JP7226408B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の発光素子を有する表示装置等の電気光学装置が知られている。

特許文献１に記載の表示装置は、発光素子と、発光素子のバリア層である保護層と、保護層上に配置されたカラーフィルターとを有する。保護層は、発光素子に向かって突出する湾曲形状の表面を有する。よって、カラーフィルターの保護層との境界面は湾曲している。境界面は湾曲しているため、当該境界面は、発光素子から発光された光を集光する集光レンズとして機能する。

国際公開第２０１９／１５９６４１号公報

しかし、保護層に凹みを形成すると、当該凹みにより保護層の膜厚が小さくなってしまう。この結果、発光素子を保護するための保護層の機能が低下するおそれがある。一方、保護層の当該機能を維持するために、保護層に形成された凹みの深さを小さくすると、カラーフィルターの保護層との接触部分の曲率が小さくなってしまう。このため、レンズ機能が低下してしまう。それゆえ、光取り出し効率または視野角特性の向上を図ることが難しい。

本発明の電気光学装置の一態様は、着色層と、前記基板と前記着色層との間に配置される第１発光素子および第２発光素子と、前記第１発光素子および前記第２発光素子と前記着色層との間に配置され、平面視で前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に位置する壁部と、前記第１発光素子および前記第２発光素子と前記着色層との間に配置される封止層と、を備え、前記壁部の第１屈折率と前記着色層の第２屈折率とは、互いに異なり、前記壁部は、平面視で前記第１発光素子に対応する第１開口および前記第２発光素子に対応する第２開口を有するとともに、厚みが最も厚い頂部と厚みが最も薄い端部との間において、前記壁部の内側に湾曲状に凹む領域を有し、前記着色層は、前記第１開口および前記第２開口を介して前記封止層と接するとともに、前記壁部の内側に湾曲状に凹むように設けられた領域と接するように設けられている。

本発明の電気光学装置の一態様は、基板と、平面視で隣り合う２つの画素間に配置される壁部と、前記壁部の第１屈折率と異なる第２屈折率を有する着色層と、 前記基板と前記着色層との間に配置される発光層と、前記発光層と前記着色層との間に配置される封止層と、を備え、前記壁部は、平面視で各画素に対応する開口を有するとともに、厚みが最も厚い頂部と厚みが最も薄い端部との間において、前記壁部の内側に湾曲状に凹む領域を有し、前記着色層は、前記開口を介して前記封止層に接するとともに、前記壁部の内側に湾曲状に凹むように設けられた領域と接するように設けられている。

本発明の電子機器の一態様は、前述の電気光学装置と、前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。

第１実施形態の電気光学装置を模式的に示す平面図である。 図１に示すサブ画素の等価回路図である。 素子基板の一部を示す平面図である。 図１に示す電気光学装置の断面図である。 図１に示す電気光学装置の断面図である。 壁部および着色層を示す断面図である。 壁部および着色層を示す断面図である。 第１実施形態の着色層のレンズ機能を説明するための図である。 第１実施形態の光の強度のシミュレーション結果である。 壁部が着色層によって覆われていない場合の漏れ光を説明するための図である。 壁部が着色層によって覆われている場合の漏れ光を説明するための図である。 第２実施形態の着色層のレンズ機能を説明するための図である。 第２実施形態の光の強度のシミュレーション結果である。 変形例の壁部および着色層を示す概略図である。 電子機器の一例である虚像表示装置の一部を模式的に示す平面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．電気光学装置１００
１Ａ．第１実施形態
１Ａ－１．電気光学装置１００の全体構成
図１は、第１実施形態の電気光学装置１００を模式的に示す平面図である。なお、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向とし、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向とする。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向とし、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向とする。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向とし、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向とする。Ｚ１方向またはＺ２方向から電気光学装置１００をみることを「平面視」とする。

図１に示す電気光学装置１００は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）を利用してフルカラーの画像を表示する装置である。なお、画像には、文字情報のみを表示するものが含まれる。電気光学装置１００は、例えば、ヘッドマウントディスプレイ等に好適に用いられるマイクロディスプレイである。

電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の周囲を囲む周辺領域Ａ２０と、を有する。図１に示す例では、表示領域Ａ１０の平面視での形状が四角形であるが、これに限定されず、他の形状でもよい。

表示領域Ａ１０は、複数の画素Ｐを有する。各画素Ｐは、画像の表示における最小単位である。本実施形態では、複数の画素Ｐは、Ｘ１方向およびＹ２方向に行列状に配置される。各画素Ｐは、赤色の波長域の光が得られるサブ画素ＰＲと、青色の波長域の光が得られるサブ画素ＰＢと、緑色の波長域の光が得られるサブ画素ＰＧと、を有する。サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲによって、カラー画像の１つの画素Ｐが構成される。以下では、サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲを区別しない場合、サブ画素Ｐ０と表記する。

画素Ｐごとに、サブ画素ＰＢ、ＰＲおよびＰＧの３つのサブ画素Ｐ０が設けられる。サブ画素Ｐ０は、画素Ｐを構成する要素である。サブ画素Ｐ０は、独立して制御される最小単位である。複数のサブ画素Ｐ０は、Ｘ１方向およびＹ２方向に行列状に配置される。また、本実施形態では、サブ画素Ｐ０の配列は、レクタングル配列である。本実施形態では、画素Ｐが有する３つのサブ画素Ｐ０のうちサブ画素ＰＧの面積が最も大きい。

ここで、青色の波長域、緑色の波長域、および赤色の波長域のうちの任意の１つが第１波長域に相当する。他の１つが第２波長域に相当する。残りの１つが第３波長域に相当する。なお、第１波長域、第２波長域および第３波長域は、互いに異なる波長域である。本実施形態では、赤色の波長域を第１波長域とし、青色の波長域を第２波長域とし、緑色の波長域を第３波長域とする場合を例に説明する。なお、青色の波長域は緑色の波長域よりも短い波長域であり、緑色の波長域は赤色の波長域よりも短い波長域である。当該赤色の波長域は、５８０ｎｍを超え、７００ｎｍ以下である。当該緑色の波長域は、５００ｎｍ以上、５８０ｎｍ以下である。当該青色の波長域は、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満である。

電気光学装置１００は、素子基板１と、光透過性を有する透光性基板７とを有する。電気光学装置１００は、いわゆるトップエミッション構造であり、透光性基板７から光を発する。なお、素子基板１と透光性基板７とが重なる方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と一致する。また、光透過性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

素子基板１は、データ線駆動回路１０１と、走査線駆動回路１０２と、制御回路１０３と、複数の外部端子１０４とを有する。データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、制御回路１０３および複数の外部端子１０４は、周辺領域Ａ２０に配置される。データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０２は、複数のサブ画素Ｐ０を構成する各部の駆動を制御する周辺回路である。制御回路１０３は、画像の表示を制御する。制御回路１０３には、図示しない上位回路から画像データが供給される。制御回路１０３は、当該画像データに基づく各種信号をデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０２に供給する。図示しないが、外部端子１０４には、上位回路との電気的な接続を図るためのＦＰＣ（Flexible printed circuits）基板等が接続される。また、素子基板１には、図示しない電源回路が電気的に接続される。

透光性基板７は、素子基板１が有する後述の発光部２および着色層５を保護するカバーである。透光性基板７は、例えば、ガラス基板または石英基板で構成される。

図２は、図１に示すサブ画素Ｐ０の等価回路図である。素子基板１には、複数の走査線１３、複数のデータ線１４、複数の給電線１５および複数の給電線１６が設けられる。図２では、１つのサブ画素Ｐ０とこれに対応する要素とが代表的に図示される。

走査線１３はＸ１方向に延び、データ線１４はＹ１方向に延びる。なお、図示はしないが、複数の走査線１３と複数のデータ線１４とは、格子状に配列される。また、走査線１３は図１に示す走査線駆動回路１０２に接続され、データ線１４は図１に示すデータ線駆動回路１０１に接続される。

図２に示すように、サブ画素Ｐ０は、発光素子２０と、発光素子２０の駆動を制御する画素回路３０とを含む。発光素子２０は、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）で構成される。発光素子２０は、画素電極２３と、共通電極２５と、発光層２４０とを有する。

画素電極２３には、画素回路３０を介して給電線１５が電気的に接続される。一方、共通電極２５には、給電線１６が電気的に接続される。ここで、給電線１５には、図示しない電源回路から高位側の電源電位Ｖelが供給される。給電線１６には、図示しない電源回路から低位側の電源電位Ｖctが供給される。画素電極２３が陽極として機能し、共通電極２５が陰極として機能する。発光素子２０では、画素電極２３から供給される正孔と、共通電極２５から供給される電子とが発光層２４０で再結合することにより、発光層２４０が光を発光させる。なお、画素電極２３はサブ画素Ｐ０ごとに設けられており、画素電極２３は他の画素電極２３とは独立して制御される。

画素回路３０は、スイッチング用トランジスター３１と、駆動用トランジスター３２と、保持容量３３とを有する。スイッチング用トランジスター３１のゲートは、走査線１３に電気的に接続される。また、スイッチング用トランジスター３１のソースまたはドレインのうちの一方が、データ線１４に電気的に接続され、他方が、駆動用トランジスター３２のゲートに電気的に接続される。また、駆動用トランジスター３２のソースまたはドレインのうちの一方が、給電線１５に電気的に接続され、他方が、画素電極２３に電気的に接続される。また、保持容量３３の一方の電極は、駆動用トランジスター３２のゲートに接続され、他方の電極は、給電線１５に接続される。

以上の画素回路３０では、走査線駆動回路１０２が走査信号をアクティブにすることで走査線１３が選択されると、選択されるサブ画素Ｐ０に設けられるスイッチング用トランジスター３１がオンする。すると、データ線１４からデータ信号が、選択される走査線１３に対応する駆動用トランジスター３２に供給される。駆動用トランジスター３２は、供給されるデータ信号の電位、すなわちゲートおよびソース間の電位差に応じた電流を発光素子２０に対して供給する。そして、発光素子２０は、駆動用トランジスター３２から供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する。また、走査線駆動回路１０２が走査線１３の選択を解除してスイッチング用トランジスター３１がオフした場合、駆動用トランジスター３２のゲートの電位は、保持容量３３により保持される。このため、発光素子２０は、スイッチング用トランジスター３１がオフした後も、発光素子２０の発光を維持することができる。

なお、前述の画素回路３０の構成は、図示の構成に限定されない。例えば、画素回路３０は、画素電極２３と駆動用トランジスター３２との間の導通を制御するトランジスターをさらに備えてもよい。

１Ａ－２．素子基板１
図３は、図１に示す素子基板１の一部を示す平面図である。図３では、１つの画素Ｐの要素が代表的に図示される。以下では、サブ画素ＰＲに関連する要素の符号の末尾に「Ｒ」を付し、サブ画素ＰＧに関連する要素の符号の末尾に「Ｇ」を付し、サブ画素ＰＢに関連する要素の符号の末尾に「Ｂ」を付す。なお、発光色ごとに区別しない場合には、符号の末尾の「Ｂ」、「Ｇ」および「Ｒ」を省略する。

図３に示すように、素子基板１は、画素Ｐごとに、発光素子２０Ｒ、２０Ｂ、２０Ｇ１および２０Ｇ２の組を有する。発光素子２０Ｒは、サブ画素ＰＲに設けられる発光素子２０である。発光素子２０Ｂは、サブ画素ＰＢに設けられる発光素子２０である。発光素子２０Ｇ１および２０Ｇ２のそれぞれは、サブ画素ＰＧに設けられる発光素子２０である。

本実施形態では、発光素子２０Ｒが第１発光素子に相当し、発光素子２０Ｂが第２発光素子に相当し、発光素子２０Ｇ１および２０Ｇ２のそれぞれが第３発光素子に相当する。なお、発光素子２０Ｇ１および２０Ｇ２は、サブ画素ＰＧごとに、１つの画素回路３０を共用する。したがって、発光素子２０Ｇ１および２０Ｇで、１つの発光素子２０Ｇと捉えてもよい。

発光素子２０Ｒは、赤色の波長域を含む波長域の光を発する発光領域ＡＲを有する。発光素子２０Ｂは、青色の波長域を含む波長域の光を発する発光領域ＡＢを有する。発光素子２０Ｇ１は、緑色の波長域を含む波長域の光を発する発光領域ＡＧ１を有する。発光素子２０Ｇ２は、緑色の波長域を含む波長域の光を発する発光領域ＡＧ２を有する。本実施形態では、発光領域ＡＲが第１発光領域に相当し、発光領域ＡＢが第２発光領域に相当し、発光領域ＡＧ１およびＲＧ２のそれぞれが第３発光領域に相当する。また、発光領域Ａを、発光素子２０に対応するものと捉えてもよい。

また、図３に示す例では、発光領域ＡＲ、ＡＧ１、ＡＧ２およびＡＢのそれぞれの平面視での形状は、八角形である。発光領域ＡＲおよびＡＢの各面積は、発光領域ＡＧ１およびＡＧ２の面積の合計よりも小さい。当該「面積」とは、平面視での面積をいう。なお、発光領域ＡＲ、ＡＧ１、ＡＧ２およびＡＢの平面視での形状は、互いに異なってもよいし、互いに等しくてもよい。

図４および図５のそれぞれは、図１の電気光学装置１００の断面図である。図４は、サブ画素ＰＲおよびＰＧの断面に相当し、図５は、サブ画素ＰＢおよびＰＧの断面に相当する。以下の説明では、Ｚ１方向を上方とし、Ｚ２方向を下方として説明する。

図４および図５に示すように、素子基板１は、基板１０と、発光素子２０と、封止層４と、着色層５とを有する。発光素子２０および封止層４は、基板１０と着色層５との間に配置される。また、発光部２は、前述の複数の発光素子２０を有する。なお、前述の透光性基板７は、接着層７０により素子基板１に接合される。

基板１０は、詳細な図示はしないが、例えばシリコン基板上に、前述の画素回路３０が形成された配線基板である。なお、シリコン基板の代わりに、例えば、ガラス基板、樹脂基板またはセラミックス基板が用いられてもよい。また、詳細な図示はしないが、画素回路３０が有する前述の各トランジスターは、ＭＯＳ型トランジスター、薄膜トランジスターまたは電界効果トランジスターのいずれでもよい。画素回路３０が有するトランジスターがアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターである場合、当該アクティブ層は、シリコン基板で構成されてもよい。また、画素回路３０が有する各要素および各種配線の材料としては、例えば、ポリシリコン、金属、金属シリサイドおよび金属化合物等の導電材料が挙げられる。

基板１０上には、発光部２が配置される。発光部２は、反射層２６と、絶縁層２１と、光路調整層２２と、素子分離層２２０と、複数の画素電極２３と、有機層２４と、共通電極２５とを有する。発光部２は、これらの要素によって前述の複数の発光素子２０を形成する。なお、絶縁層２１、光路調整層２２、素子分離層２２０、有機層２４および共通電極２５は、複数の発光素子２０で共通である。また、有機層２４は、前述の発光層２４０を有する。

反射層２６は、基板１０と発光層２４０との間に配置される。反射層２６は、光反射性を有する複数の反射部２６１を含む。光反射性とは、可視光に対する反射性を意味し、好ましくは可視光の反射率が５０％以上であることをいう。各反射部２６１は、発光層２４０で発生する光を反射する。なお、複数の反射部２６１は、図示はしないが、平面視で、複数のサブ画素Ｐ０に対応して配置される。反射層２６の材料としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）およびＡｇ（銀）等の金属、あるいはこれらの金属の合金が挙げられる。なお、反射層２６は、画素回路３０と電気的に接続される配線としての機能を有してもよい。また、図示は省略するが、反射層２６と絶縁層２１との間には、反射層２６の光反射性を高めるための光透過性および絶縁性を有する増反射層が配置されてもよい。当該増反射層は、例えば、酸化シリコン膜である。

絶縁層２１は、反射層２６上に配置されるとともに、反射層２６が有する複数の反射部２６１の間を埋める。絶縁層２１は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜で構成される。なお、詳細な図示はしないが、絶縁層２１は、例えば、複数の層の積層体である。

絶縁層２１上には、複数のコンタクト電極２８が配置される。コンタクト電極２８は、発光素子２０ごとに設けられる。コンタクト電極２８は、画素回路３０と画素電極２３とを電気的に接続する。なお、コンタクト電極２８と絶縁層２１との間には、酸化シリコン等の絶縁材料で形成される絶縁部２７が設けられる。また、コンタクト電極２８の材料は、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）および窒化チタン（ＴｉＮ）等の導電材料である。

絶縁層２１上には、光路調整層２２が配置される。光路調整層２２は、反射部２６１と後述の共通電極２５との間の光学的な距離である光学距離Ｌ０を調整する層である。光路調整層２２は、絶縁性を有する複数の膜で構成される。具体的には、光路調整層２２は、第１絶縁膜２２１および第２絶縁膜２２２を有する。第１絶縁膜２２１は、サブ画素ＰＲに配置され、サブ画素ＰＢおよびＰＧに配置されない。少なくとも第１絶縁膜２２１上には、第２絶縁膜２２２が配置される。第２絶縁膜２２２は、サブ画素ＰＲおよびＰＧに配置され、サブ画素ＰＢに配置されない。光路調整層２２の材料としては、例えば、酸化ケイ素および窒化ケイ素等のケイ素系の無機材料が挙げられる。

光路調整層２２上には、複数の画素電極２３が配置される。画素電極２３は、発光素子２０ごとに設けられる。図示はしないが、各画素電極２３は、平面視で、対応する反射部２６１に重なる。各画素電極２３は、光透過性および導電性を有する。画素電極２３の材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）およびＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料が挙げられる。なお、画素電極２３Ｒは、サブ画素ＰＲに設けられる画素電極２３である。画素電極２３Ｇ１および２３Ｇ２は、サブ画素ＰＧに設けられる画素電極２３である。画素電極２３Ｇ１および２３Ｇ２は、分離されて形成されたものでも良いし、一体となって形成されたものでも良い。画素電極２３Ｂは、サブ画素ＰＢに設けられる画素電極２３である。

また、光路調整層２２上には、複数の開口を有する素子分離層２２０が配置される。素子分離層２２０は、複数の画素電極２３の各外縁を覆う。素子分離層２２０によって、複数の画素電極２３は互いに電気的に絶縁される。素子分離層２２０が有する複数の開口により、複数の発光領域Ａが規定される。また、有機層２４と画素電極２３とが接する領域として発光領域Ａを規定することもできる。具体的には、発光素子２０Ｒが有する発光領域ＡＲと、発光素子２０Ｇ１が有する発光領域ＡＧ１と、発光素子２０Ｇ２が有する発光領域ＡＧ２と、発光素子２０Ｂが有する発光領域ＡＢとが規定される。素子分離層２２０の材料としては、例えば、酸化ケイ素および窒化ケイ素等のケイ素系の無機材料が挙げられる。

複数の画素電極２３上には、有機層２４が配置される。有機層２４は、有機発光材料を含む発光層２４０を含む。有機発光材料は、発光性の有機化合物である。また、有機層２４は、発光層２４０以外に、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層等を含む。有機層２４は、青色、緑色および赤色の各発光色が得られる発光層２４０を含んで白色発光を実現する。なお、有機層２４の構成は、前述の構成に特に限定されるものではなく、公知の構成を適用することができる。

有機層２４上には、共通電極２５が配置される。共通電極２５は、発光層２４０と着色層５との間に配置される。共通電極２５は、光反射性および光透過性を有する半透過反射層である。また、共通電極２５は、導電性を有する。共通電極２５は、例えば、ＭｇＡｇ等のＡｇを含む合金で形成される。

以上の発光部２では、発光素子２０Ｒは、反射部２６１と絶縁層２１と第１絶縁膜２２１と第２絶縁膜２２２と素子分離層２２０と画素電極２３Ｒと有機層２４と共通電極２５とを有する。発光素子２０Ｇ１は、反射部２６１と絶縁層２１と第２絶縁膜２２２と素子分離層２２０と画素電極２３Ｇ１と有機層２４と共通電極２５とを有する。発光素子２０Ｇ２は、反射部２６１と絶縁層２１と第２絶縁膜２２２と素子分離層２２０と画素電極２３Ｇ２と有機層２４と共通電極２５とを有する。発光素子２０Ｂは、反射部２６１と絶縁層２１と素子分離層２２０と画素電極２３Ｂと有機層２４と共通電極２５とを有する。

ここで、反射層２６と共通電極２５との間の光学距離Ｌ０は、サブ画素Ｐ０ごとに異なる。具体的には、サブ画素ＰＲの光学距離Ｌ０は、赤色の波長域に対応して設定される。サブ画素ＰＧの光学距離Ｌ０は、緑色の波長域に対応して設定される。サブ画素ＰＢの光学距離Ｌ０は、青色の波長域に対応して設定される。

このため、各発光素子２０は、所定の波長域の光を反射層２６と共通電極２５との間で共振させる光共振構造２９を有する。発光素子２０Ｒ、２０Ｇおよび２０Ｂは互いに異なる光共振構造２９を有する。光共振構造２９は、有機層２４が有する発光層２４０で発光する光を反射層２６と共通電極２５との間で多重反射させ、所定の波長域の光を選択的に強める。発光素子２０Ｒは、反射層２６と共通電極２５との間で赤色の波長域の光を強める光共振構造２９Ｒを有する。発光素子２０Ｇは、反射層２６と共通電極２５との間で緑色の波長の光を強める光共振構造２９Ｇを有する。発光素子２０Ｂは、反射層２６と共通電極２５との間で青色の波長の光を強める光共振構造２９Ｂを有する。

光共振構造２９における共振波長は、光学距離Ｌ０によって決まる。当該共振波長をλ０とするとき、次のような関係式［１］が成り立つ。なお、関係式［１］中のΦ（ラジアン）は、反射層２６と共通電極２５との間での透過および反射の際に生じる位相シフトの総和を表す。
｛（２×Ｌ０）／λ０＋Φ｝／（２π）＝ｍ０（ｍ０は整数）・・・・・［１］
取り出したい波長域の光のピーク波長が波長λ０となるよう、光学距離Ｌ０が設定される。この設定により、取り出したい所定の波長域の光が増強され、当該光の高強度化およびスペクトルの狭幅化を図ることができる。

本実施形態では、前述のように、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲごとに光路調整層２２の厚さを異ならせることにより、光学距離Ｌ０が調整される。なお、光学距離Ｌ０の調整方法は、光路調整層２２の厚さによる調整方法に限定されない。例えば、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲごとに画素電極２３の厚さを異ならせることにより、光学距離Ｌ０が調整されてもよい。

複数の発光素子２０上には、封止層４が配置される。封止層４は、複数の発光素子２０を保護する。具体的には、封止層４は、複数の発光素子２０を外部から保護するために複数の発光素子２０を封止する封止層である。封止層４は、ガスバリア性を有しており、例えば、各発光素子２０を外部の水分または酸素等から保護する。封止層４が設けられていることで、封止層４が設けられていない場合に比べ、発光素子２０の劣化を抑制することができる。このため、電気光学装置１００の品質信頼性を高めることができる。また、封止層４は、光透過性を有する。

封止層４は、第１層４１と、第２層４２と、第３層４３とを有する。第１層４１、第２層４２および第３層４３は、この順に基板１０から遠ざかる方向に向かって積層される。第１層４１、第２層４２および第３層４３は、絶縁性を有する。第１層４１および第３層４３の各材料は、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機化合物である。第２層４２は、第３層４３に平坦な面を提供するための平坦化層である。第２層４２の材料は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂、または無機化合物である。なお、封止層４は、３つの層を有するが、１つ、２つ、または４つ以上の層を有してもよい。また、着色層５と接触する第３層４３は、無機化合物を含むが、着色層５と接触する層は、樹脂を含んでもよい。

着色層５は、所定の波長域の光を選択的に透過させるカラーフィルターである。当該所定の波長域は、前述の光学距離Ｌ０によって決まるピーク波長λ０を含んでいる。着色層５を備えることで、着色層５を備えていない場合に比べ、各サブ画素Ｐ０から発せられる光の色純度を高めることができる。着色層５は、例えば、色材を含むアクリル系の感光性樹脂材料等の樹脂材料で構成される。当該色材は、顔料または染料である。

着色層５は、サブ画素ＰＲに対応して設けられる着色部５０Ｒ、サブ画素ＰＢに対応して設けられる着色部５０Ｂと、サブ画素ＰＧに対応して設けられる着色部５０Ｇと、を有する。サブ画素Ｐ０ごとに着色部５０が設けられる。着色部５０Ｒは、発光素子２０Ｒからの光のうち赤色の波長域の光を選択的に透過させるカラーフィルターである。着色部５０Ｂは、発光素子２０Ｂからの光のうち青色の波長域の光を選択的に透過させるカラーフィルターである。着色部５０Ｇは、発光素子２０Ｇ１および２０Ｇ２からの光のうち緑色の波長域の光を選択的に透過させるカラーフィルターである。

壁部６は、発光層２４０に対して基板１０と反対に配置される。具体的には、壁部６は、発光層２４０と着色層５との間に配置される。壁部６は、各サブ画素Ｐ０の間に配置される。壁部６は、素子基板１に対する着色層５の密着性を高めるために設けられる。壁部６は、光透過性を有する。壁部６は、例えば、透明な樹脂材料で形成される。当該樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂等が挙げられる。

以上の素子基板１上には、接着層７０を介して透光性基板７が接合される。接着層７０は、例えば、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂等の樹脂材料を用いた透明な接着剤である。

１Ａ－３．壁部６および着色層５
壁部６は、主に、隣り合うサブ画素Ｐ０の間に配置される。本実施形態では、壁部６は、平面視でサブ画素Ｐ０を囲むように配置される。このため、壁部６は、サブ画素Ｐ０を区分する壁状の部材として機能する。具体的には、図３に示すように、壁部６は、平面視で、発光領域ＡＲと発光領域ＡＢとの間、発光領域ＡＲと発光領域ＡＧ１との間、および発光領域ＡＢと発光領域ＡＧ２との間に、主に配置される。なお、図３では、便宜上、壁部６にトッドパターンが付されている。

図３に示すように、壁部６は、平面視で、各サブ画素Ｐ０に対応する開口Ｓ６を有する。開口Ｓ６は、平面視で発光領域Ａに重なる。なお、サブ画素ＰＧに設けられる開口Ｓ６は、平面視で２つの発光領域ＡＧ１およびＡＧ２に重なる。

図示の例では、壁部６の一部は、発光領域Ａ内に位置している。よって、壁部６は、平面視で隣り合う発光領域Ａ同士の間の領域に位置する部分に加え、発光領域Ａ内に位置する部分を有する。

また、少なくとも壁部６の頂部６１１は、平面視で発光領域ＡＲを囲むように配置される。壁部６は、平面視で発光領域ＡＲの縁に沿って配置され、当該縁を覆っている。同様に、壁部６は、平面視で発光領域ＡＢを囲むように配置される。壁部６は、平面視で発光領域ＡＢの縁に沿って配置され、当該縁を覆っている。また、壁部６は、平面視で発光領域ＡＧ１およびＡＧ２を囲むように配置される。壁部６は、平面視で発光領域ＡＧ１およびＡＧ２の縁と重なる部分を有する。

図３に示すように、各着色部５０は、平面視で壁部６と重なる部分と、平面視で壁部６と重ならない部分とを有する。当該壁部６と重ならない部分は、平面視で、壁部６の開口Ｓ６内に位置する部分である。

また、着色部５０Ｒ、５０Ｂおよび５０Ｇは、平面視で互いに重なる部分を有する。つまり、平面視で３色の着色部５０が重なっている部分が存在する。また、着色部５０Ｒと５０Ｂとは、平面視で互いに重なる部分を有する。同様に、着色部５０Ｂと５０Ｇとは、平面視で互いに重なる部分を有する。また、着色部５０Ｇと５０Ｒとは、平面視で互いに重なる部分を有する。なお、複数の着色部５０は、互いに重なっていなくてもよい。

図６および図７のそれぞれは、壁部６および着色層５を示す断面図である。図６および図７に示すように、壁部６は、封止層４上に位置し、かつ封止層４に接触している。また、壁部６は、着色層５に接触している。

壁部６は、厚みを減少させながら、隣り合うサブ画素Ｐ０の間の領域からサブ画素Ｐ０内に向かって張り出している。具体的には、図６に示すように、壁部６は、厚みを減少させながら、発光領域ＡＲと発光領域ＡＧ１との間の領域から発光領域ＡＲおよびＡＧ１のそれぞれに向かって張り出している。また、図７に示すように、壁部６は、厚みを減少させながら、発光領域ＡＢと発光領域ＡＧ２との間の領域から発光領域ＡＢおよびＡＧ２のそれぞれに向かって張り出している。また、図示はしないが、壁部６は、厚みを減少させながら、発光領域ＡＲと発光領域ＡＢとの間の領域から発光領域ＡＲおよびＡＢ２のそれぞれに向かって張り出している。なお、「厚み」とは、Ｚ１方向の長さである。

壁部６の封止層４と接触する下面は、平坦面である。一方、壁部６の着色層５と接触する上面６１は、曲面である。上面６１は、頂部６１１と、複数の端部６１２とを有する。頂部６１１は、壁部６のうち厚みが最も厚い部分において着色層５と接触する部分である。各端部６１２は、壁部６の縁であって、壁部６のうち厚みが最も薄い分において着色層５と接触する部分である。各端部６１２における壁部６の厚みは、頂部６１１における壁部６の厚みよりも小さい。よって、壁部６の厚みは、頂部６１１から各端部６１２に向かって減少している。また、上面６１は、頂部６１１と端部６１２との間で基板１０に向かって湾曲状に凹んでいる。

また、頂部６１１は、隣り合うサブ画素Ｐ０の間の領域に位置する。具体的には、頂部６１１は、平面視で発光領域Ａと重なっていない。頂部６１１は、発光領域ＡＲおよびＡＢの間、発光領域ＡＲおよびＡＧ１の間、発光領域ＡＢおよびＡＧ２の間に位置する。また、図３に示すように、端部６１２は、平面視で各発光領域Ａ内に位置する。本実施形態では、平面視で発光領域ＡＲに位置する端部６１２が第１端部に相当し、平面視で発光領域ＡＢに位置する端部６１２が第２端部に相当する。また、平面視で発光領域ＡＧ１およびＡＧ２に位置する端部６１２が第３端部である。また、端部６１２は、開口Ｓ６を形成する。また、端部６１２は、平面視で発光領域Ａと重ならないように配置されていても良い。端部６１２が平面視で発光領域Ａと重ならない場合、端部６１２は、発光領域ＡＲおよびＡＢの間、発光領域ＡＲおよびＡＧ１の間、発光領域ＡＢおよびＡＧ２の間に位置する。

図６および図７に示す例では、着色部５０Ｇ、５０Ｂおよび５０Ｒは、壁部６上にこの順に形成される。このため、図７に示すように、着色部５０Ｇの一部は、壁部６と着色部５０Ｂとの間に位置する。また、図６に示すように、着色部５０Ｇの一部は、壁部６と着色部５０Ｒとの間に位置する。なお、図示はしないが、着色部５０Ｂの一部は、壁部６と着色部５０Ｒとの間に位置する。

着色層５は、複数の開口Ｓ６を埋め、かつ封止層４および壁部６を覆う。また、着色層５は、封止層４および壁部６に接触する複数の接触面５１を有する。接触面５１は、着色部５０ごとに設けられる。接触面５１は、封止層４と接触する第１面５１１と、壁部６に接触する第２面５１２とを有する。第１面５１１は、平坦面である。第２面５１２は、第１面５１１に対して傾斜している。また、第２面５１２は、基板１０に向かって突出する曲面である。よって、接触面５１は、基板１０に向かって突出する曲面を有する。

第２面５１２は、頂部６１１との接触部分から各端部６１２の接触部分に向かって傾斜している。よって、着色層５の厚みは、頂部６１１との接触部分から各端部６１２の接触部分に向かって漸次的に増加している。したがって、端部６１２との接触部分における着色層５の厚みは、頂部６１１との接触部分における着色層５の厚みよりも大きい。

また、壁部６の屈折率である第１屈折率と着色層５の屈折率である第２屈折率とは、互いに異なる。そして、前述のように、着色層５は、壁部６と接触し、壁部６側に張り出す曲面である第２面５１２を有する。つまり、第２面５１２は、壁部６と接触し、基板１０に向かって突出する曲面とも捉えてよい。このため、第２面５１２は、レンズ面として機能する。それゆえ、壁部６と着色層５によってレンズ機能を得ることができる。さらに、着色層５にレンズ面を形成するために封止層４に凹みを形成しなくて済む。つまり、封止層４に凹みが形成されることにより封止層４の封止性能が低下することを防ぐことができる。このため、電気光学装置１００によれば、曲率の大きなレンズ機能を容易に得ることができる。また、封止層４の封止性能と着色層５のレンズ機能との両立を図ることができる。また、電気光学装置１００では、壁部６によって着色層５の第２面５１２が形成されるので、例えば壁部６の厚さを変更することで、所望の曲率を有する第２面５１２を簡単に形成することができる。

また、本実施形態では、第１屈折率は、第２屈折率よりも小さい。このため、発光領域Ａからの光を集光させることができる。よって、光の取り出し効率を向上させることができる。

図８は、第１実施形態の着色層５のレンズ機能を説明するための図である。なお、図８では、平面視での発光領域Ａの中心を通って、Ｚ軸に平行な中心軸Ａ１が図示される。

図８に示すように、発光領域Ａから発せられた光Ｌのうち中心軸Ａ１に沿った光Ｌは、第１面５１１に入射し、着色層５から中心軸Ａ１に沿って出射する。また、発光領域Ａから発せられた光Ｌのうち中心軸Ａ１に対して傾斜した光Ｌは、第２面５１２に入射し、第２面５１２で屈折する。そして、屈折した光Ｌは、中心軸Ａ１に沿って進むか、中心軸Ａ１に沿った方向に近い方向に進む。このため、発光領域Ａから発せられた光Ｌは、着色層５のレンズ機能により集光する。よって、光の取り出し効率を向上させることができる。

図９は、第１実施形態の光の強度のシミュレーション結果である。図９中の実線は、着色層５がレンズ面である第２面５１２を有する場合の結果である。図９中の破線は、着色層５がレンズ面を有さない場合の結果である。図９に示すように、着色層５がレンズ面である第２面５１２を有することで、レンズ面を有さない場合に比べ、集光効果により光の強度が増加していることが分かる。図９から分かるように、着色層５が第２面５１２を有することで、光の取り出し効率を向上させることができる。

また、前述のように、壁部６は、複数の端部６１２を有する。各端部６１２は、図３に示すように、平面視で、発光領域Ａ内に配置される。このため、第２面５１２の面積を大きくすることができるので、第２面５１２に入射する光量を増やすことができる。つまり、端部６１２が平面視で発光領域Ａの外側に位置する場合に比べ、光の取り出し効率を高めることができる。よって、より広い角度で、より強度の強い光を発することができる。なお、端部６１２は、平面視で、発光領域Ａの縁と重なってもよいし、発光領域Ａの外側に位置してもよい。

また、前述のように、壁部６は、サブ画素Ｐ０に対応する開口Ｓ６を有する。そして、壁部６は、サブ画素Ｐ０を囲んでいる。また、壁部６は、発光領域ＡＲを囲んでいる。このため、壁部６が発光領域ＡＲを囲んでいない場合に比べ、光の取り出し効率を向上させることができる。同様に、壁部６は、発光領域ＡＢを囲んでいるため、囲んでいない場合に比べ、光の取り出し効率を向上させることができる。また、壁部６は、発光領域ＡＧ１およびＡＧ２を囲んでいるため、囲んでいない場合に比べ、光の取り出し効率を高めることができる。

なお、壁部６は、平面視で発光領域Ａを囲んでいなくてもよい。つまり、壁部６は、平面視で、隣り合うサブ画素Ｐ０の間の領域の一部に設けられてもよい。

図６および図７に示すように、壁部６の最大の厚みは、着色層５の最大の厚みよりも薄い。ただし、壁部６の最大の厚みは、着色層５の最大の厚みの１／２以上であることが好ましい。特に、壁部６の最大の厚みは、各着色部５０の最大の厚みの１／２以上であることが好ましい。これにより、着色層５の最大の厚みの１／２未満である場合に比べ、第２面５１２の面積を大きくすることができる。また、第２面５１２の曲率を大きくすることができる。よって、第２面５１２によるレンズ性能を高めることができる。

また、壁部６は、着色層５に覆われる頂部６１１を有する。このため、頂部６１１が着色層５で覆われていない場合に比べ、壁部６を通過する漏れ光を抑制することができる。

図１０は、壁部６が着色層５によって覆われていない場合の漏れ光を説明するための図である。図１１は、壁部６が着色層５で覆われている場合の漏れ光を説明するための図である。図１０に示すように、壁部６が着色層５で覆われていない場合、発光領域Ａから発せられた光は、壁部６を透過して漏れ光となってしまう。この結果、隣接するサブ画素Ｐ０からの光の漏れによる混色が発生するおそれがある。

これに対して、図１１に示すように、壁部６が着色層５で覆われていることで、壁部６を透過した光は、着色部５０で遮られる。例えば、発光領域ＡＲから発せられた光のうち壁部６を透過した光ＬＲは、着色部５０Ｇで遮られる。また、例えば、発光領域ＡＧ１から発せられた光のうち壁部６を透過した光ＬＧ１は、着色部５０Ｇを透過するが、着色部５０Ｒで遮られる。このため、漏れ光になることが抑制される。よって、隣接するサブ画素Ｐ０からの光の漏れによる混色の発生を改善することができる。また、頂部６１１は、着色部５０Ｒと着色部５０Ｇとによって覆われているため、壁部６を通過する漏れ光を抑制することができる。

なお、壁部６の最大の厚みは、着色層５の最大の厚み以上でもよい。よって、壁部６の上面６１のＺ１方向での位置は、着色層５の上面のＺ１方向での位置と一致してもよい。また、壁部６の上面６１は、着色層５の上面からＺ１方向に露出してもよい。この場合、上面６１が着色層５から露出していない場合に比べ、着色層５によるレンズ性能をさらに高めることができる。

また、前述のように、発光部２は、発光層２４０と、反射層２６と、「半透過反射層」である共通電極２５と、光共振構造２９と、を有する。光共振構造２９は、発光層２４０から発せられる光を反射層２６と共通電極２５との間で共振させる。発光部２が光共振構造２９を有さない場合、発光領域Ａから発せられ光は、ランバーシアン配光に近い。これに対し、発光部２が光共振構造２９を有する場合、光共振構造２９を有さない場合に比べ、発光領域Ａから発せられる光の指向性は高くなる。このため、Ｚ１方向に出射される光の光度を高めることができる。よって、着色層５のレンズ面に、入射角が小さい光が入射する割合を減少させることができる。よって、光の損失割合を低減することができる。

壁部６は、例えば、以下の方法で形成される。まず、封止層４上に、アクリル樹脂等の感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより、樹脂層が形成される。その後、ＵＶ（紫外線）光を用いて当該樹脂層が露光され、アルカリ現像液等により現像される。これにより、壁部６が形成される。また、壁部６の形成では、露光の際に、ＵＶ光をデフォーカスさせる。これにより、基板１０に向かって凹んだ曲面を有する壁部６が形成される。また、いわゆるハーフ現像を行うことによっても、基板１０に向かって凹んだ曲面を有する壁部６が形成される。ハーフ現像は、具体的には、複数回に分けて現像処理を行い、当該樹脂層が完全に無くなる前に現像を止める現像方法である。

着色層５は、例えば以下の方法で形成される。まず、封止層４および壁部６上に、緑色の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより、樹脂層が形成される。その後、ＵＶ光を用いて当該樹脂層が露光され、アルカリ現像液等により現像される。これにより、着色部５０Ｇが形成される。次に、着色部５０Ｇの形成方法と同様の方法で、着色部５０Ｂが形成された後、着色部５０Ｒが形成される。

以上説明した電気光学装置１００によれば、着色層５の壁部６との第２面５１２がレンズ面として機能する。このため、所望の曲率を有するレンズ面を容易に作成することができる。また、封止層４に凹みが形成されることによる封止層４の封止性能の低下を抑制しつつ、着色層５のレンズ機能を確保することができる。よって、品質信頼性に優れるとともに、光取り出し効率の向上を図ることができる。

なお、前述の説明では、着色層５の第２面５１２がレンズ面であると捉えたが、壁部６の着色層５と接触する面がレンズ面であると捉えてもよい。また、着色層５と壁部６との境界面がレンズ面であると捉えてもよい。

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１２は、第２実施形態の着色層５Ａのレンズ機能を説明するための図である。第２実施形態の壁部６Ａの第１屈折率が着色層５Ａの第２屈折率よりも大きいこと以外、第２実施形態は第１実施形態と同じである。壁部６Ａの第２屈折率が着色層５Ａの第２屈折率よりも大きいことで、発光領域Ａから発せられる光を発散させることができる。よって、電気光学装置１００の視野角特性の向上を図ることができる。

図１２に示すように、発光領域Ａから発せられた光Ｌのうち中心軸Ａ１に沿った光は、第１面５１１に入射し、着色層５Ａから中心軸Ａ１に沿って出射する。また、発光領域Ａから発せられた光Ｌのうち中心軸Ａ１に対して傾斜した光は、第２面５１２Ａに入射し、第２面５１２Ａで屈折し、中心軸Ａ１に対して離れるように傾斜しつつ進む。このため、発光領域Ａから発せられた光Ｌは、着色層５Ａのレンズ機能により発散する。よって、視野角特性の向上を図ることができる。

図１３は、第２実施形態の光の強度のシミュレーション結果である。図１３中の実線は、着色層５Ａがレンズ面である第２面５１２Ａを有する場合の結果である。図１３中の破線は、着色層５Ａがレンズ面を有さない場合の結果である。図１３に示すように、着色層５Ａがレンズ面である第２面５１２Ａを有することで、レンズ面を有さない場合に比べ、より広い角度範囲において光強度が増加していることが分かる。よって、図１３から分かるように、着色層５Ａがレンズ面である第２面５１２Ａを有することで、視野角特性の向上を図ることができる。

また、第１実施形態と同様に、各端部６１２が平面視で発光領域Ａ内に配置されることで、第２面５１２Ａによる光の発散機能を高めることができる。また、壁部６Ａがサブ画素Ｐ０に対応する開口Ｓ６を有し、サブ画素Ｐ０を囲むことで、光の発散機能を高めることができる。同様に、壁部６Ａが発光領域Ａを囲むことで、光の発散機能を高めることができる。

以上の本実施形態によれば、着色層５Ａの第２面５１２Ａがレンズ面として機能する。このため、封止層４に凹みが形成されることによる封止層４の封止性能の低下を抑制しつつ、着色層５Ａのレンズ機能を確保することができる。よって、本実施形態によれば、品質信頼性に優れるとともに、視野角特性の向上を図ることができる。特に、本実施形態の電気光学装置１００は、発散効果に優れるため、例えば後述のヘッドマウントディスプレイ等に好適に用いられる。

１Ｃ．変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

各実施形態では、発光素子２０は、色ごとに異なる共振波長を有する光共振構造２９を備えるが、光共振構造２９を備えなくてもよい。また、電気光学装置１００はフルカラーの画像を表示するが、単色の画像を表示してもよい。この場合、例えば、電気光学装置１００は、青色、緑色および赤色の波長域のうちのいずれかを発する発光素子２０を有する。また、発光素子２０は、サブ画素Ｐ０ごとに異なる発光材料を含んでもよい。また、画素電極２３は、光反射性を有してもよい。その場合、反射層２６は省略してもよい。また、複数の発光素子２０で共通電極２５は共通であるが、発光素子２０ごとに個別の陰極が設けられてもよい。

各実施形態では、発光領域Ａの配列は、レクタングル配列であるが、これに限定されず、例えば、ベイヤー配列、デルタ配列、またはストライプ配列であってもよい。

各実施形態では、発光領域Ａの形状は、八角形であるが、これに限定されず、四角形および円形等の他の形状でもよい。ただし、八角形または円形であることで、長方形である場合に比べ、着色層５のレンズ性能を高めることができる。特に、円形であることで、着色層５のレンズ性能を最も高めることができる。

各実施形態では、赤色の波長域を第１波長域とし、青色の波長域を第２波長域とし、緑色の波長域を第３波長域とする場合を例に説明した。しかし、例えば、青色の波長域を第１波長域とし、緑色の波長域を第２波長域とし、赤色の波長域を第３波長域と捉えてもよい。この場合、発光領域ＡＢが第１発光領域に相当し、発光領域ＡＧ１およびＲＧ２のそれぞれが第２発光領域に相当し、発光領域ＡＲが第３発光領域に相当する。

第１実施形態では、発光領域Ａから発せられた光の一部は、壁部６を通って第２面５１２に入射したが、着色層５を通って第２面５１２に入射してもよい。なお、第２実施形態においても同様である。

図１４は、変形例の壁部６Ｂおよび着色層５Ｂを示す概略図である。図１４に示すように、発光領域Ａから発せられた光の一部は、着色層５Ｂを通って第２面５１２Ｂに入射してもよい。この場合、第２面５１２Ｂで屈折し、再び着色層５Ｂ内を通って、着色層５Ｂの外部に出射される。例えば、第２面５１２Ｂの中心軸Ａ１に対する傾斜角度、および曲率によって、図１４に示す光路となる場合がある。

「電気光学装置」は、有機ＥＬ装置に限定されず、無機材料を用いた無機ＥＬ装置、またはμＬＥＤ装置であってもよい。

２．電子機器
前述の実施形態の電気光学装置１００は、各種の電子機器に適用することができる。

２－１．ヘッドマウントディスプレイ
図１５は、電子機器の一例である虚像表示装置７００の一部を模式的に示す平面図である。図１５に示す虚像表示装置７００は、観察者の頭部に装着されて画像の表示を行うヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）である。虚像表示装置７００は、前述した電気光学装置１００と、コリメーター７１と、導光体７２と、第１反射型体積ホログラム７３と、第２反射型体積ホログラム７４と、制御部７９と、を備える。なお、電気光学装置１００から発せられる光は、映像光ＬＬとして発せられる。

制御部７９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。コリメーター７１は、電気光学装置１００と導光体７２との間に配置される。コリメーター７１は、電気光学装置１００から出射された光を平行光にする。コリメーター７１は、コリメーターレンズ等で構成される。コリメーター７１で平行光に変換された光は、導光体７２に入射する。

導光体７２は、平板状をなし、コリメーター７１を介して入射する光の方向と交差する方向に延在して配置される。導光体７２は、その内部で光を反射して導光する。導光体７２のコリメーター７１と対向する面７２１には、光が入射する光入射口と、光を発する光出射口が設けられる。導光体７２の面７２１とは反対の面７２２には、回折光学素子としての第１反射型体積ホログラム７３および回折光学素子としての第２反射型体積ホログラム７４が配置される。第１反射型体積ホログラム７３は、第２反射型体積ホログラム７４よりも光出射口側に設けられる。第１反射型体積ホログラム７３および第２反射型体積ホログラム７４は、所定の波長域に対応する干渉縞を有し、所定の波長域の光を回折反射させる。

かかる構成の虚像表示装置７００では、光入射口から導光体７２内に入射した映像光ＬＬが、反射を繰り返して進み、光出射口から観察者の瞳ＥＹに導かれることで、映像光ＬＬにより形成された虚像で構成される画像を観察者が観察することができる。

虚像表示装置７００は、前述の電気光学装置１００を備える。前述の電気光学装置１００は光取り出し効率または視野角特性に優れており、品質が良好である。このため、電気光学装置１００を備えることで、表示品質の高い虚像表示装置７００を提供することができる。

２－２．パーソナルコンピューター
図１６は、本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューター４００を示す斜視図である。図１６に示すパーソナルコンピューター４００は、電気光学装置１００と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、制御部４０９とを備える。制御部４０９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。パーソナルコンピューター４００は、前述の電気光学装置１００は光取り出し効率または視野角特性に優れており、品質が良好である。このため、電気光学装置１００を備えることで、表示品質の高いパーソナルコンピューター４００を提供することができる。

なお、電気光学装置１００を備える「電子機器」としては、図１５に例示した虚像表示装置７００および図１６に例示したパーソナルコンピューター４００の他、デジタルスコープ、デジタル双眼鏡、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなど眼に近接して配置する機器が挙げられる。また、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、携帯電話機、スマートフォン、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、カーナビゲーション装置、および車載用の表示部として適用される。さらに、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、光を照らす照明として適用される。

以上、本発明について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。また、本発明は、前述した各実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。

１…素子基板、２…発光部、４…封止層、５…着色層、６…壁部、７…透光性基板、１０…基板、１３…走査線、１４…データ線、１５…給電線、１６…給電線、２０Ｂ…発光素子、２０Ｇ…発光素子、２０Ｇ１…発光素子、２０Ｇ２…発光素子、２０Ｒ…発光素子、２１…絶縁層、２２…光路調整層、２３Ｂ…画素電極、２３Ｇ１…画素電極、２３Ｇ２…画素電極、２３Ｒ…画素電極、２４…有機層、２５…共通電極、２６…反射層、２７…絶縁部、２８…コンタクト電極、２９Ｂ…光共振構造、２９Ｇ…光共振構造、２９Ｒ…光共振構造、３０…画素回路、３１…スイッチング用トランジスター、３２…駆動用トランジスター、３３…保持容量、４１…第１層、４２…第２層、４３…第３層、５０Ｂ…着色部、５０Ｇ…着色部、５０Ｒ…着色部、５１…第１面、５２…第２面、６１…上面、７０…接着層、１００…電気光学装置、２２０…素子分離層、２２１…第１絶縁膜、２２２…第２絶縁膜、２４０…発光層、２６１…反射部、６１１…頂部、６１２…端部、Ａ…発光領域、Ａ１…中心軸、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、ＡＢ…発光領域、ＡＧ…発光領域、ＡＧ１…発光領域、ＡＧ２…発光領域、ＡＲ…発光領域、Ｌ…光、Ｌ０…光学距離、Ｐ…画素、ＰＢ…サブ画素、ＰＧ…サブ画素、ＰＲ…サブ画素、ＲＧ１…発光領域、Ｓ６…開口。

Claims (11)

1. 基板と、
   着色層と、
   前記基板と前記着色層との間に配置される第１発光素子および第２発光素子と、
   前記第１発光素子および前記第２発光素子と前記着色層との間に配置され、平面視で前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に位置する壁部と、
   前記第１発光素子および前記第２発光素子と前記着色層との間に配置される封止層と、
   を備え、
   前記壁部の第１屈折率と前記着色層の第２屈折率とは、互いに異なり、
   前記壁部は、平面視で前記第１発光素子に対応する第１開口および前記第２発光素子に対応する第２開口を有するとともに、厚みが最も厚い頂部と厚みが最も薄い端部との間において、前記壁部の内側に湾曲状に凹む領域を有し、
   前記着色層は、前記第１開口および前記第２開口を介して前記封止層と接するとともに、前記壁部の内側に湾曲状に凹むように設けられた領域と接するように設けられている、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１屈折率は、前記第２屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１屈折率は、前記第２屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記壁部は、平面視で、前記第１発光素子内に配置される第１端部と、前記第２発光素子内に配置される第２端部と、を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記壁部の厚みは、前記着色層の厚みの１／２以上であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記壁部の厚みは、前記着色層の厚みよりも小さく、
   前記壁部は、前記着色層に覆われる頂部を有する、
   ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記基板と前記第１発光素子との間に配置される反射層と、
   前記反射層と前記着色層との間に配置される半透過反射層と、
   前記第１発光素子から発せられる光を前記反射層と前記半透過反射層との間で共振させる光共振構造と、
   を備える請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 前記第１発光素子は、平面視で、前記壁部によって囲まれており、
   前記第２発光素子は、平面視で、前記壁部によって囲まれている、
   ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 接着層を介して前記着色層に接合される透光性基板を、さらに備える、
   ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
10. 基板と、
    平面視で隣り合う２つの画素間に配置される壁部と、
    前記壁部の第１屈折率と異なる第２屈折率を有する着色層と、
    前記基板と前記着色層との間に配置される発光層と、
    前記発光層と前記着色層との間に配置される封止層と、
    を備え、
    前記壁部は、平面視で各画素に対応する開口を有するとともに、厚みが最も厚い頂部と厚みが最も薄い端部との間において、前記壁部の内側に湾曲状に凹む領域を有し、
    前記着色層は、前記開口を介して前記封止層に接するとともに、前記壁部の内側に湾曲状に凹むように設けられた領域と接するように設けられている、
    ことを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
    前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、
    を有することを特徴とする電子機器。

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