JP6507545B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 - Google Patents
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Description
先ず、第1実施形態における有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置100と称す)の構造について、図1〜図13を参照して説明する。
図1は、第1実施形態における有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図、図2は、有機EL装置の構成を示す概略平面図、図3は、サブ画素の配置を示す概略平面図、図4は、図3のA−A’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図、図5は、サブ画素における凸部と着色層との配置を示す概略平面図、図6は、有機EL装置のX方向に沿う断面図、図7は、有機EL装置のY方向に沿う断面図、図8は、有機EL装置の平面図である。なお、図8においては、対向基板41、透明接着層(接着層)42及びFPC43の図示は省略してある。
駆動用トランジスター23のソースまたはドレインのうち一方が有機EL素子30の画素電極31に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線14に接続されている。駆動用トランジスター23のゲートと電源線14との間に蓄積容量22が接続されている。
図3に示すように、青(B)の発光が得られるサブ画素18B、緑(G)の発光が得られるサブ画素18G、赤(R)の発光が得られるサブ画素18RがX方向に順に配列されている。同色の発光が得られるサブ画素18はY方向に隣り合って配列されている。X方向に配列された3つのサブ画素18B,18G,18Rを1つの画素19として表示がなされる構成になっている。X方向におけるサブ画素18B,18G,18Rの配置ピッチは5μm未満である。X方向に0.5μm〜1.0μmの間隔をおいてサブ画素18B,18G,18Rが配置されている。Y方向におけるサブ画素18B,18G,18Rの配置ピッチはおよそ10μm未満である。
図4に示すように、有機EL装置100は、本発明における第1基板としての基材11と、基材(第1基板)11上に順に形成された反射層25、透明層26、有機EL素子層38を有する。基材11は、矩形状であっても正方形状であっても構わない。
Oxide)などの透明導電膜からなり、互いに膜厚が異なっている。具体的には、青(B)、緑(G)、赤(R)の順に膜厚が厚くなっている。画素電極31の光透過率は好ましくは50%以上、より好ましくは80%以上である。
着色層36B,36G,36Rは、サブ画素18B,18G,18Rに対応して形成され、封止層34上において、異なる色のサブ画素18B,18G,18Rの着色層36B,36G,36Rの間に凸部35が設けられている。封止層34上における凸部35の高さは、着色層36B,36G,36Rの膜厚と略等しい。
なお、各画素電極31の外縁は、絶縁膜27により被覆され、絶縁膜27に設けられた開口部27aにおいて画素電極31は機能層32と接している。サブ画素18において開口部27aが実質的に発光に寄与する領域であるため、凸部35の底面が開口部27a以外の画素電極31と重なるように凸部35を形成してもよい。
図6〜図8では、基材11上における上における画素回路20を構成する駆動用トランジスター23などや反射層25、透明層26、画素電極31の表示を省略しており、有機EL素子30も簡略化して図示している。なお、図8では、透明接着層42及びFPC43の図示を省略している。
図9は、第1実施形態の有機EL装置の製造方法を示すフローチャート、図10(a)、図10(b)は、第1実施形態の有機EL装置の製造工程を示す概略断面図である。なお、図10(b)は、素子形成領域1Aを拡大して示す図である。図11(a)〜(e)は、第1実施形態の有機EL装置の製造工程を示す概略断面図であって、いずれも素子形成領域1Aを拡大して示す図である。図12(a)、(b)は、第1実施形態の有機EL装置の製造工程を示す概略断面図である。図13(a)〜(g)は、第1実施形態の有機EL装置の製造工程を示す概略断面図である。なお、図13においては、有機EL素子層の図示を省略している。
なお、以下では、基材形成領域1B(素子形成領域1A)に着目した断面工程図に基づいて説明する。
まず、図11(b)に示すように、素子形成領域1Aごとに形成された封止層34上に凸部35を形成する。凸部35の形成方法としては、着色材料を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法を用いて塗布してプレベークすることにより、膜厚がおよそ1μm程度の感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂材料はポジタイプでもネガタイプでもよい。フォトリソグラフィー法を用いて、感光性樹脂層を露光・現像することにより、封止層34上に凸部35を形成する。基材11上における凸部35の形成位置は、隣り合う異なる色のサブ画素18B,18G,18Rに対応する画素電極31B,31G,31Rの間である。
ここで、透明接着層42を介してアレイ基板1と保護ガラス60とを貼り合わせた形態を接合体61とする。
続いて、図13(e)に示すように、接合体61を90度回転させ、外部接続端子40の他端側においてアレイ基板1をダイシングブレード62により切断する。
続いて、図13(f)に示すように、接合体61を再度90度回転させ、切断済みの保護ガラス60の隙間(不図示)からダイシングブレード62を挿入することで、スクライブライン(分断領域)SLに沿ってアレイ基板1を切断する。
よって本実施形態によれば、表示不良の発生を防止することができ、信頼性の高い有機EL装置100を提供することができる。
次に、本発明の第2実施形態の有機EL装置について説明する。
図14は、第2実施形態の有機EL装置200におけるカラーフィルター46の形成領域を示す平面図である。なお、図14においては、透明接着層42及びFPC43の図示を省略している。図15は、第2実施形態の有機EL装置200の全体構成を示す断面図である。図16(a)〜(c)は、第2実施形態の有機EL装置200の製造工程を示す概略断面図である。なお、図16(b)は、図16(a)に示す接合体61を、接合体61の法線を軸として90度回転させた図である。
これにより、表示不良の発生を防止することができ、信頼性の高い有機EL装置200を提供することができる。
よって、本実施形態によれば、表示信頼性の高い有機EL装置200を提供することができる。
次に、本発明の第3実施形態の有機EL装置について説明する。
図17は、第3実施形態の有機EL装置300における透明接着層(接着層)48の形成領域を示す平面図である。なお、図17においてはFPC43の図示を省略している。図18は、第3実施形態の有機EL装置300の全体構成を示す断面図である。図19(a)〜(d)は、第3実施形態の有機EL装置300の製造工程を示す概略断面図である。なお、図19(b)、(d)は、(a)、(c)に示す接合体61を90度回転させた図である。
また、本実施形態によれば、アレイ基板1のスクライブラインSLを気にすることなく接着材を塗布することができるため、塗布作業が容易になる。
次に、本発明の第4実施形態の有機EL装置について説明する。
図20は、第4実施形態の有機EL装置400の全体構成を示す平面図である。なお、図20においては、透明接着層42及びFPC43の図示を省略している。図21は、第4実施形態の有機EL装置400の全体構成を示す断面図である。図22及び図23は、第4実施形態の有機EL装置400の製造工程を示す概略断面図である。
その後、封止層形成膜340の表面にカラーフィルター形成膜360を形成する。
その後、ダイシングブレードによって保護ガラス60を切断して、図23(b)に示すように、素子形成領域1Aごとに対向基板41を形成する。
この後、ベース体400Aの外部接続端子40に、図2に示したFPC43を実装することで本実施形態の有機EL装置400が完成する。
次に、本実施形態の電子機器について、図25を参照して説明する。図25は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
図25に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ(HMD:電子機器)1300は、左右の目に対応して設けられた2つの表示部1301を有している。観察者Mはヘッドマウントディスプレイ1300を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部1301に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部1301に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
Claims (12)
- 第1基板の素子形成領域に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子に積層された封止層と、
前記封止層に積層された、少なくとも前記素子形成領域に設けられた第1カラーフィルターと、前記第1カラーフィルターの外側に配置された第2カラーフィルターと、を有するカラーフィルターと、
少なくとも前記第1カラーフィルター上に設けられる第2基板と、
前記第1カラーフィルターと前記第2基板との間に設けられた絶縁材料からなる接着層と、を備え、
前記第1カラーフィルターと前記第2カラーフィルターとの間の少なくとも一部に設けられた間隙部において前記封止層と前記接着層とが接していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記間隙部は、前記第1基板の法線方向から見て前記第2基板と重なる、
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記間隙部は、前記素子形成領域の周囲を囲んで設けられている、
請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 矩形をなす前記第1基板の一辺に沿って外部接続端子が設けられ、
前記間隙部は、前記第1基板における前記外部接続端子側の辺を除いた他の3辺に沿って設けられている、
請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記接着層の側面の少なくとも一部が前記第1基板の側面と同一平面上にある、
請求項1から4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記第1基板上の前記素子形成領域の外側に、前記封止層と同一材料からなる下地層と、前記下地層上に積層された第3カラーフィルターと、をさらに備え、
前記封止層と前記下地層との間から前記第1基板上に形成された外部接続端子が露出している、
請求項1から5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記封止層は複数の封止膜で構成されており、前記複数の封止膜のうち前記第1カラーフィルターと接する封止膜は無機化合物で構成されてなる、
請求項1から6のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 第1基板の素子形成領域に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に封止層を形成する工程と、
前記素子形成領域の前記封止層上に第1カラーフィルターを形成するとともに前記第1
カラーフィルターの外側に第2カラーフィルターを形成する工程と、
少なくとも前記第1カラーフィルター上に絶縁材料からなる接着層を介して第2基板を接着する工程と、を有し、
前記第1カラーフィルター及び前記第2カラーフィルターを形成する工程において、前記第1カラーフィルターと前記第2カラーフィルターとの間の少なくとも一部に間隙部を形成し、
前記第2基板を接着する工程において、前記間隙部内に前記接着層を充填させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程において、
複数の前記第1基板の形成領域を有するアレイ基板上に、前記第1基板の形成領域ごとに前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記第1基板の形成領域の間の分断領域で前記アレイ基板を前記第1基板の形成領域ごとに分断する工程をさらに有する、
請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記分断領域にまで前記接着層が達した状態で前記アレイ基板を分断する、
請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記第1カラーフィルター、前記第2カラーフィルター及び前記封止層は、110℃以下の温度で形成される、
請求項8から10のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 上記請求項1から7のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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