JP6318676B2 - 有機発光装置の製造方法、有機発光装置、及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光装置の製造方法、当該製造方法で製造した有機発光装置、及び当該有機発光装置を搭載した電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（以降、ＥＬと称す）装置は、液晶装置などの非発光型表示装置と比べて、光源としてのバックライトが不要となるため薄型化や軽量化の点で有利であり、ヘッドマウントディスプレイや電子ビューファインダーなどのマイクロディスプレイの表示部への応用が期待されている。さらに、ヘッドマウントディスプレイや電子ビューファインダーの表示部では、画素の小型化や高密度化が進展し、画素の面積がますます小さくなっている。

例えば、特許文献１には、陽極が設けられた基板の上に、発光層と、透明電極（陰極）と、透明保護層と、カラーフィルター層とが順に積層された有機ＥＬ装置が提案されている。カラーフィルター層は、画素ごとに所定の色相のカラーフィルター（着色層）を有し、発光層の劣化を抑制するために低温で形成されている。

特開２００１−１２６８６４号公報

異なる色相の２以上のサブ画素を有する有機ＥＬ装置において、所望の色バランス（例えば、ホワイトバランス）を得るため、および／または、所定のサブ画素における有機ＥＬ素子への電流負荷（例えば電流密度）を他のサブ画素よりも低減させるため、サブ画素における発光領域の面積を異ならせることがある。例えば、青色サブ画素における発光領域の面積を他のサブ画素（例えば緑色サブ画素）よりも大きくすることがある。

特許文献１に記載の有機ＥＬ装置において、サブ画素の発光領域の面積を異ならせる場合に、所定のサブ画素に対応するカラーフィルター（例えば、緑色のカラーフィルター）の面積を、他のカラーフィルター（例えば、青色のカラーフィルター）の面積と比べて、小さくすることになる。

発光層の劣化を抑制するためにカラーフィルター層を低温で形成すると、高温で形成する場合と比べて、カラーフィルター層の密着性が弱くなる。さらに、所定のサブ画素に対応するカラーフィルターの面積が他のカラーフィルターの面積と比べて小さいので、所定のサブ画素に対応するカラーフィルターの密着性がますます弱くなる。従って、所定のサブ画素に対応するカラーフィルターは、他のサブ画素に対応するカラーフィルターと比べて、密着性が弱く、剥がれやすいという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機発光装置の製造方法は、有機発光層を含む発光素子と、前記発光素子上の封止層と、前記封止層上のカラーフィルター層と、を備え、前記カラーフィルター層は、第１波長領域の光を透過させる第１カラーフィルターと、第２波長領域の光を透過させる第２カラーフィルターと、を有し、前記第２カラーフィルターの面積が前記第１カラーフィルターの面積よりも小さい有機発光装置の製造方法であって、前記第１カラーフィルターを形成する工程と、その後、前記第２カラーフィルターを形成する工程と、を有することを特徴とする。

第２カラーフィルターの面積は、第１カラーフィルターの面積よりも小さいので、第２カラーフィルターは、第１カラーフィルターと比べて封止層に対する密着性が弱くなる。本適用例によれば、第１カラーフィルターを形成した後に、第２カラーフィルターを形成しているので、第２カラーフィルターは、第１カラーフィルターを形成する工程の影響を受けない。例えば、第１カラーフィルターを形成する工程で機械的ストレスを受け第２カラーフィルターが剥がれるという不具合、すなわち第２カラーフィルターの密着性が弱いことによって発生する不具合を抑制することができる。
従って、本適用例に係る製造方法では、密着性が弱い第２カラーフィルターの不具合、例えば第２カラーフィルターの剥がれが抑制され、有機発光装置を安定して製造することができる。

［適用例２］上記適用例に係る有機発光装置の製造方法は、前記カラーフィルター層は、第３波長領域の光を透過させる第３カラーフィルターをさらに有し、前記第３カラーフィルターの面積は、前記第２カラーフィルターの面積と同じ、または前記第２カラーフィルターの面積よりも大きく、前記第２カラーフィルターを形成する工程より前に前記第３カラーフィルターを形成することが好ましい。

第２カラーフィルターの面積は、第３カラーフィルターの面積と同じ、または第３カラーフィルターの面積よりも小さいので、第２カラーフィルターは、第３カラーフィルターと比べて封止層に対する密着性が同じ程度か、または弱くなる。
本適用例では、第３カラーフィルターを形成した後に、第２カラーフィルターを形成しているので、第２カラーフィルターは、第３カラーフィルターを形成する工程の影響を受けない。例えば、第３カラーフィルターを形成する工程で機械的ストレスを受け第２カラーフィルターが剥がれるという不具合、すなわち第２カラーフィルターの密着性が弱いことによって発生する不具合を抑制することができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機発光装置の製造方法は、前記発光素子は、前記有機発光層の発光を抑制する絶縁膜を備え、前記第１カラーフィルターを形成する工程よりも前に、前記封止層と前記カラーフィルター層との間で、平面視で前記絶縁膜に重なる部分に透明層を形成する工程を有することが好ましい。

絶縁膜が設けられた領域は、発光層の発光が抑制された領域となり、透明層を形成する領域となる。絶縁膜が設けられていない領域は、発光層が発光する領域となり、カラーフィルターを形成する領域となる。透明層は、カラーフィルターを形成する領域を区画し、例えば第１カラーフィルター及び第２カラーフィルターの境界部分に配置される。透明層を形成した後に、第１カラーフィルター及び第２カラーフィルターを順に形成することで、例えば第１カラーフィルター及び第２カラーフィルターの境界部分において、第２カラーフィルターが第１カラーフィルターの側に流動し、第１カラーフィルターの色相が変化するという不具合を抑制することができる。

［適用例４］上記適用例に係る有機発光装置の製造方法は、前記カラーフィルター層を形成するプロセス温度は、１１０℃以下であることが好ましい。

カラーフィルター層を、１１０℃以下の低温で形成することによって、有機発光層の熱劣化を抑制することができる。

［適用例５］上記適用例に係る有機発光装置の製造方法は、前記カラーフィルター層を構成するカラーフィルターを、ストライプ形状に形成することが好ましい。

カラーフィルター層を複数の画素に跨るストライプ形状に形成すると、カラーフィルター層を画素毎に島状に形成する場合と比べて、カラーフィルター層の面積が大きくなり、カラーフィルター層の密着性を強くすることができる。

［適用例６］本適用例に係る有機発光装置は、有機発光層を含む発光素子と、前記発光素子上の封止層と、前記封止層上のカラーフィルター層と、を備え、前記カラーフィルター層は、第１波長領域の光を透過させる第１カラーフィルターと、第２波長領域の光を透過させる第２カラーフィルターと、を有し、前記第２カラーフィルターの面積は、前記第１カラーフィルターの面積よりも小さく、前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターとが隣り合う部分において、前記第２カラーフィルターは、前記第１カラーフィルターの端部を覆うように設けられていることを特徴とする。

本適用例によれば、第２カラーフィルターの面積は、第１カラーフィルターの面積よりも小さいので、第２カラーフィルターは、第１カラーフィルターと比べて封止層に対する密着性が弱くなる。
第２カラーフィルターを、第１カラーフィルターの端部を覆うように設けることによって、つまり第１カラーフィルターと平面的に重なる部分を有するように第２カラーフィルターを形成することによって、第１カラーフィルターと平面的に重ならない場合と比べて、第２カラーフィルターが封止層以外に接する部分の面積を大きくし、第２カラーフィルターの密着性を強くすることができる。

さらに、第２カラーフィルターは、異種材料（封止層）に接する部分に加えて、同種材料（第１カラーフィルター）に接する部分を有するようになる。同種材料が接する部分では、第２カラーフィルターの濡れ性や親和性（付着しやすさ）が向上し、第２カラーフィルターの密着性を強くすることができる。
従って、第２カラーフィルターの密着性が弱いことによる不具合、例えば第２カラーフィルターの剥がれを抑制することができる。

［適用例７］上記適用例に係る有機発光装置は、前記カラーフィルター層は、第３波長領域の光を透過させ、前記第２カラーフィルターと同じ面積、または前記第２カラーフィルターよりも大きい面積の第３カラーフィルターをさらに有し、前記第２カラーフィルターと前記第３カラーフィルターとが隣り合う部分において、前記第２カラーフィルターは、前記第３カラーフィルターの端部を覆うように設けられていることが好ましい。

