JP6337581B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、当該製造方法で製造した有機エレクトロルミネッセンス装置、及び当該有機エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器に関する。

例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板にカラーフィルター層が形成された有機エレクトロルミネッセンス装置が提案されている（特許文献１）。

特許文献１の有機エレクトロルミネッセンス装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された素子基板と、当該素子基板に対向配置された封止基板とが、樹脂層（シール層、充填層など）で接着された構成を有している。有機エレクトロルミネッセンス素子は、封止層（保護膜、ガスバリア層など）で被覆され、当該封止層の上にカラーフィルター層が形成されている。カラーフィルター層は、青色の着色層、緑色の着色層、赤色の着色層を有し、有機エレクトロルミネッセンス素子で発した光の色純度を高めている。封止層は、有機エレクトロルミネッセンス素子への酸素や水分の侵入を防止する。つまり、封止層によって有機エレクトロルミネッセンス素子への水分などの侵入が抑制されるので、封止層の上にカラーフィルター層を形成することができる。

特許文献１の有機エレクトロルミネッセンス装置では、カラーフィルター層を素子基板に形成するので、カラーフィルター層を封止基板に形成する場合と比べて、カラーフィルター層を有機エレクトロルミネッセンス素子に近接して配置することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子で発せられた光の取り出し効率を向上させることができる。

特開２００８−６６２１６号公報

特許文献１の有機エレクトロルミネッセンス装置では、カラーフィルター層を、有機エレクトロルミネッセンス素子が劣化しないように低温で形成する必要がある。このため、カラーフィルター層を低温で形成すると、カラーフィルター層を高温で形成する場合と比べて、カラーフィルター層と接着層との接着強度が弱くなり、カラーフィルター層と接着層とが剥がれやすいという課題があった。
また、カラーフィルター層を形成する工程では、少なくとも青色の着色層、緑色の着色層、及び赤色の着色層を形成する必要があり、カラーフィルター層を形成する工程が長くなり、生産性が悪いという課題があった。
さらに、有機エレクトロルミネッセンス素子と着色層とを組み合わせると、取り出される光の色純度を向上させることができるものの、着色層がない場合に比べて輝度が低下するという課題もあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、第１基板と、前記第１基板に設けられた、第１有機エレクトロルミネッセンス素子及び第２有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子及び前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子に積層された封止層と、前記封止層に積層されたカラーフィルターと、を有し、前記カラーフィルターは、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なり、且つ前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重ならないように設けられていることを特徴とする。

カラーフィルターは、第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なり、且つ第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重ならないように設けられている。すなわち、第１有機エレクトロルミネッセンス素子にはカラーフィルターが形成され、第２有機エレクトロルミネッセンス素子にはカラーフィルターが形成されていない。従って、第２有機エレクトロルミネッセンス素子にカラーフィルターを形成する場合と比べて、カラーフィルターを形成する工程が簡素化され、カラーフィルターを形成する工程の生産性を高めることができる。

［適用例２］上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、接着層と、第２基板とをさらに備え、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域では、前記第２基板は前記接着層を介して前記カラーフィルターに接着され、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域では、前記第２基板は前記接着層を介して前記封止層に接着されることが好ましい。

接着層は、カラーフィルターに接着されている部分と、封止層に接着されている部分とによって、第１基板に接着されている。例えば、カラーフィルターと接着層との接着強度が弱くなったとしても、接着層は封止層に接着されている部分を有しているので、接着層がカラーフィルター層だけに接着されている場合と比べて、接着層と第１基板との接着強度を強くすることができる。

［適用例３］上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域と、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域との間に、前記封止層上に形成された透明層をさらに備えることが好ましい。

第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域と、第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域との間に、封止層上に形成された透明層を設けると、第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域には封止層と透明層とで囲まれた第１の凹部が形成され、第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域には封止層と透明層とで囲まれた第２の凹部が形成される。

第１の凹部はカラーフィルターを形成するための容器となり、第１の凹部にカラーフィルターを充填することによって、第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域にカラーフィルターを安定して形成することができる。また、カラーフィルターの側面の少なくとも一部を透明層により保護できる。さらに、第２の凹部は接着層を充填する容器となり、第２の凹部に充填された接着層のアンカー効果によって、接着層と封止層との接着強度を強くするようにしてもよい。

［適用例４］上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子は、絶縁膜で覆われ前記絶縁膜に設けられた第１の開口で露出された第１の画素電極を有し、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記絶縁膜で覆われ前記絶縁膜に設けられた第２の開口で露出された第２の画素電極を有し、前記カラーフィルターは、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域と、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域との間に、第１の端部を有し、前記絶縁膜は、前記第１の端部に隣り合い前記第２の開口の一部をなす第２の端部を有し、前記カラーフィルターの膜厚は、前記第１の端部と前記第２の端部との間の寸法以上であることが好ましい。

カラーフィルターの膜厚は、第１基板から第２基板に向かう方向におけるカラーフィルターの寸法に相当する。第１の端部と第２の端部との間の寸法は、第１基板から第２基板に向かう方向と直交する方向における、カラーフィルターと第２の端部との離間距離に対応する。

カラーフィルターの膜厚を、第１の端部と第２の端部との間の寸法以上に設定すると、カラーフィルターの頂部及び第２の端部を結ぶ線と、第１基板から第２基板に向かう方向と直交する方向とがなす角度は、４５度よりも大きくなる。つまり、カラーフィルターの頂部及び第２の端部を結ぶ線と、第１基板から第２基板に向かう方向とがなす角度は、４５度よりも小さくなる。

よって、第１基板から第２基板に向かう方向に対してなす角度が４５度よりも小さい光は、カラーフィルターの頂部の上（カラーフィルターの外側）を通過して第２の端部に入射するようになる。第１基板から第２基板に向かう方向に対してなす角度が４５度以上の光は、カラーフィルターの頂部の下（カラーフィルターの内側）を通過して第２の端部に入射するようになる。

よって、第１基板から第２基板に向かう方向に対してなす角度が４５度以上の光は、カラーフィルターの中（内部）を通過し、カラーフィルターの光吸収によって輝度が弱められて、第２の端部に入射するようになる。従って、第１基板から第２基板に向かう方向に対してなす角度が４５度以上の光が、第２の端部に入射し、第２の端部で反射されることによる影響を小さくすることができる。

［適用例５］上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子よりも発光面積が小さいことが好ましい。

第２有機エレクトロルミネッセンス素子を第１有機エレクトロルミネッセンス素子よりも発光面積を小さくする。すなわち、第１有機エレクトロルミネッセンス素子を第２有機エレクトロルミネッセンス素子よりも発光面積を大きくすると、例えば第１有機エレクトロルミネッセンス素子が第２有機エレクトロルミネッセンス素子と同じ発光面積である場合と比べて、第１有機エレクトロルミネッセンス素子への電流負荷（例えば、電流密度）を小さくすることができる。

［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えていることを特徴とする。

上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置は、第２有機エレクトロルミネッセンス素子にカラーフィルターを形成する場合と比べて、第１基板と接着層との接着強度が強くなり、第１基板が接着層から剥がれにくくなり、有機エレクトロルミネッセンス装置の信頼性を高めることができる。従って、上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器の信頼性を高めることができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を適用することができる。

［適用例７］本適用例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、第１基板に、第１有機エレクトロルミネッセンス素子及び第２有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子及び前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子に封止層を積層する工程と、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なり、且つ前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重ならないように、前記封止層上にカラーフィルターを積層する工程と、を有することを特徴とする。

第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なり、且つ第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重ならないようにカラーフィルターを形成する。すなわち、第１有機エレクトロルミネッセンス素子の側にカラーフィルターを形成し、第２有機エレクトロルミネッセンス素子の側にカラーフィルターを形成しない。従って、第２有機エレクトロルミネッセンス素子の側にカラーフィルターを形成する場合と比べて、カラーフィルターを形成する工程が簡素化され、カラーフィルターを形成する工程の生産性を高めることができる。

［適用例８］上記適用例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域では、接着層を介して第２基板を前記カラーフィルターに接着し、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域では、前記接着層を介して前記第２基板を前記封止層に接着する工程をさらに備えていることが好ましい。

第２基板は、接着層を介して、第１基板のカラーフィルターが形成されている部分、及び第１基板の封止層が形成されている部分に接着されている。例えば、第１基板のカラーフィルターが形成されている部分と接着層との接着強度が弱くなったとしても、接着層は、第１基板の封止層が形成されている部分に接着されているので、第１基板のカラーフィルターが形成されている部分だけに接着されている場合と比べて、第２基板と第１基板との接着強度を強くすることができる。

［適用例９］上記適用例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記カラーフィルター及び前記封止層は、１１０℃以下の温度で形成されることが好ましい。

カラーフィルター及び封止層を、１１０℃以下の低温で形成することによって、有機発光層の劣化（熱劣化）を抑制することができる。

実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の概要を示す概略平面図。 実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の電気的な構成を示す等価回路図。 サブ画素の構成要素の状態を示す概略平面図。 図３のＢ−Ｂ線に沿った有機エレクトロルミネッセンス装置の概略断面図。 カラーフィルター層の状態を示す概略平面図。 図１のＡ−Ａ線に沿った有機エレクトロルミネッセンス装置の概略断面図。 （ａ）は図３の破線で囲まれた領域Ｃの概略断面図、（ｂ）は図３の破線で囲まれた領域Ｄの概略断面図。 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を示す工程フロー。 図８に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す概略断面図。 図８に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す概略断面図。 実施形態２に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の構造を示す概略断面図。 実施形態２に係るカラーフィルター層の状態を示す概略平面図。 実施形態３に係るカラーフィルター層の状態を示す概略平面図。 実施形態４に係るカラーフィルター層の状態を示す概略平面図。 実施形態５に係る有機エレクトロルミネッセンス装置のサブ画素の配置状態を示す概略平面図。 カラーフィルター層に配置された隔壁の状態を示す概略平面図。 カラーフィルター層に配置された着色層の状態を示す概略平面図。 実施形態６に係るヘッドマウントディスプレイの概略図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「有機エレクトロルミネッセンス装置の概要」
実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス（以降、ＥＬと称す）装置１００は、後述するヘッドマウントディスプレイの表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイである。
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図である。図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について、説明する。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、保護基板４０とを有している。両基板は、後述する接着層４２（図４参照）によって接着されている。
なお、素子基板１０は本発明における「第１基板」の一例である。保護基板４０は、本発明における「第２基板」の一例である。

