JP2012094429A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】封止膜の膜剥がれを防止した固体封止型の有機ＥＬ表示装置を実現する。
【解決手段】下部電極１３と上部電極１６の間に有機ＥＬ層１５を有する赤画素、緑画素、青画素が組になって画素を構成し、赤画素、緑画素、青画素の間にはバンク１４が形成され、バンク１４の一部においては、封止膜１９とバンク１４直接接触し、バンク１４以外においては、封止膜１９と下部電極１３との間には有機ＥＬ層１５が存在している。バンク１４においては、封止膜１９とバンク１４が直接接触している領域が存在するので、封止膜１９の接着強度を上げることが出来、封止膜１９の剥がれを防止することが出来る。
【選択図】図１

Description

本発明は有機ＥＬ表示装置に係り、有機ＥＬ層への水分の浸入に対し封止膜をコーティングすることによって防止する固体封止の有機ＥＬ表示装置に関する。

有機ＥＬ表示装置では下部電極と上部電極との間に有機ＥＬ層を挟持し、上部電極に一定電圧を印加し、下部電極にデータ信号電圧を印加して有機ＥＬ層の発光を制御する。下部電極へのデータ信号電圧の供給は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して行われる。有機ＥＬ層は、発光層の材料によって赤、緑、青の発光を行う。このような有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素をマトリクス状に配置し、各画素の発光を制御することによって画像を形成する。

有機ＥＬ表示装置に使用される有機ＥＬ材料は水分が存在すると発光特性が劣化し、長時間動作をさせると、水分によって劣化した場所が発光しなくなる。これは有機ＥＬ素子のダークスポットとして現れる。このダークスポットは時間の経過とともに成長する。ダークスポットの発生、あるいは成長を防止するためには、有機ＥＬ表示装置内への水分の浸入を防止する必要がある。

このために従来は、有機ＥＬ層が形成された素子基板を周囲に設置したシールを介して、封止基板によって封止し、外部から有機ＥＬ表示装置内への水分の浸入を防止する技術が開発されてきた。封止された内部の空間にはＮ_２等の不活性ガスを充填する。一方、有機ＥＬ表示装置内に進入した水分を除去するために、有機ＥＬ表示装置内に乾燥剤を設置する。これを中空封止型有機ＥＬ表示装置という。

しかし、中空封止型有機ＥＬ表示装置では、乾燥剤を設置するため、額縁幅を広くとる必要がある。また、封止剤によって封止するときの、封止剤から放出されたガスによる有機ＥＬ材料の汚染等の問題がある。さらに、完成した有機ＥＬ表示装置において素子基板あるいは封止基板に外力が加わると素子基板と封止基板が接触することによって有機ＥＬ層が破壊されるという問題点を有している。

中空封止の問題を対策するものとして、「特許文献１」には、封止基板を使用せずに、有機ＥＬ層と上部電極が形成された有機ＥＬ表示パネルの上に無機パッシベーション膜、有機平坦化膜、さらに無機パッシベーション膜を形成することによって水分が浸入することを防止する技術が記載されている。以後このような封止構造を固体封止という。

「特許文献２」には、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）において、カソード等が形成された背面基板と蛍光膜等が形成された前面基板との間の間隔を確保するためのスペーサを配置する領域を確保するために、赤、緑、青のサブ画素間の間隔よりも赤、緑、青のサブ画素の組間の間隔を大きくして、この大きな間隔の部分にスペーサを配置する構成が記載されている。

特開２００７−１５６０５８号公報 特開２００３−２１７４８２号公報

ＴＦＴ基板のＴＦＴ回路の上に、下部電極、有機ＥＬ層、上部電極等を形成し、これらの素子をＳｉＮ等の封止膜で被覆した固体封止構造は、比較的堅牢で、薄く、コストの低い有機ＥＬ表示装置を形成できる可能性がある。図１７は固体封止による有機ＥＬ表示装置の断面図である。図１７は表示領域の断面図であり、赤画素、緑画素、青画素が並んで配置されている。赤画素、緑画素、青画素の組を画素と呼ぶ。また、赤画素、緑画素、青画素をサブ画素と呼ぶこともある。図１７の白矢印は、赤の光、緑の光、青の光が放射されることを示している。

有機ＥＬ表示装置には、有機ＥＬ層１５から発光した光を、有機ＥＬ層１５等が形成されたガラス基板方向に取り出すボトムエミッション型と、有機ＥＬ層１５等が形成されたガラス基板と逆の方向に取り出すトップエミッション型とがある。トップエミッション型はＴＦＴが形成された領域の上にも発光領域を形成できるという利点がある。図１７はトップエミッション型有機ＥＬ表示装置である。

図１７において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１０の上にＴＦＴ回路１１が形成されている。ＴＦＴ回路１１は、ＴＦＴ、走査線、映像信号線、層間絶縁膜等を含む概念であるが、詳細な説明は省略する。図１７において、ＴＦＴ回路１１の上に、反射電極１２が形成されている。反射電極１２は、有機ＥＬ層１５からの光を上側に反射して光の利用効率を上げるためのものである。反射電極１２はＡｌによって形成されている。

図１７において、反射電極１２の上に下部電極１３がＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等によって形成されている。下部電極１３はアノードであり、図示しないＴＦＴのソース電極と接続して映像信号が入力される。赤画素、緑画素、青画素との間にはバンク１４が形成されている。バンク１４は、各画素を区画するとともに、有機ＥＬ層１５が断切れを生ずることを防止する。

バンク１４とバンク１４の間に有機ＥＬ層１５が形成されている。有機ＥＬ層１５は複数の層からなっている。この層については、図１８において説明する。有機ＥＬ層１５の上には上部電極１６がＭｇＡｇ合金等によって形成されている。上部電極１６はカソードとなっている。上部電極１６の上には、バッファー層１７が形成され、バッファー層１７の上には、膜間の屈折率の差による光のロスを防止するための光学干渉層１８が形成されている。光学干渉層１８の上には、有機ＥＬ層１５を外部の水分から保護するための封止膜１９がＳｉＮ膜等によって形成されている。

図１８は、図１７の膜構造を詳細に説明するための断面模式図である。図１８では、ガラス基板と反射電極１２は省略されている。図１８において、ＴＦＴ回路１１の上に下部電極１３が形成されている。下部電極１３は図示しないＴＦＴのソース電極と接続している。下部電極１３はバンク１４によって、サブ画素毎に区画されている。下部電極１３の上には、各サブ画素に共通に作用する共通ホール輸送層１５１が形成されている。共通ホール輸送層１５１の上には、各サブ画素毎に、赤ホール輸送層１５２Ｒ、緑ホール輸送層１５２Ｇ、青ホール輸送層１５２Ｂが形成されている。

各サブ画素毎のホール輸送層の上に、赤発光層１５３Ｒ、緑発光層１５３Ｇ、青発光層１５３Ｂが形成されている。発光層の上には、各サブ画素共通に、ホールブロッキング層１５４、電子輸送層１５５、電子注入層１５６が形成されている。電子注入層１５６の上に、カソードとなる上部電極１６が形成されている。

上部電極１６の上には、封止膜１９を形成する際に、有機ＥＬ層１５や上部電極１６が破壊されることを防止するためのバッファー層１７が形成されている。バッファー層１７の上には、封止膜１９とバッファー層１７の間で光が反射して、光の利用効率が低下することを防止するための、光学干渉層１８が形成されている。

光学干渉層１８の上に、有機ＥＬ層１５を外部の水分から保護するための、封止膜１９がＳｉＮ等によって形成される。封止膜１９は、ＣＶＤあるいはスパッタリングによって形成される。封止膜１９はこの他ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘＯｙ等によって形成されることもある。封止膜１９は保護膜なので、１μｍ程度に厚く形成される。

封止膜１９は直接光学干渉層１８と接触しているが、図１７および図１８に示すように、バンク１４と封止膜１９の間には、有機ＥＬ層１５、上部電極１６、バッファー層１７、光学干渉層１８が存在している。これらの膜は非常に薄く、特に有機EL層、バッファー層、光学干渉層の接着力は小さい。各層の膜厚は例えば、共通ホール輸送層１５１が１２０ｎｍ、赤ホール輸送層１５２Ｒが１００ｎｍ、緑ホール輸送層１５２Ｇが６０ｎｍ、青ホール輸送層１５２Ｂが１０ｎｍ、赤発光層１５３Ｒが３５ｎｍ、緑発光層１５３Ｇが２０ｎｍ、青発光層１５３Ｂが２５ｎｍ、ホールブロッキング層１５４が１５ｎｍ、電子輸送層１５５が１０ｎｍ、電子注入層１５６が２０ｎｍ、上部電極１６が１５ｎｍ、バッファー層１７が１００ｎｍ、光学干渉層１８が６０ｎｍ程度である。

このように、バンク１４と封止膜１９の間に存在する有機EL層等は、蒸着で形成されるので、封止膜１９が容易にこれらの膜から剥離する。剥離の態様としてはいろいろあるが、複数の有機ＥＬ層１５間で剥離する場合は、封止膜１９に光学干渉層１８およびバッファー層１７が付着した状態で、複数の有機ＥＬ層１５の界面で剥離する。封止膜１９が剥離すれば、外部からの水分が浸入し、有機ＥＬ層１５を劣化させる。

本発明の課題は、固体封止において、封止膜１９の剥離を防止し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することである。

本発明は上記課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。すなわち、下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層を有する第１のサブ画素と第２のサブ画素と第３のサブ画素が組になって画素を構成し、画素がマトリクス状に配置された表示領域が封止膜によって覆われた有機ＥＬ表示装置であって、第１のサブ画素と第２のサブ画素と第３のサブ画素の間には、バンクが形成され、バンクにおいては、バンクと前記封止膜が直接接する領域を持ち、バンク以外においては、封止膜と下部電極の間に有機ＥＬ層が存在していることを特徴とする。なお、バンクにおいては、上部電極のみが、バンクと前記封止膜との間に存在していてもよい。

また、バンクにおいて、封止膜とバンクとが直接接触する領域を確保するために、第１のサブ画素と第２のサブ画素の間のバンクおよび第２のサブ画素と第３のサブ画素の間のバンクよりも、第１のサブ画素と第３のサブ画素の間のバンクの幅を大きくし、幅が大きいバンクにおいて、封止膜とバンクを直接接触させる構成としてもよい。

本発明によれば、封止膜とバンクとが直接接着する領域を持つか、封止膜が上部電極のみを介してバンクと接触する領域を持つので、封止膜の接着強度を向上させることが出来、信頼性の高い固体封止型の有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。

本発明の第１の実施例による有機ＥＬ表示装置の断面図である。 本発明の第１の実施例による有機ＥＬ表示装置の膜構成を示す概略断面図である。 本発明の第１の実施例による封止膜形成前の有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第１の実施例による封止膜形成前の他の例を示す有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第１の実施例による封止膜形成前のさらに他の例を示す有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第１の実施例による封止膜形成前のさらに他の例を示す有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第２の実施例による有機ＥＬ表示装置の断面図である。 本発明の第２の実施例による有機ＥＬ表示装置の膜構成を示す概略断面図である。 本発明の第２の実施例による封止膜形成前の有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第２の実施例による封止膜形成前の他の例を示す有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第２の実施例による封止膜形成前のさらに他の例を示す有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第３の実施例による有機ＥＬ表示装置の膜構成を示す概略断面図である。 本発明の第３の実施例による封止膜形成前の有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第３の実施例による封止膜形成前の他の例を示す有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第４の実施例による有機ＥＬ表示装置の膜構成を示す概略断面図である。 本発明の第４の実施例による封止膜形成前の有機ＥＬ表示装置の平面図である。 従来例による有機ＥＬ表示装置の断面図である。 従来例による有機ＥＬ表示装置の膜構成を示す概略断面図である。

以下、実施例によって本発明の内容を詳細に説明する。

図１は本発明の第１の実施例によるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の断面図である。図１における膜の積層構造は図１７の従来例において説明したのと同様である。すなわち、ＴＦＴ基板１０の上にＴＦＴ回路１１が形成され、その上に反射電極１２と下部電極１３が形成されている。赤画素、緑画素、青画素はバンク１４によって区画されている。各サブ画素には有機ＥＬ層１５、上部電極１６、バッファー層１７、光学干渉層１８が形成され、その上を封止膜１９が覆っている。

図１の特徴は、バンク１４の一部の上には、有機ＥＬ層１５、上部電極１６、バッファー層１７、光学干渉層１８は形成されておらず、封止膜１９が直接バンク１４と接触している領域を持つ。バンク１４は、一般には、ポリイミド等の有機材料あるいは、ＳｉＮ等の無機材料によって形成されている。バンク１４は数百ｎｍ以上の厚さで形成され、機械的には安定であり、ＴＦＴ回路１１に形成されているパッシベーション膜等から容易に剥離することはない。また、封止膜１９として使用されるＳｉＮ膜等との接着力も良好である。したがって、封止膜１９は、バンク１４の部分において、ＴＦＴ基板にしっかりと接着するので、容易に剥離することはない。

図２は図１において、特に有機ＥＬ層１５を詳細に示す概略断面図である。図２において、ガラス基板と反射膜は省略されている。ＴＦＴ回路１１の上には、バンク１４が形成され、バンク１４とバンク１４の間には下部電極１３が存在している。下部電極１３の上には共通ホール輸送層１５１が形成されているが、本実施例では、共通ホール輸送層１５１もマスクを用いて蒸着によってサブ画素毎に別々に形成されている。したがって、バンク１４の上には共通ホール輸送層１５１は存在していない。

共通ホール輸送層１５１の上には、各サブ画素毎に、それぞれ、赤ホール輸送層１５２Ｒ、緑ホール輸送層１５２Ｇ、青ホール輸送層１５２Ｂが形成され、その上に、それぞれ、赤発光層１５３Ｒ、緑発光層１５３Ｇ、青発光層１５３Ｂが形成されている点は従来例と同じである。各発行層の上には、ホールブロッキング層１５４、電子輸送層１５５、電子注入層１５６が形成されているが、これらの膜は、従来例と異なり、各画素毎に別々に形成されている。したがって、バンク１４の上の一部には、従来例と異なり、これらの膜は存在していない。

このように、バンク１４の上の一部には、有機ＥＬ層１５等は存在せず、封止膜１９とバンク１４が直接接触するので、接着力は強い。有機ＥＬ層１５を構成する各層は、例えば、１０ｎｍ、２０ｎｍ程度で、有機材料を蒸着で形成しているので、接着力は極めて小さい。本実施例の構成によれば、封止膜１９が厚いバンク１４と直接接着するので、接着力は従来例に比較して飛躍的に強くなり、有機ＥＬ表示装置の信頼性が格段に向上する。

図３は、本実施例による表示領域において、封止膜１９を形成する前の状態を示す第１の例による平面図である。図３において、各サブ画素の間に縦方向にストライプ状に、有機ＥＬ層１５等の膜が形成されていない領域が存在している。この部分は、バンク１４の上になっている。その他の部分は、光学干渉層１８で覆われている。光学干渉層１８の下には、バッファー層１７、有機ＥＬ層１５等が存在している。

図３の状態の基板に対して、例えば、ＣＶＤによって封止膜１９を形成する。そうすると、図３のストライプの部分において、封止膜１９とバンク１４の一部が直接接触することになり、ＴＦＴ基板と封止膜１９との接着力が確保され、有機ＥＬ表示装置の信頼性を確保することが出来る。

図４は、本実施例による表示領域において、封止膜１９を形成する前の状態を示す第２の例による平面図である。図４において、各サブ画素の間に横方向にストライプ状に、有機ＥＬ層１５等の膜が形成されていない領域が存在している。この部分は、バンク１４の上になっている。その他の部分は、光学干渉層１８で覆われている。光学干渉層１８の下には、バッファー層１７、有機ＥＬ層１５等が存在している。

図４の状態の基板に対して、例えば、ＣＶＤによって封止膜１９を形成する。そうすると、図３のストライプの部分において、封止膜１９とバンク１４の一部が直接接触することになり、ＴＦＴ基板と封止膜１９との接着力が確保され、有機ＥＬ表示装置の信頼性を確保することが出来る。

封止膜１９とバンク１４が直接接触する領域は、連続したストライプ状である必要はない。図５は、本実施例の第３の例であり、サブ画素とサブ画素の間に菱形状に有機ＥＬ層１５の膜が存在しない領域を形成した例である。菱形の領域以外には、光学干渉層１８、バッファー層１７、有機ＥＬ層１５等が存在している。しかし、菱形の領域において、バンク１４と封止膜１９が直接接着するので、ＴＦＴ基板と封止膜１９の接着力が確保され、有機ＥＬ表示装置の信頼性を確保することが出来る。

バンク１４と封止膜１９が直接接触する領域は菱形である必要はなく、例えば、図６に示すように、円形でもよい。また、図示しないが、楕円形でもよい。このように、バンク１４と封止膜１９が直接接触する領域が、ストライプのように連続的であっても、離散的であっても、ＴＦＴ基板と封止膜１９の接着力を向上させるという目的は達成することが出来る。

有機ＥＬ表示装置を構成する複数の膜のうち、上部電極１６はＭｇＡｇ等の合金、あるいは、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｍｙ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物等によって、形成されている。これらの膜は例えば、１５ｎｍ程度と薄いが、他の有機膜と異なり、バンク１４あるいは封止膜１９との接着力は強い。本実施例は、バンク１４の一部の上から全部の膜を除去するのではなく、上部電極１６のみを残すものである。

図７は本発明の第２の実施例を示す断面図である。図７において、バンク１４の一部の上には、上部電極１６だけが形成されている。本表示領域では、上部電極１６は連続して形成されているので、上部電極１６における電圧降下を防止することが出来る。すなわち、有機ＥＬ層１５を発光させるための電流は上部電極１６を通して供給されるが、上部電極１６に不連続な領域が存在すると、上部電極１６の抵抗が大きくなる。その結果、表示領域に場所によって輝度むらが生ずる。これに対して、本実施例では、上部電極１６は表示領域において、連続して平面状に形成することが出来るので、上部電極１６の抵抗増加を防止することが出来る。一方、上部電極１６はバンク１４、封止膜１９のいずれとも接着力は強いので、封止膜１９の膜剥がれを防止することが出来る。

図８は図７において、特に有機ＥＬ層１５を詳細に示す概略断面図である。図８において、ガラス基板と反射膜は省略されている。ＴＦＴ回路１１の上には、バンク１４が形成され、バンク１４とバンク１４の間には下部電極１３が存在している。下部電極１３から電子注入層１５６までの構成は実施例１と同様であり、各サブ画素毎に膜が形成される。しかし、上部電極１６は、各サブ画素共通に形成され、バンク１４の上にも形成される。

上部電極１６の上のバッファー層１７、光学干渉層１８は実施例１と同様に各サブ画素毎に形成される。その後、ＣＶＤ等によってＳｉＮ等による封止膜１９を形成する。したがって、封止膜１９は上部電極１６と接着することになる。上部電極１６は合金あるいは金属酸化膜によって形成されるので、バンク１４、封止膜１９のいずれとも接着力は強い。

図９は、本実施例による表示領域において、封止膜１９を形成する前の状態を示す第１の例による平面図である。図９において、各サブ画素の間に縦方向にストライプ状に、光学干渉層１８等が形成されていない領域が存在している。ストライプ状の部分は上部電極１６が存在していることが実施例１の図３と異なる点であり、その他は、図３と同様である。

図１０は、本実施例による表示領域において、封止膜１９を形成する前の状態を示す第２の例による平面図である。図１０において、各サブ画素の間に横方向にストライプ状に、光学干渉層１８等が形成されていない領域が存在している。ストライプ状の部分は上部電極１６が存在していることが実施例１の図４と異なる点であり、その他は、図４と同様である。また、光学干渉層１８等が存在しない領域は連続したストライプ状である必要は無く、図５あるいは図６等に示したように、菱形、円形、楕円形等でもよい。

本実施例が実施例１と特に異なる点は、図１１に示すように、光学干渉層１８等が存在していない領域を各サブ画素を囲むように形成できる点である。実施例１では、図１１のような構成とすると、上部電極１６に電流を供給できなくなる。しかし、本実施例では、上部電極１６をバンク１４の上を含む全域に形成することが出来るので、図１１のようにサブ画素を囲む領域に封止膜１９との接着力の強い領域を形成することが出来る。図１１のような構成であれば、封止膜１９との接着力が強い領域を他の例よりもより広い範囲に形成できるので、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。

実施例１および実施例２は、サブ画素毎に有機ＥＬ層１５等がバンク１４の上に存在しない領域を形成している。この構成は、サブ画素のピッチが小さい場合は、このような領域を形成することが困難になる場合がある。一方、封止膜１９がバンク１４あるいは、上部電極１６と直接接着する領域は、必ずしもサブ画素毎に形成しなくとも、封止膜１９とＴＦＴ基板との接着力の確保は可能である。

本実施例は、赤画素、緑画素、青画素のセットを画素とした場合、画素毎に有機ＥＬ層１５等のない部分を形成する、すなわち、画素毎にバンク１４と封止膜１９が接着する領域を形成することによって封止膜１９の接着力を確保するものである。図１２は本実施例を示す断面模式図である。

図１２はサブ画素６個を含む２画素分の断面模式図である。図１２において、ガラス基板と反射膜は省略されている。ＴＦＴ回路１１の上には、バンク１４が形成され、バンク１４とバンク１４の間には下部電極１３が存在している。バンク１４の幅は、サブ画素間のバンク１４の幅よりも画素間のバンク１４の幅の方が大きい。具体的には赤画素と青画素との間のバンク１４の幅が赤画素と緑画素の間のバンク１４の幅あるいは緑画素と青画素の間のバンク１４の幅よりも大きい。

図１２において、サブ画素間のバンク１４の上には、従来のように、有機ＥＬ層１５等の膜が形成されている。しかし、画素間のバンク１４の上の一部には、有機ＥＬ層１５等は形成されておらず、バンク１４と封止膜１９が直接接着している。図１２の構成によれば、封止膜１９とバンク１４が直接接着する領域は、３個のサブ画素毎に形成すればよいので、バンク１４の上に有機ＥＬ層１５等が形成されない領域をより容易に確保することが出来る。この場合、封止膜１９とＴＦＴ基板との接着は、画素間のバンク１４と封止膜１９との接着で確保することになる。３個のサブ画素おきに有機ＥＬ層１５等が形成されない領域を形成するので、この領域を安定して広く確保することができ、接着の信頼性が向上する場合もある。この構成は、特に画面の大きさが小さく、高精細の画面の場合に効果がある。

図１３は、本実施例による表示領域において、封止膜１９を形成する前の状態を示す第２の例による平面図である。図１３において、３個のサブ画素毎に、すなわち、赤画素と青画素との間に縦方向にストライプ状に、有機ＥＬ層１５等の膜が形成されていない領域が存在している。この部分は、バンク１４の上になっている。その他の部分は、光学干渉層１８で覆われている。光学干渉層１８の下には、バッファー層１７、有機ＥＬ層１５等が存在している。赤画素と青画素との間の間隔は大きくなっており、この部分に有機ＥＬ層１５等が形成されない領域を容易に確保することが出来る。

図１３の状態の基板に対して、例えば、ＣＶＤによって封止膜１９を形成する。そうすると、図１３のストライプの部分において、封止膜１９とバンク１４の一部が直接接触することになり、ＴＦＴ基板と封止膜１９との接着力が確保され、有機ＥＬ表示装置の信頼性を確保することが出来る。

封止膜１９とバンク１４が直接接触する領域は、連続したストライプ状である必要はないことは実施例１等と同様である。図１４は、本実施例の他の例であり、画素間、すなわち、３個のサブ画素毎に菱形に有機ＥＬ層１５等が存在しない領域が形成されている。この菱形の領域において、封止膜１９とバンク１４とを接着させ、封止膜１９の接着の信頼性を確保している。バンク１４と封止膜１９が直接接触する領域は菱形である必要はなく、円形でもよいし、楕円形でもよいことは実施例１等と同様である。

図１５は本発明の第４の実施例を示す概略断面図である。図１５はサブ画素６個を含む２画素分の断面模式図である。図１５において、ガラス基板と反射膜は省略されている。ＴＦＴ回路１１の上には、バンク１４が形成され、バンク１４とバンク１４の間には下部電極１３が存在している。バンク１４の幅は、サブ画素間のバンク１４の幅よりも画素間のバンク１４の幅の方が大きいことは実施例３と同様である。図１５が実施例３の図１２と異なる点は、画素間のバンク１４の上に上部電極１６が形成されていることである。

本実施例では、表示領域の全領域に上部電極１６を形成することが出来るので、上部電極１６における電圧低下を防止することが出来る。この効果については、実施例２で説明したので説明を省略する。本実施例においても、図１３に示すように、縦方向にストライプ状に封止膜１９と上部電極１６が接着する領域を形成することが出来る。また、図１４に示すような菱形、あるいは、図示しない、円形、楕円形等、離散的に接着力の強い領域を形成してもよい。

本実施例が実施例３と特に異なる点は、図１６に示すように、画素、すなわち、３個のサブ画素を囲むように、封止膜１９と上部電極１６の接着力が強い領域を形成することが出来る点である。つまり、実施例２で説明したと同様に、本実施例では、表示領域全体に連続して平面的に上部電極１６を形成することが出来るからである。本実施例では、封止膜１９との接着力が強い領域を広く確保することが出来るので、封止膜１９の接着の信頼性をより高くすることが出来る。

以上の説明では、封止膜１９は、ＣＶＤ、スパッタリング等によって形成した、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２等の無機膜によって形成されているとして説明した。封止膜１９は、このような無機膜とエポキシ、ポリイミド等有機膜との積層構造で構成される場合もある。この場合の有機膜は印刷によって形成される場合もある。封止膜１９がこのような積層構造の場合についても本発明を同様に適用することが出来る。

また、以上の説明では、トップエミッション型の固体封止の有機ＥＬ表示装置について説明したが、ボトムエミッション型の固体封止の有機ＥＬ表示装置についても適用することが出来る。

１０…ＴＦＴ基板、 １１…ＴＦＴ回路、 １２…反射電極、 １３…下部電極、 １４…バンク、 １５…有機ＥＬ層、 １６…上部電極、 １７…バッファー層、 １８…光学干渉層、 １９…封止膜、 １５１…共通ホール輸送層、 １５２Ｒ…赤ホール輸送層、 １５２Ｇ…緑ホール輸送層、 １５２Ｂ…青ホール輸送層、 １５３Ｒ…赤発光層、 １５３Ｇ…緑発光層、 １５３Ｂ…青発光層、 １５４…ホールブロッキング層、 １５５…電子輸送層、 １５６…電子注入層。

Claims (4)

1. 下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層を有する第１のサブ画素と第２のサブ画素と第３のサブ画素が組になって画素を構成し、前記画素がマトリクス状に配置された表示領域が封止膜によって覆われた有機ＥＬ表示装置であって、
   前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素と前記第３のサブ画素の間には、バンクが形成され、
   前記バンクの一部と前記封止膜が直接接する領域を持つことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層を有する第１のサブ画素と第２のサブ画素と第３のサブ画素が組になって画素を構成し、前記画素がマトリクス状に配置された表示領域が封止膜によって覆われた有機ＥＬ表示装置であって、
   前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素と前記第３のサブ画素の間には、バンクが形成され、
   前記バンクの一部においては前記上部電極は前記バンクおよび前記封止膜と直接接触し、前記バンク以外では、前記封止膜は前記上部電極以外の膜と接触していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
3. 下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層を有する第１のサブ画素と第２のサブ画素と第３のサブ画素が組になって画素を構成し、前記画素がマトリクス状に配置された表示領域が封止膜によって覆われた有機ＥＬ表示装置であって、
   前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素の間および前記第２のサブ画素と前記第３のサブ画素の間には第１のバンクが形成され、
   前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素の間には第２のバンクが形成され、
   前記第２のバンクの幅は前記第１のバンクの幅よりも大きく、
   前記第２のバンクにおいては、前記第２のバンクの一部と前記封止膜が直接接触し、前記第１のバンクにおいては、前記第２のバンクと前記封止膜の間には、前記有機ＥＬ層が存在していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
4. 下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層を有する第１のサブ画素と第２のサブ画素と第３のサブ画素が組になって画素を構成し、前記画素がマトリクス状に配置された表示領域が封止膜によって覆われた有機ＥＬ表示装置であって、
   前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素の間および前記第２のサブ画素と前記第３のサブ画素の間には第１のバンクが形成され、
   前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素の間には第２のバンクが形成され、
   前記第２のバンクの幅は前記第１のバンクの幅よりも大きく、
   前記第２のバンクの一部においては、前記上部電極は前記第２のバンクおよび前記封止膜と直接接触し、前記第２のバンク以外では、前記封止膜は前記上部電極以外の膜と接触していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

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