第２カラーフィルターを、第３カラーフィルターの端部を覆うように設けることによって、つまり第３カラーフィルターと平面的に重なる部分を有するように第２カラーフィルターを形成することによって、第３カラーフィルターと平面的に重ならない場合と比べて、第２カラーフィルターが封止層以外に接する部分の面積を大きくし、第２カラーフィルターの密着性を強くすることができる。

さらに、第２カラーフィルターは、異種材料（封止層）に接する部分に加えて、同種材料（第３カラーフィルター）に接する部分を有するようになる。同種材料が接する部分では、第２カラーフィルターの濡れ性や親和性（付着しやすさ）が向上し、第２カラーフィルターの密着性を強くすることができる。
よって、第２カラーフィルターの密着性が弱いことによる不具合、例えば第２カラーフィルターの剥がれを抑制することができる。従って、有機発光装置では、第２カラーフィルターの剥がれによる欠陥が抑制され、高品位の表示（無欠陥あるいは欠陥が少ない表示）を提供することができる。

［適用例８］上記適用例に係る有機発光装置は、前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターとが隣り合う部分には、前記封止層と前記カラーフィルター層との間に透明層が配置されていることが好ましい。

第１カラーフィルターと第２カラーフィルターとが隣り合う部分には、透明層が配置され、例えば第２カラーフィルターが第１カラーフィルターの側に流動し、第１カラーフィルターの色相が変化するという不具合を抑制することができる。

［適用例９］上記適用例に係る有機発光装置は、前記第２カラーフィルターと前記第３カラーフィルターとが隣り合う部分には、前記封止層と前記カラーフィルター層との間に透明層が配置されていることが好ましい。

第２カラーフィルターと第３カラーフィルターとが隣り合う部分には、透明層が配置され、例えば第２カラーフィルターが第３カラーフィルターの側に流動し、第３カラーフィルターの色相が変化するという不具合を抑制することができる。

［適用例１０］上記適用例に係る有機発光装置は、前記カラーフィルター層を構成するカラーフィルターは、ストライプ形状であることが好ましい。

複数の画素に跨るように形成されたストライプ形状のカラーフィルター層は、画素毎に形成された島状のカラーフィルター層と比べて、カラーフィルター層の面積が大きくなり、カラーフィルター層の密着性が強くなる。

［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の有機発光装置を有していることを特徴とする。

上記適用例に記載の有機発光装置は、例えば第２カラーフィルターの剥がれによる欠陥が抑制され、高品位の表示（無欠陥あるいは欠陥が少ない表示）を提供することができる。従って、上記適用例に記載の有機発光装置を備えた電子機器も、高品位の表示を提供することができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用することができる。

実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図。 実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 サブ画素の構成を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 カラーフィルター層の製造方法を示す工程フロー。 図５に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す概略断面図。 実施形態２に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略断面図。 カラーフィルター層の製造方法を示す工程フロー。 図８に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す概略断面図。 実施形態３に係るヘッドマウントディスプレイの概略図。 変形例１に係る有機ＥＬ装置のサブ画素の構成を示す概略平面図。 変形例２に係る有機ＥＬ装置のサブ画素の構成を示す概略平面図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、本発明における「有機発光装置」の一例であり、後述するヘッドマウントディスプレイの表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイである。
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図である。図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について、説明する。

図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、保護基板４０とを有している。両基板は、後述する樹脂層４２（図４参照）によって接着されている。

素子基板１０は、青色光を発するサブ画素１８Ｂと、緑色の光を発するサブ画素１８Ｇと、赤色の光を発するサブ画素１８Ｒとがマトリックス状に配列された表示領域Ｅを有している。有機ＥＬ装置１００では、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとからなる画素１９が表示単位となって、フルカラーの表示が提供される。
以降の説明では、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒを、サブ画素１８と称する場合がある。

素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１５が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１６が設けられている。

保護基板４０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように配置されている。保護基板４０は、透光性の絶縁基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。保護基板４０は、表示領域Ｅに配置された後述する有機ＥＬ素子３０（図２参照）が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅよりも広く設けられている。

以降、当該第１辺に沿った方向をＸ方向とする。当該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。素子基板１０から保護基板４０に向かう方向をＺ方向とする。

