KR102480840B1 - 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102480840B1 KR102480840B1 KR1020180012140A KR20180012140A KR102480840B1 KR 102480840 B1 KR102480840 B1 KR 102480840B1 KR 1020180012140 A KR1020180012140 A KR 1020180012140A KR 20180012140 A KR20180012140 A KR 20180012140A KR 102480840 B1 KR102480840 B1 KR 102480840B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- flexible substrate
- forming
- graphene
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 198
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 190
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 111
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 110
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 48
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 9
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 8
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYPABPPYXQDNE-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n,5-n,5-n-hexakis(2-methylphenyl)benzene-1,3,5-triamine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC(N(C=2C(=CC=CC=2)C)C=2C(=CC=CC=2)C)=CC(N(C=2C(=CC=CC=2)C)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 JOYPABPPYXQDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBMPIWRNYHXYBC-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n,5-n,5-n-hexakis(3-methylphenyl)benzene-1,3,5-triamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OBMPIWRNYHXYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006318 anionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- INSRQEMEVAMETL-UHFFFAOYSA-N decane-1,1-diol Chemical compound CCCCCCCCCC(O)O INSRQEMEVAMETL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- MHIBEGOZTWERHF-UHFFFAOYSA-N heptane-1,1-diol Chemical compound CCCCCCC(O)O MHIBEGOZTWERHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- FVXBCDWMKCEPCL-UHFFFAOYSA-N nonane-1,1-diol Chemical compound CCCCCCCCC(O)O FVXBCDWMKCEPCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N octane-1,8-diol Chemical compound OCCCCCCCCO OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- BGXXXYLRPIRDHJ-UHFFFAOYSA-N tetraethylmethane Chemical compound CCC(CC)(CC)CC BGXXXYLRPIRDHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- H01L51/0097—
-
- H01L51/5246—
-
- H01L51/5253—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2400/00—Presence of inorganic and organic materials
- C09J2400/10—Presence of inorganic materials
- C09J2400/12—Ceramic
- C09J2400/123—Ceramic in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
개시된 플렉서블 표시 장치의 제조 방법은, 캐리어 기판 위에 그래핀 접착층을 형성하는 단계, 상기 그래핀 접착층 위에 플렉서블 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판 위에 제1 배리어층을 형성하는 단계, 상기 제1 배리어층 위에 표시 소자부를 형성하는 단계, 상기 표시 소자부 위에 보호 필름을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계, 상기 플렉서블 기판 위에 잔류하는 그래핀 접착층을 제거하는 단계 및 상기 그래핀 접착층이 제거된 플렉서블 기판의 표면 상에 제2 배리어층을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 표시 장치의 휴대성, 가변성 등을 개선하고, 다양한 디자인을 구현할 수 있도록 유연성을 갖는 플렉서블 표시 장치에 대한 연구가 이루어지고 있다.
상기 플렉서블 표시 장치를 구현하기 위하여, 유연성을 갖는 고분자 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 캐리어 기판과 상기 고분자 기판을 결합시킨 후, 상기 고분자 기판 위에 표시 소자부를 형성한 후, 상기 캐리어 기판을 분리하여 플렉서블 표시 장치를 형성할 수 있다.
상기 캐리어 기판과 고분자 기판을 분리하는 방법으로 레이저를 이용하는 방법이 알려져 있으나, 레이저를 이용하여 캐리어 기판과 고분자 기판을 분리할 경우 소자가 손상될 염려가 있으며, 분리의 균일성이 저하될 수 있다. 또한, 고분자 기판의 양면에 배리어층을 형성하기 위하여, 추가 고분자 기판이 필요할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 신뢰성과 효율성을 개선할 수 있는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 신뢰성이 향상된 플렉서블 표시 장치를 제공하는 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법은, 캐리어 기판 위에 그래핀 접착층을 형성하는 단계, 상기 그래핀 접착층 위에 플렉서블 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판 위에 제1 배리어층을 형성하는 단계, 상기 제1 배리어층 위에 표시 소자부를 형성하는 단계, 상기 표시 소자부 위에 보호 필름을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계, 상기 플렉서블 기판 위에 잔류하는 그래핀 접착층을 제거하는 단계 및 상기 그래핀 접착층이 제거된 플렉서블 기판의 표면 상에 제2 배리어층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 플렉서블 기판을 형성하기 전에, 상기 그래핀 접착층의 가장자리를 제거하여 상기 캐리어 기판의 상면을 노출한다.
일 실시예에 따르면, 상기 플렉서블 기판의 가장자리는 상기 캐리어 기판과 직접 접촉한다.
일 실시예에 따르면, 상기 그래핀 접착층을 형성하는 단계는, 제1 전하로 대전된 제1 그래핀 산화물층을 형성하는 단계 및 상기 제1 그래핀 산화물층 위에, 상기 제1 전하와 반대되는 제2 전하로 대전된 제2 그래핀 산화물층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 그래핀 산화물층들을 형성하는 단계는, 상기 제1 전하 또는 상기 제2 전하로 대전된 그래핀 산화물을 포함하는 용액을 코팅하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 그래핀 접착층을 형성하는 단계는, 화학기상증착을 이용한다.
일 실시예에 따르면, 상기 그래핀 접착층을 형성하기 위한 화학기상증착은, 상기 캐리어 기판의 가장자리를 커버하는 마스크를 이용한다.
일 실시예에 따르면, 상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하기 전에, 상기 플렉서블 기판에 상기 그래핀 접착층과 중첩하는 커팅부를 형성한다.