素子基板１０は、青色光を発するサブ画素１８Ｂと、緑色の光を発するサブ画素１８Ｇと、赤色の光を発するサブ画素１８Ｒとが配列された表示領域Ｅを有している。有機ＥＬ装置１００では、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとからなる画素１９が表示単位となって、フルカラーの表示が提供される。
以降の説明では、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒを、サブ画素１８と称する場合がある。

素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１５が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１６が設けられている。

保護基板４０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように配置されている。保護基板４０は、透光性の絶縁基板であり、例えば石英基板やガラス基板などを使用することができる。本実施形態において、保護基板４０の光透過率は好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上である。保護基板４０は、表示領域Ｅに配置された後述する有機ＥＬ素子３０（図２参照）が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅよりも広く設けられている。

以降、当該第１辺に沿った方向をＸ方向とする。当該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。素子基板１０から保護基板４０に向かう方向をＺ方向とする。また、Ｚ方向に沿って保護基板４０側から見ることを平面視と呼ぶ。

表示領域Ｅには、カラーフィルター層３６が設けられている。カラーフィルター層３６は、青色の光を透過する着色層３６Ｂ（以降、青色の着色層３６Ｂと称す）と、赤色の光を透過する着色層３６Ｒ（以降、赤色の着色層３６Ｒと称す）と、後述する隔壁３７（図４参照）とを有している。着色層３６Ｂは、サブ画素１８Ｂに配置され、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなしている。赤色の着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｒに配置され、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなしている。
なお、青色の着色層３６Ｂは、本発明における「カラーフィルター」の一例である。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する走査線１２及びデータ線１３と、電源線１４とを有している。走査線１２は走査線駆動回路１６に電気的に接続され、データ線１３はデータ線駆動回路１５に電気的に接続されている。また、走査線１２とデータ線１３とで区画された領域にサブ画素１８を有している。

サブ画素１８は、有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とで構成される。画素電極３１は、発光機能層に３２に正孔を供給する陽極として機能する。対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給する陰極として機能する。画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが発光機能層３２の中で結合し、発光機能層３２が白色に発光する。

有機ＥＬ素子３０は、サブ画素１８Ｂに配置された第１有機ＥＬ素子３０Ｂと、サブ画素１８Ｇに配置された第２有機ＥＬ素子３０Ｇと、サブ画素１８Ｒに配置された第３有機ＥＬ素子３０Ｒとで構成される。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型トランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは、走査線１２に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のソースは、データ線１３に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のドレインは、駆動用トランジスター２３のゲートに電気的に接続されている。

駆動用トランジスター２３のドレインは、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のソースは、電源線１４に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間には、容量２２が電気的に接続されている。

走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になったタイミングで、データ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して容量２２に保持される。容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、駆動用トランジスター２３を介して、電源線１４から有機ＥＬ素子３０にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、発光機能層３２に流れる電流量に応じて発光する。

「サブ画素の概要」
図３は、サブ画素の構成要素の状態を示す概略平面図である。図３には、サブ画素１８の構成要素のうち反射層２５と、画素電極３１と、絶縁膜２８（図４参照）の開口２８ＣＴとが図示され、他の構成要素の図示は省略されている。
また、後述のように、画素電極３１はサブ画素１８毎に設けられ、発光機能層３２及び対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘って連続して設けられている。そして、発光機能層３２及び対向電極３３はサブ画素１８毎に区分はないが、便宜上、サブ画素１８毎に有機ＥＬ素子３０が設けられていると説明している。さらに、反射層（第１反射層）２５は、複数のサブ画素１８に亘って連続して形成してもよいし、サブ画素１８毎に形成してもよい。
次に、図３を参照してサブ画素１８の概要（構成要素の状態）を説明する。

詳細は後述するが、反射層２５、画素電極３１、及び絶縁膜２８は、この順でＺ方向に配置されている（図４参照）。
図３に示すように、反射層２５は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒに跨って配置されている。つまり、反射層２５は表示領域Ｅの全体に配置されている。反射層２５は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒのそれぞれに開口２５ＣＴを有している。
なお、反射層２５は、電源線１４の一部をなす。

サブ画素１８のそれぞれに島状の画素電極３１が配置されている。詳しくは、サブ画素１８Ｂには画素電極３１Ｂが配置され、サブ画素１８Ｇには画素電極３１Ｇが配置され、サブ画素１８Ｒには画素電極３１Ｒが配置されている。画素電極３１は、平面視で反射層２５の開口２５ＣＴと重なるように配置されている。図示を省略するが、反射層２５の開口２５ＣＴの内側には、画素電極３１と駆動用トランジスター２３とを電気的に接続するためのコンタクト部が設けられている。
なお、画素電極３１Ｂは本発明における「第１の画素電極」の一例であり、画素電極３１Ｇは本発明における「第２の画素電極」の一例である。

画素電極３１の周縁部を覆うように、絶縁膜２８が設けられている。絶縁膜２８には、画素電極３１を露出させる開口２８ＣＴが形成されている。詳しくは、サブ画素１８Ｂには画素電極３１Ｂを露出する開口２８ＢＣＴが形成され、サブ画素１８Ｇには画素電極３１Ｇを露出する開口２８ＧＣＴが形成され、サブ画素１８Ｒには画素電極３１Ｒを露出する開口２８ＲＣＴが形成されている。
なお、開口２８ＢＣＴは本発明における「第１の開口」の一例であり、開口２８ＧＣＴは本発明における「第２の開口」の一例である。また、開口２８ＣＴは、開口２８ＢＣＴ、開口２８ＧＣＴ、及び開口２８ＲＣＴの総称である。

さらに、開口２８ＧＣＴは、サブ画素１８Ｂに近い側に配置されたＹ方向に沿った端部Ｇ１と、サブ画素１８Ｒに近い側に配置されたＹ方向に沿った端部Ｇ２とを有している。
なお、端部Ｇ１は、本発明における「第２の端部」の一例である。

詳細は後述するが、開口２８ＣＴで露出された画素電極３１の上に発光機能層３２と対向電極３３とが順に積層され、有機ＥＬ素子３０が形成されている（図４参照）。詳しくは、サブ画素１８Ｂには、開口２８ＢＣＴで露出された画素電極３１Ｂの上に発光機能層３２と対向電極３３とが順に積層され、第１有機ＥＬ素子３０Ｂが形成されている。サブ画素１８Ｇには、開口２８ＧＣＴで露出された画素電極３１Ｇの上に発光機能層３２と対向電極３３とが順に積層され、第２有機ＥＬ素子３０Ｇが形成されている。サブ画素１８Ｒには、開口２８ＲＣＴで露出された画素電極３１Ｒの上に発光機能層３２と対向電極３３とが順に積層され、第３有機ＥＬ素子３０Ｒが形成されている。

開口２８ＣＴで露出された画素電極３１から発光機能層３２に正孔が供給されて、発光機能層３２（有機ＥＬ素子３０）が発光する。すなわち、開口２８ＣＴが設けられた領域は、有機ＥＬ素子３０が形成される領域であり、発光機能層３２が発光する発光領域Ｖ１となる。

絶縁膜２８で覆われた領域では、画素電極３１から発光機能層３２への正孔の供給が抑制され、発光機能層３２の発光が抑制される。すなわち、絶縁膜２８が設けられた領域が、発光機能層３２の発光が抑制された発光抑制領域Ｖ２となる。

「有機ＥＬ装置の断面構造」
図４は、図３のＢ−Ｂ線に沿った有機ＥＬ装置の概略断面図である。図５は、図３に対応する図であり、カラーフィルター層の状態を示す概略平面図である。
図５には、カラーフィルター層３６の形成位置を明確にするために、反射層２５の開口２５ＣＴ及び絶縁膜２８の開口２８ＣＴも図示されている。
次に、図４及び図５を参照して、有機ＥＬ装置１００の断面構造を説明する。

図４に示すように、有機ＥＬ装置１００では、素子基板１０と、接着層４２と、保護基板４０とが、Ｚ方向に順に積層されている。

素子基板１０は、基板１１と、基板１１にＺ方向に順に積層された反射層２５と、光学的距離調整層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止層３４と、カラーフィルター層３６とを有している。

基板１１は、例えばシリコンからなる基板に、走査線１２、データ線１３、電源線１４、データ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６、スイッチング用トランジスター２１、容量２２、駆動用トランジスター２３（図２参照）などが、公知技術によって形成されたトランジスター基板である。
なお、基板１１の母材は、シリコンに限定されず、例えば石英やガラスなどの透光性を有する絶縁基板であってもよい。

反射層２５は、発光機能層３２で発した光を反射する一対の反射層の中の一方の反射層である。反射層２５は、反射率の高い材料によって形成され、複数のサブ画素１８に跨って配置されている。反射層２５の形成材料としては、例えばアルミニウムや銀などを使用することができる。本実施形態において、反射層２５の光反射率は好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。

