TW201740558A - 光電裝置及電子機器 - Google Patents

Abstract

本發明之課題係提供一種可獲得寬廣視角且高品質之顯示之光電裝置及電子機器。 本發明之有機EL裝置100之特徵在於包含：基材11；有機EL元件30B，其形成於基材11上之子像素18B；有機EL元件30G，其形成於基材11上之與子像素18B相鄰之子像素18G；密封部34，其覆蓋有機EL元件30B與有機EL元件30G而形成；著色層36B，其形成於密封部34上之上述子像素18G；著色層36G，其形成於密封部34上之子像素18G；及凸部35，其形成於密封部34上之子像素18B與子像素18G之間且具有光透過性，且於凸部35之上表面部35a中，著色層36B與著色層36G以重合之方式配置。

Description

光電裝置及電子機器

本發明係關於一種包含有機電致發光(EL)元件之光電裝置及電子機器。

作為發光元件之有機EL元件因相比於LED(Light Emitting Diode：發光二極管)可小型化及薄型化，故於頭戴顯示器(HMD)或電子取景器(EVF)等之微型顯示器之應用備受矚目。於如此之微型顯示器中作為實現彩色顯示之方法，提出有一種組合可獲得白色發光之有機EL元件與彩色濾光片之構成(例如專利文獻1)。 於專利文獻1記載之光電裝置(有機EL裝置)中，形成有覆蓋配置於基板上之複數個有機EL元件之密封部，且使用光微影法於密封部上形成以紅(R)、綠(G)、藍(B)之著色層構成之彩色濾光片。構成彩色濾光片之各著色層以具有光透過性之凸部區分。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2014-089804號公報

[發明欲解決之問題] 於如此之有機EL裝置中，於紅、綠、藍之各色之子像素中有機EL元件發射之光透過對應於各色之波長之著色層，藉此，提高各色之色純度，且獲得高品質之顯示。然而，若相鄰之子像素彼此之一子像素之有機EL元件發射之傾斜光透過子像素彼此之間且自傾斜方向視認，則有於相鄰之子像素間產生混色之虞。若如此，則有於本來意圖之色範圍可視認到以紅、綠、藍之子像素作為顯示單位之彩色顯示之視角變窄之問題。 [解決問題之技術手段] 本發明係為了解決上述問題之至少一部分而完成者，可作為以下之形態或應用例而實現。 ［應用例1］本應用例之光電裝置之特徵在於包含：基板；第1有機EL元件，其形成於上述基板上之第1像素；第2有機EL元件，其形成於上述基板上之與上述第1像素相鄰之第2像素；密封部，其覆蓋上述第1有機EL元件與上述第2有機EL元件而形成；第1著色層，其形成於上述密封部上之上述第1像素；第2著色層，其形成於上述密封部上之上述第2像素；及凸部，其形成於上述密封部上之上述第1像素與上述第2像素之間且具有光透過性，且於上述凸部之上表面部中，上述第1著色層與上述第2著色層以重合之方式配置。 根據本應用例之光電裝置之構成，於形成有第1著色層之第1像素與形成有第2著色層之第2像素之間形成具有光透過性之凸部，且於凸部之上表面部中第1著色層與第2著色層以重合之方式配置。因此，例如，於第1像素中自第1有機EL元件向與第2像素之間射出之傾斜光，於透過凸部後透過第1著色層與第2著色層兩者。因此，與僅透過第1著色層之情形相比，可抑制自第1有機EL元件射出且向第1像素與第2像素之間射出之傾斜光之透過量。藉此，因較難引起第1像素與第2像素之間之混色，故可提供一種可獲得更廣視角且高品質之彩色顯示之光電裝置。 ［應用例2］如上述應用例之光電裝置，其中較佳自上述第1有機EL元件向上述密封部側射出之光為第1波長範圍之光，自上述第2有機EL元件向上述密封部側射出之光為與上述第1波長範圍不同之第2波長範圍之光，且上述第1著色層對於上述第1波長範圍之光具有75%以上之透過率，同時對於較上述第1波長範圍更靠近上述第2波長範圍側之特定波長之光具有25%以下之透過率，上述第2著色層對於上述第2波長範圍之光具有75%以上之透過率，同時對於較上述第2波長範圍更靠近上述第1波長範圍側之特定波長之光具有25%以下之透過率。 根據本應用例之構成，配置於第1像素之第1著色層，使自第1有機EL元件之密封部側射出之第1波長範圍之光透過75%以上，但使較第1波長範圍更靠近第2波長範圍側之特定波長之光僅透過至多25%。又，配置於第2像素之第2著色層，使自第2有機EL元件之密封部側射出之第2波長範圍之光透過75%以上，但使較第2波長範圍更靠近第1波長範圍側之特定波長之光僅透過至多25%。因此，可提高自第1像素與第2像素之各者射出之光之色純度。又，因自第1有機EL元件射出且向第1像素與第2像素之間射出之傾斜光之透過量藉由第2著色層抑制，同時自第2有機EL元件射出且向第1像素與第2像素之間射出之傾斜光之透過量藉由第1著色層抑制，故可抑制第1像素與第2像素之間之混色。藉此，可提供一種具有寬廣色範圍與寬廣視角且可獲得品質高之彩色顯示之光電裝置。 ［應用例3］如上述應用例之光電裝置，其中較佳於上述凸部之上表面部中上述第1著色層與上述第2著色層重合之部分之寬度為上述凸部之下表面部之寬度之15%以上且75%以下。 根據本應用例之構成，因相對於凸部之下表面部之寬度，第1著色層與第2著色層重合之部分之寬度為15%以上，故自第1有機EL元件與第2有機EL元件向第1像素與第2像素之間射出之傾斜光之各者，容易透過第1著色層與第2著色層兩者。又，因相對於凸部之下表面部之寬度，第1著色層與第2著色層重合部分之寬度為75%以下，故可抑制第1著色層與第2著色層向相鄰之像素側突出。 ［適用例4］本應用例之電子機器之特徵在於包含記載於上述應用例之光電裝置。 根據本應用例之構成，可提供一種具有優異之顯示品質之電子機器。

以下，針對具體化本發明之實施形態按照圖式進行說明。另，使用之圖式，為了使說明之部分成為可辨識之狀態而適當地放大或縮小顯示。 另，於以下之形態中，若例如記載為「於基板上」，且無特別之記載，則成為包含以接觸於基板上之方式配置之情形，或介隔其他構成物配置於基板上之情形，或一部分接觸於基板上之方式配置，一部分介隔其他之構成物配置之情形者。 (第1實施形態) ＜光電裝置＞ 首先，針對作為第1實施形態之光電裝置之有機EL裝置，參照圖1至圖3進行說明。圖1係顯示第1實施形態之有機EL裝置之構成之概略俯視圖。圖2係顯示第1實施形態之有機EL裝置之電性構成之等效電路圖。圖3係顯示子像素之有機EL元件及彩色濾光片之配置之概略俯視圖。本實施形態之有機EL裝置100係適合於後述之頭戴顯示器(HMD)之顯示部之自發光型之微型顯示器。 如圖1所示，本實施形態之有機EL裝置100包含元件基板10與保護基板40。兩基板係介隔填充劑42(參照圖4A)而對向配置且接著。 元件基板10包含顯示區域E與包圍顯示區域之非顯示區域F。於顯示區域E，作為發射藍色(B)光之第1像素之子像素18B、作為發射綠色(G)光之第2像素之子像素18G與發射紅色(R)光之子像素18R，例如排列成矩陣狀。於有機EL裝置100中，包含子像素18B、子像素18G及子像素18R之像素19成為顯示單位，提供全彩之顯示。 另，於以下之說明中，存在將子像素18B、子像素18G及子像素18R統稱為子像素18之情形。顯示區域E係使自子像素18發射之光透過且有助於顯示之區域。非顯示區域F係自子像素18發射之光不透過，且無助於顯示之區域。 元件基板10大於保護基板40，且沿著自保護基板40突出之元件基板10之第1邊，排列有複數個外部連接用端子103。於複數個外部連接用端子103與顯示區域E之間，設置有資料線驅動電路15。於與該第1邊相互正交且對向之其他第2邊、第3邊與顯示區域E之間，設置有掃描線驅動電路16。 保護基板40小於元件基板10，且以外部連接用端子103露出之方式配置。保護基板40係光透過性之基板，例如可使用石英基板或玻璃基板等。保護基板40，於顯示區域E中，具有無損傷地保護配置於子像素18之後述之有機EL元件30(參照圖2)之效果，且以至少對向於顯示區域E之方式配置。於本實施形態之有機EL裝置100，採用自保護基板40側取出自子像素18發射之光之頂部發光方式。 於以下之說明中，將沿著排列有外部連接用端子103之上述第1邊之方向作為X方向，將沿著與該第1邊正交且相互對向之其他2邊(第2邊、第3邊)之方向作為Y方向。將自元件基板10朝向保護基板40之方向作為Z方向。又，將沿著Z方向自保護基板40側觀察稱為「俯視」。 於本實施形態中，於顯示區域E中，採用獲得同色發光之子像素18排列於行方向(Y方向)，獲得異色發光之子像素18排列於列方向(X方向)之所謂條狀方式之子像素18之配置。子像素18具有有機EL元件30與彩色濾光片36(參照圖3或圖4A)。關於有機EL元件30及彩色濾光片36之詳細構成於後敘述。 另，於圖1中，雖顯示顯示區域E之子像素18B、18G、18G之配置，但列方向(X方向)之子像素18之配置並未限定為B、G、R之順序。例如，亦可為G、B、R之順序。又，子像素18之配置並未限定為條狀方式，亦可為三角形方式或拜耳排列方式、S條狀方式，除此之外，子像素18B、18G、18R之形狀或大小並未限定為相同。 ［光電裝置之電性構成］ 如圖2所示，有機EL裝置100具有相互交叉之掃描線12及資料線13、電源線14。掃描線12電性連接於掃描線驅動電路16，資料線13電性連接於資料線驅動電路15。又，於以掃描線12與資料線13劃分之區域設置有子像素18。 子像素18具有有機EL元件30與控制有機EL元件30之像素電路20。以下，將配置於子像素18B之有機EL元件30稱為作為第1有機EL元件之有機EL元件30B，將配置於子像素18G之有機EL元件30稱為作為第2有機EL元件之有機EL元件30G，將配置於子像素18R之有機EL元件30稱為有機EL元件30R。 有機EL元件30係以像素電極31、發光功能層32及對向電極33構成。像素電極31作為對發光功能層32注入電洞之陽極而發揮功能。對向電極33作為對發光功能層32注入電子之陰極而發揮功能。於發光功能層32中，藉由注入之電洞與電子，形成激子(Exciton；電洞與電子以庫侖力相互束縛之狀態)，且激子(Exciton)消滅時(電洞與電子再次結合時)能量之一部分成為螢光或磷光而釋放。於本實施形態中，係以可自發光功能層32獲得白色發光之方式構成有發光功能層32。 像素電路20包含開關用電晶體21、累積電容22及驅動用電晶體23。2個電晶體21、23可使用例如n通道型或p通道型電晶體而構成。 開關用電晶體21之閘極電性連接於掃描線12。開關用電晶體21之源極電性連接於資料線13。開關用電晶體21之汲極電性連接於驅動用電晶體23之閘極。 驅動用電晶體23之汲極電性連接於有機EL元件30之像素電極31。驅動用電晶體23之源極電性連接於電源線14。於驅動用電晶體23之閘極與電源線14之間，電性連接有累積電容22。 若藉由自掃描線驅動電路16供給之控制信號驅動掃描線12而使開關用電晶體21成為導通(ON)狀態，則基於自資料線13供給之像素信號之電位經由開關用電晶體21保持於累積電容22。對應於累積電容22之電位即驅動用電晶體23之閘極電位，決定驅動用電晶體23之導通/斷開(ON/OFF)狀態。且，若驅動用電晶體23成為導通(ON)狀態，則經由驅動用電晶體23，自電源線14對有機EL元件30流入與閘極電位對應之量之電流。有機EL元件30以與流入至發光功能層32之電流量對應之亮度發光。 另，像素電路20之構成並未限定於具有2個電晶體21、23，例如，亦可進而包含用以控制流入至有機EL元件30之電流之電晶體。 ［像素電極及彩色濾光片之配置］ 接著，參照圖3，針對子像素18之有機EL元件30之像素電極31及彩色濾光片36之配置進行說明。 如圖3所示，於X方向與Y方向配置為矩陣狀之複數個子像素18，分別配置有有機EL元件30之像素電極31。具體而言，於子像素18B配置有有機EL元件30B之像素電極31B，於子像素18G配置有有機EL元件30G之像素電極31G，於子像素18R配置有有機EL元件30R之像素電極31R。像素電極31(31B、31G、31R)之各者，以俯視為大致矩形狀，且長邊方向沿著Y方向配置。 於有機EL裝置100中，構成為將排列於X方向之3個子像素18B、18G及18R作為1個像素19而顯示之構成。X方向之像素19之配置間距例如為10 μm以下。 形成有覆蓋各像素電極31B、31G、31R之外緣之絕緣膜28。於絕緣膜28，於像素電極31B、31G、31R上，形成有以俯視為大致矩形狀之開口部28KB、28KG及28KR。於開口部28KB、28KG及28KR內，分別露出像素電極31B、31G及31R。另，開口部28KB、28KG及28KR之形狀並未限定為大致矩形狀，例如亦可為短邊側為圓弧狀之軌道狀。 於子像素18B、18G及18R配置有彩色濾光片36。彩色濾光片36以作為第1著色層之藍色(B)之著色層36B，作為第2著色層之綠色(G)之著色層36G及紅色(R)之著色層36R構成。具體而言，對於排列於Y方向之複數個子像素18B配置有著色層36B，對於複數個子像素18G配置有著色層36G，對於複數個子像素18R配置有著色層36R。 即，著色層36B以與排列於Y方向之像素電極31B(開口部28KB)重合之方式於Y方向延伸且配置為條狀。著色層36G以與排列於Y方向之像素電極31G(開口部28KG)重合之方式於Y方向延伸且配置為條狀。同樣地，著色層36R以與排列於Y方向之像素電極31R(開口部28KR)重合之方式於Y方向延伸且配置為條狀。 於本實施形態中，於X方向相鄰之子像素18B與子像素18G之間，以重合之方式配置著色層36B與著色層36G。於X方向相鄰之子像素18G與子像素18R之間，以重合之方式配置著色層36G與著色層36R。又，雖未圖示，但於X方向相鄰之子像素18R與子像素18B之間，以重合之方式配置著色層36R與著色層36B。 ［子像素之構造］ 接著，參照圖4A及圖4B，針對有機EL裝置100之子像素18之構造進行說明。圖4A係顯示沿著圖3之A-A’線之子像素之構造之概略剖視圖。圖4B係放大顯示圖4A之彩色濾光片之概略剖視圖。 如圖4A所示，有機EL裝置100具有介隔填充劑42而對向配置之元件基板10與保護基板40。填充劑42具有使元件基板10與保護基板40接著之效果，且以具有光透過性之例如環氧樹脂或丙烯酸樹脂等構成。 元件基板10包含作為本發明之基板之基材11、於基材11上於Z方向依序積層之反射層25、透光層26、有機EL元件30、密封部34及彩色濾光片36。 基材11例如為矽等之半導體基板。於基材11，使用已知技術形成有上述之掃描線12、資料線13、電源線14、資料線驅動電路15、掃描線驅動電路16、像素電路20(開關用電晶體21、累積電容22、驅動用電晶體23)等(參照圖2)。於圖4A中，省略該等配線或電路構成。 另，基材11並未限定於矽等之半導體基板，亦可為例如石英或玻璃等之基板。換言之，構成像素電路20之電晶體亦可為於半導體基板具有主動層之MOS型電晶體，亦可為形成於石英或玻璃等之基板上之薄膜電晶體或場效電晶體。 反射層25係跨及子像素18B、18G及18R而配置，且反射自各子像素18B、18G及18R之有機EL元件30B、30G及30R發射之光者。作為反射層25之形成材料，較佳為使用可實現高反射率之例如鋁或銀等。 於反射層25上，設置透光層26。透光層26以第1絕緣膜26a、第2絕緣膜26b及第3絕緣膜26c構成。第1絕緣膜26a係於反射層25上跨及子像素18B、18G及18R而配置。第2絕緣膜26b係積層於第1絕緣膜26a上，且跨及子像素18G與子像素18R配置。第3絕緣膜26c係積層於第2絕緣膜26b上，且配置於子像素18R。 即，子像素18B之透光層26以第1絕緣膜26a構成，子像素18G之透光層26以第1絕緣膜26a與第2絕緣膜26b構成，子像素18R之透光層26以第1絕緣膜26a、第2絕緣膜26b及第3絕緣膜26c構成。因此，透光膜26之膜厚依子像素18B、子像素18G、子像素18R之順序依次變大。 於透光層26上設置有機EL元件30。有機EL元件30包含於Z方向依序積層之像素電極31、發光功能層32及對向電極33。像素電極31例如以ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)膜等之透明導電膜構成，且各個子像素18形成為島狀。 以覆蓋各像素電極31B、31G、31R之周邊部之方式配置有絕緣膜28。如上述，於絕緣膜28，於像素電極31B上形成開口部28KB，於像素電極31G上形成開口部28KG，於像素電極31R上形成開口部28KR。絕緣膜28包含例如氧化矽等。 於設置開口部28KB、28KG及28KR之部分，像素電極31(31B、31G及31R)與發光功能層32接觸，且自像素電極31對發光功能層32供給電洞，使發光功能層32發光。即，設置開口部28KB、28KG及28KR之區域，成為發光功能層32發光之發光區域。於設置絕緣膜28之區域中，抑制自像素電極31向發光功能層32之電洞供給，而抑制發光功能層32之發光。即，設置絕緣膜28之區域成為抑制發光功能層32發光之區域。 發光功能層32以跨及子像素18B、18G、18R且覆蓋顯示區域E(參照圖1)之全域之方式配置。發光功能層32具有於Z方向依序積層之例如電洞注入層、電洞輸送層、有機發光層及電子輸送層等。有機發光層係發射藍色至紅色之波長範圍之光。有機發光層亦可以單層構成，亦可以例如包含藍色發光層、綠色發光層、紅色發光層，或，包含藍色發光層與可獲得包含紅色(R)及綠色(G)之波長範圍之黃色發光層之複數層構成。 對向電極33以覆蓋發光功能層32之方式配置。對向電極33為了兼具光透過性與光反射性，例如以鋁與銀之合金等構成，且其膜厚受到控制。 覆蓋對向電極33之密封部34，以於Z方向依序積層之第1密封層34a、平坦化層34b及第2密封層34c構成。第1密封層34a與第2密封層34c使用無機材料形成。作為無機材料，難以使水分或氧氣等通過，例如可例舉氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁等。 作為形成第1密封層34a及第2密封層34c之方法可例舉真空蒸鍍法、離子鍍敷法、濺鍍法及CVD法等。就難以對有機EL元件30帶來熱等之損傷之方面，較佳為採用真空蒸鍍法或離子鍍敷法。第1密封層34a及第2密封層34c之膜厚，係以成膜時難以產生裂縫等且獲得透光性之方式，設為例如50 nm～1000 nm左右，較佳為200 nm～400 nm左右。 平坦化層34b具有透光性，且例如可使用熱或紫外線硬化型之環氧樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂之任一樹脂材料形成。又，亦可使用塗佈型之無機材料(氧化矽等)形成。平坦化層34b係積層於覆蓋複數個有機EL元件30之第1密封層34a上而形成。 平坦化層34b被覆第1密封層34a之成膜時之缺陷(針孔、裂縫)或異物等，形成大致平坦之面。因第1密封層34a之表面，受膜厚不同之透光層26之影響而產生凹凸，故為了緩和該凹凸，例如較佳以1 μm～5 μm左右之膜厚形成平坦化層34b。藉此，於密封部34上形成之彩色濾光片36不易受該凹凸之影響。 於密封部34上，於相鄰之子像素18彼此之間設置光透過性之凸部35。凸部35係使用不含著色材料之感光性樹脂材料以光微影法形成。凸部35係以分別區分於其上形成之彩色濾光片36之著色層36B、36G及36R之方式，於密封部34上配置為於Y方向延伸之條狀(條紋狀)。於凸部35之保護基板40側(+Z方向側)形成有上表面部35a，於凸部35之密封部34側(-Z方向側)形成有下表面部35b(參照圖4B)。凸部35之剖面形狀雖例如為梯形狀，但亦可為矩形狀等其他形狀。 另，凸部35並未限定於配置成條狀，例如，亦可以包圍各子像素18之像素電極31之開口部28KB、28KG、28KR之方式，於X方向與Y方向延伸而配置成格子狀。凸部35之高度較佳低於(小於)後述之著色層36B、36G、36R之平均膜厚。 彩色濾光片36形成於密封部34上。彩色濾光片36係以使用包含藍(B)、綠(G)、紅(R)之著色材料之感光性樹脂材料以光微影法等形成之著色層36B、36G及36R構成。即，凸部35與著色層36B、36G及36R之主材料相同。著色層36B、36G及36R係對應於子像素18B、18G及18R而形成。 各著色層36B、36G及36R於密封部34上，填埋於相鄰之凸部35彼此之間，同時以覆蓋凸部35上之至少一部分之方式形成。於各著色層36B、36G、36R中，相鄰之著色層彼此，以其一部分相互重合之方式形成。 例如，相鄰於著色層36G之著色層36B接觸於凸部35之側壁，同時，其一邊緣部與覆蓋凸部35之上表面部35a之著色層36G之邊緣部重合。同樣地，相鄰於著色層36G之著色層36R接觸於凸部35之側壁，同時其邊緣部與覆蓋凸部35之上表面部35a之著色層36G之邊緣部重合。 雖省略圖示，但就凸部35及著色層36B、36G及36R之形成方法進行簡單說明。作為凸部35之形成方法，藉由於密封部34上使用旋轉塗佈法塗佈不含著色材料之感光性樹脂材料且進行預烘烤，而形成感光性樹脂層。感光性樹脂材料可為正型亦可為負型。藉由使用光微影法，使感光性樹脂層曝光、顯影，而於密封部34上形成凸部35。 接著，於形成有凸部35之密封部34上，形成著色層36B、36G及36R。著色層36B、36G及36R亦與凸部35同樣，藉由旋轉塗佈法塗佈含各色著色材料之感光性樹脂材料而形成感光性樹脂層後，藉由使用光微影法使該感光性樹脂層曝光、顯影而形成。於本實施形態中，以著色層36G、36B、36R之順序形成。 其結果，形成於子像素18G之著色層36G之-X方向側之邊緣部覆蓋位於與子像素18B之間之凸部35之上表面部35a之至少一部分，且著色層36G之+X方向側之邊緣部覆蓋位於與子像素18R之間之凸部35之上表面部35a之至少一部分。形成於子像素18B之著色層36B之-X方向側之邊緣部覆蓋位於與子像素18R之間之凸部35之上表面部35a之至少一部分，且著色層36B之+X方向側之邊緣部於位於與子像素18G之間之凸部35上覆蓋著色層36G之邊緣部。配置於子像素18R之著色層36R之-X方向側之邊緣部於位於與子像素18G之間之凸部35上覆蓋著色層36G之邊緣部，且著色層36R之+X方向側之邊緣部於位於與子像素18B之間之凸部35上覆蓋著色層36B之邊緣部。 換言之，於位於子像素18B與子像素18G之間之凸部35之上表面部35a中，著色層36G之邊緣部與著色層36B之邊緣部以重合之方式配置。於位於子像素18G與子像素18R之間之凸部35之上表面部35a中，著色層36G之邊緣部與著色層36R之邊緣部以重合之方式配置。且，於位於子像素18R與子像素18B之間之凸部35之上表面部35a中，著色層36B之邊緣部與著色層36R之邊緣部以重合之方式配置。 另，較佳為著色層36G、36B、36R之兩側之邊緣部不越過凸部35之上表面部35a，即，以俯視下，著色層36G、36B及36R之兩側之邊緣部不自凸部35之上表面部35a向相鄰之子像素側突出。 於圖4B顯示包含子像素18G與配置於其兩側之子像素18B、18R之一部分之部分中之彩色濾光片36之剖面。將凸部35之下表面部35b之寬度(X方向之長度)設為W1，將凸部35之上表面部35a中相鄰之著色層彼此重合之部分之寬度(X方向之長度)設為W2。著色層彼此重合之部分部寬度W2，較佳為凸部35之下表面部35b之寬度W1之15%以上且75%以下。關於該理由將予以後述。 ［光共振構造］ 接著，返回圖4A，說明本實施形態之有機EL裝置100具有之光共振構造。本實施形態之有機EL裝置100，於反射層25與對向電極33之間具有光共振構造。於有機EL裝置100中，發光功能層32發射之光於反射層25與對向電極33之間重複反射，且對應於反射層25與對向電極33之間之光學距離之特定波長(共振波長)之光之強度放大，而作為顯示光自保護基板40向Z方向射出。 於本實施形態中，透光層26具有調整反射層25與對向電極33之間之光學距離之作用。如上述般，透光層26之膜厚依子像素18B、子像素18G及子像素18R之順序逐漸變大。其結果，反射層25與對向電極33之間之光學距離依子像素18B、子像素18G、子像素18R之順序逐漸變大。 另，光學距離可以存在於反射層25與對向電極33之間之各層之折射率與膜厚之乘積之合計表示。亦可代替透光層26，而作為藉由使像素電極31(31B、31G、31R)之膜厚相互不同，而調整反射層25與對向電極33之間之光學距離之構成。 於子像素18B中，以使共振波長(亮度成為最大之峰值波長)成為第1波長範圍即465 nm～475 nm之方式設定透光層26之膜厚。於子像素18G中，以使峰值波長成為第2波長範圍即520 nm～550 nm之方式，設定透光層26之膜厚。於發射紅色(R)光之子像素18R中，以使峰值波長成為610 nm～650 nm之方式，設定透光層26之膜厚。 其結果，自子像素18B發射以465 nm～475 nm作為峰值波長範圍之藍色光(B)，自子像素18G發射以520 nm～550 nm作為峰值波長範圍之綠色光(G)，自子像素18R發射以610 nm～650 nm作為峰值波長範圍之紅色光(R)。 換言之，有機EL裝置100，具有放大特定波長之光之強度之光共振構造，且於子像素18B中自發光功能層32發射之白色光取出藍色之光成分，於子像素18G中自發光功能層32發射之白色光取出綠色之光成分，於子像素18R中自發光功能層32發射之白色光取出紅色之光成分。 於如上述有機EL元件30具有共振構造之情形，自有機EL元件30發射之光係自對向電極33向密封部34側射出之光，且係與於發光功能層32之內部發射之光之光譜不同光譜之光。 於如此之子像素18B、18G及18R中，於密封部34上配置彩色濾光片。彩色濾光片36之著色層36G、36B、36R，使藉由光共振構造自各子像素18取出之峰值波長範圍之光透過，藉此，具有提高向保護基板40側射出之藍色(B)、綠色(G)、紅色(R)之各色光之色純度之功能。 又，自子像素18B之有機EL元件30B發射之光透過藍色之著色層36B，且由綠色之著色層36G及紅色之著色層36R遮光。同樣地，自子像素18G之有機EL元件30G發射之光透過綠色之著色層36G，且由藍色之著色層36B及紅色之著色層36R遮光。自子像素18R之有機EL元件30R發射之光透過紅色之著色層36R，且由藍色之著色層36B及綠色之著色層36G遮光。因此，藉由各有機EL元件30之位置與彩色濾光片36之各著色層之位置，規定自有機EL裝置100取出之光之方向。 ［視角特性］ 接著，針對第1實施形態之有機EL裝置100之視角特性，例舉比較例進行說明。圖5係說明第1實施形態之有機EL裝置之視角特性之圖。又，圖12係說明比較例之有機EL裝置之視角特性之圖。 圖12所示之比較例之有機EL裝置200具有光共振構造，且相對於本實施形態之有機EL裝置100除彩色濾光片37之構成不同之點以外具有相同之構成。比較例之彩色濾光片37，以對應於子像素18B、18G、18R之著色層37B、37G、37R構成。於相鄰之子像素18彼此之間，相鄰之著色層彼此以於凸部35之上表面35a彼此相接之方式形成。 此處，以子像素18G為例進行說明。於子像素18G中自有機EL元件30G向法線方向(Z方向)發射之光L1，透過著色層37G且向保護基板40(參照圖4A)側射出。自有機EL元件30相對於法線方向，向相鄰之子像素18B、18R側傾斜而於傾斜方向發射之傾斜光L2，透過凸部35與著色層37G向保護基板40側射出。自有機EL元件30G相對於法線方向，向相鄰之子像素18B側、18R側進一步傾斜而於傾斜方向發射之傾斜光L3透過凸部35與著色層37B或著色層37R向保護基板40側射出。 於具有光共振構造之有機EL裝置200中，因自子像素18G之有機EL元件30G向傾斜方向發射之傾斜光L2，相對於於法線方向發射之光L1光學距離變大，故向較本來意圖之峰值波長更短波長側(藍色光側)偏移。因此，傾斜光L2即使與光L1同樣透過著色層37G，亦成為與光L1不同之顏色，從而降低向保護基板40側射出之綠色光之色純度。 又，自有機EL元件30G以較傾斜光L2進一步傾斜且向傾斜方向發射之傾斜光L3，因相對於光L1光學距離變得更大，故較本來意圖之峰值波長更向短波長側(藍色光側)偏移。因此，自有機EL元件30G向子像素18R側發射之傾斜光L3，與光L1或傾斜光L2相比透過著色層37B之比例變多，而於子像素18G與子像素18B之間產生混色。 關於子像素18B、18R亦與子像素18G相同，藉由使傾斜光L2、L3透過，而向保護基板40側射出之光之色純度降低，且於相鄰之子像素18之間產生混色。如此，若傾斜光L2、L3透過子像素18彼此之間且自傾斜方向視認產生色純度下降或混色，則有於本來意圖之範圍內可視認到將以子像素18B、18G、18R構成之像素19作為顯示單位之全彩顯示的視角變窄之問題。 如圖5所示，於本實施形態之有機EL裝置100中，於位於相鄰之子像素18彼此之間之凸部35之上表面部35a中相鄰之著色層彼此以重合之方式配置。因此，自有機EL元件30G相對於法線方向，向相鄰之子像素18B側、18R側傾斜而發射之傾斜光L2，除透過凸部35與著色層36G外，亦透過著色層36B或著色層36R。因此，與比較例之有機EL裝置200相比，藉由著色層36B或著色層36R將傾斜光L2之透過量抑制為較少。 又，自有機EL元件30G相對法線方向進一步向相鄰之子像素18B側、18R側傾斜而發射之傾斜光L3，亦除透過凸部35與著色層36G外，亦透過著色層36B或著色層36R。因此，與比較例之有機EL裝置200相比，亦將傾斜光L3之透過量抑制為較少。其結果為，因自各子像素18射出之光之色純度變高，同時抑制子像素18彼此之間之混色，故可進一步擴大於本來意圖之色範圍內可視認到將像素19作為顯示單位之全彩顯示的視角。 此處，若於凸部35之上表面部35a中相鄰之2個著色層彼此重合之部分的寬度變小，則因透過相鄰之子像素18彼此間之傾斜光L2、L3僅透過一著色層之可能性變高，故難以獲得將傾斜光L2、L3之透過量抑制為較少之效果。另一方面，若著色層之邊緣部越過凸部35之上表面部35a且進入相鄰之子像素18之區域，則自相鄰之子像素18發射之本來意圖之峰值波長之光之透過量變少。因此，如圖4B所示般，於凸部35之上表面部35a中相鄰之著色層彼此重合之部分之寬度W2較佳為凸部35之下表面部35b之寬度W1之15%以上且75%以下。 ［彩色濾光片之分光特性］ 接著，說明第1實施形態之彩色濾光片之分光特性。於本實施形態之構成中，為了提高自各子像素18射出之色光之色純度之提高效果與子像素18彼此間之混色之減低效果，而期望構成彩色濾光片36之著色層36B、36G、36R相對於自各子像素18發射之色光具有特定之透過特性與特定之截斷特性。 圖6係顯示第1實施形態之彩色濾光片之分光特性之表。於圖6顯示光共振構造之各子像素18之峰值波長範圍與彩色濾光片36(著色層36G、36B、36R)對於特定波長範圍之透過特性及截斷特性。如上述，於本實施形態中，將光共振構造之各子像素18之峰值波長範圍，對於子像素18B設定為465 nm～475 nm，對於子像素18G設定為520 nm～550 nm，對於子像素18R設定為610 nm～650 nm。 如圖6所示，配置於子像素18B之著色層36B係對於自子像素18B發射之光之峰值波長範圍即465 nm～475 nm之波長之光具有75%以上之透過率者。且，著色層36B係對於作為較自子像素18B發射之光之峰值波長範圍更長波長側(綠色光側)之特定波長之 520 nm以上之波長之光具有25%以下之透過率者。 配置於子像素18G之著色層36G係對於自子像素18G發射之光之峰值波長範圍即520 nm～550 nm之波長之光具有75%以上之透過率者。且，著色層36G係對於作為較自子像素18G發射之光之峰值波長範圍更短波長側(藍色光側)之特定波長之470 nm以下之波長之光及作為較峰值波長範圍更長波長側(紅色光側)之特定波長之610 nm～700 nm之波長之光具有25%以下之透過率者。 配置於子像素18R之著色層36R係對於自子像素18R發射之光之峰值波長範圍即610 nm～650 nm之波長之光具有75%以上之透過率者。且，著色層36R係對於作為自子像素18R發射之光之峰值波長範圍更短波長側(綠色光側)之特定波長之410 nm～580 nm之波長之光具有25%以下之透過率者。 又，相鄰之著色層36B及著色層36G之各自之透過率之交點較佳處於475 nm～500 nm之波長範圍，且對於該交點之波長之光具有75%以下之透過率。且，相鄰之著色層36G及著色層36R之各自之透過率之交點較佳處於575 nm～600 nm之波長範圍，且相對該交點之波長之光具有75%以下之透過率。 參照圖7、圖8及圖9，針對彩色濾光片36之分光特性進一步進行說明。圖7、圖8及圖9係顯示彩色濾光片之分光特性之一例之圖。詳細而言，圖7係說明藍色著色層之分光特性之一例之圖表。圖8係說明綠色著色層之分光特性之一例之圖表。圖9係說明紅色著色層之分光特性之一例之圖表。 於圖7、圖8及圖9之各者，作為彩色濾光片36之一例，以實線顯示配置於子像素18B之著色層36B之分光特性之圖表，以虛線顯示配置於子像素18G之著色層36G之分光特性之圖表，以一點鏈線顯示配置於子像素18R之著色層36R之分光特性之圖表。又，於分別自子像素18B、18G及18R發射之光之峰值波長範圍標註有點。 如圖7以實線所示，因著色層36B對於自子像素18B發射之峰值波長範圍為465 nm～475 nm之藍色光具有75%以上之透過率，故可使該峰值波長範圍之藍色光之透過量變多。另一方面，如圖7中標註向左下斜線所示，因著色層36B，對於包含自子像素18G發射之峰值波長範圍520 nm～550 nm與自子像素18R發射之峰值波長範圍610 nm～650 nm之520 nm以上之波長之光具有25%以下之透過率，故可使包含綠色光及紅色光之藍色光以外之波長之光之透過量減少。 藉此，可提高自子像素18B透過著色層36B向保護基板40側射出之藍色光(L1)之色純度。且，可以著色層36B有效率地遮蔽自位於相鄰之子像素18R發射之紅色光之峰值波長向短波長側偏移之傾斜光L2、L3(可使透過率減少)。 又，如圖7中標註向右下斜線所示，著色層36B之透過率與位於相鄰之著色層36G之透過率之交點處於藍色光與綠色光之間之475 nm～500 nm之波長範圍，且該交點之透過率為75%以下。因此，可以著色層36B與著色層36G有效率地遮蔽自位於相鄰之子像素18G發射之綠色光之峰值波長向短波長側(藍色光側)偏移之傾斜光L2、L3(使透過量減少)。 如圖8中以虛線所示，因著色層36G對於自子像素18G發射之峰值波長範圍為520 nm～550 nm之綠色光具有75%以上之透過率，故可使該峰值波長範圍之綠色光之透過量變多。另一方面，如標註向左下斜線所示，因著色層36G相對於470 nm以下之波長之光與610 nm～700 nm之波長範圍之光具有25%以下之透過率，故可使綠色光以外之波長之光之透過量減少。 藉此，可提高自子像素18G透過著色層36G而射出之綠色光(光L1)之色純度。且，可以著色層36G有效率地遮蔽自位於相鄰之子像素18B發射之藍色光之峰值波長向短波長側偏移之傾斜光L2、L3(使透過量變少)。 又，如圖8中標註向右下斜線所示，著色層36G之透過率與位於相鄰之著色層36R之透過率之交點處於綠色光與紅色光之間之575 nm～600 nm之波長範圍，且該交點之透過率為75%以下。因此，可以著色層36G與著色層36R有效率地遮蔽自自子像素18R發射之紅色光之峰值波長向短波長側(綠色光側)偏移之傾斜光L2、L3(可使透過量減少)。 如圖9中以一點鏈線所示，因著色層36R對於自子像素18R發射之峰值波長範圍為610 nn～650 nm之紅色光具有75%以上之透過率，故可使該峰值波長範圍之紅色光之透過量變多。另一方面，如標註向左下斜線所示，因著色層36R對於410 nm～580 nm之波長範圍之光具有25%以下之透過率，故可使紅色光以外之波長之光之透過量減少。 藉此，可提高自子像素18R透過著色層36R而射出之紅色光(光L1)之色純度。且，可以著色層36R有效率地遮蔽自位於相鄰之子像素18G發射之綠色光之峰值波長向短波長側偏移之傾斜光L2、L3及自位於相鄰之子像素18B發射之藍色光之峰值波長向短波長側偏移之傾斜光L2、L3(可使透過量減少)。 另，亦有因形成於反射層25與對向電極33之間之構成要素之子像素18之邊界部之平面配置或膜厚，使傾斜光L1、L2較本來意圖之峰值波長向更長波長側偏移之情形。於如此之情形，根據第1實施形態之彩色濾光片36之分光特性，亦可以相鄰之2個著色層有效率地遮蔽向長波長側偏移之傾斜光L1、L2。 接著，針對有機EL裝置100之視角特性，對於具備具有上述分光特性之彩色濾光片36之實施例與未滿足上述分光特性之比較例進行比較說明。圖10A及圖10B係顯示實施例之視角特性之圖。詳細而言，圖10A係顯示於實施例與比較例比較與相對亮度相關之視角特性之圖表。圖10B係顯示於實施例與比較例比較與色度變化相關之視角特性之圖表。 有機EL裝置100之實施例具備具有圖6所示之特定透過特性(對於峰值波長範圍之光具有75%以上之透過率)與特定截斷特性(對於特定之波長之光具有25%以下之透過率)之彩色濾光片36(著色層36G、36B及36R)。比較例除了具備透過特性對於峰值波長範圍之光為70%左右，且截斷特性對於特定波長之光為25%～30%左右之彩色濾光片之方面以外，具有與實施例相同之構成。此處，於實施例與比較例比較紅色之子像素18R之視角特性。 將自法線方向(0°)觀察子像素18R作為基準，對於法線於X方向±15°之範圍中，於圖10A中使用光學模擬器將相對亮度數值化且圖表化，於圖10B中使用光學模擬器將色度變化(Δu’v’)進行數值化且圖表化。於圖10A及圖10B中，以實線表示實施例，以虛線表示比較例。另，色度變化(Δu’v’)係表示均等色度圖即u’v’色度圖(CIE 1976 UCS色度圖)之色度變化者。 如圖10A所示，因實施例與比較例相比對於峰值波長範圍之光之透過率較高，故實施例之相對亮度於0°±15°之全範圍中高於比較例之相對亮度。於法線方向(0°)中，比較例之相對亮度為實施例之相對亮度之80%左右。又，於比較例中，隨著角度擺動至0°±15°，相對亮度下降，於此相對，於實施例中，於0°±10°之範圍中相對亮度不太有差異，但若超過0°±10°之範圍則相對亮度較比較例更急遽下降。此係因自子像素18R發射之超過0°±10°之範圍之傾斜光被相鄰之子像素18B、18G之著色層36B、36G良好地截斷。 如圖10B所示，於視角為0°±10°之範圍中，於實施例與比較例之色度變化(Δu’v’)不太有差異，但若超過0°±10°之範圍，則與實施例比較，比較例之色度變化較大。又，於實施例中，於-10°至-15°之範圍與10°至15度之範圍之色度變化不太有差異，與此相對，於比較例中，-10°至-15°之範圍之色度變化大於10°至15°之範圍之色度變化，就色度變化之對稱性劣於實施例。於實施例中，因自子像素18R發射之超過0°±10°之範圍之傾斜光，被相鄰之子像素18B、18G之著色層36B、36G良好地截斷，故於0°±15°之範圍中將色度變化抑制為小於比較例。 如此，於具備具有特定透過特性(對於峰值波長範圍之光為75%以上之透過率)與特定截斷特定(對於特定波長之光為25%以下之透過率)之彩色濾光片36之實施例中，可於更廣之視角範圍中，提高相對亮度，同時將色度變化抑制為較小。因此，可獲得廣視角且高品質之彩色顯示。 如以上說明般，根據第1實施形態之有機EL裝置100之構成，可獲得以下之效果。 (1)於形成有著色層36B、36G、36R之子像素18B、18G及18R彼此之間形成有具有光透過性之凸部35，且於凸部35之上表面部35a中相鄰之著色層彼此以重合之方式配置。因此，例如，於子像素18B中自有機EL元件30B向與子像素18G之間射出之傾斜光L2、L3於透過凸部35後透過著色層36B與著色層36G兩者。因此，與僅透過著色層36B或著色層36G之情形相比，可抑制自有機EL元件30B射出且向子像素18B與子像素18G之間射出之傾斜光L2、L3之透過量。藉此，因較難引起子像素18B、18G、18R彼此之間之混色，故可提供一種可獲得更廣視角且高品質之彩色顯示之有機EL裝置100。 (2)於配置於各子像素18B、18G、18R之著色層36B、36G、36R中，例如，配置於子像素18B之著色層36B，使有機EL元件30B射出之465 nm～475 nm之波長範圍之光透過75%以上，但較其更長波長側之520 nm以上之波長之光僅透過至多25%。又，配置於子像素18G之著色層36G，使有機EL元件30G射出之520 nm～550 nm之光透過75%以上，但較其更短波長側之470 nm以下之波長之光僅透過至多25%。因此，可提高分別自子像素18B與子像素18G射出之藍色光及綠色光之色純度。又，因自有機EL元件30B射出且向子像素18B與子像素18G之間射出之傾斜光L2、L3之透過量藉由著色層36G抑制，同時自有機EL元件30G射出且向子像素18B與子像素18G之間射出之傾斜光L2、L3之透過量藉由著色層36B抑制，故可抑制子像素18B與子像素18G之間之混色。藉此，可提供一種具有寬廣色範圍與寬廣視角且高品質之彩色顯示之有機EL裝置100。 (3)於配置於各子像素18B、18G、18R之著色層36B、36G、36R中，例如，因相對於凸部35之下表面部35b之寬度W1，相鄰之著色層36B與著色層36G重合之部分之寬度W2為15%以上，故自有機EL元件30B與有機EL元件30G向子像素18B與子像素18G之間射出之傾斜光L2、L3之各者，容易透過著色層36B與著色層36G兩者。又，因相對於凸部35之下表面部36b之寬度W1，著色層36B與著色層36G重合之部分之寬度W2為75%以下，故可抑制著色層36B向相鄰之子像素18G側突出，或著色層36G向相鄰之子像素18B側突出。 (第2實施形態) ＜電子機器＞ 接著，參照圖11，針對第2實施形態之電子機器進行說明。圖11係顯示作為第2實施形態之電子機器之頭戴顯示器之構成之概略圖。 如圖11所示，第2實施形態之頭戴顯示器(HMD)1000具備對應於左右眼而設置之2個顯示部1001。觀察者M藉由如眼鏡般於頭部佩戴頭戴顯示器1000，而可觀察顯示於顯示部1001之文字或圖像等。例如，若於左右之顯示部1001顯示考慮視差之圖像，則可觀察立體影像而進行娛樂。 於顯示部1001，搭載有第1實施形態之有機EL裝置100。因此，可提供一種具有色純度高且視角特性優異之顯示品質，同時小型且輕量之頭戴顯示器1000，尤其適合於透視型之頭戴顯示器。 頭戴顯示器1000並未限定於具有2個顯示部1001之構成，亦可為具備對應於左右任一之1個顯示部1001之構成。 另，搭載第1實施形態之有機EL裝置100之電子機器並未限定於頭戴顯示器1000。作為搭載有機EL裝置100之電子機器，例如，可例舉個人電腦或攜帶式資訊終端、導航器、取景器、抬頭顯示器等之具有顯示部之電子機器。 上述實施形態係僅顯示本發明之一態樣者，於本發明之範圍內可進行任意變化及應用。作為變化例，例如可考慮如以下者。 (變化例) 於第1實施形態中，於有機EL裝置100中，設置於顯示區域E之發光像素並未限定於對應於藍(B)、綠(G)、紅(R)發光之子像素18B、18G、18R。例如，亦可具備可獲得上述3色以外之黃(Y)發光之子像素18Y。藉此，可進而提高色再現性。又，亦可具備上述3色中2色之子像素18。

10‧‧‧元件基板
11‧‧‧基材(基板)
12‧‧‧掃描線
13‧‧‧資料線
14‧‧‧電源線
15‧‧‧資料線驅動電路
16‧‧‧掃描線驅動電路
18‧‧‧子像素(像素)
18B‧‧‧子像素(第1像素)
18G‧‧‧子像素(第2像素)
18R‧‧‧子像素(像素)
19‧‧‧像素
20‧‧‧像素電路
21‧‧‧開關用電晶體
22‧‧‧累積電容
23‧‧‧驅動用電晶體
25‧‧‧反射層
26‧‧‧透光層
26a‧‧‧第1絕緣膜
26b‧‧‧第2絕緣膜
26c‧‧‧第3絕緣膜
28‧‧‧絕緣膜
28KB‧‧‧開口部
28KG‧‧‧開口部
28KR‧‧‧開口部
30‧‧‧有機EL元件
30B‧‧‧有機EL元件(第1有機EL元件)
30G‧‧‧有機EL元件(第2有機EL元件)
30R‧‧‧有機EL元件
31‧‧‧像素電極
31B‧‧‧像素電極
31G‧‧‧像素電極
31R‧‧‧像素電極
32‧‧‧發光功能層
33‧‧‧對向電極
34‧‧‧密封部
34a‧‧‧第1密封層
34b‧‧‧平坦化層
34c‧‧‧第2密封層
35‧‧‧凸部
35a‧‧‧上表面部
35b‧‧‧下表面部
36‧‧‧彩色濾光片
36B‧‧‧著色層(第1著色層)
36G‧‧‧著色層(第2著色層)
36R‧‧‧著色層
37‧‧‧彩色濾光片
37B‧‧‧著色層(第1著色層)
37G‧‧‧著色層(第2著色層)
37R‧‧‧著色層
40‧‧‧保護基板
42‧‧‧填充劑
100‧‧‧有機EL裝置(光電裝置)
103‧‧‧外部連接用端子
200‧‧‧有機EL元件(光電裝置)
1000‧‧‧頭戴顯示器(電子機器)
1001‧‧‧顯示部
E‧‧‧顯示區域
F‧‧‧非顯示區域
L1‧‧‧光
L2‧‧‧傾斜光
L3‧‧‧傾斜光
M‧‧‧觀察者
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向

圖1係顯示第1實施形態之有機EL裝置之構成之概略俯視圖。 圖2係顯示第1實施形態之有機EL裝置之電性構成之等效電路圖。 圖3係顯示子像素之有機EL元件及彩色濾光片之配置之概略俯視圖。 圖4A係顯示沿著圖3之A-A’線之子像素之構造之概略剖視圖。 圖4B係放大顯示圖4A之彩色濾光片之概略剖視圖。 圖5係說明第1實施形態之有機EL裝置之視角特性之圖。 圖6係顯示第1實施形態之彩色濾光片之分光特性之表。 圖7係顯示彩色濾光片之分光特性之一例之圖。 圖8係顯示彩色濾光片之分光特性之一例之圖。 圖9係顯示彩色濾光片之分光特性之一例之圖。 圖10A係顯示實施例之視角特性之圖。 圖10B係顯示實施例之視角特性之圖。 圖11係顯示作為第2實施形態之電子機器之頭戴顯示器之構成之概略圖。 圖12係說明比較例之有機EL裝置之視角特性之圖。

11‧‧‧基材(基板)

18B‧‧‧子像素(第1像素)

18G‧‧‧子像素(第2像素)

18R‧‧‧子像素(像素)

30‧‧‧有機EL元件

30B‧‧‧有機EL元件(第1有機EL元件)

30G‧‧‧有機EL元件(第2有機EL元件)

30R‧‧‧有機EL元件

31B‧‧‧像素電極

31G‧‧‧像素電極

31R‧‧‧像素電極

34‧‧‧密封部

35‧‧‧凸部

35a‧‧‧上表面部

35b‧‧‧下表面部

36‧‧‧彩色濾光片

36B‧‧‧著色層(第1著色層)

36G‧‧‧著色層(第2著色層)

36R‧‧‧著色層

100‧‧‧有機EL裝置(光電裝置)

L1‧‧‧光

L2‧‧‧傾斜光

L3‧‧‧傾斜光

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

Claims (4)

1. 一種光電裝置，其特徵在於包含： 基板； 第1有機EL元件，其形成於上述基板上之第1像素； 第2有機EL元件，其形成於上述基板上之與上述第1像素相鄰之第2像素； 密封部，其覆蓋上述第1有機EL元件與上述第2有機EL元件而形成； 第1著色層，其形成於上述密封部上之上述第1像素； 第2著色層，其形成於上述密封部上之上述第2像素；及 凸部，其形成於上述密封部上之上述第1像素與上述第2像素之間且具有光透過性，且 於上述凸部之上表面部中，上述第1著色層與上述第2著色層以重合之方式配置。
2. 如請求項1之光電裝置，其中： 自上述第1有機EL元件向上述密封部側射出之光為第1波長範圍之光， 自上述第2有機EL元件向上述密封部側射出之光為與上述第1波長範圍不同之第2波長範圍之光，且 上述第1著色層對於上述第1波長範圍之光具有75%以上之透過率，同時對於較上述第1波長範圍更靠近上述第2波長範圍側之特定波長之光具有25%以下之透過率， 上述第2著色層對於上述第2波長範圍之光具有75%以上之透過率，同時對於較上述第2波長範圍更靠近上述第1波長範圍側之特定波長之光具有25%以下之透過率。
3. 如請求項1或2之光電裝置，其中： 於上述凸部之上表面部中上述第1著色層與上述第2著色層重合之部分之寬度為上述凸部之下表面部之寬度之15%以上且75%以下。
4. 一種電子機器，其特徵在於包含請求項1至3中任一項之光電裝置。