表示領域Ｅには、カラーフィルター層３６が設けられている。カラーフィルター層３６は、青色の光を透過する着色層３６Ｂ（以降、青色の着色層３６Ｂと称す）、緑色の光を透過する着色層３６Ｇ（以降、緑色の着色層３６Ｇと称す）と、赤色の光を透過する着色層３６Ｒ（以降、赤色の着色層３６Ｒと称す）とで構成される。
なお、青色の光は本発明における「第１波長領域の光」の一例であり、赤色の光は本発明における「第２波長領域の光」の一例であり、緑色の光は本発明における「第３波長領域の光」の一例である。青色の着色層３６Ｂは本発明における「第１カラーフィルター」の一例であり、赤色の着色層３６Ｒは本発明における「第２カラーフィルター」の一例であり、緑色の着色層３６Ｇは本発明における「第３カラーフィルター」の一例である。

青色の着色層３６Ｂは、複数のサブ画素１８Ｂに配置され、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなしている。緑色の着色層３６Ｇは、複数のサブ画素１８Ｇに配置され、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなしている。赤色の着色層３６Ｒは、複数のサブ画素１８Ｒに配置され、Ｙ方向に延びたストライプ形状をなしている。

着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６ＲのＸ方向の長さは、青色の着色層３６Ｂ、緑色の着色層３６Ｇ、赤色の着色層３６Ｒの順に小さくなっている。青色の着色層３６Ｂ、緑色の着色層３６Ｇ、及び赤色の着色層３６ＲのＹ方向の長さは、それぞれ同じである。従って、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの面積は、青色の着色層３６Ｂ、緑色の着色層３６Ｇ、赤色の着色層３６Ｒの順に小さくなっている。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。走査線１２は走査線駆動回路１６に接続され、データ線１３はデータ線駆動回路１５に接続されている。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８を有している。

サブ画素１８は、有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、後述する絶縁膜２８（図４参照）と、発光機能層３２と、対向電極３３とを有している。画素電極３１は、発光機能層に３２に正孔を供給する陽極として機能する。対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給する陰極として機能する。画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが発光機能層３２で結合し、発光機能層３２が白色に発光する。
有機ＥＬ素子３０は、本発明における「発光素子」の一例である。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型トランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは、走査線１２に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のソースまたはドレインのうち一方は、データ線１３に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のソースまたはドレインのうち他方は、駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。

駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方は、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち他方は、電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間には、蓄積容量２２が接続されている。

走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して、画素電極３１と対向電極３３とで挟まれた発光機能層３２に、ゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、発光機能層３２に流れる電流量に応じて発光する。

「サブ画素の概要」
図３は、サブ画素の構成を示す概略平面図である。図３では、サブ画素１８の構成要素のうち、画素電極３１、絶縁膜２８、及び着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒが図示され、他の構成要素の図示は省略されている。
次に、図３を参照してサブ画素１８の構成とその平面的な配置について説明する。

図３に示すように、赤色の着色層３６Ｒが配置されたサブ画素１８Ｒ、緑色の着色層３６Ｇが配置されたサブ画素１８Ｇ、及び青色の着色層３６Ｂが配置されたサブ画素１８Ｂは、Ｙ方向に延びたストライプ形状を有し、Ｘ方向に順に配置されている。

サブ画素１８のＸ方向の長さは、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に小さくなっている。サブ画素１８のＹ方向の長さは、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒで、それぞれ同じである。従って、サブ画素１８の面積は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に小さくなっている。
なお、サブ画素１８のＸ方向の長さ、及びサブ画素１８のＹ方向の長さは、それぞれ１０μｍよりも小さい。

サブ画素１８には、画素電極３１が配置されている。画素電極３１のＸ方向の長さは、サブ画素１８Ｂに配置される画素電極３１Ｂ、サブ画素１８Ｇの配置される画素電極３１Ｇ、サブ画素１８Ｒに配置される画素電極３１Ｒの順に小さくなっている。画素電極３１のＹ方向の長さは、画素電極３１Ｂ、画素電極３１Ｇ、及び画素電極３１Ｒのそれぞれで、同じである。従って、画素電極３１の面積は、画素電極３１Ｂ、画素電極３１Ｇ、画素電極３１Ｒの順に小さくなっている。

絶縁膜２８は、画素電極３１と発光機能層３２との間に配置されている（図４参照）。絶縁膜２８及び発光機能層３２は、表示領域Ｅの略全面に配置されている。画素電極３１は、複数のサブ画素１８のそれぞれに島状に配置されている。図中の太い破線で囲まれた領域は、絶縁膜２８が設けられていない領域である。絶縁膜２８は、画素電極３１の周縁部を覆うように配置され、画素電極３１を露出する開口２８ＣＴ（２８ＢＣＴ，２８ＧＣＴ，２８ＲＣＴ）を有している。つまり、絶縁膜２８には、サブ画素１８Ｂの画素電極３１Ｂを露出する開口２８ＢＣＴ、サブ画素１８Ｇの画素電極３１Ｇを露出する開口２８ＧＣＴ、サブ画素１８Ｒの画素電極３１Ｒを露出する開口２８ＲＣＴが設けられている。さらに、開口２８ＣＴの面積は、サブ画素１８Ｂの開口２８ＢＣＴ、サブ画素１８Ｇの開口２８ＧＣＴ、サブ画素１８Ｒの開口２８ＲＣＴの順に小さくなっている。
なお、絶縁膜２８は、本発明における「発光を抑制する絶縁膜」の一例であり、また隣り合う画素電極３１間でリーク電流が流れることを抑制するものである。

開口２８ＣＴが設けられた部分では、画素電極３１と発光機能層３２とが接し、画素電極３１から発光機能層３２に正孔が供給され、発光機能層３２が発光する。つまり、開口２８ＣＴが設けられた部分が、発光機能層３２が発光する発光領域Ｖ１となる。開口２８ＢＣＴは、青色の光を発する発光領域Ｖ１となる。開口２８ＧＣＴは、緑色の光を発する発光領域Ｖ１となる。開口２８ＲＣＴは、赤色の光を発する発光領域Ｖ１となる。

絶縁膜２８が設けられた部分では、画素電極３１から発光機能層３２への正孔の供給が抑制され、発光機能層３２の発光が抑制される。つまり、絶縁膜２８が設けられた部分が、発光機能層３２の発光が抑制された発光抑制領域Ｖ２となる。

発光機能層３２が長期間発光すると、つまり発光機能層３２に長期間電流を流すと、発光機能層３２で発した光の輝度が徐々に小さくなるという発光機能層３２の劣化が進行する。発光機能層３２の劣化は、発光機能層３２を流れる電流密度によって変化し、発光機能層３２に流れる電流密度が大きくなると、発光機能層３２は早く劣化する。さらに、発光機能層３２の劣化は、発光機能層３２を構成する有機発光材料によっても異なり、長波長側の色を発する有機発光材料と比べて、短波長側の色を発する有機発光材料のほうが早く劣化しやすい。例えば、青色の光を発する有機発光材料は、赤色の光を発する有機発光材料と比べて早く劣化しやすい。

このため、本実施形態では、青色の光を発する発光領域Ｖ１（開口２８ＢＣＴ）の面積を、赤色の光を発する発光領域Ｖ１（開口２８ＲＣＴ）の面積よりも大きくしている。これは、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、やサブ画素１８Ｒからの光により所望の色バランス（例えば、ホワイトバランス）を得るため、および／または、発光領域Ｖ１（開口２８ＢＣＴ）における電流密度を発光領域Ｖ１（開口２８ＲＣＴ）よりも低減させるための構成である。
詳しくは、発光領域Ｖ１（開口２８ＣＴ）の面積を、青色の光を発する発光領域Ｖ１（開口２８ＢＣＴ）、緑色の光を発行する発光領域Ｖ１（開口２８ＧＣＴ）、赤色の光を発する発光領域Ｖ１（開口２８ＲＣＴ）の順に小さくしている。

Ｘ方向において、青色の着色層３６Ｂは、青色の光を発する発光領域Ｖ１（開口２８ＢＣＴ）を挟んで対向する発光抑制領域Ｖ２に跨り、端部が赤色の着色層３６Ｒと緑色の着色層３６Ｇとに平面的に重なるように配置されている。

Ｘ方向において、緑色の着色層３６Ｇは、緑色の光を発する発光領域Ｖ１（開口２８ＧＣＴ）を挟んで対向する発光抑制領域Ｖ２に跨り、端部が青色の着色層３６Ｂと赤色の着色層３６Ｒとに平面的に重なるように配置されている。

Ｘ方向において、赤色の着色層３６Ｒは、緑色の光を発する発光領域Ｖ１（開口２８ＲＣＴ）を挟んで対向する発光抑制領域Ｖ２に跨り、端部が緑色の着色層３６Ｇと青色の着色層３６Ｂとに平面的に重なるように配置されている。

