CN112117307A - 显示设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种显示设备，包括：基底，包括显示区和非显示区；以及在非显示区上的焊盘，其中焊盘包括：第一导电层，在平面图中，第一导电层包括多个弯曲部分和将多个弯曲部分彼此连接的多个连接部分，多个连接部分在第一方向和与第一方向相反的第二方向上交替延伸；第二导电层，在第一导电层上并与第一导电层的至少部分重叠；第三导电层，在第二导电层上并与第二导电层重叠。

Description

显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月21日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0074122号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的一个或多个示例实施例的各方面涉及一种显示设备。

背景技术

随着信息社会的发展，对用于以各种形式显示图像的显示设备的需求增加。此外，显示设备的厚度和重量减小，并且因此其使用范围增加了。

在显示设备中，为了增加显示区的尺寸，已经开发了使得下部的非显示区即所谓的死空间可以逐渐减小的技术。为了减小显示设备的下端中的死空间，可以减小位于显示设备的下端的元件的尺寸，或可以将这些元件移到显示设备的边缘。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，因此，在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。

发明内容

一个或多个示例实施例的各方面涉及一种显示设备，并且例如涉及一种具有相对提高的产品可靠性的显示设备。

然而，在根据相关技术的显示设备中，当位于显示设备的下端的元件移到显示设备的边缘时，由于静电会发生操作失败。

一个或多个示例实施例包括一种显示设备，具有提高的产品可靠性并且能够防止或减少对显示设备的损坏。然而，以上公开仅是示例，并且本公开的范围不限于此。

另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是明白易懂的，或可以通过实践本公开的所提出的示例实施例而获知。

根据一个或多个示例实施例，显示设备包括：基底，包括显示区和非显示区，以及在非显示区上的焊盘，其中焊盘包括：第一导电层，在平面图中，第一导电层包括多个弯曲部分和将多个弯曲部分彼此连接的多个连接部分，多个连接部分在第一方向和与第一方向相反的第二方向上交替延伸；第二导电层，在第一导电层上以与第一导电层的至少部分重叠；和第三导电层，在第二导电层上以与第二导电层重叠，以通过增加线的电阻来防止由于静电引起对显示设备的损坏，从而提高显示设备的产品可靠性。

根据一些示例实施例，第一导电层可以具有1兆欧(MΩ)或更大的电阻。

根据一些示例实施例，第一导电层在第一方向或第二方向上的宽度可以小于第二导电层在相同方向上的宽度。

根据一些示例实施例，第一导电层的端部可以与基底的端部匹配。

根据一些示例实施例，第二导电层可以具有岛状。

根据一些示例实施例，显示设备还可以包括在第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层以及在第二导电层和第三导电层之间的第二绝缘层。

根据一些示例实施例，第三导电层可以经由限定在第二绝缘层中的第一接触孔连接到第二导电层。

根据一些示例实施例，第三导电层可以经由限定在第一绝缘层和第二绝缘层中的第二接触孔连接到第一导电层。

根据一些示例实施例，第二接触孔可以位于第一导电层的边缘。

根据一些示例实施例，第三导电层的上表面可以被暴露。

根据一些示例实施例，在平面图中，第三导电层的尺寸可以大于第二导电层的尺寸。

根据一些示例实施例，第二导电层可以与第三导电层完全重叠。

根据一些示例实施例，显示设备可以进一步包括：像素，在显示区上并电连接到像素电路，像素电路包括薄膜晶体管和存储电容器，其中，薄膜晶体管包括半导体层、与半导体层至少部分重叠的栅电极、以及连接到半导体层的电极层，并且第一导电层可以包括与半导体层相同的材料。

根据一些示例实施例，第二导电层可以包括与栅电极相同的材料。

根据一些示例实施例，第三导电层可以包括与电极层相同的材料。

根据一些示例实施例，焊盘可以包括用于执行点亮(lighting)测试的点亮焊盘。

根据一个或多个示例实施例，显示设备包括：基底，基底包括显示区和非显示区；以及多个焊盘，多个焊盘在非显示区中布置在第一方向上，并且具有在与第一方向交叉的第三方向上的中心轴，其中多个焊盘中的每一个焊盘包括：第一导电层，在平面图中，第一导电层包括多个弯曲部分和将多个弯曲部分彼此连接的多个连接部分；第二导电层，在第一导电层上以与第一导电层的至少部分重叠；和第三导电层，在第二导电层上以与第二导电层重叠，其中，第一导电层在与第三导电层重叠的区中关于中心轴对称，从基底的端部在关于多个焊盘中的每一个焊盘的中心轴的一侧在第三方向上延伸，使得连接部在第一方向和与第一方向相反的第二方向上以之字形延伸，并且在关于多个焊盘中的每一个焊盘的中心轴的另一侧在与第三方向相反的第四方向上连续地延伸，使得连接部在第一方向和第二方向上以之字形形延伸。

根据一些示例实施例，第一导电层可以具有1兆欧(MΩ)或更大的电阻。

根据一些示例实施例，多个弯曲部分中的一些弯曲部分可以布置为关于中心轴彼此面对。

根据一些示例实施例，第二导电层可以具有岛状。

附图说明

通过以下结合附图进行的描述，本公开的某些实施例的上述和其他方面、特征和特性将变得更加明白易懂，其中：

图1是根据一些示例实施例的显示设备的示意性透视图；

图2是根据一些示例实施例的显示面板的示意性平面图；

图3是根据一些示例实施例的显示设备的平面图；

图4是沿着图3的线A-A′截取的截面图；

图5是沿着图2的线I-I′和图3的线A-A′截取的截面图；

图6是根据一些示例实施例的显示设备的平面图；

图7是沿着图6的线B-B′截取的截面图；

图8是根据一些示例实施例的显示设备的平面图；

图9是沿着图8的线C-C′截取的截面图；

图10是根据一些示例实施例的显示设备的平面图；以及

图11是沿着图10的线D-D′截取的截面图。

具体实施例

现在将更详细地参考实施例，在附图中示出实施例的示例，其中，相似的附图标记始终表示相似的元件。就这一点而言，示例实施例可以具有不同的形式，而且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述示例实施例以解释描述的各方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。当诸如“中的至少一个”的表达在元件列表之后时，其修饰元件的整个列表并不修饰列表的各个元件。

将进一步理解的是，本文中使用的术语“包含”和/或“包含”规定了所述特征或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征或组件的存在或添加。此外，将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”在另一层、区域或组件上时，其可以直接或间接地形成在另一层、区域或组件上。

为了便于说明，附图中的组件的尺寸可能被放大。换句话说，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下示例实施例不限于此。

在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以广义地解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或可以是彼此不垂直的不同方向。

当可以不同地实施某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。

图1是根据一些示例实施例的显示设备1的示意性透视图。

参照图1，显示设备1可以包括实现图像的显示区DA和不实现图像的非显示区NDA。显示设备1可以通过使用从位于显示区DA中的多个像素P发射的光来提供图像。

尽管图1示出了具有矩形显示区DA的显示设备1，但是本公开不限于此。显示区DA的形状可以是圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形。

在下面的描述中，尽管根据一些示例实施例，将有机发光显示设备描述为显示设备1的示例，但是根据本公开的显示设备不限于此。根据一些示例实施例，诸如无机电致发光(EL)显示设备和量子点发光显示设备的各种类型的显示设备可以用作根据本公开的一些示例实施例的显示设备。此外，尽管将平板显示设备示出为图1的显示设备1，但是，显示设备1可以以各种形式实现，诸如柔性显示设备、可折叠显示设备、可卷曲显示设备或任何其他合适的显示设备。

图2是根据一些示例实施例的显示面板10的示意性平面图。

参照图2，构成显示面板10的各种元件位于基底100上。基底100可以包括显示区DA和围绕显示区DA的非显示区NDA。

多个像素P可以位于显示区DA中。每一个像素P可以包括显示组件，诸如有机发光二极管(OLED)。每一个像素P可以从OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在说明书中，如上所述，像素P可以理解为发射诸如红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光的像素。

像素P可以电连接到位于非显示区NDA中的外部电路。第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、点亮(lighting)测试电路、焊盘部分140、数据驱动电路150、第一电源供应线160和第二电源供应线170可以位于非显示区NDA中。

第一扫描驱动电路110可以经由扫描线SL将扫描信号提供给像素P。第一扫描驱动电路110可以经由发射控制线EL向每一个像素P提供点亮控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置，并且在它们之间具有显示区DA。位于显示区DA中的一些像素P可以电连接到第一扫描驱动电路110，而其他像素可以电连接到第二扫描驱动电路120。根据一些示例实施例，第二扫描驱动电路120可以省略。

点亮测试电路可以连接到像素P的数据线DL，并且可以在点亮测试过程中向数据线DL提供点亮测试信号。例如，当将第一像素的点亮控制信号DC_R提供给点亮测试电路时，可以将数据信号提供给第一像素的数据线DL，使得第一像素可以发光。此外，当将第二像素或第三像素的点亮控制信号DC_G和DC_B提供给点亮测试电路时，可以将数据信号提供给第二像素或第三像素的数据线DL，使得第二像素或第三像素可以发光。

焊盘部分140可以位于基底100的一侧。焊盘部分140可以包括点亮焊盘141、驱动焊盘142、电源焊盘143a和143b、以及数据焊盘144。焊盘部分140可以在不被绝缘层覆盖的情况下暴露，并电连接到印刷电路板PCB。

尽管图3示出了其中提供一个点亮焊盘作为点亮焊盘141的情况，但实施例不限于此，并且点亮焊盘141可以包括多个点亮焊盘。

印刷电路板PCB的端口PCB-P可以电连接到显示面板10的焊盘部分140。印刷电路板PCB可以将控制器的信号或电源经由驱动焊盘142或电源焊盘143a和143b传输至显示面板10。由控制器产生的控制信号可以经由驱动焊盘142传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120中的每一个。控制器可以经由连接到第一连接线161和第二连接线171的电源焊盘143a和143b将第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS分别提供给第一电源供应线160和第二电源供应线170。第一电源电压ELVDD可以通过连接到第一电源供应线160的驱动电压线PL提供给像素P，并且第二电源电压ELVSS可以提供给连接到第二电源供应线170的像素P的对电极。

数据驱动电路150可以电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以经由连接到数据焊盘144的连接线151和连接到连接线151的数据线DL提供给像素P。尽管图2示出数据驱动电路150位于印刷电路板PCB上，但是根据一些示例实施例，数据驱动电路150可以位于基底100上。例如，数据驱动电路150可以位于焊盘部分140和第一电源供应线160之间。

第一电源供应线160可以包括第一子线162和第二子线163，第一子线162和第二子线163平行于x方向延伸，并且显示区DA在第一子线162和第二子线163之间。第二电源供应线170可以具有带有一个开放侧的环形形状，并且可以部分地围绕显示区DA。

图3是根据一些示例实施例的显示设备1的平面图，并且图4是沿着图3的线A-A′截取的截面图。

参考图3和图4，根据实施例的显示设备1可以包括：基底100，其包括显示区DA和非显示区NDA，以及位于非显示区NDA中的点亮焊盘141，并且点亮焊盘141可以包括：缓冲层210、第一导电层220、第一绝缘层230、第二导电层240、第二绝缘层250和第三导电层260。

基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙二烯对苯二甲酸酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有多层结构，多层结构包括包括聚合物树脂的上述层和无机层。

缓冲层210可以位于基底100上，并且可以减少或防止异物、水分或外部空气从基底100的下侧侵入，并且可以在基底100上提供平坦化的表面。缓冲层210可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合物，并且可以具有无机材料和有机材料的单层或多层结构。可以在基底100和缓冲层210之间进一步提供用于阻挡外部空气侵入的阻挡层。

第一导电层220可以位于缓冲层210上。例如，在平面上或在平面图中，第一导电层220可以包括多个弯曲部分和连接弯曲部分的多个连接部分，并且连接部分可以通过在第一方向(+x)和与第一方向(+x)相反的第二方向(-x)上交替延伸而位于缓冲层210上。

此外，第一导电层220的端部可以与基底100的端部匹配。例如，如图3中所示，第一导电层220的端部220E可以与基底100的一侧的端部100E匹配。

在显示设备中，为了增加显示区的尺寸，已经开发了使得下部的非显示区或所谓的死空间逐渐减小的技术。为了减少在显示设备的下端的死空间，减小了位于显示设备的下端的元件的尺寸，并且这些元件位于显示设备的边缘。然而，在位于显示设备的下端的元件位于显示设备的边缘之后，当执行静电测试时，由于在显示设备的下端产生的静电，可能发生异常驱动。

因此，为了解决上述问题，可以通过增加第一导电层220的电阻来防止或减少侵入显示设备1的静电，并且因此可以预防或减少由于静电导致的显示设备1的异常驱动。

电阻抗是表示导电体中电流流动的阻挡程度的物理量，其简称为电阻。通常，物体的电阻随着电阻率增加、物体的长度增加和物体的截面减小而增加。当某种材料的电阻率、长度和截面分别为ρ、L和A时，电阻R的大小可以由下面的等式1定义：

在电子电路中，电阻阻挡电流的流动，从而引起电压降。

因此，可以通过增加第一导电层220的长度并通过减小第一导电层220的宽度来减小其截面，来增加第一导电层220的电阻，并且因此，第一导电层220可以延迟静电侵入显示设备1中，因此可以防止或减少由于静电引起的显示设备1的异常驱动或对显示设备1的损坏。

为了增加第一导电层220的电阻，可以减小第一导电层220的宽度d，并且可以增加第一导电层220的总长度。

然而，由于第一导电层220所占据的面积的大小，第一导电层220的宽度d的无限减小和第一导电层220的总长度的无限增加可能受到限制。

因此，第一导电层220的宽度d可以等于或小于2μm，并且由于包括在第一导电层220中的连接部分可以在第一导电层220所位于的区中在第一方向(+x)和第二方向(-x)上交替延伸，所以第一导电层220可以具有1兆欧(MΩ)或更大的电阻。

因此，由于第一导电层220可以具有1兆欧(MΩ)或更大的电阻，所以可以延迟静电侵入显示设备1，并且因此可以防止或减少由于静电而引起的显示设备1的异常驱动。

其中在第一方向(+x)和第二方向(-x)上交替延伸地布置了连接部分的第一导电层220的总宽度可以小于以下描述的第二导电层240的宽度，并且第一导电层220的至少部分可以布置为与第二导电层240重叠，或第一导电层220可以布置为与第二导电层240完全重叠。

根据一些示例实施例的显示设备1可以包括：基底100，其包括显示区DA和非显示区NDA，以及在第一方向(+x)上位于非显示区NDA中的多个焊盘(例如点亮焊盘141、驱动焊盘142、电源焊盘143a和143b、以及数据焊盘144)，焊盘在与第一方向(+x)交叉的第三方向(+y)上具有中心轴CA，并且每一个焊盘可以包括：第一导电层220，在平面上(或在平面图中)具有多个弯曲部分和将多个弯曲部分彼此连接的连接部分；第二导电层240，位于第一导电层220上方以与第一导电层220的至少部分重叠；以及第三导电层260，位于第二导电层240上方以与第二导电层240重叠。

根据一些示例实施例的点亮焊盘141可以具有在与第一方向(+x)或与第一方向(+x)相反的第二方向(-x)交叉的第三方向(+y)上延伸的中心轴CA。

如图3中所示，在平面上(或在平面图中)，第一导电层220可以包括多个弯曲部分和将多个弯曲部分彼此连接的连接部分，在与第三导电层260重叠的区中关于中心轴CA形成对称，从基底100的端部100E在关于点亮焊盘141的中心轴CA的一侧在第三方向(+y)上延伸，使得连接部分在第一方向(+x)和第二方向(-x)上以之字形延伸，并在关于点亮焊盘141的中心轴CA的另一侧在与第三方向(+y)相反的第四方向(-y)上连续地延伸，使得连接部分在第一方向(+x)和第二方向(-x)上以之字形延伸。

第一导电层220可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。当第一导电层220由氧化物半导体形成时，第一导电层220可以包括例如由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种材料的氧化物。例如，第一导电层220可以是ITZO(InSnZnO)或IGZO(InGaZnO)。当第一导电层220由硅半导体形成时，第一导电层220可以包括例如非晶硅(a-Si)或通过使非晶硅(a-Si)结晶而获得的低温多晶硅(LTPS)。

第二导电层240可以位于第一导电层220上方，并且第一绝缘层230位于其间。第一绝缘层230可以包括由氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和氧化锌(ZnO₂)组成的组中选择的至少一种无机绝缘材料。第一绝缘层230可以包括含有上述无机绝缘材料的单层或多层。

如图3中所示，第二导电层240可以以岛状电极或浮置电极的形状位于第一绝缘层230上。例如，第二导电层240可以以岛状电极或浮置电极的形状位于第一绝缘层230和第二绝缘层250之间，而不通过如下所述的第一接触孔CNT1连接到除第三导电层260以外的任何层。

第二导电层240可以包括与以下描述的栅电极G(参见图5)相同的材料。

第二绝缘层250可以位于第二导电层240上。可以提供第二绝缘层250以覆盖第二导电层240和第一绝缘层230。

第二绝缘层250可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO₂)。

第三导电层260可以位于第二绝缘层250上。第三导电层260可以经由限定在第二绝缘层250中的第一接触孔CNTl连接到第二导电层240，并经由限定在第一绝缘层230和第二绝缘层250中的第二接触孔CNT2连接到第一导电层220。在这种状态下，由于第二接触孔CNT2可以位于第一导电层220的边缘，所以，即使当静电侵入第一导电层220时，到达第二接触孔CNT2的路径长，从而由于静电被转移到构成显示设备1的元件，所以可以防止或减少显示设备1发生异常驱动或损坏。

第三导电层260的位置没有被绝缘层覆盖，因此第三导电层260的上表面可以暴露于外部。在制造显示设备1之后，通过暴露于外部的第三导电层260的上表面执行点亮测试，因此可以检查显示设备1中包括的显示区DA的驱动。例如，通过使用探针将测试信号施加到第三导电层260，并且第三导电层260可以将施加的测试信号传输到连接到第三导电层260的点亮测试电路，从而测试显示区DA的像素P的驱动(发光)。

如图3中所示，在平面上(或在平面图中)，第三导电层260的宽度可以大于第二导电层240的宽度。在这种情况下，第二导电层240可以布置为与第三导电层260完全重叠。

此外，在第一导电层220与第二导电层240或第三导电层260重叠的区中，第一导电层220可以关于点亮焊盘141的中心轴CA对称地布置。第一导电层220中包括的弯曲部分可以部分地布置成关于中心轴CA彼此面对。

图5是沿着图2的线I-I′和图3的线A-A′截取的截面图。

参照图5更详细地描述根据一些示例实施例的显示设备1在显示区DA中的堆叠结构。

缓冲层210可以位于基底100上，并且薄膜晶体管(TFT)可以位于缓冲层210上。TFT可以包括半导体层A、栅电极G和电极层。

尽管图5示出了其中TFT是顶栅型的情况，但是实施例不限于此，并且可以采用诸如底栅型的各种类型的薄膜晶体管TFT。

此外，尽管图5示出了其中TFT包括一个TFT的情况，但是本公开不限于此。在实施例中，显示设备1可以包括用于一个像素P的两个或更多个TFT。在一些实施例中，七个薄膜晶体管TFT可以用于一个像素P。

半导体层A可以包括例如非晶硅(a-Si)或通过使非晶硅(a-Si)结晶而获得的低温多晶硅(LTPS)。此外，半导体层A可以包括由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种材料的氧化物。例如，半导体层A可以包括ITZO(InSnZnO)和IGZO(InGaZnO)。

根据一些示例实施例，显示区DA的半导体层A可以包括与上述第一导电层220相同的材料。

栅电极G可以位于半导体层A上，并且其间具有栅绝缘层231。栅电极G可以包括至少一种金属材料的单层或多层，所述金属材料选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)或铜(Cu)。栅电极G可以连接到用于向栅电极G施加电信号的栅线。

根据一些示例实施例，栅电极G可以包括与上述第二导电层240相同的材料。

作为用于使半导体层A与栅电极G绝缘的层的栅绝缘层231可以包括由氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和氧化锌(ZnO₂)组成的组中选择的至少一种无机绝缘材料。栅绝缘层231可以包括含有上述无机绝缘材料的单层或多层。

根据一些示例实施例，显示区DA的栅极绝缘层231可以包括与上述第一绝缘层230相同的材料。

电极层可以位于栅电极G上，并且其间具有层间绝缘层251。电极层可以包括源电极S和/或漏电极D。源电极S和/或漏电极D可以经由形成在层间绝缘层251和栅绝缘层231中的接触孔电连接到半导体层A。

包括源电极S和/或漏电极D的电极层可以包括至少一种金属材料的单层或多层，所述金属材料选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)或铜(Cu)。根据一些示例实施例，电极层可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。

根据一些示例实施例，当形成显示区DA的包括源电极S和/或漏电极D的电极层时，可以同时由相同的材料形成上述第三导电层260。

层间绝缘层251可以包括由氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和氧化锌(ZnO₂)组成的组中选择的至少一种无机绝缘材料。

根据一些示例实施例，当形成层间绝缘层251时，可以同时由相同的材料形成上述第二绝缘层250。

存储电容器Cst的第一电极CE1和第二电极CE2可以布置为彼此重叠，并且层间绝缘层251在它们之间。根据一些示例实施例，第二电极CE2可以位于与栅电极G相同的层上。

尽管图5示出了存储电容器Cst不与TFT重叠，但是本公开不限于此。例如，存储电容器Cst可以布置为与TFT重叠。在一些实施例中，存储电容器Cst的第二电极CE2可以与栅电极G一体形成。换句话说，TFT的栅电极G可以执行存储电容器Cst的第二电极CE2的功能。

参考回图5，平坦化层270可以位于层间绝缘层251上。尽管图5将平坦化层270示出为单层，但是平坦化层270可以包括多层。平坦化层270可以平坦化像素电路(PC)的上表面，并且可以平坦化OLED将要位于的表面。

平坦化层270可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)的通用聚合物，具有酚基的聚合物衍生物，丙烯酸基聚合物，酰亚胺基聚合物，芳基醚基聚合物，酰胺基聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇基聚合物及其混合物。平坦化层270可以包括无机材料。平坦化层270可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO₂)。当平坦化层270包括无机材料时，可以根据情况需要进行化学平坦化抛光。平坦化层270可以包括有机材料和无机材料两者。

在基底100的显示区DA中，OLED可以位于平坦化层270上，OLED包括像素电极310、中间层320以及与像素电极310相对定位的对电极330，中间层320在像素电极310和对电极330之间。

像素电极310可以位于平坦化层270上。像素电极310可以包括(半)透射电极或反射电极。在一些示例实施例中，像素电极310可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射膜，以及形成在反射膜上的透明或半透明的电极层。透明或半透明的电极层可以包括由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。在一些实施例中，像素电极310可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。

像素限定层280可以位于平坦化层270上，并且像素限定层280具有开口，使得像素电极310的中心部分暴露，从而限定了像素的发光区。此外，像素限定层280可以通过增加像素电极310的边缘与像素电极310上方的对电极330之间的距离，来防止或减少在像素电极310的边缘的电弧的产生。像素限定层280可以通过诸如旋涂的方法由有机绝缘材料例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDSO和酚醛树脂形成。

中间层320可以位于由像素限定层280暴露的像素电极310上。中间层320可以包括发射层，并且可以可选地进一步包括在发射层下方和上方的功能层，例如，空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

发射层可以包括有机材料，该有机材料包括发出红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。发射层可以包括低分子有机材料或聚合物有机材料。

当发射层包括低分子有机材料时，中间层320可以具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的单一或复合结构的堆叠结构，并且低分子有机材料可以包括各种有机材料，诸如铜酞菁(CuPc)、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。这些层可以通过诸如真空沉积的方法形成。

当发射层包括聚合物材料时，中间层320通常可以具有包括HTL和发射层(EML)的结构。在这种状态下，HTL可以包括PEDOT，并且发射层可以包括基于聚苯撑乙烯(PPV)或基于聚芴的聚合物材料。可以通过丝网印刷或喷墨印刷方法或者激光诱导热成像(LITI)方法形成发射层。

像素电极310可以包括多个像素电极，并且中间层320可以对应于每一个像素电极310布置。但是，本公开不限于此。例如，可以通过在像素电极310之上包括集成层来对中间层320进行各种修改。根据一些示例实施例，中间层320可以对应于每一个像素电极310布置，并且除了中间层320以外的功能层可以一体地形成在像素电极310之上。

对电极330可以位于中间层320上。对电极330可以以完全覆盖中间层320的形式位于中间层320上。

对电极330可以包括透射电极或反射电极。在一些实施例中，对电极330可以包括透明或半透明的电极，并且可以由具有小功函且包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、镁或其化合物的金属薄膜形成。此外，诸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明导电氧化物(TCO)膜可以进一步位于金属薄膜上。

当提供像素电极310作为反射电极并且提供对电极330作为透射电极时，从中间层320发射的光可以朝着对电极330发射，并且，因此显示设备1是顶发射类型。

根据一些示例实施例，当像素电极310包括透明或半透明电极并且对电极330包括反射电极时，从中间层320发射的光可以朝着基底100发射，因此，显示设备1可以是底发射类型。然而，本公开不限于此，并且根据一些示例实施例的显示设备1可以是双发射类型的，其中光从顶表面和底表面在双方向上发射。

薄膜封装层位于对电极330上，以保护OLED免受外部湿气和氧的影响。薄膜封装层可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。

无机封装层可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层可以包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸基树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或其组合。

图6是根据一些示例实施例的显示设备1的平面图，并且图7是沿着图6的线B-B′截取的截面图。

根据一些示例实施例的点亮焊盘141可具有在与第一方向(+x)或与第一方向(+x)相反的第二方向(-x)交叉的第三方向(+y)上延伸的中心轴CA。

参照图6和图7，在平面上(或在平面图中)，根据一些示例实施例的显示设备1的点亮焊盘141的第一导电层220可以包括多个弯曲部分和将弯曲部分彼此连接的多个连接部分，可以从基底100的端部100E延伸，并且可以布置在第三方向(+y)上，使得连接部分关于点亮焊盘141的中心轴CA在第一方向(+x)和第二方向(-x)上交替延伸。

如图7中所示，第二导电层240和第三导电层260可以位于第一导电层220上。第三导电层260可以经由限定在第二绝缘层250中的第一接触孔CNT1连接到第二导电层240，并且经由限定在第一绝缘层230和第二绝缘层250中的第二接触孔CNT2连接到第一导电层220。在这种状态下，第二接触孔CNT2可以位于第一导电层220的边缘，该边缘在第一导电层220中与基底100的端部100E分离最远。

图8是根据一些示例实施例的显示设备1的平面图，并且图9是沿着图8的线C-C′截取的截面图。

根据一些示例实施例的点亮焊盘141可具有在与第一方向(+x)或与第一方向(+x)相反的第二方向(-x)交叉的第三方向(+y)上延伸的中心轴CA。

参照图8和图9，在平面上(或在平面图中)，根据一些示例实施例的显示设备1的点亮焊盘141的第一导电层220可以包括多个弯曲部分和将弯曲部分彼此连接的多个连接部分，可以从基底100的端部100E延伸，并且可以布置在第二方向(-x)上，使得连接部分关于点亮焊盘141的中心轴CA在第三方向(+y)和第四方向(-y)上交替延伸。

如图9中所示，第二导电层240和第三导电层260可以位于第一导电层220上。第三导电层260可以经由限定在第二绝缘层250中的第一接触孔CNT1连接到第二导电层240，并且经由限定在第一绝缘层230和第二绝缘层250中的第二接触孔CNT2连接到第一导电层220。在这种状态下，第二接触孔CNT2可以位于第一导电层220的边缘，该边缘在第一导电层220中与基底100的端部100E分离最远。

图10是根据一些示例实施例的显示设备1的平面图，并且图11是沿图10的线D-D′截取的截面图。

根据一些示例实施例的点亮焊盘141可以具有在与第一方向(+x)或与第一方向(+x)相反的第二方向(-x)交叉的第三方向(+y)上延伸的中心轴CA。

参照图10和图11，在平面上(或在平面图中)，根据一些示例实施例的显示设备1的点亮焊盘141的第一导电层220可以包括多个弯曲部分和将弯曲部分彼此连接的多个连接部分，可以从基底100的端部100E延伸，并且可以布置在第七方向(+m)上，使得连接部分关于点亮焊盘141的中心轴CA在第五方向(+n)和第六方向(-n)上交替延伸。

如图11中所示，第二导电层240和第三导电层260可以位于第一导电层220上。第三导电层260可以经由限定在第二绝缘层250中的第一接触孔CNT1连接到第二导电层240，并经由限定在第一绝缘层230和第二绝缘层250中的第二接触孔CNT2连接到第一导电层220。在这种状态下，第二接触孔CNT2可以位于第一导电层220的边缘，该边缘在第一导电层220中与基底100的端部100E分离最远。

根据一些示例实施例，为了解决根据相关技术的显示设备中的问题，即，当位于显示设备的下端的元件移到显示设备的边缘时由于静电而产生的驱动缺陷，增加导电层的长度并减小其宽度以具有小的截面，从而提供一种具有相对提高的产品可靠性并且防止或减少对显示设备的损坏的显示设备。

尽管以上仅主要描述了显示设备，但是本公开不限于此。例如，制造上述显示设备的显示设备制造方法可以属于本公开的范围。

根据上述实施例，通过增加线的电阻，可以防止或减少由于静电引起的对显示设备的损坏，并且可以实现具有相对提高的产品可靠性的显示设备。本公开的范围不受上述效果的限制。

应理解，本文描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每一个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不脱离如本公开及其等同方案限定的精神和范围的情况下在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：

基底，包括显示区和非显示区；以及

焊盘，在所述非显示区上，

其中，所述焊盘包括：

第一导电层，在平面图中，所述第一导电层包括多个弯曲部分和将所述多个弯曲部分彼此连接的多个连接部分，所述多个连接部分在第一方向和与所述第一方向相反的第二方向上交替延伸；

第二导电层，在所述第一导电层上并与所述第一导电层的至少部分重叠；以及

第三导电层，在所述第二导电层上并与所述第二导电层重叠。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层具有1兆欧或更大的电阻。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层在所述第一方向或所述第二方向上的宽度小于所述第二导电层在相同方向上的宽度。

4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层的端部与所述基底的端部匹配。

5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二导电层具有岛状。

6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：

第一绝缘层，在所述第一导电层和所述第二导电层之间；以及

第二绝缘层，在所述第二导电层和所述第三导电层之间。

7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第三导电层经由所述第二绝缘层中的第一接触孔连接到所述第二导电层。

8.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第三导电层经由所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第二接触孔连接到所述第一导电层。

9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第二接触孔在所述第一导电层的边缘。

10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三导电层的上表面被暴露。

11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中，所述第三导电层的尺寸大于所述第二导电层的尺寸。

12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第二导电层与所述第三导电层完全重叠。

13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备进一步包括：

像素，在所述显示区上并电连接到像素电路，所述像素电路包括薄膜晶体管和存储电容器，

其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、与所述半导体层至少部分重叠的栅电极、以及连接到所述半导体层的电极层，以及

所述第一导电层包括与所述半导体层相同的材料。

14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第二导电层包括与所述栅电极相同的材料。

15.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第三导电层包括与所述电极层相同的材料。

16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述焊盘包括用于执行点亮测试的点亮焊盘。

17.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：

基底，包括显示区和非显示区；以及

多个焊盘，在所述非显示区中并沿着第一方向布置，并且所述多个焊盘具有在与所述第一方向交叉的第三方向上延伸的中心轴，

其中，所述多个焊盘中的每一个焊盘包括：

第一导电层，在平面图中，所述第一导电层包括多个弯曲部分和将所述多个弯曲部分彼此连接的多个连接部分；

第二导电层，在所述第一导电层上并与所述第一导电层的至少部分重叠；以及

第三导电层，在所述第二导电层上并与所述第二导电层重叠，

其中，所述第一导电层在与所述第三导电层重叠的区中关于所述中心轴对称，所述第一导电层从所述基底的端部在关于所述多个焊盘中的每一个焊盘的所述中心轴的一侧在所述第三方向上延伸，使得所述连接部分在所述第一方向和与所述第一方向相反的第二方向上以之字形延伸，并且在关于所述多个焊盘中的每一个焊盘的所述中心轴的另一侧在与所述第三方向相反的第四方向上连续地延伸，使得所述连接部分在所述第一方向和所述第二方向上以之字形延伸。

18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一导电层具有1兆欧或更大的电阻。

19.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述多个弯曲部分中的一些弯曲部分布置成关于所述中心轴彼此面对。

20.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第二导电层具有岛状。

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