CN106531764B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106531764B
CN106531764B CN201610819440.9A CN201610819440A CN106531764B CN 106531764 B CN106531764 B CN 106531764B CN 201610819440 A CN201610819440 A CN 201610819440A CN 106531764 B CN106531764 B CN 106531764B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
public electrode
display device
electrode
photopermeability
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610819440.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106531764A (zh
Inventor
阪本树
佐藤敏浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Central Inc
Original Assignee
Japan Display Central Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Central Inc filed Critical Japan Display Central Inc
Publication of CN106531764A publication Critical patent/CN106531764A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106531764B publication Critical patent/CN106531764B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations

Abstract

一种抑制裂纹、成膜损伤的产生且使公共电极低电阻化的显示装置，具有：与各像素对应的多个像素电极(P1)；设为载置于多个像素电极的各个像素电极的周缘部的绝缘层(BNK)；设为以与多个像素电极的各个像素电极接触的方式层叠的发光层(E1)；设为以与发光层接触的方式层叠而载置于绝缘层的第一公共电极(C1)；在绝缘层的上方避开与第一公共电极的一部分层叠、而在多个像素电极的上方与第一公共电极层叠的光透过性层(LT)；在多个像素电极的上方与光透过性层层叠、在绝缘层的上方以与第一公共电极接触的方式层叠的第二公共电极(C2)；以密封发光层的方式层叠于第二公共电极的上方的密封层(PR)。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及搭载了场致发光(EL：Electro Luminescence)元件、有机EL元件以及其他作为自发光类型显示元件的自发光元件的显示装置。
背景技术
在以有机EL显示装置为代表的显示装置中，自发光元件由分别配置于各像素中的像素电极、以在各像素共用的方式配置于像素电极的上侧的公共电极、由像素电极及公共电极夹持的发光层形成。
需要说明的是，在专利文献1中，记载了防止上部电极的电压下降、实现画面亮度均匀的顶部发射型有机EL显示装置的内容。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009－94347号公报
发明内容
发明要解决的课题
作为自发光显示装置的公共电极，考虑增大公共电极的厚度来进行低电阻化，从而减少黑斑(shading)的产生、降低驱动电压。
但是，若增大公共电极的厚度，则会产生内部应力而导致容易在公共电极、发光层产生裂纹。另外，由于成膜工序的时间增大，也担心给发光层等带来的损伤变大。
本发明是鉴于上述那样的课题而提出的，其目的在于提供抑制裂纹、成膜损伤的产生且也使公共电极降低了电阻的显示装置。
用于解决课题的手段
本发明涉及的显示装置鉴于上述那样的课题而作成，其特征在于，该显示装置具有：多个像素电极，其分别与构成图像的多个单位像素对应；绝缘层，其设为载置于所述多个像素电极的各个像素电极的周缘部；发光层，其以与所述多个像素电极的各个像素电极接触的方式层叠；第一公共电极，其设为在所述多个像素电极各自的上方以与所述发光层接触的方式层叠，从而载置于所述绝缘层；光透过性层，其在所述绝缘层的上方避开与所述第一公共电极的一部分层叠，而在所述多个像素电极的上方与所述第一公共电极层叠；第二公共电极，其在所述多个像素电极的上方与所述光透过性层层叠，在所述绝缘层的上方以与所述第一公共电极接触的方式层叠。
附图说明
图1是第一实施方式涉及的自发光显示装置的立体图。
图2是表示第一实施方式中的自发光显示装置的像素电路的情形的概略图。
图3是用于说明第一实施方式中的自发光显示装置的一像素的情形的剖视图。
图4是用于说明第一实施方式中的自发光显示装置的像素及边缘区域的情形的剖视图。
图5A是用于说明形成第一实施方式中的光透过性层的工序的情形的图。
图5B是用于说明形成第一实施方式的变形例中的光透过性层的工序的情形的图。
图6是用于说明第二实施方式中的自发光显示装置的一像素的情形的剖视图。
图7是用于说明第三实施方式中的自发光显示装置的一像素的情形的剖视图。
图8是用于说明第四实施方式中的自发光显示装置的一像素的情形的剖视图。
图9是用于说明第五实施方式中的自发光显示装置的一像素的情形的剖视图。
附图标记说明
1有机EL显示装置、DP显示区域、B1第一基板、B2第二基板、EX露出区域、FPC挠性印刷基板、IC驱动半导体装置、GDR扫描信号线驱动部、DDR影像信号线驱动部、EDR电源驱动部、GL扫描信号线、DL影像信号线、PX像素电路、OL有机场致发光元件、CF滤色器、BM黑色矩阵、FL填充层、PR密封层、DM密封件、SP间隔粒子、C1第一公共电极、C2第二公共电极、LT光透过性层、E1发光层、P1像素电极、CP电容绝缘层、L1布线层、CH接触孔、BNK堤层、HPL平坦化层、CL电路结构层、T1透明导电层。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的各实施方式涉及的有机EL显示装置。
[第一实施方式]
图1是用于说明作为第一实施方式的自发光显示装置的有机EL显示装置1的概略俯视图。本实施方式的有机EL显示装置1通过在配置有多个作为自发光元件的有机场致发光元件的第一基板B1上粘贴第二基板B2而构成，在第一基板B1的从第二基板B2露出的区域(露出区域EX)配置有用于驱动有机EL显示装置1的驱动半导体装置IC。而且，在第一基板B1的露出区域EX的端部附近配置有挠性印刷基板FPC。
图2是表示第一实施方式的有机EL显示装置1的显示区域DP中的像素电路的情形的图。有机EL显示装置1具备显示图像的显示区域DP、扫描信号线驱动部GDR、影像信号线驱动部DDR和电源驱动部EDR。
在显示区域DP中，分别对多个像素对应地以矩阵状配置有机场致发光元件OL及像素电路PX，像素电路PX由薄膜晶体管TFT1、电容元件CAP以及薄膜晶体管TFT2构成。扫描信号线驱动部GDR和影像信号线驱动部DDR、电源驱动部EDR通过驱动像素电路PX来控制有机场致发光元件OL的发光。
扫描信号线驱动部GDR与按照像素的水平方向的排列(像素行)设置的扫描信号线GL连接，按顺序向所选择的扫描信号线GL输出扫描信号。
影像信号线驱动部DDR与按照像素的垂直方向的排列(像素列)设置的影像信号线DL连接，与扫描信号线驱动部GDR进行的扫描信号线GL的选择相应地，向各影像信号线DL输出与所选择的像素行的影像信号相应的电压。该电压被写入像素电路PX内的电容器，从而向有机场致发光元件OL供给与所写入的电压相应的电流。
电源驱动部EDR与按照像素列设置的驱动电源线SL连接，经由像素电路PX内的开关元件向有机场致发光元件OL供给电流。
并且，如后所述，有机场致发光元件OL具有分为两层的公共电极(阴极)，它们均与接地电位连接。
图3是用于说明第一实施方式的有机EL显示装置1中的像素的截面的情形的图。如该图所示，有机EL显示装置1构成为包含：形成有多个有机场致发光元件OL的第一基板B1；与第一基板B1对置配置且形成有滤色层CF、黑色矩阵BM的第二基板B2；填充在第一基板B1与第二基板B2之间的填充层FL。
在此，特别是有机场致发光元件OL构成为包含像素电极P1、发光层E1、第一公共电极C1以及第二公共电极C2，在两个公共电极之间夹持有由有机绝缘膜形成的光透过性层LT。这两个公共电极为了将各像素分离而在由有机绝缘膜(树脂)形成的堤层BNK的上侧接触(导通)，通过将有机绝缘膜夹在中间而分为两层地层叠，从而来减少裂纹、成膜损伤的产生，且使公共电极整体低电阻化。关于这两个公共电极的更详细的内容见后述。
有机场致发光元件OL的像素电极P1(阳极)由铝等反射性较高的金属形成，延伸至接触孔CH的底部而与透明导电层T1连接。像素电极P1与形成在平坦化层HPL下方的薄膜晶体管TFT2的源电极导通。另外，堤层BNK设置为载置于像素电极P1的周缘部。
本实施方式中的发光层E1形成在公共电极C1与像素电极P1之间，构成为包含空穴输送层、发光层、电子输送层。在发光层E1中的发光层中，通过从以与发光层E1接触的方式层叠的像素电极P1注入的空穴与从公共电极C1注入的电子再结合而进行发光。另外，构成发光层E1的所有层可以形成于显示区域DP整体范围，也可以按照像素分别形成。有机场致发光元件OL的发光层的亮度由来自薄膜晶体管TFT2的电流进行控制。
在此，第一公共电极C1及第二公共电极C2由氧化铟锡(ITO：Indium Tin Oxide)等透明导电膜形成，成为以在显示区域DP内的多个像素中共用的一层形成为平面状的电极。另外，由有机绝缘膜形成的光透过性层LT形成在由堤层BNK形成的凹部(发光层形成为平坦的部分)且第一公共电极C1与第二公共电极C2之间，通过光透过性层LT将两个公共电极之间隔开。该光透过性层LT在堤层BNK的上方避开与第一公共电极C1的一部分层叠的位置，第二公共电极C2在堤层BNK的上方的未形成光透过性层LT的部位以与第一公共电极接触的方式层叠。另外，光透过性层LT期望由隔断紫外线而可见光通过那样的材料构成，由此，能抑制在利用紫外线将填充层FL固化时可能产生的对发光层E1的损伤。
利用第二公共电极C2谋求作为公共电极整体的低电阻化，并且，在第二公共电极C2成膜时，通过利用光透过性层LT隔开发光层E1，从而能降低成膜损伤。另外，通过利用第二公共电极C2谋求低电阻化，能够将第一公共电极C1形成得较薄，由此，能防止发光层E1等的由裂纹引起的破坏。作为第一公共电极C1，期望形成得比第二公共电极C2薄。
在像素电极P1的下层配置有用于形成电容元件CAP的布线层L1和电容绝缘层CP。该电容绝缘层CP由例如氮化硅(SiNx)那样的无机绝缘膜形成。另外，在有机场致发光元件OL、电容元件CAP的基底形成有由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等有机绝缘膜形成的平坦化层HPL。
另外，各像素的有机场致发光元件OL由密封层PR覆盖而被保护。本实施方式中的密封层PR主要由无机绝缘膜构成，具体而言，构成为包含氮化硅层和氧化硅层。
图4是第一实施方式中的有机EL显示装置1的像素和边缘区域的剖面概略图。如图4所示，在显示区域DP的外侧配置有将平坦化膜HPL、堤层BNK割断的结构CT1～CT4。并且，在结构CT3中，形成有一直到电路构成层CL的无机绝缘膜(其成为平坦化膜HPL的基底)的槽而在其内侧形成有无机绝缘膜、金属层，由此，能防止水分经由内侧的平坦化膜HPL等侵入发光层E1。另外，在成为结构CT1～CT4的更外侧的、包含间隔粒子SP的密封件DM的附近，配置有用于向第一公共电极C1和第二公共电极C2供给规定电位的阴极触点CC。
本实施方式中的密封层PR除了包含氮化硅层和氧化硅/氮化硅层这两层的无机绝缘膜之外，还包含有机绝缘膜。在结构CT1～CT4、阴极触点CC，由于凹处变大，因此在层叠密封层PR时容易形成间隙SM，但是通过在两层的无机绝缘膜之间填充有机绝缘膜，能够防止产生间隙SM。通过不产生间隙SM，从而将上层侧的氮化硅层保形地形成，能够有效地防止水分、氧侵入。
图5A是用于说明形成本实施方式中的光透过性层LT的工序的情形的图。如该图所示，在本实施方式中的光透过性层LT的形成工序中，在以整体覆盖显示区域DP的方式制成了基于树脂的有机绝缘膜之后，进行干蚀刻直至堤层BNK上的第一公共电极C1露出。如图5A所示，通过对光透过性层LT进行蚀刻，光透过性层LT的上表面形成为大致平坦，第二公共电极C2也形成为大致平坦。
另外，图5B是用于说明形成本实施方式的变形例中的光透过性层LT的工序的情形的图。如该图所示，在变形例中的光透过性层LT的形成工序中，在以整体覆盖显示区域DP的方式制成了基于树脂的有机绝缘膜之后，对堤层BNK上局部地照射激光，从而使第一公共电极C1可靠地露出。然后，通过层叠第二公共电极C2，从而在堤层BNK上，第一公共电极C1与第二公共电极C2可靠地接触，与图5A的情况同样地谋求公共电极的低电阻化。
[第二实施方式]
接着，使用图6说明本发明的第二实施方式。如该图所示，第二实施方式中的自发光显示装置1的光透过性层LT的上表面形成为具有以朝向第二公共电极C2的方向凸出的方式形成的凸区域。换言之，光透过性层LT形成为以随着接近堤层BNK而倾斜逐渐变大的方式向上侧凸出(形成为凸透镜状)。另外，位于光透过性层LT的上方的第二公共电极C2及密封层PR也由与光透过性层LT的上表面同样的形状形成。第二实施方式的自发光显示装置1在上述方面与第一实施方式中的自发光显示装置1不同。
另外，如图6所示，通过形成光透过性层LT，使正面方向的发光发生折射，从而视场角得到改善。需要说明的是，在光透过性层LT的折射率与填充层FL的折射率中的、光透过性层LT的折射率较小的情况下，如图6的左侧的像素中的箭头所示，使正面方向的发光以向外侧扩展的方式折射，但在填充层FL的折射率较小的情况下，与图6的左侧的像素中的箭头相反，正面方向的发光以向内侧会聚的方式折射。但是，即使在填充层FL的折射率较小的情况下，发光也以向内侧会聚之后向外侧扩展的方式传播，因此，无论如何正面方向的发光都以向外侧扩展的方式传播，从而视场角得到改善。
需要说明的是，作为加工图6那样的光透过性层LT的工序，适当设定图5B中说明那样的使堤层BNK的上方露出的激光照射的条件即可，由此，能够加工为凸透镜状的形状。
另外，也可以使第一公共电极C1为半透半反射型的极薄的金属(例如银、Mg、MgAg等)，使第二公共电极C2为ITO等透明金属氧化物膜，这样，在像素电极P1与第一公共电极C1之间，能促进微腔效应，在第一公共电极C1与第二公共电极C2之间，能抑制微腔效应。由于光透过性层LT为透镜形状，因此，在第一公共电极C1与第二公共电极C2之间期望抑制微腔效应。在本实施方式中，由半透半反射型的极薄的金属形成的第一公共电极C1为比由ITO等透明金属氧化物膜形成的第二公共电极C2的透过率低、反射率高的形式。这样，在使第一公共电极C1为半反射型的极薄的金属、使第二公共电极C2为透明金属氧化物膜的情况下，发光层E1最好为红绿蓝的分涂方式。在该情况下，最好没有滤色层CF，取而代之最好设置圆偏振板、触摸面板。而且，由于发光波长的关系，进行红发光的有机场致发光元件OL的发光层E1的厚度比进行绿发光的有机场致发光元件OL的发光层E1的厚度厚，进行绿发光的有机场致发光元件OL的发光层E1的厚度比进行蓝发光的有机场致发光元件OL的发光层E1的厚度厚。通过为这样的厚度关系，进行红发光的有机场致发光元件OL的第一公共电极C1与像素电极P1之间的距离比进行绿发光的有机场致发光元件OL的第一公共电极C1与像素电极P1之间的距离大。同样地，进行绿发光的有机场致发光元件OL的第一公共电极C1与像素电极P1之间的距离比进行蓝发光的有机场致发光元件OL的第一公共电极C1与像素电极P1之间的距离大。通过为这样的距离关系，能够有效地获得微腔效应。在有机场致发光元件OL为白发光的情况下，为了获得微腔效应，需要以上述那样的形式在红绿蓝改变发光层E1的膜厚，需要本来在白发光不需要的精细掩模。若为红绿蓝的分涂方式，则需要针对各色最开始利用精细掩模分别制作发光层E1，因此，特别是制造成本不会上升，因此有效。由于半反射型的极薄的金属比透明金属氧化物膜的厚度薄，因此，对于发光层E1的损伤较少。这是由于半反射型的极薄的金属较薄而立即利用溅射等形成，因此对于发光层E1的损伤较小。由于透明金属氧化物膜具有光透过性层LT1，因此，即使在一定程度长的时间内利用溅射等形成，损伤也会被光透过性层LT1吸收，因此，有机场致发光元件OL的发光特性良好。
第二实施方式中的自发光显示装置1在上述方面与第一实施方式中的自发光显示装置1不同，但除了上述方面之外具有大致相同的结构，关于与第一实施方式的情况大致相同的结构，省略说明。
[第三实施方式]
接着，使用图7说明本发明的第三实施方式。如该图所示，第三实施方式中的自发光显示装置1的光透过性层LT的上表面形成为具有以朝向第二公共电极C2的方向凹陷的方式形成的凹区域。换言之，光透过性层LT形成为以随着接近堤层BNK而倾斜逐渐变大的方式朝向上侧凹陷(形成为凹透镜状)。另外，位于光透过性层LT的上方的第二公共电极C2及密封层PR也由与光透过性层LT的上表面相同的形状形成。第三实施方式的自发光显示装置1在上述方面与第一实施方式中的自发光显示装置1不同。
另外，如图7所示，通过形成光透过性层LT，使正面方向的发光发生折射，从而视场角得到改善。需要说明的是，在光透过性层LT的折射率与填充层FL的折射率中的、填充层FL的折射率较小的情况下，如图7的左侧的像素中的箭头所示，使正面方向的发光以向外侧扩展的方式折射，但在光透过性层LT的折射率较小的情况下，与图7的左侧的像素中的箭头相反，正面方向的发光以向内侧会聚的方式发生折射。但是，光即使在透过性层LT的折射率较小的情况下，发光以在向内侧会聚之后向外侧扩展的方式传播，因此，无论如何正面方向的发光都以向外侧扩展的方式传播，从而视场角得到改善。
需要说明的是，作为加工图7那样的光透过性层LT的工序，利用喷墨形成光透过性层LT，适当设定其条件即可。
另外，也可以使第一公共电极C1为半透半反射型的极薄的金属(例如银、Mg、MgAg等)、使第二公共电极C2为ITO等透明金属氧化物膜，这样，在像素电极P1与第一公共电极C1之间能促进微腔效应，在第一公共电极C1与第二公共电极C2之间，能抑制微腔效应。由于光透过性层LT为透镜形状，因此，在第一公共电极C1与第二公共电极C2之间期望抑制微腔效应。这与在第二实施方式中说明过的内容相同，关于滤色层CF的结构、有机场致发光元件OL的结构也相同。
第三实施方式中的自发光显示装置1在上述方面与第一实施方式中的自发光显示装置1不同，但除了上述方面之外具有大致相同的结构，关于与第一实施方式的情况相同的结构，省略说明。
[第四实施方式]
接着，使用图8说明本发明的第四实施方式的自发光显示装置1。在第四实施方式中，光透过性层LT由光阻材料(Color Resist)形成，发挥作为滤色器的功能，在这一点上与第一实施方式的自发光显示装置1不同。
如图8所示，在第一公共电极C1与第二公共电极C2之间，配置有蓝色光透过性层LTb、红色光透过性层LTr和绿色光透过性层LTg，使发光层E1的附近被着色。通过这样配置作为滤色器发挥功能、通过的光的波长域分别不同的光透过性层LTr、LTb、LTg，能够降低混色的产生，并且也能省略对置基板B2，因此，能实现低成本的自发光显示装置。
第四实施方式中的自发光显示装置1在上述方面与第一实施方式中的自发光显示装置1不同，但除了上述方面之外具有大致相同的结构，关于与第一实施方式的情况大致相同的结构，省略说明。
[第五实施方式]
接着，使用图9说明第五实施方式的自发光显示装置1。在第一实施方式的自发光显示装置1中，以在多个像素共用的方式形成发光层E1，从而发光层E1以单一色发光(以包含分别通过多个色的滤色器CF的光的方式发光)，但在第五实施方式中，在多个像素分别形成发光层E1，以多个色中的任一色发光的方式分别涂敷发光层E1，在这一点上不同。
需要说明的是，在图9中的对置基板B2中，也可以形成包含通过的光的波长域分别不同的着色层的滤色器、黑色矩阵。而且，如在第二实施方式中说明的那样，可以使第一公共电极C1为半透半反射型的极薄的金属、使第二公共电极C2为ITO等的透明金属氧化物膜，这样，在像素电极P1与第一公共电极C1之间，促进微腔效应，在第一公共电极C1与第二公共电极C2之间，抑制微腔效应。由于光透过性层LT为透镜形状，因此，在第一公共电极C1与第二公共电极C2之间期望抑制微腔效应。这与在第二实施方式中说明的内容相同，关于滤色层CF的结构、有机场致发光元件OL的结构也相同。
第五实施方式中的自发光显示装置1在上述方面与第一实施方式中的自发光显示装置1不同，但出于上述方面之外具有大致相同的结构，关于与第一实施方式的情况大致相同的结构，省略说明。
需要说明的是，作为上述的各实施方式中的自发光显示装置1，第一公共电极C1与第二公共电极C2以在多个像素共用的方式形成为平面状，但也并不一定限定于这样的方式。
需要说明的是，也可以在第一实施方式中的第一公共电极C1与第二公共电极的一方使用半透过半透明的金属，从而来促进微腔效应。
需要说明的是，作为上述的实施方式中的自发光显示装置，并不限定于有机EL显示装置，也可以为各像素具备量子点发光元件(QLED：Quantum-Dot Light EmittingDiode)那样的自发光元件的显示装置。
需要说明的是，在第一实施方式中，配置有将平坦化膜HPL、堤层BNK割断的结构CT1～CT4，为了填埋由这些结构产生的密封层PR中的间隙，而在两层的无机绝缘膜之间填充有机绝缘膜，但不言而喻，本发明并不限定于这样的方式，也可以不存在结构CT1～CT4，也可以在密封层PR不包含有机绝缘膜。
本发明并不限定于上述的实施方式，能够进行各种変形。在本发明的思想的范畴内，若为本领域技术人员，则能想到各种变更例以及修正例，那些变更例以及修正例也属于本发明的范围。另外，例如，本领域技术人员针对上述的各实施方式适当地进行构成要素的追加、削除或设计变更而得到的内容、或者进行工序的追加、省略或条件变更得到的内容只要具备本发明的要旨，也包含于本发明的范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，该显示装置具有：
基板；
多个像素电极，其分别与构成图像的多个单位像素对应地配置于所述基板；
绝缘层，其设为载置于所述多个像素电极的各个像素电极的周缘部；
发光层，其以与所述多个像素电极的各个像素电极接触的方式层叠；
第一公共电极，其设为在所述多个像素电极的各个像素电极的上方以与所述发光层接触的方式层叠，从而载置于所述绝缘层；
光透过性层，其在所述绝缘层的上方避开与所述第一公共电极的一部分层叠的位置，而在所述多个像素电极的上方与所述第一公共电极层叠；
第二公共电极，其在所述多个像素电极的上方与所述光透过性层层叠，在所述绝缘层的上方以与所述第一公共电极接触的方式层叠，
所述像素电极由具有光反射性的金属形成，
所述第二公共电极由透明导电膜形成，
所述显示装置构成为：来自所述发光层的光以通过所述第二公共电极向远离所述基板的方向射出的方式被所述像素电极反射。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述光透过性层具有层叠有所述第二公共电极的上表面，所述上表面平坦。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述光透过性层具有层叠有所述第二公共电极的上表面，
所述上表面在所述多个像素电极的各个像素电极的上方具有朝向所述第二公共电极的方向凸出的凸区域或朝向所述第二公共电极的方向凹陷的凹区域。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
还包括密封层，其以密封所述发光层的方式层叠于所述第二公共电极的上方，
在所述密封层的上方层叠有由折射率与所述光透过性层不同的材料形成的填充层，所述填充层使从所述发光层垂直地发光而向所述凸区域或所述凹区域入射的光以会聚或发散的方式折射。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
还具有滤色层，所述滤色层包含所通过的光的波长域分别不同的多个色的着色层，
所述发光层以包含分别通过所述多个色的着色层的所述光的方式发光。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述光透过性层由所通过的光的波长域分别不同的多个色的着色层构成，
所述发光层以包含分别通过所述多个色的着色层的所述光的方式发光。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述光透过性层隔断紫外线而使可见光通过。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一公共电极比所述第二公共电极薄。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述第一公共电极为能供光通过的金属膜，所述第二公共电极为透明金属氧化物膜。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
进行绿发光的所述发光层的厚度比进行红发光的所述发光层的厚度薄，进行蓝发光的所述发光层的厚度比进行绿发光的所述发光层的厚度薄。
CN201610819440.9A 2015-09-14 2016-09-12 显示装置 Active CN106531764B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-180686 2015-09-14
JP2015180686A JP2017059314A (ja) 2015-09-14 2015-09-14 表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106531764A CN106531764A (zh) 2017-03-22
CN106531764B true CN106531764B (zh) 2019-07-26

Family

ID=58237246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610819440.9A Active CN106531764B (zh) 2015-09-14 2016-09-12 显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9947896B2 (zh)
JP (1) JP2017059314A (zh)
KR (1) KR101848561B1 (zh)
CN (1) CN106531764B (zh)
TW (1) TWI601283B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6685675B2 (ja) * 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR101879180B1 (ko) * 2015-11-16 2018-07-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2018186046A (ja) * 2017-04-27 2018-11-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
JP2019091346A (ja) * 2017-11-16 2019-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102449131B1 (ko) 2017-12-06 2022-09-28 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN108364989B (zh) * 2018-02-26 2021-01-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制备方法、有机发光显示装置
JP7130411B2 (ja) * 2018-04-03 2022-09-05 キヤノン株式会社 発光装置、表示装置および撮像装置
KR102637790B1 (ko) * 2018-05-31 2024-02-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
JP7151615B2 (ja) * 2019-05-09 2022-10-12 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置、および電子機器
US11164894B2 (en) * 2019-10-16 2021-11-02 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
CN110853509B (zh) * 2019-10-16 2021-04-27 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法
US11296296B2 (en) 2019-11-06 2022-04-05 Applied Materials, Inc. Organic light-emtting diode light extraction layer having graded index of refraction
US11121345B2 (en) * 2019-11-26 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Structures and methods of OLED display fabrication suited for deposition of light enhancing layer
CN111106155B (zh) * 2019-12-30 2022-10-25 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN115104194A (zh) 2020-01-22 2022-09-23 应用材料公司 带有镜的有机发光二极管(oled)显示装置及其制造方法
KR20210136224A (ko) * 2020-05-06 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device
WO2023126742A1 (ja) * 2021-12-29 2023-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の作製方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1575057A (zh) * 2003-05-29 2005-02-02 索尼株式会社 制造叠层结构的方法、叠层结构、显示器件以及显示单元

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4310984B2 (ja) * 2002-02-06 2009-08-12 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
US6728315B2 (en) * 2002-07-24 2004-04-27 Apple Computer, Inc. Method and apparatus for variable accuracy inter-picture timing specification for digital video encoding with reduced requirements for division operations
JP4089544B2 (ja) 2002-12-11 2008-05-28 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2006222071A (ja) * 2005-01-17 2006-08-24 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP4367346B2 (ja) * 2005-01-20 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP5443679B2 (ja) 2007-10-10 2014-03-19 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2009128671A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Canon Inc 有機ｅｌ表示素子及び有機ｅｌ表示素子の製造方法
JP2009186657A (ja) 2008-02-05 2009-08-20 Dainippon Printing Co Ltd 染料顔料複合型カラーフィルタ及び有機ｅｌディスプレイ
JP2011040244A (ja) 2009-08-10 2011-02-24 Sony Corp 発光素子
KR101967407B1 (ko) * 2012-10-08 2019-04-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101990116B1 (ko) 2012-10-22 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기발광장치 및 그것의 제조방법
KR20140088369A (ko) * 2013-01-02 2014-07-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1575057A (zh) * 2003-05-29 2005-02-02 索尼株式会社 制造叠层结构的方法、叠层结构、显示器件以及显示单元

Also Published As

Publication number Publication date
US9947896B2 (en) 2018-04-17
KR101848561B1 (ko) 2018-04-12
JP2017059314A (ja) 2017-03-23
TW201711183A (zh) 2017-03-16
CN106531764A (zh) 2017-03-22
US20170077448A1 (en) 2017-03-16
KR20170032189A (ko) 2017-03-22
TWI601283B (zh) 2017-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106531764B (zh) 显示装置
EP3496176B1 (en) Electroluminescent display device
CN110265473B (zh) 有机发光二极管显示装置及其有机发光二极管
TWI569438B (zh) 有機ｅｌ顯示裝置
US10680207B2 (en) Electroluminescent display device having reflective patterns within depressed portions
KR102520955B1 (ko) 유기발광 표시장치
WO2019014973A1 (zh) 有机发光显示面板及其制作方法
CN109428004B (zh) 电致发光显示装置
JP2008135325A (ja) 有機ｅｌ表示装置とその製造方法
KR20150039487A (ko) 디스플레이 장치
US20200168843A1 (en) Organic light emitting diode panel
TW201431058A (zh) 電致發光顯示裝置
JP2015109190A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2016167400A (ja) 表示装置およびその製造方法
US10062736B2 (en) Display device having varying distances between reflecting layers
TW201740558A (zh) 光電裝置及電子機器
US20200227497A1 (en) Semiconductor device and display device
JP6728312B2 (ja) 電界発光表示装置
TW201445725A (zh) 有機發光二極體顯示器
JP2015069757A (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR20200061624A (ko) 표시장치
KR20170084408A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP2015201353A (ja) 表示装置
KR20150070544A (ko) 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
CN113327971B (zh) 显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant