CN106067443A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了显示装置和制造该显示装置的方法。在一个方面中，所述方法包括在载体基板之上形成牺牲层，形成钝化阻挡层以覆盖所述牺牲层的上面和侧面，以及在所述钝化阻挡层之上形成薄膜晶体管层。所述方法还包括在所述薄膜晶体管层之上放置掩模以便暴露所述钝化阻挡层的边缘部分，其中所述边缘部分在所述显示装置的深度维度上不与所述掩模重叠。所述方法进一步包括去除所述钝化阻挡层的边缘部分以便形成阻挡层、以及通过所述牺牲层从所述阻挡层分离所述载体基板。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
技术领域
所描述的技术总地涉及显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器之类的显示装置包括电场生成电极和电光有源层。例如，OLED显示器包括作为电光有源层的有机发射层，并且电场生成电极连接到诸如薄膜晶体管之类的开关以接收数据信号，并且电光有源层将数据信号转换成光信号以显示图像。
OLED显示器具有诸如低功率消耗、快速响应速度、高视角和高对比度之类的良好特性。
不像如LCD技术使用滤色器，OLED显示器包括诸如红色像素、蓝色像素、绿色像素和白色像素之类的多颜色自发射子像素组，并且通过组合来自子像素的光可表现全色域。每个像素包括薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的至少一个电场生成电极。
显示装置使用重且易碎的玻璃基板时，在其便携性和实现划算的大尺寸屏幕显示器的能力上存在限制。因此，OLED显示器使用至少一个柔性基板作为基底基板，因为柔性基板重量轻、抗冲击并且是柔性的。通常，柔性基板由诸如聚酰亚胺之类的塑料材料形成。
柔性基板很薄并且具有良好的柔性特性，但是在显示装置的制造期间可能容易被损坏。因而，柔性基板在附接到载体基板的同时经历薄膜晶体管工艺，并且随后载体基板与柔性基板分离。在这种情况下，在制造工艺的工艺期间，可使用用于从显示装置容易地分离载体基板的牺牲层。
然而，对柔性基板进行薄膜涂布的工艺或将载体基板与柔性基板结合的工艺会施加热(热处理)，这增加了制造时间和生产成本。进一步，在热处理期间，柔性基板可能因载体基板和柔性基板之间的热膨胀系数的差异而变形。
在本背景技术部分公开的以上信息仅用来加强对所描述的技术的背景的理解，并且因而，其可能包含不构成在该国中本领域的普通技术人员已知晓的现有技术的信息。
发明内容
一个创造性的方面涉及通过最小化显示装置的制造工艺所使用的柔性基板的数量或去除柔性基板，从而简化用于制造显示装置的工艺并降低材料成本。
另一个方面是防止用于分离在制造显示装置的工艺期间使用的载体基板的牺牲层在分离载体基板的工艺之前被损坏。
另一个方面是用于制造显示装置的方法，该方法包括：在载体基板上形成牺牲层；在所述牺牲层和所述载体基板上形成用于覆盖所述牺牲层的上面和侧面的钝化阻挡层；在所述钝化阻挡层上形成薄膜晶体管层；通过在形成有所述薄膜晶体管层的所述载体基板上设置掩模来暴露所述钝化阻挡层的边缘部分；通过去除所述钝化阻挡层的未被所述掩模覆盖的边缘部分来形成阻挡层；以及通过所述牺牲层从所述阻挡层分离所述载体基板。
所述牺牲层可包括金属氧化物和氧化石墨烯中的至少一种，所述金属氧化物包括氧化钼(MoOx)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)中的至少一种。
所述钝化阻挡层可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一种。
所述钝化阻挡层的边缘部分可包括覆盖所述牺牲层的边缘部分的侧面和所述载体基板的上面的部分。
所述方法可进一步包括：在所述薄膜晶体管层上形成封装器，其中所述钝化阻挡层的边缘部分包括不与所述封装器重叠的部分。
所述方法可进一步包括：形成在所述薄膜晶体管层和所述封装器之间提供的发光元件层，其中所述封装器封装所述发光元件层。
从所述阻挡层分离所述载体基板可包括向所述牺牲层照射激光束。
从所述阻挡层分离所述载体基板可包括利用蚀刻剂蚀刻所述牺牲层并去除所述牺牲层。
形成所述牺牲层可包括：通过溅射在所述载体基板上沉积金属或石墨烯，以及氧化所沉积的金属或石墨烯。
所述牺牲层的厚度可等于或小于大约
所述掩模可包括阴影掩模。
所述方法可进一步包括：在所述载体基板被分离后，将下基板附接到所述阻挡层的下面。
所述下基板可以是柔性的。
所述阻挡层的边缘可被提供在所述牺牲层的上面。
另一个方面是显示装置，该显示装置包括：下基板；在所述下基板上提供的至少一个阻挡层；在所述阻挡层上提供的薄膜晶体管层；以及在所述阻挡层和所述下基板之间提供的残余牺牲层，所述残余牺牲层包括金属氧化物和氧化石墨烯中的至少一种、和/或它们的还原材料，所述金属氧化物包括氧化钼(MoOx)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)中的至少一种。
所述阻挡层可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一种。
所述显示装置可进一步包括在所述薄膜晶体管层上提供的发光元件层，以及在所述发光元件层上提供的封装器。
所述阻挡层的边缘可被布置成与所述封装器的边缘对齐，或者可被提供在所述封装器的边缘的外部。
所述残余牺牲层可包括MoO2和/或MoO3。
所述下基板可以是柔性的。
另一个方面是制造显示装置的方法，该方法包括：在载体基板之上形成牺牲层；形成钝化阻挡层以覆盖所述牺牲层的上面和侧面；在所述钝化阻挡层之上形成薄膜晶体管层；在所述薄膜晶体管层之上放置掩模以便暴露所述钝化阻挡层的边缘部分，其中所述边缘部分在所述显示装置的深度维度上不与所述掩模重叠；去除所述钝化阻挡层的边缘部分以便形成阻挡层；以及通过所述牺牲层从所述阻挡层分离所述载体基板。
在上面的方法中，所述牺牲层由金属氧化物和氧化石墨烯中的至少一种形成，并且其中所述金属氧化物包括氧化钼(MoOx)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)中的至少一种。在上面的方法中，所述钝化阻挡层由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一种形成。在上面的方法中，所述钝化阻挡层的边缘部分包括覆盖所述牺牲层的边缘部分的侧面和所述载体基板的上面的部分。上面的方法进一步包括：在所述薄膜晶体管层之上形成封装器，其中所述钝化阻挡层的边缘部分在所述显示装置的深度维度上不与所述封装器重叠。
上面的方法进一步包括：在所述薄膜晶体管层和所述封装器之间形成发光元件层，其中所述封装器封装所述发光元件层。在上面的方法中，所述分离包括将激光束照射到所述牺牲层上。在上面的方法中，所述分离包括利用蚀刻剂蚀刻所述牺牲层以及去除所述牺牲层。在上面的方法中，形成所述牺牲层包括：通过溅射在所述载体基板上沉积金属或石墨烯；以及氧化所沉积的金属或石墨烯。
在上面的方法中，所述牺牲层的厚度基本上等于或小于大约在上面的方法中，所述掩模包括阴影掩模。上面的方法进一步包括：在所述载体基板被分离后，将下基板附接到所述阻挡层的下面。在上面的方法中，所述下基板是柔性的。在上面的方法中，所述阻挡层的边缘被形成在所述牺牲层的上面。
另一方面是显示装置，该显示装置包括：下基板；形成在所述下基板之上的至少一个阻挡层；形成在所述阻挡层之上的薄膜晶体管层；以及置于所述阻挡层和所述下基板之间的牺牲层，其中所述牺牲层由金属氧化物和氧化石墨烯中的至少一种、和/或它们的还原材料形成，并且其中所述金属氧化物包括氧化钼(MoOx)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)中的至少一种。
在上面的显示装置中，所述阻挡层由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一种形成。上面的显示装置进一步包括：形成在所述薄膜晶体管层之上的发光元件层；以及形成在所述发光元件层之上的封装器。在上面的显示装置中，所述阻挡层的边缘与所述封装器的边缘对齐，或者所述阻挡层的边缘被形成在所述封装器的边缘的外部。在上面的显示装置中，所述牺牲层由MoO2和MoO3中的至少一种形成。在上面的显示装置中，所述下基板是柔性的。