일 실시예에 따르면, 상기 커팅부는 상기 표시 소자부를 둘러싼다.
일 실시예에 따르면, 상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계는, 상기 보호 필름을 고정 스테이지에 흡착시키는 단계, 상기 캐리어 기판을 고정 부재에 흡착시키는 단계, 상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 구부려, 상기 플렉서블 기판의 가장자리를 상기 고정 스테이지에 흡착시키는 단계 및 상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판에 서로 반대 방향의 인력을 가하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 배리어층은, 실리콘 옥시카바이드(SiOC)를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 배리어층을 형성하는 단계는, 실리콘 옥시카바이드를 포함하고, 상기 플렉서블 기판과 접촉하는 계면층을 형성하는 단계 및 상기 계면층 위에, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 외부층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 배리어층은, 실리콘 산화물(SiO2)/실리콘 질화물(SiN)/실리콘 산질화물(SiON)를 포함하는 다층 구조를 갖는다.
일 실시예에 따르면, 상기 플렉서블 기판은 폴리에스테르(polyester), 폴리비닐(polyvinyl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리아세테이트(polyacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephehalate; PET)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 캐리어 기판은, 유리, 쿼츠, 실리콘 및 고분자로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는, 플렉서블 기판, 상기 플렉서블 기판의 제1 면에 배치되는 제1 배리어층, 상기 제1 배리어층 위에 배치되는 표시 소자부 및 상기 플렉서블 기판의 제1 면과 반대되는 제2 면에 배치되며, 실리콘 옥시카바이드를 포함하는 제2 배리어층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐리어 기판과 플렉서블 기판 사이에 그래핀 접착층을 배치함으로써, 상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판의 화학적 결합을 방지하고, 레이저 조사 등의 공정 없이, 상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판을 기계적으로 분리시킬 수 있다.
상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 과정에서, 상기 플렉서블 기판에 직접 외력을 인가함으로써, 표시 소자부의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리한 후, 상기 플렉서블 기판의 노출된 표면에 배리어층을 추가함으로써, 표시 장치의 신뢰도를 증가시킬 수 있으며, 이중 배리어층을 형성하기 위한 폴리이미드 기판의 추가 없이, 단일 플렉서블 기판으로 이중 배리어층을 구현함으로써, 생산 비용을 절감할 수 있다.
또한, 상기 추가된 배리어층의 계면층에 실리콘 옥시카바이드층을 제공함으로써, 잔류 그래핀 산화물 입자에 의한 결함을 방지할 수 있다.
도 1 내지 6 및 도 8 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 다른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에서 커팅 공정을 도시한 평면도이다.
도 13은 도 12의 A 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에서, 그래핀 접착층을 형성하는 단계를 도시한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 다른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에서 커팅 공정을 도시한 평면도이다.
도 13은 도 12의 A 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에서, 그래핀 접착층을 형성하는 단계를 도시한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1 내지 6 및 도 8 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 다른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에서 커팅 공정을 도시한 평면도이다. 도 13은 도 12의 A 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 캐리어 기판(100) 상에 그래핀 접착층(110)을 형성한다.
상기 캐리어 기판(100)은 플렉서블 표시 장치를 제조하기 위하여 플렉서블 기판(200)을 지지하는 기판이다. 예를 들어, 상기 캐리어 기판(100)은, 유리, 쿼츠, 실리콘, 고분자 등을 포함할 수 있다.
상기 그래핀 접착층(110)은 그래핀 또는 그래핀 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 그래핀 접착층(110)은 그래핀 산화물을 포함할 수 있다. 그래핀 산화물은 그래핀과 유사한 물리적 특성을 가지며, 분산성이 우수하여 수용액 공정을 이용하여 박막을 형성할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 그래핀 접착층(110)은 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 그래핀 접착층(110)은 제1 전하로 대전된 제1 그래핀 산화물층과, 상기 제1 전하와 반대되는 제2 전하로 대전된 제2 그래핀 산화물층을 교대로 적층하여 형성될 수 있다. 상기 제1 전하는 음전하 또는 양전하 중 어느 하나이고, 상기 제2 전하는 다른 하나이다. 상기 서로 다른 전하로 대전된 그래핀 산화물층들은 쿨롱힘(정전기력)에 의해 층간 결합될 수 있다.
예를 들어, 상기 그래핀 산화물은 카르복시기, 히드록시기 등을 포함할 수 있으므로, 자체로서 음전하를 가질 수 있다. 다른 방법으로, 상기 그래핀 산화물에 산화제 또는 환원제를 제공하여 양전하 또는 음전하로 대전된 그래핀 산화물을 얻을 수 있다. 예를 들어, 양전하로 대전된 그래핀 산화물을 얻기 위하여, 그래핀 산화물에 마그네슘 염, 니켈 염 등과 같은 금속 염을 제공하거나, 폴리에틸렌글리콜 등과 같은 고분자로 개질할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 그래핀 산화물층을 형성하기 전에, 상기 캐리어 기판(100)을 표면 처리할 수 있다. 예를 들어, 상기 캐리어 기판(100)의 표면은, 상기 표면 처리에 의해 음전하로 대전되거나, 양전하로 대전될 수 있다.
예를 들어, 음전하로 대전된 그래핀 산화물층을 형성하기 전에, 상기 캐리어 기판(100)의 표면을 양전하로 대전시키기 위하여, 상기 캐리어 기판(100)의 표면은 폴리(알릴아민)하이드로클로라이드(poly(allylamine)hydrochloride, PAH), 폴리디알릴디메틸암모늄(polydiallyldimethylammonium, PDDA) 또는 폴리(에틸렌이민)(poly(ethyleneimine), PEI) 등과 같은 양이온성 고분자 전해질로 처리되거나, 아르곤 등과 같은 불활성 가스 플라즈마로 처리될 수 있다.