光学的距離調整層２６は、第１絶縁膜２６ａ、第２絶縁膜２６ｂ、及び第３絶縁膜２６ｃで構成される。第１絶縁膜２６ａは、反射層２５の上に設けられ、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに配置されている。第２絶縁膜２６ｂは、第１絶縁膜２６ａの上に設けられ、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに配置されている。第３絶縁膜２６ｃは、第２絶縁膜２６ｂの上に設けられ、サブ画素１８Ｒに配置されている。

すなわち、サブ画素１８Ｂの光学的距離調整層２６は第１絶縁膜２６ａで構成され、サブ画素１８Ｇの光学的距離調整層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂとで構成され、サブ画素１８Ｒの光学的距離調整層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂと第３絶縁膜２６ｃとで構成されている。その結果、光学的距離調整層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。

上述したように、有機ＥＬ素子３０は、Ｚ方向に順に積層された画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とで構成される。
画素電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性材料で構成され、サブ画素１８毎に島状に形成されている。本実施形態において、画素電極３１の光透過率は好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。

発光機能層３２は、表示領域Ｅの全域を覆うように配置されている。発光機能層３２は、Ｚ方向に順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、青色で発光する青色発光層と、赤色及び緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい。

対向電極３３は、表示領域Ｅの全域を覆うように配置されている。対向電極３３は、例えばマグネシウムと銀との合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。対向電極３３は、発光機能層３２で発した光を反射する一対の反射層の中の他方の反射層である。本実施形態において、対向電極３３の光透過率は好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上であり、対向電極３３の光反射率は好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上である。

絶縁膜２８は、例えば酸化シリコンで構成され、画素電極３１の周縁部を覆うように配置されている。上述したように、絶縁膜２８は、画素電極３１を露出する開口２８ＣＴを有し、開口２８ＣＴが設けられた領域は発光機能層３２が発光する発光領域Ｖ１（有機ＥＬ素子３０が形成された領域）となり、絶縁膜２８が設けられた領域は発光機能層３２の発光が抑制された発光抑制領域Ｖ２となる。

封止層３４は、Ｚ方向に順に積層された第１封止層３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止層３４ｃとで構成されている。なお、封止層３４のガスバリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能な程度であれば特に限定されないが、酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸気透過度が７×１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、中でも５×１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、特に５×１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止層３４の光の透過率は、対向電極３３からの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。封止層３４は、有機ＥＬ素子３０を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。なお、封止層３４には、外部接続用端子１０３（図１参照）を露出させる開口（図示省略）が設けられている。

第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。

平坦化層３４ｂは、例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。平坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａの欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。

図４及び図５に示すように、第２封止層３４ｃの上にカラーフィルター層３６が設けられている。カラーフィルター層３６は、青色の着色層３６Ｂと、赤色の着色層３６Ｒと、隔壁３７とで構成される。

隔壁３７は、透光性材料（例えば、アクリル樹脂）で構成され、透光性を有している。隔壁３７は、例えば、カラーフィルター層３６から着色材料を除いた材料であり、カラーフィルター層３６の主材料は同じものを用いている。また、隔壁３７の光の透過率は、対向電極３３からの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。隔壁３７は、発光抑制領域Ｖ２の第２封止層３４ｃの上に配置され、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなしている。詳しくは、隔壁３７は、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ（開口２８ＢＣＴ）と平面視重なる領域と第２有機ＥＬ素子３０Ｇ（開口２８ＧＣＴ）と平面視重なる領域との間、第２有機ＥＬ素子３０Ｇ（開口２８ＧＣＴ）と平面視重なる領域と第３有機ＥＬ素子３０Ｒ（開口２８ＲＣＴ）と平面視重なる領域との間、及び第１有機ＥＬ素子３０Ｂ（開口２８ＢＣＴ）と平面視重なる領域と第３有機ＥＬ素子３０Ｒ（開口２８ＲＣＴ）と平面視重なる領域との間の第２封止層３４ｃの上に配置されている。図４のように、隔壁３７は、青色の着色層３６Ｂの側面の少なくとも一部や赤色の着色層３６Ｒの側面の少なくとも一部と接するように設けられている。そして、隔壁３７は、青色の着色層３６Ｂや赤色の着色層３６Ｒの少なくとも一部を保護するように構成してもよい。
なお、隔壁３７は、本発明における「透明層」の一例である。

青色の着色層３６Ｂは、サブ画素１８Ｂに配置され、平面視で隔壁３７の一部を覆うように形成されている。青色の着色層３６Ｂは、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ（開口２８ＢＣＴ）と平面視重なり、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなしている。また、青色の着色層３６Ｂは、サブ画素１８Ｇの側にＹ方向に沿った端部Ｂ１を有している。
なお、端部Ｂ１は、本発明における「第１の端部」の一例である。

赤色の着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｒに配置され、平面視で隔壁３７の一部を覆うように形成されている。赤色の着色層３６Ｒは、第３有機ＥＬ素子３０Ｒ（開口２８ＲＣＴ））と平面視重なり、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなしている。また、赤色の着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｇの側にＹ方向に沿った端部Ｒ１を有している。

サブ画素１８Ｇには、発光抑制領域Ｖ２に隔壁３７が設けられ、発光領域Ｖ１（第２有機ＥＬ素子３０Ｇ）に着色層が設けられていない。換言すれば、青色の着色層３６Ｂ及び赤色の着色層３６Ｒは、第２有機ＥＬ素子３０Ｇと平面視重ならないように設けられている。
さらに、サブ画素１８Ｇには、隔壁３７と第２封止層３４ｃとで囲まれた凹部Ｃ２が形成されている。

図４に示すように、素子基板１０と保護基板４０との間に、接着層４２が配置されている。接着層４２は、素子基板１０と保護基板４０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などで構成される。
サブ画素１８Ｂにおいて、第１有機ＥＬ素子３０Ｂと平面視重なる領域では、保護基板４０は接着層４２を介して着色層３６Ｂに接着されている。サブ画素１８Ｒにおいて、第３有機ＥＬ素子３０Ｒと平面視重なる領域では、保護基板４０は接着層４２を介して着色層３６Ｒに接着されている。

サブ画素１８Ｇにおいて、第２有機ＥＬ素子３０Ｇと平面視重なる領域では、保護基板４０は接着層４２を介して第２封止層３４ｃに接着されている。詳しくは、サブ画素１８Ｇでは、隔壁３７と第２封止層３４ｃとで囲まれた凹部Ｃ２の中に接着層４２が充填され、保護基板４０と第２封止層３４ｃとが接着されている。

詳細は後述するが、カラーフィルター層３６は、有機ＥＬ素子３０の熱劣化を抑制するために、１１０℃以下の低温で形成された樹脂（例えば、アクリル樹脂）である。カラーフィルター層３６が１１０℃以下の低い温度で形成される場合、カラーフィルター層３６が１１０℃よりも高い温度で形成される場合と比べて、カラーフィルター層３６と接着層４２との接着強度が弱くなる。さらに、第２封止層３４ｃ（封止層３４）も、有機ＥＬ素子３０の熱劣化を抑制するために、１１０℃以下の低温で形成されている。第２封止層３４ｃは、無機材料（例えば、シリコン酸窒化物）で構成され、樹脂で構成されるカラーフィルター層３６と比べて、接着層４２との接着強度が強い。
サブ画素１８Ｇでは、接着層４２が無機材料で構成された部分（第２封止層３４ｃ）に接着されているので、接着層４２が全て樹脂で構成された部分（カラーフィルター層３６）に接着されている場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くすることができる。

さらに、サブ画素１８Ｇでは、接着層４２が隔壁３７と第２封止層３４ｃとで囲まれた凹部Ｃ２の中に充填されているので、凹部Ｃ２の中に充填された接着層４２のアンカー効果によって、凹部Ｃ２の中に接着層４２を充填しない場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くすることができる。

さらに、サブ画素１８Ｇに形成された凹部Ｃ２によって、素子基板１０と接着層４２との接触面積（接着面積）が大きくなるので、凹部Ｃ２が形成されていない場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くすることができる。
このように、サブ画素１８Ｇに着色層を形成しないことによって、サブ画素１８Ｇに着色層を形成する場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くし、素子基板１０と接着層４２とを剥がれにくくすることができる。

「光共振構造」
発光領域Ｖ１では、光反射性を有する反射層２５と、光学的距離調整層２６と、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とが、Ｚ方向に順に積層されている。発光機能層３２で発した光は、反射層２５と対向電極３３との間で繰り返し反射され、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離に対応する特定波長（共振波長）の光の強度が増幅され、表示光として保護基板４０からＺ方向に射出される。

光学的距離調整層２６は、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離を調整する役割を有している。サブ画素１８Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が例えば４７０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｇでは、共振波長が例えば５４０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｒでは、共振波長が例えば６１０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。

その結果、サブ画素１８Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色の光が発せられ、サブ画素１８Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色の光が発せられ、サブ画素１８Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色の光が発せられる。換言すれば、有機ＥＬ装置１００は、特定波長の光の強度を増幅する光共振構造を有し、サブ画素１８Ｂでは発光機能層３２が発する白色の光から青色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｇでは発光機能層３２が発する白色の光から緑色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｒでは発光機能層３２が発する白色の光から赤色の光成分を取り出している。

サブ画素１８Ｇでは、光共振構造によって着色層を設けなくても色純度に優れた緑色の光を発することができる。さらに、サブ画素１８Ｇでは、着色層が設けられていないので、着色層を設ける場合と比べてサブ画素１８Ｇで発せられる輝度を高めることができる。

サブ画素１８Ｂでは、光共振構造及び青色の着色層３６Ｂを組み合わせることによってサブ画素１８Ｂで発せられる青色の光の色純度を高めている。サブ画素１８Ｒでは、光共振構造及び赤色の着色層３６Ｒを組み合わせることによってサブ画素１８Ｒで発せられる赤色の光の色純度を高めている。

「好ましい着色層の膜厚」
図６は、図１のＡ−Ａ線に沿った有機ＥＬ装置の概略断面図であり、有機ＥＬ素子で発せられた光の状態が模式的に示されている。図７（ａ）は、図３の破線で囲まれた領域Ｃの概略断面図である。図７（ｂ）は、図３の破線で囲まれた領域Ｄの概略断面図である。
なお、図６では、素子基板１０の構成要素のうち反射層２５と有機ＥＬ素子３０と封止層３４とが図示され、素子基板１０の他の構成要素の図示が省略されている。図７では、素子基板１０が図示され、接着層４２及び保護基板４０の図示が省略されている。

図６に示すように、有機ＥＬ素子３０で発せられた光Ｌ１の大部分は、光Ｌ２（屈折光）として保護基板４０から大気７１の側に射出され、有機ＥＬ素子３０で発せられた光Ｌ１の一部は保護基板４０と大気７１との界面で反射され、光Ｌ３（反射光）として素子基板１０の側に向かう。

光Ｌ１とＺ方向とがなす角度をθ１、光Ｌ２とＺ方向とがなす角度をθ２、保護基板４０の屈折率をｎ１、大気７１の屈折率をｎ２とすると、スネルの法則によって以下に示す式（１）が成り立つ。

ｎ１sinθ１＝ｎ２sinθ２…（１）

式（１）より、光Ｌ１とＺ方向とがなす角度θ１は、以下に示す式（２）で表される。

θ１＝sin^-1（（ｎ２sinθ２）／ｎ１）…（２）

光Ｌ２とＺ方向とがなす角度θ２が９０度よりも大きくなる条件は、光Ｌ１が大気７１の側に射出されない条件、つまり光Ｌ１が保護基板４０と大気７１との界面で全反射される条件に該当する。すなわち、式（２）において角度θ２が９０度である場合の角度θ１は、保護基板４０と大気７１との界面で光Ｌ１の全反射が生じる臨界角αとなる。

保護基板４０の屈折率ｎ１（概略１．４〜１．５）、大気７１の屈折率ｎ２（概略１）、及び全反射が生じる場合の角度θ２（９０度）を式（２）に代入すると、保護基板４０と大気７１との界面で光Ｌ１の全反射が生じる臨界角αを求めることができる。本実施形態における臨界角αは、概略４５度である。

光Ｌ１とＺ方向とがなす角度θ１が臨界角α（概略４５度）である場合、光Ｌ１は保護基板４０と大気７１との界面で全反射され、光Ｌ３（反射光）として素子基板１０の側に向かう。

すなわち、角度θ１が臨界角αよりも小さい場合、有機ＥＬ素子３０で発せられた光Ｌ１の一部が、保護基板４０と大気７１との界面で反射され、素子基板１０の側に向かう。角度θ１が臨界角αである場合、有機ＥＬ素子３０で発せられた光Ｌ１は、保護基板４０と大気７１との界面で全反射され、素子基板１０の側に向かう。角度θ１が臨界角αよりも大きい場合、有機ＥＬ素子３０で発せられた光Ｌ１は、保護基板４０と大気７１との界面で全反射され、素子基板１０の側に向かう。

このため、角度θ１が臨界角αよりも小さい場合と比べて、角度θ１が臨界角αと同じまたは臨界角αより大きい場合に、素子基板１０の側に向かう光Ｌ３（反射光）の輝度が極めて大きくなる。
なお、光Ｌ１とＺ方向とがなす角度θ１と、光Ｌ３とＺ方向とがなす角度は同じである。例えば、角度θ１が臨界角α（４５度）である場合Ｚ方向となす角度が臨界角α（４５度）の光Ｌ３が素子基板１０の側に向かい、角度θ１が７０度である場合Ｚ方向となす角度が７０度の光Ｌ３が素子基板１０の側に向かう。

保護基板４０と大気７１との界面で反射された光Ｌ３が、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部に入射すると、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部で反射され、Ｚ方向の側に向かい、表示に悪影響を及ぼす恐れがある。
詳しくは、角度θ１が臨界角αと同じまたは臨界角αより大きい場合の光Ｌ３は、角度θ１が臨界角αより小さい場合の光Ｌ３よりも輝度が格段に大きいので、角度θ１が臨界角αと同じまたは臨界角αより大きい場合の光Ｌ３が、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部に入射すると、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部で反射され、表示に悪影響を及ぼす恐れがある。

サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒでは、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部が着色層３６Ｂ，３６Ｒで覆われている。保護基板４０と大気７１との界面で反射された光Ｌ３は、着色層３６Ｂ，３６Ｒの中を通過し、光の輝度が弱められて絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部に入射するので、表示に悪影響を及ぼす恐れは少ない。

サブ画素１８Ｇでは、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部が着色層で覆われていないので、サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒと比べて、保護基板４０と大気７１との界面で反射された光Ｌ３の輝度が高くなるので、当該光Ｌ３が絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部に入射すると表示に悪影響を及ぼす恐れがある。つまり、サブ画素１８Ｇにおいて、角度θ１が臨界角αと同じまたは臨界角αより大きい場合の光Ｌ３は、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部に入射すると表示に悪影響を及ぼす恐れがある。

本実施形態では、サブ画素１８Ｇにおける光Ｌ３の表示への悪影響を小さくするように、青色の着色層３６Ｂ及び赤色の着色層３６Ｒの膜厚が設定されている。以下に、図７を参照してその詳細を説明する。
図７では、Ｚ方向となす角度θ１が臨界角α（概略４５度）である場合に、保護基板４０と大気７１との界面で反射された光に符号Ｌ３Ａを附している。Ｚ方向となす角度θ１が臨界角α（概略４５度）よりも大きい場合に、保護基板４０と大気７１との界面で反射された光に符号Ｌ３Ｂを附している。
つまり、図７において、光Ｌ３ＡとＺ方向とがなす角度は概略４５度であり、光Ｌ３ＢとＺ方向とがなす角度は概略４５よりも大きい。

図７（ａ）に示すように、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの境界には隔壁３７が配置され、さらにサブ画素１８Ｂの側に青色の着色層３６Ｂが隔壁３７の一部を覆うように配置されている。光Ｌ３Ａ及び光Ｌ３Ｂが、青色の着色層３６Ｂの中を通過して、開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１に入射するようにすると、光Ｌ３Ａ及び光Ｌ３Ｂの輝度が弱められ、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部Ｇ１で反射された光が、表示に悪影響を及ぼす恐れが少なくなる。

光Ｌ３ＡとＺ方向とがなす角度は臨界角α（概略４５度）であるので、青色の着色層３６Ｂの膜厚（Ｚ方向寸法）ＢＤ１を、青色の着色層３６Ｂの端部Ｂ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１との間隔（Ｘ方向寸法）ＢＤ２よりも大きくすると、光Ｌ３Ａは、青色の着色層３６Ｂの中を通過して、開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１に入射するようになる。さらに、青色の着色層３６Ｂの膜厚（Ｚ方向寸法）ＢＤ１が、青色の着色層３６Ｂの端部Ｂ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１との間隔（Ｘ方向寸法）ＢＤ２よりも大きい条件では、Ｚ方向となす角度が臨界角α（概略４５度）よりも大きい光Ｌ３Ｂも、青色の着色層３６Ｂの中を通過して、開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１に入射するようになる。

よって、光Ｌ３Ａ及び光Ｌ３Ｂは、青色の着色層３６Ｂで吸収され、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部Ｇ１に入射する光Ｌ３Ａ及び光Ｌ３Ｂの輝度が弱められているので、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部Ｇ１で反射された光が、表示に悪影響を及ぼす恐れが少なくなる。
従って、本実施形態では、青色の着色層３６Ｂの膜厚ＢＤ１は、青色の着色層３６Ｂの端部Ｂ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１との間隔ＢＤ２よりも大きくなっている。すなわち、青色の着色層３６Ｂの膜厚ＢＤ１は、青色の着色層３６Ｂの端部Ｂ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１との間隔ＢＤ２よりも大きいほうが好ましい。

同様に、図７（ｂ）に示すように、赤色の着色層３６Ｒの膜厚（Ｚ方向寸法）ＲＤ１を、赤色の着色層３６Ｒの端部Ｒ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ２との間隔（Ｘ方向寸法）ＢＤ２よりも大きくすると、光Ｌ３Ａは、赤色の着色層３６Ｒの中を通過して、開口２８ＧＣＴの端部Ｇ２に入射するようになる。さらに、赤色の着色層３６Ｒの膜厚（Ｚ方向寸法）ＢＤ１が、赤色の着色層３６Ｒの端部Ｒ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ２との間隔（Ｘ方向寸法）ＲＤ２よりも大きい条件では、Ｚ方向となす角度が臨界角α（概略４５度）よりも大きい光Ｌ３Ｂも、赤色の着色層３６Ｒの中を通過して、開口２８ＧＣＴの端部Ｇ２に入射するようになる。

よって、光Ｌ３Ａ及び光Ｌ３Ｂは、赤色の着色層３６Ｒで吸収され、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部Ｇ２に入射する光Ｌ３Ａ及び光Ｌ３Ｂの輝度が弱められているので、絶縁膜２８の開口２８ＣＴの端部Ｇ２で反射された光が、表示に悪影響を及ぼす恐れが少なくなる。
従って、本実施形態では、赤色の着色層３６Ｒの膜厚ＲＤ１は、赤色の着色層３６Ｒの端部Ｒ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ２との間隔ＲＤ２よりも大きくなっている。すなわち、赤色の着色層３６Ｒの膜厚ＲＤ１は、赤色の着色層３６Ｒの端部Ｒ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ２との間隔ＲＤ２よりも大きいほうが好ましい。

「有機ＥＬ装置の製造方法」
図８は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図９及び図１０は、図８に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
以下に、図８乃至図１０を参照して、有機ＥＬ装置１００の製造方法の概要を説明する。

図８に示すように、有機ＥＬ装置１００の製造方法は、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ１）と、絶縁膜２８を形成する工程（ステップＳ２）と、発光機能層３２を形成する工程（ステップＳ３）と、対向電極３３を形成する工程（ステップＳ４）と、封止層３４を形成する工程（ステップＳ５）と、隔壁３７を形成する工程（ステップＳ６）と、青色の着色層３６Ｂを形成する工程（ステップＳ７）と、赤色の着色層３６Ｒを形成する工程（ステップＳ８）とを含んでいる。

図９（ａ）に示すように、ステップＳ１では、例えば公知技術のスパッタ法でＩＴＯを堆積し、公知技術のドライエッチングを用いてパターニングすることによって、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒのそれぞれに島状の画素電極３１を形成する。
詳しくは、サブ画素１８Ｂでは、第１絶縁膜２６ａで構成された光学的距離調整層２６の上に画素電極３１Ｂを形成する。サブ画素１８Ｇでは、第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂとで構成された光学的距離調整層２６の上に画素電極３１Ｇを形成する。サブ画素１８Ｒでは、第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂと第３絶縁膜２６ｃとで構成された光学的距離調整層２６の上に画素電極３１Ｒを形成する。

図９（ｂ）に示すように、ステップＳ２では、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で酸化シリコンを堆積し、公知技術のドライエッチングを用いてパターニングすることによって、画素電極３１の周縁部を覆う絶縁膜２８を形成する。絶縁膜２８には、サブ画素１８Ｂの画素電極３１Ｂを露出する開口２８ＢＣＴ、サブ画素１８Ｇの画素電極３１Ｇを露出する開口２８ＧＣＴ、及びサブ画素１８Ｒの画素電極３１Ｒを露出する開口２８ＲＣＴが形成されている。開口２８ＢＣＴ，２８ＧＣＴ，２８ＲＣＴが設けられた領域が発光領域Ｖ１となり、絶縁膜２８が設けられた領域が発光抑制領域Ｖ２となる。

図９（ｃ）に示すように、ステップＳ３では、例えば公知技術の蒸着法で正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを順に堆積して、発光機能層３２を形成する。

図９（ｄ）に示すように、ステップＳ４では、例えば公知技術のスパッタ法でマグネシウムと銀との合金を堆積し、対向電極３３を形成する。マグネシウムと銀との合金を、概略２０ｎｍ以下に薄膜化することによって、光反射性と光透過性とを兼ね備える対向電極３３を形成することができる。

このように、ステップＳ１〜ステップＳ４を経て、発光領域Ｖ１に画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とが積層された有機ＥＬ素子３０を形成する。つまり、ステップＳ１〜ステップＳ４によって、サブ画素１８Ｂの発光領域Ｖ１に第１有機ＥＬ素子３０Ｂを形成し、サブ画素１８Ｇの発光領域Ｖ１に第２有機ＥＬ素子３０Ｇを形成し、サブ画素１８Ｒの発光領域Ｖ１に第３有機ＥＬ素子３０Ｒを形成する。
なお、上述したステップＳ１〜ステップＳ４は、本発明における「第１有機エレクトロルミネッセンス素子及び第２有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程」の一例である。

図９（ｅ）に示すように、ステップＳ５では、例えば公知技術のプラズマＣＶＤで酸窒化シリコンを堆積して、有機ＥＬ素子３０を覆う第１封止層３４ａを形成する。続いて、エポキシ樹脂または無機材料（シリコン酸化物）などを塗布形成し、焼成して平坦化層３４ｂを形成する。続いて、例えば公知技術のプラズマＣＶＤで酸窒化シリコンを堆積して、第２封止層３４ｃを形成する。

平坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａよりも柔軟な材料で構成され、クラックが生じにくく、厚く形成することができる。例えば、第１封止層３４ａに欠陥を発生させる異物が存在した場合に、当該異物は平坦化層３４ｂで埋め込まれ（被覆され）、続いて形成する第２封止層３４ｃに悪影響を及ばさないようになる。すなわち、第１封止層３４ａにピンホールやクラックなどの欠陥が発生したとしても、当該欠陥は平坦化層３４ｂで被覆され、第２封止層３４ｃにピンホールやクラックなどの欠陥が生じにくくなる。

なお、第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、及び第２封止層３４ｃは、発光機能層３２が熱劣化しないように、１１０℃または１１０℃よりも低い温度で形成されている。すなわち、第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、及び第２封止層３４ｃを形成する工程のプロセス温度は、いずれも１１０℃以下である。
このように、ステップＳ５は、第１封止層３４ａと平坦化層３４ｂと第２封止層３４ｃとによって、有機ＥＬ素子３０（第１有機ＥＬ素子３０Ｂ、第２有機ＥＬ素子３０Ｇ、第３有機ＥＬ素子３０Ｒ）を覆う封止層３４を形成する工程である。

図１０（ａ）に示すように、ステップＳ６では、透明な感光性レジスト、詳しくは増感剤などを含む色味を帯びた透光性の感光性レジストを塗布し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成して、隔壁３７を形成する。

詳しくは、透明な感光性レジストをスピンコート法で塗布し、乾燥することにより、透明な感光性樹脂層を形成する。透明な感光性樹脂層は、例えばネガ型の感光性のアクリル系樹脂で構成され、光が照射された（露光された）領域が不溶化する。透明な感光性樹脂層は、後述する青色の着色層３６Ｂ及び赤色の着色層３６Ｒを形成する工程で使用する感光性樹脂層と、同じ材料で構成されている。隔壁３７を形成する領域に光を照射し（露光し）、例えば現像液をノズルから吐出し、未露光の感光性樹脂層を除去する。続いて、例えば純水をノズルから吐出し、不溶化した感光性樹脂層を洗浄した後に焼成し、硬化させて、隔壁３７を形成する。なお、隔壁３７は、発光機能層３２が熱劣化しないように、１１０℃または１１０℃よりも低い温度で焼成されている。つまり、隔壁３７を形成する工程のプロセス温度は、１１０℃以下である。

隔壁３７は、発光抑制領域Ｖ２に形成される。つまり、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの境界、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの境界、及びサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｒとの境界のそれぞれに、Ｙ方向に延びたストライプ形状の隔壁３７を形成する。その結果、サブ画素１８Ｂには、隔壁３７と第２封止層３４ｃとで囲まれた凹部Ｃ１が形成され、サブ画素１８Ｇには、隔壁３７と第２封止層３４ｃとで囲まれた凹部Ｃ２が形成され、サブ画素１８Ｒには、隔壁３７と第２封止層３４ｃとで囲まれた凹部Ｃ３が形成される。

凹部Ｃ１及び凹部Ｃ３は、後工程で使用する感光性レジストを充填するための容器（セル）となる。凹部Ｃ１及び凹部Ｃ３の深さ（Ｚ方向寸法）を調整することによって、後工程で形成する青色の着色層３６Ｂ及び赤色の着色層３６Ｒの膜厚の均一性を高めることができる。

図１０（ｂ）に示すようにステップＳ７では、青色の色材（例えば、顔料）を含む感光性レジストを塗布し、仮焼成して青色の感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成して、第１有機ＥＬ素子３０Ｂと平面視重なる青色の着色層３６Ｂを第２封止層３４ｃ（封止層３４）の上に形成する。

詳しくは、青色の色材を含む感光性レジストをスピンコート法で塗布し、乾燥することにより、青色の感光性樹脂層を形成する。青色の感光性樹脂層は、例えばネガ型の感光性のアクリル系樹脂で構成され、光が照射された（露光された）部分が不溶化する。青色の着色層３６Ｂを形成する領域に光を照射し（露光し）、例えば現像液をノズルから吐出し、未露光の感光性樹脂層を除去する。続いて、例えば純水をノズルから吐出し、不溶化した感光性樹脂層を洗浄した後に焼成し、硬化させて、所定の形状の青色の着色層３６Ｂを形成する。なお、青色の着色層３６Ｂは、発光機能層３２が熱劣化しないように、１１０℃または１１０℃よりも低い温度で形成（焼成）されている。つまり、青色の着色層３６Ｂを形成する工程のプロセス温度は、１１０℃以下である。

図１０（ｃ）に示すようにステップＳ８では、赤色の色材（例えば、顔料）を含む感光性レジストを塗布し、仮焼成して赤色の感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成して、第３有機ＥＬ素子３０Ｒと平面視重なる赤色の着色層３６Ｒを第２封止層３４ｃ（封止層３４）の上に形成する。

詳しくは、赤色の色材を含む感光性レジストをスピンコート法で塗布し、乾燥することにより、赤色の感光性樹脂層を形成する。赤色の感光性樹脂層は、例えばネガ型の感光性のアクリル系樹脂で構成され、光が照射された（露光された）部分が不溶化する。赤色の着色層３６Ｒを形成する領域に光を照射し（露光し）、例えば現像液をノズルから吐出し、未露光の感光性樹脂層を除去する。続いて、例えば純水をノズルから吐出し、不溶化した感光性樹脂層を洗浄した後に焼成し、硬化させて、所定の形状の赤色の着色層３６Ｒを形成する。なお、赤色の着色層３６Ｒは、発光機能層３２が熱劣化しないように、１１０℃または１１０℃よりも低い温度で形成（焼成）されている。つまり、赤色の着色層３６Ｒを形成する工程のプロセス温度は、１１０℃以下である。

ステップＳ６及びステップＳ７を経て、第１有機ＥＬ素子３０Ｂと平面視重なり、且つ第２有機ＥＬ素子３０Ｇと平面視重ならないように、青色の着色層３６Ｂを形成する。つまり、ステップＳ６及びステップＳ７は、本発明における「カラーフィルターを積層する工程」の一例である。
さらに、ステップＳ８を経て、第３有機ＥＬ素子３０Ｒと平面視重なり、且つ第２有機ＥＬ素子３０Ｇと平面視重ならないように、赤色の着色層３６Ｒを形成する。

本実施形態の製造方法では、第２有機ＥＬ素子３０Ｇと平面視重なる着色層（例えば緑色の着色層）を形成していないので、例えば着色層を形成する場合と比べて、着色層を形成する工程の数が１工程少なくなるので、カラーフィルター層３６の生産性を高め、カラーフィルター層３６の製造コストを抑制することができる。

さらに、図示を省略するが、本実施形態の製造方法は、素子基板１０と保護基板４０との間にエポキシ樹脂やアクリル樹脂などで構成される接着剤を配置し、これを硬化させて接着層４２を形成し、接着層４２によって素子基板１０と保護基板４０とを接着する工程を含む。この素子基板１０と保護基板４０とを接着する工程によって、第１有機ＥＬ素子３０Ｂと平面視重なる領域で接着層４２を介して保護基板４０を着色層３６Ｂに接着し、第２有機ＥＬ素子３０Ｇと平面視重なる領域で接着層４２を介して保護基板４０を封止層３４（第２封止層３４ｃ）に接着し、第３有機ＥＬ素子３０Ｒと平面視重なる領域で接着層４２を介して保護基板４０を着色層３６Ｒに接着する。

以上述べたように、本実施形態では、以下の効果を得ることができる。
（１）サブ画素１８Ｇでは、接着層４２が無機材料で構成された部分（第２封止層３４ｃ）に接着されているので、接着層４２が全て樹脂で構成された部分（カラーフィルター層３６）に接着されている場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くすることができる。

（２）サブ画素１８Ｇに形成された凹部Ｃ２の中に充填された接着層４２のアンカー効果によって、サブ画素１８Ｇに凹部Ｃ２が形成されていない場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くすることができる。

（３）サブ画素１８Ｇに形成された凹部Ｃ２によって、素子基板１０と接着層４２との接触面積（接着面積）が大きくなるので、サブ画素１８Ｇに凹部Ｃ２が形成されていない場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くすることができる。

（４）サブ画素１８Ｇには緑色の着色層が形成されていなく、緑色の着色層を形成する場合と比べて着色層を形成する工程の数が１工程少なくなるので、カラーフィルター層３６の生産性を高め、カラーフィルター層３６の製造コストを抑制することができる。

（５）封止層３４及びカラーフィルター層３６は、１１０℃以下で形成されているので、発光機能層３２（有機ＥＬ素子３０）の熱劣化を抑制することができる。

（６）サブ画素１８Ｇには着色層が形成されていないので、第２有機ＥＬ素子３０Ｇで発せられた光は着色層によって減衰（吸収）されず、着色層を形成する場合と比べて、第２有機ＥＬ素子３０Ｇで発せられた緑色の光の輝度を高めることができる。

（７）青色の着色層３６Ｂの膜厚ＢＤ１は、青色の着色層３６Ｂの端部Ｂ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１との間隔ＢＤ２よりも大きく、光Ｌ３Ａ及び光Ｌ３Ｂは、青色の着色層３６Ｂの中を通過し輝度が弱められて開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１に入射するので、絶縁膜２８の開口２８ＧＣＴの端部Ｇ１で反射された光が、表示に悪影響を及ぼす恐れが少なくなる。

（８）赤色の着色層３６Ｒの膜厚ＲＤ１は、赤色の着色層３６Ｒの端部Ｒ１と開口２８ＧＣＴの端部Ｇ２との間隔ＲＤ２よりも大きく、光Ｌ３Ａ及び光Ｌ３Ｂは、赤色の着色層３６Ｒの中を通過し輝度が弱められて開口２８ＧＣＴの端部Ｇ２に入射するので、絶縁膜２８の開口２８ＧＣＴの端部Ｇ２で反射された光が、表示に悪影響を及ぼす恐れが少なくなる。

（実施形態２）
図１１は、図４に対応する図であり、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。図１２は、図５に対応する図であり、本実施形態に係るカラーフィルター層の状態を示す概略平面図である。

本実施形態の有機ＥＬ装置２００では、開口２８ＣＴの面積、つまり有機ＥＬ素子３０が形成された領域の面積が、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｒ、及びサブ画素１８Ｇの順に小さくなっている。この点が、本実施形態の有機ＥＬ装置２００と実施形態１の有機ＥＬ装置１００との主な相違点である。
以下に、図１１及び図１２を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図１１及び図１２に示すように、サブ画素１８のＸ方向の寸法は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｒ、サブ画素１８Ｇの順に小さくなっている。サブ画素１８のＹ方向の寸法は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒで、それぞれ同じである。従って、サブ画素１８の面積は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｒ、サブ画素１８Ｇの順に小さくなっている。

さらに、開口２８ＣＴのＸ方向の寸法は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｒ、サブ画素１８Ｇの順に小さくなっている。開口２８ＣＴのＹ方向の寸法は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒで、それぞれ同じである。従って、開口２８ＣＴの面積は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｒ、サブ画素１８Ｇの順に小さくなっている。

開口２８ＣＴに有機ＥＬ素子３０が形成されるので、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ、第３有機ＥＬ素子３０Ｒ、第２有機ＥＬ素子３０Ｇの順に、有機ＥＬ素子３０の発光面積が小さくなっている。
さらに、サブ画素１８Ｂの面積、開口２８ＢＣＴの面積、及び第１有機ＥＬ素子３０Ｂの面積（発光面積）は、実施形態１と比べて、本実施形態の方が大きい。サブ画素１８Ｒの面積、開口２８ＲＣＴの面積、及び第３有機ＥＬ素子３０Ｒの面積（発光面積）も、実施形態１と比べて、本実施形態の方が大きい。サブ画素１８Ｇの面積、開口２８ＧＣＴの面積、及び第２有機ＥＬ素子３０Ｇの面積（発光面積）は、実施形態１と比べて、本実施形態の方が小さい。

サブ画素１８Ｂには、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなした青色の着色層３６Ｂが配置され、サブ画素１８Ｒには、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなした赤色の着色層３６Ｒが配置されている。サブ画素１８Ｇには、着色層が配置されていなく、隔壁３７と第２封止層３４ｃとで囲まれた凹部Ｃ２が形成されている。

サブ画素１８Ｂにおいて、第１有機ＥＬ素子３０Ｂと平面視重なる領域では、保護基板４０は青色の接着層４２を介して着色層３６Ｂに接着されている。サブ画素１８Ｒにおいて、第３有機ＥＬ素子３０Ｒと平面視重なる領域では、保護基板４０は青色の接着層４２を介して着色層３６Ｒに接着されている。

サブ画素１８Ｇにおいて、第２有機ＥＬ素子３０Ｇと平面視重なる領域では、保護基板４０は接着層４２を介して第２封止層３４ｃに接着されている。詳しくは、接着層４２がサブ画素１８Ｇの３７と第２封止層３４ｃとで形成された凹部Ｃ２に充填されて、保護基板４０は接着層４２を介して第２封止層３４ｃに接着されている。

本実施形態では、上述した実施形態１の（１）乃至（８）の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
（１）実施形態１と比べて、サブ画素１８Ｂ及び第１有機ＥＬ素子３０Ｂの面積、並びにサブ画素１８Ｒ及び第３有機ＥＬ素子３０Ｒの面積は大きいので、サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒで発せられる光の輝度を高めることができる。一方、サブ画素１８Ｇの面積は、サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒの面積よりも小さいが、サブ画素１８Ｇには着色層が形成されていなく着色層による光の吸収がないため、サブ画素１８Ｇでは、サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒと同等の輝度の光を発することができる。
従って、実施形態１と比べてより明るい表示を得ることができる。

（２）サブ画素１８Ｂ及び第１有機ＥＬ素子３０Ｂの面積、並びにサブ画素１８Ｒ及び第３有機ＥＬ素子３０Ｒの面積は、実施形態１と比べて大きいので、サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒで実施形態１と同じ輝度の光を発する場合、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ及び第３有機ＥＬ素子３０Ｒへの電流負荷（例えば電流密度）を、実施形態１と比べて小さくすることができる。
実施形態１と比べて、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ及び第３有機ＥＬ素子３０Ｒの発光機能層３２の電流負荷（例えば電流密度）を小さくすることで、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ及び第３有機ＥＬ素子３０Ｒの劣化や、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ及び第３有機ＥＬ素子３０Ｒの発熱を抑制することができる。

このように、有機ＥＬ素子３０の劣化を抑制するためには、当該有機ＥＬ素子３０の面積を、他の色を発する有機ＥＬ素子３０の面積よりも大きくし、且つ着色層を形成しない構成が好ましい。
例えば、第１有機ＥＬ素子３０Ｂの劣化が大きいのであれば、第１有機ＥＬ素子３０Ｂの面積を、第２有機ＥＬ素子３０Ｇ及び第３有機ＥＬ素子３０Ｒの面積よりも大きくし、且つ第１有機ＥＬ素子３０Ｂに着色層を形成しない構成が好ましい。かかる構成によって、第１有機ＥＬ素子３０Ｂへの電流付加を小さくし、第１有機ＥＬ素子３０Ｂの劣化を抑制することができる。

（実施形態３）
図１３は、図５に対応する図であり、実施形態３に係るカラーフィルター層の状態を示す概略平面図である。
図１３では、青色の着色層３６Ｂ、赤色の着色層３６Ｒ、反射層２５の開口２５ＣＴ、及び絶縁膜２８の開口２８ＣＴ（有機ＥＬ素子３０が形成される領域）が図示され、隔壁３７の図示が省略されている。さらに、赤色の着色層３６Ｒは、図中で太い破線で図示されている。
本実施形態では、青色の着色層３６Ｂの形状が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。

以下に、図１３を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置のカラーフィルター層３６の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図１３に示すように、青色の着色層３６Ｂは、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ（開口２８ＢＣＴ）と平面視重なるＹ方向に延びた青色の着色層３６Ｂ１と、開口２５ＣＴと平面視重なるＸ方向に延びた青色の着色層３６Ｂ２とで構成される。
Ｙ方向に延びた青色の着色層３６Ｂ１は、実施形態１の青色の着色層３６Ｂと同じである。すなわち、実施形態１の青色の着色層３６Ｂに、Ｘ方向に延びた青色の着色層３６Ｂ２を付加して、本実施形態の青色の着色層３６Ｂが構成される。

Ｘ方向に延びた青色の着色層３６Ｂ２は、サブ画素１８Ｇの開口２５ＣＴやサブ画素１８Ｒの開口２５ＣＴを覆うように配置され、第２有機ＥＬ素子３０Ｇ（開口２８ＧＣＴ）や第３有機ＥＬ素子３０Ｒ（開口２８ＲＣＴ）と平面視で重ならないように配置されている。このため、サブ画素１８Ｇやサブ画素１８Ｒに青色の着色層３６Ｂ２を配置しても、第２有機ＥＬ素子３０Ｇや第３有機ＥＬ素子３０Ｒで発せれられた光は、青色の着色層３６Ｂ２による影響を受けない。
サブ画素１８Ｒには赤色の着色層３６Ｒが配置されているので、サブ画素１８Ｒの開口２５ＣＴには、青色の着色層３６Ｂ２と着色層３６とが順に積層されている。

本実施形態では、サブ画素１８Ｂの開口２５ＣＴ及びサブ画素１８Ｇの開口２５ＣＴは、平面視で青色の着色層３６Ｂ２で覆われている。サブ画素１８Ｒの２５の開口２５ＣＴは、平面視で青色の着色層３６Ｂ２と赤色の着色層３６Ｒとで覆われている。
実施形態１では、サブ画素１８Ｇの開口２５ＣＴは着色層で覆われていなく、この点も本実施形態と実施形態１との相違点である。

上述したように、開口２５ＣＴの内側に、画素電極３１とトランジスター２３とを電気的に接続するためのコンタクト部が設けられている。つまり、開口２５ＣＴの内側に、画素電極３１とトランジスター２３とを電気的に接続するための構成要素、例えばコンタクホール、コンタクトホールの中に充填された導電材料、コンタクトホールと平面視で重なる中継電極などが配置されている。このため、開口２５ＣＴの内側には、画素電極３１とトランジスター２３とを電気的に接続するための構成要素に起因する様々な凹凸（段差）や、他の構成要素（例えば、対向電極３３）との間の電界などが存在し、発光機能層３２で意図しない光が生じる恐れや、保護基板４０と大気７１との界面で反射された光Ｌ３Ａや光Ｌ３Ｂによる表示への悪影響が生じる恐れがある。

本実施形態では、画素電極３１とトランジスター２３とを電気的に接続するためのコンタクト部（開口２５ＣＴ）は、青色の着色層３６Ｂ２及び赤色の着色層３６Ｒの少なくとも一方で覆われているので、発光機能層３２で意図しない光が生じたとしても、当該意図しない光は、青色の着色層３６Ｂ２及び赤色の着色層３６Ｒの少なくとも一方で吸収されるので、表示への悪影響を小さくすることができる。同様に、開口２５ＣＴに入射する保護基板４０と大気７１との界面で反射された光Ｌ３Ａや光Ｌ３Ｂも、青色の着色層３６Ｂ２及び赤色の着色層３６Ｒの少なくとも一方で吸収されるので、表示への悪影響を小さくすることができる。

（実施形態４）
図１４は、図１３に対応する図であり、実施形態４に係るカラーフィルター層の状態を示す概略平面図である。図１４では、本実施形態に係るカラーフィルター層３６の特徴を明確にするために、赤色の着色層３６Ｒ、反射層２５の開口２５ＣＴ、及び絶縁膜２８の開口２８ＣＴ（有機ＥＬ素子３０が形成された領域）が図示されている。さらに、本実施形態と実施形態３とでは、青色の着色層３６Ｂ及び隔壁３７は同じであるので、図１４では図示が省略されている。
本実施形態では、赤色の着色層３６Ｒの形状が実施形態３と異なり、他の構成は実施形態３と同じである。

以下に、図１４を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置のカラーフィルター層３６の概要を、実施形態３との相違点を中心に説明する。なお、実施形態３と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図１４に示すように、赤色の着色層３６Ｒは、第３有機ＥＬ素子３０Ｒ（開口２８ＲＣＴ）と平面視重なるＹ方向に延びた赤色の着色層３６Ｒ１と、開口２５ＣＴと平面視重なるＸ方向に延びた赤色の着色層３６Ｒ２とで構成される。

Ｙ方向に延びた赤色の着色層３６Ｒ１は、実施形態３の赤色の着色層３６Ｒ及び実施形態１の赤色の着色層３６Ｒと同じである。すなわち、実施形態３の赤色の着色層３６Ｒに、Ｘ方向に延びた赤色の着色層３６Ｒ２を付加して、本実施形態の赤色の着色層３６Ｒが構成される。

赤色の着色層３６Ｒ２は、サブ画素１８Ｂの開口２５ＣＴやサブ画素１８Ｇの開口２５ＣＴを覆うように配置され、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ（開口２８ＢＣＴ）や第２有機ＥＬ素子３０Ｇ（開口２８ＧＣＴ）と平面視で重ならないように配置されているので、第１有機ＥＬ素子３０Ｂや第２有機ＥＬ素子３０Ｇで発せれられた光は、赤色の着色層３６Ｒ２による影響を受けない。

図示を省略するが、サブ画素１８Ｂの開口２５ＣＴ、サブ画素１８Ｇの開口２５ＣＴ、及びサブ画素１８Ｒの開口２５ＣＴは、Ｘ方向に延びた青色の着色層３６Ｂ２が配置されているので、サブ画素１８Ｂの開口２５ＣＴ、サブ画素１８Ｇの開口２５ＣＴ、及びサブ画素１８Ｒの開口２５ＣＴには、青色の着色層３６Ｂ２と赤色の着色層３６Ｒ２とが順に配置されている。

本実施形態では、サブ画素１８Ｂの開口２５ＣＴ及びサブ画素１８Ｇの開口２５ＣＴに、青色の着色層３６Ｂ２と赤色の着色層３６Ｒ２とが配置されている。実施形態３では、サブ画素１８Ｂの開口２５ＣＴ及びサブ画素１８Ｇの開口２５ＣＴに、青色の着色層３６Ｂ２が配置されている。この点が、本実施形態と実施形態３との相違点である。

本実施形態では、サブ画素１８Ｂの開口２５ＣＴの内側や、サブ画素１８Ｇの開口２５ＣＴの内側で意図しない光が生じた場合、当該意図しない光は、青色の着色層３６Ｂ２及び赤色の着色層３６Ｒ２の両方で吸収されるので、実施形態３と比べて、当該意図しない光の表示への悪影響をより強く抑制することができる。同様に、開口２５ＣＴに入射する保護基板４０と大気７１との界面で反射された光Ｌ３Ａや光Ｌ３Ｂも、青色の着色層３６Ｂ及び赤色の着色層３６Ｒの両方で吸収されるので、実施形態３と比べて、表示への悪影響をより強く抑制することができる。

（実施形態５）
図１５は、実施形態５に係る有機ＥＬ装置のサブ画素の配置状態を示す概略平面図である。図１６は、図１５に対応する図であり、カラーフィルター層に配置された隔壁の状態を示す概略平面図である。図１７は、図１５に対応する図であり、カラーフィルター層に配置された着色層の状態を示す概略平面図である。

本実施形態では、サブ画素１８及びカラーフィルター層３６の形状や配置状態が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
以下に、図１５乃至図１７を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図１５に示すように、サブ画素１８ＧのＸ方向の寸法は、サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８ＲのＸ方向の寸法よりも小さく、サブ画素１８ＧのＹ方向の寸法は、サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８ＲのＹ方向の寸法と同じである。つまり、サブ画素１８Ｇの面積は、サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒの面積のそれぞれよりも小さい。サブ画素１８Ｂの面積及びサブ画素１８Ｒの面積は、同じである。

サブ画素１８Ｇは、Ｙ方向に沿って配列されている。サブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒは、Ｙ方向に沿って交互に配列されている。また、Ｘ方向には、Ｙ方向に沿って配列されたサブ画素１８Ｇと、Ｙ方向に交互に配列されたサブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒとが、交互に配列されている。

本実施形態に係る有機ＥＬ装置では、Ｙ方向に配列された二つのサブ画素１８Ｇと、当該二つのサブ画素１８Ｇに隣り合うサブ画素１８Ｂ及びサブ画素１８Ｒとが表示単位（画素１９）となって、フルカラーの表示が提供される。

緑色の光を発するサブ画素１８Ｇは、青色の光を発するサブ画素１８Ｂや赤色の光を発するサブ画素１８Ｒと比べて、高精細化が図られている。本実施形態に係る有機ＥＬ装置では、緑色の光を発するサブ画素１８Ｇの精細度を高めることによって、疑似的に表示の解像度を向上させることができる。

図１６に示すように、隔壁３７は、Ｙ方向に沿ったサブ画素１８Ｇの輪郭（サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｂとの境界、及びサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの境界）に跨るＹ方向に延びた部分と、Ｘ方向に沿ったサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｒとの境界に跨るＸ方向に延びた部分とで構成される。その結果、一対のＹ方向に延びた部分の隔壁３７の内側に、第２有機ＥＬ素子３０Ｇが配置され、隔壁３７で囲まれた領域の内側に、第１有機ＥＬ素子３０Ｂ及び第３有機ＥＬ素子３０Ｒが配置されている。

図１７に示すように、サブ画素１８Ｇには、緑色の光を透過する着色層３６Ｇ（以降、緑色の着色層と称す）が設けられている。詳しくは、サブ画素１８Ｇには、第２有機ＥＬ素子３０Ｇに平面視重なり、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなした緑色の着色層３６Ｇが設けられている。サブ画素１８Ｒには、平面視で第３有機ＥＬ素子３０Ｒに平面視重なり、島状の（矩形状の）赤色の着色層３６Ｒが設けられている。また、図示を省略するが、緑色の着色層３６Ｇ及び赤色の着色層３６Ｒは、隔壁３７の一部を覆うように配置されている。

サブ画素１８Ｂには、着色層が形成されていない。また、サブ画素１８Ｂには、隔壁３７と第２封止層３４ｃとで囲まれた凹部Ｃ１が形成されている。
本実施形態では、サブ画素１８Ｂは、光共振構造によって取り出される光成分の色純度が優れているので、着色層を設けなくても色純度に優れた青色の光を発することができる。さらに、サブ画素１８Ｂでは、着色層が設けられていないので、着色層を設ける場合と比べてサブ画素１８Ｂで発せられる輝度を高めることができる。

サブ画素１８Ｇでは、光共振構造及び緑色の着色層３６Ｇを組み合わせることによってサブ画素１８Ｇで発せられる緑色の光の色純度を高めている。サブ画素１８Ｒでは、光共振構造及び赤色の着色層３６Ｒを組み合わせることによってサブ画素１８Ｒで発せられる赤色の光の色純度を高めている。

サブ画素１８Ｂにおいて、第１有機ＥＬ素子３０Ｂと平面視重なる領域では、保護基板４０は接着層４２を介して第２封止層３４ｃに接着されている。詳しくは、サブ画素１８Ｂでは、隔壁３７と第２封止層３４ｃとで囲まれた凹部Ｃ１の中に接着層４２が充填され、保護基板４０と第２封止層３４ｃとが接着されている。

サブ画素１８Ｇにおいて、第２有機ＥＬ素子３０Ｇと平面視重なる領域では、保護基板４０は接着層４２を介して着色層３６Ｇに接着されている。サブ画素１８Ｒにおいて、第３有機ＥＬ素子３０Ｒと平面視重なる領域では、保護基板４０は接着層４２を介して着色層３６Ｒに接着されている。

かかる構成によっても、以下に示す効果を得ることができる。
（１）サブ画素１８Ｂでは、接着層４２が無機材料で構成された部分（第２封止層３４ｃ）に接着されているので、接着層４２が全て樹脂で構成された部分（カラーフィルター層３６）に接着されている場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くすることができる。

（２）サブ画素１８Ｂに形成された凹部Ｃ１の中に充填された接着層４２のアンカー効果によって、サブ画素１８Ｂに凹部Ｃ１が形成されていない場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くすることができる。

（３）サブ画素１８Ｂに形成された凹部Ｃ１によって、素子基板１０と接着層４２との接触面積（接着面積）が大きくなるので、サブ画素１８Ｂに凹部Ｃ１が形成されていない場合と比べて、素子基板１０と接着層４２との接着強度を強くすることができる。

（４）サブ画素１８Ｂには青色の着色層が形成されていなく、青色の着色層を形成する場合と比べて着色層を形成する工程の数が１工程少なくなるので、カラーフィルター層３６の生産性を高め、カラーフィルター層３６の製造コストを抑制することができる。

（５）サブ画素１８Ｂには着色層が形成されていないので、第１有機ＥＬ素子３０Ｂで発せられた光は着色層によって減衰（吸収）されず、着色層を形成する場合と比べて、第１有機ＥＬ素子３０Ｂで発せられた青色の光の輝度を高めることができる。

（実施形態６）
「電子機器」
図１８は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１８に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上述した実施形態１乃至実施形態５に係る有機ＥＬ装置のいずれかが搭載されている。上記実施形態では、カラーフィルター層３６を構成する青色の着色層３６Ｂまたは緑色の着色層３６Ｇのいずれかが省略され、素子基板１０と接着層４２との接着強度が強くなり、有機ＥＬ装置の信頼性が高められている。従って、表示部１００１に上記実施形態に係る有機ＥＬ装置を搭載することによって、高信頼性のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

なお、上述した実施形態１乃至実施形態５に係る有機ＥＬ装置のいずれかが搭載された電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。

本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機発光装置及び当該有機発光装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）
実施形態１では、青色の着色層、緑色の着色層、及び赤色の着色層のうち緑色の着色層が省略されていた。実施形態５では、青色の着色層、緑色の着色層、及び赤色の着色層のうち青色の着色層が省略されていた。
青色の着色層、緑色の着色層、及び赤色の着色層のうち省略する着色層は、上述した１層の着色層に限定されず、２層の着色層を省略する構成であってもよい。
また、４種類以上の着色層を有する場合には、３層以上の着色層を省略する構成であってもよい。

なお、省略するサブ画素１８の着色層は、以下に示す（１）乃至（５）のうち少なくとも一つに基づいて選択される。
（１）光共振構造によって取り出される光成分の色純度が優れているサブ画素１８の着色層。
（２）有機ＥＬ素子３０（発光機能層３２）の発光寿命が短いサブ画素１８の着色層。
（３）有機ＥＬ素子３０（発光機能層３２）で発せられる光の輝度を高める必要があるサブ画素１８の着色層。
（４）有機ＥＬ素子３０（発光機能層３２）に流す電流密度を小さくする必要があるサブ画素１８の着色層。
（５）有機ＥＬ素子３０（発光機能層３２）で発せられる熱を小さくする必要があるサブ画素１８の着色層。

（変形例２）
実施形態１乃至実施形態５に係るカラーフィルター層３６は、隔壁３７を有していたが、カラーフィルター層３６は隔壁３７を有していなくてもよい。

（変形例３）
実施形態１乃至実施形態５に係るカラーフィルター層３６は、光共振構造を有していたが、光共振構造を有していない構成であってもよい。例えば、第１有機ＥＬ素子３０Ｂの発光機能層３２に青色の光を発する有機発光層を配置し、第２有機ＥＬ素子３０Ｇの発光機能層３２に緑色の光を発する有機発光層を配置し、第３有機ＥＬ素子３０Ｒの発光機能層３２に赤色の光を発する有機発光層を配置する構成であってもよい。

１０…素子基板、１１…基板、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１８，１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ…サブ画素、１９…画素、２０…画素回路、２１…スイッチング用トランジスター、２２…容量、２３…駆動用トランジスター、２５…反射層、２６…光学的距離調整層、２６ａ…第１絶縁膜、２６ｂ…第２絶縁膜、２６ｃ…第３絶縁膜、２８…絶縁膜、２８ＢＣＴ，２８ＧＣＴ，２８ＲＣＴ…開口、３０…有機ＥＬ素子、３０Ｂ…第１有機ＥＬ素子、３０Ｇ…第２有機ＥＬ素子、３０Ｒ…第３有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３４…封止層、３４ａ…第１封止層、３４ｂ…平坦化層、３４ｃ…第２封止層、３６…カラーフィルター、３６Ｂ…青色の着色層、３６Ｇ…緑色の着色層、３６Ｒ…赤色の着色層、３７…隔壁、４０…保護基板、４２…接着層、１００，２００…有機ＥＬ装置。

Claims (9)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に設けられた、第１有機エレクトロルミネッセンス素子及び第２有機エレクトロルミネッセンス素子と、
   前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子及び前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子に積層された封止層と、
   前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域と、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域との間の発光抑制領域で、前記封止層に積層された隔壁と、
   平面視において前記隔壁の間で前記封止層に積層されたカラーフィルターと、
   接着層と、
   第２基板と、
   を有し、
   前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域と、当該領域に隣接する前記発光抑制領域では、前記第２基板は前記接着層を介して前記封止層と前記隔壁に接着されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
2. 前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域では、前記第２基板は前記接着層を介して前記カラーフィルターに接着されることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
3. 前記隔壁は透明層であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
4. 前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子は、絶縁膜で覆われ前記絶縁膜に設けられた第１の開口で露出された第１の画素電極を有し、
   前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記絶縁膜で覆われ前記絶縁膜に設けられた第２の開口で露出された第２の画素電極を有し、
   前記カラーフィルターは、前記隔壁の前記封止層と逆側に第１の端部を有し、
   前記絶縁膜は、前記第１の端部に隣り合い前記第２の開口の一部をなす第２の端部を有し、
   前記カラーフィルターの膜厚は、前記第１の端部と前記第２の端部との間の寸法以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
5. 前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子よりも発光面積が小さいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えていることを特徴とする電子機器。
7. 第１基板に、第１有機エレクトロルミネッセンス素子及び第２有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
   前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子及び前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子に封止層を積層する工程と、
   前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域と、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域との間の発光抑制領域で、前記封止層に隔壁を積層する工程と、
   前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なり、且つ前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重ならないように、平面視で前記隔壁の間に前記封止層上にカラーフィルターを積層する工程と、
   前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域では、接着層を介して第２基板を前記カラーフィルターに接着し、前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子と平面視重なる領域と前記発光抑制領域では、前記接着層を介して前記第２基板を前記封止層と前記隔壁に接着する工程と、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
8. 前記第２有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記第１有機エレクトロルミネッセンス素子よりも発光面積が小さいことを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
9. 前記カラーフィルター及び前記封止層は、１１０℃以下の温度で形成されることを特徴とする請求項７または８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
   

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