另一个方面是制造显示装置的方法，该方法包括：在具有上表面的载体基板之上形成牺牲层，其中所述牺牲层不覆盖所述载体基板的上表面的一部分；形成钝化阻挡层以覆盖所述牺牲层的上面和侧面，其中所述钝化阻挡层覆盖所述载体基板的上表面的一部分；在所述钝化阻挡层之上形成薄膜晶体管层以便部分地覆盖所述钝化阻挡层，其中所述薄膜晶体管层具有小于所述牺牲层的宽度，并且其中所述宽度被定义在垂直于所述显示装置的深度维度的方向上；在所述薄膜晶体管层之上放置掩模以便暴露所述钝化阻挡层的边缘部分，其中所述边缘部分在所述显示装置的深度维度上不与所述掩模重叠；以及去除所述钝化阻挡层的边缘部分以便形成阻挡层。
在上面的方法中，所述阻挡层的宽度大于所述薄膜晶体管层的宽度并且小于所述牺牲层的宽度。
根据至少一个公开的实施例，通过最小化用于制造显示装置的工艺中所使用的柔性基板的数量或去除柔性基板，能够简化用于制造显示装置的工艺并且能够降低材料成本。
进一步，通过防止用于分离在显示装置的制造工艺中使用的载体基板的牺牲层在分离载体基板之前被损坏，防止了载体基板在制造工艺期间被分离。
附图说明
图1示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图2至图8示出了根据示例性实施例的用于制造显示装置的方法的多个工艺的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照其中示出本发明的示例性实施例的附图，更全面地描述所描述的技术。如本领域的技术人员会意识到的，所描述的实施例可以以各种不同的方式修改，这些方式都不脱离所描述的技术的精神和范围。
在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。贯穿说明书，相似的附图标记标示相似的元件。应理解，在诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称为在另一元件“上”时，其可直接在另一元件上，或也可存在中间元件。相反，在元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
为了使描述清楚，未示出与示例性实施例的描述不相关的部分，并且贯穿说明书相似的附图标记标示相似的元件。
贯穿本说明书和随后的权利要求书，在描述为元件“联接”到另一元件时，该元件可“直接联接”到另一元件，或通过第三元件“联接”到另一元件。另外，除非有明确的相反描述，否则词语“包括”和诸如“包含”或“含有”之类的变形将理解为暗示包含提及的元件，但不排除任何其他元件。在本公开中，术语“基本上”在一些应用下以及根据本领域技术人员理解，包括完全的、几乎完全的或任何很大程度的意义。术语“连接的”可包括电连接。
现在将参照附图描述根据示例性实施例的显示装置和用于制造该显示装置的方法。
现在将参照图1描述根据示例性实施例的显示装置。
图1示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图1，显示装置包括显示面板(未示出)，并且显示面板包括用于显示图像的显示区域和提供在显示区域附近的外围区域。在显示区域中提供像素PX的矩阵以及连接到像素PX且传输驱动信号的多个显示信号线(未示出)。
显示信号线包括用于传输栅信号的多个栅信号线(未示出)和用于传输数据信号的多个数据线(未示出)。栅信号线和数据线可延伸以彼此交叉。显示信号线可延伸到外围区域以形成焊盘(未示出)。
像素PX可基本上以矩阵形式设置，但本实施例不限于此。每个像素PX可包括连接到栅信号线和数据线的至少一个开关元件(未示出)，以及连接到开关元件的像素电极(未示出)。开关元件可以是三端元件，诸如集成在显示面板上的薄膜晶体管。开关元件可通过由栅信号线传输的栅信号打开或关闭以选择性地向像素电极传输由数据线传输的数据信号。
为了实现颜色显示，每个像素可显示基色中的一个基色，并且可通过组合基色来识别期望的颜色。基色的示例可包括三基色或四基色，诸如红色、绿色、蓝色等等。
参照图1，根据示例性实施例的显示装置包括下基板110。下基板110可由玻璃或塑料形成。在柔性显示装置的情况下，下基板110可以是膜并且可以是柔性的。在这种情况下，下基板110可由塑料、金属薄膜或极薄玻璃形成，塑料诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)或聚酰亚胺(PI)。
至少一个阻挡层30a被提供在下基板110上。阻挡层30a可防止外部杂质通过下基板110被提供到上部。阻挡层30a可包括无机层和有机层中的至少一种。例如，阻挡层30a由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一种形成。
残余牺牲层20a可被提供在下基板110和阻挡层30a之间。残余牺牲层20a可由无机材料形成，例如由金属氧化物和氧化石墨烯中的至少一种形成，金属氧化物诸如氧化钼(MoOx)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)。例如，在残余牺牲层20a包括钼时，残余牺牲层20a由MoO2和/或MoO3形成。残余牺牲层20a还可包括诸如金属氧化物或氧化石墨烯之类的材料的还原材料，例如，诸如钼之类的金属和石墨烯。
在一些实施例中，不提供残余牺牲层20a。
尽管未示出，粘合层可进一步被提供在下基板110和残余牺牲层20a之间。
阻挡层111可被提供在阻挡层30a上。以与阻挡层30a相似的方式，阻挡层111可防止外部杂质通过下基板110被提供到上部。阻挡层111可包括无机层和有机层中的至少一种。例如，阻挡层111由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的至少一种形成。阻挡层111可被省略。
多个半导体154被提供在阻挡层111上。半导体154可包括沟道区152以及提供在沟道区152的相应侧上并且通过掺杂形成的源区153和漏区155。半导体154可包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成的栅绝缘层140被提供在半导体154上。
多个栅信号线(未示出)和包括栅电极124的多个栅导体被提供在栅绝缘层140上。栅电极124可与半导体154的至少一部分(具体是沟道区152)重叠。
第一钝化层180a被提供在栅绝缘层140和栅导体上。第一钝化层180a和栅绝缘层140可包括用于暴露半导体154的源区153的接触孔183和用于暴露漏区155的接触孔185。
包括多个数据线171、多个输入电极173和多个输出电极175的多个数据导体被提供在第一钝化层180a上。数据线171可传输数据信号并且可与栅信号线交叉。输入电极173连接到数据线171。输出电极175与数据线171分离。输入电极173在半导体154上面对输出电极175。
输入电极173和输出电极175可通过接触孔183和接触孔185分别连接到半导体154的源区153和漏区155。
栅电极124、输入电极173和输出电极175与半导体154构成驱动薄膜晶体管Qd。驱动薄膜晶体管Qd的结构不限于上面的描述，并且可以以各种方式修改。
第二钝化层180b可被提供在数据导体上。第二钝化层180b可由诸如氮化硅或氧化硅之类的无机绝缘体形成。第二钝化层180b可包括用于暴露输出电极175的接触孔185b。
为了方便起见，从阻挡层111到第二钝化层180b的层将被称为薄膜晶体管层(TFL)。
多个像素电极191被提供在第二钝化层180b上。
每个像素PX的像素电极191通过第二钝化层180b的接触孔185b物理地且电地连接到输出电极175。像素电极191可由半透导电材料或反光导电材料形成。
像素限定层(也被称作隔墙)360可被提供在第二钝化层180b上。像素限定层360包括用于暴露像素电极191的多个开口。用于暴露像素电极191的像素限定层360的开口可限定供像素PX发光的显示区域。像素限定层360可被省略。
发射构件370被提供在像素限定层360和像素电极191上。发射构件370可包括顺序沉积的第一有机公共层371、多个发射层373和第二有机公共层375。
第一有机公共层371可示例性地包括顺序沉积的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。第一有机公共层371可形成在其中布置像素PX的显示区域的整个表面之上，或第一有机公共层371可形成在像素PX中。
发射层373可被提供在对应像素PX的像素电极191上。发射层373可由用于正确地发射基色的光的有机材料形成，基色诸如红色、绿色和蓝色，并且发射层373可具有其中沉积有用于发射不同颜色的光的多个有机材料层的结构。
第二有机公共层375可示例性地包括顺序沉积的电子传输层和电子注入层中的至少一个。第二有机公共层375可形成在其中布置有像素PX的显示区域的整个表面上，或第二有机公共层375可形成在每个像素PX中。
第一有机公共层371和第二有机公共层375用于改善发射层373的发射效率，并且第一有机公共层371和第二有机公共层375中的一个可被省略。
用于传输公共电压的对置电极270被提供在发射构件370上。对置电极270可由透明导电材料形成。例如，对置电极270由透明导电材料形成或通过沉积薄金属形成，使得其可以是可透射光的，薄金属诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)或银(Ag)。
像素PX的像素电极191、发射构件370和对置电极270构成发光元件，像素电极191和对置电极270中的一个是阴极，并且另一个是阳极。
为了方便起见，从像素限定层360和像素电极191到对置电极270的层被称为发光元件层(EL)。
根据示例性实施例的显示装置可以是输出由发射构件370在向上方向上提供的光并显示图像的顶部发射型。
封装器380被提供在对置电极270上。通过对发光元件层(EL)，即发射构件370和对置电极270进行封装，封装器380可防止湿气和/或氧气从外部渗入。
封装器380可包括多个封装薄膜层(380_1、380_2、…380_n)。封装薄膜层(380_1、380_2、…380_n)包括可交替沉积的至少一个无机层和至少一个有机层。有机层由有机材料形成，并且可具有平坦化特性。无机层可由诸如氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)之类的无机材料形成。
参照图1，提供在封装薄膜层(380_1、380_2、…380_n)中的最底部的位置处的封装薄膜层380_1可以是无机层或有机层。提供在封装薄膜层(380_1、380_2、…380_n)中的最上部的位置处的封装薄膜层380_n可以是无机层或有机层。当提供在最上部的位置处的封装薄膜层380_n是无机层时，其可很好地防止对封装器380的渗入。
阻挡层30a的边缘可被提供在封装器380的边缘的外部，或可基本上与封装器380的边缘对齐。
多个图案可被提供在封装器380上。多个图案可示例性地包括用于检测触摸的触摸电极410。
在本示例性实施例中，已经将OLED显示器描述为显示装置，但是，根据示例性实施例，显示装置不限于此。显示装置可以是诸如液晶显示器的各种种类的显示装置中的一种，并且在这种情况下，薄膜晶体管层(TFL)和发光元件层(EL)可根据相应的显示装置而具有不同的结构。
现在将参照图1以及图2至图8，描述根据示例性实施例的用于制造显示装置的方法。
图2至图8示出了根据示例性实施例的用于制造显示装置的方法的多个工艺的剖视图。
参照图2，载体基板10由硬且耐热的材料形成。例如，载体基板10由石英玻璃或耐热玻璃形成。载体基板10的耐热温度可大于用于制造薄膜晶体管的工艺中的最高温度。载体基板10的激光透射率可大于大约50％。
牺牲层20形成在载体基板10上。牺牲层20可包括金属氧化物或氧化石墨烯，金属氧化物诸如氧化钼(MoOx)、氧化铝(AlOx)或氧化钛(TiOx)。例如，牺牲层20通过在载体基板10上通过溅射来沉积诸如钼(Mo)之类的金属或石墨烯并且随后将它们氧化而形成。在通过溅射沉积诸如钼(Mo)之类的金属时，可使用氩气(Ar)和氧气(O2)。氩气(Ar)和氧气(O2)的体积比可以是大约1:2，溅射设置温度可以是大约150℃，并且溅射腔中的实际温度可以大于大约80℃。用于形成牺牲层20的溅射条件不限于此。
牺牲层20可等于或小于大约的厚度，但不限于此。
参照图3，用于覆盖牺牲层20的钝化阻挡层30形成在牺牲层20和载体基板10上。在一些实施例中，钝化阻挡层30可覆盖牺牲层20的上面和侧面使得牺牲层20不被暴露。钝化阻挡层30可包括无机材料和有机材料中的至少一种。例如，钝化阻挡层30由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)形成。
在牺牲层20接触在用于制造薄膜晶体管层(TFL)的工艺中使用的气体或液体的蚀刻剂或者诸如等离子体气体之类的杂质时，牺牲层20可被还原。例如，在诸如水(H2O)和氢气(H2)之类的含氢(H)的材料或者诸如酸基蚀刻剂之类的杂质接触牺牲层20时，牺牲层20被还原并损坏，并且提供在牺牲层20下方的载体基板10可被分离。然而，在根据示例性实施例用钝化阻挡层30覆盖牺牲层20且执行后续的工艺时，可防止牺牲层20与诸如水(H2O)和氢气(H2)之类的含氢(H)的材料、以及诸如酸基蚀刻剂之类的杂质接触，从而防止牺牲层20损坏并且防止载体基板10在分离载体基板10的阶段之前的制造工艺中提前分离。
参照图4，薄膜晶体管层(TFL)通过在钝化阻挡层30上沉积多个薄膜而形成。薄膜晶体管层(TFL)可包括多个薄膜晶体管和至少一个绝缘层。例如，参照图1，薄膜晶体管层(TFL)包括顺序向上提供的阻挡层111、多个半导体154、栅绝缘层140、包括栅电极124的栅导体、第一钝化层180a、多个数据线171、包括多个输入电极173和多个输出电极175的数据导体、以及第二钝化层180b。已经描述了示例性的构成元件，因此将不再提供详细描述。
参照图5，发光元件层(EL)形成在薄膜晶体管层(TFL)上。例如，参照图1，发光元件层(EL)包括顺序向上提供的多个像素电极191、像素限定层360、发射构件370和对置电极270。已经描述了示例性的构成元件，因此将不再提供详细描述。可省略发光元件层(EL)的形成，并且可针对不同类型的显示装置添加其他工艺。
封装器380可形成在发光元件层(EL)上。封装器380可通过交替沉积有机材料层和无机材料层而形成。已经描述了封装器380的详细示例，因此将不再提供对封装器380的详细描述。可省略封装器380的形成，并且可针对不同类型的显示装置添加其他工艺。
参照图6，掩模500被设置在其上形成有薄膜晶体管层(TFL)的载体基板10上，以暴露钝化阻挡层30的边缘部分35。掩模500可与载体基板10分开预定的距离，并且可包括用于暴露钝化阻挡层30的边缘部分35的开口。
未被掩模500覆盖的钝化阻挡层30的边缘部分35可沿着载体基板10的边缘形成，并且可包括牺牲层20的边缘部分的侧面和用于覆盖载体基板10的上面的部分。牺牲层20的边缘部分的侧面可表示连接到载体基板10的上面的部分的表面。
未被掩模500覆盖的钝化阻挡层30的边缘部分35可包括未被封装器380覆盖且不与封装器380重叠的部分。掩模500可覆盖封装器380。掩模500的边缘可基本上与封装器380的边缘对齐。
未被掩模500覆盖的钝化阻挡层30的边缘部分35被去除。在这种情况下，可通过干法蚀刻去除钝化阻挡层30的边缘部分35。干法蚀刻气体可使用各种类型的传统已知的气体，并且可通过干法蚀刻去除未被掩模500覆盖的钝化阻挡层30的边缘部分35。
掩模500可以是具有开口的阴影掩模，并且被掩模500覆盖的部分可被覆盖使得干法蚀刻气体无法触及该部分。
参照图7，钝化阻挡层30的边缘部分35被去除以形成阻挡层30a。阻挡层30a的边缘可被提供在封装器380的边缘之外或可基本上与封装器380的边缘对齐。阻挡层30a的边缘还可被提供在牺牲层20的上面。
载体基板10通过牺牲层20与阻挡层30a分离。在此，牺牲层20可被损坏，并且可存在多种用于依据该损坏来分离载体基板10的方法。
例如，如图7中所示，通过照射由激光束装置600提供的激光束(LB)，载体基板10被附接到牺牲层20或与牺牲层20分开。激光束(LB)通过载体基板10传输并且被照射到牺牲层20。激光束(LB)的源可示例性地是以下之一：具有大约308nm波长的准分子激光束、具有大约343nm波长的Yb:YAG激光束、具有大约355nm波长的Nd:YAG激光束和具有大约532nm波长的绿色激光束，但本实施例不限于此。准分子激光束不损坏载体基板10和薄膜晶体管层(TFL)，但输出具有短波长的高能量，因此牺牲层20可在短时间内被去除。
牺牲层20的一部分可留在分离的载体基板10的上面，并且还可留在分离的阻挡层30a的下面。留在阻挡层30a的下面的牺牲层20将被称为残余牺牲层20a。残余牺牲层20a可包括用于构成牺牲层20的材料和/或其还原材料。例如，在牺牲层20包括氧化钼(MoOx)时，残余牺牲层20a包括MoO2和/或MoO3。
可在后续阶段去除或留下残余牺牲层20a。
为了分离载体基板10，可使用不同于使用激光束的方法的方法。
例如，参照图8，通过冲洗或蚀刻经由去除钝化阻挡层30的边缘部分35而暴露的牺牲层20来分离载体基板10。用于冲洗或蚀刻牺牲层20的蚀刻剂可融化或还原构成牺牲层20的材料。例如，蚀刻剂包括诸如水(H2O)或氟化氢(HF)之类的基于酸的蚀刻剂。在这种情况下，牺牲层20的一部分可留在载体基板10的上面并且可留在阻挡层30a的下面。留在阻挡层30a下面的牺牲层20将被称为残余牺牲层20a。
参照图1，包括各种类型的塑料、金属薄膜或极薄玻璃的下基板110被附接到残余牺牲层20a或阻挡层30a的下面以完成显示装置，塑料诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)或聚酰亚胺(PI)。
根据示例性实施例，用于分离载体基板10的牺牲层20由钝化阻挡层30覆盖，使得牺牲层20在制造显示装置的工艺期间不会被损坏，从而防止在制造显示装置的工艺期间载体基板10被分离。
进一步，可最小化供应到用于制造柔性显示装置的工艺的柔性基板(诸如聚酰亚胺膜(PI))的数量，或不需要柔性基板，从而简化用于制造显示装置的工艺并且降低材料成本。
虽然已经结合目前被认为是实用的示例性实施例叙述了所描述的技术，但应理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，意在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同设置。

Claims (10)

1.一种制造显示装置的方法，包括：
在载体基板之上形成牺牲层；
形成钝化阻挡层以覆盖所述牺牲层的上面和侧面；
在所述钝化阻挡层之上形成薄膜晶体管层；
在所述薄膜晶体管层之上放置掩模以便暴露所述钝化阻挡层的边缘部分，其中所述边缘部分在所述显示装置的深度维度上不与所述掩模重叠；
去除所述钝化阻挡层的所述边缘部分以便形成阻挡层；以及
通过所述牺牲层从所述阻挡层分离所述载体基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层由金属氧化物和氧化石墨烯中的至少一种形成，并且其中所述金属氧化物包括氧化钼、氧化铝和氧化钛中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述钝化阻挡层由氮化硅、氧化硅和氧氮化硅中的至少一种形成。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述钝化阻挡层的所述边缘部分包括覆盖所述牺牲层的边缘部分的侧面和所述载体基板的上面的部分。
5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：在所述薄膜晶体管层之上形成封装器，其中所述钝化阻挡层的所述边缘部分在所述显示装置的深度维度上不与所述封装器重叠。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成牺牲层包括：
通过溅射在所述载体基板上沉积金属或石墨烯；以及
氧化所沉积的金属或石墨烯。
7.一种显示装置，包括：
下基板；
形成在所述下基板之上的至少一个阻挡层；
形成在所述阻挡层之上的薄膜晶体管层；以及
置于所述阻挡层和所述下基板之间的牺牲层，
其中所述牺牲层由金属氧化物和氧化石墨烯中的至少一种、和/或它们的还原材料形成，并且其中所述金属氧化物包括氧化钼、氧化铝和氧化钛中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述阻挡层由氮化硅、氧化硅和氧氮化硅中的至少一种形成。
9.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
形成在所述薄膜晶体管层之上的发光元件层；以及
形成在所述发光元件层之上的封装器。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述阻挡层的边缘与所述封装器的边缘对齐，或者所述阻挡层的边缘形成在所述封装器的边缘的外部。
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