예를 들어, 상기 캐리어 기판(100)의 표면을 음전하로 대전시키기 위하여, 상기 캐리어 기판(100)의 표면은 폴리(4-스티렌술포네이트(poly(4-styrenesulfonate), PSS) 또는 폴리아크릴산(poly(acrylic)acid, PAA) 등과 같은 음이온성 고분자 전해질로 처리되거나, 황산/과산화수소, 산소 플라즈마 등으로 처리될 수 있다. 상기 음전하 대전 처리는, 양이온성 고분자 전해질 처리 전에 수행될 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 캐리어 기판(100)의 표면을 양전하로 대전시킨 후, 상기 캐리어 기판(100)의 표면 상에 음전하로 대전된 그래핀 산화물의 수용액을 코팅한다. 예를 들어, 상기 그래핀 산화물 수용액은, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 스크린 코팅, 오프셋 프린팅, 잉크젯 프린팅, 나이프 코팅, 그라비아 코팅 등에 의해 코팅될 수 있다.
상기 음전하로 대전된 그래핀 산화물은 쿨롱힘에 의해 상기 캐리어 기판(100)의 표면에 결합될 수 있다. 상기 캐리어 기판(100)의 표면이 상기 그래핀 산화물에 의해 전체적으로 커버되면, 그래핀 산화물 입자간의 정전기적 반발력에 의해 박막의 두께가 실질적으로 증가하지 않는다. 따라서, 매우 얇은 두께의 그래핀 산화물층을 형성할 수 있다. 다음으로, 건조 및 세정(rinsing)을 진행한다. 이에 따라, 음전하로 대전된 그래핀 산화물층을 형성할 수 있다.
다음으로, 상기 음전하로 대전된 그래핀 산화물층 위에 양전하로 대전된 그래핀 산화물의 수용액을 코팅한다. 상기 그래핀 산화물은 음전하로 대전된 그래핀 산화물층에 결합하여, 양전하로 대전된 그래핀 산화물층을 형성할 수 있다.
상기와 같은 공정을 반복하여, 서로 다른 전하로 대전된 그래핀 산화물층을 포함하는 그래핀 접착층(110)을 형성할 수 있다. 상기 그래핀 접착층(110)은 우수한 배리어 성능을 가지므로, 표시 소자부 제조 과정에서, 실란 등과 같은 증착 소스의 유입에 의해 플렉서블 기판(200)과 캐리어 기판(100) 사이에 강한 화학적 결합이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 그래핀 접착층(110)은, 상대적으로 낮은 접착력을 가짐으로써, 이후 공정에서 캐리어 기판(100)과 플렉서블 기판(200)의 기계적 분리를 용이하게 수행할 수 있다.
예를 들어, 상기 그래핀 산화물층의 두께는 약 3nm 내지 30nm일 수 있으며, 음전하 대전된 그래핀 산화물층과 양전하 대전된 그래핀 산화물층의 조합을 1 내지 10회 반복하여 적층할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 그래핀 접착층(110)의 가장자리를 제거하여, 상기 캐리어 기판(100)의 상면을 부분적으로 노출시킨다.
예를 들어, 상기 그래핀 접착층(110)을 패터닝하기 위하여, 플라즈마 토치가 이용되거나, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 등과 같은 알칼리 물질이 가해질 수 있다.
상기 그래핀 접착층(110)의 가장자리를 제거하는 것은, 상기 그래핀 접착층(110) 위에 형성되는 플렉서블 기판(200)의 가장자리가 상기 캐리어 기판(100)의 상면과 접촉할 수 있도록, 상기 캐리어 기판(100)의 상면을 노출하기 위한 것이다. 따라서, 상기 그래핀 접착층(110)이 상기 캐리어 기판(100)의 상면의 일부를 노출하는 패턴 형태로 형성되는 경우, 상기 그래핀 접착층(110)의 가장자리를 제거하는 단계는 생략될 수 있다.
다음으로, 상기 그래핀 접착층(110)을 베이크할 수 있다. 이를 통해, 상기 그래핀 접착층(110)의 남은 용매를 제거하고, 조직 밀도를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 베이크 온도는 약 300℃ 내지 500℃일 수 있다.
예를 들어, 그래핀 접착층의 점착력은 약 1gf/in 내지 5gf/in일 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 그래핀 접착층(110) 위에 플렉서블 기판(200)을 형성한다. 예를 들어, 상기 그래핀 접착층(110) 위에, 고분자 또는 고분자를 형성하기 위한 모노머를 포함하는 조성물을 코팅하고, 이를 건조 또는 경화하여 상기 플렉서블 기판(200)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 플렉서블 기판(200)은, 폴리에스테르(polyester), 폴리비닐(polyvinyl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리아세테이트(polyacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthelate; PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephehalate; PET) 등과 같은 고분자 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 플렉서블 기판(200)은 기계적 특성과 내열성이 우수한 폴리이미드를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 플렉서블 기판(200)의 가장자리는, 상기 캐리어 기판(100)과 접촉한다. 따라서, 상기 그래핀 접착층(110)의 측면은 상기 플렉서블 기판(200)에 의해 커버될 수 있다. 상기 플렉서블 기판(200)과 상기 캐리어 기판(100)이 상기 그래핀 접착층(110)에 의해 완전히 분리되는 경우, 상기 그래핀 접착층(110)의 낮은 접착력에 의해, 표시 소자부 형성 공정 중에 상기 플렉서블 기판(200)과 상기 캐리어 기판(100)이 분리되거나, 변위가 발생할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 플렉서블 기판(200) 위에 제1 배리어층(210)을 형성하고, 상기 제1 배리어층(210) 위에 표시 소자부(300) 및 상기 표시 소자부(300)를 보호하는 보호 필름(400)을 형성한다.
상기 제1 배리어층(210)은, 상기 표시 소자부(300)로 외부 불순물이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 배리어층(210)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기물은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 옥시카바이드 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 제1 배리어층(210)은 단일층 구조, 또는 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 배리어층(210)은 실리콘 산화물(SiO2)/실리콘 질화물(SiN)/실리콘 산질화물(SiON)의 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 실리콘 산화물층의 두께는 약 2,000Å 내지 10,000Å일 수 있고, 상기 실리콘 질화물층의 두께는 약 100Å 내지 1,000Å일 수 있고, 상기 실리콘 산질화물층의 두께는 약 2,000Å 내지 10,000Å일 수 있다. 상기 다층 구조는 수분 및 파티클 침투를 효과적으로 방지 또는 억제할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 배리어층(210)은 화학기상증착(CVD), 플라즈마강화 화학기상증착(PECVD), 물리적 증착, 원자층 증착(ALD) 등과 같은 방법으로 형성될 수 있다.
상기 제1 배리어층(210)은 상기 플렉서블 기판(200)의 전면을 커버하는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 플렉서블 기판(200)의 일부 위에 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 표시 소자부를 도시한 확대 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 표시 소자부(300)는, 화소 회로, 상기 화소 회로와 전기적으로 연결되는 유기 발광 다이오드 및 상기 유기 발광 다이오드를 커버하는 박막 봉지층을 포함할 수 있다.
상기 화소 회로는 액티브 패턴(AP), 상기 액티브 패턴(AP)과 중첩하는 게이트 전극(GE), 상기 액티브 패턴(AP)에 전기적으로 연결되는 소스 전극(SE), 상기 소스 전극(SE)과 이격되며, 상기 액티브 패턴(AP)에 전기적으로 연결되는 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다.
상기 제1 배리어층(210) 위에는 상기 액티브 패턴(AP)이 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩한다.
예를 들어, 상기 액티브 패턴(AP)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브 패턴(AP)이 다결정 실리콘을 포함하는 경우, 상기 액티브 패턴(AP)의 적어도 일부는, n형 불순물 또는 p형 불순물 등과 같은 불순물로 도핑될 수 있다.
상기 액티브 패턴(AP) 위에는 제1 절연층(310)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(310)은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 옥시카바이드 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등과 같은 절연성 금속 산화물을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(310)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물의 단일층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 제1 절연층(310) 위에는 상기 게이트 전극(GE)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GE)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다.
상기 게이트 전극(GE) 및 상기 제1 절연층(310) 위에는 제2 절연층(320)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 절연층(320)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 옥시카바이드 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등과 같은 절연성 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
상기 제2 절연층(320) 위에는, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 금속 패턴이 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 각각 상기 제1 절연층(310) 및 제2 절연층(320)을 관통하여, 상기 액티브 패턴(AP)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다.
상기 데이터 금속 패턴 및 상기 제2 절연층(320) 위에는 제3 절연층(330)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 절연층(330)은 무기 절연 물질, 유기 절연 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 유기 절연 물질은 폴리이미드, 폴리아미드, 아크릴 수지, 페놀 수지, 벤조사이클로부텐(BCB) 등을 포함할 수 있다.
상기 제3 절연층(330) 위에는, 유기 발광 다이오드의 제1 전극(340)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극(340)은 애노드로 작동할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(340)은, 발광 타입에 따라 투과 전극으로 형성되거나, 반사 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(340)이 투과 전극으로 형성되는 경우, 상기 제1 전극(340)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(340)이 반사 전극으로 형성되는 경우, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있으며, 상기 투과 전극에 사용된 물질과의 적층 구조를 가질 수도 있다.
상기 제3 절연층(330) 위에는 화소 정의층(350)이 배치될 수 있다. 상기 화소 정의층(350)은 상기 제1 전극(340)의 적어도 일부를 노출하는 개구부를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의층(350)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의층(350) 및 상기 제3 절연층(330)은, 유기 절연 물질을 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하고, 노광-현상 공정 등을 이용하여 코팅막을 패터닝하여 얻어질 수 있다.
