JP6507545B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器に関するものである。

従来の小型高精細の有機エレクトロルミネッセンス装置では、視野角特性の向上のため、有機エレクトロルミネッセンス素子の封止層上にフォトリソグラフィーによってカラーフィルターが直接形成されている（例えば、特許文献１）。また、有機エレクトロルミネッセンス素子の保護のために、カラーフィルター上には接着材を介して保護ガラスが貼り合わされた構造になっている。

特開２００８−６６２１６号公報

しかしながら、有機エレクトロルミネッセンス素子は耐熱性が低いため、封止層およびカラーフィルターを低温で形成しなければならない。そのため、封止層及びカラーフィルターを十分に硬化させることができず、封止層とカラーフィルターとの密着性を得ることが難しい。このため、カラーフィルターと封止層との界面で剥離が生じるという問題あった。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、カラーフィルターと封止層との密着性を向上させて表示不良の発生を防止した有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供するとともに、小型且つ表示信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器を提供することを目的の一つとしている。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置においては、第１基板の素子形成領域に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に積層された封止層と、前記封止層に積層された、少なくとも前記素子形成領域に設けられた第１カラーフィルターと、前記第１カラーフィルターの外側に配置された第２カラーフィルターと、を有するカラーフィルターと、少なくとも前記第１カラーフィルター上に設けられる第２基板と、前記第１カラーフィルターと前記第２基板との間に設けられた絶縁材料からなる接着層と、を備え、前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターとの間の少なくとも一部に設けられた間隙部において前記封止層と前記接着層とが接していることを特徴とする。

本発明の一態様によれば、第１カラーフィルターと第２カラーフィルターとの間に間隙部があることで、第２カラーフィルターの周縁部分において封止層との間に剥離が生じた場合でも、上記間隙部において剥離の進行が止まるため、第１カラーフィルターと封止層との密着性を確保することができる。これにより、表示不良の発生を防止することができ、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス装置を提供できる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置においては、少なくとも前記第１カラーフィルター上に設けられる第２基板と、前記第１カラーフィルターと前記第２基板との間に設けられた接着層と、を備え、前記間隙部において前記封止層に前記接着層が接する構成としてもよい。

本発明の一態様によれば、間隙部においては、カラーフィルターを介在することなく、封止層が接着層と接着される。したがって、間隙部が設けられていなく、封止層と接着層との間にカラーフィルターを介在する場合と比して、上記態様を採用することで有機エレクトロルミネッセンス装置の機械的強度を高めることができる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記間隙部は、前記第１基板の法線方向から見て前記第２基板と重なる構成としてもよい。

本発明の一態様によれば、間隙部における封止性が向上し、第１カラーフィルターと封止層との密着性を確保することができる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記間隙部は、前記素子形成領域の周囲を囲んで設けられている構成としてもよい。

本発明の一態様によれば、素子形成領域（第１カラーフィルター）の周囲、例えば全周を囲んで間隙部を形成しておくことにより、第２カラーフィルターの周囲のどこから剥離が生じたとしても間隙部によって剥離を止めることができるので、第１カラーフィルターと封止層との密着性を確保することができる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置は、矩形をなす前記第１基板の一辺に沿って外部接続端子が設けられ、前記間隙部は、前記第１基板における前記外部接続端子側の辺を除いた他の３辺に沿って設けられている構成としてもよい。

本発明の一態様においても、第２カラーフィルターと封止層との間に剥離が生じても間隙部によってその剥離を止めることができるので、第１カラーフィルターと封止層との密着性を確保することができる。例えば、必ずしも素子形成領域の全周に間隙部を設けなくてもよく、剥離の生じやすい部分に間隙部を設けておくことでも効果が得られる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記接着層の側面の少なくとも一部が前記第１基板の側面と同一平面上にある構成としてもよい。

本発明の一態様によれば、小型の有機エレクトロルミネッセンス装置が実現できる。また、カラーフィルター及び封止層の側面が接着層によって覆われた構成となり、カラーフィルターと封止層との界面からの剥離をより防止することができる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記第１基板上の前記素子形成領域の外側に、前記封止層と同一材料からなる下地層と、前記下地層上に積層された第３カラーフィルターと、をさらに備え、前記封止層と前記下地層との間から前記第１基板上に形成された外部接続端子が露出している構成としてもよい。

本発明の一態様によれば、製造時に、第１カラーフィルター、第２カラーフィルターおよび第３カラーフィルターをマスクとして封止層をパターニングすることで得ることが可能である。外部接続端子が下地層と封止層との間に存在するため、外部接続端子の表面に傷が付くことが防止され、外部端子との接続不良等を防止できる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記封止層は複数の封止膜で構成されており、前記複数の封止膜のうち前記第１カラーフィルターと接する封止膜は無機化合物からなる構成としてもよい。

本発明の一態様によれば、第１カラーフィルター及び接着層に対する封止層との密着性を向上させることができる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、第１基板の素子形成領域に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止層を形成する工程と、前記素子形成領域の前記封止層上に第１カラーフィルターを形成するとともに前記第１カラーフィルターの外側に第２カラーフィルターを形成する工程と、少なくとも前記第１カラーフィルター上に絶縁材料からなる接着層を介して第２基板を接着する工程と、を有し、前記第１カラーフィルター及び前記第２カラーフィルターを形成する工程において、前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターとの間の少なくとも一部に間隙部を形成し、前記第２基板を接着する工程において、前記間隙部内に前記接着層を充填させることを特徴とする。

本発明の一態様によれば、第１カラーフィルターと第２カラーフィルターとの間に間隙部を形成することによって、第２カラーフィルターと封止層との間に剥離が生じた場合でも、間隙部において剥離の進行が止まるため、第１カラーフィルターと封止層との密着性を確保することができる。これにより、表示不良の発生を防止することができ、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することができる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程において、複数の前記第１基板の形成領域を有するアレイ基板上に、前記第１基板の形成領域ごとに前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、前記第１基板の形成領域の間の分断領域で前記アレイ基板を前記第１基板の形成領域ごとに分断する工程をさらに有する製造方法としてもよい。

本発明の一態様によれば、有機ＥＬ装置の量産が可能である。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、少なくとも前記第１カラーフィルター上に接着層を介して第２基板を接着する工程をさらに有し、前記分断領域にまで前記接着層が達した状態で前記アレイ基板を分断する製造方法としてもよい。

本発明によれば、アレイ基板を分断して複数の第１基板を形成する際、接着層と重なる位置でアレイ基板を分断することによって、接着層が存在しない部分で分断するよりも第１基材の切り出しの大きさを小さくすることができる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス装置の小型化を実現することができる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記間隙部内に前記接着層を充填させる製造方法としてもよい。

本発明の一態様によれば、第２基板を貼り合わせるための接着層が間隙部内に存在するため、間隙部から露出する封止層が外気に晒されることが防止され、封止層と第１カラーフィルターとの剥離を防止することができる。

本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記第１カラーフィルター、前記第２カラーフィルター及び前記封止層は、１１０℃以下の温度で形成される製造方法としてもよい。

本発明の一態様によれば、１１０℃以下の低温で形成することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の劣化を防止することができる。

本発明の一態様における電子機器は、上記の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、小型且つ信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器を提供することができる。

第１実施形態における有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態における有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 第１実施形態におけるサブ画素の配置を示す概略平面図。 第１実施形態における図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図。 第１実施形態におけるサブ画素における凸部と着色層との配置を示す概略平面図。 第１実施形態における有機ＥＬ装置のＸ方向に沿う断面図。 第１実施形態における有機ＥＬ装置のＹ方向に沿う断面図。 第１実施形態における有機ＥＬ装置の平面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｇ）は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置におけるカラーフィルターの形成領域を示す平面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の全体構成を示す断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示す接合体を９０度回転させた図。 第３実施形態の有機ＥＬ装置における透明接着層の形成領域を示す平面図。 第３実施形態の有機ＥＬ装置の全体構成を示す断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、第３実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図、（ｂ）、（ｄ）は、（ａ）、（ｃ）に示す接合体を９０度回転させた図。 第４実施形態の有機ＥＬ装置の全体構成を示す平面図。 第４実施形態の有機ＥＬ装置の全体構成を示す断面図。 第４実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図 第４実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図。 間隙部の変形例を示す平面図。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図。

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

［第１実施形態］
先ず、第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置１００と称す）の構造について、図１〜図１３を参照して説明する。
図１は、第１実施形態における有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３は、サブ画素の配置を示す概略平面図、図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図、図５は、サブ画素における凸部と着色層との配置を示す概略平面図、図６は、有機ＥＬ装置のＸ方向に沿う断面図、図７は、有機ＥＬ装置のＹ方向に沿う断面図、図８は、有機ＥＬ装置の平面図である。なお、図８においては、対向基板４１、透明接着層（接着層）４２及びＦＰＣ４３の図示は省略してある。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された発光画素である複数のサブ画素１８を有している。

サブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、陽極としての画素電極３１と、陰極としての対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述するが、画素電極３１がサブ画素１８毎に形成されており、対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘る共通陰極として形成されている。したがって、機能層３２及び対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘って連続して設けられており、機能層３２及び対向電極３３はサブ画素１８毎に区分はないが、便宜上、サブ画素１８毎に有機ＥＬ素子３０が設けられていると説明している。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。

走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は素子基板１０を有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３とが設けられている。表示領域Ｅ０は、発光に寄与する実表示領域Ｅ１（図中、二点鎖線で表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。実表示領域Ｅ１は、本発明における素子形成領域に対応する。

実表示領域Ｅ１には、発光画素としてのサブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように発光素子としての有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。

ここでは、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列され、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列された、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。

ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。

素子基板１０のＸ方向に平行な一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）４３が接続されている。ＦＰＣ４３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、ＦＰＣ４３を介して駆動用ＩＣ４４に電気的に接続されている。

表示領域Ｅ０と素子基板１０の外縁との間、つまり非表示領域Ｅ３には、例えば各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０の対向電極３３に電位を与えるための配線２９、外部接続端子４０などが形成されている。

外部接続端子４０は、矩形をなす基材１１の一辺に沿って設けられている。外部接続端子４０には、ＦＰＣ４３が接続される。

配線２９は、外部接続端子４０が形成された基材１１の一辺側を除いて、表示領域Ｅ０を囲むように素子基板１０に設けられている。

次に、図３を参照してサブ画素１８の平面的な配置、とりわけ画素電極３１の平面的な配置について説明する。
図３に示すように、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８Ｂ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８ＲがＸ方向に順に配列されている。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に隣り合って配列されている。Ｘ方向に配列された３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。Ｘ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置ピッチは５μｍ未満である。Ｘ方向に０．５μｍ〜１．０μｍの間隔をおいてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒが配置されている。Ｙ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置ピッチはおよそ１０μｍ未満である。

サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。有機ＥＬ素子３０から放出される発光色に応じて画素電極３１をそれぞれ画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと呼ぶこともある。各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って絶縁膜２７が形成されている。これによって、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に開口部２７ａが形成され、開口部２７ａ内において画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれが露出している。開口部２７ａの平面形状もまた略矩形状となっている。

なお、図３では、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置は、Ｘ方向において左側から青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順になっているが、これに限定されるものではない。例えば、Ｘ方向において、左側から赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順であってもよい。

次に、図４を参照してサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造について説明する。
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、本発明における第１基板としての基材１１と、基材（第１基板）１１上に順に形成された反射層２５、透明層２６、有機ＥＬ素子層３８を有する。基材１１は、矩形状であっても正方形状であっても構わない。

有機ＥＬ素子層３８は、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ、機能層３２、共通陰極である対向電極３３を有し、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに形成された有機ＥＬ素子３０を複数含む。

有機ＥＬ素子層３８上には、対向電極３３を覆う封止層（封止層）３４と、封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６とが順に形成されている。さらに、カラーフィルター３６を保護するために、透明接着層４２を介して配置された対向基板（第２基板）４１を有する。素子基板１０は基材１１からカラーフィルター３６までを含むものである。

なお、図４では、素子基板１０における画素回路２０の駆動用トランジスター２３などの構成について、図示を省略した。

有機ＥＬ装置１００は、機能層３２から発した光がカラーフィルター３６を透過して対向基板４１側から取り出されるトップエミッション方式が採用されている。したがって、基材１１は透明な例えばガラスなどの基板だけでなく、不透明な例えばシリコンやセラミックスなどの基板を用いることができる。対向基板４１は透明な例えばガラスなどの基板である。

基材１１上に形成される反射層２５は、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）、あるいはこれらの光反射性を有する金属の合金を用いることができる。反射層２５の光反射率は好ましくは４０％以上、より好ましくは８０％以上である。

透明層２６は、後に形成される画素電極３１と反射層２５との電気的な絶縁を図るものであって、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機絶縁膜を用いることができる。

サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して、透明層２６上に設けられた画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc
Oxide）などの透明導電膜からなり、互いに膜厚が異なっている。具体的には、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順に膜厚が厚くなっている。画素電極３１の光透過率は好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上である。

機能層３２は白色光が得られる有機発光層を含み、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って共通に形成されている。なお、白色光は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせることにより実現できる。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。

機能層３２を覆う対向電極３３は、例えばＭｇＡｇ（マグネシウム銀）合金からなり、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように膜厚が制御されている。対向電極３３の光透過率は好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上であり、対向電極３３の光反射率は好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上である。

有機ＥＬ素子層３８を覆う封止層３４は、対向電極３３側から第１封止膜（封止膜）３４ａ、平坦化膜（封止膜）３４ｂ、第２封止膜（封止膜）３４ｃが順に積層された構造となっている。なお、封止層３４のガスバリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能な程度であれば特に限定されないが、酸素透過率が０．０１ｃｃ／ｍ^２／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸気透過率が７×１０^−３ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下、中でも５×１０^−４ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下、特に５×１０^−６ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止層３４の光の透過率は、サブ画素１８Ｒ，１８Ｂ，１８Ｇの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。

第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとは、無機化合物を用いて形成されている。無機化合物としては、水分や酸素などを通し難い、例えばＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯｘＮｙ（酸窒化シリコン）、ＡｌｘＯｙ（酸化アルミニウム）などが挙げられる。第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃを形成する方法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッター法、ＣＶＤ法などが挙げられる。有機ＥＬ素子３０に熱などのダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用することが望ましい。第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃの膜厚は、成膜時にクラックなどが生じ難く、且つ透明性が得られるように、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍとなっている。

平坦化膜３４ｂは、透明性を有し、例えば、熱または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成することができる。また、塗布型の無機化合物（酸化シリコンなど）を用いて形成してもよい。平坦化膜３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０が形成された有機ＥＬ素子層３８を覆った第１封止膜３４ａに積層して形成されている。第１封止膜３４ａの表面は、厚みが異なる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの影響を受けて凹凸が生ずるので、凹凸を緩和するため、１μｍ〜５μｍの膜厚で平坦化膜３４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止層３４上に形成されるカラーフィルター３６が凹凸の影響を受け難くなる。

平坦化膜３４ｂを覆う第２封止膜３４ｃは、前述した無機化合物を用いて形成されている。封止層３４の最上膜を無機化合物からなる膜とすることで、第１カラーフィルター１３６Ａ及び透明接着層４２に対する封止層３４との密着性を向上させることができる。

なお、本実施形態では封止層３４が３層構造となっているが、これに限られることはない。

カラーフィルター３６は、封止層３４の上に、フォトリソグラフィー法で形成された青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを含んで構成されている。
着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して形成され、封止層３４上において、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの間に凸部３５が設けられている。封止層３４上における凸部３５の高さは、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚と略等しい。

有機ＥＬ装置１００は、反射層２５と対向電極３３との間で光共振器が構成されている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとの画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚が異なることにより、それぞれの光共振器における光学的な距離が異なっている。これにより、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて各色に対応した共振波長の光が得られる構成となっている。

なお、光共振器における光学的な距離の調整方法は、これに限定されず、例えばサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに、基材１１上における透明層２６の膜厚や透明層２６を構成する材料を異ならせてもよい。

このように、サブ画素１８Ｒ，１８Ｂ，１８Ｇの機能層３２は白色光を放射するが、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離が異なるため、対向電極３３から放出される光のスペクトルが異なる。機能層３２の内部発光スペクトルは同じであると解釈できるが、共振構造を用いて放出される光のスペクトルが異なるため、便宜上、サブ画素１８は異なる波長領域の光を射出する。すなわち、サブ画素１８は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかの色の発光が得られる。

各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの光共振器から発せられた共振光は、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを透過して透明な対向基板４１側から射出される。カラーフィルター３６が封止層３４上に形成されているため、カラーフィルター３６が対向基板４１側に形成される場合に比べて、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ間での光漏れによる混色が低減される。このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの平面的な大きさが小さくなる、つまり高精細になるほど混色を効果的に低減できる。

次に、封止層３４上における凸部３５と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒとの関係について、図５を参照して説明する。

図５に示すように、有機ＥＬ装置１００のカラーフィルター３６は、Ｙ方向に同色の着色層が延在して配置されている。つまり、青（Ｂ）の着色層３６Ｂは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｂ（画素電極３１Ｂ）に跨ってストライプ状に配置されている。同様に、緑（Ｇ）の着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｇ（画素電極３１Ｇ）に跨ってストライプ状に配置されている。赤（Ｒ）の着色層３６Ｒは、Ｙ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｒ（画素電極３１Ｒ）に跨ってストライプ状に配置されている。各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの境界は、Ｘ方向に配列する隣り合うサブ画素１８の画素電極３１の間のほぼ中央に位置している。

異なる色の着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの間には、これらの着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒをそれぞれ区分するように、封止層３４上に凸部３５が配置されている。したがって、封止層３４上において凸部３５もＹ方向に延在するようにストライプ状に配置されている。

図４に示したように凸部３５の断面形状は台形であって、凸部３５の底面は図５に示すように、隣り合うサブ画素１８の画素電極３１間に位置している。
なお、各画素電極３１の外縁は、絶縁膜２７により被覆され、絶縁膜２７に設けられた開口部２７ａにおいて画素電極３１は機能層３２と接している。サブ画素１８において開口部２７ａが実質的に発光に寄与する領域であるため、凸部３５の底面が開口部２７ａ以外の画素電極３１と重なるように凸部３５を形成してもよい。

光透過性の凸部３５は、着色材料を含まない感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィー法で形成されている。すなわち、凸部３５と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの主材料は同じである。封止層３４上における凸部３５の幅はおよそ０．５μｍ〜１．０μｍ（好ましくは底面の幅が０．７μｍ、頭頂部３５ａの幅が０．５μｍ）、高さはおよそ１．１μｍである。凸部３５の高さは、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの平均膜厚と略等しくなっている。

なお、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚については、例えば、ホワイトバランスを考慮し、それぞれ異ならせても良い。

なお、凸部３５は、図５に示すようにＹ方向に延在したストライプ状に配置されることに限定されない。例えば、各サブ画素１８の画素電極３１における開口部２７ａを囲むように、Ｘ方向とＹ方向とに延在して格子状に配置されていてもよい。また、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂによって凸部３５の頭頂部の少なくとも一部が覆われた構成を採用しても良い。

次に、図６〜図８を参照してカラーフィルターの形成領域について説明する。
図６〜図８では、基材１１上における上における画素回路２０を構成する駆動用トランジスター２３などや反射層２５、透明層２６、画素電極３１の表示を省略しており、有機ＥＬ素子３０も簡略化して図示している。なお、図８では、透明接着層４２及びＦＰＣ４３の図示を省略している。

図６及び図７に示すように、基材１１上において、対向電極３３は、有機ＥＬ素子層３８の側端部を覆うように形成されている。対向電極３３は、コンタクト部５０を介して基材１１に設けられた不図示の配線や回路に電気的に接続されている。

対向電極３３の上面および側端部を覆うように第１封止膜３４ａが形成されている。平坦化膜３４ｂは、第１封止膜３４ａを覆うように基材１１上に形成されている。第２封止膜３４ｃは、平坦化膜３４ｂの上面および側端部を覆うように第１封止膜３４ａ上に形成されている。この封止層３４によって、有機ＥＬ素子層３８及び対向電極３３が封止されている。

カラーフィルター３６は、封止層３４上に形成されている。カラーフィルター３６は、発光領域として機能する実表示領域Ｅ１を含む表示領域Ｅ０と、表示領域Ｅ０の外側の非表示領域Ｅ３とに形成されている。カラーフィルター３６は、形成領域が異なる第１カラーフィルター１３６Ａと第２カラーフィルター１３６Ｂとを有している。第１カラーフィルター１３６Ａは表示領域Ｅ０に形成されており、第２カラーフィルター１３６Ｂは表示領域Ｅ０の外側の非表示領域Ｅ３に形成されている。

実表示領域Ｅ１は、有機ＥＬ素子３０が形成された素子形成領域１Ａに対応する領域である。本実施形態においては、少なくとも実表示領域Ｅ１の全体に第１カラーフィルター１３６Ａを設けるようにする。

図８に示すように、第１カラーフィルター１３６Ａは平面視矩形状を呈する。また、第２カラーフィルター１３６Ｂは、第１カラーフィルター１３６Ａの外周を全て囲む平面視枠状を呈する。

第１カラーフィルター１３６Ａと第２カラーフィルター１３６Ｂとの間には、間隙部３７が設けられている。間隙部３７は、非表示領域Ｅ３に存在するように形成される。間隙部３７は、平面視において実表示領域Ｅ１の周囲を全て囲むように存在し、実表示領域Ｅ１に形成された第２カラーフィルター１３６Ｂの４辺に沿って枠状に形成されている。間隙部３７からは封止層３４の一部が露出している。間隙部３７の大きさ、いわゆる第１カラーフィルター１３６Ａ及び第２カラーフィルター１３６Ｂの間隔は、適宜設定される。

なお、本実施形態においては、第１カラーフィルター１３６Ａと第２カラーフィルター１３６Ｂとを完全に分離するようにして間隙部３７が設けられているが、これらの間の少なくとも一部に間隙部３７が設けられていてもよい。つまり、第１カラーフィルター１３６Ａと第２カラーフィルター１３６Ｂとが部分的に繋がるように間隙部３７を設けてもよい。

また、本実施形態では、実表示領域Ｅ１を含む表示領域Ｅ０の全体に第１カラーフィルター１３６Ａが設けられているが、これに限らず、一部が非表示領域Ｅ３にはみ出すように第１カラーフィルター１３６Ａを設けてもよい。少なくとも、第１カラーフィルター１３６Ａが実表示領域Ｅ１の全体に形成され、間隙部３７が非表示領域Ｅ３に形成されていればよい。

有機ＥＬ装置１００は、図６及び図７に示したように、カラーフィルター３６上に透明接着層４２を介して設けられた対向基板４１を備えている。対向基板４１は、間隙部３７と平面視で重なるように配置され、基材１１の法線方向から見て間隙部３７と対向基板４１とが重なっている。透明接着層４２は、間隙部３７を通じて封止層３４に接している。つまり、間隙部３７には透明接着層４２が充填されている。

このように、間隙部３７上を対向基板４１で覆うことによって間隙部３７における封止性が向上する。さらに、透明接着層４２が間隙部３７内に充填されていることで、間隙部３７から露出する封止層３４が外気に晒されることが防止される。このため、封止層３４と第１カラーフィルター１３６Ａとの密着性を確保することができ、これらの剥離を防ぐことができる。

なお、図６及び図７においては、カラーフィルター３６の表面の一部が透明接着層４２から露出した図示となっているがこれに限定されるものではない。製造時にカラーフィルター３６上に透明接着層４２を介して保護ガラス６０を貼り合わせるために透明接着層４２を塗布する際、ここでは、基材１１上に流れ落ちない程度の量で塗布することとしている。そのため、カラーフィルター３６が部分的に露出することもあるが、露出させなくてもよい。また、対向基板４１の大きさも図示したものに限られず、カラーフィルター３６の全面を覆う大きさを有していてもよい。

次に、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
図９は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図１０（ａ）、図１０（ｂ）は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図である。なお、図１０（ｂ）は、素子形成領域１Ａを拡大して示す図である。図１１（ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図であって、いずれも素子形成領域１Ａを拡大して示す図である。図１２（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図である。図１３（ａ）〜（ｇ）は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す概略断面図である。なお、図１３においては、有機ＥＬ素子層の図示を省略している。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、図９に示すように、有機ＥＬ素子層形成工程（ステップＳ１）と、封止層形成工程（ステップＳ２）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ３）と、透明接着層形成工程（ステップＳ４）と、保護ガラスの貼り合せ工程（ステップＳ５）と、分断・個片化工程（ステップＳ６）と、を備えている。保護ガラス６０は、対向基板４１を形成するための母材である。

ここでは、複数の有機ＥＬ装置１００を量産すべく、大判のアレイ基板１を用意した。アレイ基板１上には、有機ＥＬ装置１００の主構成部材である基材１１を取り出すための基材形成領域１Ｂが多数設けられている。基材形成領域１Ｂは、本発明における第１基材の形成領域に対応する。

先ず、図９の有機ＥＬ素子層形成工程（ステップＳ１）では、図１０（ａ）に示すように、アレイ基板１上における基材形成領域１Ｂごとに有機ＥＬ素子層３８及び外部接続端子４０をそれぞれ形成する。本実施形態では、有機ＥＬ素子層３８を表示領域Ｅ０に対応する素子形成領域１Ａに形成し、外部接続端子４０を素子形成領域１Ａの近傍に形成する。有機ＥＬ素子層３８は、複数の有機ＥＬ素子３０を含む。

なお、アレイ基板１上に外部接続端子４０や有機ＥＬ素子３０を形成する方法には、公知の方法を採用することができる。これにより、アレイ基板１の素子形成領域１Ａには、図１０（ｂ）に示すように、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）、機能層３２、対向電極３３を含む有機ＥＬ素子３０が形成される。
なお、以下では、基材形成領域１Ｂ（素子形成領域１Ａ）に着目した断面工程図に基づいて説明する。

図９の封止層形成工程（ステップＳ２）では、図１１（ａ）に示すように、まず、対向電極３３を覆う第１封止膜３４ａを素子形成領域１Ａごとに形成する。第１封止膜３４ａを形成する方法としては、例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法が挙げられる。第１封止膜３４ａの膜厚はおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。

次に、第１封止膜３４ａを覆う平坦化膜３４ｂを形成する。平坦化膜３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより、エポキシ樹脂からなる平坦化膜３４ｂを形成する。平坦化膜３４ｂの膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、この場合、３μｍとした。

ここでは、有機材料からなる平坦化膜３４ｂの乾燥時の温度を１１０℃以下に設定して、有機ＥＬ素子３０の劣化を防止する。

なお、平坦化膜３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定されず、前述したように、塗布型の無機化合物を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成することによって、平坦化膜３４ｂとして膜厚がおよそ３μｍの酸化シリコン膜を形成してもよい。

続いて、平坦化膜３４ｂを覆う第２封止膜３４ｃを形成する。第２封止膜３４ｃの形成方法は、第１封止膜３４ａと同じであって、例えばシリコンの酸化物を真空蒸着する方法が挙げられる。第２封止膜３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。そして、ステップＳ３へ進む。

図９のカラーフィルター形成工程（ステップＳ３）において、カラーフィルター３６はフォトリソ工程により形成される。
まず、図１１（ｂ）に示すように、素子形成領域１Ａごとに形成された封止層３４上に凸部３５を形成する。凸部３５の形成方法としては、着色材料を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法を用いて塗布してプレベークすることにより、膜厚がおよそ１μｍ程度の感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂材料はポジタイプでもネガタイプでもよい。フォトリソグラフィー法を用いて、感光性樹脂層を露光・現像することにより、封止層３４上に凸部３５を形成する。基材１１上における凸部３５の形成位置は、隣り合う異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応する画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの間である。

そして、図１１（ｃ）に示すように、凸部３５が形成された封止層３４の表面に、緑色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて第１感光性樹脂層５０ｇを形成する。第１感光性樹脂層５０ｇを露光・現像することにより、図１１（ｄ）に示すように、画素電極３１Ｇの上方に位置する凸部３５間を埋める着色層３６Ｇを形成する。

次に、着色層３６Ｇが形成された封止層３４の表面に、青色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて第２感光性樹脂層を形成する。この第２感光性樹脂層を露光・現像することにより、着色層３６Ｂを形成する。

次に、着色層３６Ｂと着色層３６Ｇとが形成された封止層３４の表面に、赤色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して、ベークすることで乾燥させて第３感光性樹脂層を形成する。この第３感光性樹脂層を露光・現像することにより、着色層３６Ｒを形成する。

これにより、図１１（ｅ）に示すように、画素電極３１Ｂの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｂが形成され、画素電極３１Ｇの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｇが形成され、画素電極３１Ｒの上方に位置する凸部３５間に着色層３６Ｒが形成される。

平坦化膜３４ｂの下層に形成されている有機ＥＬ素子３０は、有機材料からなる機能層３２を含んでいる。そのため、着色層３６Ｒ、３６Ｇ、３６Ｂの乾燥時の温度を１１０℃以下に設定して、機能層３２の劣化を防止する。

さらにカラーフィルター形成工程では、図１２（ａ）に示すように、素子形成領域１Ａごとに形成したカラーフィルター３６をそれぞれパターニングすることによって、各カラーフィルター３６に間隙部３７を形成する。間隙部３７を形成すると同時に、表示領域Ｅ０に第１カラーフィルター１３６Ａが形成され、非表示領域Ｅ３に第２カラーフィルター１３６Ｂが形成される。このとき、間隙部３７が非表示領域Ｅ３に位置するように形成する。

図９の保護ガラスの貼り合せ工程（ステップＳ５）では、図１２（ｂ）に示すように、カラーフィルター３６の表面を覆うように接着材を塗布して透明接着層４２を形成する。そして、透明接着層４２が塗布されたアレイ基板１に対して保護ガラス６０を所定の位置に対向配置して、例えば保護ガラス６０をアレイ基板１側に押圧する。

これにより、透明接着層４２を介してアレイ基板１と保護ガラス６０とを貼り合わせる。透明接着層４２は、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂である。透明接着層４２の厚みはおよそ１０μｍ〜１００μｍである。保護ガラス６０を貼り合せた後、ステップＳ６へと進む。
ここで、透明接着層４２を介してアレイ基板１と保護ガラス６０とを貼り合わせた形態を接合体６１とする。

続いて、図９の分断・個片化工程（ステップＳ６）について、図１３（ａ）〜（ｇ）を参照しながら説明する。分断・個片化工程（ステップＳ６）では、保護ガラス６０とアレイ基板１とが貼り付けられた上記接合体６１を切断することで個片化して、有機ＥＬ装置１００のベース体１００Ａを複数製造する。

まず、図１３（ａ）に示すように、アレイ基板１に形成された外部接続端子４０の一端側において、保護ガラス６０に切目６０ａを入れ、該切目６０ａに沿って折曲力を加えて保護ガラス６０を分断する。

続いて、図１３（ｂ）に示すように、保護ガラス６０における外部接続端子４０の他端側をダイシングブレード６２により切断し、図１３（ｃ）に示すように、ロボットハンドにより切断したガラスを取り除く。

続いて、接合体６１の法線を軸として接合体６１を９０度回転させ、図１３（ｄ）に示すように、スペーサ部材６５を避けるように保護ガラス６０をダイシングブレード６２により切断する。
続いて、図１３（ｅ）に示すように、接合体６１を９０度回転させ、外部接続端子４０の他端側においてアレイ基板１をダイシングブレード６２により切断する。
続いて、図１３（ｆ）に示すように、接合体６１を再度９０度回転させ、切断済みの保護ガラス６０の隙間（不図示）からダイシングブレード６２を挿入することで、スクライブライン（分断領域）ＳＬに沿ってアレイ基板１を切断する。

以上により、図１３（ｇ）に示すように、接合体６１から複数のベース体１００Ａを形成する。この後に、ベース体１００Ａの外部接続端子４０に図２に示したＦＰＣ４３を実装して、有機ＥＬ装置１００が完成する。

ここで、有機ＥＬ装置１００を製造する際、上述した分断・個片化工程における分断時の衝撃で、切目６０ａの近くの封止層３４とカラーフィルター３６との界面で剥離が生じる場合がある。その状態で熱衝撃試験等を行うと、カラーフィルター３６と封止層３４との熱膨張差によるストレスによって、界面の剥離が進行して表示不良を発生させてしまうおそれがあった。本実施形態の基材１１は、４辺を切り出されることで得られる。そのため、４辺全てにおいてカラーフィルター３６と封止層３４との剥離が生じかねない。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、第１カラーフィルター１３６Ａと第２カラーフィルター１３６Ｂとの間に環状の間隙部３７が形成されたカラーフィルター３６を備えている。第１カラーフィルター１３６Ａの周囲を囲んで間隙部３７を形成しておくことにより、第１カラーフィルター１３６Ａの周囲からの剥離を効果的に防止することが可能である。

すなわち、有機ＥＬ装置１００の周縁部分におけるカラーフィルター３６と封止層３４との界面、つまり、第２カラーフィルター１３６Ｂと封止層３４との界面で剥離が生じたとしても、間隙部３７において剥離の進行を止めることができる。そのため、表示領域Ｅ０に形成されている第１カラーフィルター１３６Ａには第２カラーフィルター１３６Ｂにおける剥離の影響が及ぶことがなく、封止層３４と第１カラーフィルター１３６Ａとの密着性を確保することができる。
よって本実施形態によれば、表示不良の発生を防止することができ、信頼性の高い有機ＥＬ装置１００を提供することができる。

なお、本実施形態の効果は、製造時の分断に起因して生じる剥離に限られず、これ以外に経年劣化等によって生じる剥離等にも有効である。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ装置について説明する。
図１４は、第２実施形態の有機ＥＬ装置２００におけるカラーフィルター４６の形成領域を示す平面図である。なお、図１４においては、透明接着層４２及びＦＰＣ４３の図示を省略している。図１５は、第２実施形態の有機ＥＬ装置２００の全体構成を示す断面図である。図１６（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の有機ＥＬ装置２００の製造工程を示す概略断面図である。なお、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）に示す接合体６１を、接合体６１の法線を軸として９０度回転させた図である。

以下に示す有機ＥＬ装置２００の基本構成は、上記第１実施形態と略同様であるが、間隙部の形状において異なる。よって、以下の説明では、間隙部の形状について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図１〜図１３と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。

図１４に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２００は、第１カラーフィルター４６Ａ、第２カラーフィルター４６Ｂ及び連結カラーフィルター４６Ｃを含むカラーフィルター４６を備えている。カラーフィルター４６には間隙部４７が設けられている。

カラーフィルター４６は、図１５に示すように封止層３４上に形成されている。カラーフィルター４６は上述した３つの部位を有しており、図１４及び図１５に示すように、表示領域Ｅ０に形成された第１カラーフィルター４６Ａと、表示領域Ｅ０の外側の非表示領域Ｅ３に形成された第２カラーフィルター４６Ｂ及び連結カラーフィルター４６Ｃとにより構成されている。連結カラーフィルター４６Ｃは、外部接続端子４０側において当該外部接続端子４０に沿う部位であり、第１カラーフィルター４６Ａと第２カラーフィルター４６Ｂとを繋いでいる。

間隙部４７は、表示領域Ｅ０の外側であって、第１カラーフィルター４６Ａと第２カラーフィルター４６Ｂとの間に設けられ、表示領域Ｅ０の３方位を部分的に囲むように存在する。具体的には、基材１１における外部接続端子４０が形成されている辺１１ｂを除いた他の３つの辺１１ａに沿って間隙部４７が設けられている。

本実施形態の有機ＥＬ装置２００では、表示領域Ｅ０の外部接続端子４０側以外の周囲を部分的に囲むようにして形成された間隙部４７を有するカラーフィルター４６を備えている。本実施形態においても、先の実施形態と同様の効果を得ることができる。つまり、第２カラーフィルター４６Ｂと封止層３４との間で剥離が生じた場合にも、間隙部４７において剥離の進行を止めることができるので、第１カラーフィルター４６Ａと封止層３４との密着性を確保することができる。

先の実施形態のように、表示領域Ｅ０に形成された第１カラーフィルター４６Ａの全周に間隙部４７が設けられていなくても、カラーフィルター４６の周縁部分で生じた剥離の多くを間隙部４７において止めることが可能である。
これにより、表示不良の発生を防止することができ、信頼性の高い有機ＥＬ装置２００を提供することができる。

また、先の実施形態では、製造時にアレイ基板１を分断して基材１１を形成する際に４辺を切り出すことで基材１１を得ているが、例えば、３辺を切り出すことで基材１１を得ることができる場合にも本実施形態は有効である。

例えば、基材１１の４辺のうち、３つの辺１１ａは製造時に分断処理が施された箇所であり、残りの辺１１ｂは分断処理が施されずに済んだ箇所とする。図１６（ａ）〜（ｃ）に示すように、アレイ基板１に設定された複数の基材形成領域１Ｂのうち、アレイ基板１の側縁に位置する基材形成領域１Ｃの場合、アレイ基板１の辺１ｂを基材１１の辺１１ｂとして利用することができる。製造時に分断されずに済んだ辺１１ｂ側には、分断時の衝撃による影響がほとんどないため、必ずしも間隙部４７を設けなくてもよい。

このように、基材形成領域１Ｃのうち少なくとも分断処理が施されるスクライブラインＳＬに沿って間隙部４７を設けることで、分断時の衝撃によって、カラーフィルター４６と封止層３４との界面で剥離が生じたとしても、間隙部４７において剥離の進行を止めることができる。そのため、表示領域Ｅ０に形成されている第１カラーフィルター４６Ａには第２カラーフィルター４６Ｂにおける剥離の影響が及ぶことがなく、封止層３４と第１カラーフィルター４６Ａとの密着性が確保され、良好な表示を得ることができる。
よって、本実施形態によれば、表示信頼性の高い有機ＥＬ装置２００を提供することができる。

なお、図１４に示したように、連結カラーフィルター４６Ｃの短手方向における幅Ｗは、できるだけ小さい寸法であることが望ましい。つまり、間隙部３７をできるだけ基材１１の辺１１ａに沿って延在させることによって、周縁側の剥離の影響が内部に進行するのを間隙部３７においてより効果的に防止することができる。

また、本実施形態においては、基材１１における外部接続端子４０が形成されている辺１１ｂを除いた他の３つの辺１１ａに沿って間隙部４７を設けたが、これに限らず、辺１１ｂに沿って部分的に間隙部４７を設けてもよい。また、他の３つの辺１１ａのいずれか一辺を除いて間隙部４７を設けてもよい。

［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態の有機ＥＬ装置について説明する。
図１７は、第３実施形態の有機ＥＬ装置３００における透明接着層（接着層）４８の形成領域を示す平面図である。なお、図１７においてはＦＰＣ４３の図示を省略している。図１８は、第３実施形態の有機ＥＬ装置３００の全体構成を示す断面図である。図１９（ａ）〜（ｄ）は、第３実施形態の有機ＥＬ装置３００の製造工程を示す概略断面図である。なお、図１９（ｂ）、（ｄ）は、（ａ）、（ｃ）に示す接合体６１を９０度回転させた図である。

以下に示す有機ＥＬ装置３００の基本構成は、上記第２実施形態と略同様であるが、透明接着層４８の形成領域において異なる。よって、以下の説明では、透明接着層４８について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図１〜図１３と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。

図１７及び図１８に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置３００は、カラーフィルター４６の上面と側面の一部とを覆うように形成された透明接着層４８を備えている。透明接着層４８は、基材１１上に形成された外部接続端子４０を露出させるようにして、その周辺が平面視で基材１１の３つの辺１１ａと重なるように形成されている。

具体的には、カラーフィルター４６における外部接続端子４０側の側面４ｂ以外の３つの側面４ａが透明接着層４８により覆われている。さらに、その下層にある封止層３４においても、図１８に示すように、外部接続端子４０側の側面１３４ｂ以外の３つの側面１３４ａも透明接着層４８により覆われている。

本実施形態では、図１８に示すように、透明接着層４８の膜厚方向（Ｚ方向）における側面４８Ａの少なくとも一部が基材１１の側面１１Ａと同一平面上にある。透明接着層４８は、封止層３４及びカラーフィルター４６の周方向における側面の一部を覆っている。

本実施形態の有機ＥＬ装置３００の製造方法では、保護ガラス６０の貼り合せ工程を行うにあたり、先ず、図１７及び図１９（ａ）に示すように、カラーフィルター４６の上面４ｃ及び３つの側面４ａを覆うとともに、アレイ基板１のスクライブライン（分断領域）ＳＬにかかるように接着材を塗布する。このようにして、上記した透明接着層４８の母材となる接着層４９を素子形成領域１Ａごとに形成する。ここでは、外部接続端子４０にだけ接着材が掛からないように気を付ければよい。

その後、この接着層４９を介して保護ガラス６０をアレイ基板１上に貼り合せる。

次に、図１９（ｂ）、（ｃ）に示すように、接合体６１の保護ガラス６０をダイシングブレード６２により切断し、ロボットハンドにより切断したガラスを取り除く。保護ガラス６０を切断し終えると、続けてダイシングブレード６２により、スクライブラインＳＬに沿ってアレイ基板１を切断する。この際、スクライブラインＳＬ上にある接着層４９も同時に切断することになる。このようにして、複数のベース体３００Ａを形成する。この後、ベース体３００Ａの外部接続端子４０に図２に示したＦＰＣ４３を実装することで本実施形態の有機ＥＬ装置３００が完成する。

上述したように、アレイ基板１の分断と同時に接着層４９を切断することによって、分断によって得られた基材１１の側面１１Ａと透明接着層４８の側面４８Ａとが同一平面となる。以前は、対向基板４１を貼り合せる際に接着層が基材１１上に達するような場合には、接着層を避けるようにしてアレイ基板１を分断していたが、アレイ基板１上に達した接着層とともにアレイ基板１を分断することによって、接着層が存在しない部分で分断するよりも基材１１の切り出しの大きさを小さくすることができる。基材１１を小さくすることができれば、有機ＥＬ装置３００の小型化を実現することができる。
また、本実施形態によれば、アレイ基板１のスクライブラインＳＬを気にすることなく接着材を塗布することができるため、塗布作業が容易になる。

なお、本実施形態の透明接着層４８の構成は、上記各実施形態にも応用することが可能である。

［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態の有機ＥＬ装置について説明する。
図２０は、第４実施形態の有機ＥＬ装置４００の全体構成を示す平面図である。なお、図２０においては、透明接着層４２及びＦＰＣ４３の図示を省略している。図２１は、第４実施形態の有機ＥＬ装置４００の全体構成を示す断面図である。図２２及び図２３は、第４実施形態の有機ＥＬ装置４００の製造工程を示す概略断面図である。

以下に示す有機ＥＬ装置４００の基本構成は、上記第１実施形態と略同様であるが、封止層とカラーフィルターの構造において異なる。よって、以下の説明では、封止層及びカラーフィルターの構造について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図１〜図１３と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。

図２０及び図２１に示すように、有機ＥＬ装置４００は、基材１１上に、有機ＥＬ素子層３８、封止層３４、カラーフィルター５６が順に形成されており、このカラーフィルター５６を保護するために、透明接着層４２を介して対向基板４１が配置されている。本実施形態の有機ＥＬ装置４００は、封止層３４に連続する下地層４５と、下地層４５上に積層されカラーフィルター５６に連続するダミーフィルター（第３カラーフィルター）３９と、をさらに備えている。カラーフィルター５６及び下地層４５を貫通する開口からは、基材１１上に形成された外部接続端子４０が露出している。

下地層４５は、封止層３４の第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとから構成されている。

カラーフィルター５６は、図２０に示すように、表示領域Ｅ０に形成された第１カラーフィルター５６Ａと、非表示領域Ｅ３に第１カラーフィルター５６Ａの周囲を囲むようにして形成された第２カラーフィルター５６Ｂと、を有する。第１カラーフィルター５６Ａと第２カラーフィルター５６Ｂとの間には、枠状の間隙部３７が設けられている。

ダミーフィルター３９は、カラーフィルター５６に連続し、非表示領域Ｅ３の第２カラーフィルター５６Ｂとは異なる領域に形成されている。具体的には、第２カラーフィルター５６Ｂとの間で外部接続端子４０を露出させるように形成されている。

本実施形態の有機ＥＬ装置４００は、カラーフィルター５６及びダミーフィルター３９をマスクにして封止層３４および下地層４５をエッチングすることで得られたものである。

有機ＥＬ装置４００を製造するには、先ず、図２２（ａ）に示すように、基材形成領域１Ｂごとに有機ＥＬ素子３０及び外部接続端子４０が形成されたアレイ基板１上に、これら複数の有機ＥＬ素子３０及び複数の外部接続端子４０を覆う封止層形成膜３４０を形成する。ここでは、基材形成領域１Ｂごとではなく、アレイ基板１の表面全体に封止層形成膜３４０を形成する。
その後、封止層形成膜３４０の表面にカラーフィルター形成膜３６０を形成する。

次に、カラーフィルター形成膜３６０を露光・現像し、図２２（ｂ）に示すように基材形成領域１Ｂ毎にカラーフィルター５６及びダミーフィルター３９を形成する。この際、間隙部３７と、外部接続端子４０の大きさに対応する開口５７と、が形成される

次に、カラーフィルター５６をマスクとして利用し、封止層形成膜３４０をパターニングする。これにより、図２２（ｃ）に示すように、表示領域Ｅ０に封止層３４を形成するとともに非表示領域Ｅ３に下地層４５を形成する。また、このように開口５７を介したエッチングによって封止層形成膜３４０の膜厚を貫通させることで、外部接続端子４０を露出させる開口５２を形成する。

ここで、間隙部３７の大きさは、開口５７の大きさに比べると小さい。このため、開口５７の部分に比べて間隙部３７の部分では封止層形成膜３４０のエッチングが進まず、封止層形成膜３４０の一部が残ることも考えられる。

次に、図２３（ａ）に示すように、カラーフィルター５６を覆うようにして透明接着層４２を形成した後、これら透明接着層４２を介して保護ガラス６０をアレイ基板１上に貼り合せる。
その後、ダイシングブレードによって保護ガラス６０を切断して、図２３（ｂ）に示すように、素子形成領域１Ａごとに対向基板４１を形成する。

続けて、ダイシングブレードにより、スクライブラインＳＬに沿ってアレイ基板１を切断する。このようにして、図２３（ｃ）に示すような複数のベース体４００Ａを形成する。
この後、ベース体４００Ａの外部接続端子４０に、図２に示したＦＰＣ４３を実装することで本実施形態の有機ＥＬ装置４００が完成する。

本実施形態の有機ＥＬ装置４００によれば、アレイ基板１における第１基板の取り個数を増やすためにアレイ基板１の表面全体に亘って封止層３４を形成した場合であっても、カラーフィルター５６及びダミーフィルター３９をエッチングマスクとして利用して封止層３４をパターニングし、外部接続端子４０を露出させることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。各実施形態の構成を適宜組み合わせてもよい。

例えば図２４に示すように、第１カラーフィルター１３６Ａと第２カラーフィルター１３６Ｂとの間に、これらの境界に沿って間隙部３７と接続部５１が交互に複数設けられていてもよい。

（電子機器）
次に、本実施形態の電子機器について、図２５を参照して説明する。図２５は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
図２５に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ：電子機器）１３００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１３０１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１３００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１３０１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１３０１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１３０１には、上記した各実施形態の有機ＥＬ装置１００，２００，３００，４００のうちのいずれかが搭載されている。したがって、優れた表示品質を有すると共に、コストパフォーマンスに優れ小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ１３００を提供することができる。

ヘッドマウントディスプレイ１３００は、２つの表示部１３０１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１３０１を備える構成としてもよい。

なお、上記各実施形態における有機ＥＬ装置１００，２００，３００、４００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１３００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。

１…アレイ基板、１Ａ…素子形成領域、１１…基材（第１基板）、１１Ａ…基板の側面、３０…有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、３４…封止層（封止層）、３４ａ…第１封止膜（封止膜）、３４ｂ…平坦化膜（封止膜）、３４ｃ…第２封止膜（封止膜）、３６，４６，５６…カラーフィルター、４６Ａ，５６Ａ，１３６Ａ…第１カラーフィルター、４６Ｂ，５６Ｂ，１３６Ｂ…第２カラーフィルター、３７，４７…間隙部、３９…ダミーフィルター（第３カラーフィルター）、４０…外部接続端子、４１…対向基板（第２基板）、４２，４８…透明接着層（接着層）、４８Ａ…接着層の側面、４５…下地層、ＳＬ…スクライブライン（分断領域）

Claims (12)

1. 第１基板の素子形成領域に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス素子に積層された封止層と、
   前記封止層に積層された、少なくとも前記素子形成領域に設けられた第１カラーフィルターと、前記第１カラーフィルターの外側に配置された第２カラーフィルターと、を有するカラーフィルターと、
   少なくとも前記第１カラーフィルター上に設けられる第２基板と、
   前記第１カラーフィルターと前記第２基板との間に設けられた絶縁材料からなる接着層と、を備え、
   前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターとの間の少なくとも一部に設けられた間隙部において前記封止層と前記接着層とが接していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
2. 前記間隙部は、前記第１基板の法線方向から見て前記第２基板と重なる、
   請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
3. 前記間隙部は、前記素子形成領域の周囲を囲んで設けられている、
   請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
4. 矩形をなす前記第１基板の一辺に沿って外部接続端子が設けられ、
   前記間隙部は、前記第１基板における前記外部接続端子側の辺を除いた他の３辺に沿って設けられている、
   請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
5. 前記接着層の側面の少なくとも一部が前記第１基板の側面と同一平面上にある、
   請求項１から４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
6. 前記第１基板上の前記素子形成領域の外側に、前記封止層と同一材料からなる下地層と、前記下地層上に積層された第３カラーフィルターと、をさらに備え、
   前記封止層と前記下地層との間から前記第１基板上に形成された外部接続端子が露出している、
   請求項１から５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
7. 前記封止層は複数の封止膜で構成されており、前記複数の封止膜のうち前記第１カラーフィルターと接する封止膜は無機化合物で構成されてなる、
   請求項１から６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
8. 第１基板の素子形成領域に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止層を形成する工程と、
   前記素子形成領域の前記封止層上に第１カラーフィルターを形成するとともに前記第１
   カラーフィルターの外側に第２カラーフィルターを形成する工程と、
   少なくとも前記第１カラーフィルター上に絶縁材料からなる接着層を介して第２基板を接着する工程と、を有し、
   前記第１カラーフィルター及び前記第２カラーフィルターを形成する工程において、前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターとの間の少なくとも一部に間隙部を形成し、
   前記第２基板を接着する工程において、前記間隙部内に前記接着層を充填させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
9. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程において、
   複数の前記第１基板の形成領域を有するアレイ基板上に、前記第１基板の形成領域ごとに前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
   前記第１基板の形成領域の間の分断領域で前記アレイ基板を前記第１基板の形成領域ごとに分断する工程をさらに有する、
   請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
10. 前記分断領域にまで前記接着層が達した状態で前記アレイ基板を分断する、
    請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
11. 前記第１カラーフィルター、前記第２カラーフィルター及び前記封止層は、１１０℃以下の温度で形成される、
    請求項８から１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
12. 上記請求項１から７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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