JP4656916B2 - 発光装置の作製方法 - Google Patents
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Description
第1の実施の形態として、チャネル保護型のTFTの作製方法について説明する。
その結果、半導体層の端は、島状のゲート絶縁層の端を越えないように設けられることになる。また半導体層の端は、島状のゲート絶縁層の端と一致するように設けられていると表記することもできる。エッチング加工はプラズマエッチング又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。エッチングガスとしては、CF4、NF3、Cl2、BCl3、などのフッ素系又は塩素系のガスを用い、HeやArなどを適宜加えても良い。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能である。続いて、マスク層211を除去して、半導体層210上に、保護層212を液滴吐出法で形成する。保護層212は絶縁層であり、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムなどの無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド(polyimide)、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール(polybenzimidazole)などの耐熱性高分子、又はシロキサン系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちSi−O−Si結合を含む無機シロキサン、珪素上の水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有機シロキサン系の絶縁材料で形成することができる。アクリル、ポリイミド等の感光性の材料を用いて形成すると、その側面は曲率半径が連続的に変化する形状となり、上層の薄膜が段切れせずに形成されるため好ましい。この保護層は、界面の清浄性を確保して、有機物や金属物、水蒸気などの不純物で半導体層210が汚染されることを防ぐ効果がある。また、層間層としての役割もある。
続いて、保護層212を液滴吐出法で形成し、前記保護層212をマスクとして利用し、エッチング加工を行う。これにより、保護層212の下には絶縁層が存在することになり、シロキサン系材料などと絶縁層とが積層された保護層を形成することができる。
第2の実施の形態として、チャネルエッチ型のTFTの作製方法について説明する。
第3の実施の形態として、下地層上に第1の電極を形成するチャネル保護型のTFTの作製方法について説明する。
第4の実施の形態として、下地層上に第1の電極を形成するチャネルエッチ型のTFTの作製方法について説明する。
以上のようにして、EL表示パネルに駆動回路を組み入れることができる。
16 EL層
17 電極
31 電極層
32 電極層
33 電極層
34 電極層
35 電極層
41 正孔輸送層
42 発光層
43 電子注入層
100 基板
101 画素部
102 画素
102a 画素
102b 画素
102c 画素
103 走査線側入力端子
104 信号線側入力端子
105 ドライバIC
106 ドライバIC
107 走査線側駆動回路
108 保護ダイオード
200 TFT基板
201 下地層
202 ゲート配線層
203 ゲート電極層
204 ゲート電極層
205 絶縁体層
206 ゲート絶縁層
207 絶縁体層
208 絶縁体層
209 絶縁体層
210 半導体層
211 マスク層
212 保護層
213 半導体層
214 配線層
215 半導体層
216 半導体層
217 パッシベーション層
218 層間層
219 貫通孔
220 第1電極
221 マスク層
222 絶縁層
223 EL層
224 第2電極
228 絶縁層
234 発光素子
235 シール材
236 封止基板
237 信号配線層
250 接続配線層
251 接続配線層
252 接続配線層
253 接続配線層
301 半導体層
302 配線層
401 下地層
402 第1電極
403 マスク層
404 ゲート配線層
405 ゲート電極層
406 ゲート電極層
407 ゲート配線層
408 絶縁体層
409 ゲート絶縁層
410 絶縁体層
411 絶縁体層
412 絶縁体層
413 半導体層
414 マスク層
415 保護層
416 半導体層
417 配線層
418 半導体層
419 半導体層
420 パッシベーション層
421 層間層
422 EL層
423 第2電極
501 半導体層
502 配線層
530 パルス出力回路
531 バッファ回路
532 画素
541 TFT
542 TFT
550 ゲート電極層
551 半導体層
552 絶縁層
553 配線層
554 共通電位線
555 共通電位線
561 保護ダイオード
562 保護ダイオード
563 保護ダイオード
564 保護ダイオード
601 TFT
602 TFT
603 TFT
604 TFT
605 TFT
606 TFT
607 TFT
608 TFT
609 TFT
610 TFT
611 TFT
612 TFT
613 TFT
620 TFT
621 TFT
622 TFT
623 TFT
624 TFT
625 TFT
626 TFT
627 TFT
628 TFT
629 TFT
630 TFT
631 TFT
632 TFT
633 TFT
634 TFT
635 TFT
701 保護回路部
702 樹脂
703 駆動回路
704 配線基板
705 外部回路
706 ヒートパイプ
707 放熱板
708 スペーサ
710 樹脂フィルム
801 スイッチングング用TFT
803 駆動用TFT
804 電流制御用TFT
802 容量素子
805 発光素子
806 TFT
810 信号線
811 電源線
812 電源線
813 電源線
814 走査線
815 走査線
841 スイッチングング用TFT
843 駆動用TFT
842 容量素子
844 発光素子
845 TFT
850 信号線
851 電源線
852 電源線
853 走査線
854 走査線
901 EL表示パネル
902 信号線側駆動回路
903 走査線側駆動回路
904 チューナ
905 映像信号増幅回路
906 映像信号処理回路
907 コントロール回路
908 信号分割回路
909 音声信号増幅回路
910 音声信号処理回路
911 制御回路
912 入力部
913 スピーカ
920 筐体
921 表示画面
922 スピーカ
924 操作スイッチング
1001 基板
1002 画素部
1003 駆動回路
1004 駆動回路
1005 基板
1006 テープ
1007 ドライバIC
1008 基板
1009 テープ
1010 ドライバIC
1400 基板
1403 液滴吐出手段
1404 撮像手段
1405 ヘッド
1407 制御手段
1408 記憶媒体
1409 画像処理手段
1410 コンピュータ
1411 マーカー
10000 TFT
20000 TFT
Claims (8)
- ゲート電極と、島状のゲート絶縁層と、島状の半導体層とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタを有する発光装置の作製方法であって、
基板上に、金属材料からなる下地層を形成し、
前記下地層上に、前記ゲート電極を液滴吐出法によって形成し、
前記ゲート電極と重ならない位置に形成された前記下地層を絶縁化し、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、前記島状の半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁膜をエッチングすることによって、前記島状のゲート絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記絶縁化は、前記下地層を酸化することによって行うことを特徴とする発光装置の作製方法。 - ゲート電極と、島状のゲート絶縁層と、島状の半導体層とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタを有する発光装置の作製方法であって、
基板上に、金属材料からなる下地層を形成し、
前記下地層上に、前記ゲート電極を液滴吐出法によって形成し、
前記ゲート電極と重ならない位置に形成された前記下地層を、前記ゲート電極をマスクとしてエッチングし、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、前記島状の半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁膜をエッチングすることによって、前記島状のゲート絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記ゲート電極上に、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜を形成する工程は、大気に晒すことなく連続的に行うことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記島状のゲート絶縁層は、第1の窒化珪素膜と、酸化珪素膜と、第2の窒化珪素膜とを順次積層して形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記下地層は、チタン、タングステン、クロム、タンタル、ニッケル、又はモリブデンから選ばれる金属を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記下地層の膜厚は、0.01〜10nmであることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記島状の半導体層は、アモルファス半導体、セミアモルファス半導体、又は多結晶半導体でなることを特徴とする発光装置の作製方法。
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