상기 제1 전극(340) 위에는 유기 발광층(360)이 배치될 수 있다. 유기 발광층(360) 위에는 공통층(370)이 배치될 수 있다. 상기 공통층(370)은, 복수의 화소에 걸쳐, 표시 영역상에서 연속적으로 연장되는 적어도 하나의 층을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 유기 발광층(360)은 상기 화소 정의층(350)의 개구부 내에 배치되는 패턴 형상을 가질 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에는 이에 한정되지 않으며, 상기 유기 발광층(360)은, 상기 공통층(370)과 유사하게 복수의 화소에 걸쳐, 표시 영역상에서 연속적으로 연장될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기 발광층(360)은 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 발광층, 전자 수송층(electron transporting layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층(360) 중 적어도 일부는, 상기 공통층(370)과 유사하게 복수의 화소에 걸쳐, 표시 영역상에서 연속적으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광층(360)은 저분자 유기 화합물 또는 고분자 유기 화합물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기 발광층(360)은 적색, 녹색 또는 청색광을 발광할 수 있다. 다른 실시예에서 상기 유기 발광층(360)이 백색을 발광하는 경우, 상기 유기 발광층(360)은 적색발광층, 녹색발광층, 청색발광층을 포함하는 다층구조를 포함할 수 있거나, 적색, 녹색, 청색 발광물질의 혼합층을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 공통층(370)은 적어도 제2 전극을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극 위에 배치되는 캡핑층 및/또는 차단층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극은 캐소드로 작동할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극은, 발광 타입에 따라 투과 전극으로 형성되거나, 반사 전극으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극이 투명 전극으로 형성될 경우, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 리튬 불화물(LiF), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 등을 포함하는 보조 전극 또는 버스 전극 라인을 더 포함할 수 있다.
상기 캡핑층은, 상기 제2 전극 위에 배치될 수 있다. 상기 캡핑층은, 유기 발광 소자를 보호하고, 상기 유기 발광 소자에 의해 발생된 광이 외부로 방출될 수 있도록 돕는 역할을 할 수 있다.
예를 들어, 상기 캡핑층은, 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 물질은 아연 산화물, 탄탈륨 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있으며, 상기 유기 물질은, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 4,4'－비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(TPD), 4,4',4''-트리스[(3-메틸페닐)페닐 아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(m-MTDAB) 등을 포함할 수 있다.
상기 차단층은, 상기 캡핑층위에 배치될 수 있다. 상기 차단층은, 이후 공정에서 플라즈마 등이 상기 유기 발광 소자를 손상시키는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 차단층은, 리튬 불화물, 마그네슘 불화물, 칼슘 불화물 등을 포함할 수 있다.
상기 박막 봉지층(380)은 상기 공통층(370) 위에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층(380)은 무기층 및 유기층의 적층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 봉지층(380)은, 제1 무기층(382), 제2 무기층(386) 및 상기 제1 무기층(382)과 상기 제2 무기층(386) 사이에 배치된 유기층(384)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 유기층(384)은, 폴리아크릴레이트 등과 같은 고분자 경화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 경화물은, 모노머의 가교 반응에 의해 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 무기층(382) 및 상기 제2 무기층(386)은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 화학 기상 증착(CVD)에 의해 형성될 수 있다.
상기 제1 무기층(382) 위에는 상기 유기층(384)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기층(384)을 형성하기 위하여, 상기 제1 무기층(382)의 상면에 모노머 조성물이 제공될 수 있다.
상기 모노머 조성물은, 경화성 모노머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 경화성 모노머는 적어도 1개 이상의 경화성 작용기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 경화성 작용기는 비닐기, (메트)아크릴레이트기, 에폭시기, 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 경화성 모노머는, 에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 헵탄디올 디(메트)아크릴레이트, 옥탄디올 디(메트)아크릴레이트, 노난디올 디(메트)아크릴레이트, 데칸디올 디(메트)아크릴레이트, 트리에틸프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 등을 포함할 수 있다.
상기 모노머 조성물은, 광개시제 등과 같은 개시제를 더 포함할 수 있다.
상기 모노머 조성물은, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄 등에 의해 상기 제1 무기층(382) 위에 제공될 수 있으며, 이후 공정에서 경화되어 고분자 경화물을 형성할 수 있다.
상기 박막 봉지층(380)의 구성은 예시적인 것이며, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 박막 봉지층(380)은 둘 이상의 유기층을 포함하거나, 셋 이상의 무기층을 포함할 수도 있다.
상기 보호 필름(400)은 상기 박막 봉지층(380)의 상면을 커버할 수 있으며, 예를 들어, 고분자 필름 등을 포함할 수 있다.
이하에서는 도 6 내지 도 10을 참조하여, 상기 플렉서블 기판(200)과 상기 캐리어 기판(100)을 분리하는 과정을 설명하기로 한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 플렉서블 기판(200)의 가장자리에 커팅부(CP)를 형성한다. 예를 들어, 상기 커팅부(CP)는 상기 플렉서블 기판(200)과 상기 그래핀 접착층(110)이 중첩하는 영역에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 커팅부(CP)가 형성하는 절단 라인은 평면도 상에서, 상기 그래핀 접착층(110)의 외곽선과, 상기 표시 소자부(300)의 외곽선 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 소자부(300)를 둘러싸는 커팅 라인을 따라 레이저 또는 나이프 등을 이용하여 상기 플렉서블 기판(200)을 커팅할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 캐리어 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(200)이 직접 접촉하는 영역과, 상기 표시 소자부(300)와 중첩하는 영역은, 상기 커팅부(CP)에 의해 분리되는 것이 바람직하다. 상기 캐리어 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(200)이 접촉하는 영역과, 상기 표시 소자부(300)와 중첩하는 영역이 분리되는 경우, 상기 캐리어 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(200) 사이의 강한 결합에 의한 영향을 방지하여, 분리 공정을 용이하게 수행할 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 보호 필름(400)을 고정 스테이지(500)에 결합시키고, 상기 캐리어 기판(100)을 고정 부재(600)와 결합시킨다.
예를 들어, 상기 고정 스테이지(500) 및 상기 고정 부재(600)에는, 진공 또는 음압이 제공되어, 상기 보호 필름(400) 및 상기 캐리어 기판(100)에 각각 결합될 수 있다.
상기 고정 부재(600)는 복수의 고정 패드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고정 부재(600)는, 상기 표시 소자부(300)와 중첩하는 영역에 결합되는 제1 고정 부재(610) 및 상기 커팅부(CP)와 인접하는 영역에 결합되는 제2 고정 부재(620)을 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 커팅부(CP)와 인접하는 영역에 결합되는 제2 고정 부재(620)는 상기 고정 스테이지(500)를 향하여 하강할 수 있다. 이에 따라, 상기 플렉서블 기판(200)의 가장자리가 구부러져 상기 고정 스테이지(500)에 접촉할 수 있다. 상기 고정 스테이지(500)는 진공 또는 음압을 제공하므로, 상기 플렉서블 기판(200)의 가장자리는 상기 고정 스테이지(500)에 흡착 결합될 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 캐리어 기판(100)에 결합된 고정 부재(600)를 상승시켜, 상기 플렉서블 기판(200)과 상기 캐리어 기판(100)을 분리한다.
전술한 것과 같이, 상기 그래핀 접착층(110)은 상대적으로 낮은 점착력을 갖는다. 따라서, 상기 플렉서블 기판(200)과 상기 캐리어 기판(100)에 각각 반대 방향의 외력이 가해지면, 레이저 조사 등과 같은 별도의 공정 없이 비교적 쉽게 분리될 수 있다.
상기 캐리어 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(200)이 직접 접촉하는 영역은, 상기 커팅부(CP)에 의해 상기 고정 스테이지(500)와 결합되는 분리 영역(SP)과 분리될 수 있으며, 상기 캐리어 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(200) 사이에 강력한 결합이 형성된다. 따라서, 상기 플렉서블 기판(200)은 분리 영역(SP)와 잔류 영역(RP)으로 분리될 수 있으며, 상기 잔류 영역(RP)은 상기 캐리어 기판(100)에 결합될 수 있다.
상기 그래핀 접착층(110)이, 서로 다른 전하로 대전되고 교대로 적층된 복수의 그래핀 산화물층들을 포함하는 경우, 가해지는 기계적 외력에 의해 쿨롱힘에 의한 층간 결합이 깨지면서, 층간 분리가 일어날 수 있다. 따라서, 상기 그래핀 접착층(110)의 제1 부분(110a)은 상기 플렉서블 기판(200)에 부착되고, 나머지 제2 부분(110b)은 상기 캐리어 기판(100)에 부착될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 캐리어 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(200)에 반대 방향의 외력을 가하여 분리하기 전에, 상기 캐리어 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(200)을 구부려, 상기 플렉서블 기판(200)을 상기 고정 스테이지(500)와 접촉시킴으로써, 상기 플렉서블 기판(200)과 상기 고정 스테이지(500)와의 흡착 결합을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 플렉서블 기판(200)에 외력이 직접적으로 가해질 수 있다.
상기 플렉서블 기판(200)에 외력을 직접 가하지 못하는 경우, 외력이 상기 표시 소자부(300) 및 상기 보호 필름(400)을 매개하여 전달되어야 한다. 따라서, 큰 외력이 가해질 경우, 상기 표시 소자부(300)와 상기 보호 필름(400)의 분리 등에 의하여, 상기 표시 소자부(300)가 손상될 수도 있다. 그러나, 일 실시예에 따르면, 상기 플렉서블 기판(200)에 외력을 직접 가할 수 있으므로, 상기 플렉서블 기판(200)과 상기 캐리어 기판(100)의 분리를 안정적으로 수행할 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 플렉서블 기판(200) 상에 잔류하는 상기 그래핀 접착층(110a)을 제거한다.
예를 들어, 상기 그래핀 접착층(110a)은, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 등을 이용한 습식 방법 또는 플라즈마 등을 이용한 건식 방법에 의해 제거될 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 그래핀 접착층(110a)가 제거된 상기 플렉서블 기판(200)의 표면에 제2 배리어층(220)을 형성한다.
예를 들어, 상기 제2 배리어층(220)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기물은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 옥시카바이드 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 제1 배리어층(220)은 단일층 구조, 또는 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 배리어층(220)은 계면층(220a) 및 외부층(220b)을 포함할 수 있다. 상기 계면층(220a)은 상기 플렉서블 기판(200)과 접촉하고, 상기 외부층(220b)은 상기 계면층(220a) 위에 형성된다. 상기 계면층(220a)은 실리콘 옥시카바이드(SiOC)을 포함할 수 있다. 실리콘 옥시카바이드는 비교적 연성이 크고, 스텝 커버리지가 크다. 상기 그래핀 접착층(110a)을 제거하는 경우에도, 상기 플렉서블 기판(200) 상에 그래핀 산화물 입자(110c)가 잔류할 수 있다. 상기 실리콘 옥시카바이드를 포함하는 계면층(220a)은 상기 플렉서블 기판(200)의 표면을 평탄화하여, 잔류 그래핀 산화물 입자(110c)에 의해 상기 제2 배리어층(220)에 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 외부층(220b)은 상기 제1 배리어층(220)과 동일한 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 외부층(220b)은 실리콘 산화물(SiO2)/실리콘 질화물(SiN)/실리콘 산질화물(SiON)의 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 실리콘 산화물층의 두께는 약 2,000Å 내지 10,000Å일 수 있고, 상기 실리콘 질화물층의 두께는 약 100Å 내지 1,000Å일 수 있고, 상기 실리콘 산질화물층의 두께는 약 2,000Å 내지 10,000Å일 수 있다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에서, 그래핀 접착층을 형성하는 단계를 도시한 단면도들이다.
