JP4683898B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
T.Shimoda、Ink-jet Technology for Fabrication Processes of Flat Panel Displays、SID 03 DIGEST、p1178-1181
本発明は、非晶質半導体層上に結晶化を促進する金属元素を含む組成物を選択的に吐出するステップと、加熱処理を行って結晶質半導体層を形成するステップとを有し、具体的には、組成物の吐出方法により、以下の2つに大別される。
もう1つは、第1の非晶質半導体層上に結晶化を促進する金属元素を含む第1の組成物を選択的に吐出するステップ、加熱処理を行って前記第1の組成物に接する領域及びその周辺領域の前記非晶質半導体層を結晶化して、結晶質半導体層を形成するステップを有する方法である。この方法は、第1の組成物を点状に形成することを特徴とする。続いて、結晶質半導体層上に第2の組成物を選択的に吐出するステップを行う。この方法では、第2の組成物を島状(アイランド形状)に形成することを特徴とし、上記特徴により、第2の組成物をマスクとして用いることができるため、作製工程を簡略化し、作製時間の短縮及び作製費用の低減を実現する。
1つは、第1の非晶質半導体層に不純物元素を添加するステップ、前記不純物元素が添加された前記非晶質半導体層に前記金属元素を偏析させるステップ、前記組成物をマスクとして、前記金属元素が偏析した前記非晶質半導体層をエッチングするステップを有するゲッタリング工程である。
もう1つは、前記組成物をマスクとして、前記結晶質半導体層をエッチングするステップ、前記組成物を除去後、前記結晶質半導体層上にバリア体及び第2の非晶質半導体層を積層形成するステップ、前記第2の非晶質半導体層に前記金属元素を偏析させるステップ、前記バリア体及び前記金属元素が偏析した前記第2の非晶質半導体層を除去するステップを有するゲッタリング工程である。
第1の組成物を島状に形成するステップを経た場合は、第2の領域における前記第1の非晶質半導体層上に、第2の組成物を選択的に吐出するステップを行う。また、第1の組成物を点状に形成するステップを経た場合は、前記第1の領域における前記結晶質半導体層上と前記第2の領域における前記第1の非晶質半導体層上に、第2の組成物を選択的に吐出するステップを行う。
1つは、第1の非晶質半導体層に不純物元素を添加するステップ、前記不純物元素が添加された前記第1の非晶質半導体層に前記金属元素を偏析させるステップ、前記第1の組成物及び前記第2の組成物をマスクとして、前記第1の領域における前記金属元素が偏析した前記第1の非晶質半導体層をエッチングし、なおかつ前記第2の領域における前記第1の非晶質半導体層をエッチングして、第2の非晶質半導体層を形成するステップを有するゲッタリング工程である。
もう1つは、前記第1の組成物及び前記第2の組成物をマスクとして、前記第1の領域における前記第1の結晶質半導体層をエッチングして第2の結晶質半導体層を形成し、なおかつ前記第2の領域における前記第1の非晶質半導体層をエッチングして第2の非晶質半導体層を形成するステップ、前記第1の組成物及び前記第2の組成物を除去後、前記第2の結晶質半導体層及び前記第2の非晶質半導体層上にバリア体及び前記第3の非晶質半導体層を積層形成するステップ、前記第3の非晶質半導体層に前記金属元素を偏析させるステップ、前記バリア体及び前記金属元素が偏析した前記第3の非晶質半導体層を除去するステップを有するゲッタリング工程である。
(実施の形態1)
被処理物とノズルの吐出口との距離は、所望の箇所に滴下するために、出来る限り近づけておくことが好ましく、好適には0.1〜3mm(好適には1mm以下)程度に設定する。ノズルと被処理物は、その相対的な距離を保ちながら、ノズル及び被処理物の一方が移動して、所望のパターンを描画する。また、組成物を吐出する前に、被処理物の表面にプラズマ処理を施してもよい。これは、プラズマ処理を施すと、被処理物の表面が親水性になったり、疎液性になったりすることを活用するためである。例えば、純水に対しては親水性になり、アルコールを溶媒したペーストに対しては疎液性になる。
(実施の形態2)
(実施の形態3)
(実施の形態4)
そのため、ゲッタリング工程として、図7(A)〜(C)に示すゲッタリング工程を行う場合と、ゲッタリング工程において半導体層にレーザ光の照射を行う場合には、結晶質半導体層209、210上に、新たに組成物を形成し、その後、一導電型が付与された非晶質半導体層212を形成する。
11 非晶質半導体層
12 組成物
14 結晶質半導体層
15 非晶質半導体層
16、17、21、22 結晶質半導体層
23 バリア体
24 非晶質半導体層
25 結晶質半導体層
30 基板
31 非晶質半導体層
32 組成物
34 結晶質半導体層
35 非晶質半導体層
36、37 結晶質半導体層
38 組成物
41、42 結晶質半導体層
43 バリア体
44 非晶質半導体層
45 結晶質半導体層
50 基板
51 駆動回路
51a 信号線駆動回路
51b 走査線駆動回路
52 画素部
62、63 組成物
64 結晶質半導体層
65 非晶質半導体層
66 結晶質半導体層
67 非晶質半導体層
68、71 結晶質半導体層
72 非晶質半導体層
73 結晶質半導体層
74 バリア体
75 非晶質半導体層
76 結晶質半導体層
82 組成物
84 結晶質半導体層
85 非晶質半導体層
86、87 組成物
Claims (13)
- 非晶質半導体層上に、結晶化を促進する金属元素を含む組成物を選択的に吐出し、前記組成物の乾燥と焼成の一方又は両方を行い、
加熱処理を行って、前記乾燥と前記焼成の一方又は両方が行われた前記組成物に接する前記非晶質半導体層を結晶化して、結晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層に不純物元素を添加し、
前記不純物元素が添加された前記非晶質半導体層に前記金属元素を偏析させ、
前記乾燥と前記焼成の一方又は両方が行われた前記組成物をマスクとして、前記金属元素が偏析した前記非晶質半導体層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の非晶質半導体層上に、結晶化を促進する金属元素を含む組成物を選択的に吐出し、前記組成物の乾燥と焼成の一方又は両方を行い、
加熱処理を行って、前記乾燥と前記焼成の一方又は両方が行われた前記組成物に接する前記第1の非晶質半導体層を結晶化して、第1の結晶質半導体層を形成し、
前記乾燥と前記焼成の一方又は両方が行われた前記組成物をマスクとして、前記第1の結晶質半導体層をエッチングして第2の結晶質半導体層を形成し、
前記乾燥と前記焼成の一方又は両方が行われた前記組成物を除去後、前記第2の結晶質半導体層上にバリア体及び第2の非晶質半導体層を積層形成し、
前記第2の非晶質半導体層に前記金属元素を偏析させ、
前記バリア体及び前記金属元素が偏析した前記第2の非晶質半導体層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の領域及び第2の領域に第1の非晶質半導体層を形成し、
前記第1の領域における前記第1の非晶質半導体層上に、結晶化を促進する金属元素を含む第1の組成物を選択的に吐出し、前記第1の組成物の乾燥と焼成の一方又は両方を行い、
加熱処理を行って、前記乾燥と前記焼成の一方又は両方が行われた前記第1の組成物に接する前記第1の非晶質半導体層を結晶化して、結晶質半導体層を形成し、
前記第2の領域における前記第1の非晶質半導体層上に、第2の組成物を選択的に吐出し、前記第2の組成物の乾燥と焼成の一方又は両方を行い、
前記第1の非晶質半導体層に不純物元素を添加し、
前記不純物元素が添加された前記第1の非晶質半導体層に前記金属元素を偏析させ、
前記乾燥と前記焼成の一方又は両方が行われた前記第1の組成物及び前記第2の組成物をマスクとして、前記第1の領域における前記金属元素が偏析した前記第1の非晶質半導体層をエッチングし、かつ前記第2の領域における前記第1の非晶質半導体層をエッチングして第2の非晶質半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の領域及び第2の領域に第1の非晶質半導体層を形成し、
前記第1の領域における前記第1の非晶質半導体層上に、結晶化を促進する金属元素を含む第1の組成物を選択的に吐出し、前記第1の組成物の乾燥と焼成の一方又は両方を行い、
加熱処理を行って、前記乾燥と前記焼成の一方又は両方が行われた前記第1の組成物に接する前記第1の非晶質半導体層を結晶化して、第1の結晶質半導体層を形成し、
前記第2の領域における前記第1の非晶質半導体層上に、第2の組成物を選択的に吐出し、前記第2の組成物の乾燥と焼成の一方又は両方を行い、
前記乾燥と前記焼成の一方又は両方が行われた前記第1の組成物及び前記第2の組成物をマスクとして、前記第1の領域における前記第1の結晶質半導体層をエッチングして第2の結晶質半導体層を形成し、かつ前記第2の領域における前記第1の非晶質半導体層をエッチングして第2の非晶質半導体層を形成し、
前記第1の組成物及び前記第2の組成物を除去後、前記第2の結晶質半導体層及び前記第2の非晶質半導体層上にバリア体及び第3の非晶質半導体層を積層形成し、
前記第3の非晶質半導体層に前記金属元素を偏析させ、
前記バリア体及び前記金属元素が偏析した前記第3の非晶質半導体層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記金属元素はニッケルであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記加熱処理は、400℃乃至800℃の範囲内の温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1又は請求項3において、前記結晶質半導体層にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項2又は請求項4において、前記第2の結晶質半導体層にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1又は請求項3において、前記不純物元素はアルゴン又はリンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項2又は請求項4において、前記バリア体は、珪素の酸化物又は窒化物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項3において、前記第1の領域に前記結晶質半導体層をチャネル部としたトランジスタを形成し、前記第2の領域に前記第2の非晶質半導体層をチャネル部としたトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項4において、前記第1の領域に前記第2の結晶質半導体層をチャネル部としたトランジスタを形成し、前記第2の領域に前記第2の非晶質半導体層をチャネル部としたトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項3又は請求項4において、前記第1の領域を駆動回路部とし、前記第2の領域を画素部とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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