JP6686497B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミセッセンス（ＥＬ）素子を備えた電気光学装置及び電子機器に関する。

発光素子としての有機ＥＬ素子は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）に比べて小型化、薄型化が可能であることから、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファインダー（ＥＶＦ）等のマイクロディスプレイへの応用が注目されている。このようなマイクロディスプレイにおいてカラー表示を実現する手段として、白色発光が得られる有機ＥＬ素子とカラーフィルターとを組み合わせる構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載の電気光学装置（有機ＥＬ装置）では、基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子を覆って封止部が形成され、封止部上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層で構成されたカラーフィルターがフォトリソグラフィー法を用いて形成される。カラーフィルターを構成する各着色層は、封止層上における高さが着色層よりも低い凸部で区分されている。したがって、隣り合う着色層同士の縁部が互いに接したり一方の縁部が他方の縁部に重なり合ったりしている。

特開２０１４−０８９８０４号公報

ところで、電気光学装置において良好な視角特性を得るためには、カラーフィルターを構成する着色層を各有機ＥＬ素子に対して高精度に形成することが求められる。したがって、カラーフィルターの製造プロセスにおいては、各着色層の管理特性（例えば、寸法や位置等）の制御をより精度良く行うことが望ましい。しかしながら、隣り合う着色層同士の縁部が互いに接したり一方の縁部が他方の縁部に重なり合ったりするように形成される場合、各着色層の寸法や位置等を正確に測定することが困難であるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板上に配置された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆って形成された封止部と、前記封止部上に形成された着色層を含むカラーフィルターと、前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンと、を備えることを特徴とする。

本適用例の電気光学装置は、有機ＥＬ素子を覆う封止部上に形成された着色層を含むカラーフィルターとは別に、カラーフィルターを評価するための評価用パターンを備えている。そのため、本適用例の構成によれば、カラーフィルターの製造プロセスにおいて、評価用パターンを測定することにより、カラーフィルターを構成する着色層の管理特性を制御することが可能となる。これにより、カラーフィルターを構成する着色層を有機ＥＬ素子に対して高精度に形成できるので、視角特性が良好で優れた表示特性を有する電気光学装置を提供することができる。

［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記封止部は、前記有機ＥＬ素子が配置された第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、に亘って形成され、前記カラーフィルターは、前記第１の領域における前記封止部上に配置され、前記評価用パターンは、前記第２の領域における前記封止部上に配置されていることが好ましい。

本適用例の構成によれば、評価用パターンがカラーフィルターと同様に封止部上に配置されているので、評価用パターンが封止部上に配置されていない場合と比べて、カラーフィルターにより近い条件で評価用パターンを形成できる。また、評価用パターンは有機ＥＬ素子が配置された第１の領域を囲む第２の領域に配置されるため、有機ＥＬ素子から発せられた光は評価用パターンにより阻害されることなく射出される。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記評価用パターンは、寸法精度を評価するための寸法評価用パターンを含むことが好ましい。

本適用例の構成によれば、評価用パターンに含まれる寸法評価用パターンにより着色層の寸法精度を測定できる。これにより、カラーフィルターの製造プロセスにおいて、着色層の寸法の制御を精度良く行うことができる。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記基板上における前記封止部の高さは、前記第１の領域と前記第２の領域とにおいて略同一であることが好ましい。

本適用例の構成によれば、寸法評価用パターンが配置される封止部の基板上における高さは、カラーフィルターが配置される封止部の基板上における高さと略同一である。そのため、例えば、フォトリソグラフィー法を用いてカラーフィルターの着色層を形成する際、露光機の焦点に対してカラーフィルターと寸法評価用パターンとを略同一の位置（距離）に配置できるので、カラーフィルターにより近い精度で寸法評価用パターンを形成できる。したがって、寸法評価用パターンを測定することにより、カラーフィルターを構成する着色層の寸法の制御をより精度良く行うことができる。

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記評価用パターンは、前記第２の領域における前記第１の領域寄りに配置されていてもよい。

本適用例の構成によれば、評価用パターンが有機ＥＬ素子が配置された第１の領域に近い位置に配置されているため、カラーフィルターにより近い条件で評価用パターンを形成できるので、評価用パターンとカラーフィルターとの寸法や形状の差異が生じにくくなる。

［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記評価用パターンは、位置精度を評価するための位置評価用パターンを含むことが好ましい。

本適用例の構成によれば、評価用パターンに含まれる位置評価用パターンにより着色層の位置精度を測定できる。これにより、カラーフィルターの製造プロセスにおいて、着色層の位置の制御を精度良く行うことができる。

［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記位置評価用パターンは、前記第２の領域における外周の角部に配置されていることが好ましい。

本適用例の構成によれば、位置評価用パターンが第２の領域における外周の角部に配置されているので、例えば、電気光学装置の面内における全体的な位置ずれ等の状況を把握できる。

［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記評価用パターンは、少なくとも２色の着色層を含み、前記カラーフィルターは、少なくとも２色の着色層を含み、前記少なくとも２色の着色層は、その一部が互いに重なるように形成されており、前記評価用パターンの前記少なくとも２色の着色層は、互いに離間され形成されていることが好ましい。

本適用例の構成によれば、カラーフィルターは一部が互いに重なるように形成された少なくとも２色の着色層で構成されているため、カラーフィルターを構成する着色層の寸法や位置を正確に測定することは困難である。一方、評価用パターンは互いに離間され形成された少なくとも２色の着色層で構成されているため、評価用パターンを構成する着色層の寸法や位置を正確に測定することができる。したがって、カラーフィルターを構成する着色層が互いに重なるように形成される場合であっても、カラーフィルターの製造プロセスにおいて、評価用パターンを測定することによりカラーフィルターの寸法や位置の制御を精度良く行うことができる。

［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記評価用パターンは、前記着色層毎に複数のパターンを有することが好ましい。

本適用例の構成によれば、評価用パターンを構成する着色層は複数のパターンを有しているので、着色層が一つのパターンのみである場合と比べて、露光や現像の際にパターンの変形や消失が抑えられる。

［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記複数のパターンのうちの一つのパターンは他のパターンと異なることが好ましい。

本適用例の構成によれば、複数のパターンのうちの一つのパターンが他のパターンと異なっているので、複数のパターンの中から特定のパターンを識別することや、異なるパターン同士を比較して各着色層の位置ずれを把握すること等が可能となる。

［適用例１１］上記適用例に係る電気光学装置であって、遮光性を有するケーシング部をさらに備え、前記評価用パターンは、前記ケーシング部に覆われていることが好ましい。

本適用例の構成によれば、評価用パターンがケーシング部に覆われているので、評価用パターンを透過する光はケーシング部で遮光され外部から視認されない。したがって、評価用パターンを設けても、電気光学装置の表示品質を低下させることはない。

［適用例１２］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

本適用例の構成によれば、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。

第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 サブ画素における有機ＥＬ素子及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図。 実施例１に係る寸法評価用パターンの配置を示す素子基板の概略平面図。 寸法評価用パターンを拡大した概略平面図。 図５ＡのＢ−Ｂ’線に沿った寸法評価用パターンの配置を示す概略断面図。 実施例２に係る評価用パターンの配置を示す素子基板の概略平面図。 図７のＢ−Ｂ’線に沿った評価用パターンの配置を示す概略断面図。 実施例３に係る評価用パターンの配置を示す素子基板の概略平面図。 図９のＢ−Ｂ’線に沿った評価用パターンの配置を示す概略断面図。 第２の実施形態に係る位置評価用パターンの配置を示す素子基板の概略平面図。 第２の実施形態に係る位置評価用パターンを拡大した概略平面図。 カラーフィルターの製造プロセスにおいて露光を行う際のショット単位の一例を示す図。 第３の実施形態に係る電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図。 比較例に係る寸法評価用パターンの配置を示す概略断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載され、特別な記載がなければ、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含んでいるものとする。

（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る電気光学装置としての有機ＥＬ装置について、図１から図４を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、サブ画素における有機ＥＬ素子及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、後述するヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）の表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイである。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、保護基板４０とを有している。両基板は、充填剤４２（図４参照）を介して対向配置され接着されている。

素子基板１０は、第１の領域としての表示領域Ｅと、表示領域Ｅを囲む第２の領域としての非表示領域Ｆとを有している。表示領域Ｅには、青色（Ｂ）光が発せられるサブ画素１８Ｂと、緑色（Ｇ）光が発せられるサブ画素１８Ｇと、赤色（Ｒ）光が発せられるサブ画素１８Ｒとが、例えばマトリックス状に配列されている。有機ＥＬ装置１００では、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒを含む画素１９が表示単位となって、フルカラーの表示が提供される。

なお、以降の説明では、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒを総称して、サブ画素１８と称する場合がある。表示領域Ｅは、サブ画素１８から発せられる光が透過し、表示に寄与する領域である。非表示領域Ｆは、サブ画素１８から発せられる光が透過せず、表示に寄与しない領域である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、非表示領域Ｆを覆うように設けられた遮光性を有するケーシング部１０１（図６参照）を備えている。

素子基板１０は、保護基板４０よりも大きく、保護基板４０からはみ出した素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１５が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１６が設けられている。

保護基板４０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように配置されている。保護基板４０は、光透過性の基板であり、例えば石英基板やガラス基板等を使用することができる。保護基板４０は、表示領域Ｅにおいて、サブ画素１８に配置された後述する有機ＥＬ素子３０（図２参照）が損傷しないように保護する役割を有し、少なくとも表示領域Ｅに対向するように配置される。本実施形態の有機ＥＬ装置１００には、サブ画素１８から発する光を保護基板４０側から取り出す、トップエミッション方式が採用されている。

以降の説明では、外部接続用端子１０３が配列された上記第１辺に沿った方向をＸ方向とし、該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。素子基板１０から保護基板４０に向かう方向をＺ方向とする。また、Ｚ方向に沿って保護基板４０側から見ることを「平面視」と言う。

本実施形態では、表示領域Ｅにおいて、同色の発光が得られるサブ画素１８が列方向（Ｙ方向）に配列され、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が行方向（Ｘ方向）に配列される、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置が採用されている。サブ画素１８には、有機ＥＬ素子３０とカラーフィルター３６（図３または図４参照）とが配置されている。有機ＥＬ素子３０及びカラーフィルター３６の詳しい構成については後述する。

なお、図１では、表示領域Ｅにおけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置を示しているが、行方向（Ｘ方向）におけるサブ画素１８の配置は、Ｂ、Ｇ、Ｒの順であることに限定されない。例えば、Ｇ、Ｂ、Ｒの順であってもよい。また、サブ画素１８の配置は、ストライプ方式であることに限定されず、デルタ方式や、ベイヤー方式、Ｓストライプ方式であってもよく、加えて、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの形状や大きさは同じであることに限定されない。

［有機ＥＬ装置の電気的な構成］
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する走査線１２及びデータ線１３と、電源線１４とを有している。走査線１２は走査線駆動回路１６に電気的に接続され、データ線１３はデータ線駆動回路１５に電気的に接続されている。また、走査線１２とデータ線１３とで区画された領域にサブ画素１８が設けられている。

サブ画素１８は、有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。以降、サブ画素１８Ｂに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｂと呼び、サブ画素１８Ｇに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｇと呼び、サブ画素１８Ｒに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｒと呼ぶ。

有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とで構成される。画素電極３１は、発光機能層に３２に正孔を注入する陽極として機能する。対向電極３３は、発光機能層３２に電子を注入する陰極として機能する。発光機能層３２では、注入された正孔と電子とにより、励起子（エキシトン；正孔と電子とがクーロン力にて互いに束縛された状態）が形成され、励起子（エキシトン）が消滅する際（正孔と電子とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。本実施形態では、発光機能層３２から白色発光が得られるように、発光機能層３２が構成されている。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３と、を含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型トランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは、走査線１２に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のソースは、データ線１３に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のドレインは、駆動用トランジスター２３のゲートに電気的に接続されている。

駆動用トランジスター２３のドレインは、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のソースは、電源線１４に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間には、蓄積容量２２が電気的に接続されている。

走査線駆動回路１６から供給される制御信号により走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン（ＯＮ）状態になると、データ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ（ＯＮ・ＯＦＦ）状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン（ＯＮ）状態になると、駆動用トランジスター２３を介して、電源線１４から有機ＥＬ素子３０にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、発光機能層３２に流れる電流量に応じた輝度で発光する。

なお、画素回路２０の構成は、２つのトランジスター２１，２３を有することに限定されず、例えば、有機ＥＬ素子３０に流れる電流を制御するためのトランジスターをさらに備えていてもよい。

［画素電極及びカラーフィルターの配置］
次に、図３を参照して、サブ画素１８における有機ＥＬ素子３０の画素電極３１及びカラーフィルター３６の配置について説明する。

図３に示すように、Ｘ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８には、それぞれ有機ＥＬ素子３０の画素電極３１が配置されている。具体的には、Ｘ方向に並ぶ、サブ画素１８Ｂには有機ＥＬ素子３０Ｂの画素電極３１Ｂが配置され、サブ画素１８Ｇには有機ＥＬ素子３０Ｇの画素電極３１Ｇが配置され、サブ画素１８Ｒには有機ＥＬ素子３０Ｒの画素電極３１Ｒが配置されている。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。

画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）のそれぞれは、平面視で略矩形状であり、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。Ｘ方向における画素１９の配置ピッチは、例えば１０μｍ以下である。したがって、各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８ＲのＸ方向における幅は３μｍ〜４μｍ程度以下となる。

各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って絶縁膜２８が形成されている。絶縁膜２８には、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に、平面視で略矩形状の開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲが形成されている。開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲ内において、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれが露出している。なお、開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲの形状は略矩形状であることに限定されず、例えば短辺側が円弧状であるトラック状でもよい。

サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒには、カラーフィルター３６が配置されている。カラーフィルター３６は、青色（Ｂ）の着色層３６Ｂ、緑色（Ｇ）の着色層３６Ｇ、赤色（Ｒ）の着色層３６Ｒで構成されている。具体的には、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｂに対して着色層３６Ｂが配置され、複数のサブ画素１８Ｇに対して着色層３６Ｇが配置され、複数のサブ画素１８Ｒに対して着色層３６Ｒが配置されている。

つまり、着色層３６Ｂは、Ｙ方向に配列する画素電極３１Ｂ（開口部２８ＫＢ）と重なるようにＹ方向に延在してストライプ状に配置されている。着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する画素電極３１Ｇ（開口部２８ＫＧ）と重なるようにＹ方向に延在してストライプ状に配置されている。同じく、着色層３６Ｒは、Ｙ方向に配列する画素電極３１Ｒ（開口部２８ＫＲ）と重なるようにＹ方向に延在してストライプ状に配置されている。

本実施形態では、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの境界では、着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが重なり合って配置されている。Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの境界では、着色層３６Ｇと着色層３６Ｒとが重なり合って配置されている。また、図示しないが、Ｘ方向に隣り合うサブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｂとの境界では、着色層３６Ｒと着色層３６Ｂとが重なり合って配置されている。

［サブ画素の構造］
次に、図４を参照して、有機ＥＬ装置１００におけるサブ画素１８の構造について説明する。図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、充填剤４２を介して対向配置された素子基板１０と保護基板４０とを有している。充填剤４２は、素子基板１０と保護基板４０とを接着する役割を有し、光透過性を有する例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂等で構成されている。

素子基板１０は、本発明における基板としての基材１１と、基材１１上において、Ｚ方向に順に積層された反射層２５と、透光層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止部３４と、カラーフィルター３６とを備えている。

基材１１は、例えばシリコン等の半導体基板である。基材１１には、前述した、走査線１２、データ線１３、電源線１４、データ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６、画素回路２０（スイッチング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３）等が、公知技術を用いて形成されている（図２参照）。図４では、これらの配線や回路構成の図示を省略している。

なお、基材１１は、シリコン等の半導体基板に限定されず、例えば石英やガラス等の基板であってもよい。換言すれば、画素回路２０を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、石英やガラス等の基板に形成された薄膜トランジスターや電界効果トランジスターであってもよい。

反射層２５は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って配置され、各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒから発した光を反射させるものである。反射層２５の形成材料としては、高い反射率を実現可能な例えばアルミニウムや銀等を用いることが好ましい。

反射層２５上には、透光層２６が設けられている。透光層２６は、第１絶縁膜２６ａ、第２絶縁膜２６ｂ、及び第３絶縁膜２６ｃで構成されている。第１絶縁膜２６ａは、反射層２５上においてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って配置されている。第２絶縁膜２６ｂは、第１絶縁膜２６ａに積層され、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに跨って配置されている。第３絶縁膜２６ｃは、第２絶縁膜２６ｂに積層され、サブ画素１８Ｒに配置されている。

すなわち、サブ画素１８Ｂの透光層２６は第１絶縁膜２６ａで構成され、サブ画素１８Ｇの透光層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂとで構成され、サブ画素１８Ｒの透光層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂと第３絶縁膜２６ｃとで構成されている。したがって、透光層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。

透光層２６上には、有機ＥＬ素子３０が設けられている。有機ＥＬ素子３０は、Ｚ方向に順に積層された画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とを含む。画素電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜で構成され、サブ画素１８ごとに島状に形成されている。

各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの周縁部を覆うように絶縁膜２８が配置されている。上述したように、絶縁膜２８には、画素電極３１Ｂ上に開口部２８ＫＢが形成され、画素電極３１Ｇ上に開口部２８ＫＧが形成され、画素電極３１Ｒ上に開口部２８ＫＲが形成されている。絶縁膜２８は、例えば酸化シリコン等からなる。

開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲが設けられた部分では、画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）と発光機能層３２とが接し、画素電極３１から発光機能層３２に正孔が供給され、発光機能層３２が発光する。つまり、開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲが設けられた領域が、発光機能層３２が発光する発光領域となる。絶縁膜２８が設けられた領域では、画素電極３１から発光機能層３２への正孔の供給が抑制され、発光機能層３２の発光が抑制される。つまり、絶縁膜２８が設けられた領域が、発光機能層３２の発光が抑制された領域となる。

発光機能層３２は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って表示領域Ｅ（図１参照）の全域を覆うように配置されている。発光機能層３２は、Ｚ方向に順に積層された、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層等を有している。有機発光層は、青色から赤色までの波長範囲の光を発する。有機発光層は、単層で構成されていてもよいし、例えば、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を含んだり、青色発光層と、赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）の波長範囲を含む発光が得られる黄色発光層とを含んだりする複数層で構成されていてもよい。

対向電極３３は、発光機能層３２を覆うように配置されている。対向電極３３は、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように、例えばマグネシウムと銀との合金等で構成され、その膜厚が制御されている。

対向電極３３を覆う封止部３４は、Ｚ方向に順に積層された第１封止層３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止層３４ｃとで構成されている。第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとは、無機材料を用いて形成されている。無機材料としては、水分や酸素等を通し難い、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム等が挙げられる。

第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを形成する方法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッター法、ＣＶＤ法等が挙げられる。有機ＥＬ素子３０に熱等のダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用することが望ましい。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの膜厚は、成膜時にクラック等が生じ難く、且つ透光性が得られるように、例えば５０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度、好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度となっている。

平坦化層３４ｂは、透光性を有し、例えば、熱または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成することができる。また、塗布型の無機材料（酸化シリコン等）を用いて形成してもよい。平坦化層３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０を覆った第１封止層３４ａに積層して形成されている。

平坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａの成膜時における欠陥（ピンホール、クラック）や異物等を被覆し、略平坦な面を形成する。第１封止層３４ａの表面は、膜厚が異なる透光層２６の影響を受けて凹凸が生ずるので、該凹凸を緩和するため、例えば１μｍ〜５μｍ程度の膜厚で平坦化層３４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止部３４上に形成されるカラーフィルター３６が該凹凸の影響を受け難くなる。

封止部３４上には、隣り合うサブ画素同士の間に光透過性の凸部３５が設けられている。凸部３５は、着色材料を含まない感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィー法で形成されている。凸部３５は、上に形成されるカラーフィルター３６の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒをそれぞれ区分するように、封止部３４上においてＹ方向に延在しストライプ状（スジ状）に配置されている。凸部３５の断面形状は、例えば台形状であるが、矩形状等、他の形状であってもよい。

なお、凸部３５は、ストライプ状に配置されることに限定されず、例えば、各サブ画素１８の画素電極３１における開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲを囲むように、Ｘ方向とＹ方向とに延在して格子状に配置されていてもよい。凸部３５の高さは、後述する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの平均膜厚よりも低い（小さい）ことが好ましい。

カラーフィルター３６は、封止部３４上に形成されている。カラーフィルター３６は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の着色材料を含む感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィー法等で形成された着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒで構成されている。すなわち、凸部３５と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの主材料は同じである。着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成されている。

各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、封止部３４上において、隣り合う凸部３５同士の間を埋めると共に、凸部３５上の少なくとも一部を覆うように形成されている。各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒのうち、隣り合う着色層３６同士は、その一部が互いに重なるように形成されている。

例えば、着色層３６Ｇに隣り合う着色層３６Ｂは、凸部３５の側壁に接すると共に、その一方の縁部が凸部３５の頭頂部を覆った着色層３６Ｇの縁部と重なっている。同様に、着色層３６Ｇに隣り合う着色層３６Ｒは、凸部３５の側壁に接すると共に、その縁部が凸部３５の頭頂部を覆った着色層３６Ｇの縁部と重なっている。

図示を省略するが、凸部３５及び着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの形成方法を簡単に説明する。凸部３５の形成方法としては、封止部３４上に着色材料を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法を用いて塗布してプレベークすることにより、感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂材料はポジタイプでもネガタイプでもよい。フォトリソグラフィー法を用いて、感光性樹脂層を露光・現像することにより、封止部３４上に凸部３５が形成される。

着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒも、凸部３５と同様に、各色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して感光性樹脂層を形成した後、その感光性樹脂層をフォトリソグラフィー法を用いて露光・現像することにより形成する。本実施形態では、着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒの順で形成している。

したがって、着色層３６Ｇの縁部は凸部３５の頭頂部を覆うと共に、一方が着色層３６Ｂの縁部によって覆われ、他方が着色層３６Ｒの縁部によって覆われる。着色層３６Ｂの縁部の一方は凸部３５の頭頂部を覆うと共に着色層３６Ｒの縁部によって覆われ、他方は着色層３６Ｇの縁部を覆う。着色層３６Ｒの縁部の一方は着色層３６Ｇの縁部を覆い、他方は着色層３６Ｂの縁部を覆う。

［光共振構造］
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、反射層２５と対向電極３３との間に光共振構造を有している。有機ＥＬ装置１００において、発光機能層３２が発した光は、反射層２５と対向電極３３との間で繰り返し反射され、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離に対応する特定波長（共振波長）の光の強度が増幅され、表示光として保護基板４０からＺ方向に射出される。

本実施形態において、透光層２６は、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離を調整する役割を有している。上述した通り、透光層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。その結果、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。なお、光学的な距離は、反射層２５と対向電極３３との間に存在する各層の屈折率と膜厚との積の合計で表すことができる。

例えば、サブ画素１８Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｒでは、共振波長が６１０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。

その結果、サブ画素１８Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色光（Ｂ）が発せられ、サブ画素１８Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色光（Ｇ）が発せられ、サブ画素１８Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色光（Ｒ）が発せられる。換言すれば、有機ＥＬ装置１００は、特定波長の光の強度を増幅する光共振構造を有し、サブ画素１８Ｂでは発光機能層３２が発する白色光から青色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｇでは発光機能層３２が発する白色光から緑色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｒでは発光機能層３２が発する白色光から赤色の光成分を取り出している。

なお、透光層２６の代わりに、画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）の膜厚を互いに異ならせることで、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離を調整する構成としてもよい。

このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒにおいて、封止部３４上にカラーフィルター３６が配置されている。サブ画素１８Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂに封止部３４を介して着色層３６Ｂが配置されている。したがって、４７０ｎｍをピーク波長とする青色光（Ｂ）が着色層３６Ｂを透過することによって色純度が高められる。同様に、サブ画素１８Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇに封止部３４を介して着色層３６Ｇが配置され、サブ画素１８Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒに封止部３４を介して着色層３６Ｒが配置されている。したがって、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色光（Ｇ）が着色層３６Ｇを透過することによって色純度が高められ、６１０ｎｍをピーク波長とする赤色光（Ｒ）が着色層３６Ｒを透過することによって色純度が高められる。

上記のように、有機ＥＬ素子３０が共振構造を有する場合、有機ＥＬ素子３０から発せられた光は、対向電極３３から封止部３４側に出射される光であり、発光機能層３２の内部で発せられる光のスペクトルとは異なるスペクトルの光である。

その一方で、凸部３５が配置されたサブ画素１８同士の境界部では、青色光（Ｂ）が着色層３６Ｒや着色層３６Ｇを透過することで輝度が低下し、緑色光（Ｇ）が着色層３６Ｂや着色層３６Ｒを透過することで輝度が低下し、赤色光（Ｒ）が着色層３６Ｇや着色層３６Ｂを透過することで輝度が低下する。

また、サブ画素１８Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂから発せられた光は青色の着色層３６Ｂを透過し、緑色の着色層３６Ｇ及び赤色の着色層３６Ｒにて遮光される。同様にサブ画素１８Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇから発せられた光は緑色の着色層３６Ｇを透過し、青色の着色層３６Ｂ及び赤色の着色層３６Ｒにて遮光される。サブ画素１８Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒから発せられた光は赤色の着色層３６Ｒを透過し、青色の着色層３６Ｂ及び緑色の着色層３６Ｇにて遮光される。したがって、各有機ＥＬ素子３０の位置とカラーフィルター３６の各着色層の位置とにより、有機ＥＬ装置１００から取り出される光の方向が規定される。

以上より、有機ＥＬ装置１００において、各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒから発せられる光の色純度を高め、良好な視角特性を得るためには、カラーフィルター３６を構成する各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法や位置等の精度を高めることが求められる。また、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒのそれぞれを区分する凸部３５についても同様である。

［寸法評価用パターン］
そこで、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、カラーフィルター３６を評価するための評価用パターンを備えている。第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、評価用パターンとして、カラーフィルター３６の寸法精度を評価するための寸法評価用パターンを備えている。

（実施例１）
まず、図５Ａ、図５Ｂ、及び図６を参照して、本実施形態に係る評価用パターンの実施例１を説明する。図５Ａは、実施例１に係る寸法評価用パターンの配置を示す素子基板の概略平面図である。図５Ｂは、寸法評価用パターンを拡大した概略平面図である。図６は、図５ＡのＢ−Ｂ’線に沿った寸法評価用パターンの配置を示す概略断面図である。図１４は、比較例の寸法評価用パターンの配置を示す素子基板の概略平面図である。

図５Ａは、カラーフィルター３６（図４参照）までが形成された素子基板１０を平面視した図である。図５Ａに示すように、素子基板１０の非表示領域Ｆに、カラーフィルター遮光部（以下では、ＣＦ遮光部と呼ぶ）３６Ｓが配置されている。ＣＦ遮光部３６Ｓは、平面視で、表示領域Ｅの外縁を囲むように枠状に設けられている。

図６に示すように、ＣＦ遮光部３６Ｓは、積層された着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒで構成される。ＣＦ遮光部３６Ｓは、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを積層することで透過する青色光（Ｂ）、緑色光（Ｇ）、赤色光（Ｒ）のそれぞれの輝度が低下するので、遮光部として機能する。ＣＦ遮光部３６Ｓは、有機ＥＬ装置１００が完成した状態では、ケーシング部１０１に覆われる。

有機ＥＬ素子３０を備える有機ＥＬ装置１００では、有機ＥＬ素子３０から発せられた光が素子基板１０や保護基板４０の内面（基板と空気との界面）で反射され横方向（基板面に沿った方向）に伝播して迷光となる場合があり、このような迷光が外へ漏れて視認されると、有機ＥＬ装置１００の表示品質が低下してしまう。ＣＦ遮光部３６Ｓやケーシング部１０１は、このような迷光が外へ漏れないようにする役割を有する。

図５Ａに示すように、実施例１に係る寸法評価用パターン５０は、非表示領域Ｆにおける表示領域Ｅ寄りに配置されている。より具体的には、寸法評価用パターン５０は、表示領域Ｅの外縁を囲むように設けられたＣＦ遮光部３６Ｓにおける、外部接続用端子１０３（図１参照）が設けられた第１辺側の１辺部に配置されている。寸法評価用パターン５０は、ＣＦ遮光部３６Ｓの−Ｙ方向側の１辺部において、その長手方向であるＸ方向における略中央部、かつ、幅方向であるＹ方向における略中央部に配置されている。

寸法評価用パターン５０は、所謂ＴＥＧ（Test Element Group）の役割を持つ。本実施形態では、寸法評価用パターン５０は、カラーフィルター３６の各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法精度を評価するためのものである。ここでいう寸法精度とは、例えば、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法（幅）、形状、膜厚等の管理特性を含む。

図５Ｂに示すように、寸法評価用パターン５０は、パターン群５０Ｒと、パターン群５０Ｇと、パターン群５０Ｂと、パターン群５１とで構成される。パターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂは、カラーフィルター３６の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと同様の感光性樹脂材料で形成された複数のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５を有する。パターン群５１は、凸部３５と同様の感光性樹脂材料で形成された複数のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５を有する。

パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５は、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと同様に、Ｙ方向に延在してストライプ状に形成されているが、隣り合うパターン同士は互いに離間されて形成されておりその間に凸部３５は形成されていない。この点が、一部（縁部）が互いに重なるように形成されるカラーフィルター３６の各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと異なる。

上述したように、カラーフィルター３６の各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、凸部３５を覆うとともに隣り合う着色層同士の縁部が互いに重なるように形成される。そのため、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒや凸部３５の寸法（幅）、形状、膜厚等を正確に測定することは困難である。

そこで、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて、カラーフィルター３６とは別に、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒや凸部３５と同様の感光性樹脂材料を用いて、寸法評価用パターン５０を形成する。したがって、寸法評価用パターン５０を構成するパターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５１（それぞれのパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５）は、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒや凸部３５と同様の材料及び製造プロセスで形成されている。

そのため、寸法評価用パターン５０を測定すれば、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒや凸部３５の寸法、形状、膜厚等の状態を知ることができる。各パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の幅（Ｘ方向における大きさ）は、カラーフィルター３６の各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの幅の２倍以内であり、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと同じ幅であることが好ましい。

パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５のうち、Ｘ方向における中央に配置されたパターンＰ３が、本来測定対象とするパターンである。各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒに対応するパターンが一つだけ孤立して設けられていると、露光や現像の過程で周囲の影響を受けてパターンの形状が崩れたり（変形したり）、あるいは、消失したりすることがある。そのため、測定対象とするパターンＰ３をパターンＰ１，Ｐ２及びパターンＰ４，Ｐ５の間に配置することで周囲の影響を受けにくくし、露光や現像でパターンＰ３が変形したり消失したりすることを抑止している。

パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５のうち、Ｘ方向における中央に配置されたパターンＰ３は、その両側に配置されたパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５と異なる。より具体的には、パターンＰ３の長さ（Ｙ方向における大きさ）は、その両側に配置されたパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５の長さよりも長い。これにより、パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の中から、測定対象とするパターンＰ３を容易に識別できる。

寸法評価用パターン５０（パターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５１）は、光を透過させてしまう。そのため、寸法評価用パターン５０は、表示領域Ｅを透過する光を阻害しないように、非表示領域Ｆに設けられたＣＦ遮光部３６Ｓにおける１辺部に配置される。

図６に示すように、封止部３４は、表示領域Ｅと、その外側に位置する非表示領域Ｆとに亘って形成されている。しかしながら、非表示領域Ｆの外周部では、下層側の層、例えば、透光層２６（図４参照）や発光機能層３２等が素子基板１０の端部１０ａまで形成されていないため、封止部３４（第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、第２封止層３４ｃ）のうち下層の凹凸を緩和するための平坦化層３４ｂは、素子基板１０の端部１０ａまでは形成されていない。

ＣＦ遮光部３６Ｓは、表示領域Ｅの周囲に形成されており、第１封止層３４ａと平坦化層３４ｂと第２封止層３４ｃとの３層を含む封止部３４上に配置されている。したがって、ＣＦ遮光部３６Ｓの−Ｙ方向側の１辺部における略中央部に設けられた寸法評価用パターン５０は、第１封止層３４ａと平坦化層３４ｂと第２封止層３４ｃとの３層を含む封止部３４上に配置されている。

ところで、一般に、ＬＳＩ等の半導体素子に評価用素子（ＴＥＧ）を設ける場合は、マザー基板（ウエハー）からチップ単位に個片化するスクライブラインの付近に評価用素子を配置する場合が多い。例えば、図１４に示す比較例の素子基板９０のように、本実施形態の寸法評価用パターン５０を、素子基板１０の端部１０ａ寄りに配置する場合を考える。図１４は、比較例に係る寸法評価用パターンの配置を示す概略断面図である。

図１４に示す比較例では、寸法評価用パターン５０は、非表示領域ＦにおけるＣＦ遮光部３６Ｓよりも素子基板１０の端部１０ａ側（−Ｙ方向側）、すなわち、表示領域Ｅから離れた位置に配置されている。そのため、この位置に形成される寸法評価用パターン５０は、表示領域Ｅに近い位置に形成される場合と比べて、表示領域Ｅに形成されるカラーフィルター３６に対して寸法や形状の差異が生じ易くなる。

また、図１４に示す比較例では、寸法評価用パターン５０は、ＣＦ遮光部３６Ｓよりも−Ｙ方向側の、平坦化層３４ｂが設けられていない領域に配置されている。したがって、寸法評価用パターン５０が配置された封止部３４の基材１１上における高さは、カラーフィルター３６が配置された封止部３４の基材１１上における高さよりも低い。

そうすると、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて、露光機の焦点に対する位置（距離）がカラーフィルター３６と寸法評価用パターン５０とで異なるため、寸法評価用パターン５０が良好に形成されなかったり、形成されるカラーフィルター３６と寸法評価用パターン５０との間に寸法や形状の差異が生じたりすることとなる。これらの結果、寸法評価用パターン５０を測定しても、カラーフィルター３６の寸法や形状等を正確に把握することが困難となってしまう。

図６に示すように、本実施形態では、寸法評価用パターン５０は、ＣＦ遮光部３６Ｓの一辺部に設けることで、表示領域Ｅに近い位置に配置されている。したがって、図１４に示す比較例と比べて、カラーフィルター３６により近い精度で寸法評価用パターン５０を形成できる。そのため、寸法評価用パターン５０とカラーフィルター３６との寸法や形状の差異が生じにくくなる。

そして、寸法評価用パターン５０は、カラーフィルター３６と同様に第１封止層３４ａと平坦化層３４ｂと第２封止層３４ｃとが積層された封止部３４上に配置されている。したがって、寸法評価用パターン５０が配置された封止部３４の基材１１上における高さは、カラーフィルター３６が配置された封止部３４の基材１１上における高さと略同一である。そのため、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて、露光機の焦点に対してカラーフィルター３６と寸法評価用パターン５０とを略同一の位置（距離）に配置できる。

これらにより、本実施形態では、カラーフィルター３６と同様の精度で寸法評価用パターン５０を形成することができる。したがって、寸法評価用パターン５０を測定することにより、カラーフィルター３６を構成する各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法、形状、膜厚等を把握し、これらの特性の制御をより精度良く行うことができる。この結果、カラーフィルター３６を構成する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０に対して高精度に形成できるので、視角特性が良好で優れた表示特性を有する有機ＥＬ装置１００を提供することができる。

なお、ＣＦ遮光部３６Ｓの一辺部に寸法評価用パターン５０を配置することで、この部分を光が透過することとなるが、寸法評価用パターン５０及びＣＦ遮光部３６Ｓを覆うようにケーシング部１０１が配置されるので、有機ＥＬ装置１００の外へ漏れて視認されることはない。

（実施例２）
続いて、図７及び図８を参照して、本実施形態に係る評価用パターンの実施例２を説明する。図７は、実施例２に係る評価用パターンの配置を示す素子基板の概略平面図である。図８は、図７のＢ−Ｂ’線に沿った評価用パターンの配置を示す概略断面図である。ここでは、実施例１に対する相違点のみ説明する。

図７に示すように、実施例２では、寸法評価用パターン５０は、ＣＦ遮光部３６Ｓの−Ｙ方向側の１辺部の長手方向（Ｘ方向）における略中央部、かつ、幅方向（Ｙ方向）における表示領域Ｅ寄りに配置されている。図８に示すように、実施例２においても、寸法評価用パターン５０が、第１封止層３４ａと平坦化層３４ｂと第２封止層３４ｃとの３層を含む封止部３４上に配置されている。したがって、実施例２に係る寸法評価用パターン５０の配置においても、実施例１と同様の効果が得られる。

（実施例３）
続いて、図９及び図１０を参照して、本実施形態に係る評価用パターンの実施例３を説明する。図９は、実施例３に係る評価用パターンの配置を示す素子基板の概略平面図である。図１０は、図９のＢ−Ｂ’線に沿った評価用パターンの配置を示す概略断面図である。ここでは、実施例１及び実施例２に対する相違点のみ説明する。

図９に示すように、実施例３では、寸法評価用パターン５０は、ＣＦ遮光部３６Ｓの−Ｙ方向側の１辺部の長手方向（Ｘ方向）における略中央部、かつ、幅方向（Ｙ方向）における素子基板１０の端部１０ａ寄りに配置されている。図１０に示すように、実施例３においても、寸法評価用パターン５０が、第１封止層３４ａと平坦化層３４ｂと第２封止層３４ｃとの３層を含む封止部３４上に配置されている。したがって、実施例３に係る寸法評価用パターン５０の配置においても、実施例１と同様の効果が得られる。

以上説明したように、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の構成によれば、以下の効果が得られる。

（１）有機ＥＬ装置１００は、複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止部３４上に形成された着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを含むカラーフィルター３６とは別に、カラーフィルター３６の寸法精度を評価するための寸法評価用パターン５０を備えている。そのため、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて、寸法評価用パターン５０を測定することにより、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法の制御を精度良く行うことができる。これにより、カラーフィルター３６を構成する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを各有機ＥＬ素子３０に対して高精度に形成できるので、視角特性が良好で優れた表示特性を有する有機ＥＬ装置１００を提供することができる。

（２）寸法評価用パターン５０がカラーフィルター３６と同様に封止部３４上に配置されているので、寸法評価用パターン５０が封止部３４上に配置されていない場合と比べて、カラーフィルター３６により近い条件で寸法評価用パターン５０を形成できる。また、寸法評価用パターン５０は有機ＥＬ素子３０が配置された表示領域Ｅを囲む非表示領域Ｆに配置されるため、有機ＥＬ素子３０から発せられた光は寸法評価用パターン５０により阻害されることなく射出される。

（３）寸法評価用パターン５０が配置される封止部３４の基材１１上における高さは、カラーフィルター３６が配置される封止部３４の基材１１上における高さと略同一である。そのため、例えば、フォトリソグラフィー法を用いてカラーフィルター３６の各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成する際、露光機の焦点に対してカラーフィルター３６と寸法評価用パターン５０とを略同一の位置（距離）に配置できるので、カラーフィルター３６により近い精度で寸法評価用パターン５０を形成できる。したがって、寸法評価用パターン５０を測定することにより、カラーフィルター３６を構成する各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法の制御をより精度良く行うことができる。

（４）寸法評価用パターン５０が複数の有機ＥＬ素子３０が配置された表示領域Ｅに近い位置に配置されているため、カラーフィルター３６により近い条件で寸法評価用パターン５０を形成できるので、寸法評価用パターン５０とカラーフィルター３６との寸法や形状の差異が生じにくくなる。

（５）カラーフィルター３６は一部が互いに重なるように形成された着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒで構成されているため、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法や位置を正確に測定することは困難である。一方、寸法評価用パターン５０は互いに離間され形成されたパターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５１で構成されているため、寸法評価用パターン５０を構成するパターン群５０Ｒ、５０Ｇ，５０Ｂ，５１（パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５）の寸法や位置を正確に測定することができる。したがって、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒが互いに重なるように形成される場合であっても、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて、寸法評価用パターン５０を測定することによりカラーフィルター３６の寸法や位置の制御を精度良く行うことができる。

（６）寸法評価用パターン５０を構成するパターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５１は複数のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５を有しているので、露光や現像の際にパターンＰ３の変形や消失が抑えられる。また、複数のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５のうちの一つのパターンＰ３が他のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５と異なっているので、複数のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５の中からパターンＰ３を識別することが可能となる。

（７）寸法評価用パターン５０がケーシング部１０１に覆われているので、寸法評価用パターン５０を透過する光はケーシング部１０１で遮光され外部から視認されない。したがって、寸法評価用パターン５０を設けても、有機ＥＬ装置１００の表示品質を低下させることはない。

（第２の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図１１Ａおよび図１１Ｂを参照して説明する。図１１Ａは、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。図１１Ａは、第２の実施形態に係る位置評価用パターンの配置を示す素子基板の概略平面図でもある。図１１Ｂは、第２の実施形態に係る位置評価用パターンを拡大した概略平面図である。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００Ａは、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、カラーフィルター３６の位置精度を評価するための位置評価用パターン６０をさらに備えている点が異なるが、位置評価用パターン６０以外の構成、すなわち、図１から図４を用いて説明した有機ＥＬ装置の構成はほぼ同じである。ここでは、第１の実施形態に対する相違点のみ説明し、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。

図１１Ａに示すように、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００Ａは、素子基板１０Ａを備えている。素子基板１０Ａには、評価用パターンとして、カラーフィルター３６の寸法精度を評価するための寸法評価用パターン５０に加えて、カラーフィルター３６の位置精度を評価するための位置評価用パターン６０が設けられている。

［位置評価用パターン］
位置評価用パターン６０は、寸法評価用パターン５０と同様に、ＴＥＧ（Test Element Group）の役割を持つ。本実施形態では、位置評価用パターン６０は、カラーフィルター３６の各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの位置精度を評価するためのものである。ここでいう位置精度とは、例えば、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの位置ずれ（特定方向へのシフト等）、回転、倍率のずれ、歪み等の管理特性を含む。

図１１Ａに示すように、位置評価用パターン６０は、素子基板１０Ａの非表示領域Ｆにおける外周の角部に配置されている。なお、図１１Ａでは、位置評価用パターン６０が素子基板１０Ａの４隅の角部に配置された状態を示しているが、位置評価用パターン６０は、４隅の角部のうち少なくとも１箇所に設けられていればよい。

図１１Ｂに示すように、位置評価用パターン６０は、パターン群６０Ｒと、パターン群６０Ｇと、パターン群６０Ｂと、パターン群６１とで構成される。パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ，６１は、略矩形に形成されたパターンＰ１と、パターンＰ１を囲むように略矩形の枠状に形成されたパターンＰ２とを有する。パターンＰ１とパターンＰ２とは離間されている。

パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０ＢのパターンＰ１は、カラーフィルター３６の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと同様の感光性樹脂材料で形成されている。パターン群６１のパターンＰ１は、凸部３５と同様の感光性樹脂材料で形成されている。パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ，６１のパターンＰ１は、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて形成されている。

パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ，６１のパターンＰ２は、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、金属材料、窒化シリコン等で形成されている。パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ，６１のパターンＰ２は、カラーフィルター３６を製造する前のプロセスにおいて形成されている。

位置評価用パターン６０では、パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ，６１のそれぞれにおいて、パターンＰ２を基準としてパターンＰ１の位置にずれがあるか否かを測定できる。すなわち、パターンＰ１のＸ方向における両外端及びＹ方向における両外端と、パターンＰ２の内端との間隔（距離）を比較することで、パターンＰ２に対してパターンＰ１の位置ずれがあるか否かがわかり、位置ずれがある場合は位置ずれの大きさ及びその方向がわかる。これにより、カラーフィルター３６の各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと凸部３５とに位置ずれがあるか否かを検出でき、位置ずれがある場合は位置ずれの大きさ及びその方向等を把握できる。

カラーフィルターの製造プロセスにおいて露光を行う際は、１回のショットの対象が複数枚の素子基板１０Ａである場合が多い。図１２は、カラーフィルターの製造プロセスにおいて露光を行う際のショット単位の一例を示す図である。図１２は、素子基板１０Ａを複数枚取りできるマザー基板（ウエハー）１０Ｂの一部を示している。図１２に示す例では、カラーフィルターの製造プロセスにおいて露光を行う際、１回のショットＥＸＳで４枚の素子基板１０Ａの露光を行う。そのため、露光の際の位置ずれを検出するためには、位置評価用パターン６０を、４枚の素子基板１０Ａを対象とするショットＥＸＳ単位の４隅に配置することが好ましい。

位置評価用パターン６０を４枚の素子基板１０Ａを対象とするショットＥＸＳ単位の４隅に配置することで、露光の際のショットＥＸＳの面内全体における位置ずれ（特定方向へのシフト等）、回転、倍率のずれ、歪み等を検出することができる。そして、４箇所の位置評価用パターン６０のそれぞれにおける位置ずれの方向や位置ずれの大きさを測定することで、位置ずれが生じる要因を分析して対処することが可能となる。また、マザー基板１０Ｂの面内において位置評価用パターン６０のそれぞれにおける位置ずれの方向や位置ずれの大きさを測定することで、ウエハーの面内全体の位置ずれの状況を把握することが可能となる。

第２の実施形態では、寸法評価用パターン５０に加えて位置評価用パターン６０を備えているので、寸法評価用パターン５０を測定することにより各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法精度を評価し、位置評価用パターン６０を測定することにより各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの位置精度を評価して、これらの特性の制御をより精度良く行うことができる。この結果、カラーフィルター３６を構成する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０に対してより高精度に形成することができる。

図１２に示す例のようにショットＥＸＳ単位の４隅に位置評価用パターン６０を形成すると、最終的に形成された個々の素子基板１０Ａにおいては、図１１Ａに示す４隅のうちのいずれか１箇所の角部に位置評価用パターン６０が配置されることとなる。

なお、位置評価用パターン６０を素子基板１０Ａの外周の角部に配置すると、位置評価用パターン６０の基材１１上における高さは、カラーフィルター３６の基材１１上における高さよりも低くなる。しかしながら、位置評価用パターン６０はカラーフィルター３６の位置精度を評価することを目的とするため、外周の角部に配置されることが好ましい。

以上説明したように、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００Ａの構成によれば、第１の実施形態の効果に加えて、以下の効果が得られる。

（８）寸法評価用パターン５０により各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法精度を測定でき、位置評価用パターン６０により各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの位置精度を測定できる。これにより、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの寸法及び位置の制御を精度良く行うことができる。

（９）パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ，６１のパターンＰ１とパターンＰ２とが異なっているので、パターンＰ１とパターンＰ２とを比較して各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒ位置ずれを把握することが可能となる。

（第３の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第３の実施形態に係る電子機器について図１３を参照して説明する。図１３は、第３の実施形態に係る電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図である。

図１３に示すように、第３の実施形態に係るヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を備えている。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像等を見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００、又は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００Ａが搭載されている。したがって、高輝度で色純度が高く優れた表示品質を有するとともに、小型で軽量のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができ、特にシースルータイプのヘッドマウントディスプレイ１０００に好適である。

ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有する構成に限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。

なお、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００、又は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００Ａが搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器としては、例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイ等の表示部を有する電子機器が挙げられる。

上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形及び応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。

（変形例１）
第１の実施形態の実施例１、実施例２、及び実施例３では、寸法評価用パターン５０がＣＦ遮光部３６Ｓにおける−Ｙ方向側の１辺部に配置されていたが、本発明はこのような形態に限定されない。寸法評価用パターン５０は、他の１辺部に配置されていてもよいし、複数の辺部に配置されていてもよい。また、寸法評価用パターン５０は、ＣＦ遮光部３６Ｓの１辺部の長手方向における略中央部以外の位置に配置されていてもよい。さらに、寸法評価用パターン５０は、第１封止層３４ａと平坦化層３４ｂと第２封止層３４ｃとの３層を含む封止部３４上であれば、ＣＦ遮光部３６Ｓの外側（素子基板１０の端部１０ａ側）に配置されていてもよい。

（変形例２）
第２の実施形態では、位置評価用パターン６０のパターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０ＢのパターンＰ２は、パターンＰ１と異なる材料を用いて異なるプロセスにおいて形成することとしたが、本発明はこのような形態に限定されない。パターンＰ２を凸部３５と同様の感光性樹脂材料で形成し、パターンＰ１を着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと同様の感光性樹脂材料で形成することとしてもよい。このような構成にすれば、カラーフィルター３６よりも先に形成される凸部３５（パターンＰ２）の位置を基準として、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒ（パターンＰ１）の位置精度を評価することができる。

（変形例３）
第１の実施形態及び第２の実施形態では、有機ＥＬ装置１００，１００Ａにおいて、表示領域Ｅに設けられる発光画素は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光に対応したサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに限定されない。例えば、上記３色以外の黄（Ｙ）の発光が得られるサブ画素１８Ｙを備えてもよい。これにより、色再現性をさらに高めることが可能となる。また、上記３色のうち２色のサブ画素１８を備えていてもよい。

１１…基材（基板）、３０…有機ＥＬ素子、３４…封止部、３６…カラーフィルター、３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒ…着色層、５０…寸法評価用パターン（評価用パターン）、６０…位置評価用パターン（評価用パターン）、１００，１００Ａ…有機ＥＬ装置、１０１…ケーシング部、１０００…ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）、Ｅ…表示領域（第１の領域）、Ｆ…非表示領域（第２の領域）、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５…パターン。

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に配置された有機ＥＬ素子と、
   前記有機ＥＬ素子を覆って形成された封止部と、
   カラーフィルターと、
   前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンと、
   を備え、
   前記封止部は、樹脂材料または無機材料を用いて形成された平坦化層と、前記平坦化層の上に無機材料を用いて形成された封止層を有し、
   前記カラーフィルターは、着色層が前記封止層の上に接して形成され、
   前記評価用パターンは、着色層が前記封止層の上に接して形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記封止部は、前記有機ＥＬ素子が配置された第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、に亘って形成され、
   前記カラーフィルターは、前記第１の領域に配置され、
   前記評価用パターンは、前記第２の領域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記評価用パターンは、寸法精度を評価するための寸法評価用パターンを含むことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記封止部には、前記カラーフィルターを構成する前記着色層を区分する凸部が形成され、
   前記寸法評価用パターンは、隣り合うパターン同士が互いに離間されて形成される複数のストライプ状パターンであり、前記ストライプ状パターン同士の間に前記凸部が形成されていないことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記寸法評価用パターンは、前記第２の領域における前記第１の領域寄りに配置されていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記評価用パターンは、少なくとも２色の着色層を含み、
   前記カラーフィルターは、少なくとも２色の着色層を含み、
   前記少なくとも２色の着色層は、その一部が互いに重なるように形成されており、
   前記評価用パターンの前記少なくとも２色の着色層は、互いに離間され形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記評価用パターンは、前記着色層毎に複数のパターンを有することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記複数のパターンのうちの一つのパターンは他のパターンと異なることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 遮光性を有するケーシング部をさらに備え、
   前記評価用パターンは、前記ケーシング部に覆われていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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