施形態，提供一種顯示裝置之製造方法，其包含以下步驟：於具有排列有複數個顯示元件之顯示區域之基板之包含顯示區域的面形成第1絕緣膜；使第1絕緣膜之與基板相反側之第1面之大致整個面吸附有機分子；於第1絕緣膜之第1面中，將吸附於劃定為包含顯示區域在內、且未到達第1絕緣膜之端部之內側之區域的第1區域之有機分子去除；於第1絕緣膜中在已去除有機分子之第1區域形成第2絕緣膜；將吸附於第1絕緣膜之第1區域外之有機分子去除；及於第1絕緣膜及第2絕緣膜上，形成於第2絕緣膜之外側與第1絕緣膜相接之第3絕緣膜。 根據本發明之一實施形態，提供一種顯示裝置之製造方法，其包含以下步驟：於具有排列有複數個顯示元件之顯示區域之基板之包含顯示區域的面形成第1絕緣膜；於第1絕緣膜之與基板相反側之第1面中，使將劃定為包含顯示區域在內、且未到達第1絕緣膜之端部之內側之區域的第1區域遮蔽之第1絕緣膜吸附有機分子；於第1絕緣膜在未吸附有機分子之第1區域形成第2絕緣膜；將吸附於第1絕緣膜之第1區域外之有機分子去除；及於第1絕緣膜及第2絕緣膜上，形成於第2絕緣膜之外側與第1絕緣膜相接之第3絕緣膜。 根據本發明之一實施形態，提供一種顯示裝置之製造方法，其包含以下步驟：於具有排列有複數個顯示元件之顯示區域之基板之包含顯示區域的面形成第1絕緣膜；於第1絕緣膜之與基板相反側之第1面中，於將劃定為包含顯示區域在內、且未到達第1絕緣膜之端部之內側之區域的第1區域以外遮蔽之第1絕緣膜形成密接膜；於第1絕緣膜在形成有密接膜之第1區域形成第2絕緣膜；及於第1絕緣膜及第2絕緣膜上，形成於第2絕緣膜之外側與第1絕緣膜相接之第3絕緣膜。
以下，參照圖式，對本發明之若干實施形態之顯示裝置詳細地進行說明。但是，本發明能夠以較多之不同態樣實施，並不限定理解為以下所例示之實施形態之記載內容。於本發明之實施形態中，尤其將有機EL顯示裝置作為較佳之應用例例示，但並不限定於此。 為了使說明更明確，與實際之態樣相比，圖式存在關於各部之寬度、厚度、形狀等模式性地表示之情形，但只不過為一例，並不限定本發明之解釋。又，為了方便說明，圖式之尺寸比率存在與實際之比率不同，或者構成之一部分自圖式省略之情形。於本說明書與各圖中，對關於已經提出之圖與上述內容相同之要素標註相同之符號，適當省略詳細之說明。 於本說明書中，於某構件或區域位於其他構件或區域之「上(或下)」之情形時，只要未特別限定，則不僅為其位於其他構件或區域之正上方(或正下方)之情形時，亦包含位於其他構件或區域之上方(或下方)之情形時，即，亦包含於其他構件或區域之上方(或下方)於之間包含其他構成要素之情形時。 ＜第1實施形態＞ 圖1係本實施形態之顯示裝置100之立體圖。參照圖1說明本實施形態之顯示裝置100之構成。顯示裝置100係於第1基板102設置有顯示區域106。顯示區域106係藉由將複數個像素108排列而構成。於顯示區域106之上表面設置有作為密封材之第2基板104。第2基板104例如藉由包圍顯示區域106之密封材料110而固定於第1基板102。形成於第1基板102之顯示區域106藉由作為密封材之第2基板104與密封材料110以不曝露於大氣之方式密封。藉由此種密封構造而抑制設置於像素之發光元件之劣化。再者，於設置第2基板104時，亦可不使用包圍顯示區域106之密封材料110而利用其他手段固定。 參照圖2及圖3，對本實施形態之顯示裝置100之概略構成進行說明。圖2係表示使用本實施形態之製造方法製作出之顯示裝置100之概略構造的俯視圖。圖3係表示使用本實施形態之製造方法製作出之顯示裝置100之概略構造的剖視圖。圖3表示沿著圖2之A－B之剖視圖。 本實施形態之顯示裝置100係於第1基板102上設置有形成顯示畫面之顯示區域106。於第1基板102，於一端部設置有端子區域114。端子區域114配置於第2基板104之外側。端子區域114係藉由複數個連接端子116而構成。連接端子116形成輸出影像信號之機器或電源等與將顯示面板連接之配線基板之接點。連接端子116中之該接點露出於外部。於第1基板102設置有將自端子區域114輸入之影像信號輸出至顯示區域106之第1驅動電路111及第2驅動電路112。 顯示區域106與第1驅動電路111及第2驅動電路112分別藉由配線而連接。顯示區域106係於像素108以外設置有被稱為掃描信號線、影像信號線之配線。顯示區域106之各像素108藉由該等配線而與第1驅動電路111、第2驅動電路112連接。例如，第1驅動電路111係將掃描信號輸出至顯示區域106之驅動電路，第2驅動電路112係將影像信號輸出至顯示區域106之驅動電路。圖3係表示於顯示區域106與第1驅動電路111之間具有密封區域113之態樣。 如圖3所示，顯示裝置100之複數個像素之各者具有電晶體118及發光元件120。發光元件120具有由個別像素電極122及與其對向配置之共通像素電極124夾持發光層126之構造。個別像素電極122係針對每個像素而獨立，且分別與電晶體118連接。共通像素電極124係跨複數個像素而施加共通之電位。然而，並不限定於此，向共通像素電極124之電位施加亦可相對於所有或一部分之像素與其他獨立地個別地進行。 於相鄰之2個像素之間設置有觸排128。觸排128係以端部覆蓋個別像素電極122之周緣部之方式設置。再者，觸排128係防止於個別像素電極122之端部中與共通像素電極124短路，且使相鄰之像素間絕緣者，故而較佳為由絕緣材料形成。例如，為了形成觸排128，較佳為使用聚醯亞胺或丙烯酸等有機材料、或者氧化矽等無機材料。 本實施形態中所示之顯示裝置100具有將由發光元件120發出之光出射至共通像素電極124側之所謂頂部發光型之構造。於本實施形態中例示頂部發光型，但並不限定於此，亦可應用於出射個別像素電極122側之所謂底部發光型。個別像素電極122係使由發光層126發出之光反射至共通像素電極124側，故而較佳為由反射率較高之金屬膜形成。或者，亦可將個別像素電極122設為金屬膜與透明導電膜之積層構造，設為包含光反射面之構造。另一方面，共通像素電極124係使由發光層126產生之光透過，故而較佳為由具有透光性且具有導電性之ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)等透明導電膜形成。或者，作為共通像素電極124，亦可以出射光可透過之程度之膜厚形成金屬層。 於共通像素電極124之上部設置有密封膜。例如，於使用有機EL元件作為發光元件120之有機EL顯示裝置中，由於有機EL層極其不耐水分，故而若水分自外部滲入至面板內部，到達有機EL層則會產生被稱為暗點之發光缺點。因此，以覆蓋顯示區域106之方式設置有密封膜。於密封膜中較佳為使用可遮斷水分之滲入之絕緣膜，可使用無機絕緣材料與有機絕緣材料之複層之膜。例如，於使用無機絕緣材料之情形時，可使用氧化矽(SiOx
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Oy
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Ny
Oz
)等之膜等(x、y、z為任意)。作為成膜方法，可使用電漿CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法或濺鍍法。又，覆蓋上述無機絕緣膜之有機絕緣材料可使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂、氟樹脂、矽氧烷樹脂等。作為成膜方法，例如可使用噴墨法。 進而，可使用於上述有機絕緣層之上積層有無機絕緣層之構造。藉由使有機絕緣層及無機絕緣層為積層構造，可期待進一步防止水分滲入。於設為積層構造之情形時，較理想為有機絕緣層之端部係藉由無機絕緣層而覆蓋。 於本實施形態中，將密封膜設為三層構造，自下層側設置第1絕緣膜130、第2絕緣膜132、及第3絕緣膜134。第1絕緣膜130、第2絕緣膜132、及第3絕緣膜134之三層均以覆蓋顯示區域106之方式配置。即，第1絕緣膜130、第2絕緣膜132、及第3絕緣膜134之端部位於顯示區域106之端部之外側。 作為第1絕緣膜130，可使用無機絕緣材料或有機絕緣材料之絕緣材料。作為第1絕緣膜130，較佳為水分之遮斷性較高之膜，特佳為使用無機絕緣層。例如可使用氮化矽膜。此時，存在如下情形：由於顯示區域106內之發光元件120等之凹凸，故而利用僅第1絕緣膜130之單層無法充分被覆，會產生水分之傳輸路徑。 因此，設置用以確保較高之平坦性之第2絕緣膜132作為第二層。作為第2絕緣膜132，可使用丙烯酸等之有機絕緣層等。如圖3所示，第2絕緣膜132之區域包含顯示區域106，但不包含第1驅動電路111。即，第2絕緣膜132之端部位於顯示區域106與第1驅動電路111之間之密封區域113內。 於平坦性經提高之第2絕緣膜132上，設置第3絕緣膜134。由於第2絕緣膜132之平坦化，故而第3絕緣膜134具有較高之被覆性，可抑制水分之傳輸路徑之產生。作為第3絕緣膜134，可使用無機絕緣材料或有機絕緣材料之絕緣材料。第3絕緣膜134特佳為水分之遮斷性較高之膜，例如較佳為使用氮化矽膜等無機絕緣材料。 進而，於本實施形態中，成為於積層為三層之絕緣膜之端部中，第1絕緣膜130及第3絕緣膜134被覆第2絕緣膜132之構造。如圖2及圖3所示，第1絕緣膜130及第3絕緣膜134大於第2絕緣膜132，於第2絕緣膜132之端部之外側第1絕緣膜130與第3絕緣膜134相接。藉由採用此種構造，尤其防止第2絕緣膜132之端部露出。於使用有機絕緣層作為第2絕緣膜132之情形時，若其端部露出，則會成為自外部滲入之水分之滲入路徑。擔心自第2絕緣膜132之端部滲入之水分向發光元件120傳輸，而使顯示裝置100之壽命降低。 如本實施形態般，藉由設為於積層為三層之絕緣膜之端部中，第1絕緣膜130及第3絕緣膜134被覆第2絕緣膜132之構造，可抑制來自絕緣膜之端部之水分之滲入，可提供可靠性較高之顯示裝置。第2絕緣膜132之端部位於密封區域113內，亦將此種區域稱為「水分遮斷區域」。進而，藉由與先前之密封材料110之密封構造組合使用可期待進一步之對水分之耐性提高，進而可提供可靠性較高之顯示裝置。又，藉由本實施形態之積層為三層之絕緣膜之構造，可將密封區域113設計得狹窄，能夠使顯示區域外周部更窄。 ＜製造方法＞ 參照圖4A～圖4F，對本實施形態中之顯示裝置100之製造方法進行說明。再者，於本實施形態中，密封膜之形成以外能夠使用既有之方法，故而將其說明省略，於圖式中說明成膜顯示區域106及密封區域113中之共通像素電極124以上之層之方法。 首先，形成第1絕緣膜130。如圖4A所示，於形成有電路之第1基板102之被成膜面成膜第1絕緣膜130。於本實施形態中，使用電漿CVD法成膜氮化矽膜。如圖2及3所示，於本實施形態中，第1絕緣膜130並不限定於在形成有電路之第1基板102之大致整個面形成。第1絕緣膜130係以至少包含顯示區域106及密封區域113之一部分之方式形成。 其次，使第1絕緣膜130上之大致整個面吸附有機分子138。如圖4B所示，使第1絕緣膜130表面曝露於有機蒸氣，吸附有機分子138。作為有機分子之材料，可使用鄰苯二甲酸酯類、低分子矽氧烷、磷酸酯類、或二丁基羥基甲苯等之有機分子。然而，並不限定於此，有機分子138較佳為相對於第1絕緣膜130而吸附性較高，可容易地去除，且相對於第2絕緣膜132材料而撥液性較高之材料。藉由使第1絕緣膜130表面吸附有機分子138，而於第1絕緣膜130中第2絕緣膜132材料之潤濕性變差，撥液性變高。 其次，將第1絕緣膜130上之一部分之有機分子138去除。如圖4C所示，進行於第1絕緣膜130配置遮罩136，經由遮罩136之開口部而將有機分子138去除之前處理。遮罩136之開口端部係以位於密封區域113之方式配置。即，遮罩136之開口部至少使顯示區域106露出。前處理例如係藉由進行包含氧之氣體之輝光放電電漿處理，而於遮罩136之開口部中將第1絕緣膜130上之有機分子去除。作為前處理之方法，可使用電漿處理、UV(ultraviolet，紫外線)/O3
、雷射等。作為用於電漿處理之氣體，可使用氧、氬、氮、四氟化碳、一氧化二氮等。又，電漿處理既可於常壓下進行，亦可於減壓下進行。藉由進行將第1絕緣膜130上之有機分子138去除之前處理，而於第1絕緣膜130中第2絕緣膜132材料之潤濕性提高且親液性變高。 其次，於第1絕緣膜130之上，成膜第2絕緣膜132。於本實施形態中，將丙烯酸樹脂使用噴墨法成膜。於圖4C中，將作為遮罩136之開口部之有機分子去除之區域係潤濕性提高且親液性變高。另一方面，保護遮罩136之有機分子殘留之區域係以潤濕性變差之狀態而撥液性變高。其結果，如圖4D所示，第2絕緣膜132係於有機分子殘留之區域中被排斥，於有機分子已去除之區域選擇性地成膜。藉由如此利用有機分子之特性，可控制第2絕緣膜132之成膜位置。如圖2所示，成膜第2絕緣膜132之區域小於成膜第1絕緣膜130之區域，且包含顯示區域106。如圖3所示，成膜第2絕緣膜132之區域之端部係成膜第1絕緣膜130之區域內，且位於密封區域113內。 其次，將第1絕緣膜130上之殘留之有機分子138去除。如圖4E所示，進行將第1絕緣膜130之有機分子138去除之處理。例如，藉由對被成膜面進行包含氧之氣體之輝光放電電漿處理，而將第1絕緣膜130上之殘留之有機分子去除。然而，並不限定於此，將第1絕緣膜130之有機分子138去除之處理可使用各種方法。藉由進行將第1絕緣膜130上之有機分子138去除之處理，而具有於第1絕緣膜130中第3絕緣膜134材料之密接性變高，並且可防止因於第1絕緣膜與第3絕緣膜之界面存在有機物而引起之水分傳輸之效果。又，亦可並非對被成膜面整個面進行處理，而僅對有機分子殘留之第1絕緣膜130上進行處理，又，亦可僅對第1絕緣膜130上之一部分進行處理。於僅對第1絕緣膜130上之一部分進行處理之情形時，至少對包圍第2絕緣膜132之端部之區域進行處理。 其次，於第1絕緣膜130、及第2絕緣膜132之上，成膜第3絕緣膜134。於本實施形態中，使用電漿CVD法成膜氮化矽膜。於圖4E中，將有機分子去除之區域係第3絕緣膜134之密接力變高。其結果，如圖4F所示，第3絕緣膜134成膜於第1絕緣膜130、及第2絕緣膜132之上。進而，成為第3絕緣膜134覆蓋第2絕緣膜132之端部之構造。藉由如此利用有機分子之特性，可於意圖之位置選擇性地形成第2絕緣膜132。如圖2及圖3所示，第3絕緣膜134與第1絕緣膜130相同，形成於形成有電路之第1基板102之大致整個面，但並不限定於此。成膜第3絕緣膜134之區域只要大於成膜第2絕緣膜132之區域，且成膜第3絕緣膜134之區域之端部位於較成膜第2絕緣膜132之區域之端部靠外側即可。 根據本發明之成膜方法，為了第2絕緣膜132之端部之位置決定，如圖4B及圖4C所示，首先使第1絕緣膜130吸附有機分子，其次將成膜區域之有機分子去除。換言之，使第1絕緣膜130之非成膜區域選擇性地吸附有機分子。藉由使第1絕緣膜130吸附有機分子，而該區域相對於第2絕緣膜材料之潤濕性變差且撥液性變高。將有機分子去除之區域相對於第2絕緣膜材料之潤濕性提高且親液性變高。其結果，如圖4D所示，第2絕緣膜132係於有機分子殘留之區域中被排斥，於有機分子已去除之區域選擇性地成膜。藉由如此利用有機分子之特性，可控制第2絕緣膜132之成膜範圍。 藉由使用本實施形態之成膜方法之顯示裝置之製造方法，可防止第2絕緣膜132之端部自密封膜露出。藉此，可抑制來自絕緣膜之端部之水分之滲入，可提供可靠性較高之顯示裝置。又，由於可控制積層為三層之密封膜之位置，故而可將密封區域113設計得狹窄，能夠使顯示區域外周部更窄。 ＜第2實施形態＞ 於本實施形態與第1實施形態中，由於關於顯示裝置100之構造或一部分之製造步驟共通，故而省略重複之說明。 ＜製造方法＞ 於第1實施形態之成膜方法中，使第1絕緣膜130之大致整個面吸附有機分子，其次將第1絕緣膜130上之第2絕緣膜132之成膜區域中之有機分子去除，成膜第2絕緣膜132。於第2實施形態之成膜方法中，使第1絕緣膜130上之第2絕緣膜132之非成膜區域吸附有機分子，成膜第2絕緣膜132。再者，與第1實施形態相同之部分省略其詳細之說明。 參照圖5A～圖5E，對本實施形態中之顯示裝置100之製造方法進行說明。再者，於本實施形態中，由於除絕緣膜之形成以外均可使用既有之方法，故而省略其說明，於圖式中說明成膜顯示區域106及密封區域113中之共通像素電極124以上之層之方法。 首先，形成第1絕緣膜130。如圖5A所示，於形成有電路之第1基板102之被成膜面成膜第1絕緣膜130。於本實施形態中，使用電漿CVD法成膜氮化矽膜。如圖2及3所示，於本實施形態中，第1絕緣膜130形成於形成有電路之第1基板102之大致整個面，但並不限定於此。第1絕緣膜130係以至少包含顯示區域106及密封區域113之一部分之方式形成。 其次，使第1絕緣膜130之一部分吸附有機分子138。如圖5B所示，於第1絕緣膜130配置遮罩136，經由遮罩136之開口部而曝露於有機蒸氣，吸附有機分子138。遮罩136之端部係以位於密封區域113之方式配置。即，遮罩136至少將顯示區域106遮蔽。由於遮罩之開口部成為包圍顯示區域106之形狀，故而若遮罩之保持困難，則亦可使用複數個遮罩，分複數次吸附有機分子138。例如，亦可將包圍顯示區域106之開口部分為2個，分2次分別吸附有機分子138。此時2個遮罩均至少將顯示區域106遮蔽。各自之開口部亦可一部分重疊。作為有機分子之材料，可使用鄰苯二甲酸酯類、低分子矽氧烷、磷酸酯類、或二丁基羥基甲苯等之有機分子。然而，並不限定於此，有機分子138較佳為相對於第1絕緣膜130而吸附性較高，相對於第2絕緣膜132材料而撥液性較高，且可容易地去除之材料。藉由使第1絕緣膜130表面吸附有機分子138，而於第1絕緣膜130中第2絕緣膜132材料之潤濕性變差，撥液性變高。 其次，於第1絕緣膜130之上，成膜第2絕緣膜132。於本實施形態中，將丙烯酸樹脂使用噴墨法成膜。於圖5B中，於遮罩136之開口部吸附有機分子之區域係潤濕性變差，撥液性變高。另一方面，配置有遮罩136之未吸附有機分子之區域係潤濕性不變，具有親液性。其結果，如圖5C所示，第2絕緣膜132係於吸附有機分子之區域中被排斥，於未吸附有機分子之區域選擇性地成膜。藉由如此利用有機分子之特性，可控制第2絕緣膜132之成膜位置。如圖2所示，成膜第2絕緣膜132之區域小於成膜第1絕緣膜130之區域，且包含顯示區域106。如圖3所示，成膜第2絕緣膜132之區域之端部係成膜第1絕緣膜130之區域內，且位於密封區域113內。 其次，將第1絕緣膜130上之殘留之有機分子138去除。如圖5D所示，進行將第1絕緣膜130之有機分子138去除之處理。例如，藉由對被成膜面進行包含氧之氣體之輝光放電電漿處理，而將第1絕緣膜130上之有機分子去除。然而，並不限定於此，作為前處理之方法，可使用電漿處理、UV/O3
、雷射等。作為用於電漿處理之氣體，可使用氧、氬、氮、四氟化碳、一氧化二氮等。又，電漿處理既可於常壓下進行，亦可於減壓下進行。藉由進行將第1絕緣膜130上之有機分子138去除之處理，而具有於第1絕緣膜130中第3絕緣膜134材料之密接性變高，並且可防止因於第1絕緣膜與第3絕緣膜之界面存在有機物而引起之水分傳輸之效果。又，亦可並非對被成膜面整個面進行處理，而僅對有機分子吸附之第1絕緣膜130上進行處理，又，亦可僅對第1絕緣膜130上之一部分進行處理。於僅對第1絕緣膜130上之一部分進行處理之情形時，至少對包圍第2絕緣膜132之端部之區域進行處理。 其次，於第1絕緣膜130、及第2絕緣膜132之上，成膜第3絕緣膜134。於本實施形態中，使用電漿CVD法成膜氮化矽膜。於圖5D中，將有機分子去除之區域係第3絕緣膜134之密接力變高。其結果，如圖5E所示，第3絕緣膜134成膜於第1絕緣膜130、及第2絕緣膜132之上。進而，成為第3絕緣膜134覆蓋第2絕緣膜132之端部之構造。藉由如此利用有機分子之特性，可於意圖之位置選擇性地形成第2絕緣膜132。如圖2及圖3所示，第3絕緣膜134與第1絕緣膜130相同，形成於形成有電路之第1基板102之大致整個面，但並不限定於此。成膜第3絕緣膜134之區域只要大於成膜第2絕緣膜132之區域，且成膜第3絕緣膜134之區域之端部位於較成膜第2絕緣膜132之區域之端部靠外側即可。 根據本發明之成膜方法，為了第2絕緣膜132之端部之位置決定，如圖5B所示，使第1絕緣膜130之非成膜區域選擇性地吸附有機分子。藉由使第1絕緣膜130吸附有機分子，而該區域係潤濕性變差且撥液性變高。未吸附有機分子之區域係潤濕性不變且具有親液性。其結果，如圖5C所示，第2絕緣膜132係於吸附有機分子之區域中被排斥，於未吸附有機分子之區域選擇性地成膜。藉由如此利用有機分子之特性，可控制第2絕緣膜132之成膜位置。 藉由使用本實施形態之成膜方法之顯示裝置之製造方法，可防止第2絕緣膜132之端部自密封膜露出。藉此，可抑制來自絕緣膜之端部之水分之滲入，可提供可靠性較高之顯示裝置。又，由於可控制積層為三層之密封膜之位置，故而可將密封區域113設計得狹窄，能夠使顯示區域外周部更窄。 ＜第3實施形態＞ 於本實施形態與第1實施形態中，由於關於顯示裝置100之構造或一部分之製造步驟共通，故而省略重複之說明。 參照圖6，對本實施形態之顯示裝置100之概略構成進行說明。圖6係表示使用本實施形態之製造方法製作出之顯示裝置100之概略構造的剖視圖。圖6係表示沿著圖2之A－B之剖視圖。第3實施形態之顯示裝置100之構造由於密封膜之構成以外係與第1實施形態相同，故而關於重複之構造及構成省略說明，主要對不同點進行說明。 於共通像素電極124之上部設置有密封膜。例如，於使用有機EL元件作為發光元件120之有機EL顯示裝置中，由於有機EL層極其不耐水分，故而若水分自外部滲入至面板內部，到達有機EL層則會產生被稱為暗點之發光缺點。因此，以覆蓋顯示區域106之方式設置有密封膜。於密封膜中較佳為使用可遮斷水分之滲入之絕緣膜，可使用無機絕緣材料與有機絕緣材料之複層之膜。例如，於使用無機絕緣材料之情形時，可使用氧化矽(SiOx
)、氮化矽(Six
Ny
)、氮氧化矽(SiOx
Ny
)、氧氮化矽(SiNx
Oy
)、氧化鋁(Alx
Oy
)、氮化鋁(Alx
Ny
)、氮氧化鋁(Alx
Oy
Nz
)、氧氮化鋁(Alx
Ny
Oz
)等之膜等(x、y、z為任意)。作為成膜方法，可使用電漿CVD法或濺鍍法。 又，覆蓋上述無機絕緣膜之有機絕緣材料可使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂、氟樹脂、矽氧烷樹脂等。作為成膜方法，例如可使用噴墨法。為了控制有機絕緣膜之成膜位置，於本實施形態中，於成膜有機絕緣膜之位置成膜密接膜131。作為密接膜131之材料，可使用氧化矽或非晶矽等之無機分子。藉由於上述無機絕緣膜上形成密接膜131，而有機絕緣材料之潤濕性提高，可形成有機絕緣膜之形成區域與未形成區域。 進而，可使用於上述有機絕緣層之上積層有無機絕緣層之構造。藉由將有機絕緣層及無機絕緣層設為積層構造，可期待進一步防止水分滲入。於設為積層構造之情形時，較理想為有機絕緣層之端部藉由無機絕緣層而覆蓋。 於本實施形態中，將密封膜設為三層構造，自下層側設置第1絕緣膜130、第2絕緣膜132、及第3絕緣膜134。於第1絕緣膜130與第2絕緣膜132之間，設置密接膜131。第1絕緣膜130、密接膜131、第2絕緣膜132、及第3絕緣膜134之四層均以覆蓋顯示區域106之方式配置。即，第1絕緣膜130、密接膜131、第2絕緣膜132、及第3絕緣膜134之端部位於顯示區域106之端部之外側。 作為第1絕緣膜130，可使用無機絕緣材料或有機絕緣材料之絕緣材料。作為第1絕緣膜130較佳為水分之遮斷性較高之膜，特佳為使用無機絕緣層。例如可使用氮化矽膜。此時，存在如下情形：由於顯示區域106內之發光元件120等之凹凸，故而利用僅第1絕緣膜130之單層無法充分被覆，產生水分之傳輸路徑。 因此，設置用以確保較高之平坦性之第2絕緣膜132作為第二層。作為第2絕緣膜132，可使用丙烯酸等之有機絕緣層等。如圖6所示，第2絕緣膜132之區域包含顯示區域106，但不包含第1驅動電路111。即，第2絕緣膜132之端部位於顯示區域106與第1驅動電路111之間之密封區域113內。於本實施形態中，於成膜第2絕緣膜132之位置預先成膜密接膜131。即，密接膜131之端部位於顯示區域106與第1驅動電路111之間之密封區域113內。作為密接膜131之材料，可使用氧化矽或非晶矽等之無機分子。藉由於第1絕緣膜130上形成密接膜131，而於形成有密接膜131之區域中有機絕緣材料之潤濕性提高，可形成形成第2絕緣膜132之區域與未形成第2絕緣膜132之區域。 於平坦性經提高之第2絕緣膜132上，設置第3絕緣膜134。由於第2絕緣膜132之平坦化，故而第3絕緣膜134具有較高之被覆性，可抑制水分之傳輸路徑之產生。作為第3絕緣膜134，可使用無機絕緣材料或有機絕緣材料之絕緣材料。第3絕緣膜134特佳為水分之遮斷性較高之膜，例如較佳為使用氮化矽膜等無機絕緣材料。 進而，於本實施形態中，成為於經積層之絕緣膜之端部中，第1絕緣膜130及第3絕緣膜134被覆密接膜131及第2絕緣膜132之構造。如圖6所示，第1絕緣膜130及第3絕緣膜134大於密接膜131及第2絕緣膜132，於密接膜131及第2絕緣膜132之端部之外側第1絕緣膜130與第3絕緣膜134相接。藉由採用此種構造，尤其防止第2絕緣膜132之端部露出。於使用有機絕緣層作為第2絕緣膜132之情形時，若其端部露出，則會成為自外部滲入之水分之滲入路徑。擔心自第2絕緣膜132之端部滲入之水分向發光元件120傳輸，而使顯示裝置100之壽命降低。 如本實施形態般，藉由設為於經積層之絕緣膜之端部中，第1絕緣膜130及第3絕緣膜134被覆密接膜131及第2絕緣膜132之構造，可抑制來自絕緣膜之端部之水分之滲入，可提供可靠性較高之顯示裝置。進而，藉由與先前之密封材料110之密封構造組合使用可期待進一步之對水分之耐性提高，進而可提供可靠性較高之顯示裝置。又，藉由本實施形態之經積層之絕緣膜之構造，可將密封區域113設計得狹窄，能夠使顯示區域外周部更窄。 ＜製造方法＞ 於第1實施形態之成膜方法中，使第1絕緣膜130之大致整個面吸附有機分子，其次將第1絕緣膜130上之第2絕緣膜132之成膜區域中之有機分子去除，成膜第2絕緣膜132。於第2實施形態之成膜方法中，使第1絕緣膜130上之第2絕緣膜132之非成膜區域吸附有機分子，成膜第2絕緣膜132。於第3實施形態中，於第1絕緣膜130上之第2絕緣膜132之成膜區域形成氧化矽或非晶矽等之密接膜131，於密接膜131上成膜第2絕緣膜132。此時，未於包圍顯示區域之外部區域之基板端側即外側形成密接膜131。藉由該情況亦未於基板端附近之上述外部區域之一部分形成第2絕緣膜132。 參照圖7A～圖7E，對本實施形態中之顯示裝置100之製造方法進行說明。再者，於本實施形態中，絕緣膜之形成以外能夠使用既有之方法，故而省略其說明，於圖式中說明成膜顯示區域106及密封區域113中之共通像素電極124以上之層之方法。 首先，形成第1絕緣膜130。如圖7A所示，於形成有電路之第1基板102之被成膜面成膜第1絕緣膜130。於本實施形態中，使用電漿CVD法成膜氮化矽膜。如圖7A所示，於本實施形態中，第1絕緣膜130並不限定於在形成有電路之第1基板102之大致整個面形成。第1絕緣膜130係以至少包含顯示區域106及密封區域113之一部分之方式形成。 其次，於第1絕緣膜130之一部分，形成密接膜131。如圖7B所示，於第1絕緣膜130配置遮罩136，經由遮罩136之開口部藉由使用電漿之CVD法、或使用靶之濺鍍法或其他方法，形成密接膜131。遮罩136之開口端部係以位於密封區域113之方式配置。即，遮罩136之開口部至少使顯示區域106露出。作為密接膜131之材料，可使用氧化矽或非晶矽等之無機分子。然而，並不限定於此，密接膜131較佳為相對於第1絕緣膜130而吸附性較高，相對於第2絕緣膜132材料而密接性亦較高之材料。藉由於第1絕緣膜130表面形成密接膜131，而於形成有密接膜131之區域中第2絕緣膜132材料之潤濕性提高，可形成形成第2絕緣膜132之區域與未形成第2絕緣膜132之區域。 其次，於密接膜131之上，成膜第2絕緣膜132。於本實施形態中，將丙烯酸樹脂使用噴墨法成膜。於圖7B中，形成有作為遮罩136之開口部之密接膜131之區域係潤濕性提高且親液性變高。另一方面，藉由遮罩136而覆蓋之區域係潤濕性不變，相對性地撥液性變高。其結果，如圖7C所示，第2絕緣膜132係於形成有密接膜131之區域選擇性地成膜。藉由如此利用密接膜之特性，可控制第2絕緣膜132之成膜位置。如圖6所示，成膜密接膜131及第2絕緣膜132之區域小於成膜第1絕緣膜130之區域，且包含顯示區域106。如圖6所示，成膜密接膜131及第2絕緣膜132之區域之端部係成膜第1絕緣膜130之區域內，且位於密封區域113內。 其次，亦可於第1絕緣膜130及第2絕緣膜132上進行包含一氧化二氮之氣體之輝光放電電漿處理。藉由進行輝光放電電漿處理，而將第1絕緣膜130及第2絕緣膜132上之有機分子等之撥水性物質去除。然而，並不限定於此，將第1絕緣膜130及第2絕緣膜132上之有機分子等去除之處理可使用各種方法。藉由進行將第1絕緣膜130及第2絕緣膜132上之有機分子等去除之處理，而於第1絕緣膜130及第2絕緣膜132中，第3絕緣膜134材料之密接性變高。又，亦可並非對被成膜面整個面進行處理，而僅對第1絕緣膜130上進行處理，又，亦可僅對第1絕緣膜130上之一部分進行處理。於僅對第1絕緣膜130上之一部分進行處理之情形時，至少對包圍第2絕緣膜132之端部之區域進行處理。 其次，於第1絕緣膜130及第2絕緣膜132之上，成膜第3絕緣膜134。於本實施形態中，使用電漿CVD法成膜氮化矽膜。於圖7D中，將有機分子等去除之區域係第3絕緣膜134之密接力變高。其結果，如圖7E所示，第3絕緣膜134成膜於第1絕緣膜130、及第2絕緣膜132之上。進而，成為第3絕緣膜134覆蓋密接膜131及第2絕緣膜132之端部之構造。藉由如此利用密接膜131之特性，可於意圖之位置選擇性地形成第2絕緣膜132。如圖6所示，第3絕緣膜134係與第1絕緣膜130相同，形成於形成有電路之第1基板102之大致整個面，但並不限定於此。成膜第3絕緣膜134之區域只要大於成膜密接膜131及第2絕緣膜132之區域，且成膜第3絕緣膜134之區域之端部位於較成膜密接膜131及第2絕緣膜132之區域之端部靠外側即可。 根據本發明之成膜方法，為了第2絕緣膜132之端部之位置決定，如圖7B所示，於第1絕緣膜130上之第2絕緣膜132之成膜區域選擇性地形成密接膜131。藉由於第1絕緣膜130上形成密接膜131，而形成有密接膜131之區域相對於第2絕緣膜材料之潤濕性提高且親液性變高。其結果，如圖7C所示，第2絕緣膜132係於形成有密接膜131之區域選擇性地成膜。藉由如此利用密接膜131之特性，可控制第2絕緣膜132之成膜範圍。 藉由使用本實施形態之成膜方法之顯示裝置之製造方法，可防止密接膜131及第2絕緣膜132之端部自密封膜露出。藉此，可抑制來自絕緣膜之端部之水分之滲入，可提供可靠性較高之顯示裝置。又，由於可控制積層為三層之密封膜之位置，故而可將密封區域113設計得狹窄，能夠使顯示區域外周部更窄。 以上，對本發明之較佳之實施形態之顯示裝置100及其製造方法進行了說明。然而，該等只不過為單純之例示，本發明之技術性範圍並不限定於其等。實際上，只要為業者，則能夠不脫離申請專利範圍中請求之本發明之主旨，進行各種變更。因此，應理解其等之變更亦當然屬於本發明之技術性範圍。
100‧‧‧顯示裝置
102、104‧‧‧基板
106‧‧‧顯示區域
108‧‧‧像素
110‧‧‧密封材料
111‧‧‧第1驅動電路
112‧‧‧第2驅動電路
113‧‧‧密封區域
114‧‧‧端子區域
116‧‧‧連接端子
118‧‧‧電晶體
120‧‧‧發光元件
122‧‧‧個別像素電極
124‧‧‧共通像素電極
126‧‧‧發光層
128‧‧‧觸排
130‧‧‧第1絕緣膜
131‧‧‧密接膜
132‧‧‧第2絕緣膜
134‧‧‧第3絕緣膜
136‧‧‧遮罩
138‧‧‧有機分子
圖1係表示使用本發明之一實施形態之製造方法製作出之顯示裝置的概略構成之立體圖。 圖2係表示使用本發明之一實施形態之製造方法製作出之顯示裝置的概略構造之俯視圖。 圖3係表示使用本發明之一實施形態之製造方法製作出之顯示裝置的概略構造之剖視圖。 圖4A係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖4B係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖4C係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖4D係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖4E係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖4F係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖5A係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖5B係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖5C係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖5D係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖5E係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖6係表示使用本發明之一實施形態之製造方法製作出之顯示裝置的概略構造之剖視圖。 圖7A係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖7B係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖7C係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖7D係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。 圖7E係表示本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法的剖視圖。
Claims (16)
- 一種顯示裝置之製造方法，其包含以下步驟：於具有排列有複數個顯示元件之顯示區域之基板之包含上述顯示區域的面形成第1絕緣膜；使上述第1絕緣膜之與上述基板相反側之第1面之大致整個面吸附有機分子；於上述第1絕緣膜之上述第1面中，將吸附於劃定為包含上述顯示區域在內、且未到達上述第1絕緣膜之端部之內側之區域的第1區域之上述有機分子去除；於上述第1絕緣膜在已去除上述有機分子之上述第1區域形成第2絕緣膜；將吸附於上述第1絕緣膜之上述第1區域外之上述有機分子去除；及於上述第1絕緣膜及上述第2絕緣膜上，形成於上述第2絕緣膜之外側與上述第1絕緣膜相接之第3絕緣膜。
- 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其中於上述第1絕緣膜上，配置具有使上述第1區域露出之開口部之遮罩進行電漿處理，將上述有機分子去除。
- 如請求項2之顯示裝置之製造方法，其中上述電漿處理係利用包含氧之氣體之輝光放電電漿進行處理。
- 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其中上述有機分子係選自鄰苯二甲酸酯類、低分子矽氧烷、磷酸酯類、或二丁基羥基甲苯之一種或複數種有機材料之分子。
- 如請求項4之顯示裝置之製造方法，其中上述有機分子使上述第1絕緣膜之第1面之撥液性提高。
- 一種顯示裝置之製造方法，其包含以下步驟：於具有排列有複數個顯示元件之顯示區域之基板之包含上述顯示區域的面形成第1絕緣膜；於上述第1絕緣膜之與上述基板相反側之第1面中，使將劃定為包含上述顯示區域在內、且未到達上述第1絕緣膜之端部之內側之區域的第1區域遮蔽之上述第1絕緣膜吸附有機分子；於上述第1絕緣膜在未吸附上述有機分子之上述第1區域形成第2絕緣膜；將吸附於上述第1絕緣膜之上述第1區域外之上述有機分子去除；及於上述第1絕緣膜及上述第2絕緣膜上，形成於上述第2絕緣膜之外側與上述第1絕緣膜相接之第3絕緣膜。
- 如請求項6之顯示裝置之製造方法，其中上述有機分子係選自鄰苯二甲酸酯類、低分子矽氧烷、磷酸酯類、或二丁基羥基甲苯之一種或複數種有機材料之分子。
- 如請求項7之顯示裝置之製造方法，其中上述有機分子使上述第1絕緣膜之第1面之撥液性提高。
- 一種顯示裝置之製造方法，其包含以下步驟：於具有排列有複數個顯示元件之顯示區域之基板之包含上述顯示區域的面形成第1絕緣膜；於上述第1絕緣膜之與上述基板相反側之第1面中，於將劃定為包含上述顯示區域在內、且未到達上述第1絕緣膜之端部之內側之區域的第1區域以外遮蔽之上述第1絕緣膜形成密接膜；於上述第1絕緣膜中，僅在形成有上述密接膜之上述第1區域形成第2絕緣膜；及於上述第1絕緣膜及上述第2絕緣膜上，形成於上述第2絕緣膜之外側與上述第1絕緣膜相接之第3絕緣膜，其中上述密接膜使上述第2絕緣膜之密接性提高。
- 如請求項9之顯示裝置之製造方法，其中上述密接膜係形成於上述第1區域，未形成於較第1區域靠外側之區域。
- 如請求項10之顯示裝置之製造方法，其中上述密接膜係氧化矽或非晶矽。
- 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其中將上述第2絕緣膜之端部形成於較上述顯示區域之端部靠外側，將上述第1絕緣膜之端部及上述第3絕緣膜之端部形成於較上述第2絕緣膜之端部靠外側。
- 如請求項12之顯示裝置之製造方法，其中上述基板進而具有包含驅動電路之驅動電路區域，將上述第1區域形成於上述驅動電路區域之外側。
- 如請求項13之顯示裝置之製造方法，其中上述第2絕緣膜之端部形成於上述顯示區域之端部與驅動電路區域之端部之間。
- 如請求項14之顯示裝置之製造方法，其中利用噴墨法形成上述第2絕緣膜。
- 如請求項15之顯示裝置之製造方法，其中上述第2絕緣膜係使用有機絕緣材料形成。
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