도 14를 참조하면, 캐리어 기판(100) 상에 마스크(700)를 배치한다. 상기 마스크(700)는 박막 봉지층의 무기층 형성에 사용되는 마스크와 동일한 것일 수 있다.
도 15를 참조하면, 상기 마스크(700)에 의해 커버되지 않는 상기 캐리어 기판(100)의 상면에 그래핀 접착층(110)을 형성한다.
일 실시예에 따르면, 상기 그래핀 접착층(110)은 플라즈마강화 화학기상증착(PECVD) 등과 같은 화학기상증착에 의해 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 캐리어 기판(100) 위에 구리, 니켈, 철 등을 포함하는 금속 박막을 형성하고, 에탄, 메탄 등의 탄소 소스를 제공하여 그래핀을 형성한 후, 산소 플라즈마를 이용하여 그래핀 옥사이드를 포함하는 그래핀 접착층(110)을 형성할 수 있다.
상기와 같이, 마스크(700)를 이용하여 그래핀 접착층(110)을 형성할 경우, 상기 캐리어 기판(100)의 상면을 노출시키기 위하여 가장자리를 제거하는 공정을 수행할 필요가 없으며, 플라즈마강화 화학기상증착의 반응 온도는 약 500℃ 이상일 수 있으므로, 별도의 베이크 공정을 수행할 필요가 없다. 예를 들어, 상기 그래핀 접착층(110)의 두께는 약 0.3 내지 50nm일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 캐리어 기판과 플렉서블 기판 사이에 그래핀 접착층을 배치함으로써, 상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판의 화학적 결합을 방지하고, 레이저 조사 등의 공정 없이, 상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판을 기계적으로 분리시킬 수 있다.
상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 과정에서, 상기 플렉서블 기판에 직접 외력을 인가함으로써, 표시 소자부의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리한 후, 상기 플렉서블 기판의 노출된 표면에 배리어층을 추가함으로써, 표시 장치의 신뢰도를 증가시킬 수 있으며, 이중 배리어층을 형성하기 위한 폴리이미드 기판의 추가 없이, 단일 플렉서블 기판으로 이중 배리어층을 구현함으로써, 생산 비용을 절감할 수 있다.
또한, 상기 추가된 배리어층의 계면층에 실리콘 옥시카바이드층을 제공함으로써, 잔류 그래핀 산화물 입자에 의한 결함을 방지할 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
본 발명의 예시적인 실시예는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 자동차, 가전 제품 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
Claims (20)
- 캐리어 기판 위에 그래핀 접착층을 형성하는 단계;
상기 그래핀 접착층 위에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;
상기 플렉서블 기판 위에 제1 배리어층을 형성하는 단계;
상기 제1 배리어층 위에 표시 소자부를 형성하는 단계;
상기 표시 소자부 위에 보호 필름을 형성하는 단계;
상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계;
상기 플렉서블 기판 위에 잔류하는 그래핀 접착층을 제거하는 단계; 및
상기 그래핀 접착층이 제거된 플렉서블 기판의 표면 상에 제2 배리어층을 형성하는 단계를 포함하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 플렉서블 기판을 형성하기 전에, 상기 그래핀 접착층의 가장자리를 제거하여 상기 캐리어 기판의 상면을 노출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 플렉서블 기판의 가장자리는 상기 캐리어 기판과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 그래핀 접착층을 형성하는 단계는,
제1 전하로 대전된 제1 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 그래핀 산화물층 위에, 상기 제1 전하와 반대되는 제2 전하로 대전된 제2 그래핀 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법. - 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2 그래핀 산화물층들을 형성하는 단계는, 상기 제1 전하 또는 상기 제2 전하로 대전된 그래핀 산화물을 포함하는 용액을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 그래핀 접착층을 형성하는 단계는, 화학기상증착을 이용하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 그래핀 접착층을 형성하기 위한 화학기상증착은, 상기 캐리어 기판의 가장자리를 커버하는 마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 캐리어 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하기 전에, 상기 플렉서블 기판에 상기 그래핀 접착층과 중첩하는 커팅부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 커팅부는 상기 표시 소자부를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계는,
상기 보호 필름을 고정 스테이지에 흡착시키는 단계;
상기 캐리어 기판을 고정 부재에 흡착시키는 단계;
상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 구부려, 상기 플렉서블 기판의 가장자리를 상기 고정 스테이지에 흡착시키는 단계; 및
상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판에 서로 반대 방향의 외력을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 제2 배리어층은, 실리콘 옥시카바이드(SiOC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제2 배리어층을 형성하는 단계는,
실리콘 옥시카바이드를 포함하고, 상기 플렉서블 기판과 접촉하는 계면층을 형성하는 단계; 및
상기 계면층 위에, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 외부층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 제1 배리어층은, 실리콘 산화물(SiO2)/실리콘 질화물(SiN)/실리콘 산질화물(SiON)를 포함하는 다층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 폴리에스테르(polyester), 폴리비닐(polyvinyl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리아세테이트(polyacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephehalate; PET)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 캐리어 기판은, 유리, 쿼츠, 실리콘 및 고분자로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
- 플렉서블 기판;
상기 플렉서블 기판의 제1 면에 배치되는 제1 배리어층;
상기 제1 배리어층 위에 배치되는 표시 소자부; 및
상기 플렉서블 기판의 제1 면과 반대되는 제2 면에 배치되며, 실리콘 옥시카바이드를 포함하는 제2 배리어층을 포함하고,
상기 제2 배리어층은, 실리콘 옥시카바이드를 포함하고, 상기 플렉서블 기판과 접촉하는 계면층; 및
상기 계면층 위에 배치되며, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 외부층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치. - 삭제
- 제16항에 있어서, 상기 제1 배리어층은, 실리콘 산화물(SiO2)/실리콘 질화물(SiN)/실리콘 산질화물(SiON)를 포함하는 다층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 폴리에스테르(polyester), 폴리비닐(polyvinyl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리아세테이트(polyacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephehalate; PET)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 표시 소자부는,
화소 회로;
상기 화소 회로에 전기적으로 연결된 유기 발광 다이오드; 및
상기 유기 발광 다이오드를 커버하는 박막 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180012140A KR102480840B1 (ko) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 |
| US16/248,974 US10886480B2 (en) | 2018-01-31 | 2019-01-16 | Flexible display device and method of manufacturing flexible display device |
| US17/111,684 US11647665B2 (en) | 2018-01-31 | 2020-12-04 | Flexible display device and method of manufacturing flexible display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180012140A KR102480840B1 (ko) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190093232A KR20190093232A (ko) | 2019-08-09 |
| KR102480840B1 true KR102480840B1 (ko) | 2022-12-26 |
Family
ID=67392394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180012140A KR102480840B1 (ko) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10886480B2 (ko) |
| KR (1) | KR102480840B1 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10672681B2 (en) * | 2018-04-30 | 2020-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor packages |
| KR20200054425A (ko) * | 2018-11-09 | 2020-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102456122B1 (ko) * | 2019-08-14 | 2022-10-19 | 한양대학교 산학협력단 | 플렉서블 장치의 제조방법 |
| KR102298587B1 (ko) * | 2019-12-31 | 2021-09-07 | (주)아이컴포넌트 | 폴더블 표시 장치용 광학 투명 필름 |
| KR102298405B1 (ko) * | 2019-12-31 | 2021-09-07 | (주)아이컴포넌트 | 폴더블 표시 장치용 광학 투명 필름 |
| KR20220009216A (ko) * | 2020-07-15 | 2022-01-24 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자, 발광 소자의 제조 방법, 및 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20220065135A (ko) | 2020-11-12 | 2022-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6891330B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-10 | General Electric Company | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission |
| US8405193B2 (en) | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
| CN102046841B (zh) * | 2008-05-07 | 2014-05-28 | 普林斯顿大学理事会 | 用于电子器件或其他物品上的涂层中的混合层 |
| KR102047922B1 (ko) | 2013-02-07 | 2019-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 기판, 플렉서블 기판의 제조 방법, 플렉서블 표시 장치, 및 플렉서블 표시 장치 제조 방법 |
| KR102049487B1 (ko) | 2013-03-08 | 2019-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102113176B1 (ko) * | 2013-07-16 | 2020-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101580015B1 (ko) | 2013-08-30 | 2015-12-24 | 주식회사 엔씰텍 | 임시 점착/탈착층을 사용하는 플렉시블 정보 표시 소자 제조용 지지 기판, 이의 제조 방법, 그를 이용한 플렉시블 정보 표시 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR102283589B1 (ko) | 2014-01-06 | 2021-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101530378B1 (ko) | 2014-12-03 | 2015-06-22 | (주)씨앤켐 | 박리층 및 그 제조방법 |
| KR102385339B1 (ko) | 2015-04-21 | 2022-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP6636807B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2020-01-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR102313052B1 (ko) * | 2016-02-02 | 2021-10-15 | 버세리엔 피엘씨 | 그래핀 기반 박막 적층체의 제조방법 및 상기 그래핀 기반 박막 적층체 |
| KR102527366B1 (ko) | 2016-10-19 | 2023-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 모듈의 박리 방법 및 표시 모듈의 제조 방법 |
-
2018
- 2018-01-31 KR KR1020180012140A patent/KR102480840B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-01-16 US US16/248,974 patent/US10886480B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-04 US US17/111,684 patent/US11647665B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190093232A (ko) | 2019-08-09 |
| US20190237688A1 (en) | 2019-08-01 |
| US11647665B2 (en) | 2023-05-09 |
| US20210091322A1 (en) | 2021-03-25 |
| US10886480B2 (en) | 2021-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102480840B1 (ko) | 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 | |
| US11665921B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US11424305B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US9184180B2 (en) | Flexible display apparatus and method of manufacturing same | |
| US9093397B2 (en) | Flexible device manufacturing method and flexible device | |
| KR102049369B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20150243705A1 (en) | Display devices and methods of manufacturing display devices | |
| KR20140143636A (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| US8439719B2 (en) | Method of encapsulating organic light emitting display device | |
| JP4449341B2 (ja) | 封止構造 | |
| CN112885870A (zh) | 显示面板、柔性显示屏和电子设备及显示面板的制备方法 | |
| TW201218374A (en) | Organic light-emitting diode display device | |
| JP4974452B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| US9966568B2 (en) | Organic light emitting display apparatus having cover unit with different thickness | |
| EP1502311A2 (en) | Organic device | |
| CN112447929A (zh) | 显示装置 | |
| CN112694770B (zh) | 涂覆组合物和用于制造显示装置的方法 | |
| JP5163619B2 (ja) | 封止構造 | |
| KR20200039893A (ko) | 정전기력에 의해 층간 결합된 적층 구조의 형성 방법 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 | |
| US10629842B2 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
| KR20100055861A (ko) | 평판 디스플레이 장치 | |
| CN118139452A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |