CN103700683B - 一种oled阵列基板的对置基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 119
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- -1 aerdentalloy Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- PPLORYOLFQMIAS-UHFFFAOYSA-N C=1C=NNC=1.C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 Chemical class C=1C=NNC=1.C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 PPLORYOLFQMIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明实施例公开了一种OLED阵列基板的对置基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够简化OLED阵列基板的对置基板的层结构，降低对置基板的制备难度，进而提高对置基板的生产良品率。该种OLED阵列基板的对置基板，包括平坦层、位于所述平坦层之上的多个突起，其中，所述平坦层和所述突起导电，所述突起与所述OLED阵列基板的电极电连接。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED阵列基板的对置基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点；因此，利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
通常，OLED显示装置分为底发射型和顶发射型两种，其中顶发射型OLED的阵列基板包括金属阳极、金属阴极、位于金属阳极和金属阴极之间的有机层等结构，其中，有机层发出的光自金属阴极一侧射出阵列基板。
为了使得光可以自金属阴极一侧射出阵列基板，金属阴极的厚度通常仅有数纳米厚，使得金属阴极的电阻较大，金属阴极和金属阳极共同驱动有机层发光时需要消耗较多的电能，并且发热较大，容易影响阵列基板的正常工作。
在现有技术中，为了减小金属阴极的电阻，该顶发射型OLED显示装置还包括阵列基板的对置基板，目前，主要是在对置基板上形成平坦保护层以及位于平坦保护层之上的多个突起，并在平坦保护层以及突起之上通过溅射等方式形成导电层，通过位于突起上的导电层与金属阴极电连接实现导电层与金属阴极的并联，以减小金属阴极的电阻。发明人在实现本发明的过程中发现，位于突起之上的导电层由于受到加工工艺的制约，容易出现与平坦保护层上的导电层断开等不良现象，使得这种结构的对置基板结构较为复杂、加工成本高、产品良率低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种OLED阵列基板的对置基板及其制备方法、显示装置，能够简化OLED阵列基板的对置基板的层结构，降低对置基板的制备难度，进而提高对置基板的生产良品率。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
本发明第一方面提供了一种OLED阵列基板的对置基板，包括平坦层、位于所述平坦层之上的突起，其中，所述平坦层和所述突起导电，所述突起与所述OLED阵列基板的电极电连接。
进一步的，所述突起与所述平坦层一体成型。
进一步的，所述对置基板还包括黑矩阵，所述平坦层位于所述黑矩阵之上，所述平坦层为彩色滤色层，所述突起对应于所述黑矩阵设置。
进一步的，所述对置基板还包括黑矩阵和彩色滤色层，其中，所述彩色滤色层位于所述黑矩阵之上，所述平坦层位于所述彩色滤色层之上，所述突起对应于所述黑矩阵设置。
进一步的，所述平坦层和所述突起的材质为透明导电树脂。
在本发明实施例的技术方案中，由于OLED阵列基板的对置基板上的平坦层和突起均导电，在对置基板和阵列基板对盒之后，各突起电连接至OLED阵列基板的电极，相当于将平坦层并联至OLED阵列基板的电极之上，由此，减小了OLED阵列基板的电极的电阻，同时，其对置基板不需要再通过溅射等方式形成导电层，简化了对置基板的层结构，降低了对置基板的加工成本，提高了产品的良率。
本发明的第二方面提供了一种显示装置，包括OLED阵列基板，还包括上述的OLED的对置基板。
本发明的第三方面提供了一种OLED阵列基板的对置基板的制备方法，包括：
形成导电的平坦层；
在所述平坦层之上形成导电的突起，所述突起用于与所述OLED阵列基板的电极电连接。
进一步的，所述在衬底基板上形成导电的平坦层包括：
形成黑矩阵；
在所述黑矩阵之上形成为彩色滤色层的平坦层。
进一步的，所述形成导电的平坦层包括：
形成黑矩阵；
在所述黑矩阵之上形成彩色滤色层；
在所述彩色滤色层之上形成平坦层。
进一步的，所述突起对应于所述黑矩阵设置。
进一步的，所述突起与所述平坦层一体成型。
进一步的，所述平坦层和所述突起的材质为透明导电树脂。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中的OLED阵列基板的对置基板的结构示意图一；
图2为本发明实施例中的OLED阵列基板与其对置基板的配合示意图；
图3为本发明实施例中的OLED阵列基板的对置基板的结构示意图二；
图4为本发明实施例中的OLED阵列基板的对置基板的制作流程图一；
图5为本发明实施例中的OLED阵列基板的对置基板的制作流程图二；
图6为本发明实施例中的OLED阵列基板的对置基板的制作流程图三。
附图标记说明：
1—第一衬底基板；2—平坦层；3—突起；
4—第二衬底基板；5—薄膜晶体管单元；51—栅极；
52—栅极绝缘层；53—有源层；54—源极；
55—漏极；6—钝化层；7—像素电极；
8—像素限定层；9—有机层；10—金属阴极；
11—过孔；12—彩色滤色层；13—黑矩阵。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明实施例提供一种OLED阵列基板的对置基板，如图1所示，包括设置于第一衬底基板1之上的平坦层2、位于所述平坦层2之上的多个突起3，其中，所述平坦层2和所述突起3导电，所述突起3与所述OLED阵列基板的电极电连接。
需要说明的是，以下，以所述OLED阵列基板的金属阴极10为例进行具体说明。
具体的，如图2所示，OLED阵列基板由下至上依次包括：第二衬底基板4、位于阵列基板的衬底基板4之上的薄膜晶体管单元5、位于薄膜晶体管单元5之上的钝化层6、位于钝化层6之上的并且电连接薄膜晶体管单元5的漏极的像素电极7、与像素电极7同层设置且隔绝开各个像素电极7的像素限定层8、位于像素电极7与像素限定层8之上的有机层9、位于有机层9之上的金属阴极10。
其中，该OLED阵列基板为顶发射型，即如图2中的虚线箭头所示，有机层9发出的光线自金属阴极10一侧出射。此时，金属阴极10的层厚通常很小，例如仅有数个纳米厚，使得金属阴极10的电阻较大，驱动有机层9所需要消耗的电能较多，同时金属阴极10的由于电阻较大、发热较多，影响OLED阵列基板的正常工作。
由于平坦层2和突起3均导电，如图2所示，在对置基板与OLED阵列基板对盒之后，各突起3电连接至OLED阵列基板的金属阴极，相当于将平坦层2并联至OLED阵列基板的金属阴极之上，由此，减小了OLED阵列基板的金属阴极的电阻，同时，其对置基板不需要再通过溅射等方式形成导电层，简化了对置基板的层结构，降低了对置基板的加工成本，提高了产品的良率。
在本发明实施例的技术方案中，由于OLED阵列基板的对置基板上的平坦层和突起均导电，在对置基板和阵列基板对盒之后，各突起电连接至OLED阵列基板的金属阴极，相当于将平坦层并联至OLED阵列基板的金属阴极之上，由此，减小了OLED阵列基板的金属阴极的电阻，同时，其对置基板不需要再通过溅射等方式形成导电层，简化了对置基板的层结构，降低了对置基板的加工成本，提高了产品的良率。
具体的，如图2所示，以底栅型薄膜晶体管为例进行说明，该薄膜晶体管单元5包括位于第二衬底基板4之上的栅极51、位于所述栅极51之上的栅极绝缘层52、位于所述栅极绝缘层52之上对应栅极51设置的有源层53、位于所述有源层53之上且相互绝缘的源极54和漏极55，其中，该阵列基板的栅线51可与所述栅极（图中未示出）位于同一图层、在同一次构图工艺中形成，类似的，该阵列基板的数据线（图中未示出）可与源极54和漏极55位于同一图层、在同一构图工艺中形成。
需要说明的是，在本发明实施例中，源极54和漏极55位于同一图层、在同一次构图工艺中形成，当然，也可将源极54和漏极55设置于不同图层、各自经过一次构图工艺形成，在此不进行限定。
由图2可看出，薄膜晶体管单元5之上覆盖有钝化层6，采用钝化层工艺不仅提高了显示装置的耐严酷环境的能力，而且有助于改善薄膜晶体管单元2的光电参数性能。但是钝化层6通常采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料，为了实现被钝化层6间隔开的漏极55和像素电极7之间的电连接，钝化层6对应于薄膜晶体管单元5的漏极55之处对应设置有过孔11，使得钝化层6之上的像素电极7通过该过孔11电连接至漏极55。当薄膜晶体管单元5的栅极51接收到栅线传送来的信号，打开有源层53的导电沟道，导通薄膜晶体管单元5的源极54和漏极55，将来自数据线上的数据信号从源极54传送至漏极55，漏极55再传送给与其电连接的像素电极7，像素电极7获得数据信号后，与金属阴极10之间具有一定的电压差，使得位于像素电极6和金属阴极10之间的有机层9发光，有机层9的光经过金属阴极10出射。
其中，像素电极7可利用氧化铟锡（ITO）或金属制成，例如可选用银铝合金、铝等材料制成，但应保证该像素电极7与有机层9之间具有匹配的功函数，使得有机层7发出的光基本都能够从金属阴极10一侧出射，以保证该OLED阵列基板及其对置基板组成的显示装置对光的利用率，本发明实施例对此不进行限制。
本说明书虽然以底栅型薄膜晶体管作为实施例进行了说明，但不限于此，还可使用例如顶栅型薄膜晶体管；底栅型薄膜晶体管应该被解释为底栅薄膜晶体管的统称，所谓底栅薄膜晶体管：薄膜晶体管的栅极位于薄膜晶体管半导体层下方的这一类薄膜晶体管。依据同一理由，顶栅型薄膜晶体管应该被解释为顶栅薄膜晶体管的统称，所谓顶栅薄膜晶体管：薄膜晶体管的栅极位于薄膜晶体管半导体层上方的这一类薄膜晶体管。
进一步的，具体的，有机层9内包括空穴传输层、发光层与电子传输层，当像素电极7和金属阴极10之间的电压适当时，空穴传输层中的正极空穴与电子传输层中的阴极电荷就会在发光层中结合，使发光层产生光亮。
需要说明的是，由于适合传递电子的有机材料不一定适合传递空穴，所以有机发光二极体的电子传输层和空穴传输层应选用不同的有机材料或仅是掺杂的杂质不同的有机材料。目前最常被用来制作电子传输层的材料必须制膜安定性高、热稳定且电子传输性佳，一般通常采用荧光染料化合物，如蒽二唑类衍生物、含萘环类衍生物、1-萘基、3-甲基苯基等。而空穴传输层的材料属于一种芳香胺荧光化合物，如1-萘基等有机材料。
有机层的材料须具备固态下有较强荧光、载子传输性能好、热稳定性和化学稳定性佳、量子效率高且能够真空蒸镀的特性，例如可采用八羟基喹啉铝。
优选的，所述突起3与所述平坦层2一体成型，不仅可以保证突起3和平坦层2之间的稳定连接，而且可以减少一次制作突起3的工艺，进一步的降低该对置基板的制作成本。
其中，所述平坦层2和所述突起3的材质优选为透明导电树脂，具体的，可通过如下方法制成透明导电树脂：
将10～50质量份透光基体树脂，1～20质量份有机酸掺杂的聚苯胺，加入到40～90质量份甲苯中，搅拌至完全溶解形成所述透明导电树脂。
或者将10～50质量份透光基体树脂，1～20质量份有机酸掺杂的聚苯胺，1～15质量份交联单体，加入到40～90质量份甲苯中，搅拌至完全溶解形成所述透明导电树脂。
或者将10～50质量份透光基体树脂，1～20质量份有机酸掺杂的聚苯胺，1～15质量份交联单体，0.1～1质量份固化引发剂，加入到40～90质量份甲苯中，搅拌至完全溶解形成所述透明导电树脂。
另外，也可将纳米级的掺锑的SnO2通过和高分子聚合物单体、分散剂、表面活性剂等均匀混合，形成制作平坦保护层3的透明导电树脂。
例如可以将纳米级的导电粒子、高分子聚合物单体、分散剂、表面活性剂等均匀混合后，通过涂覆、沉积等形式，形成平坦保护层3的透明导电树脂。
其中，纳米级的导电粒子可选为纳米级的掺锑的SnO2之外，还可采用纳米级氧化铟锡或纳米银等。
在本发明实施例中，为了使得对置基板和阵列基板对盒后形成的显示面板的厚度符合要求，因此在本发明实施例中，所述突起3的高度优选为2.0-5.0μm。
进一步的，本发明实施例中，优选能够发出白光的有机层9，因此需要配合彩色滤色层12使用才能够显示彩色的显示画面，此时，如图1或图2所示，该OLED阵列基板的对置基板上还包括黑矩阵13和彩色滤色层12，其中，所述彩色滤色层12位于所述黑矩阵13之上，所述平坦层2位于所述彩色滤色层12之上，为了防止突起影响该对置基板的开口率，优选的，所述突起3对应于所述黑矩阵13设置，即任一个突起3都设置与黑矩阵13的对应位置上。
或者，如图3所示，该对置基板还包括黑矩阵13，所述平坦层13位于所述黑矩阵13之上，所述平坦层2为彩色滤色层12，此时，该平坦层2具有不同颜色的透射区域，例如，具有红色透射区域、蓝色透射区域和绿色透射区域，该三种透射区域以一定规律排列形成平坦层2，与前文类似的，为了防止突起影响该对置基板的开口率，所述突起3对应于所述黑矩阵13设置。
其中，若是平坦层2为彩色滤色层12时，在制作形成平坦层2的透明导电树脂时，还需要掺入对应颜色的颜料，以形成具有不同颜色的透射区域的平坦层2。此时，该平坦层2需要经过多次构图工艺、多块掩膜板形成，其中，所需要的掩膜板或构图工艺的数量以平坦层2所包括的颜色确定。
需要说明的是，由于在前文中提到过：突起3与平坦层2一体成型，若是如图3所示，平坦层2即为彩色滤色层12，此时，突起3是在制作平坦层2的某一颜色的透射区域的同时形成，即与该种颜色的透射区域同时形成，例如，与平坦层2的红色透射区域一体成型，即该突起3也为红色。
进一步的，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括OLED阵列基板，还包括上述的OLED的对置基板，所述显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
实施例二
与实施例一对应的，本发明实施例提供了一种实施例一公开的OLED阵列基板的对置基板的制备方法，如图4所示，包括：
步骤S101、形成导电的平坦层。
步骤S102、在所述平坦层之上形成导电的突起，所述突起用于与所述OLED阵列基板的电极电连接。
进一步的，如图1所示，该对置基板还包括彩色滤色层12和黑矩阵13，因此，如图5所示，步骤S101具体包括：
步骤S201、形成黑矩阵。
步骤S202、在所述黑矩阵之上形成彩色滤色层。
步骤S203、在所述彩色滤色层之上形成平坦层。
或者，如图3所示，该平坦层2即为彩色滤色层12，此时，如图6所示，步骤S101具体包括：
步骤S301、形成黑矩阵。
步骤S302、所述黑矩阵之上形成为彩色滤色层的平坦层。
之后，如图1、图2或图3所示，所述突起3应对应于所述黑矩阵13设置，以保证该对置基板的开口率。
其中，优选的，所述突起3与所述平坦层2一体成型。
该平坦层2和所述突起3应具有较好的透光率，因此，所述平坦层和所述突起的材质优选为透明导电树脂。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED阵列基板的对置基板，其特征在于，包括平坦层、位于所述平坦层之上的多个突起，其中，所述平坦层和所述突起导电，所述突起与所述OLED阵列基板的电极电连接；
还包括黑矩阵，所述平坦层位于所述黑矩阵之上，所述平坦层为彩色滤色层，所述突起对应于所述黑矩阵设置。
2.根据权利要求1所述的对置基板，其特征在于，所述突起与所述平坦层一体成型。
3.根据权利要求1所述的对置基板，其特征在于，还包括黑矩阵和彩色滤色层，其中，所述彩色滤色层位于所述黑矩阵之上，所述平坦层位于所述彩色滤色层之上，所述突起对应于所述黑矩阵设置。
4.根据权利要求1-3任一项所述的对置基板，其特征在于，所述平坦层和所述突起的材质为透明导电树脂。
5.一种显示装置，包括OLED阵列基板，其特征在于，还包括如权利要求1-4任一项所述的OLED阵列基板的对置基板。
6.一种OLED阵列基板的对置基板的制备方法，其特征在于，包括：
形成导电的平坦层；
在所述平坦层之上形成导电的突起，所述突起用于与所述OLED阵列基板的电极电连接；
所述形成导电的平坦层包括：
形成黑矩阵；
在所述黑矩阵之上形成为彩色滤色层的平坦层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述形成导电的平坦层包括：
形成黑矩阵；
在所述黑矩阵之上形成彩色滤色层；
在所述彩色滤色层之上形成平坦层。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，
所述突起对应于所述黑矩阵设置。
9.根据权利要求6-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述突起与所述平坦层一体成型。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述平坦层和所述突起的材质为透明导电树脂。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310743033.0A CN103700683B (zh) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 一种oled阵列基板的对置基板及其制备方法、显示装置 |
| PCT/CN2014/075684 WO2015096310A1 (zh) | 2013-12-27 | 2014-04-18 | 一种oled阵列基板的对置基板及其制备方法、显示装置 |
| US14/407,009 US20160276617A1 (en) | 2013-12-27 | 2014-04-18 | Opposed substrate of an oled array substrate and method for preparing the same, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310743033.0A CN103700683B (zh) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 一种oled阵列基板的对置基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103700683A CN103700683A (zh) | 2014-04-02 |
| CN103700683B true CN103700683B (zh) | 2016-04-06 |
Family
ID=50362158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310743033.0A Active CN103700683B (zh) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 一种oled阵列基板的对置基板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160276617A1 (zh) |
| CN (1) | CN103700683B (zh) |
| WO (1) | WO2015096310A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103700683B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled阵列基板的对置基板及其制备方法、显示装置 |
| JP2017147059A (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| CN205900543U (zh) * | 2016-05-18 | 2017-01-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled显示面板 |
| CN108258008B (zh) * | 2016-12-29 | 2020-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板 |
| CN108198952A (zh) | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示屏及其制备方法 |
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-
2013
- 2013-12-27 CN CN201310743033.0A patent/CN103700683B/zh active Active
-
2014
- 2014-04-18 US US14/407,009 patent/US20160276617A1/en not_active Abandoned
- 2014-04-18 WO PCT/CN2014/075684 patent/WO2015096310A1/zh active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015096310A1 (zh) | 2015-07-02 |
| US20160276617A1 (en) | 2016-09-22 |
| CN103700683A (zh) | 2014-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |