CN111837458B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111837458B
CN111837458B CN201880090601.2A CN201880090601A CN111837458B CN 111837458 B CN111837458 B CN 111837458B CN 201880090601 A CN201880090601 A CN 201880090601A CN 111837458 B CN111837458 B CN 111837458B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
organic
display device
layer
barrier wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880090601.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111837458A (zh
Inventor
高桥纯平
松井章宏
越智贵志
园田通
宫本惠信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN111837458A publication Critical patent/CN111837458A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111837458B publication Critical patent/CN111837458B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

构成TFT层(20)，并设置为在边框区域(F)中相互平行地延伸的多条布线(18h)；构成TFT层(20)并设置在各布线(18h)上的第一有机膜(19)的周端面交叉延伸，以覆盖第一有机膜(19)的周端面的下部以及从第一有机膜(19)的周端面延伸的各布线(18h)的第一有机膜(19)的周端面侧的方式设置有第二有机膜(8a)。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明关于一种显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机EL(electroluminescence：电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置受到了关注。在该有机EL显示装置中，例如，进行图像显示的显示区域被设置为矩形装置，并且在其显示区域的周围设置有边框区域。这里，在边框区域设置有用于向配置在显示区域内的各显示用配线提供电信号的布线(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2011-34996号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，有机EL显示装置包括例如树脂基板、设置在树脂基板上的TFT(thinfilmtransistor：薄膜晶体管)层以及设置在TFT层上的有机EL元件。这里，TFT层包括被设置为在边框区域中彼此平行延伸的多个布线，以及设置在各布线上并且在显示区域中具有平坦表面的平坦化膜。此外，有机EL元件包括例如依次设置在平坦化膜上的多个第一电极、边缘罩、多个有机EL层、第二电极和密封膜。由此，平坦化膜的周端面相对于树脂基板的表面倾斜例如30°以上。因此，当形成金属膜以覆盖平坦化膜并且通过光刻法将该金属膜图案化并形成第一电极时，金属膜上的抗蚀剂图案可能未形成为期望的形状。具体地，由于抗蚀剂图案在平坦化膜的周端部和与其周围重叠的部分处形成为较厚，因此，不必要的抗蚀剂图案可能残留在平坦化膜的周围。这样地，由于金属膜的残渣介于多条布线之间，因此，多条布线可能会短路。
本发明是鉴于上述观点而完成的，其目的在于抑制布线之间的短路。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的显示装置包括：基底基板；TFT层，其设置在所述基底基板上；发光元件，其设置在所述TFT层上，并构成显示区域；边框区域，其设置在所述显示区域的周围；多条布线，其构成所述TFT层，并设置为在所述边框区域中相互平行地延伸；第一有机膜，其构成所述TFT层，并设置在所述各布线上；多个像素电极，其构成所述发光元件，并设置在所述第一有机膜上，所述各布线与所述第一有机膜的周端面交叉延伸，以覆盖所述第一有机膜的周端面的下部以及从所述第一有机膜的周端面延伸的各布线的所述第一有机膜的周端面侧的方式设置有第二有机膜。
有益效果
根据本发明，由于第二有机膜被设置为以覆盖从第一有机膜的周端面的下部和从第一有机膜的周端面延伸的各布线的第一有机膜的周端面侧，因此，可以抑制布线之间的短路。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是表示构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图4是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的截面图。
图5是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。
图6是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
图7是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的有机蒸镀膜形成工序的截面图。
图8是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的灰化工序的截面图。
图9是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的阳极导电膜形成工序的截面图。
图10是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的抗蚀剂涂布工序的截面图。
图11是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的蚀刻工序后的截面图。
图12是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的蚀刻工序后的俯视图。
图13是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的比较例的制造方法中的抗蚀剂涂布工序的截面图，相当于图12的图。
图14是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的比较例的制造方法中的蚀刻工序前的截面图。
图15是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的比较例的制造方法中的蚀刻工序后的截面图。
图16是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的比较例的制造方法中的蚀刻工序后的俯视图，相当于图11的图。
图17是表示本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图18是本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图，相当于图6的图。
图19是表示本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法的截面图。
具体实施方式
以下，将参考附图详细说明本发明的实施方式。另外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1～图16示出了本发明的显示装置及其制造方法的第一实施方式。此外，作为包括发光元件的显示装置，在以下各实施方式中，例示了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置50a的概略构成的俯视图。此外，图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图。此外，图3是示出构成有机EL显示装置50a的TFT层20的等效电路图。此外，图4是有机EL显示装置50a的显示区域D的截面图。此外，图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层23的截面图。此外，图6是有机EL显示装置50a的边框区域F的截面图。
如图1所示，有机EL显示装置50a包括例如设置为矩形状的进行图像显示的显示区域D和设置在显示区域D周围的边框区域F。在此，如图2所示，在显示区域D中，多个子像素P呈矩阵状排列。此外，如图2所示，在显示区域D中设置为具有用于进行红色的显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Lg的子像素P以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Lb的子像素P彼此相邻。另外，在显示区域D中，一个像素由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg和蓝色发光区域Lb相邻的三个子像素P构成。此外，在图1中的边框区域F的右端部设置有端子区域T。
如图4所示，有机EL显示装置50a在显示区域D中包括：树脂基板层10，其设置为基底基板；TFT层20，其设置在树脂基板层10上；有机EL元件25，其作为构成显示区域D的发光元件设置在TFT层上；以及密封膜30a，其设置为覆盖有机EL元件25。
树脂基板层10由例如聚酰亚胺树脂等制成。
如图4所示，TFT层20包括设置在树脂基板层10上的底涂膜11、设置在底涂膜11上的多个第一TFT 9a、多个第二TFT 9b和多个电容器9c、以及作为第一有机膜设置在各第一TFT 9a、各第二TFT 9b、各电容器9c上的平坦化膜19。在此，在TFT层20中，如图2和图3所示，以在附图中的横方向上彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线14。此外，在TFT层20中，如图2和图3所示，以在附图中的纵方向上彼此平行延伸的方式设置有多条源极线18f。此外，在TFT层20中，如图2和图3所示，以与各源极线18f相邻，并在附图中的纵方向上彼此平行地延伸的方式设置有多条电源线18g。此外，在TFT层20中，如图3所示，在各子像素P中分别设置有第一TFT 9a、第二TFT 9b和电容器9c。
底涂层膜11由例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，在各子像素P中，第一TFT 9a连接到对应的栅极线14和源极线18f。在此，如图4所示，第一TFT 9a包括以岛状设置在底涂膜11上的半导体层12a、以覆盖半导体层12a的方式设置的栅极绝缘膜13、以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上的栅极14a、以覆盖栅极14a的方式依次设置第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以及设置在第二层间绝缘膜17上并彼此隔开配置的源极18a和漏极18b。另外，源极18a和漏极18b经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别连接到半导体层12a的源极区域和漏极区域。另外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17由例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，在各子像素P中，第二TFT 9b连接到对应的第一TFT 9a和电源线18g。在此，如图4所示，第二TFT 9b包括：以岛状设置在底涂膜11上的半导体层12b；以覆盖半导体层12b的方式设置的栅极绝缘膜13；以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上的栅极14b；以覆盖栅极14b的方式依次设置的第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17；以及设置在第二层间绝缘膜17上并且彼此隔开配置的源极18c和漏极18d。另外，源极18c和漏极18d经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别连接到半导体层12b的源极区域以及漏极区域。此外，尽管在本实施方式中例示了顶栅型的第一TFT 9a和第二TFT 9b，但是第一TFT 9a和第二TFT 9b也可以是底栅型。
如图3所示，在各子像素P中，电容器9c连接到对应的第一TFT 9a和电源线18g。在此，如图4所示，电容器9c包括由与栅电极14a、14b相同的材料并形成在相同层的下部导电层14c、以覆盖下部导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15、以及以与下部导电层14c重叠的方式设置在第一层间绝缘膜15上的上部导电层16。
在显示区域D中，平坦化膜19具有平坦的表面，并且由例如聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。
如图4所示，有机EL元件25包括依次设置在TFT层20上的多个第一电极(像素电极，阳极)21a、边缘罩22、多个有机EL层23和第二电极(公共电极，阴极)24。
如图4所示，多个第一电极21a以与多个子像素P相对应的方式呈矩阵状设置在平坦化膜19上。此处，如图4所示，第一电极21a经由形成在平坦化膜19中的接触孔连接到各第二TFT 9b的漏电极18d。此外，第一电极21a还具有将空穴(正孔)注入到有机EL层23中的功能。此外，为了提高向有机EL层23的空穴注入效率，第一电极21a更优选由功函数大的材料形成。在此，作为形成第一电极21a的材料可以例举例如，银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极21a的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。进一步地，构成第一电极21a的材料也可以是例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这种导电性氧化物等。此外，第一电极21a也可以通过层叠多个由上述材料构成的多个层来形成。另外，作为功函数大的复合材料可以例举例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图4所示，边缘罩22以覆盖各第一电极21a的周缘部的方式呈格子状设置。此处，作为形成边缘罩22的材料可以例举例如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等有机膜。
如图4所示，多个有机EL层23配置在各第一电极21a上并以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。此处，如图5所示，各有机EL层23包括依次设置在第一电极21a上的空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4以及电子注入层5。
空穴注入层1还被称为阳极缓冲层，其使第一电极21和有机EL层23的能级接近，具有改善从第一电极21对有机EL层23的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可例举三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴输送层2具有提高空穴从第一电极21a向有机EL层23的输送效率的功能。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如可例举卟啉衍生物、芳香族三级胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对苯撑乙烯、聚硅烷、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是如下区域，该区域在通过第一电极21及第二电极24施加电压时，被分别从第一电极21及第二电极24注入空穴及电子，并且供空穴及电子再耦合。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，构成发光层3的材料例如可列举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。
电子输送层4具有使电子高效地移动至发光层3为止的功能。此处，作为构成电子输送层4的材料例如可列举有机化合物的恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
电子注入层5具有使第二电极24与有机EL层23之间的能级接近，并提高从第二电极24向有机EL层23注入电子的效率的功能，能够通过该功能降低有机EL元件30a的驱动电压。此外，电子注入层5还被称为阴极缓冲层。此处，作为构成电子注入层5的材料可列举例如氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)之类的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图4所示，第二电极24以覆盖各有机EL层23和边缘罩22的方式设置。另外，第二电极24具有向有机EL层23注入电子的功能。另外，为了提高对有机EL层23的电子注入效率，第二电极24更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极24的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极24例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第二电极24也可以由例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第二电极24例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图4所示，密封膜29包括：以覆盖第二电极24的方式设置，且依次设置在第二电极24上的第一无机膜26、有机膜27以及第二无机膜28，并具有保护有机EL元件25的有机EL层23免受水分、氧影响的功能。
第一无机膜26和第二无机膜28例如由氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等的无机绝缘膜构成。
有机膜27由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机树脂材料构成。
此外，如图6所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中，包括树脂基板层10、依次设置在树脂基板层10上的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17、设置在第二层间绝缘膜17上的布线18h和阻挡壁W以及以覆盖布线18h和阻挡壁W的方式设置的密封膜30a。
多个布线18h以在与端子区域T的延伸方向正交的方向(图1中的横方向)上相互平行地延伸的方式设置。此外，布线18h的一边的端部与设置在显示区域D中的信号配线(栅极线14、源极线18f、电源线18g等)电连接。此外，布线18h的另一边的端部朝向端子区域T延伸。另外，如图6所示，布线18h由与源极线18f相同的材料来形成在相同层，并在其上设置有平坦化膜19。另外，如图6所示，布线18h设置成与平坦化膜19的周端面交叉延伸。在此，如图1和图6所示，在边框区域F配置有平坦化膜19的周端部，并且在平坦化膜19的周端部的端面(周端面)的下部设置有有机缓冲层8a作为第二有机膜。
如图6所示，有机缓冲层8a以覆盖平坦化膜19的周端面的下部和从平坦化膜19的周端面延伸的各布线18h的平坦化膜19的周端面侧的方式且在俯视时呈框状设置。在此，有机缓冲层8a由例如丙烯酸树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机蒸镀膜构成。此外，有机缓冲层8a的端面与树脂基板层10的上表面所成的角度θa(参照图8)例如为5°～20°左右。此外，平坦化膜19的端面与树脂基板层10的上表面所成的角度θb(参照图8)例如为25°～90°左右。另外，如果有机缓冲层8a的端面与树脂基板层10的上表面所成的角度θa为5°～20°，则如下文所描述的，可以抑制在相邻的布线18h之间产生抗蚀剂图案的残留(抗蚀剂残留层Rc)。此外，当角度θa超过20°时，容易发生上述抗蚀剂图案的残留，并且当角度θa小于5°时，由于有机缓冲层8a的宽度变宽，因此，边框区域F的宽度变宽。
如图1所示，阻挡壁W以包围平坦化膜19的方式呈框状设置，并构成为抑制密封膜30a的有机膜27的膨胀。此外，如图6所示，阻挡壁W包括呈框状设置在显示区域D侧的第一阻挡壁Wa以及以包围第一阻挡壁Wa的方式呈框状设置的第二阻挡壁Wb。此外，第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb设置在各布线18h上，并且由与平坦化膜19相同材料来形成在相同层上。此外，如图6所示，第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb在显示区域D侧和与显示区域D相反的一侧的各周端面的下部设置有有机缓冲层8b作为第二有机膜。在此，有机缓冲层8b由与有机缓冲层8a相同材料来形成在相同层上。另外，在本实施方式中，例示了在由与平坦化膜19相同材料来形成在相同层上的第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb，但第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb也可以例如由与平坦化膜19和边缘罩22两者相同层中层叠相同的材料来形成。
如图6所示，在边框区域F中，密封膜30a的有机膜27隔着第一无机膜26设置在平坦化膜19的周端部、第一阻挡壁Wa的显示区域D侧的周端面以及上表面。此处，在第二阻挡壁Wb的上表面上，密封膜30a的第一无机膜26和第二无机膜28彼此接触。另外，在本实施方式中，例示了有机膜27被第一阻挡壁Wa的上表面阻挡的构成，但有机膜27也可以例如到达第二阻挡壁Wb的上表面。
上述有机EL显示装置50a构成为：在各子像素P中，通过经由栅极线14向第一TFT9a输入栅极信号，从而将第一TFT 9a设为接通状态，并经由源极线18f向第二TFT 9b的栅极14b及电容器9c写入与源极信号对应的规定的电压，并基于第二TFT 9b的栅极电压，规定来自电源线18g的电流的大小，并将该规定的电流供给到有机EL层23，由此，有机EL层23的发光层3发光而进行图像显示。另外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT 9a成为截止状态，由于第二TFT 9b的栅极电压通过电容器9c被保持，因此，发光层3的发光也被维持直到输入下一帧的栅极信号。
接下来，使用图7～图16说明本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法。此处，图7、图8、图9、图10和图11分别表示有机EL显示装置50a的制造方法中的有机蒸镀膜形成工序、灰化工序、阳极导电膜形成工序、抗蚀剂涂布工序以及蚀刻工序后的截面图。此外，图12是表示有机EL显示装置50a的制造方法中的蚀刻工序后的俯视图。进一步地，图13、图14和图15分别表示比较例的制造方法中的抗蚀剂涂布工序、蚀刻工序前和蚀刻工序后的截面图，图13是相当于图10的图。此外，图16是表示比较例的制造方法中的蚀刻工序后的俯视图，是相当于图12的图。另外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法包括：包含有机蒸镀膜形成工序、灰化工序、阳极导电膜形成工序、抗蚀剂涂布工序和蚀刻工序的TFT层形成工序、有机EL元件形成工序以及密封膜形成工序。
<TFT层形成工序>
例如，使用公知的方法在形成于玻璃基板上的树脂基板层10的表面上形成底涂膜11、第一TFT 9a、第二TFT 9b、电容器9c以及平坦化膜19、第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb之后，形成有机缓冲层8a、8b，以形成TFT层20。
此处，如图7所示，当形成有机缓冲层8a、8b时，例如，通过真空蒸镀法以覆盖平坦化膜19(第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb)的方式以厚度为200nm左右由丙烯酸树脂等制成的有机蒸镀膜8(有机蒸镀膜形成工序)。之后，如图8所示，通过灰化有机蒸镀膜8，在平坦化膜19的周端部的下部形成有机缓冲层8a，并在第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb的下部形成有机缓冲层8b(灰化工序)。另外，当形成有机蒸镀膜8时，形成有机蒸镀膜8的材料以冷凝了的状态(液体状态)凝聚到平坦化膜19的表面，因此，通过其表面张力，有机蒸镀膜8容易形成在平坦化膜19的倾斜的周端部。
<有机EL元件形成工序>
首先，使用已知的方法在上述TFT层形成工序中形成的TFT层上形成第一电极21a、边缘罩22、有机EL层23(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24，形成有机EL元件25。
此处，当形成第一电极21a时，如图9所示，通过溅射法在形成有有机缓冲层8a、8b的基板表面上成膜厚度为200nm左右的ITO膜/银合金膜(MgAg膜)/ITO膜，以形成阳极导电膜21(阳极导电膜形成工序)。然后，如图10所示，在阳极导电膜21上涂布抗蚀剂材料以形成抗蚀剂涂布膜Ra(抗蚀剂涂布工序)。在此，由于在抗蚀剂涂布膜Ra存在有机缓冲层8a，因此，平坦化膜19的平坦表面上的膜厚Ha和平坦化膜19周围的膜厚Hb大致相同。进一步地，在对抗蚀剂涂布膜Ra进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案之后，通过蚀刻从抗蚀剂图案露出的阳极导电膜21来形成第一电极21a(蚀刻工序)。另外，如图11和图12所示，由于在形成有第一电极21a的基板的边框区域F中不存在抗蚀剂图案，因此，阳极导电膜21被去除，在平坦化膜19的周端部上形成有有机缓冲层8a，且第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb的周端部形成有机缓冲层8b。
另一方面，当未形成有机缓冲层8a、8b时，例如，通过溅射法在形成有第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb的基板表面上成膜厚度为200nm左右的ITO膜/银合金膜(MgAg膜)/ITO膜，以形成阳极导电膜21b(参照图13)。然后，如图13所示，在阳极导电膜21上涂布抗蚀剂材料，形成抗蚀剂涂布膜Ra(抗蚀剂涂布工序)。此处，由于抗蚀剂涂布膜Rb不存在有机缓冲层8a，因此，平坦化膜19平坦的表面上的膜厚Ha比平坦化膜19的周围的膜厚Hb更厚。因此，当对抗蚀剂涂布膜Rb进行曝光以及显影以形成抗蚀剂图案时，如图14所示，原本不需要的抗蚀剂残留层Rc残留在平坦化膜19的周端部。这样，当蚀刻从抗蚀剂图案露出的阳极导电膜21b以形成第一电极21a时，如图15所示，在平坦化膜19的周端部会形成阳极导电残留层21c(蚀刻工序)。另外，如图15和图16所示，由于在形成有第一电极21a的基板的边框区域F中存在抗蚀剂残留层Rc，因此，在平坦化膜19的周端部形成阳极导电残留层21c，并且相邻的布线18h彼此之间会经由阳极导电残留层21c短路。
此处，在不形成有机缓冲层8a的情况下，通过将平坦化膜19的周端面与树脂基板层10的上表面所形成的角度设定为20°以下，尽管可以抑制上述抗蚀剂残留层Rc和阳极导电残留层21c的形成，但是可能会出现以下问题。具体而言，由于平坦化膜19在周端部薄薄地形成，因此，如果在该部分存在异物，则由于该异物而产生缺陷等，平坦化膜19的周端部的表面可能变成凹凸形状。另外，由于在形成平坦化膜19的同时难以形成宽度窄且上表面平坦的结构体，因此，使用平坦化膜19来难以形成阻挡壁W。
<密封膜形成工序>
首先，使用掩模M，例如，通过等离子体CVD法在上述发光元件形成工序中形成有有机EL元件25的基板表面上成膜厚度为1000nm左右的氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等无机绝缘膜来形成第一无机层26。
接着，例如通过喷墨法在形成有第一无机膜26的基板表面上成膜厚度为10μm左右的丙烯酸树脂等有机树脂材料，以形成有机膜27。
进一步地，例如使用掩模，通过等离子体CVD法在形成有有机膜27的基板上成膜厚度为500nm左右的氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等无机绝缘膜，并通过形成第二无机膜28来形成密封膜30a。
最后，在形成有密封膜30a的基板表面上贴附保护片(未图示)之后，通过从树脂基板层10的玻璃基板照射激光，从而使玻璃基板从树脂基板层10的下表面剥离，进一步地，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。
如上所述，可以制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50a及其制造方法，由于以覆盖构成TFT层20的平坦化膜19的周端面的下部和从平坦化膜19的周端面延伸的各布线18h的第一有机膜19的周端面侧的方式设置有有机缓冲层8a，因此，当在平坦化膜19上形成构成有机EL元件25的第一电极21a时，涂布在阳极导电膜21上的抗蚀剂涂布膜Ra的图案的厚度在平坦化膜19的周端部容易均匀。由此，由于使用均匀厚度的抗蚀剂涂布膜Ra，并在阳极导电膜21上形成期望的抗蚀剂图案，因此，当蚀刻阳极导电膜21以形成第一电极21a时，阳极导电膜21难以残留在构成TFT层20的多条布线18h之间。因此，在有机EL显示装置50a中，能够抑制布线18h之间的短路。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a及其制造方法，由于在第一阻挡壁Wa的显示区域D侧和与显示区域D相反的一侧的各周端面、以及第二阻挡壁Wb的显示区域D侧和与显示区域D相反的一侧的各周端面的下部设置有有机缓冲层8b，因此，当在平坦化膜19上形成构成有机EL元件25的第一电极21a时，涂布在阳极导电膜21上的抗蚀剂涂布膜Ra的图案的厚度在第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb的周围容易均匀。结果，由于使用均匀厚度的抗蚀剂涂布膜Ra并在阳极导电膜21上形成期望的抗蚀剂图案，因此，当蚀刻阳极导电膜21以形成第一电极21a时，阳极导电膜21更加难以残留在构成TFT层20的多条布线18h之间。因此，在有机EL显示装置50a中，能够进一步抑制布线18h之间的短路。
《第二实施方式》
图17～图19示出了本发明的显示装置及其制造方法的第二实施方式。在此，图17是表示本实施方式的有机EL显示装置50b的概略构成的俯视图。此外，图18是有机EL显示装置50b的边框区域F的截面图，是相当于图6的图。此外，图19是表示有机EL显示装置50b的制造方法的截面图。另外，在以下实施方式中，与图1～图16中相同的部分标注相同的附图标记，并且将省略其详细描述。
在上述第一实施方式中，例示了包括具有第一无机膜26、有机膜27和第二无机膜28的密封膜30a的有机EL显示装置50a，但是在本实施方式中，例示了包括具有第一无机膜26、有机缓冲层29a和第二无机膜28的密封膜30b的有机EL显示装置50b。
如图17所示，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b具有进行图像显示且呈矩形状设置的显示区域D，以及设置在显示区域D的周围的边框区域F。另外，在有机EL显示装置50b中，如图17所示，在边框区域F中，没有设置(包括第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb)阻挡壁W(参照图1)。
与第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b在显示区域D中包括作为基底基板设置的树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层20、作为构成显示区域D的发光元件设置在TFT层20上的有机EL元件25和以覆盖有机EL元件25的方式设置的密封膜30b(参照图18)。
此外，在有机EL显示装置50b中，如图18所示，在边框区域F中，包括树脂基板层10、依次设置在树脂基板层10上的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17、设置在第二层间绝缘膜17上的布线18h和以覆盖布线18h的方式设置的密封膜30b。
密封膜30b包括以覆盖第二电极24的方式设置的第一无机膜26、设置在第一无机膜26上的有机缓冲层29a(参照图19的(d))、以覆盖有机缓冲层29a的方式设置在第一无机膜26上的第二无机膜28，它具有保护有机EL元件25的有机EL层23免受水、氧气影响的功能。另外，在本实施方式中，例示了被称为粒子的异物X附着于第一无机膜26的表面的构成，但是，异物X优选不附着在第一无机膜26的表面上。
上述有机EL显示装置构成为，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地具有可弯曲性，在各子像素P中，通过使有机EL层23的发光层3经由第一TFT 9a和第二TFT9b适当发光来进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50b可以通过在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置50a的制造方法中如下改变密封膜形成工序来制造。
<密封膜形成工序>
首先，如图19的(a)所示，在上述有机EL元件形成工序中，使用掩模M，例如，通过等离子体CVD法在形成有有机EL元件25的基板表面上成膜厚度为1000nm左右的氮化硅膜等无机绝缘膜来形成第一无机膜26。
随后，如图19的(b)所示，在形成有第一无机膜26的基板的整个表面上，例如，通过真空蒸镀法成膜厚度为200nm左右的由丙烯酸酯等的有机材料构成的有机蒸镀膜29。
此后，如图19的(c)所示，通过利用等离子体A灰化有机蒸镀膜29来形成有机缓冲层29a。在此，在有机蒸镀膜29中，虽用等离子体A灰化而被除去大部分，但有机缓冲层29a残留并形成在异物X的下部(在树脂基板层10侧)。
进一步地，如图19的(d)所示，使用掩模M，例如，通过等离子体CVD法在形成有有机缓冲层29a的基板表面上成膜厚度为500nm左右的氮化硅膜等无机绝缘膜，并以与第一无机膜26重叠的方式形成第二无机膜28，以形成密封膜30b。
最后，在形成有密封膜30b的基板表面上贴附保护片(未图示)之后，通过从树脂基板层10的玻璃基板照射激光，从而使玻璃基板从树脂基板层10的下表面剥离，进一步地，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50b及其制造方法，由于以覆盖构成TFT层20的平坦化膜19的周端面的下部和从平坦化膜19的周端面延伸的各布线18h的第一有机膜19的周端面侧的方式设置有有机缓冲层8a，因此，当在平坦化膜19上形成构成有机EL元件25的第一电极21a时，涂布在阳极导电膜21上的抗蚀剂涂布膜Ra的图案的厚度在平坦化膜19的周端部容易均匀。由此，由于使用均匀厚度的抗蚀剂涂布膜Ra，并在阳极导电膜21上形成期望的抗蚀剂图案，因此，当蚀刻阳极导电膜21以形成第一电极21a时，阳极导电膜21难以残留在构成TFT层20的多条布线18h之间。因此，在有机EL显示装置50b中，能够抑制布线18h之间的短路。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b及其制造方法，在边框区域F中，如第一实施方式的有机EL显示装置50a那样，由于未设置由第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb构成的阻挡壁W，因此边框区域F的宽度变窄，可以实现有机EL显示装置50b的窄边框化。
《其他实施方式》
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层这5层的层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可为空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层这3层的层叠构造。
另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极并将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但本发明也能够适用于使有机EL层的层叠构造反转，将第一电极作为阴极并将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了将连接于第一电极的TFT的电极作为漏极电极的有机EL显示装置，但本发明也能够适用于将连接于第一电极的TFT的电极称为源极电极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了有机EL显示装置作为显示装置，但本发明能够适用于包括由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如包括使用了含量子点层的发光元件即量子点发光二极管(Quantum-dotlightemittingdiode，QLED)的显示装置。
工业上的实用性
如以上的说明所述，本发明对于柔性显示装置有用。
附图标记说明
D：显示区域
F：边框区域
W：阻挡壁
Wa：第一阻挡壁
Wb：第二阻挡壁
8,29：有机蒸镀膜
8a,8b：有机缓冲层(第二有机膜)
10：树脂基板层(基底基板)
18f：源极线
18h：布线
19：平坦化膜(第一有机膜)
20：TFT层
21：第一电极(像素电极)
25：有机EL元件(发光元件)
26：第一无机膜
27：有机膜
28：第二无机膜
30a,30b：密封膜
50a,50b：有机EL显示装置

Claims (3)

1.一种显示装置，其包括：
基底基板；
TFT层，其设置在所述基底基板上；
发光元件，其设置在所述TFT层上，并构成显示区域；
边框区域，其设置在所述显示区域的周围；
多条布线，其构成所述TFT层，并设置为在所述边框区域中相互平行地延伸；
第一有机膜，其构成所述TFT层，并设置在所述各布线上；
多个像素电极，其构成所述发光元件，并设置在所述第一有机膜上，所述显示装置的特征在于，
所述各布线与所述第一有机膜的周端面交叉延伸，
以覆盖所述第一有机膜的周端面的下部以及从所述第一有机膜的周端面延伸的各布线的所述第一有机膜的周端面侧的方式设置有第二有机膜，
所述第一有机膜由在所述显示区域中具有平坦的表面的平坦化膜形成，
所述显示装置进一步包括：
密封膜，其以覆盖所述发光元件的方式设置，且在所述发光元件上依次层叠有第一无机膜、有机膜以及第二无机膜；
阻挡壁，其在所述边框区域中，以包围所述平坦化膜的方式，由与所述平坦化膜相同材料来形成在相同层上，且用于抑制所述有机膜的膨胀，
所述阻挡壁设置在所述各布线上，
所述第二有机膜设置在所述阻挡壁的所述显示区域侧以及与所述显示区域相反的一侧的各周端面的下部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述阻挡壁包括呈框状设置在所述显示区域侧的第一阻挡壁以及以包围所述第一阻挡壁的方式呈框状设置的第二阻挡壁，
所述有机膜隔着所述第一无机膜设置在所述第一阻挡壁的所述显示区域侧的周端面以及上表面。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
在所述第二阻挡壁的上表面，所述第一无机膜及第二无机膜彼此接触。
CN201880090601.2A 2018-03-02 2018-03-02 显示装置及其制造方法 Active CN111837458B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/008096 WO2019167270A1 (ja) 2018-03-02 2018-03-02 表示装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111837458A CN111837458A (zh) 2020-10-27
CN111837458B true CN111837458B (zh) 2023-06-13

Family

ID=67808885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880090601.2A Active CN111837458B (zh) 2018-03-02 2018-03-02 显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11417862B2 (zh)
CN (1) CN111837458B (zh)
WO (1) WO2019167270A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019187121A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示装置
WO2020059125A1 (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 シャープ株式会社 表示装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1458640A (zh) * 2002-05-15 2003-11-26 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
JP2004272012A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2006278021A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Pioneer Electronic Corp 有機機能素子封止膜検査方法及び構造
JP2007172873A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Kyocera Corp 画像表示装置およびその製造方法
JP2009110793A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Kyocera Corp 画像表示装置の製造方法およびそれに用いる露光マスク
CN101647320A (zh) * 2007-03-27 2010-02-10 住友化学株式会社 有机薄膜晶体管基板及其制造方法、以及图像显示面板及其制造方法
JP2010218940A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP2011018686A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
TW201234437A (en) * 2011-01-21 2012-08-16 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN105609525A (zh) * 2014-11-07 2016-05-25 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN107665957A (zh) * 2016-07-28 2018-02-06 株式会社日本显示器 显示装置的制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
CN102450102B (zh) * 2009-06-19 2015-01-07 夏普株式会社 有机el显示装置及其制造方法
JP5306097B2 (ja) 2009-07-29 2013-10-02 双葉電子工業株式会社 透過型有機ｅｌ表示装置
JP6636865B2 (ja) * 2016-06-24 2020-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置
KR101834792B1 (ko) * 2016-08-31 2018-03-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180070218A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2020065710A1 (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
CN113508641A (zh) * 2019-02-27 2021-10-15 夏普株式会社 显示装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1458640A (zh) * 2002-05-15 2003-11-26 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
JP2004272012A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2006278021A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Pioneer Electronic Corp 有機機能素子封止膜検査方法及び構造
JP2007172873A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Kyocera Corp 画像表示装置およびその製造方法
CN101647320A (zh) * 2007-03-27 2010-02-10 住友化学株式会社 有机薄膜晶体管基板及其制造方法、以及图像显示面板及其制造方法
JP2009110793A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Kyocera Corp 画像表示装置の製造方法およびそれに用いる露光マスク
JP2010218940A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP2011018686A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
TW201234437A (en) * 2011-01-21 2012-08-16 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN105609525A (zh) * 2014-11-07 2016-05-25 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN107665957A (zh) * 2016-07-28 2018-02-06 株式会社日本显示器 显示装置的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019167270A1 (ja) 2019-09-06
US11417862B2 (en) 2022-08-16
CN111837458A (zh) 2020-10-27
US20210005842A1 (en) 2021-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111567142B (zh) 显示装置及其制造方法
US11957015B2 (en) Display device
CN113508641A (zh) 显示装置
US11342398B2 (en) Display device and method of manufacturing same
US11508797B2 (en) Display device including island-shaped inorganic films
WO2020039555A1 (ja) 表示装置
US11997889B2 (en) Display device
CN111837458B (zh) 显示装置及其制造方法
US11985876B2 (en) Display device
WO2020148852A1 (ja) 表示装置
WO2019186702A1 (ja) 表示装置
WO2019186812A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
CN114930435B (zh) 显示装置
WO2019142261A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2020008588A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2020115906A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2020017007A1 (ja) 表示装置およびその製造方法
WO2020053923A1 (ja) 表示装置
WO2023162094A1 (ja) 表示装置
CN112753279B (zh) 显示装置及显示装置的制造方法
CN112740309B (zh) 显示装置
WO2019186814A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2019171584A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
CN116018895A (zh) 显示装置及其制造方法
CN114846907A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant