JP2018055777A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】封止層に水分が侵入しても、その光学特性の変化に起因した視認性の劣化を抑えることができる表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による表示装置は、表示領域を有する基板と、前記表示領域に配列された複数の画素と、少なくとも前記表示領域全域を覆う封止層とを備え、前記封止層は、第１無機絶縁層、前記第１無機絶縁層上に設けられた第１有機絶縁層、前記第１有機絶縁層上に設けられ、前記第１有機絶縁層よりも水蒸気透過率が高い第２有機絶縁層、及び前記第２有機絶縁層上に設けられた第２無機絶縁層を有することを特徴とする。
【選択図】図２
【解決手段】本発明による表示装置は、表示領域を有する基板と、前記表示領域に配列された複数の画素と、少なくとも前記表示領域全域を覆う封止層とを備え、前記封止層は、第１無機絶縁層、前記第１無機絶縁層上に設けられた第１有機絶縁層、前記第１有機絶縁層上に設けられ、前記第１有機絶縁層よりも水蒸気透過率が高い第２有機絶縁層、及び前記第２有機絶縁層上に設けられた第２無機絶縁層を有することを特徴とする。
【選択図】図２
Description
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。
有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
しかしながら、有機ＥＬ表示装置の発光層は、水分が侵入すると容易に劣化し、ダークスポットと呼ばれる非点灯領域が発生してしまうという課題がある。このような課題を解決するため、多くの有機ＥＬ表示装置には、水分の侵入を防止するための封止層が設けられている。
例えば特許文献１には、基板と、前記基板に順に積層された、電子素子、第１バリア層、有機層及び第２バリア層とを備え、前記有機層は、前記第１バリア層に接触して積層され、かつ、水蒸気透過率が前記第１バリア層より高く、前記第２バリア層は、前記有機層に接触して積層され、かつ、水蒸気透過率が前記有機層より高い電子デバイスが開示されている。
しかしながら、上記の従来技術においては、第２バリア層が有機材料から構成される場合に、そこに水分が侵入した際の表示特性の劣化について考慮されていない。有機材料に侵入した水分の密度が一定以上になると、当該有機材料の光学特性が変化し、例えば白色のムラとなって視認性が劣化するという課題がある。
本発明は、封止層に水分が侵入しても、その光学特性の変化に起因した視認性の劣化を抑えることができる表示装置を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示領域を有する基板と、前記表示領域に配列された複数の画素と、少なくとも前記表示領域全域を覆う封止層とを備え、前記封止層は、第１無機絶縁層、前記第１無機絶縁層上に設けられた第１有機絶縁層、前記第１有機絶縁層上に設けられ、前記第１有機絶縁層よりも水蒸気透過率が高い第２有機絶縁層、及び前記第２有機絶縁層上に設けられた第２無機絶縁層を有することを特徴とする。
以下、図面を参照して、本発明のいくつかの実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。なお、本発明の表示装置は以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。全ての実施形態においては、同じ構成要素には同一符号を付して説明する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
＜第１実施形態＞
［概略構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を説明する斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、複数の画素１０６と、第２基板１０４と、複数の接続端子１０８と、ドライバＩＣ１１２とを有している。
［概略構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を説明する斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、複数の画素１０６と、第２基板１０４と、複数の接続端子１０８と、ドライバＩＣ１１２とを有している。
第１基板１０２は、複数の画素１０６及び複数の接続端子１０８の支持体としての 役割を果たす。第１基板１０２において、複数の画素１０６が配列される領域が表 示領域１０２ａであり、表示領域１０２ａの外周部と第１基板１０２の端縁部の間 が周辺領域１０２ｂであり、複数の接続端子１０８が配列される領域が端子領域１ ０２ｃである。第１基板１０２としては、ガラス基板、アクリル樹脂基板、アルミ ナ基板等を用いることができる。また、第１基板１０２は、可撓性を有する基板で あってもよい。可撓性を有する基板としては、樹脂材料が用いられる。樹脂材料と しては、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子材料を用いるのが好ましく、例え ば、ポリイミドが用いられる。具体的には、基板として、ポリイミドをシート状に 成形したフィルム基板が用いられる。
第２基板１０４は、第１基板１０２の表示領域１０２ａの上面に、第１基板１０２と対向するように設けられている。第２基板１０４は、第２基板１０４の周辺部を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。
第２基板１０４としては、第１基板１０２と同様の基板を用いてもよい。尚、本実施形態に係る表示装置１００は前述のような第２基板１０４を有しているが、板状の部材に限定されず、フィルム基材、樹脂等がコーティングされた封止基材に置換えられてもよい。
第２基板１０４には、カラーフィルタ、遮光層、偏光板、位相板等が配置されていてもよい。カラーフィルタは、複数の画素１０６の各々に対向した位置に配置される。遮光層（ブラックマトリクスとも呼ばれる）は、複数の画素１０６の各々を区画する位置に配置される。偏光板及び位相板は、複数の画素１０６を覆い、第２基板１０４外側の表面に配置される。偏光板及び位相板は、表示装置１００に入射した外光が、画素電極で反射することによる視認性の劣化を抑制するために配置される。
複数の画素１０６は、第１基板１０２上の表示領域１０２ａに行列状に配列されている。複数の画素１０６の各々は、画素回路を有している。図示はしないが、画素回路は、少なくとも駆動トランジスタ、選択トランジスタ、発光素子及び保持容量を有している。
複数の接続端子１０８は、第１基板１０２の端子領域１０２ｃに配置されている。端子領域１０２ｃは、第１基板１０２の一端部、且つ第２基板１０４の外側に設けられている。第１基板１０２において、複数の接続端子１０８が配置される領域が端子領域１０２ｃである。複数の接続端子１０８には、映像信号を出力する機器や電源などと表示装置１００とを接続する配線基板（図示せず）が接続される。配線基板と接続される複数の接続端子１０８との接点は、外部に露出している。
ドライバＩＣ１１２は、第１基板１０２上、且つ第２基板１０４の外側に配置されている。ドライバＩＣ１１２は、接続端子１０８から入力された映像信号を表示領域１０２ａに配列された複数の画素１０６に出力する。
以上、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成について説明した。次いで、図面を参照して本実施形態に係る表示装置１００の詳細な構成について説明する。
［詳細な構成］
図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する断面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ´の断面を示している。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、複数の画素１０６と、封止層１２４と、第２基板１０４と、シール材１１０とを備えている。
図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する断面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ´の断面を示している。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、複数の画素１０６と、封止層１２４と、第２基板１０４と、シール材１１０とを備えている。
第１基板１０２は、複数の画素１０６の支持体としての役割を果たす。第１基板１０２上に設けられた表示領域１０２ａには、複数の画素１０６が配列されている。第１基板１０２として用いることができる材料については既に説明した。
複数の画素１０６の各々は、第１基板１０２上の表示領域１０２ａに配列されている。複数の画素１０６の各々は、少なくとも選択トランジスタ、駆動トランジスタ、発光素子及び保持容量を有する画素回路から構成される。図２においては、これらの内、発光素子１１４のみが示されている。
発光素子１１４は、第１基板１０２側から、少なくとも画素電極１１６、発光層１１８及び共通電極１２０の順に積層された層構造を有している。発光素子１１４としては、自発光型の発光素子１１４を用いることができる。本実施形態においては、自発光型の発光素子１１４として、発光層１１８に有機発光層を用いた有機ＥＬ発光素子を用いることを前提としている。
画素電極１１６は、複数の画素１０６の各々に対して配置されている。画素電極１１６の材料としては、発光層１１８で発生した光を共通電極１２０側に反射させるために、反射率の高い金属層を含むことが好ましい。反射率の高い金属層としては、例えば銀（Ａｇ）や銀を含有する合金、アルミニウムやアルミニウムを含有する合金などを用いることができる。
更に、前述の反射率の高い金属層に加え、透明導電層が積層されてもよい。透明導電層としては、透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等を用いることが好ましい。また、それらの任意の組み合わせを用いてもよい。
発光層１１８は、画素電極１１６及び共通電極１２０に挟持されて配置されている。発光層１１８の材料としては、電流が供給されると発光する有機ＥＬ材料を用いることができる。有機ＥＬ材料としては、低分子系又は高分子系の有機材料を用いることができる。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１１８は発光性の有機材料に加え、発光性の有機材料を挟持するように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成されてもよい。また、発光層１１８は各画素１０６毎に夫々独立して形成されてもよい。
共通電極１２０は、本実施形態においては、複数の画素１０６に亘って配置されている。共通電極１２０の材料としては、発光層１１８で発生した光を透過させるために、透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等が好ましい。又は、共通電極１２０として、出射光が透過できる程度の膜厚を有する金属層を用いても良い。なお共通電極１２０は各画素電極１１６毎に個別に形成されることがあってもよい。
隣接する２つの画素電極１１６間にはバンク１２２が設けられ、隣接する２つの画素１０６を区画している。バンク１２２は、画素電極１１６と発光層１１８との間の層に設けられ、画素電極１１６の周縁部を覆うように設けられている。
バンク１２２の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁材料としては、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えば酸化珪素、窒化珪素、又はそれらの組み合わせ等を用いることができる。有機絶縁材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはそれらの組み合わせ等を用いることができる。無機絶縁材料と有機絶縁材料との組み合わせを用いてもよい。
絶縁材料で形成されたバンク１２２が設けられることによって、画素電極１１６の端部において、共通電極１２０と画素電極１１６とが短絡することを防止することができる。更に、隣接する画素１０６間を確実に絶縁することができる。
封止層１２４は、表示領域１０２ａに亘って配置され、複数の画素１０６を覆っている。つまり、封止層１２４は、表示領域１０２ａ全域を覆っている。本実施形態においては、封止層１２４は、少なくとも第１無機絶縁層１２６ａ、第２無機絶縁層１２６ｂ、第１有機絶縁層１２８ａ及び第２有機絶縁層１２８ｂを有している。封止層１２４を構成するこれらの層は、下層から、第１無機絶縁層１２６ａ、第１有機絶縁層１２８ａ、第２有機絶縁層１２８ｂ及び第２無機絶縁層１２６ｂの順で積層されている。これらの層について、第１基板１０２側の層から順に説明する。
第１無機絶縁層１２６ａは、上層の第１有機絶縁層１２８ａまたは第２有機絶縁層１２８ｂが水分を含む場合に、発光素子１１４への水分の侵入経路を遮断するために設けられている。よって、第１無機絶縁層１２６ａの材料としては、透湿性の低い絶縁材料が好ましい。第１無機絶縁層１２６ａの具体的な材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯx）、窒化珪素（ＳｉＮx）、酸化窒化珪素（ＳｉＯxＮy）、窒化酸化珪素（ＳｉＮxＯy）、酸化アルミニウム（ＡｌＯx）、窒化アルミニウム（ＡｌＮx）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯxＮy）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮxＯy）等の層を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの層を積層した構造を使用してもよい。第１無機絶縁層１２６ａの、成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などを用いることができる。
第１有機絶縁層１２８ａは、第１無機絶縁層１２６ａ上に設けられている。第１有機絶縁層１２８ａは、平面視において複数の画素１０６を覆うように設けられている。換言すると、第１有機絶縁層１２８ａは、平面視において、表示領域１０２ｂ全域を覆うように設けられている。更に換言すると、第１有機絶縁層１２８ａは、平面視において、発光層１１８よりも広く、発光層１１８を完全に覆うように設けられている。
第１有機絶縁層１２８ａは、封止層１２４の下層に配置された複数の発光素子１１４やバンク１２２等に起因する凹凸を平坦化するために設けられる。このような凹凸が十分に平坦化されずに後述する第２無機絶縁層１２６ｂが設けられてしまうと、第２無機絶縁層１２６ｂが凹凸を十分に被覆できず、第２無機絶縁層１２６ｂにクラックやピンホール等の水分の侵入経路が発生する場合がある。
第１有機絶縁層１２８ａは、膜厚が１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。第１有機絶縁層１２８ａの膜厚がこの範囲よりも小さいと、前述のような凹凸を十分に平坦化することができない場合がある。そのような場合、上層に設けられる第２無機絶縁層１２６ｂの被覆性が十分ではなくなり、第２無機絶縁層１２６ｂにクラック等の水分の侵入経路が発生する場合がある。一方、第１有機絶縁層１２８ａの膜厚がこの範囲よりも大きいと、封止層１２４の透光性が低下し、視認される輝度の低下を招く。
第１有機絶縁層１２８ａの材料としては、詳細は後述するが、その上層に設けれらる第２有機絶縁層１２８ｂよりも水蒸気透過率が低い材料を用いる。具体的には、水蒸気透過率が１０−2ｇ／ｍ2／ｄａｙ以上１０0ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下である材料を用いる。そのような材料としては例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。第１有機絶縁層１２８ａの成膜方法としては、塗布法又は蒸着法等を用いることができる。
尚、水蒸気透過率とは、所定の温度及び湿度の条件で単位時間に単位面積の試験片を通過する水蒸気の量と定義される。本明細書においては、水蒸気透過率として、２４時間に１ｍ2の試験片を通過する水蒸気量としている。
第２有機絶縁層１２８ｂは、第１有機絶縁層１２８ａ上に設けられている。第２有機絶縁層１２８ｂは、平面視において複数の画素１０６を覆うように設けられている。換言すると、第２有機絶縁層１２８ｂは、平面視において、表示領域１０２ｂ全域を覆うように設けられている。更に換言すると、第２有機絶縁層１２８ｂは、平面視において、発光層１１８よりも広く、発光層１１８を覆うように設けられている。本実施形態においては、第２有機絶縁層１２８ｂは、第１有機絶縁層１２８ａ上に接して設けられている。ここで、第１有機絶縁層１２８aと、第２有機絶縁層１２８ｂとが接触する領域は、平面視において少なくとも複数の画素１０６を含む表示領域全面を覆う。
第２有機絶縁層１２８ｂの材料としては、第１有機絶縁層１２８ａよりも水蒸気透過率が高い材料を用いることが好ましい。具体的には、水蒸気透過率が１０2ｇ／ｍ2／ｄａｙ以上１０3ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下である材料を用いることが好ましい。
第２有機絶縁層１２８ｂの水蒸気透過率がこの範囲よりも大きいと、封止層１２４のクラックやピンホール等を介して多量の水分が侵入してしまい、表示領域に亘って白色のムラ等が発生してしまう。一方、第２有機絶縁層１２８ｂの水蒸気透過率がこの範囲よりも小さいと、第２有機絶縁層１２８ｂ内における拡散によって水分の密度が十分に均一化されず、前述の視認性の劣化が生じやすくなる。
そのような材料としては例えば、ポリエチレンテレフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリイミドのいずれかを含む材料を用いることができる。第１有機絶縁層１２８ａの成膜方法としては、塗布法又は蒸着法等を用いることができる。
第２無機絶縁層１２６ｂは、第２有機絶縁層１２８ｂ上に設けられている。第２無機絶縁層１２６ｂは、平面視において第１無機絶縁層１２６ａと接触する領域を有している。当該接触する領域は、平面視において、複数の画素１０６を囲む。つまり、第１有機絶縁層１２８ａ及び第２有機絶縁層１２８ｂは、第１無機絶縁層１２６ａ及び第２無機絶縁層１２６ｂによって密封されている。このような構成を有することによって、第１有機絶縁層１２８ａ又は第２有機絶縁層１２８ｂは表示装置１００の周縁部において露出しない。これによって、第１有機絶縁層１２８ａ又は第２有機絶縁層１２８ｂを介して、表示装置１００の周縁部から内部への水分の侵入経路を遮断することができる。
更に、第２無機絶縁層１２６ｂは、平面視において、周辺領域１０２ｂにおいて、第１無機絶縁層１２６ａと接触しない領域を有する。換言すると、第２無機絶縁層１２６ｂは、平面視において、周辺領域１０２ｂにおいて、第１無機絶縁層１２６ａと離隔した領域を有する。更に換言すると、第２無機絶縁層１２６ｂは、平面視において、周辺領域１０２ｂにおいて、第１有機絶縁層１２８ａ及び第２有機絶縁層１２８ｂの少なくともいずれか一方が介在して第１無機絶縁層１２６ａと重畳する領域を有する。
第２無機絶縁層１２６ｂの材料としては、第１無機絶縁層１２６ａと同様に、透湿性の低い絶縁材料を用いることが好ましく、第１無機絶縁層１２６ａと同様の材料を用いることができる。第２無機絶縁層１２６ｂの成膜方法としては、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などを用いることができる。
有機絶縁層は水分の侵入経路となりやすいため、第２有機絶縁層１２８ｂに水分が侵入すると、第１無機絶縁層１２６ａに到達し、更に発光層１１８に侵入してしまうことが懸念される。本実施形態においては、第１有機絶縁層１２８ａによって高い平坦性を確保しているため、第２無機絶縁層１２６ｂは被覆性に優れ、そのため水分の侵入経路が発生しにくい。しかしながら何らかの原因により、もし水分が侵入した場合であっても段落［００３９］に記載のように第２有機絶縁膜１２８ｂに、第１有機絶縁層１２８ａよりも水蒸気透過率が高い材料を用いることにより、後述のように水分侵入の影響が局所に集中することなく表示品位への影響を小さくすることができる。
以上、本実施形態に係る表示装置１００が備える封止層１２４の構成について説明した。以下では、封止層１２４がこのような構成を有することによる作用及び効果について、図面を用いて説明する。
図３Ａは、本実施形態に係る封止層１２４に対して第２有機絶縁層１２８ｂを有さない封止層１２４を用いた場合において、第２無機絶縁層１２６ｂに生じたクラック１３０に起因した水分の侵入を説明する図である。図３Ｂは、本実施形態に係る封止層１２４を用いた場合において、第２無機絶縁層に生じたクラック１３０に起因した水分の侵入を説明する図である。図３Ａ及び図３Ｂで示すように、第２無機絶縁層１２６ｂにクラック１３０が生じ、当該クラック１３０を介して封止層１２４に水分が侵入する場合を考える。
図３Ａの構成では、第２無機絶縁層１２６ｂに生じたクラック１３０から第１有機絶縁層１２８ａに水分が侵入すると、当該クラック１３０近傍に水分が局在する。ここで、局在した水分の密度が、第１有機絶縁層１２８ａの光学特性が変化し、透明性が低下し、例えば白色のムラとなって表示装置１００の視認性が劣化するという問題が生じる場合がある。
一方、図３Ｂに示した本実施形態に係る封止層１２４の構成によれば、第２無機絶縁層１２６ｂに生じたクラック１３０から第２有機絶縁層１２８ｂに水分が侵入すると、先ず第２有機絶縁層１２８ｂの面方向への水分の拡散が優位になる。これは、第１有機絶縁層１２８ａに比べて高い第２有機絶縁層の１２８ｂ水蒸気透過率に起因する。つまり、水分は第２有機絶縁層１２８ｂ内に局在しにくく、密度が均一になるように第２有機絶縁層１２８ｂの面方向へ拡散される。
第２有機絶縁層１２８ｂの面方向への水分の拡散が十分に進んだ後、封止層１２４の厚さ方向への水分の拡散が優位になる。このとき、第２有機絶縁層１２８ｂ内において水分の密度は十分に均一化されているため、第１有機絶縁層１２８ａ内に水分が侵入しても、水分の密度は十分に均一化される。
これによって、前述のような第１有機絶縁層１２８ａの光学特性の変化が生じさせる水分の密度に到達し、視認性が劣化するまでの時間を遅延させることができる。これによって、表示装置１００の寿命が長期化し、信頼性が向上する。
尚、第２有機絶縁層１２８ｂは、膜厚が０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。第２有機絶縁層１２８ｂの膜厚がこの範囲よりも小さいと、第２無機絶縁層１２６ｂ側から水分が侵入した直後に、封止層１２４の面方向よりも厚さ方向の拡散が優位になってしまう。これによって第１有機絶縁層１２８ａ内に水分が局在しやすくなり、前述の視認性の劣化が生じやすくなる。一方、第２有機絶縁層１２８ｂの膜厚がこの範囲よりも大きいと、封止層１２４の透光性が低下し、視認される輝度の低下を招く。
尚、本実施形態においては、第１有機絶縁層１２８ａと第２有機絶縁層１２８ｂとは接して積層されている態様を示した。上述のような作用及び効果を奏するための封止層の構成はこれに限定されるわけではない。
つまり、水蒸気透過率の比較的低い有機絶縁層と、クラックの比較的生じやすい無機絶縁層とが接して積層されていなければよい。水蒸気透過率の比較的低い有機絶縁層と、クラックの比較的生じやすい無機絶縁層とが接して積層されていると、無機絶縁層のクラックを介して有機絶縁層に水分が侵入した場合、当該クラック付近で局在してしまうことが有り得る。このことから、本実施形態に係る封止層に対して、第１有機絶縁層１２８ａと第２有機絶縁層１２８ｂとの間に、更に絶縁層を介在させても構わないが、この場合は有機絶縁層を介在させる方が好ましい。以上、本実施形態に係る封止層１２４の詳細な構成について説明した。
第２基板１０４は、第１基板１０２の表示領域１０２ａの上面に、第１基板１０２と対向するように設けられている。第２基板１０４は、シール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第２基板１０４として用いることができる材料については既に説明した。
シール材１１０は、第２基板１０４の周辺部を囲み、第１基板１０２と第２基板１０４とを固定する。第１基板１０２に配列された複数の画素１０６は、第２基板１０４とシール材１１０とによって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により、複数の画素１０６の各々が有する発光素子１１４の劣化を抑制している。なお、第１基板１０２と第２基板１０４の固定に際し、シール材１１０を用いない手段が用いられる場合は、シール材１１０は形成されない。しかしながら代替手段で用いられる構成部材の少なくとも一部が第２基板１０４の周辺部を囲み形成されるので、同様に複数の画素１０６の各々が有する発光素子１１４の劣化を抑制できる。
以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の構成によれば、封止層１２４内における水分の局在を抑えることができる。これによって、前述のような第１有機絶縁層１２８ａの光学特性の変化が生じさせる水分の密度に到達し、視認性が劣化するまでの時間を遅延させることができる。これによって、表示装置１００の寿命が長期化し、信頼性が向上する。
＜第２実施形態＞
図面を参照して、本実施形態に係る表示装置２００の構成について詳細に説明する。尚、本実施形態に係る表示装置２００の概略構成は第１実施形態に係る表示装置２００と同様であるため、ここでも図１を用いて説明する。図４は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を説明する断面図である。図４は、図１に示すＡ−Ａ´の断面を示している。
図面を参照して、本実施形態に係る表示装置２００の構成について詳細に説明する。尚、本実施形態に係る表示装置２００の概略構成は第１実施形態に係る表示装置２００と同様であるため、ここでも図１を用いて説明する。図４は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を説明する断面図である。図４は、図１に示すＡ−Ａ´の断面を示している。
本実施形態に係る表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比較すると、第２有機絶縁層１２８ｂの構成が異なっている。つまり、本実施形態においては、第２有機絶縁層１２８ｂは、第１有機絶縁層１２８ａの端部を被覆する。このような構成を有することによって、封止層１２４の端部から水分が侵入した場合において、第１有機絶縁層１２８ａの端部近傍に水分が局在することを抑制することができる。これによって、水分の局在に起因した封止層１２４の光学特性の変化を抑え、表示不良を抑え、表示装置２００の寿命を長期化することができる。なお第１実施形態と同様に、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
＜第３実施形態＞
図面を参照して、本実施形態に係る表示装置３００の構成について詳細に説明する。尚、本実施形態に係る表示装置３００の概略構成は第１実施形態に係る表示装置３００と同様であるため、ここでも図１を用いて説明する。図５は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を説明する断面図である。図５は、図１に示すＡ−Ａ´の断面を示している。
図面を参照して、本実施形態に係る表示装置３００の構成について詳細に説明する。尚、本実施形態に係る表示装置３００の概略構成は第１実施形態に係る表示装置３００と同様であるため、ここでも図１を用いて説明する。図５は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を説明する断面図である。図５は、図１に示すＡ−Ａ´の断面を示している。
本実施形態に係る表示装置３００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比較すると、封止層１２４は、第３有機絶縁層１２８ｃを更に有している点で異なっている。第３有機絶縁層１２８ｃは、第１無機絶縁層１２６ａ及び第１有機絶縁層１２８ａの間に設けられている。更に、第３有機絶縁層１２８ｃは、第１有機絶縁層１２８ａよりも水蒸気透過率が高い。なお第１実施形態と同様に、シール材１１０は必ずしも必要ではない。
第３有機絶縁層１２８ｃの材料としては、第２有機絶縁層１２８ｂと同様の材料を用いることができる。第３有機絶縁層１２８ｃの膜厚についても、第２有機絶縁層１２８ｂと同様とすることができる。
このような構成を有することによって、封止層１２４の下層から、つまり封止層１２４の画素１０６側から水分が侵入した場合において、第１有機絶縁層１２８ａ内に水分が局在することを抑制することができる。これによって、前述のような第１有機絶縁層１２８ａの光学特性の変化が生じさせる水分の密度に到達し、視認性が劣化するまでの時間を遅延させることができる。これによって、表示装置１００の寿命が長期化し、信頼性が向上する。
以上、本発明の好ましい態様を説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
表示装置・・・１００、２００、３００ 第１基板・・・１０２ 第２基板・・・１０４ 画素・・・１０６ 接続端子・・・１０８ シール材・・・１１０ ドライバＩＣ・・・１１２ 発光素子・・・１１４ 画素電極・・・１１６ 発光層・・・１１８ 共通電極・・・１２０ バンク・・・１２２ 封止層・・・１２４ 第１無機絶縁層・・・１２６ａ 第２無機絶縁層・・・１２６ｂ 第１有機絶縁層・・・１２８ａ 第２有機絶縁層・・・１２８ｂ 第３有機絶縁層・・・１２８ｃ クラック・・・１３０
Claims (12)
- 表示領域を有する基板と、
前記表示領域に配列された複数の画素と、
少なくとも前記表示領域全域を覆う封止層とを備え、
前記封止層は、
第１無機絶縁層、
前記第１無機絶縁層上に設けられた第１有機絶縁層、
前記第１有機絶縁層上に設けられ、前記第１有機絶縁層よりも水蒸気透過率が高い第２有機絶縁層、及び
前記第２有機絶縁層上に設けられた第２無機絶縁層を有することを特徴とする表示装置。 - 前記第１有機絶縁層及び前記第２有機絶縁層は、平面視において前記表示領域全域を覆うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第２無機絶縁層は、平面視において前記第１無機絶縁層と接触する領域を有し、前記接触する領域は、前記表示領域全域を囲むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
- 前記基板は、前記表示領域の外周部と前記基板の端縁部との間の領域である周辺領域を更に有し、
前記第２無機絶縁層は、平面視において表示領域より外側の外周部において、前記第１無機絶縁層と離隔した領域を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置 - 前記第２有機絶縁層は、前記第１有機絶縁層の端部を被覆することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の表示装置。
- 前記封止層は、前記第１無機絶縁層及び前記第１有機絶縁層の間に設けられ、前記第１有機絶縁層よりも水蒸気透過率が高い第３有機絶縁層を更に有することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の表示装置。
- 前記第２有機絶縁層は、膜厚が０．１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記第１有機絶縁層は、膜厚が１０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記第２有機絶縁層は、水蒸気透過率が１０2ｇ／ｍ2／ｄａｙ以上１０3ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記第１有機絶縁層は、水蒸気透過率が１０−2ｇ／ｍ2／ｄａｙ以上１０0ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記第２有機絶縁層は、ポリエチレンテレフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリイミドのいずれかを含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
- 前記第２有機絶縁層は、前記第１有機絶縁層上に接して設けられることを特徴とする請求項１から請求項６いずれか１項に記載の表示装置。
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