WO2019186814A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
- a self-luminous organic EL display device using an organic EL (electroluminescence) element has attracted attention as a display device that replaces a liquid crystal display device.
- organic EL display device a sealing structure in which a sealing film covering the organic EL element is configured by a laminated film of an inorganic film and an organic film in order to suppress deterioration of the organic EL element due to mixing of moisture, oxygen, or the like. has been proposed.
- Patent Document 1 has a laminated structure in which an inorganic film layer formed by a CVD (chemical vapor deposition) method or the like and an organic film layer formed by an ink jet method or the like are alternately arranged, and organic light emission A display device including a thin film sealing layer covering an element is disclosed.
- CVD chemical vapor deposition
- the organic EL display device includes, for example, a resin substrate, a TFT (thin film transistor) layer provided on the resin substrate, and an organic EL element provided on the TFT layer.
- the TFT layer includes a plurality of lead wirings provided so as to extend in parallel to each other in the frame region, and a planarization film provided on each lead wiring and having a flat surface in the display region.
- the organic EL element includes, for example, a plurality of first electrodes, an edge cover, a plurality of organic EL layers, and a second electrode that are sequentially provided on the planarizing film.
- the barrier wall is formed in the same layer as the planarizing film using the same material, a developer used for forming the planarizing film, an etching solution used for forming the first electrode, and an edge cover are provided.
- Each lead wiring is damaged by the developer used for forming, and for example, the end of the cross sectional shape of each lead wiring is formed in a bowl shape. If it becomes so, since the sealing performance of the sealing film formed on each routing wiring will fall, there exists a possibility that an organic EL element may deteriorate.
- the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to suppress damage received during the manufacturing process of the lead wiring.
- a display device includes a base substrate, a TFT layer provided on the base substrate, a light emitting element provided on the TFT layer and constituting a display region,
- the TFT layer is configured to cover the light emitting element, and includes a sealing film in which a first inorganic film, an organic film, and a second inorganic film are sequentially stacked, a frame area provided around the display area, and the TFT layer.
- a plurality of routing lines provided in the frame region so as to extend in parallel to each other; and the TFT layer, and provided on each of the routing lines, having a flat surface in the display region, and the frame region
- the planarizing film in which a frame-like slit is formed so as to overlap with the peripheral edge of the organic film, and the frame is provided inside the slit, and is formed in the same layer as the planarizing film with the same material. Dam
- Each of the routing wirings is provided so as to intersect the slit, and the planarizing film is formed on the routing wiring exposed from the damming wall inside the slit.
- a thinner resin layer is provided so as to overlap the respective lead wirings.
- the resin layer formed thinner than the planarizing film is provided on each routing wiring exposed from the blocking wall inside the slit so as to overlap each routing wiring, the routing wiring The damage received during the manufacturing process can be suppressed.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the display region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 6 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 7 is a plan view of a frame region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 8 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device taken along line VIII-VIII in FIG.
- FIG. 9 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device taken along line IX-IX in FIG.
- FIG. 10 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device taken along line XX in FIG.
- FIG. 11 is a plan view showing a planarization film forming step constituting the TFT layer forming step in the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 8 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device taken along line VIII-VIII in FIG.
- FIG. 9 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device taken along line IX-IX in FIG.
- FIG. 12 is a cross-sectional view showing a planarization film forming step along the line XII-XII in FIG.
- FIG. 13 is a plan view of a multi-tone mask used in the planarization film forming step.
- FIG. 14 is a plan view of a frame region of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- FIG. 15 is a plan view of a frame region of an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
- FIG. 16 is a plan view of a frame region of an organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
- FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the display region D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 20 constituting the organic EL display device 50a.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50a.
- FIG. 6 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50a.
- FIG. 7 is a plan view of the frame region F of the organic EL display device 50a.
- FIG. 9 and FIG. 10 are cross-sectional views of the frame region F of the organic EL display device 50a taken along line VIII-VIII, line IX-IX and line XX in FIG.
- the organic EL display device 50 a includes, for example, a display area D for displaying an image provided in a rectangular shape and a frame area F provided around the display area D.
- a display area D for displaying an image provided in a rectangular shape
- a frame area F provided around the display area D.
- a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
- the sub-pixel P having a red light-emitting area Lr for displaying red
- sub-pixels P having a blue light emitting region Lb for blue display are provided adjacent to each other.
- one pixel is configured by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting area Lr, a green light emitting area Lg, and a blue light emitting area Lb. Further, a terminal region T is provided at the right end of the frame region F in FIG.
- the organic EL display device 50 a includes a resin substrate layer 10 provided as a base substrate, a TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10, and a TFT layer 20 in the display region D.
- An organic EL element 25 provided as a light emitting element constituting the display region D and a sealing film 30 provided so as to cover the organic EL element 25 are provided.
- the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin.
- the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11.
- a flattening film 19 is provided on each first TFT 9a, each second TFT 9b, and each capacitor 9c.
- a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel in the horizontal direction in the drawings.
- a plurality of source lines 18 f are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
- a plurality of power supply lines 18g are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
- Each power line 18g is provided adjacent to each source line 18f as shown in FIG.
- a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c are provided in each sub-pixel P.
- the base coat film 11 is composed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride or the like.
- the first TFT 9 a is electrically connected to the corresponding gate line 14 and source line 18 f in each subpixel P.
- the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17 and the like provided in order on the base coat film 11.
- a source electrode 18a and a drain electrode 18b are provided.
- the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11, and has a channel region, a source region, and a drain region, as will be described later. Further, as shown in FIG.
- the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a.
- the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12a.
- the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are sequentially provided so as to cover the gate electrode 14a.
- the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, as shown in FIG.
- the source electrode 18a and the drain electrode 18b are connected to each other through contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, respectively.
- the semiconductor layer 12a is electrically connected to the source region and the drain region, respectively.
- the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are composed of a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride, for example. .
- the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
- the first TFT 9b includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17 and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11.
- a source electrode 18c and a drain electrode 18d are provided.
- the semiconductor layer 12b is provided in an island shape on the base coat film 11, and has a channel region, a source region, and a drain region, like the semiconductor layer 12a. Further, as shown in FIG.
- the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b.
- the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b.
- the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are sequentially provided so as to cover the gate electrode 14b.
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG. As shown in FIG.
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are connected to each other through contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, respectively.
- the semiconductor layer 12b is electrically connected to the source region and the drain region, respectively.
- the top gate type first TFT 9a and the second TFT 9b are illustrated, but the first TFT 9a and the second TFT 9b may be a bottom gate type.
- the capacitor 9c is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and power supply line 18g in each sub-pixel P.
- the capacitor 9c includes a lower conductive layer 14c formed of the same material in the same layer as the gate electrode 14a and the like, and a first interlayer insulating film provided so as to cover the lower conductive layer 14c. 15 and an upper conductive layer 16 provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap the lower conductive layer 14c.
- the upper conductive layer 16 is electrically connected to the power supply line 18g through a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17, as shown in FIG.
- the flattening film 19 has a flat surface in the display region D and is made of, for example, an organic resin material such as polyimide resin.
- an organic resin material such as polyimide resin.
- the planarization film 19 made of polyimide resin is exemplified, but the planarization film 19 may be made of an organic resin material such as an acrylic resin or a polysiloxane resin.
- the organic EL element 25 includes a plurality of first electrodes 21, an edge cover 22, a plurality of organic EL layers 23, and a second electrode 24 that are sequentially provided on the TFT layer 20.
- the plurality of first electrodes 21 are provided as pixel electrodes (anodes) in a matrix on the planarizing film 19 so as to correspond to the plurality of subpixels P.
- the first electrode 21 is electrically connected to the drain electrode 18 d of each second TFT 9 b through a contact hole formed in the planarizing film 19.
- the first electrode 21 has a function of injecting holes into the organic EL layer 23.
- the first electrode 21 is more preferably formed of a material having a high work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 23.
- examples of the material constituting the first electrode 21 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au). , Titanium (Ti), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), ytterbium (Yb), lithium fluoride (LiF), platinum (Pt), palladium (Pd), molybdenum (Mo), iridium ( Examples thereof include metal materials such as Ir) and tin (Sn).
- the material constituting the first electrode 21 may be, for example, an alloy such as astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ).
- the material constituting the first electrode 21 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. There may be.
- the first electrode 21 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials. Examples of the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
- the edge cover 22 is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral end portion of each first electrode 21.
- a material which comprises the edge cover 22 organic films, such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, are mentioned, for example.
- each organic EL layer 23 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection provided on the first electrode 21 in order.
- Layer 5 is provided.
- the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of improving the efficiency of hole injection from the first electrode 21 to the organic EL layer 23 by bringing the energy levels of the first electrode 21 and the organic EL layer 23 closer to each other.
- a material constituting the hole injection layer for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Examples include hydrazone derivatives and stilbene derivatives.
- the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 21 to the organic EL layer 23.
- examples of the material constituting the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole.
- Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.
- the light emitting layer 3 when voltage is applied by the first electrode 21 and the second electrode 24, holes and electrons are injected from the first electrode 21 and the second electrode 24, respectively, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
- the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, and coumarin derivatives.
- the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
- examples of the material constituting the electron transport layer 4 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
- the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy level of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 to the organic EL layer 23. With this function, The drive voltage of the organic EL element 25 can be lowered.
- the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
- a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride.
- Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO), and the like can be given.
- the second electrode 24 is provided as a common electrode (cathode) so as to cover each organic EL layer 23 and the edge cover 22.
- the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23.
- the second electrode 24 is more preferably composed of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 23.
- examples of the material constituting the second electrode 24 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), and sodium (Na).
- the second electrode 24 is formed of, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2). ), Lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. May be.
- the second electrode 24 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. .
- the second electrode 24 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
- the sealing film 30 is provided so as to cover the second electrode 24, and includes a first inorganic film 26, an organic film 27, and a second inorganic film 28 that are sequentially stacked on the second electrode 24. And has a function of protecting the organic EL layer 23 of the organic EL element 25 from moisture and oxygen.
- the first inorganic film 26 and the second inorganic film 28 are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
- the organic film 27 is made of an organic resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a silicone resin, a polyurea resin, a parylene resin, a polyimide resin, or a polyamide resin.
- the organic EL display device 50 a has a resin substrate layer 10, an inorganic insulating laminated film L provided on the resin substrate layer 10, and an inorganic insulating laminated film L in the frame region F.
- the inorganic insulating laminated film L includes a base coat film 11, a gate insulating film 13, a first interlayer insulating film 15, and a second interlayer insulating film 17 that are sequentially provided on the resin substrate layer 10. is there.
- a frame-shaped slit S is formed so as to overlap the peripheral end portion of the organic film 27 in the frame region F.
- a plurality of lead wirings 18h are provided so as to extend in parallel to each other in a direction (lateral direction in FIG. 1) orthogonal to the direction in which the terminal region T extends. Further, one end portion (left end portion in FIG. 6) of each routing wiring 18h is electrically connected to a display wiring (gate line 14, source line 18f, power supply line 18g, etc.) provided in the display area D. Yes. Further, the other end portion (the right end portion in FIG. 6) of each routing wiring 18 h extends toward the terminal region T. Further, as shown in FIGS. 6 and 7, each routing wiring 18 h is provided so as to intersect the slit S and intersect the peripheral end surface of the planarizing film 19 and the damming wall W.
- each lead wiring 18h is formed of the same material in the same layer as the source electrode 18a and the like.
- the routing wiring 18h formed by a laminated film in which a titanium film, an aluminum film, and a titanium film are sequentially stacked is illustrated.
- the routing wiring 18h is replaced with the titanium film.
- a refractory metal film such as molybdenum, tantalum, or tungsten may be used.
- the sealing film 30 disposed on the entire surface in the drawing is omitted.
- the damming wall W is provided in a frame shape inside the slit S (see FIG. 6) so as to surround the organic EL element 25 constituting the display region D, and the organic film of the sealing film 30. 27 is configured to suppress the spread of 27.
- the dam wall W has a frame shape so as to surround the first dam wall Wa provided in a frame shape on the display region D side and the first dam wall Wa.
- a second dam wall Wb provided.
- the first dam wall Wa and the second dam wall Wb are formed of the same material in the same layer as the planarizing film 19.
- first damming wall Wa and the second damming wall Wb formed of the same material in the same layer as the planarizing film 19 are exemplified, but the first damming wall Wa and the second damming wall are illustrated.
- the wall Wb may be, for example, a laminated structure of a lower layer wall formed of the same material in the same layer as the planarizing film 19 and an upper layer wall formed of the same material in the same layer as the edge cover 22.
- each routing wire 18h exposed from the first damming wall Wa and the second damming wall Wb is routed as shown in FIGS.
- a resin layer 19aa is provided so as to overlap both end portions of the wiring 18h.
- the resin layer 19aa is formed in the same layer as the planarizing film 19 to be thinner than the planarizing film 19 with the same material, and is integrated with the planarizing film 19, the first damming wall Wa, or the second damming wall Wb. Is provided.
- the organic film 27 of the sealing film 30 is provided in the frame region F through the first inorganic film 26 to the left side surface of the first dam wall Wa in the drawing.
- the first inorganic film 26 and the second inorganic film 28 of the sealing film 30 are in contact with each other.
- the configuration in which the organic film 27 is dammed by the side surface on the display region D side of the first damming wall Wa is illustrated, but the organic film 27 is, for example, the upper surface of the second damming wall Wb. May have reached.
- a gate signal is input to the first TFT 9a via the gate line 14, thereby turning on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
- a predetermined voltage corresponding to the source signal is written to 14b and the capacitor 9c, the magnitude of the current from the power supply line 18g is defined based on the gate voltage of the second TFT 9b, and the defined current is supplied to the organic EL layer 23.
- the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light to display an image.
- the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c. Therefore, the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. Maintained.
- FIG. 11 is a plan view showing a planarization film forming step constituting the TFT layer forming step in the method of manufacturing the organic EL display device 50a.
- FIG. 12 is a cross-sectional view showing the planarization film forming step along the line XII-XII in FIG.
- FIG. 13 is a plan view of the multi-tone mask M used in the planarization film forming step.
- the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the present embodiment is an organic including a TFT layer forming step including a lead wiring forming step and a planarizing film forming step, a first electrode forming step, an edge cover forming step, and an ashing step.
- ⁇ TFT layer formation process For example, the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, the planarizing film 19, the first damming wall Wa, and the first surface are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate by using a known method. 2 The dam wall Wb is formed, and the TFT layer 20 is formed.
- the lead wiring 18h is simultaneously formed in the frame region F (leading wiring forming step).
- the planarizing film 19 is formed on the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the routing wiring 18h, the first damming wall Wa and the second damming wall Wb are simultaneously formed in the frame region F (flattening). Film formation step).
- the planarization film 19 and the first layer are formed on the photosensitive resin precursor using a multi-tone mask M such as a halftone or a gray tone.
- the first dam wall Wa and the second dam wall Wb are formed, and the resin layer 19ab is formed on each routing wire 18h exposed from the first dam wall Wa and the second dam wall Wb in the slit S.
- the resin layer 19ab corresponds to the half-exposure portion of the multi-tone mask M (rough hatched portion in FIG. 13), it corresponds to the light-shielding portion of the multi-tone mask M (fine hatch portion in FIG. 13).
- the planarizing film 19, the first damming wall Wa, and the second damming wall Wb are formed thinner. Further, as shown in FIG. 11, the resin layer 19ab is formed so as to overlap both side ends of each routing wire 18h and to cover both side surfaces of each routing wire 18h as shown in FIG.
- the resin layer 19ab is formed so as to cover both side surfaces of each lead wiring 18h, so that, for example, a lamination of the titanium film 6, the aluminum film 7, and the titanium film 8 is performed. Both side surfaces of the lead wiring 18h made of a film are not easily damaged by the developer for developing the photosensitive resin precursor.
- the resin layer 19ab is not formed, the aluminum film 7 is easily damaged by the developer, so that the side surface Ea of the aluminum film 7 recedes as indicated by a two-dot chain line Eb in FIG. Both end portions are easily formed in a bowl shape.
- the first electrode 21, the edge cover 22, the organic EL layer 23 (the hole injection layer 1, the hole transport are used by a known method.
- the layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5), and the second electrode 24 are formed, and the organic EL element 25 is formed.
- the organic EL layer forming step for forming the organic EL layer 23 is performed.
- the resin film 19ab is performed before the ashing process for ashing.
- a resist pattern that exposes the resin film 19ab is formed on the substrate surface on which the edge cover 22 is formed in the edge cover forming process by photolithography, and then, for example, an ashing process using plasma is performed through the resist pattern.
- an ashing process using plasma is performed through the resist pattern.
- a part of the resin film 19ab is left to form the resin layer 19aa, and then the used resist pattern is peeled off.
- the first electrode forming step as shown in FIG.
- both side surfaces of each lead wiring 18h are covered with the resin layer 19ab, as in the above-described planarizing film forming step. Both side surfaces of the lead wiring 18 h made of the laminated film of the aluminum film 7 and the titanium film 8 are less likely to be damaged by the etching solution used when forming the first electrode 21.
- the resin layer 19ab is not formed, the aluminum film 7 is easily damaged by the etching solution, so that the side surface Ea of the aluminum film 7 recedes as indicated by a two-dot chain line Eb in FIG. Both end portions are easily formed in a bowl shape. Also, in the edge cover forming step, as shown in FIG.
- both side surfaces of each lead wiring 18h are covered with the resin layer 19ab, as in the above-described planarizing film forming step. Both side surfaces of the lead wiring 18h made of a laminated film of the aluminum film 7 and the titanium film 8 are less likely to be damaged by the developer for developing the photosensitive resin precursor.
- the resin layer 19ab is not formed, the aluminum film 7 is easily damaged by the developer, so that the side surface Ea of the aluminum film 7 recedes as indicated by a two-dot chain line Eb in FIG. Both end portions are easily formed in a bowl shape.
- the apparatus configuration and the manufacturing method thereof for ashing the resin film 19ab to form the resin layer 19aa are illustrated, but the resin film 19ab is left as it is without ashing, or the resin film 19ab is ashed. Alternatively, all of the resin film 19ab may be removed.
- the manufacturing method in which the ashing process is performed after the edge cover forming process is illustrated, but the manufacturing method in which the ashing process is performed between the first electrode forming process and the edge cover forming process may be used. According to the manufacturing method, photolithography in the above-described ashing process becomes unnecessary.
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the surface of the substrate on which the organic EL element 25 has been formed in the organic EL element forming step by using a plasma CVD method.
- the first inorganic film 26 is formed by forming a film with a thickness of about 1000 nm.
- an organic resin material such as an acrylic resin is formed to a thickness of about 10 ⁇ m on the surface of the substrate on which the first inorganic film 26 is formed, for example, by an inkjet method, thereby forming the organic film 27.
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the substrate on which the organic film 27 is formed to a thickness of about 500 nm by plasma CVD using a mask. Then, the sealing film 30 is formed by forming the second inorganic film 28.
- the glass substrate side of the resin substrate layer 10 is irradiated with laser light from the lower surface of the resin substrate layer 10 to form glass A substrate is peeled off, and a protective sheet (not shown) is attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 from which the glass substrate has been peeled off.
- the organic EL display device 50a of this embodiment can be manufactured.
- the organic EL display device 50a and the manufacturing method thereof according to the present embodiment on the respective lead wirings 18h exposed from the planarizing film 19, the first damming wall Wa, and the second damming wall Wb.
- the resin layer 19ab formed thinner than the planarizing film 19 is provided so as to cover both side surfaces of each lead wiring 18h. Therefore, in the flattening film forming step, the photosensitive resin precursor to be the flattening film 19 is routed from the developer for developing, and both side surfaces of the wiring 18h are hardly damaged. Also in the first electrode process, both side surfaces of the wiring 18h are less likely to be damaged from the etching solution used when forming the first electrode 21.
- the photosensitive resin precursor to be the edge cover 22 is routed from the developing solution for developing, and both side surfaces of the wiring 18h are hardly damaged.
- both side surfaces of the routing wiring 18h are hardly damaged, and therefore, the damage received during the manufacturing process of the routing wiring 18h can be suppressed. it can.
- both side surfaces of the lead wiring 18h made of the laminated film of the titanium film 6, the aluminum film 7, and the titanium film 8 are not easily damaged.
- the end of the cross-sectional shape of each routing wiring 18h is difficult to be formed in a bowl shape. Thereby, since the sealing performance of the sealing film 30 which covers each routing wiring 18h can be ensured, deterioration of the organic EL element 25 can be suppressed.
- the resin layer 19ab is formed thinner than the planarizing film 19 by the multi-tone mask M, and therefore the resin layer 19ab is removed by ashing. Can be made easier.
- the organic EL display device 50a and the manufacturing method thereof of the present embodiment most of the resin layer 19ab is removed, and the planarizing film 19, the first damming wall Wa, and the second damming wall Wb are separated. Therefore, the intrusion of moisture from the frame area F to the display area D is suppressed, and deterioration of the organic EL element 25 can be suppressed.
- FIG. 14 shows a second embodiment of the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention.
- FIG. 14 is a plan view of the frame region F of the organic EL display device 50b of the present embodiment, and corresponds to FIG.
- the same parts as those in FIGS. 1 to 13 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
- the organic EL display device 50a in which the resin layer 19aa (19ab) is provided on each side end portion of the routing wiring 18h is illustrated.
- the adjacent routing wiring 18h The organic EL display device 50b in which the resin layer 19b is provided so as to be common to the opposite end portions is illustrated.
- the organic EL display device 50b includes a display region D and a frame region F provided around the display region D, like the organic EL display device 50a of the first embodiment.
- the organic EL display device 50b includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10, and a TFT layer in the display region D. And an organic EL element 25 provided on 20 and a sealing film 30 provided so as to cover the organic EL element 25.
- the organic EL display device 50b includes a resin substrate layer 10 and an inorganic insulating laminated film L provided on the resin substrate layer 10 in the frame region F.
- a resin layer 19b is provided so as to overlap with both end portions.
- the resin layer 19b is formed in the same layer as the planarizing film 19 to be thinner than the planarizing film 19 with the same material, and is integrated with the planarizing film 19, the first damming wall Wa, and the second damming wall Wb. Is provided. Further, as shown in FIG. 14, the resin layer 19b is provided in common between a pair of adjacent routing wires 18h.
- the organic EL display device 50b described above is flexible like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and in each subpixel P, the organic EL layer 23 is interposed via the first TFT 9a and the second TFT 9b.
- the light emitting layer 3 is configured to emit an image by appropriately emitting light.
- the organic EL display device 50b of the present embodiment changes the planar shape of the half-exposure portion of the multi-tone mask M used in the planarization film forming step in the method of manufacturing the organic EL display device 50a described in the first embodiment. However, it can be manufactured by omitting the ashing step. In this embodiment, the apparatus configuration and the manufacturing method thereof that omits the ashing process are illustrated. However, as in the first embodiment, the resin film 19b is ashed, for example, the planarization film of the resin layer 19b. 19. A part of the first dam wall Wa or the second dam wall Wb may be left.
- the wiring lines 18h exposed from the planarization film 19, the first damming wall Wa, and the second damming wall Wb are provided.
- the resin layer 19b formed thinner than the planarizing film 19 is provided so as to cover both side surfaces of each lead wiring 18h. Therefore, in the flattening film forming step, the photosensitive resin precursor to be the flattening film 19 is routed from the developer for developing, and both side surfaces of the wiring 18h are hardly damaged. Also in the first electrode process, both side surfaces of the wiring 18h are less likely to be damaged from the etching solution used when forming the first electrode 21.
- the photosensitive resin precursor to be the edge cover 22 is routed from the developing solution for developing, and both side surfaces of the wiring 18h are hardly damaged.
- both side surfaces of the routing wiring 18h are hardly damaged, and therefore, the damage received during the manufacturing process of the routing wiring 18h can be suppressed. it can.
- both side surfaces of the lead wiring 18h made of the laminated film of the titanium film 6, the aluminum film 7 and the titanium film 8 are not easily damaged.
- the end of the cross-sectional shape of each routing wiring 18h is difficult to be formed in a bowl shape. Thereby, since the sealing performance of the sealing film 30 which covers each routing wiring 18h can be ensured, deterioration of the organic EL element 25 can be suppressed.
- FIG. 15 shows a third embodiment of the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention.
- FIG. 15 is a plan view of the frame region F of the organic EL display device 50c of the present embodiment, and corresponds to FIG.
- the organic EL display devices 50a and 50b in which the resin layers 19aa (19ab) and 19b are provided at the side end portions of the routing wirings 18h are illustrated, but in the present embodiment, The organic EL display device 50c in which the resin layer 19c is provided so as to cover the lead wiring 18h is illustrated.
- the organic EL display device 50c includes a display region D and a frame region F provided around the display region D, like the organic EL display device 50a of the first embodiment.
- the organic EL display device 50c includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10, and a TFT layer in the display region D. And an organic EL element 25 provided on 20 and a sealing film 30 provided so as to cover the organic EL element 25.
- the organic EL display device 50c includes a resin substrate layer 10 and an inorganic insulating laminated film L provided on the resin substrate layer 10 in the frame region F.
- a resin layer 19c is provided so as to cover it.
- the resin layer 19c is formed in the same layer as the planarizing film 19 to be thinner than the planarizing film 19 with the same material, and is integrated with the planarizing film 19, the first damming wall Wa, and the second damming wall Wb. Is provided.
- the organic EL display device 50c described above is flexible, like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and in each subpixel P, the organic EL layer 23 is interposed via the first TFT 9a and the second TFT 9b.
- the light emitting layer 3 is configured to emit an image by appropriately emitting light.
- the organic EL display device 50c of this embodiment changes the planar shape of the half-exposed portion of the multi-tone mask M used in the planarization film forming step in the method of manufacturing the organic EL display device 50a described in the first embodiment. However, it can be manufactured by omitting the ashing step. In the present embodiment, the apparatus configuration and the manufacturing method thereof that omits the ashing process are illustrated. However, as in the first embodiment, the resin film 19c is ashed, for example, the planarization film of the resin layer 19c. 19. A part of the first dam wall Wa or the second dam wall Wb may be left.
- the planarizing film 19, the first damming wall Wa, and the second damming wall Wb are exposed on the routing wirings 18h.
- the resin layer 19c formed thinner than the planarizing film 19 is provided so as to cover each lead wiring 18h. Therefore, in the flattening film forming step, the photosensitive resin precursor to be the flattening film 19 is routed from the developer for developing, and both side surfaces of the wiring 18h are hardly damaged. Also in the first electrode process, both side surfaces of the wiring 18h are less likely to be damaged from the etching solution used when forming the first electrode 21.
- the photosensitive resin precursor to be the edge cover 22 is routed from the developing solution for developing, and both side surfaces of the wiring 18h are hardly damaged.
- both side surfaces of the routing wiring 18h are hardly damaged, and therefore, the damage received during the manufacturing process of the routing wiring 18h can be suppressed. it can.
- both side surfaces of the lead wiring 18h made of the laminated film of the titanium film 6, the aluminum film 7 and the titanium film 8 are not easily damaged.
- the end of the cross-sectional shape of each routing wiring 18h is difficult to be formed in a bowl shape. Thereby, since the sealing performance of the sealing film 30 which covers each routing wiring 18h can be ensured, deterioration of the organic EL element 25 can be suppressed.
- FIG. 16 shows a fourth embodiment of the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention.
- FIG. 16 is a plan view of the frame region F of the organic EL display device 50d of the present embodiment, and corresponds to FIG.
- the organic EL display device 50c in which the resin layer 19c is provided so as to cover each lead wiring 18h is exemplified.
- the resin layer 19d is provided so as to cover each lead wiring 18h.
- the organic EL display device 50d provided integrally is illustrated.
- the organic EL display device 50d includes a display region D and a frame region F provided around the display region D, like the organic EL display device 50a of the first embodiment.
- the organic EL display device 50d includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10, and a TFT layer in the display region D. And an organic EL element 25 provided on 20 and a sealing film 30 provided so as to cover the organic EL element 25.
- the organic EL display device 50d includes a resin substrate layer 10 and an inorganic insulating laminated film L provided on the resin substrate layer 10 in the frame region F.
- each routing wiring 18 h is provided on each routing wiring 18 h exposed from the first damming wall Wa and the second damming wall Wb in the slit S formed in the planarizing film 19.
- a resin layer 19d is integrally provided so as to cover it.
- the resin layer 19d is formed in the same layer as the planarizing film 19 to be thinner than the planarizing film 19 with the same material, and is integrated with the planarizing film 19, the first damming wall Wa, and the second damming wall Wb. Is provided.
- the organic EL display device 50d described above is flexible, like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and in each subpixel P, the organic EL layer 23 is interposed via the first TFT 9a and the second TFT 9b.
- the light emitting layer 3 is configured to emit an image by appropriately emitting light.
- the organic EL display device 50d of the present embodiment changes the planar shape of the half-exposure portion of the multi-tone mask M used in the planarization film forming step in the method of manufacturing the organic EL display device 50a described in the first embodiment. However, it can be manufactured by omitting the ashing step. In this embodiment, the apparatus configuration and the manufacturing method thereof that omits the ashing process are illustrated. However, as in the first embodiment, the resin film 19d is ashed to form, for example, a planarization film of the resin layer 19d. 19. A part of the first dam wall Wa or the second dam wall Wb may be left.
- the planarizing film 19, the first damming wall Wa, and the second damming wall Wb are exposed on the routing wirings 18h.
- the resin layer 19 d formed thinner than the planarizing film 19 is provided so as to cover each lead wiring 18. Therefore, in the flattening film forming step, the photosensitive resin precursor to be the flattening film 19 is routed from the developer for developing, and both side surfaces of the wiring 18h are hardly damaged. Also in the first electrode process, both side surfaces of the wiring 18h are less likely to be damaged from the etching solution used when forming the first electrode 21.
- the photosensitive resin precursor to be the edge cover 22 is routed from the developing solution for developing, and both side surfaces of the wiring 18h are hardly damaged.
- both side surfaces of the routing wiring 18h are hardly damaged, and therefore, the damage received during the manufacturing process of the routing wiring 18h can be suppressed. it can.
- the surface of the lead wiring 18h made of the laminated film of the titanium film 6, the aluminum film 7, and the titanium film 8 is not easily damaged.
- the end of the cross-sectional shape of the routing wiring 18h is not easily formed in a bowl shape.
- the present embodiment and the third embodiment not only the both side surfaces of the routing wiring 18h but also the surface damage can be suppressed.
- a titanium film and a copper film are sequentially stacked from the lower layer.
- the present invention can also be applied to the wired wiring.
- a refractory metal film such as molybdenum, tantalum, or tungsten may be used instead of the titanium film.
- the organic EL display device in which the resin layer is formed thinner than the planarization film using the multi-tone mask and the manufacturing method thereof are exemplified, but the resin layer is used without using the multi-tone mask. May be formed to the same thickness as the planarizing film, and the resin layer may be removed by partial ashing if necessary.
- an organic EL layer having a five-layer structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified.
- a three-layer structure of a hole injection layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer may be employed.
- the organic EL display device using the first electrode as an anode and the second electrode as a cathode has been exemplified.
- the present invention reverses the stacked structure of the organic EL layers and uses the first electrode as a cathode.
- the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
- the organic EL display device using the TFT electrode connected to the first electrode as the drain electrode has been exemplified.
- the TFT electrode connected to the first electrode is used as the source electrode. It can also be applied to an organic EL display device called.
- the organic EL display device is described as an example of the display device.
- the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by current.
- the present invention can be applied to a display device including a QLED (Quantum-dot light emitting diode) that is a light-emitting element using a quantum dot-containing layer.
- QLED Quantum-dot light emitting diode
- the present invention is useful for flexible display devices.
Landscapes
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Abstract
額縁領域（Ｆ）において互いに平行に延びる複数の引き回し配線（１８ｈ）は、平坦化膜（１９）に形成されたスリット（Ｓ）と交差するように設けられ、スリット（Ｓ）の内部において堰き止め壁（Ｗ）から露出する各引き回し配線（１８ｈ）上には、平坦化膜（１９）よりも薄く形成された樹脂層（１９ａａ）が各引き回し配線（１８ｈ）と重なるように設けられている。
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を無機膜及び有機膜の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
例えば、特許文献１には、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により形成された無機膜層と、インクジェット法等により形成された有機膜層とが交互に配置された積層構造を有し、有機発光素子を覆う薄膜封止層を備えた表示装置が開示されている。
ところで、上記特許文献１に開示された表示装置のように、封止膜の有機膜をインクジェット法により形成する場合には、有機ＥＬ素子が設けられた表示領域の周囲の額縁領域に、有機膜となるインクを堰き止めるための堰止壁を設ける必要がある。また、有機ＥＬ表示装置は、例えば、樹脂基板と、樹脂基板上に設けられたＴＦＴ（thin film transistor）層と、ＴＦＴ層上に設けられた有機ＥＬ素子とを備えている。ここで、ＴＦＴ層は、額縁領域において互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線と、各引き回し配線上に設けられ、表示領域において平坦な表面を有する平坦化膜とを備えている。また、有機ＥＬ素子は、例えば、平坦化膜上に順に設けられた複数の第１電極、エッジカバー、複数の有機ＥＬ層及び第２電極を備えている。そして、堰き止め壁を平坦化膜と同一層に同一材料により形成する場合には、平坦化膜を形成する際に用いる現像液、第１電極を形成する際に用いるエッチング液、及びエッジカバーを形成する際に用いる現像液から各引き回し配線がダメージを受けて、例えば、各引き回し配線の横断面形状の端部が庇状に形成されてしまう。そうなると、各引き回し配線上に形成される封止膜の封止性能が低下してしまうので、有機ＥＬ素子が劣化するおそれがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、引き回し配線の製造工程中に受けるダメージを抑制することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、上記発光素子を覆うように設けられ、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜と、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、上記ＴＦＴ層を構成し、上記額縁領域において互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線と、上記ＴＦＴ層を構成し、上記各引き回し配線上に設けられ、上記表示領域において平坦な表面を有し、上記額縁領域において上記有機膜の周端部と重なるように枠状のスリットが形成された平坦化膜と、上記スリットの内部に枠状に設けられ、上記平坦化膜と同一層に同一材料により形成された堰き止め壁とを備えた表示装置であって、上記各引き回し配線は、上記スリットと交差するように設けられ、上記スリットの内部において上記堰き止め壁から露出する上記各引き回し配線上には、上記平坦化膜よりも薄く形成された樹脂層が該各引き回し配線と重なるように設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、スリットの内部において堰き止め壁から露出する各引き回し配線上には、平坦化膜よりも薄く形成された樹脂層が各引き回し配線と重なるように設けられているので、引き回し配線の製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図１３は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０を示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。また、図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの平面図である。また、図８、図９及び図１０は、図７中のVIII－VIII線、IX－IX線及びX－X線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。
図１～図１３は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０を示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。また、図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの平面図である。また、図８、図９及び図１０は、図７中のVIII－VIII線、IX－IX線及びX－X線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。ここで、表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、額縁領域Ｆの図１中右端部には、端子領域Ｔが設けられている。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、表示領域Ｄにおいて、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に表示領域Ｄを構成する発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜３０と備えている。
樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９とを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。なお、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、後述するように、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、半導体層１２ａと同様に、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型であってもよい。
キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート電極１４ａ等と同一層に同一材料により形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
平坦化膜１９は、表示領域Ｄにおいて平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。なお、本実施形態では、ポリイミド樹脂製の平坦化膜１９を例示したが、平坦化膜１９は、アクリル樹脂やポリシロキサン樹脂等の有機樹脂材料により構成されていてもよい。
有機ＥＬ素子２５は、図３に示すように、ＴＦＴ層２０上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２、複数の有機ＥＬ層２３及び第２電極２４を備えている。
複数の第１電極２１は、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、平坦化膜１９上にマトリクス状に画素電極（陽極）として設けられている。ここで、第１電極２１は、図３に示すように、平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー２２は、図３に示すように、各第１電極２１の周端部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂等の有機膜が挙げられる。
複数の有機ＥＬ層２３は、図３に示すように、各第１電極２１上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極２４は、図３に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように共通電極（陰極）として設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜３０は、図３に示すように、第２電極２４を覆うように設けられ、第２電極２４上に順に積層された第１無機膜２６、有機膜２７及び第２無機膜２８を備え、有機ＥＬ素子２５の有機ＥＬ層２３を水分や酸素から保護する機能を有している。
第１無機膜２６及び第２無機膜２８は、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。
有機膜２７は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた無機絶縁積層膜Ｌと、無機絶縁積層膜Ｌ上に設けられた引き回し配線１８ｈと、引き回し配線１８ｈ上に設けられた平坦化膜１９及び堰き止め壁Ｗと、引き回し配線１８ｈ、平坦化膜１９及び堰き止め壁Ｗを覆うように設けられた封止膜３０とを備えている。ここで、無機絶縁積層膜Ｌは、図６に示すように、樹脂基板層１０上に順に設けられたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７である。また、平坦化膜１９には、図６及び図７に示すように、額縁領域Ｆにおいて、有機膜２７の周端部と重なるように枠状のスリットＳが形成されている。
引き回し配線１８ｈは、端子領域Ｔの延びる方向と直交する方向（図１中横方向）に互いに平行に延びるように複数設けられている。また、各引き回し配線１８ｈの一方の端部（図６中左端部）は、表示領域Ｄに設けられた表示配線（ゲート線１４、ソース線１８ｆ、電源線１８ｇ等）に電気的に接続されている。また、各引き回し配線１８ｈの他方の端部（図６中右端部）は、端子領域Ｔに向かって延びている。また、各引き回し配線１８ｈは、図６及び図７に示すように、スリットＳと交差して、平坦化膜１９の周端面及び堰き止め壁Ｗと交差するように設けられている。ここで、各引き回し配線１８ｈは、ソース電極１８ａ等と同一層に同一材料により形成されている。なお、本実施形態では、後述するように、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜が順に積層された積層膜により形成された引き回し配線１８ｈを例示したが、引き回し配線１８ｈは、上記チタン膜の代わりに、例えば、モリブデン、タンタル、タングステン等の高融点金属膜を用いてもよい。また、図７の平面図では、図中全面に配置する封止膜３０が省略されている。
堰き止め壁Ｗは、図１に示すように、表示領域Ｄを構成する有機ＥＬ素子２５を囲むようにスリットＳ（図６参照）の内部に枠状に設けられ、封止膜３０の有機膜２７の拡がりを抑制するように構成されている。また、堰き止め壁Ｗは、図６及び図７に示すように、表示領域Ｄ側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａを囲むように枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。ここで、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂは、平坦化膜１９と同一層に同一材料により形成されている。なお、本実施形態では、平坦化膜１９と同一層に同一材料により形成された第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを例示したが、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂは、例えば、平坦化膜１９と同一層に同一材料により形成された下層壁と、エッジカバー２２と同一層に同一材料により形成された上層壁との積層構造であってもよい。
平坦化膜１９に形成されたスリットＳの内部において、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂから露出する各引き回し配線１８ｈ上には、図７～図１０に示すように、各引き回し配線１８ｈの両側端部と重なるように樹脂層１９ａａが設けられている。ここで、樹脂層１９ａａは、平坦化膜１９と同一層に同一材料により平坦化膜１９よりも薄く形成され、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ又は第２堰き止め壁Ｗｂと一体に設けられている。
封止膜３０の有機膜２７は、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、第１無機膜２６を介して、第１堰き止め壁Ｗａの図中左側の側面まで設けられている。ここで、第２堰き止め壁Ｗｂの上面では、封止膜３０の第１無機膜２６及び第２無機膜２８が互いに接触している。なお、本実施形態では、有機膜２７が第１堰き止め壁Ｗａの表示領域Ｄ側の側面で堰き止められた構成を例示したが、有機膜２７は、例えば、第２堰き止め壁Ｗｂの上面まで到達していてもよい。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて電源線１８ｇからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について、図１１～図１３を用いて説明する。ここで、図１１は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法におけるＴＦＴ層形成工程を構成する平坦化膜形成工程を示す平面図である。また、図１２は、図１１中のXII－XII線に沿った平坦化膜形成工程を示す断面図である。また、図１３は、平坦化膜形成工程で用いる多階調マスクＭの平面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、引き回し配線形成工程及び平坦化膜形成工程を含むＴＦＴ層形成工程と、第１電極形成工程、エッジカバー形成工程及びアッシング工程を含む有機ＥＬ素子形成工程と、封止膜形成工程とを備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、並びに平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、並びに平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。
ここで、第１ＴＦＴ９ａのソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂ、並びに第２ＴＦＴ９ｂのソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを形成する際には、額縁領域Ｆにおいて、引き回し配線１８ｈを同時に形成する（引き回し配線形成工程）。さらに、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、及び引き回し配線１８ｈ上に平坦化膜１９を形成する際には、額縁領域Ｆにおいて、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを同時に形成する（平坦化膜形成工程）。この平坦化膜形成工程では、図１１及び図１３に示すように、感光性の樹脂前駆体に対して、ハーフトーンやグレートーン等の多階調マスクＭを用いて、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを形成すると共に、スリットＳの内部において、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂから露出する各引き回し配線１８ｈ上に樹脂層１９ａｂを形成する。そして、樹脂層１９ａｂは、多階調マスクＭのハーフ露光部分（図１３中の粗いハッチング部）に対応するので、多階調マスクＭの遮光部分（図１３中の細かいハッチング部）に対応する平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂよりも薄く形成される。また、樹脂層１９ａｂは、図１１に示すように、各引き回し配線１８ｈの両側端部に重なり、図１２に示すように、各引き回し配線１８ｈの両側面を覆うように形成される。さらに、平坦化膜形成工程では、図１２に示すように、各引き回し配線１８ｈの両側面を覆うように樹脂層１９ａｂを形成するので、例えば、チタン膜６、アルミニウム膜７及びチタン膜８の積層膜からなる引き回し配線１８ｈの両側面が感光性の樹脂前駆体を現像する現像液からダメージを受け難くなっている。なお、樹脂層１９ａｂが形成されない場合には、アルミニウム膜７が現像液からダメージを受け易いので、アルミニウム膜７の側面Ｅａが図１２中の２点鎖線Ｅｂのように後退し、引き回し配線１８ｈの両端部が庇状に形成され易い。
＜有機ＥＬ素子形成工程＞
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極２４を形成して、有機ＥＬ素子２５を形成する。
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極２４を形成して、有機ＥＬ素子２５を形成する。
ここで、第１電極２１を形成する第１電極形成工程、及びそれに続くエッジカバー２２を形成するエッジカバー形成工程を行った後であって、有機ＥＬ層２３を形成する有機ＥＬ層形成工程の前に、上述した樹脂膜１９ａｂをアッシングするアッシング工程を行う。このアッシング工程では、エッジカバー形成工程でエッジカバー２２が形成された基板表面に樹脂膜１９ａｂを露出させるレジストパターンをフォトリソグラフィにより形成した後に、そのレジストパターンを介して、例えば、プラズマによるアッシング処理することにより、樹脂膜１９ａｂの一部を残存させて、樹脂層１９ａａを形成し、その後、使用したレジストパターンを剥離する。さらに、第１電極形成工程では、上記平坦化膜形成工程と同様に、図１２に示すように、各引き回し配線１８ｈの両側面が樹脂層１９ａｂに覆われているので、例えば、チタン膜６、アルミニウム膜７及びチタン膜８の積層膜からなる引き回し配線１８ｈの両側面が第１電極２１を形成する際に用いるエッチング液からダメージを受け難くなっている。なお、樹脂層１９ａｂが形成されない場合には、アルミニウム膜７がエッチング液からダメージを受け易いので、アルミニウム膜７の側面Ｅａが図１２中の２点鎖線Ｅｂのように後退し、引き回し配線１８ｈの両端部が庇状に形成され易い。また、エッジカバー形成工程においても、上記平坦化膜形成工程と同様に、図１２に示すように、各引き回し配線１８ｈの両側面が樹脂層１９ａｂに覆われているので、例えば、チタン膜６、アルミニウム膜７及びチタン膜８の積層膜からなる引き回し配線１８ｈの両側面が感光性の樹脂前駆体を現像する現像液からダメージを受け難くなっている。なお、樹脂層１９ａｂが形成されない場合には、アルミニウム膜７が現像液からダメージを受け易いので、アルミニウム膜７の側面Ｅａが図１２中の２点鎖線Ｅｂのように後退し、引き回し配線１８ｈの両端部が庇状に形成され易い。また、本実施形態では、樹脂膜１９ａｂをアッシングして樹脂層１９ａａを形成する装置構成及びその製造方法を例示したが、樹脂膜１９ａｂをアッシングせずにそのまま残存させたり、樹脂膜１９ａｂをアッシングして樹脂膜１９ａｂの全てを取り除いたりしてもよい。また、本実施形態では、エッジカバー形成工程の後にアッシング工程を行う製造方法を例示したが、アッシング工程を第１電極形成工程及びエッジカバー形成工程の間に行う製造方法であってもよく、この製造方法によれば、上述したアッシング工程でのフォトリソグラフィが不要となる。
＜封止膜形成工程＞
まず、上記有機ＥＬ素子形成工程で有機ＥＬ素子２５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機膜２６を形成する。
まず、上記有機ＥＬ素子形成工程で有機ＥＬ素子２５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機膜２６を形成する。
続いて、第１無機膜２６が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を厚さ１０μｍ程度に成膜して、有機膜２７を形成する。
さらに、有機膜２７が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍ程度に成膜して、第２無機膜２８を形成することにより、封止膜３０を形成する。
最後に、封止膜３０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂから露出する各引き回し配線１８ｈ上には、平坦化膜１９よりも薄く形成された樹脂層１９ａｂが各引き回し配線１８ｈの両側面を覆うように設けられている。そのため、平坦化膜形成工程において、平坦化膜１９となる感光性の樹脂前駆体を現像する現像液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。また、第１電極工程においても、第１電極２１を形成する際に用いるエッチング液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。さらに、エッジカバー形成工程においても、エッジカバー２２となる感光性の樹脂前駆体を現像する現像液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。これにより、平坦化膜形成工程、第１電極形成工程及びエッジカバー形成工程において、引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなるので、引き回し配線１８ｈの製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によればさらに、チタン膜６、アルミニウム膜７及びチタン膜８の積層膜からなる引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなるので、各引き回し配線１８ｈの横断面形状の端部が庇状に形成され難くなる。これにより、各引き回し配線１８ｈを覆う封止膜３０の封止性能を確保することができるので、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、多階調マスクＭによって、樹脂層１９ａｂが平坦化膜１９よりも薄く形成されているので、樹脂層１９ａｂをアッシングにより除去し易くすることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、樹脂層１９ａｂの大部分が除去され、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが離間して設けられているので、額縁領域Ｆから表示領域Ｄへの水分の侵入が抑制され、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
《第２の実施形態》
図１４は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図１４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの額縁領域Ｆの平面図であり、図７に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図１３と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図１４は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図１４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの額縁領域Ｆの平面図であり、図７に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図１３と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記第１の実施形態では、引き回し配線１８ｈの各側端部に対して樹脂層１９ａａ（１９ａｂ）が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、隣り合う引き回し配線１８ｈの向かい合う側端部に共通するように樹脂層１９ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜３０と備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた無機絶縁積層膜Ｌと、無機絶縁積層膜Ｌ上に設けられた複数の引き回し配線１８ｈと、各引き回し配線１８ｈ上に設けられた平坦化膜１９及び堰き止め壁Ｗと、各引き回し配線１８ｈ、平坦化膜１９及び堰き止め壁Ｗを覆うように設けられた封止膜３０とを備えている。
平坦化膜１９に形成されたスリットＳの内部において、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂから露出する各引き回し配線１８ｈ上には、図１４に示すように、各引き回し配線１８ｈの両側端部と重なるように樹脂層１９ｂが設けられている。ここで、樹脂層１９ｂは、平坦化膜１９と同一層に同一材料により平坦化膜１９よりも薄く形成され、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂと一体に設けられている。また、樹脂層１９ｂは、図１４に示すように、隣り合う一対の引き回し配線１８ｈの間に共通するように設けられている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における平坦化膜形成工程に用いる多階調マスクＭのハーフ露光部分の平面形状を変更し、アッシング工程を省略することにより、製造することができる。なお、本実施形態では、アッシング工程を省略する装置構成及びその製造方法を例示したが、上記第１の実施形態のように、樹脂膜１９ｂをアッシングして、例えば、樹脂層１９ｂの平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ又は第２堰き止め壁Ｗｂ側の一部を残存させてもよい。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂから露出する各引き回し配線１８ｈ上には、平坦化膜１９よりも薄く形成された樹脂層１９ｂが各引き回し配線１８ｈの両側面を覆うように設けられている。そのため、平坦化膜形成工程において、平坦化膜１９となる感光性の樹脂前駆体を現像する現像液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。また、第１電極工程においても、第１電極２１を形成する際に用いるエッチング液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。さらに、エッジカバー形成工程においても、エッジカバー２２となる感光性の樹脂前駆体を現像する現像液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。これにより、平坦化膜形成工程、第１電極形成工程及びエッジカバー形成工程において、引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなるので、引き回し配線１８ｈの製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によればさらに、チタン膜６、アルミニウム膜７及びチタン膜８の積層膜からなる引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなるので、各引き回し配線１８ｈの横断面形状の端部が庇状に形成され難くなる。これにより、各引き回し配線１８ｈを覆う封止膜３０の封止性能を確保することができるので、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
《第３の実施形態》
図１５は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第３の実施形態を示している。ここで、図１５は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆの平面図であり、図７に相当する図である。
図１５は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第３の実施形態を示している。ここで、図１５は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆの平面図であり、図７に相当する図である。
上記第１及び第２の実施形態では、各引き回し配線１８ｈの側端部に樹脂層１９ａａ（１９ａｂ）及び１９ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａ及び５０ｂを例示したが、本実施形態では、各引き回し配線１８ｈを覆うように樹脂層１９ｃが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜３０と備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた無機絶縁積層膜Ｌと、無機絶縁積層膜Ｌ上に設けられた複数の引き回し配線１８ｈと、各引き回し配線１８ｈ上に設けられた平坦化膜１９及び堰き止め壁Ｗと、各引き回し配線１８ｈ、平坦化膜１９及び堰き止め壁Ｗを覆うように設けられた封止膜３０とを備えている。
平坦化膜１９に形成されたスリットＳの内部において、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂから露出する各引き回し配線１８ｈ上には、図１５に示すように、各引き回し配線１８ｈの覆うように樹脂層１９ｃが設けられている。ここで、樹脂層１９ｃは、平坦化膜１９と同一層に同一材料により平坦化膜１９よりも薄く形成され、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂと一体に設けられている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における平坦化膜形成工程に用いる多階調マスクＭのハーフ露光部分の平面形状を変更し、アッシング工程を省略することにより、製造することができる。なお、本実施形態では、アッシング工程を省略する装置構成及びその製造方法を例示したが、上記第１の実施形態のように、樹脂膜１９ｃをアッシングして、例えば、樹脂層１９ｃの平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ又は第２堰き止め壁Ｗｂ側の一部を残存させてもよい。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂから露出する各引き回し配線１８ｈ上には、平坦化膜１９よりも薄く形成された樹脂層１９ｃが各引き回し配線１８ｈを覆うように設けられている。そのため、平坦化膜形成工程において、平坦化膜１９となる感光性の樹脂前駆体を現像する現像液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。また、第１電極工程においても、第１電極２１を形成する際に用いるエッチング液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。さらに、エッジカバー形成工程においても、エッジカバー２２となる感光性の樹脂前駆体を現像する現像液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。これにより、平坦化膜形成工程、第１電極形成工程及びエッジカバー形成工程において、引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなるので、引き回し配線１８ｈの製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によればさらに、チタン膜６、アルミニウム膜７及びチタン膜８の積層膜からなる引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなるので、各引き回し配線１８ｈの横断面形状の端部が庇状に形成され難くなる。これにより、各引き回し配線１８ｈを覆う封止膜３０の封止性能を確保することができるので、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
《第４の実施形態》
図１６は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第４の実施形態を示している。ここで、図１６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄの額縁領域Ｆの平面図であり、図７に相当する図である。
図１６は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第４の実施形態を示している。ここで、図１６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄの額縁領域Ｆの平面図であり、図７に相当する図である。
上記第３の実施形態では、各引き回し配線１８ｈを覆うように樹脂層１９ｃが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示したが、本実施形態では、各引き回し配線１８ｈを覆うように樹脂層１９ｄが一体で設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｄを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜３０と備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた無機絶縁積層膜Ｌと、無機絶縁積層膜Ｌ上に設けられた複数の引き回し配線１８ｈと、各引き回し配線１８ｈ上に設けられた平坦化膜１９及び堰き止め壁Ｗと、各引き回し配線１８ｈ、平坦化膜１９及び堰き止め壁Ｗを覆うように設けられた封止膜３０とを備えている。
平坦化膜１９に形成されたスリットＳの内部において、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂから露出する各引き回し配線１８ｈ上には、図１６に示すように、各引き回し配線１８ｈを覆うように樹脂層１９ｄが一体に設けられている。ここで、樹脂層１９ｄは、平坦化膜１９と同一層に同一材料により平坦化膜１９よりも薄く形成され、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂと一体に設けられている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における平坦化膜形成工程に用いる多階調マスクＭのハーフ露光部分の平面形状を変更し、アッシング工程を省略することにより、製造することができる。なお、本実施形態では、アッシング工程を省略する装置構成及びその製造方法を例示したが、上記第１の実施形態のように、樹脂膜１９ｄをアッシングして、例えば、樹脂層１９ｄの平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ又は第２堰き止め壁Ｗｂ側の一部を残存させてもよい。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、平坦化膜１９、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂから露出する各引き回し配線１８ｈ上には、平坦化膜１９よりも薄く形成された樹脂層１９ｄが各引き回し配線１８を覆うように設けられている。そのため、平坦化膜形成工程において、平坦化膜１９となる感光性の樹脂前駆体を現像する現像液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。また、第１電極工程においても、第１電極２１を形成する際に用いるエッチング液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。さらに、エッジカバー形成工程においても、エッジカバー２２となる感光性の樹脂前駆体を現像する現像液から引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなる。これにより、平坦化膜形成工程、第１電極形成工程及びエッジカバー形成工程において、引き回し配線１８ｈの両側面がダメージを受け難くなるので、引き回し配線１８ｈの製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によればさらに、チタン膜６、アルミニウム膜７及びチタン膜８の積層膜からなる引き回し配線１８ｈの表面がダメージを受け難くなるので、各引き回し配線１８ｈの横断面形状の端部が庇状に形成され難くなる。これにより、各引き回し配線１８ｈを覆う封止膜３０の封止性能を確保することができるので、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
なお、本実施形態及び上記第３の実施形態においては、引き回し配線１８ｈの両側面だけでなく、表面のダメージを抑制することができ、例えば、下層からチタン膜及び銅膜を順に積層して形成された配線にも適用することができる。この配線では、上記チタン膜の代わりに、例えば、モリブデン、タンタル、タングステン等の高融点金属膜を用いてもよい。
《その他の実施形態》
なお、上記各実施形態では、多階調マスクを用いて樹脂層を平坦化膜よりも薄く形成する有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を例示したが、多階調マスクを用いずに、樹脂層を平坦化膜と同じ厚さに形成して、必要に応じて樹脂層を部分的なアッシングにより除去してもよい。
なお、上記各実施形態では、多階調マスクを用いて樹脂層を平坦化膜よりも薄く形成する有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を例示したが、多階調マスクを用いずに、樹脂層を平坦化膜と同じ厚さに形成して、必要に応じて樹脂層を部分的なアッシングにより除去してもよい。
また、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｓ スリット
Ｗ 堰き止め壁
Ｗａ 第１堰き止め壁
Ｗｂ 第２堰き止め壁
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１８ｈ 引き回し配線
１９ 平坦化膜
１９ａａ，１９ａｂ，１９ｂ～１９ｄ 樹脂層
２０ ＴＦＴ層
２１ 第１電極（画素電極）
２５ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２６ 第１無機膜
２７ 有機膜
２８ 第２有機膜
３０ 封止膜
５０ａ～５０ｄ 有機ＥＬ表示装置
Ｆ 額縁領域
Ｓ スリット
Ｗ 堰き止め壁
Ｗａ 第１堰き止め壁
Ｗｂ 第２堰き止め壁
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１８ｈ 引き回し配線
１９ 平坦化膜
１９ａａ，１９ａｂ，１９ｂ～１９ｄ 樹脂層
２０ ＴＦＴ層
２１ 第１電極（画素電極）
２５ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２６ 第１無機膜
２７ 有機膜
２８ 第２有機膜
３０ 封止膜
５０ａ～５０ｄ 有機ＥＬ表示装置
Claims (16)
- ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、
上記発光素子を覆うように設けられ、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜と、
上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
上記ＴＦＴ層を構成し、上記額縁領域において互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線と、
上記ＴＦＴ層を構成し、上記各引き回し配線上に設けられ、上記表示領域において平坦な表面を有し、上記額縁領域において上記有機膜の周端部と重なるように枠状のスリットが形成された平坦化膜と、
上記スリットの内部に枠状に設けられ、上記平坦化膜と同一層に同一材料により形成された堰き止め壁とを備えた表示装置であって、
上記各引き回し配線は、上記スリットと交差するように設けられ、
上記スリットの内部において上記堰き止め壁から露出する上記各引き回し配線上には、上記平坦化膜よりも薄く形成された樹脂層が該各引き回し配線と重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記樹脂層は、上記スリットの内部において上記堰き止め壁から露出する上記各引き回し配線の両側面を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項２に記載された表示装置において、
上記樹脂層は、上記スリットの内部において上記堰き止め壁から露出する上記複数の引き回し配線の隣り合う一対の引き回し配線に共通するように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記樹脂層は、上記スリットの内部において上記堰き止め壁から露出する上記各引き回し配線の上面及び両側面を覆うようにそれぞれ設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記樹脂層は、上記スリットの内部において上記堰き止め壁から露出する上記各引き回し配線を一体で覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項２～５の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各引き回し配線は、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜が順に積層された積層膜により形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～６の何れか１つに記載された表示装置において、
上記樹脂層は、上記平坦化膜及び堰き止め壁の少なくとも一方と一体に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～７の何れか１つに記載された表示装置において、
上記堰き止め壁は、上記表示領域側に枠状に設けられた第１堰き止め壁と、該第１堰き止め壁を囲むように枠状に設けられた第２堰き止め壁とを備え、
上記スリットの内部において上記第１堰き止め壁及び第２堰き止め壁から露出する上記各引き回し配線上には、該各引き回し配線と重なるように上記樹脂層が設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～８の何れか１つに記載された表示装置において、
上記樹脂層は、上記平坦化膜と同一層に同一材料により形成され、少なくとも上記スリットが形成された平坦化膜の端部側に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光素子は、上記平坦化膜上に設けられた複数の画素電極を備えていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１０の何れか１つに記載された表示装置において、
上記樹脂層は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂又はポリシロキサン樹脂の有機樹脂材料により形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１１の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。 - ベース基板上にＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、
上記ＴＦＴ層上に表示領域を構成する発光素子を形成する発光素子形成工程と、
上記発光素子を覆うように、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜を形成する封止膜形成工程とを備える表示装置の製造方法であって、
上記ＴＦＴ層形成工程は、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域において互いに平行に延びるように複数の引き回し配線を形成する引き回し配線形成工程と、上記表示領域において平坦な表面を有し、上記額縁領域において上記有機膜の周端部と重なるように枠状にスリットが設けられた平坦化膜を上記各引き回し配線上に形成すると共に、上記スリットの内部において堰き止め壁を該平坦化膜と同一層に同一材料により枠状に形成する平坦化膜形成工程とを備え、
上記発光素子形成工程は、上記平坦化膜上に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、該各画素電極の周端部を覆うようにエッジカバーを形成するエッジカバー形成工程とを備え、
上記平坦化膜形成工程では、多階調マスクにより上記平坦化膜及び堰き止め壁から露出する上記各引き回し配線上に上記平坦化膜よりも薄く形成された樹脂層を形成し、
上記発光素子形成工程は、上記エッジカバー形成工程の後に、上記樹脂層をアッシングするアッシング工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１３に記載された表示装置の製造方法において、
上記アッシング工程では、上記樹脂層の一部を残存させることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１３に記載された表示装置の製造方法において、
上記アッシング工程では、上記樹脂層を全て取り除くことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１３～１５の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。
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Citations (4)
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| JP2012253036A (ja) * | 2002-01-15 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 表示装置および電子機器 |
| US20160035806A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| JP2017168308A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置 |
| US20170331058A1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display apparatus |
-
2018
- 2018-03-28 WO PCT/JP2018/012925 patent/WO2019186814A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012253036A (ja) * | 2002-01-15 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 表示装置および電子機器 |
| US20160035806A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| JP2017168308A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置 |
| US20170331058A1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display apparatus |
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