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Abstract
【課題】クラックや成膜ダメージの発生を抑えつつも共通電極が低抵抗化された表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 各画素に対応する複数の画素電極P1と、複数の画素電極P1のそれぞれの周縁部に載るように設けられた絶縁層BNKと、複数の画素電極P1のそれぞれに接触して積層されるように設けられた自発光層E1と、自発光層E1に接触するように積層して、絶縁層BNKに載るように設けられた第1共通電極C1と、絶縁層BNKの上方で第1共通電極C1の一部との積層を避けて、複数の画素電極P1の上方で第1共通電極C1に積層する光透過性層LTと、複数の画素電極P1の上方で光透過性層LTに積層し、絶縁層BNKの上方で第1共通電極C1に接触するように積層する第2共通電極C2と、自発光層E1を封止するように、第2共通電極C2の上方に積層する封止層PRと、を有することを特徴とする表示装置。【選択図】図3
Description
本発明は、エレクトロルミネッセンス(EL:Electro Luminescence)素子や有機EL素子その他の自発光タイプの表示素子である自発光素子を搭載した表示装置に関する。
有機EL表示装置をはじめとする表示装置においては、各画素にて個別に配置される画素電極と、各画素にて共通となるように画素電極の上側に配置される共通電極と、画素電極および共通電極によって挟持される自発光層とによって自発光素子が形成される。
なお特許文献1には、上部電極の電圧降下を防止し、画面輝度が均一なトップエミッション型有機EL表示装置を実現する旨が記載されている。
自発光表示装置の共通電極としては、共通電極の厚みを増大させて低抵抗化をすることで、シェーディングの発生や駆動電圧を低下させることが考えられる。
しかしながら共通電極の厚みを大きくすると、内部応力が生じることで共通電極や自発光層にてクラックが発生しやすくなる。また、成膜工程の時間が増大することで、自発光層等に与えるダメージが大きくなることも懸念される。
本発明は、上記のような課題に鑑みて、クラックや成膜ダメージの発生を抑えつつも共通電極が低抵抗化された表示装置を提供することを目的とする。
本発明に係る表示装置は、上記のような課題に鑑みて、画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部に載るように設けられた絶縁層と、前記複数の画素電極のそれぞれに接触するように積層して、電流によって輝度が制御されて発光するように設けられた自発光層と、前記複数の画素電極の上方で前記自発光層に接触するように積層して、前記絶縁層に載るように設けられた第1共通電極と、前記絶縁層の上方で前記第1共通電極の一部との積層を避けて、前記複数の画素電極の上方で前記第1共通電極に積層する光透過性層と、前記複数の画素電極の上方で前記光透過性層に積層し、前記絶縁層の上方で前記第1共通電極に接触するように積層する第2共通電極と、前記自発光層を封止するように、前記第2共通電極の上方に積層する封止層と、を有することを特徴とする。
以下、本発明の各実施形態に係る有機EL表示装置について、図面を参照しながら説明する。
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態の自発光表示装置としての有機EL表示装置1を説明するための概略平面図である。本実施形態の有機EL表示装置1は、複数の自発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子が配置された第1基板B1に、第2基板B2が張り合わされて構成され、第1基板B1において第2基板B2から露出した領域(露出領域EX)には、有機EL表示装置1を駆動するためのドライバ半導体装置ICが配置される。さらに第1基板B1の露出領域EXの端部近辺にはフレキシブルプリント基板FPCが配置される。
図1は、第1の実施形態の自発光表示装置としての有機EL表示装置1を説明するための概略平面図である。本実施形態の有機EL表示装置1は、複数の自発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子が配置された第1基板B1に、第2基板B2が張り合わされて構成され、第1基板B1において第2基板B2から露出した領域(露出領域EX)には、有機EL表示装置1を駆動するためのドライバ半導体装置ICが配置される。さらに第1基板B1の露出領域EXの端部近辺にはフレキシブルプリント基板FPCが配置される。
図2は、第1の実施形態の有機EL表示装置1の表示領域DPにおける画素回路の様子を示す図である。有機EL表示装置1は、画像を表示する表示領域DPと、走査信号線駆動部GDRと、映像信号線駆動部DDRと、電源駆動部EDRとを備える。
表示領域DPにおいては、複数画素のそれぞれに対応して有機エレクトロルミネッセンス素子OL、および、画素回路PXがマトリクス状に配置されており、画素回路PXは薄膜トランジスタTFT1、容量素子CAP、および薄膜トランジスタTFT2で構成される。走査信号線駆動部GDRと映像信号線駆動部DDR、電源駆動部EDRは、画素回路PXを駆動して有機エレクトロルミネッセンス素子OLの発光を制御する。
走査信号線駆動部GDRは、画素の水平方向の並び(画素行)ごとに設けられた走査信号線GLに接続されて、順番に選択された走査信号線GLに走査信号を出力する。
映像信号線駆動部DDRは、画素の垂直方向の並び(画素列)ごとに設けられた映像信号線DLに接続されて、走査信号線駆動部GDRによる走査信号線GLの選択にあわせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線DLに出力をする。当該電圧は、画素回路PX内のキャパシタに書き込まれて、書き込まれた電圧に応じた電流が有機エレクトロルミネッセンス素子OLに供給される。
電源駆動部EDRは、画素列ごとに設けられた駆動電源線SLに接続されて、画素回路PX内のスイッチング素子を介して有機エレクトロルミネッセンス素子OLに電流を供給する。
そして後述のように、有機エレクトロルミネッセンス素子OLは2層に分かれた共通電極(カソード)を有しており、これらは共に接地電位に接続される。
図3は、第1の実施形態の有機EL表示装置1における画素の断面の様子を説明するための図である。同図で示されるように、有機EL表示装置1は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子OLが形成された第1基板B1と、第1基板B1に対向して配置されてカラーフィルタ層CFやブラックマトリクスBMが形成される第2基板B2と、第1基板B1と第2基板B2の間にて充填される充填層FLを含んで構成される。
ここで特に有機エレクトロルミネッセンス素子OLは、画素電極P1と、自発光層E1と、第1共通電極C1および第2共通電極C2を含んで構成され、2つの共通電極の間には有機絶縁膜にて形成された光透過性層LTが挟持される。この2つの共通電極は、各画素を分離するために有機絶縁膜(樹脂)で形成されたバンク層BNKの上側において接触(導通)しており、有機絶縁膜を間に挟んで2層に別れて積層されることにより、クラックや成膜ダメージの発生を低下させつつ、共通電極全体としての低抵抗化をするものとなっている。この2つの共通電極についての更なる詳細は後述する。
有機エレクトロルミネッセンス素子OLの画素電極P1(陽極)は、アルミ等の反射性の高い金属によって形成されて、コンタクトホールCHの底部まで延在して透明導電層T1に接続される。画素電極P1は、平坦化層HPLの下方に形成された薄膜トランジスタTFT2のソース電極と導通する。またバンク層BNKは、画素電極P1の周縁部に載るようにして設けられる。
本実施形態における自発光層E1は、共通電極C1と画素電極P1の間に形成されて、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を含んで構成される。自発光層E1における発光層では、自発光層E1に接触するように積層された画素電極P1から注入されたホールと、共通電極C1から注入された電子とが再結合することにより発光する。また自発光層E1を構成する全ての層が表示領域DPの全体にわたって形成されていてもよいし、画素ごとに個別に形成されていてもよい。有機エレクトロルミネッセンス素子OLの発光層の輝度は、薄膜トランジスタTFT2からの電流によって制御される。
ここで第1共通電極C1および第2共通電極C2は、酸化インジウム錫(ITO:Indium Tin Oxide)等の透明導電膜によって形成されて、表示領域DP内の複数の画素において共通する一層でベタ状に形成される電極となる。また有機絶縁膜で形成された光透過性層LTは、バンク層BNKによって形成される凹部(自発光層が平坦に形成される部分)であって、第1共通電極C1及び第2共通電極C2の間に形成されており、光透過性層LTによって2つの共通電極の間が隔てられる。この光透過性層LTは、バンク層BNKの上方において第1共通電極C1の一部との積層を避けるようになっており、第2共通電極C2は、バンク層BNKの上方における光透過性層LTが形成されない箇所において、第1共通電極に接触するように積層されるようになっている。また光透過性層LTは、紫外線を遮断して可視光線を通すような材料によって構成されるのが望ましく、これにより、充填層FLを紫外線で硬化する際に生じ得る自発光層E1へのダメージが抑えられる。
第2共通電極C2によって共通電極全体としての低抵抗化が図られ、さらに第2共通電極C2の成膜時は、光透過性層LTによって自発光層E1が隔てられていることで成膜ダメージが低減される。また第2共通電極C2によって低抵抗化が図られることで、第1共通電極C1を薄く形成することができ、これにより、自発光層E1等のクラックによる破壊が防止される。第1共通電極C1としては、第2共通電極C2よりも薄く形成するのが望ましい。
画素電極P1の下層には、容量素子CAPを形成するための配線層L1と、容量絶縁層CPとが配置される。この容量絶縁層CPは、例えば窒化シリコン(SiNx)のような無機絶縁膜によって形成される。また有機エレクトロルミネッセンス素子OLや容量素子CAPの下地には、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機絶縁膜で形成された平坦化層HPLが形成される。
また、各画素の有機エレクトロルミネッセンス素子OLは、封止層PRで覆われて保護されるようになっている。本実施形態における封止層PRは、無機絶縁膜によって主に構成され、具体的には、窒化シリコン層と、酸化シリコン層を含んで構成される。
図4は、第1の実施形態における有機EL表示装置1の画素と額縁領域の断面概略図である。図4で示されるように、表示領域DPの外側には、平坦化膜HPLやバンク層BNKを分断する構造CT1〜CT4が配置される。そして構造CT3においては、平坦化膜HPLの下地となる回路構成層CLの無機絶縁膜に至るまでの溝が形成されてその内側に無機絶縁膜や金属層が形成されるようになっており、これによって、内側の平坦化膜HPL等を介して自発光層E1に水分が侵入するのが防止される。また構造CT1〜CT4のさらに外側となる、スペーサ粒子SPを含むシール材DMの付近においては、第1共通電極C1と第2共通電極C2に所定の電位を供給するためのカソードコンタクトCCが配置される。
本実施形態における封止層PRには、窒化シリコン層と酸化シリコン/窒化シリコン層との2層の無機絶縁膜の他に有機絶縁膜が含まれる。構造CT1〜CT4や、カソードコンタクトCCにおいては窪みが大きくなるために封止層PR積層時に隙間SMが形成されやすくなるが、有機絶縁膜が2層の無機絶縁膜の間に充填されることで、隙間SMの発生が防止されることとなる。隙間SMが発生しなくなることで、上層側の窒化シリコン層がコンフォーマルに形成され、水分や酸素が侵入することを有効に防ぐことができる。
図5Aは、本実施形態における光透過性層LTを形成する工程の様子を説明するための図である。同図において示されるように、本実施形態における光透過性層LTの形成工程では、表示領域DPを全体的に覆うように樹脂による有機絶縁膜が製膜された後、バンク層BNK上の第1共通電極C1が露出するまでドライエッチングされる。図5Aのように光透過性層LTがエッチングされることで、光透過性層LTの上面がほぼ平坦となって、第2共通電極C2も略平坦となるように形成されることなる。
また図5Bは、本実施形態の変形例における光透過性層LTを形成する工程の様子を説明するための図である。同図において示されるように、変形例における光透過性層LTの形成工程では、表示領域DPを全体的に覆うように樹脂による有機絶縁膜が製膜された後、バンク層BNK上に局所的にレーザ照射をして、第1共通電極C1を確実に露出させるようにする。その後において、第2共通電極C2を積層することで、バンク層BNK上において第1共通電極C1と第2共通電極C2が確実にコンタクトし、図5Aの場合と同様に共通電極の低抵抗化が図られることになる。
[第2の実施形態]
次に図6を用いて本発明の第2の実施形態について説明をする。同図において示されるように、第2の実施形態における自発光表示装置1における光透過性層LTの上面は、第2共通電極C2の方向に凸となるように形成される凸領域を有して形成される。換言すると、光透過性層LTは、バンク層BNKに近づくにしたがって徐々に傾斜が大きくなるように上側に凸となるように形成される(凸レンズ状に形成される)。また、光透過性層LTの上方にある第2共通電極C2および封止層PRも光透過性層LTの上面と同様の形状によって形成されるようになっている。第2の実施形態の自発光表示装置1は、このような点で、第1の実施形態における自発光表示装置1とは相違している。
次に図6を用いて本発明の第2の実施形態について説明をする。同図において示されるように、第2の実施形態における自発光表示装置1における光透過性層LTの上面は、第2共通電極C2の方向に凸となるように形成される凸領域を有して形成される。換言すると、光透過性層LTは、バンク層BNKに近づくにしたがって徐々に傾斜が大きくなるように上側に凸となるように形成される(凸レンズ状に形成される)。また、光透過性層LTの上方にある第2共通電極C2および封止層PRも光透過性層LTの上面と同様の形状によって形成されるようになっている。第2の実施形態の自発光表示装置1は、このような点で、第1の実施形態における自発光表示装置1とは相違している。
また図6のように光透過性層LTが形成されることで、正面方向の発光が屈折させられて、視野角が改善されることになる。なお光透過性層LTの屈折率と充填層FLの屈折率のうち、光透過性層LTのほうが小さい場合には、図6の左側の画素における矢印のように、正面方向の発光が外側に広がるように屈折させられるが、充填層FLの屈折率の方が小さい場合には、図6の左側の画素における矢印とは逆に、正面方向の発光が内側に集光されるように屈折される。しかしながら充填層FLの屈折率の方が小さい場合であっても、内側に集光された後に外側に広がるように発光が伝播するので、いずれにしても正面方向の発光が外側に広がるように伝播して視野角が改善されることになる。
なお、図6のような光透過性層LTを加工する工程としては、図5Bにおいて説明をしたようなバンク層BNKの上方を露出させるようにするレーザ照射の条件を適宜設定すればよく、これにより凸レンズ状の形状に加工することができる。
また、第1共通電極C1を半透過・半反射型の極薄の金属(例えば、銀、Mg、MgAgなど)とし、第2共通電極C2をITO等の透明金属酸化物膜とするようにしてもよく、このようにすることで、画素電極P1と第1共通電極C1との間にて、マイクロキャビティ効果が促進され、第1共通電極C1と第2共通電極C2との間では、マイクロキャビティ効果を抑制されることとなる。光透過性層LTがレンズ形状となるため、第1共通電極C1と第2共通電極C2との間ではマイクロキャビティ効果を抑制するほうが望ましい。本実施形態において、半透過・半反射型の極薄の金属で形成された第1共通電極C1は、ITO等の透明金属酸化物膜で形成された第2共通電極C2よりも透過率は低く、反射率は高い形となる。このように第一共通電極C1を半反射型の極薄の金属、第2共通電極C2を透明金属酸化物膜とする場合は、自発光層E1は赤緑青の塗り分け方式がよい。この場合、カラーフィルタ層CFは無い方がよく、代わりに円偏光板やタッチパネルが設けられる方がよい。さらに発光波長の関係で、赤発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子OLの自発光層E1の厚みは、緑発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子OLの自発光層E1の厚みよりも厚く、緑発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子OLの自発光層E1の厚みは、青発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子OLの自発光層E1の厚みよりも厚くなる。このような厚さ関係とすることで、赤発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子OLの第一共通電極C1と画素電極P1との間の距離が、緑発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子OLの第一共通電極C1と画素電極P1との間の距離よりも大きくなる。同じく緑発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子OLの第一共通電極C1と画素電極P1との間の距離が、青発光を行う有機エレクトロルミネッセンス素子OLの第一共通電極C1と画素電極P1との間の距離よりも大きくなる。このような距離関係とすることで、マイクロキャビティ効果を有効に得ることができる。有機エレクトロルミネッセンス素子OLが白発光である場合は、マイクロキャビティ効果を得るためには上述したような形で赤緑青にて自発光層E1の膜厚を変える必要があり、本来白発光にて不必要なファインマスクが必要である。赤緑青の塗り分け方式であれば、それぞれの色ごとに元々自発光層E1をファインマスクにて作り分ける必要があるので、特に製造コストが上がることはないために有効である。半反射型の極薄の金属は透明金属酸化物膜よりも厚みが薄いために、自発光層E1に対するダメージが少ない。これは半反射型の極薄の金属は薄いためにすぐにスパッタ等で形成されるので、自発光層E1に対するダメージが小さい。透明金属酸化物膜は光透過性層LT1があるために、ある程度長い時間でスパッタ等で形成されたとしてもダメージは光透過性層LT1に吸収されるため、有機エレクトロルミネッセンス素子OLの発光特性が良好となる。
第2の実施形態における自発光表示装置1は、上述のような点で第1の実施形態における自発光表示装置1と相違しているが、このような点を除いてほぼ同様の構成を有しており、第1の実施形態の場合とほぼ同様となる構成については説明を省略するものとする。
[第3の実施形態]
次に図7を用いて本発明の第3の実施形態について説明をする。同図において示されるように、第3の実施形態における自発光表示装置1における光透過性層LTの上面は、第2共通電極C2の方向に凹となるように形成される凹領域を有して形成される。換言すると、光透過性層LTは、バンク層BNKに近づくにしたがって徐々に傾斜が大きくなるように上側に凹となるように形成される(凹レンズ状に形成される)。また、光透過性層LTの上方にある第2共通電極C2および封止層PRも光透過性層LTの上面と同様の形状によって形成されるようになっている。第3の実施形態の自発光表示装置1は、このような点で、第1の実施形態における自発光表示装置1とは相違している。
次に図7を用いて本発明の第3の実施形態について説明をする。同図において示されるように、第3の実施形態における自発光表示装置1における光透過性層LTの上面は、第2共通電極C2の方向に凹となるように形成される凹領域を有して形成される。換言すると、光透過性層LTは、バンク層BNKに近づくにしたがって徐々に傾斜が大きくなるように上側に凹となるように形成される(凹レンズ状に形成される)。また、光透過性層LTの上方にある第2共通電極C2および封止層PRも光透過性層LTの上面と同様の形状によって形成されるようになっている。第3の実施形態の自発光表示装置1は、このような点で、第1の実施形態における自発光表示装置1とは相違している。
また図7のように光透過性層LTが形成されることで、正面方向の発光が屈折させられて、視野角が改善されることになる。なお光透過性層LTの屈折率と充填層FLの屈折率のうち、充填層FLのほうが小さい場合には、図7の左側の画素における矢印のように、正面方向の発光が外側に広がるように屈折させられるが、光透過性層LTの方が小さい場合には、図7の左側の画素における矢印とは逆に、正面方向の発光が内側に集光されるように屈折される。しかしながら光透過性層LTの屈折率の方が小さい場合であっても、内側に集光された後に外側に広がるように発光が伝播するので、いずれにしても正面方向の発光が外側に広がるように伝播して視野角が改善されることになる。
なお、図7のような光透過性層LTを加工する工程としては、インクジェットにより光透過性層LTを形成し、その条件を適宜設定すればよい。
また、第1共通電極C1を半透過・半反射型の極薄の金属(例えば、銀、Mg、MgAgなど)とし、第2共通電極C2をITO等の透明金属酸化物膜とするようにしてもよく、このようにすることで、画素電極P1と第1共通電極C1との間にて、マイクロキャビティ効果が促進され、第1共通電極C1と第2共通電極C2との間では、マイクロキャビティ効果を抑制されることとなる。光透過性層LTがレンズ形状となるため、第1共通電極C1と第2共通電極C2との間ではマイクロキャビティ効果を抑制するほうが望ましい。このことは第2の実施形態にて説明した内容と同様であり、カラーフィルタ層CFの構成や有機エレクトトロルミネッセンス素子OLの構成においても同様である。
第3の実施形態における自発光表示装置1は、上述のような点で第1の実施形態における自発光表示装置1と相違しているが、このような点を除いてほぼ同様の構成を有しており、第1の実施形態の場合とほぼ同様となる構成については説明を省略するものとする。
[第4の実施形態]
次に図8を用いて本発明の第4の実施形態の自発光表示装置1について説明をする。第4の実施形態においては、光透過性層LTがカラーレジストによって形成されて、カラーフィルタとしての機能を果たすようになっている点で第1の実施形態の自発光表示装置1とは相違している。
次に図8を用いて本発明の第4の実施形態の自発光表示装置1について説明をする。第4の実施形態においては、光透過性層LTがカラーレジストによって形成されて、カラーフィルタとしての機能を果たすようになっている点で第1の実施形態の自発光表示装置1とは相違している。
図8で示されるように、第1共通電極C1と第2共通電極C2の間において、青色光透過性層LTbと、赤色光透過性層LTrと、緑色光透過性層LTgが配置されて、自発光層E1の近傍にて着色されるようになっている。このようにカラーフィルタとして機能して、通過する光の波長域がそれぞれ異なる光透過性層LTr,LTb,LTgが配置されることで、混色の発生が低減されると共に、対向基板B2を省略することも出来るため低コストな自発光表示装置を実現することができる。
第4の実施形態における自発光表示装置1は、上述のような点で第1の実施形態における自発光表示装置1と相違しているが、このような点を除いてほぼ同様の構成を有しており、第1の実施形態の場合とほぼ同様となる構成については説明を省略するものとする。
[第5の実施形態]
次に図9を用いて第5の実施形態の自発光表示装置1について説明をする。第1の実施形態の自発光表示装置1では、複数の画素に共通するように自発光層E1が形成されて、自発光層E1が単一色で発光する(複数色のカラーフィルタCFのそれぞれを通過する光を含むように発光する)ようになっているが、第5の実施形態においては、複数の画素において個別に自発光層E1が形成されて、複数色のいずれかで発光するように自発光層E1が塗り分けられている点で相違している。
次に図9を用いて第5の実施形態の自発光表示装置1について説明をする。第1の実施形態の自発光表示装置1では、複数の画素に共通するように自発光層E1が形成されて、自発光層E1が単一色で発光する(複数色のカラーフィルタCFのそれぞれを通過する光を含むように発光する)ようになっているが、第5の実施形態においては、複数の画素において個別に自発光層E1が形成されて、複数色のいずれかで発光するように自発光層E1が塗り分けられている点で相違している。
なお、図9における対向基板B2においては、通過する光の波長域がそれぞれ異なる着色層を含むカラーフィルタやブラックマトリクスが形成されていてもよい。さらに第2の実施形態において説明したように、第1共通電極C1を半透過・半反射型の極薄の金属とし、第2共通電極C2をITO等の透明金属酸化物膜とするようにしてもよく、このようにすることで、画素電極P1と第1共通電極C1との間にて、マイクロキャビティ効果が促進され、第1共通電極C1と第2共通電極C2との間では、マイクロキャビティ効果を抑制されることとなる。光透過性層LTがレンズ形状となるため、第1共通電極C1と第2共通電極C2との間ではマイクロキャビティ効果を抑制するほうが望ましい。このことは第2の実施形態にて説明した内容と同様であり、カラーフィルタ層CFの構成や有機エレクトトロルミネッセンス素子OLの構成においても同様である。
第5の実施形態における自発光表示装置1は、上述のような点で第1の実施形態における自発光表示装置1と相違しているが、このような点を除いてほぼ同様の構成を有しており、第1の実施形態の場合とほぼ同様となる構成については説明を省略するものとする。
なお上記の各実施形態における自発光表示装置1としては、第1共通電極C1と第2共通電極C2とが複数の画素に共通するようにベタ状に形成されるようになっているが、必ずしもこのような態様には限定されない。
なお第1の実施形態における第1共通電極C1と第2共通電極の一方において、半透過・半透明の金属が使用されて、マイクロキャビティ効果を促すようになっていてもよい。
なお、上記の実施形態における自発光表示装置としては、有機EL表示装置には限定されず、量子ドット発光素子(QLED:Quantum‐Dot Light Emitting Diode)のような自発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
なお第1の実施形態においては、平坦化膜HPLやバンク層BNKを分断する構造CT1〜CT4が配置されて、これらの構造によって発生する封止層PRにおける隙間を埋めるべく、有機絶縁膜が2層の無機絶縁膜の間に充填されているが、本発明は、このような態様に限定されないことは言うまでもなく、構造CT1〜CT4が存在しておらずともよいし、封止層PRにおいて有機絶縁膜が含まれていなくともよい。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。また例えば、上記の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
1 有機EL表示装置、DP 表示領域、B1 第1基板、B2 第2基板、EX 露出領域、FPC フレキシブルプリント基板、IC ドライバ半導体装置、GDR 走査信号線駆動部、DDR 映像信号線駆動部、EDR 電源駆動部、GL 走査信号線、DL 映像信号線、PX 画素回路、OL 有機エレクトロルミネッセンス素子、CF カラーフィルタ、BM ブラックマトリクス、FL 充填層、PR 封止層、DM シール材、SP スペーサ粒子、C1 第1共通電極、C2 第2共通電極、LT 光透過性層、E1 自発光層、P1 画素電極、CP 容量絶縁層、L1 配線層、CH コンタクトホール、BNK バンク層、HPL 平坦化層、CL 回路構成層、T1 透明導電層。
Claims (10)
- 画像を構成する複数の単位画素それぞれに対応する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部に載るように設けられた絶縁層と、
前記複数の画素電極のそれぞれに接触するように積層している自発光層と、
前記複数の画素電極のそれぞれの上方で前記自発光層に接触するように積層して、前記絶縁層に載るように設けられた第1共通電極と、
前記絶縁層の上方で前記第1共通電極の一部との積層を避けて、前記複数の画素電極の上方で前記第1共通電極に積層する光透過性層と、
前記複数の画素電極の上方で前記光透過性層に積層し、前記絶縁層の上方で前記第1共通電極に接触するように積層する第2共通電極と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
前記光透過性層は、前記第2共通電極が積層される上面を有し、前記上面は平坦であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
前記光透過性層は、前記第2共通電極が積層される上面を有し、
前記上面は、前記第2共通電極の方向に凸となる凸領域又は凹となる凹領域を、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に有することを特徴とする表示装置。 - 請求項3に記載された表示装置において、
前記封止層の上方には、前記光透過性層とは異なる屈折率の材料からなる充填層が積層され、
前記自発光層から垂直に発光して前記凸領域又は前記凹領域に入射する光を集光又は発散するように、前記充填層は屈折させる、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載された表示装置において、
通過する光の波長域がそれぞれ異なる複数色の着色層を含むカラーフィルタ層をさらに有し、
前記自発光層は、前記複数色の着色層のそれぞれを通過する前記光を含むように発光することを特徴とする表示装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記光透過性層は、通過する光の波長域がそれぞれ異なる複数色の着色層からなり、
前記自発光層は、前記複数色の着色層のそれぞれを通過する前記光を含むように発光することを特徴とする表示装置。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記光透過性層は、紫外線を遮断して可視光線を通すことを特徴とする表示装置。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記第1共通電極は、前記第2共通電極よりも薄いことを特徴とする表示装置。 - 請求項8に記載された表示装置において、
前記第1共通電極は光を通すことが可能な金属膜であり、前記第2共通電極は透明金属酸化物膜であることを特徴とする表示装置。 - 請求項9に記載された表示装置において、
赤発光を行う前記自発光層の厚みよりも、緑発光を行う前記自発光層の厚みが薄く、緑発光を行う前記自発光層の厚みよりも、青発光を行う前記自発光層の厚みが薄いことを特徴とする表示装置。
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