CN112086465A - 显示装置 - Google Patents

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display device
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金政泰
苏栋润
金永來
朴庆珉
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Abstract

一种显示装置包括：基板，该基板包括：包括具有电极的薄膜晶体管的显示区域、非显示区域以及焊盘区域，焊盘区域包括彼此面对的下导电层和上导电层，绝缘层在下导电层和上导电层之间。下导电层包括：第一导电层，第一导电层限定显示装置的端部表面；以及第二导电层，第二导电层与第一导电层间隔开，以在第一导电层与第二导电层之间限定空间，绝缘层限定与该空间相对应的第一开口部分，并且上导电层与薄膜晶体管的电极处在同一层中，上导电层延伸到第一开口部分中，该第一开口部分对应于第一导电层与第二导电层之间的空间。

Description

显示装置
本申请要求于2019年6月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0070072号的优先权，其公开内容通过引用其整体被并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种电子装置，更具体而言，涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，针对用于显示图像的显示装置的各种需求已增加。在显示装置领域，具有大体积的阴极射线管(“CRT”)已被平板显示(“FPD”)设备所取代，平板显示设备相对薄且轻，并且能够具有大的显示区域。FPD设备可以包括液晶显示(“LCD”)设备、等离子体显示面板(“PDP”)设备、有机发光显示(“OLED”)设备、电泳显示(“EPD”)设备等。
在制造出这些显示装置之后，可以例如使用测试焊盘来对显示装置的操作进行测试。
发明内容
用于在制造出显示装置之后对显示装置的操作进行测试的测试焊盘可以布置在显示装置的显示基板上。由于显示装置的无效空间已减少，因此测试焊盘可以布置在显示基板的显示区域的外部。在对显示装置的操作进行测试之后，可以通过执行激光修整等来将测试焊盘与显示基板的其余部分分开。
一个或多个实施例提供了一种包括具有高可靠性的焊盘区域的显示装置。
附加特征将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地将根据该描述而显而易见的，或者可以通过对本公开的实施例的实践而获悉。
根据一个或多个实施例，一种显示装置包括基板，该基板包括：包括具有电极的薄膜晶体管的显示区域、非显示区域以及焊盘区域，焊盘区域包括彼此面对的下导电层和上导电层，绝缘层在下导电层和上导电层之间。下导电层包括：限定显示装置的端部表面的第一导电层；以及第二导电层，该第二导电层与第一导电层间隔开，以在第一导电层与第二导电层之间限定空间，绝缘层限定与该空间相对应的第一开口部分，并且上导电层与薄膜晶体管的电极处在同一层中，上导电层延伸到第一开口部分中。
上导电层可以在第一接触孔处被连接到第一导电层，并且在第二接触孔处被连接到第二导电层。
绝缘层可以包括第一绝缘层和第二绝缘层。
第一开口部分可以包括第一绝缘层的第一绝缘开口部分、以及第二绝缘层的第二绝缘开口部分，并且第一绝缘开口部分和第二绝缘开口部分可以彼此连接。
显示区域还可以包括：栅电极，该栅电极面对电极，栅极绝缘层和层间绝缘层这两者在该栅电极与该电极之间；以及半导体层，该半导体层面对栅极绝缘层，栅电极在该半导体层与该栅极绝缘层之间。绝缘层可以包括：与栅极绝缘层处在同一层中的第一绝缘层；以及与层间绝缘层处在同一层中的第二绝缘层。
显示装置还可以包括在第一导电层与基板之间的下绝缘层。
显示装置还可以包括保护层，该保护层布置在上导电层上，以至少部分地与上导电层重叠，并且包括有机材料。
第一导电层和第二导电层可以布置在彼此不同的层中。
显示区域还可以包括：栅电极，该栅电极面对电极，栅极绝缘层和层间绝缘层这两者在该栅电极与该电极之间；以及半导体层，该半导体层面对栅极绝缘层，栅电极在该半导体层与该栅极绝缘层之间，绝缘层可以包括：与栅极绝缘层处在同一层中的第一绝缘层；以及与层间绝缘层处在同一层中的第二绝缘层，第一绝缘层设置在基板与第二导电层之间，并且第二绝缘层面对第一绝缘层，第二导电层在该第二绝缘层与该第一绝缘层之间。
显示装置还可以包括在第一绝缘层与基板之间的下绝缘层和缓冲层。缓冲层可以限定与空间相对应的缓冲开口部分，下绝缘层可以限定与空间相对应的下开口部分，缓冲开口部分和下开口部分可以彼此连接，并且上导电层可以通过围绕第一导电层以及第二导电层的上表面和侧表面，被布置在缓冲开口部分和下开口部分处。
显示装置还可以包括布置在第二导电层下方的第三导电层。第三导电层被布置为比第二导电层更靠近显示区域。
显示装置还可以包括在第一导电层与基板之间的下绝缘层。
根据一个或多个实施例，一种显示装置包括基板，该基板包括显示区域、非显示区域以及焊盘区域，该焊盘区域在非显示区域中，并且包括下导电层、绝缘层和上导电层。下导电层包括：第一导电层，该第一导电层包括与绝缘层的侧表面在相同平面中的侧表面；以及第二导电层，该第二导电层与第一导电层分开，绝缘层包括：在第一导电层上的外部绝缘层；以及在第二导电层上的内部绝缘层，并且，上导电层在外部绝缘层和内部绝缘层上，并且沿着外部绝缘层的侧表面和内部绝缘层的侧表面被一体布置。
外部绝缘层可以限定使第一导电层暴露的第一接触孔，内部绝缘层可以限定使第二导电层暴露的第二接触孔，并且上导电层可以在第一接触孔处被连接到第一导电层，并且可以在第二接触孔处被连接到第二导电层。
外部绝缘层可以包括第一外部绝缘层和第二外部绝缘层，并且内部绝缘层可以包括第一内部绝缘层和第二内部绝缘层。
显示装置还可以包括平坦化层，该平坦化层布置在上导电层上，以至少部分地与上导电层重叠。
显示装置还可以包括在第一导电层与基板之间的下绝缘层，并且上导电层和下绝缘层可以至少部分地彼此接触。
显示装置还可以包括在彼此不同的层中的第一导电层和第二导电层，绝缘层在该第一导电层和该第二导电层之间。
显示装置还可以包括：在第一导电层与基板之间的第一下绝缘层；以及在第二导电层和第一下绝缘层之间的第二下绝缘层。
显示装置还可以包括：在第一导电层与基板之间的外部下层；以及在第二导电层与基板之间的内部下层。上导电层可以连接到第一导电层和第二导电层，并且可以沿着外部下层的侧表面和内部下层的侧表面被布置。
显示装置还可以包括在显示区域与第二导电层之间的第三导电层。第三导电层可以与第一导电层处在同一层中，并且第三导电层可以在绝缘层的第三接触孔处被连接到上导电层。
下绝缘层可以在第三导电层与基板之间，并且第三导电层和下绝缘层可以彼此接触。
根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基板，该基板包括：包括具有电极的薄膜晶体管的显示区域、与显示区域相邻的非显示区域以及在非显示区域中的焊盘区域，焊盘区域包括：面对上导电层的下导电层，绝缘层在上导电层与下导电层之间，下导电层包括：限定显示装置的端部表面的第一导电层；以及第二导电层，该第二导电层与第一导电层处在不同的层中，并且沿着基板与第一导电层间隔开，以在第一导电层与第二导电层之间限定空间，下绝缘层和缓冲层这两者均在基板与第一导电层之间，缓冲层限定和在第一导电层与第二导电层之间的空间相对应的缓冲开口部分，下绝缘层限定和在第一导电层与第二导电层之间的空间相对应的下开口部分。缓冲开口部分和下开口部分彼此连接，并且上导电层与薄膜晶体管的电极处在同一层中，并且延伸到缓冲开口部分和下开口部分这两者中。
上导电层可以连接到第一导电层和第二导电层。
绝缘层可以设置在下绝缘层与第二导电层之间，绝缘层包括沿着基板彼此间隔开的内部绝缘层和外部绝缘层，内部绝缘层比外部绝缘层更靠近显示区域，外部绝缘层和内部绝缘层的内表面对应于缓冲开口部分和下开口部分这两者并彼此面对，并且上导电层从缓冲开口部分和下开口部分延伸，以沿着外部绝缘层和内部绝缘层的内表面被设置。
显示装置还可以包括保护层，该保护层布置在上导电层上，以至少部分地与上导电层重叠，并且包括有机材料。
附图说明
根据以下结合附图进行的描述，本公开的实施例的上述和其他特征以及优点将更加明显，其中：
图1是显示装置的实施例的示意性俯视图；
图2是在其上执行可靠性测试的初步显示装置的实施例的示意性俯视图；
图3是从初步显示装置提供的显示装置的实施例的俯视图；
图4A是沿着图1的I-I'线和图3的A-A'线截取的剖视图，并且图4B是图4A中的部分B的放大剖视图；
图5示出显示装置的比较例；
图6A是显示装置的焊盘区域的另一实施例的剖视图；
图6B是显示装置的焊盘区域的又一实施例的剖视图；以及
图7是显示装置的焊盘区域的再一实施例的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，其示例在附图中被示出，其中相同的附图标记自始至终指代相同的元件。就这一点而言，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例，用以解释本说明书的特征。
本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而并非旨在进行限制。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。例如，除非上下文另外明确指出，否则“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。诸如“至少一个”等表达在位于元素列表之前时，修饰元素的整个列表，并且不修饰列表的各个元素。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有的组合。
在下文中，将参考附图来详细描述本公开的实施例。在该描述中，相似的附图标记指代相似的元件，并且将不再重复相同的描述。
将会理解，术语“第一”、“第二”等在本文中可被用于描述各种部件，这些部件不应受这些术语的限制。这些部件仅被用于将一个部件与另一部件区分开来。
将进一步理解，本文中所使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征或部件，但是不排除一个或多个其他特征或部件的存在或添加。
将会理解，当层、区域或部件被称为与另一元件有关，例如在另一层、区域或部件“上”时，它可以直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。即，例如，可以存在中间层、区域或部件。相反地，当层、区域或部件被称为与另一元件有关，例如“直接在”另一层、区域或部件“上”时，不存在中间层、区域或部件。
为了便于说明，附图中的元件的尺寸可能会被夸大。换言之，由于为了便于说明而任意地示出附图中的部件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
当可以不同地实现一实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的处理顺序。例如，两个连续描述的处理可以大致同时地执行或者可以以与所描述的顺序相反的顺序来执行。
在下文的实施例中，将会理解，当元件、区域或层被称为与另一元件相关，例如“连接到”另一元件、区域或层时，元件、区域或层可以与另一元件、区域或层物理和/或机械地接触，或者被电连接到另一元件、区域或层。
此外，诸如“下方”或“底”以及“上方”或“顶”等相对术语在本文中可被用于描述一个元件与另一元件的关系如图所示。将会理解，除了附图中描绘的取向之外，相对术语旨在涵盖设备的不同取向。例如，如果将附图之一中的设备翻转，则被描述为在其他元件的“下方”侧的元件将被定向在该其他元件的“上方”侧。因此，取决于附图的特定取向，示例性术语“下方”可以包含“下方”和“上方”这两个取向。类似地，如果将附图之一中的设备翻转，则被描述为在其他元件“下方”或“之下”的元件将被定向为在该其他元件“上方”。因此，示例性术语“下方”或“之下”可以包含上方和下方这两个取向。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本公开所属技术领域中的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解，诸如在常用词典中定义的那些术语等术语应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义相一致的含义，并且将不以理想化或过于正式化的意义来进行解释，除非在本文中明确这样定义。
本文参考作为理想实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。这样，例如由于制造技术和/或公差导致的图示形状的变化是可以被预期的。因此，本文所描述的实施例不应解释为限于本文所示的区域的特定形状，而是应当包括例如由制造引起的形状偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。此外，所示的锐角可以是倒圆角的。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区域的精确形状，并且也不旨在限制本权利要求的范围。
图1是显示装置1的实施例的示意性俯视图。
参考图1，显示装置1可以包括在其上生成和/或显示图像的显示区域DA(图1中的虚线)、以及在其上不显示图像的非显示区域NDA。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的、被设置为多个的像素P(例如，多个像素P)发射出的光来提供图像。
像素P中的每个像素可以包括显示元件，例如有机发光二极管(“OLED”)。每个像素P可以从有机发光二极管(“OLED”)产生和/或发射光，例如，红色、绿色、蓝色和/或白色的光。在本说明书中，如上所述，像素P可以是发射出红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的任何一种的像素P。
像素P中的每个像素可以电连接到布置在非显示区域NDA中的外部电路。外部电路可以包括但不限于布置在非显示区域NDA中的第一扫描驱动电路121、第二扫描驱动电路122、焊盘区域PDA、数据驱动电路150、第一电源线160、以及第二电源线170。
显示区域DA外部的第一扫描驱动电路121可以通过延伸以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中的每一个中的扫描线SL向显示区域DA内部的每个像素P提供扫描信号。类似地，第一扫描驱动电路121可以通过发射控制线EL向每个像素P提供发射控制信号。第二扫描驱动电路122可以与第一扫描驱动电路121平行地布置，显示区域DA在第一扫描驱动电路121与第二扫描驱动电路122之间。布置在显示区域DA中的像素P中的一些像素可以电连接到第一扫描驱动电路121，并且像素P中的其他像素可以电连接到第二扫描驱动电路122。根据另一实施例，可以省略第二扫描驱动电路122。
前述部件中的一个或多个可以限定显示装置1的显示面板10。显示面板10和/或其部件可以包括与上述的显示区域DA以及非显示区域NDA相对应的显示区域DA以及非显示区域NDA。可以从显示面板10的外部向显示区域DA(例如，像素P)提供电信号，用以显示图像、产生和/或发射光等。
显示装置1、显示面板10和/或其部件可以沿着由彼此交叉的x方向和y方向限定的平面被布置。显示装置1、显示面板10和/或其部件的厚度可以沿着z方向限定。x方向、y方向和z方向可以不同地表示彼此交叉的第一至第三方向。
焊盘区域PDA可以布置在基板110的一侧。被布置为多个的焊盘PAD(例如，多个焊盘PAD)可以设置在焊盘区域PDA中。焊盘区域PDA的焊盘PAD中的每个焊盘可以不被绝缘层覆盖(例如，可以暴露于基板110的外部)，并且可以被电连接到印刷电路板PCB。可以通过焊盘PAD从基板110和/或显示面板10的外部向显示面板10的各种部件提供电信号。
印刷电路板PCB的端子PCB-P(或端子焊盘PCB-P)可以电连接到显示面板10的焊盘PAD。可以从控制器(未示出)向显示面板10提供诸如驱动信号、控制信号、电源信号、数据信号等电信号。印刷电路板PCB可以连接在控制器与显示面板10之间，但不限于此。控制器中产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB被传输到第一扫描驱动电路121和第二扫描驱动电路122中的每一个。在一实施例中，控制器可以通过第一连接线161(例如，第一连接布线161)和第二连接线171(例如，第二连接线171)，分别向第一电源线160和第二电源线170提供第一电源电压和第二电源电压。第一电源电压可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线PL被提供给每个像素P，并且第二电源电压可以被提供给连接到第二电源线170的每个像素P。
数据驱动电路150可以电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过被连接到焊盘区域PDA的连接线151(例如，第三连接线151或第三连接布线151)并且通过被连接到连接线151的数据线DL而提供给每个像素P。图1示出了数据驱动电路150被布置在印刷电路板PCB中。然而，根据另一实施例，数据驱动电路150可以布置在基板110上。在一实施例中，例如，数据驱动电路150可以布置在焊盘区域PDA与第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163，该第一子线162和第二子线163沿着x方向彼此平行地延伸，显示区域DA在第一子线162和第二子线163之间。第二电源线170可以具有带有一个开口侧的环形形状，并且可以部分地围绕显示区域DA。参考图1，第二电源线170在显示面板10的、印刷电路板PCB在该处可附接到显示面板10的一侧敞开。
为了提高上述显示装置1的可靠性，可以执行显示装置1的基板测试，并且可以通过使用被设置为多个的测试焊盘TPAD(例如，多个测试焊盘TPAD)来执行显示装置1的发光测试。测试焊盘TPAD可以从已被测试过的显示装置1和/或显示面板10中删除，但不限于此。在下文中，将参考图2来详细地给出描述。
图2是可靠性测试过程在其上执行的初步显示装置1′(以下为显示装置1′)的实施例的示意性俯视图。
参考图2，显示装置1'可以包括与显示装置1的显示区域DA以及非显示区域NDA相对应的显示区域DA以及非显示区域NDA。非显示区域NDA可以包括相对于切割线CL被布置的焊盘区域PDA和测试区域TA，沿着该切割线CL，显示装置1'的一部分可以与它的其余部分分开。切割线CL可以对应于显示面板10和/或其部件(例如，基板110)的端部或边缘，但不限于此。
在显示装置1'内，第一信号线SL1的第一端部连接到像素P。与第一信号线SL1的与其第一端部相对的第二端部相连接的焊盘PAD、以及连接到焊盘PAD并且延伸到测试区域TA中的第二信号线SL2的部分可以布置在焊盘区域PDA中。一个或多个前述元件，例如第一信号线SL1、焊盘PAD和第二信号线SL2，可以布置在焊盘区域PDA中。
第一信号线SL1可以包括第一连接线161和第二连接线171(参考图1)以及连接线151(参考图1)。
与焊盘PAD连接的第二信号线SL2的部分以及与第二信号线SL2连接的测试焊盘TPAD可以布置在测试区域TA中。
第二信号线SL2可以经由连接线LSL彼此连接。在一实施例中，例如，连接线LSL可以将第一组的第二信号线SL2彼此连接，该第一组的第二信号线SL2被连接到发出相同颜色的像素P。因此，可以通过使用被施加到测试焊盘TPAD的测试信号，来对像素P是否发射光进行测试，该测试焊盘TPAD通过一条或多条第二信号线SL2被连接到像素P。
切割线CL可以被布置为与第二信号线SL2交叉。可以通过使用测试焊盘TPAD来测试显示装置1'是否工作，并且可以沿着切割线CL将测试焊盘TPAD单独地或者将测试焊盘TPAD与显示装置1'的其他层一起地与显示装置1'的其余部分分开。显示装置1'的其余部分可以限定显示面板10，测试焊盘TPAD单独地或测试焊盘TPAD与显示装置1'的其他层一起地与显示装置1'的其余部分分开。即，图1中的显示装置1的显示面板10可以是显示装置1'的其余部分。
图3是从显示装置1'提供的显示装置1的俯视图。图4A是沿着图1的线I-I'和图3的线A-A'截取的剖视图。图4B是图4A中的部分B的放大剖视图。
参考图3，在显示装置1'的其余部分(例如，显示装置1的显示面板10)中，第一信号线SL1的部分、焊盘PAD、以及第二信号线SL2的部分可以布置在焊盘区域PDA中。第二信号线SL2的部分可以保留在显示面板10的焊盘区域PDA中，其中第二信号线SL2的部分的端部与基板110的和切割线CL相对应的端部对齐。即，第二信号线SL2的部分的端部可以限定显示面板10和/或显示装置1的端部。
参考图4A和图4B，显示装置1的焊盘PAD可以包括基板110、缓冲层111(例如，第一下绝缘层)、下层112(例如，下绝缘层112或第二下绝缘层)、下导电层M、第一绝缘层114、第二绝缘层116、上导电层UM以及保护层118的部分。
基板110可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、醋酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基板110可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基板110可以具有多层结构，该多层结构包括：包含上述聚合物树脂中的一种或多种的层、以及无机层(未示出)。
缓冲层111可以位于基板110上，可以减少或防止外来物质、水分或异物从基板110的下方(例如，外部)渗透，并且可以在基板110上设置平坦化的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物等无机材料、有机材料、或有机材料和无机材料这两者，并且可以具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。减少或防止异物渗透的阻挡层(未示出)可以被进一步地包括在基板110与缓冲层111之间。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
可以设置下层112以覆盖缓冲层111。下层112(例如，下绝缘层112)可以包括无机绝缘材料，诸如SiO2、SiNx、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。下层112可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
下导电层M可以布置在下层112的上表面上，下导电层M包括第一导电层M1和第二导电层M2。
根据实施例，第一导电层M1和第二导电层M2可以沿着基板110被布置在同一层中，空间SPC在第一导电层M1和第二导电层M2之间。由于处在“同一层”中，因此元件可以由相同的材料层来设置或形成，例如，用以成为基板110上的相同材料层的部分。处在同一层中的这些部分可以彼此距基板110相同的距离被设置。
第一导电层M1的侧表面可以包括第一切割表面CA1(例如，第一切割侧表面CA1)。而且，第一导电层M1可以包括与将在下文描述的第一绝缘层114的第二切割表面CA2(例如，第二切割侧表面CA2)和/或第二绝缘层116的第三切割表面CA3(例如，第三切割侧表面CA3)在相同的平面中(例如，与它们共面)的第一切割表面CA1。这样的切割表面可以被暴露于显示面板10的外部，以限定基板110、显示面板10和/或显示装置1的端部表面，但不限于此。
第二导电层M2可以被布置为沿着基板110与第一导电层M1分开，并且可以被布置为比第一导电层M1更靠近显示区域DA。与第一导电层M1不同地，第二导电层M2可以不包括第一切割表面CA1。而且，空间SPC可以在第一导电层M1与第二导电层M2之间。第一导电层M1和第二导电层M2可以包括Mo、Al、Cu、Ti等，并且可以包括单层或多层。在一实施例中，例如，第一导电层M1和第二导电层M2可以包括单个Mo层。
第一导电层M1和第二导电层M2可以包括与将在下面描述的栅电极G相同的材料。
第一绝缘层114可以覆盖第一导电层M1和第二导电层M2。第一绝缘层114可以具有第一绝缘层开口部分OP1(例如，第一开口OP1)，以对应于第一导电层M1与第二导电层M2之间的空间SPC。
第一绝缘层114可以具有：覆盖或对应于第一导电层M1的第一部分114a、以及覆盖或对应于第二导电层M2的第二部分114b。
第一部分114a的用于将其上表面与下表面彼此连接的一侧可以包括或限定第二切割表面CA2。如上所述，第二切割表面CA2可以与第一切割表面CA1重合或者在相同的平面中。
第一部分114a可以被布置为覆盖第一导电层M1的侧表面。在一实施例中，例如，第一导电层M1的侧表面可以包括第一切割表面CA1、以及与第一切割表面CA1相对的比第一切割表面CA1更靠近显示区域DA的第二侧表面。第一导电层M1的第二侧表面可以接触第一部分114a。第一部分114a可以覆盖第一导电层M1的第二侧表面，并且可以布置在空间SPC处。第一部分114a可以包括或限定使第一导电层M1暴露的第一部分接触孔CNT1(例如，第一接触孔CNT1)。将在下文描述的上导电层UM和第一导电层M1可以在第一部分接触孔CNT1处彼此连接。
第二部分114b可以被布置为覆盖第二导电层M2的上表面和侧表面。第二部分114b可以覆盖第二导电层M2的一个或多个侧表面，并且可以布置在空间SPC的一部分处。与第一部分114a类似地，第二部分114b可以包括使第二导电层M2暴露的第二部分接触孔CNT2(例如，第二接触孔CNT2)。将在下文描述的上导电层UM和第二导电层M2可以在第二部分接触孔CNT2处彼此连接。
包括第一部分114a和第二部分114b的第一绝缘层114可以包括无机绝缘材料，例如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2等。第一绝缘层114可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。第一绝缘层114可以包括与将在下面描述的第二栅极绝缘层115相同的材料。第一绝缘层114可以与第二栅极绝缘层115同时设置或形成，以被设置在与第二栅极绝缘层115相同的层中，将如下所述。
第一绝缘层开口部分OP1可以布置在第一绝缘层114中，以对应于空间SPC。第一绝缘层开口部分OP1的尺寸(例如，在空间SPC处沿着基板110在第一绝缘层114的侧壁之间截取的距离)可以小于空间SPC的尺寸(例如，沿着基板110在下导电层M的侧壁之间截取的距离)。在一实施例中，例如，第一绝缘层开口部分OP1的中心可以对应于空间SPC的中心。第一绝缘层开口部分OP1的中心与第一绝缘层开口部分OP1的端部之间(例如，在第一绝缘层114的侧壁处)的距离可以小于空间SPC的中心与作为下导电层M的侧壁的第一导电层M1的侧表面之间的距离。作为另一示例，第一绝缘层开口部分OP1的中心与第一绝缘层开口部分OP1的端部之间的距离可以小于空间SPC的中央轴与作为下导电层M的侧壁的第二导电层M2的侧表面之间的距离。
第一绝缘层开口部分OP1可以不与第一导电层M1或第二导电层M2重叠，也就是说，可以沿着基板110与第一导电层M1或第二导电层M2间隔开。将在下文描述的上导电层UM可以布置在第一绝缘层开口部分OP1上并且延伸到第一绝缘层开口部分OP1中。因此，第一导电层M1和第二导电层M2可以与上导电层UM间隔开并且被上导电层UM屏蔽。
第二绝缘层116可以覆盖第一绝缘层114。而且，与第一绝缘层114类似地，第二绝缘层116可以包括第一绝缘部分116a和第二绝缘部分116b。第二绝缘层116可以具有第二绝缘层开口部分OP1'(例如，第二开口OP1')，以对应于第一绝缘层开口部分OP1。
第一绝缘部分116a可以布置在第一部分114a上。第一绝缘部分116a的一侧可以包括第三切割表面CA3。如上所述，第三切割表面CA3可以设置在与第一切割表面CA1相同的平面中。第一切割表面CA1、第二切割表面CA2和第三切割表面CA3可以在单个的平面中形成单个的侧表面CA，但不限于此。
在一实施例中，例如，第一绝缘部分116a的侧表面可以包括第三切割表面CA3、以及与该第三切割表面CA3相对的第二侧表面，该第二侧表面比第三切割表面CA3更靠近显示区域DA并且被设置在空间SPC处。与第一部分114a类似地，第一绝缘部分116a可以包括第一绝缘部分接触孔CNT1'(例如，第三接触孔CNT1')。第一绝缘部分接触孔CNT1'可以连接到第一部分接触孔CNT1，例如用以形成单个的接触孔。另外，将在下面描述的上导电层UM和第一导电层M1可以在第一绝缘部分接触孔CNT1'处彼此连接。
第二绝缘部分116b可以布置在第二部分114b上，并且可以与空间SPC部分重叠。与第二部分114b类似地，第二绝缘部分116b可以包括第二绝缘部分接触孔CNT2'(例如，第四接触孔CNT2')。第二绝缘部分接触孔CNT2'可以连接到第二部分接触孔CNT2，例如用以形成单个的接触孔。另外，将在下面描述的上导电层UM和第二导电层M2可以在第二绝缘部分接触孔CNT2'处彼此连接。
然而，实施例不限于此。可以存在第二部分接触孔CNT2和第二绝缘部分接触孔CNT2'中的每一个中的至少一个。因此，可以存在两个单个的接触孔，每个由连接到第二部分接触孔CNT2的第二绝缘部分接触孔CNT2'设置，并且每个使第二导电层M2暴露。两个单个的接触孔可以沿着基板110彼此间隔开。如此，可以进行各种修改。
包括第一绝缘部分116a和第二绝缘部分116b的第二绝缘层116可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、TA2O5、HfO2或ZnO2。第二绝缘层116可以包括与将在下面描述的层间绝缘层117相同的材料。第二绝缘层116可以与层间绝缘层117同时设置或形成，以被设置在与层间绝缘层117相同的层中。
第二绝缘层开口部分OP1'可以布置在第二绝缘层116中，以对应于空间SPC。第二绝缘层开口部分OP1'可以连接到第一绝缘层开口部分OP1，以形成单个的开口部分。与第一绝缘层开口部分OP1类似地，将在下面描述的上导电层UM可以布置在第二绝缘层开口部分OP1'上，并且延伸到第二绝缘层开口部分OP1'中。
上导电层UM可以布置在第二绝缘层116上，并且也可以布置在第一部分接触孔CNT1、第一绝缘部分接触孔CNT1'、第二部分接触孔CNT2、第二绝缘部分接触孔CNT2’、第一绝缘层开口部分OP1和第二绝缘层开口部分OP1'中的每一个中。在一实施例中，例如，上导电层UM可以在空间SPC处沿着第一部分114a的侧表面、第一绝缘部分116a的侧表面、第二部分114b的侧表面和第二绝缘部分116b的侧表面中的每一个被一体地或共同地布置。
上导电层UM可以电连接到第一导电层M1和第二导电层M2。上导电层UM可以在第一部分接触孔CNT1和第一绝缘部分接触孔CNT1'处被连接到第一导电层M1。而且，上导电层UM可以在第二部分接触孔CNT2和第二绝缘部分接触孔CNT2'处被连接到第二导电层M2。当执行显示装置1的可靠性测试时，上导电层UM可以电连接到第一导电层M1，用以将测试信号从测试焊盘TPAD传输到焊盘PAD。上导电层UM可以包括或限定一条线，测试信号通过该条线从焊盘PAD被传输到显示区域DA。
上导电层UM可以布置在空间SPC处，以将第一导电层M1和第二导电层M2屏蔽。根据一实施例，上导电层UM可以形成谷部或凹部，以对应于空间SPC。在一实施例中，例如，上导电层UM可以在空间SPC处与下层112或缓冲层111接触。
上导电层UM可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含上述一种或多种导电材料的多层或单层。根据一实施例，上导电层UM可以包括：包含钛的第一层UM1(例如，第一钛层UM1)、在第一钛层UM1上的包含铝的第二层UM2(例如，铝层UM2)、以及在铝层UM2上的包含钛的第三层UM3(例如，第二钛层UM3)。上导电层UM可以与源电极S和漏电极D同时设置或形成，以被设置在与源电极S和漏电极D相同的层中，将如下所述。
保护层118可以布置在上导电层UM上，并且可以至少部分地与上导电层UM重叠。保护层118可以使焊盘PAD的上导电层UM暴露于保护层118的外部，并且显示面板10的焊盘PAD可以电连接到显示装置1的部件，诸如印刷电路板PCB等。
保护层118可以布置在上导电层UM的上导电层尖端UMT上，该上导电层尖端UMT是上导电层UM的离显示区域DA最远的端部(例如，最接近显示面板10的、部件在该处可附接到显示面板10的端部或边缘)。保护层118可以布置在上导电层尖端UMT上，以保护上导电层尖端UMT。保护层118可以在远离显示区域DA的方向上比上导电层尖端UMT更进一步地延伸，并且可以在朝着显示区域DA的方向上延伸，以在与空间SPC相对应的位置处或者在空间SPC的外部的位置处终止。
保护层118可以包括包含有机材料或无机材料的单层或多层。保护层118可以包括苯并环丁烯、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、或通用聚合物，例如聚苯乙烯、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。保护层118可以与平坦化层119同时设置或形成在显示区域DA上，以被设置在与平坦化层119相同的层中，如下所述。
在下文中，将参考图4A和图4B来详细地描述显示装置1的显示区域DA的堆叠结构。
上述缓冲层111可以布置在基板110上，并且薄膜晶体管T可以布置在缓冲层111上。薄膜晶体管T可以包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D。
在下文中，示出了其中薄膜晶体管T包括顶栅型薄膜晶体管T的示例。然而，实施例不限于此，并且可以实现包括底栅型薄膜晶体管的各种类型的薄膜晶体管。
另外，在下文中，示出了其中存在一个薄膜晶体管T的示例。然而，实施例不限于此。根据实施例，显示装置1可以包括相对于一个像素P的两个或更多个薄膜晶体管T。可以进行各种修改。在实施例中，例如，在一些实施例中，相对于一个像素P可以包括六至七个薄膜晶体管T。
半导体层A可以包括非晶硅或多晶硅。根据另一实施例，半导体层A可以包括选自In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和Zn中的至少一种材料的氧化物。半导体层A可以包括沟道区、以及各自具有比沟道区相对更高的载流子浓度的源极区和漏极区。
栅电极G可以布置在半导体层A上，第一栅极绝缘层113在栅电极G和半导体层A上之间。栅电极G可以包括Mo、Al、Cu、Ti等，并且可以包括单层或多层。在一实施例中，例如，栅电极G可以包括单个Mo层。
第一栅极绝缘层113可以使半导体层A与栅电极G绝缘，并且可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、TA2O5、HfO2或ZnO2。
下导电层M可以与栅电极G同时设置或形成，例如以被设置在与栅电极G相同的层中。此外，下层112可以与第一栅极绝缘层113同时设置或形成，例如以被设置在与第一栅极绝缘层113相同的层中。
存储电容器Cst的第一电极CE1可以例如通过包括与栅电极G相同的材料、由相同的材料层设置或形成等，被设置或形成在与栅电极G相同的层中。存储电容器Cst的第二电极CE2可以与第一电极CE1重叠，第二栅极绝缘层115在第二电极CE2与第一电极CE1之间。如上所述，第一绝缘层114可以与第二栅极绝缘层115同时形成，从而被设置在与第二栅极绝缘层115相同的层中。
图4A示出了存储电容器Cst不与薄膜晶体管T重叠。然而，实施例不限于此。在一实施例中，例如，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管T重叠。在一些实施例中，存储电容器Cst的第一电极CE1可以与栅电极G成为一体(例如，第一电极CE1和栅电极G中的一个延伸，以将其一部分限定为第一电极CE1和栅电极G中的另一个)。即，薄膜晶体管T的栅电极G可以用作存储电容器Cst的第一电极CE1。
层间绝缘层117可以覆盖第二电极CE2。层间绝缘层117可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。如上所述，层间绝缘层117可以与第二绝缘层116同时设置或形成，从而被设置在与第二绝缘层116相同的层中。
源电极S和漏电极D(例如，电极)可以布置在层间绝缘层117上。源电极S和漏电极D可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。在一实施例中，例如，源电极S和漏电极D可以包括包含Ti/Al/Ti的多层结构。上导电层UM可以与源电极S或漏电极D同时设置或形成，从而被设置在与源电极S或漏电极D相同的层中。
平坦化层119可以位于源电极S和漏电极D上，并且显示器件300(例如，显示元件300)可以位于平坦化层119上。平坦化层119可以包括包含有机材料的单层或多层。有机材料可以包括通用聚合物，诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。而且，平坦化层119可以包括无机绝缘层与有机绝缘层的堆叠结构。保护层118可以与平坦化层119同时设置或形成，并且可以包括与平坦化层119相同的材料，或者可以被设置在与平坦化层119相同的层中。
图4A示出了平坦化层119被布置在薄膜晶体管T与显示器件300之间。然而，实施例不限于此，并且可以进行各种修改。在一实施例中，例如，下平坦化层和上平坦化层可以被布置为薄膜晶体管T与显示器件300之间的平坦化层119的一个集合体。
显示器件300可以位于基板110的显示区域DA中的平坦化层119上，显示器件300包括像素电极310、对电极330、以及在像素电极310与对电极330之间的且包括发射区域(例如，发光区域)的发射层320。像素电极310可以在平坦化层119中的开口部分处被电连到薄膜晶体管T。显示器件300、像素电极310、对电极330和发射层320中的一个或多个可以在显示区域DA内被设置为多个，但不限于此。
像素电极310可以是反射电极。在一实施例中，例如，像素电极310可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其组合的反射层、以及在该反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)或铝锌氧化物(“AZO”)中的至少一种。
像素限定层200可以布置在平坦化层119上。像素限定层200可以具有或限定与子像素和/或像素P相对应的开口。像素限定层200中的开口使像素电极310的一部分暴露，以限定像素P和/或像素P的发光区域。而且，像素限定层200可以沿着像素电极310的边缘与位于像素电极310上的对电极330之间的厚度方向来增加距离，以减少或防止在像素电极310的边缘处出现电弧等。像素限定层200可以包括有机材料，例如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷。
显示器件300的发射层320可以包括相对低分子量的材料或相对高分子量的材料。当发射层320包括相对低分子量的材料时，发射层320可以具有如下结构，其中空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发射层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的每一个被堆叠为单层，或HIL、HTL、EML、ETL和EIL中的每一个被堆叠为多层，并且可以包括各种有机材料，例如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N、N'-二苯基联苯胺(NPB)、三8-羟基喹啉铝(Alq3)等。这些层可以通过使用气相沉积方法来设置或形成。
当发射层320包括相对高分子量的材料时，发射层320可以具有包括例如HTL和EML的结构。在此，HTL可以包括聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)，并且EML可以包括聚合物材料，例如聚苯撑乙烯类聚合物材料和聚芴类聚合物材料。可以通过使用丝网印刷法、喷墨印刷法、激光诱导热成像(“LITI”)法等来设置或形成发射层320。
发射层320的结构不一定限于此，并且发射层320可以具有各种结构。另外，发射层320可以包括相对于多个像素电极310的整体层，其中单个的发射层320被共同地提供给多个像素电极310，或者可以包括分别被图案化以对应于多个像素电极310的层，其中发射层320中的分立的一个层对应于像素电极310。
对电极330可以布置在显示区域DA上，并且可以被布置为覆盖显示区域DA，如图4A所示。即，对电极330可以是相对于多个显示器件300的整体层(例如，单个的层)，并且可以对应于多个像素电极310中的每一个。
对电极330可以包括透射电极。在一实施例中，例如，对电极330可以包括透明或半透明电极，并且可以包括具有相对低的功函的金属薄膜，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其组合。
当像素电极310包括反射电极并且对电极330包括透射电极时，从发射层320发射出的光可以是朝着对电极330发射的前发射型光。然而，实施例不限于此，并且从发射层320发射出的光可以是朝着基板110发射的后发射型光。在这种情况下，像素电极310可以包括透明或半透明电极，并且对电极330可以包括反射电极。另外，显示装置1可以是用于在前后两个方向上均发射光的双发射型显示装置。
薄膜封装层400可以覆盖显示区域DA、以及非显示区域NDA的一部分，以减少或防止外部湿气和氧气渗透到显示器件300的元件。薄膜封装层400可以包括至少一个有机封装层以及至少一个无机封装层。图4A示出了一示例，其中薄膜封装层400包括两个无机封装层，例如第一无机封装层410和第二无机封装层430、以及一个有机封装层420。然而，堆叠的顺序及层数不限于图4A所示的实施例。
第一无机封装层410可以覆盖对电极330，并且可以包括SiOx、SiNx和/或SiON。然而，诸如覆盖层等其他层可以布置在第一无机封装层410与对电极330之间。第一无机封装层410可以沿着其下方的结构来设置或形成(例如，用以具有与在第一无机封装层410下方的堆叠结构的轮廓相对应的轮廓)，因此，可以具有不平坦的上表面，如图4A所示。
有机封装层420可以覆盖第一无机封装层410。与第一无机封装层410不同，有机封装层420可以近似具有平坦的上表面。详细而言，有机封装层420可以在与显示区域DA相对应的部分处，近似具有平坦的上表面。有机封装层420可以包括选自聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种材料。
第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420，并且可以包括SiO2、SiNx和/或SiON。
薄膜封装层400限定包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430的集合构件。因此，即使当在薄膜封装层400中出现裂纹时，由于上述薄膜封装层400的多层结构，裂纹也不会在第一无机封装层410与有机封装层420之间或有机封装层420与第二无机封装层430之间连接。因此，可以防止或最小化在薄膜封装层400内的外部水分或氧气通过其而渗透到显示区域DA和非显示区域中的路径的产生。第二无机封装层430可以在第二无机封装层430的、位于显示区域DA外部的边缘或端部处与第一无机封装层410接触。因此，有机封装层420可以不被暴露于薄膜封装层400和/或显示面板10的外部。
根据一个或多个实施例，上导电层UM可以被布置为沿着空间SPC延伸并且与空间SPC重叠。上导电层UM的轮廓或形状(例如沿着厚度方向的谷状结构)可以增加显示装置1的可靠性。
在测试显示装置1'是否工作(参考图3)之后，可以执行激光修整等以设置或形成第一导电层M1的第一切割表面CA1。因此，第一导电层M1的侧表面可以经由第一切割表面CA1被暴露于显示装置1'的外部。第一导电层M1可以包括相对高腐蚀性的材料(例如Mo)，因此可能易于腐蚀。在一实施例中，例如，当第一导电层M1包括Mo时，由于Mo的氧化，可能会发生第一导电层M1从显示装置1'的堆叠结构内的下方元件剥离。当第一导电层M1被腐蚀并剥离时，第一部分114a也可能会从显示装置1'的堆叠结构内的下方元件剥离。
在图5所示的比较实施例中，当上导电层UM没有形成与空间SPC相对应的谷状结构时，上导电层UM可以不将第一导电层M1和第二导电层M2屏蔽。当第一导电层M1腐蚀并被剥离时，第一绝缘层114可能会被剥离。当第一绝缘层114被剥离时，腐蚀可能会扩散到焊盘PAD的第二导电层M2。因此，第二导电层M2也可能腐蚀。
为了使该现象最小化，根据一个或多个实施例，可以设置第一绝缘层开口部分OP1和第二绝缘层开口部分OP1'。而且，将第一导电层M1和第二导电层M2屏蔽的上导电层UM可以布置在空间SPC处。由于上导电层UM在第一绝缘层开口部分OP1和第二绝缘层开口部分OP1'以及在空间SPC处形成谷状结构，因此即使当第一导电层M1腐蚀时，第二导电层M2也可以不腐蚀。因此，包括包含导电材料的焊盘区域PDA的显示装置1可以具有增加的可靠性，该显示装置1是从包括测试焊盘TPAD的显示装置1’中提供的。
图6A是显示装置1的焊盘区域PDA的另一实施例的剖视图。在图6A中，与图4A和图4B中的附图标记相同的附图标记表示与图4A和图4B中的构件相同的构件，因此，将不再重复对其的描述。
参考图6A，显示装置1的焊盘PAD可以包括第一导电层M1、以及沿着厚度方向与第一导电层M1间隔开的第二导电层M2。而且，可以对应于第一导电层M1与第二导电层M2之间的空间SPC来设置第一绝缘层开口部分OP1和第二绝缘层开口部分OP1'。将第一导电层M1和第二导电层M2屏蔽的上导电层UM可以布置在第一导电层M1与第二导电层M2之间的空间SPC处。
根据一个或多个实施例，在设置在基板110上的单个材料层中，第一导电层M1和第二导电层M2可以布置在彼此不同的层中。在一实施例中，例如，第一导电层M1可以布置在下层112与第一绝缘层114之间。第二导电层M2可以布置在第一绝缘层114与第二绝缘层116之间。然而，不限于此。在另一实施例中，例如，第一导电层M1可以布置在第一绝缘层114与第二绝缘层116之间，并且第二导电层M2可以布置在下层112与第一绝缘层114之间。作为另一示例，第一导电层M1和第二部分114b可以布置在相同的层上。
第二绝缘部分116b可以在焊盘PAD内包括第二绝缘部分接触孔CNT2'。第二导电层M2可以在第二绝缘部分接触孔CNT2'处被连接到上导电层UM。
由于第一导电层M1和第二导电层M2被布置在彼此不同的层中，因此即使当第一导电层M1被暴露于外部并被氧化时，氧化物也不会扩散到第二导电层M2。在一实施例中，例如，即使当第一导电层M1上方的第一部分114a或第一绝缘部分116a被剥离时，第二导电层M2也不会受到影响。
图6B是显示装置1的焊盘区域PDA的又一实施例的剖视图。
在图6B中，与图4A和图4B中的附图标记相同的附图标记表示与图4A和图4B中的构件相同的构件，因此，将不再重复对其的描述。
参考图6B，显示装置1的焊盘PAD可以包括第一导电层M1、以及与第一导电层M1间隔开的第二导电层M2。而且，第一绝缘层开口部分OP1和第二绝缘层开口部分OP1'可以设置在第一导电层M1与第二导电层M2之间的空间SPC处，并且将第一导电层M1和第二导电层M2屏蔽的上导电层UM层可以布置在空间SPC处，并且延伸到第一导电层M1与第二导电层M2之间的空间SPC中。
缓冲层111可以包括第一缓冲层部分111a和第二缓冲层部分111b。第一缓冲层部分111a可以布置在基板110与第一导电层M1之间。第二缓冲层部分111b可以布置在基板110与第二导电层M2之间。第二缓冲层部分111b可以被布置为比第一缓冲层部分111a更靠近显示区域DA。
下层112可以包括第一下层部分112a和第二下层部分112b。第一下层部分112a可以布置在第一缓冲层部分111a与第一导电层M1之间。第二下层部分112b可以布置在第二缓冲层部分111b与第二导电层M2之间。第二下层部分112b可以被布置为比第一下层部分112a更靠近显示区域DA。
缓冲层111可以包括与空间SPC相对应的缓冲开口部分BOP。缓冲开口部分BOP(例如，缓冲层开口BOP)可以布置在第一缓冲层部分111a与第二缓冲层部分111b之间。下层112可以包括与空间SPC相对应的下开口部分UOP(例如，下层开口UOP)。下开口部分UOP可以布置在第一下层部分112a与第二下层部分112b之间。
缓冲开口部分BOP和下开口部分UOP可以彼此连接。下开口部分UOP可以连接到第一绝缘层开口部分OP1。因此，缓冲开口部分BOP、下开口部分UOP和第一绝缘层开口部分OP1可以形成一个单个的且连续的开口部分。
第一绝缘层开口部分OP1的宽度可以大于下开口部分UOP的宽度。第二绝缘层开口部分OP1'的宽度可以大于第一绝缘层开口部分OP1的宽度。第二绝缘层开口部分OP1′的宽度可以大于空间SPC的尺寸(例如，宽度)。可以在沿着基板110(例如，图6B中的水平)的方向截取这些宽度。
上导电层UM可以布置在缓冲开口部分BOP和下开口部分UOP处。因此，上导电层UM可以在缓冲开口部分BOP处与基板110接触，并且将第一导电层M1和第二导电层M2屏蔽。
上导电层UM可以是在空间SPC处沿着第一缓冲层部分111a、第二缓冲层部分111b、第一下层部分112a和第二下层部分112b的侧表面延伸被设置或形成的整体层。而且，上导电层UM可以在空间SPC处沿着第二部分114b的侧表面被布置。
上导电层UM可以连接到第一导电层M1和第二导电层M2中的每一个。上导电层UM可以布置在第一导电层M1的上表面处，并且延伸以沿着第一导电层M1的侧表面被设置。而且，上导电层UM可以布置在第二导电层M2的上表面处，并且在空间SPC处延伸以沿着第二导电层M2的侧表面被设置。
在测试显示装置1'是否工作之后，可以执行激光修整等以设置或形成显示装置1的第一切割表面CA1。即使当由于第一导电层M1通过第一切割表面CA1被暴露而导致第一导电层M1腐蚀时，该腐蚀也不会扩散到第二导电层M2。
图7是显示装置1的焊盘区域PDA的再一实施例的剖视图。在图7中，与图4A和图4B中的附图标记相同的附图标记表示与图4A和图4B中的构件相同的构件，因此，将不再重复对其的描述。
参考图7，显示装置1的焊盘PAD可以包括第一导电层M1、以及与第一导电层M1间隔开的第二导电层M2。而且，第一绝缘层开口部分OP1和第二绝缘层开口部分OP1'可以设置在第一导电层M1与第二导电层M2之间的空间SPC处，并且将第一导电层M1和第二导电层M2屏蔽的上导电层UM可以布置在第一导电层M1与第二导电层M2之间的空间SPC处。
根据一个或多个本实施例，第三导电层M3可以布置在第二导电层M2的下方。在一实施例中，例如，第三导电层M3可以被布置在与第一导电层M1相同的层中，并且可以被布置为比第二导电层M2更靠近显示区域DA。作为另一示例，第三导电层M3可以与下层112接触，但是不限于此。在另一实施例中，第三导电层M3可以布置在缓冲层111与下层112之间。如此，可以进行各种修改。
第一绝缘层114的第三部分接触孔CNT3和第二绝缘层116的第三绝缘部分接触孔CNT3'可以对应于第三导电层M3被布置。第三部分接触孔CNT3和第三绝缘部分接触孔CNT3'可以彼此连接。第三导电层M3可以在第三部分接触孔CNT3和第三绝缘部分接触孔CNT3'处被连接到上导电层UM。
第一导电层M1、第二导电层M2和第三导电层M3的上述布置可以降低焊盘PAD的高度差。另外，即使当第一导电层M1的第一切割表面CA1被暴露并腐蚀时，第一导电层M1的腐蚀也不会扩散到第二导电层M2或第三导电层M3。
已经通过使用诸如第一缓冲层部分111a、第二缓冲层部分111b、第一下层部分112a，第二下层部分112b、第一部分114a、第二部分114b、第一绝缘部分116a、第二绝缘部分116b等术语来描述了根据一个或多个实施例的显示装置1。然而，实施例不限于此。在一实施例中，例如，第一部分114a可以被理解为第一外部绝缘层，第二部分114b可以被理解为第一内部绝缘层，第一绝缘部分116a可以被理解为第二外部绝缘层，第二绝缘部分116b可以被理解为第二内部绝缘层，第一缓冲层部分111a和第一下层部分112a可以被理解为外部下层，并且第二缓冲层部分111b和第二下层部分112b可以被理解为内部下层。被描述为“内部”的部分可以比被描述为“外部”的部分更靠近显示区域DA。
在一实施例中，例如，参考图4A，绝缘层(114和116)包括：对应于第一导电层M1的外部绝缘层部分(114a和116a)；以及对应于第二导电层M2的内部绝缘层部分(114b和116b)，并且内部绝缘层部分(114b和116b)沿着基板110与外部绝缘层(114a和116a)间隔开。第一导电层M1以及外部绝缘层(114a和116a)的外部侧表面被限定于显示装置1的端部(例如，在侧表面CA处)，并且彼此共面。外部绝缘层(114a和116a)的内部侧表面与其外部侧表面相对，并且内部绝缘层(114b和116b)的内部侧表面在空间SPC处与外部绝缘层(114a和116a)的内部侧表面相面对。上导电层UM共同地从外部绝缘层和内部绝缘层中的每一个的上表面并沿着其彼此面对的内部侧表面延伸。
在一实施例中，例如，参考图6B，绝缘层(114和116)包括沿着基板110彼此间隔开的内部绝缘层(114b和116b)和外部绝缘层(114a和116a)，内部绝缘层(114b和116b)比外部绝缘层(114a和116a)更靠近显示区域DA，外部绝缘层(114a和116a)和内部绝缘层(114b和116b)的内部表面对应于缓冲开口部分BOP和下开口部分UOP这两者，并彼此面对(例如，在空间SPC处)，并且上导电层UM从缓冲开口部分BOP和下开口部分UOP延伸，以沿着外部绝缘层(114a和114b)和内部绝缘层(114b和116b)的内部表面被设置。
根据一个或多个实施例的显示装置1可以包括焊盘区域PDA，该焊盘区域PDA包括绝缘层开口结构、以及覆盖绝缘层开口结构的上导电层UM。因此，包括在上导电层UM处包含导电材料的焊盘区域PDA的显示装置1可以具有提高的抗腐蚀、抗剥离等可靠性。
然而，所描述的效果是示例，并且本公开的范围不限于此。
如上所述，第一信号线SL1的第一端部连接到像素P，并且焊盘PAD连接到第一信号线SL1的第二端部。在一实施例中，上导电层UM、第二导电层M2和/或第三导电层M3可以对应于第一信号线SL1(图2)，电信号通过该第一信号线SL1从焊盘区域PDA被提供给显示区域DA。在一实施例中，上导电层UM可以从焊盘区域PDA延伸到显示区域DA，以被连接到像素P(例如，在薄膜晶体管T处)，但不限于此。如上所述，第二信号线SL2的一部分连接到焊盘PAD并且延伸到测试区域TA。在一实施例中，第一导电层M1可以对应于第二信号线SL2(图2)的部分，电信号通过该部分从测试区域TA被提供给焊盘区域PDA，但不限于此。
应当理解，本文所描述的实施例应仅在描述性的意义上考虑，而并非出于限制的目的。每个实施例中的特征的描述通常应被认为可被用于其他实施例中的其他类似特征。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将会理解，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (15)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括：
显示区域，包括包含电极的薄膜晶体管；
非显示区域，与所述显示区域相邻；以及
焊盘区域，在所述非显示区域中，并且包括彼此面对的下导电层和上导电层，所述下导电层与所述上导电层之间具有绝缘层，
其中，
所述下导电层包括：
第一导电层，限定所述显示装置的端部表面，以及
第二导电层，沿着所述基板与所述第一导电层间隔开，以在所述第一导电层与所述第二导电层之间限定空间，
所述绝缘层限定第一开口部分，所述第一开口部分对应于所述第一导电层与所述第二导电层之间的所述空间，并且
所述焊盘区域中的所述上导电层与所述显示区域中的所述薄膜晶体管的所述电极处在同一层中，所述上导电层延伸到所述第一开口部分中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述焊盘区域内，
所述绝缘层限定沿着所述基板彼此间隔开的第一接触孔和第二接触孔，并且
所述上导电层在所述第一接触孔处被连接到所述第一导电层，并且在所述第二接触孔处被连接到所述第二导电层。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述焊盘区域内，所述绝缘层包括沿着所述基板的厚度方向布置的第一绝缘层和第二绝缘层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，在所述焊盘区域内，
所述第一开口部分包括：被限定在所述第一绝缘层中的第一绝缘开口部分；以及被限定在所述第二绝缘层中的第二绝缘开口部分，并且
所述第一绝缘开口部分和所述第二绝缘开口部分在所述空间处彼此连接。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示区域在所述薄膜晶体管内进一步包括：
栅电极，面对所述电极，栅极绝缘层和层间绝缘层这两者在所述栅电极与所述电极之间，以及
半导体层，面对所述栅极绝缘层，所述栅电极在所述半导体层与所述栅极绝缘层之间，并且
在所述焊盘区域中，所述绝缘层包括：
第一绝缘层，与所述栅极绝缘层处在同一层中，以及
第二绝缘层，与所述层间绝缘层处在同一层中。
6.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
下绝缘层，在所述第一导电层与所述基板之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述焊盘区域内，所述上导电层的端部离所述显示区域最远，
在所述焊盘区域中进一步包括保护层，所述保护层包括有机材料，并且面对所述绝缘层，所述上导电层在所述保护层与所述绝缘层之间，所述保护层覆盖所述上导电层的所述端部。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一导电层和所述第二导电层处在彼此不同的层中。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述显示区域在所述薄膜晶体管内进一步包括：
栅电极，面对所述电极，栅极绝缘层和层间绝缘层这两者在所述栅电极与所述电极之间，以及
半导体层，面对所述栅极绝缘层，所述栅电极在所述半导体层与所述栅极绝缘层之间，并且
在所述焊盘区域中，所述绝缘层包括：
第一绝缘层，与所述栅极绝缘层处在同一层中，所述第一绝缘层设置在所述基板与所述第二导电层之间；以及
第二绝缘层，与所述层间绝缘层处在同一层中，所述第二绝缘层面对所述第一绝缘层，所述第二导电层在所述第二绝缘层与所述第一绝缘层之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置，在所述焊盘区域中进一步包括：
下绝缘层和缓冲层，两者均在所述第一绝缘层与所述基板之间，
其中，
所述缓冲层限定缓冲开口部分，所述缓冲开口部分对应于所述第一导电层与所述第二导电层之间的所述空间，
所述下绝缘层限定下开口部分，所述下开口部分对应于所述第一导电层与所述第二导电层之间的所述空间，
所述缓冲开口部分和所述下开口部分彼此连接，并且
在所述空间处，所述上导电层从所述第一导电层和所述第二导电层中的每一个的上表面且沿着所述第一导电层和所述第二导电层中的每一个的侧表面延伸，以被设置在彼此连接的所述缓冲开口部分和所述下开口部分中。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述下导电层进一步包括第三导电层，所述第三导电层沿着所述基板与所述第一导电层间隔开，所述第二导电层在所述第三导电层与所述第一导电层之间，所述第三导电层比所述第二导电层更靠近所述显示区域，并且
所述上导电层共同地连接到所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层中的每一个。
12.一种显示装置，包括：
基板，包括：
显示区域，包括包含电极的薄膜晶体管；
非显示区域，与所述显示区域相邻；以及
焊盘区域，在所述非显示区域中，
所述焊盘区域包括：
下导电层，面对上导电层，绝缘层在所述下导电层与所述上导电层之间，所述下导电层包括：
第一导电层，限定所述显示装置的端部表面；及
第二导电层，与所述第一导电层处在不同的层中，并且沿着所述基板与所述第一导电层间隔开，以在所述第一导电层与所述第二导电层之间限定空间；以及
下绝缘层和缓冲层，两者均在所述基板和所述第一导电层之间，
所述缓冲层限定缓冲开口部分，所述缓冲开口部分对应于在所述第一导电层与所述第二导电层之间的所述空间，并且
所述下绝缘层限定下开口部分，所述下开口部分对应于在所述第一导电层与所述第二导电层之间的所述空间，
其中，
所述缓冲开口部分和所述下开口部分彼此连接，并且
所述上导电层与所述薄膜晶体管的所述电极处在同一层中，并且延伸到所述缓冲开口部分和所述下开口部分这两者中。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
在所述焊盘区域内，所述上导电层共同地连接到所述第一导电层和所述第二导电层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，在所述焊盘区域内，
所述绝缘层设置在所述下绝缘层与所述第二导电层之间，
所述绝缘层包括沿着所述基板彼此间隔开的内部绝缘层和外部绝缘层，所述内部绝缘层比所述外部绝缘层更靠近所述显示区域，
所述外部绝缘层和所述内部绝缘层的内部表面对应于所述缓冲开口部分和所述下开口部分这两者，并且彼此面对，并且
所述上导电层从所述缓冲开口部分和所述下开口部分延伸，以沿着所述外部绝缘层和所述内部绝缘层的所述内部表面被设置。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
在所述焊盘区域内，所述上导电层的端部离所述显示区域最远，
在所述焊盘区域中进一步包括保护层，所述保护层包括有机材料，并且面对所述绝缘层，所述上导电层在所述保护层与所述绝缘层之间，所述保护层覆盖所述上导电层的所述端部。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210084999A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210124555A (ko) 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US20240120347A1 (en) * 2022-10-11 2024-04-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100333271B1 (ko) 1999-07-05 2002-04-24 구본준, 론 위라하디락사 배선의 단락 및 단선 테스트를 위한 박막트랜지스터-액정표시장치의 어레이기판과 그 제조방법.
KR101764272B1 (ko) * 2010-12-02 2017-08-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101782872B1 (ko) 2010-12-15 2017-09-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR101841770B1 (ko) * 2011-09-02 2018-03-26 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터를 구비한 평판 표시장치 및 그의 제조방법
KR102043180B1 (ko) * 2013-04-25 2019-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102098220B1 (ko) * 2013-11-28 2020-04-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치용 표시패널
KR102272214B1 (ko) * 2015-01-14 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102377531B1 (ko) 2015-01-23 2022-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102586046B1 (ko) 2016-03-31 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10381418B2 (en) * 2016-08-30 2019-08-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device
KR102589901B1 (ko) 2016-08-31 2023-10-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR101926527B1 (ko) 2016-09-30 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102506035B1 (ko) * 2017-12-27 2023-03-03 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102491881B1 (ko) * 2018-01-16 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102569929B1 (ko) * 2018-07-02 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102009331B1 (ko) 2018-11-30 2019-08-09 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

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