「有機ＥＬ装置の断面構造」
図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。
次に、図４を参照して、有機ＥＬ装置１００の断面構造を説明する。

図４に示すように、有機ＥＬ装置１００では、素子基板１０と、樹脂層４２と、保護基板４０とが、Ｚ方向に順に積層されている。
樹脂層４２は、素子基板１０と保護基板４０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。

素子基板１０は、基板１１と、基板１１にＺ方向に順に積層された反射層２５と、光学的距離調整層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止層３４と、カラーフィルター層３６とを有している。

基板１１は、例えばシリコンからなる半導体基板に、走査線１２、データ線１３、電源線１４、データ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６、スイッチング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３（図２参照）などが、公知技術によって形成されたトランジスター基板である。
なお、基板１１の母材は、シリコンに限定されず、例えば石英やガラスなどの透光性を有する絶縁基板であってもよい。

反射層２５は、発光機能層３２で発した光を反射する一対の反射層の中の一方の反射層である。反射層２５は、反射率の高い材料によって形成され、複数のサブ画素１８に跨って配置されている。反射層２５の形成材料としては、例えばアルミニウムや銀などを使用することができる。

光学的距離調整層２６は、第１絶縁膜２６ａ、第２絶縁膜２６ｂ、及び第３絶縁膜２６ｃで構成される。第１絶縁膜２６ａは、反射層２５の上に設けられ、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに配置されている。第２絶縁膜２６ｂは、第１絶縁膜２６ａの上に設けられ、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに配置されている。第３絶縁膜２６ｃは、第２絶縁膜２６ｂの上に設けられ、サブ画素１８Ｒに配置されている。その結果、光学的距離調整層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。

有機ＥＬ素子３０は、Ｚ方向に順に積層された画素電極３１と、絶縁膜２８と、発光機能層３２と、対向電極３３とを有している。
画素電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性材料で構成され、サブ画素１８毎に島状に形成されている。
絶縁膜２８は、例えば酸化シリコンで構成され、画素電極３１の周縁部を覆うように配置されている。上述したように、絶縁膜２８は開口２８ＣＴを有し、開口２８ＣＴが設けられた部分が発光領域Ｖ１となり、絶縁膜２８が設けられた部分が発光抑制領域Ｖ２となる。

発光機能層３２は、Ｚ方向に順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、青色で発光する青色発光層と、赤色及び緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい。

対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。対向電極３３は、発光機能層３２で発した光を反射する一対の反射層の中の他方の反射層である。

封止層３４は、Ｚ方向に順に積層された第１封止層３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止層３４ｃとで構成され、有機ＥＬ素子３０を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。なお、封止層３４には、外部接続用端子１０３（図１参照）を露出させる開口（図示省略）が設けられている。

第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。

平坦化層３４ｂは、例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。平坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａの欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。

カラーフィルター層３６は、青色の着色層３６Ｂと、緑色の着色層３６Ｇと、赤色の着色層３６Ｒとで構成され、表示領域Ｅに配置されている。
青色の着色層３６Ｂは、第２封止層３４ｃの上で、サブ画素１８Ｂの発光領域Ｖ１に隣り合う発光抑制領域Ｖ２に跨って配置されている。

緑色の着色層３６Ｇは、第２封止層３４ｃの上で、サブ画素１８Ｇの発光領域Ｖ１に隣り合う発光抑制領域Ｖ２に跨って配置されている。サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２では、緑色の着色層３６Ｇは、青色の着色層３６Ｂの端部を覆うように配置されている。

赤色の着色層３６Ｒは、第２封止層３４ｃの上で、サブ画素１８Ｒの発光領域Ｖ１に隣り合う発光抑制領域Ｖ２に跨って配置されている。サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２では、赤色の着色層３６Ｒは、緑色の着色層３６Ｇの端部を覆うように配置されている。サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｂとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２では、赤色の着色層３６Ｒは、青色の着色層３６Ｂの端部を覆うように配置されている。

「光共振構造」
発光領域Ｖ１では、光反射性を有する反射層２５と、光学的距離調整層２６と、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とが、Ｚ方向に順に積層されている。発光機能層３２で発した光は、反射層２５と対向電極３３との間で繰り返し反射され、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離に対応する特定波長（共振波長）の光の強度が増幅され、表示光として保護基板４０からＺ方向に射出される。

詳しくは、光学的距離調整層２６は、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離を調整する役割を有している。サブ画素１８Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｒでは、共振波長が６１０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。

その結果、サブ画素１８Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色の光が発せられ、サブ画素１８Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色の光が発せられ、サブ画素１８Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色の光が発せられる。このように、有機ＥＬ装置１００は、特定波長の光の強度を増幅する光共振構造を有し、保護基板４０からＺ方向に射出される表示光の色純度を高めている。
すなわち、有機ＥＬ装置１００は、光共振構造を有し、表示光の色純度が高められ、高品位の表示を提供することができる。

「カラーフィルター層の製造方法」
図５は、カラーフィルター層の製造方法を示す工程フローである。図６は、図４に対応する図であり、図５に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
以下に、図５及び図６を参照して、カラーフィルター層３６の製造方法の概要を説明する。

図５に示すように、カラーフィルター層３６の製造方法は、青色の着色層３６Ｂを形成する工程（ステップＳ１）と、緑色の着色層３６Ｇを形成する工程（ステップＳ２）と、赤色の着色層３６Ｒを形成する工程（ステップＳ３）と、を含んでいる。

図６（a）に示すように、青色の色材（例えば、顔料）を含む感光性レジストを塗布して、青色の感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成して、第２封止層３４ｃの上でサブ画素１８Ｂの発光領域Ｖ１に隣り合う発光抑制領域Ｖ２に跨るように、青色の着色層３６Ｂを形成する。

詳しくは、青色の色材を含む感光性レジストをスピンコート法で塗布し、乾燥することにより、青色の感光性樹脂層を形成する。青色の感光性樹脂層は、例えば感光性のアクリル系樹脂で構成され、光が照射された（露光された）部分が不溶化する。青色の着色層３６Ｂを形成する領域に光を照射し（露光し）、例えば現像液をノズルから吐出し、未露光の感光性樹脂層を除去する。続いて、例えば純水をノズルから吐出し、不溶化した感光性樹脂層を洗浄した後に焼成し、硬化させて、所定の形状の青色の着色層３６Ｂを形成する。なお、感光性樹脂層は、発光機能層３２が熱劣化しないように、１１０℃または１１０℃よりも低い温度で焼成されている。つまり、青色の着色層３６Ｂを形成する工程のプロセス温度は、１１０℃以下である。

図６（ｂ）に示すように、緑色の色材（例えば、顔料）を含む感光性レジストを塗布して、感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成し、第２封止層３４ｃの上でサブ画素１８Ｇの発光領域Ｖ１に隣り合う発光抑制領域Ｖ２に跨り、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２において青色の着色層３６Ｂの端部を覆うように、緑色の着色層３６Ｇを形成する。

詳しくは、緑色の色材を含む感光性レジストをスピンコート法で塗布し、乾燥することにより、緑色の感光性樹脂層を形成する。緑色の感光性樹脂層は、例えば感光性のアクリル系樹脂で構成され、光が照射された（露光された）領域が不溶化する。緑色の着色層３６Ｇを形成する領域に光を照射し（露光し）、例えば現像液をノズルから吐出し、未露光の感光性樹脂層を除去する。続いて、例えば純水をノズルから吐出し、不溶化した感光性樹脂層を洗浄した後に焼成し、硬化させて、所定の形状の緑色の着色層３６Ｇを形成する。緑色の着色層３６Ｇを形成する工程のプロセス温度は、１１０℃以下である。

図６（ｃ）に示すように、赤色の色材（例えば、顔料）を含む感光性レジストを塗布して、感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成し、第２封止層３４ｃの上でサブ画素１８Ｒの発光領域Ｖ１に隣り合う発光抑制領域Ｖ２に跨り、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２において緑色の着色層３６Ｇの端部を覆い、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｂとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２において青色の着色層３６Ｂの端部を覆うように、赤色の着色層３６Ｒを形成する。

詳しくは、赤色の色材を含む感光性レジストをスピンコート法で塗布し、乾燥することにより、赤色の感光性樹脂層を形成する。赤色の感光性樹脂層は、例えば感光性のアクリル系樹脂で構成され、光が照射された（露光された）領域が不溶化する。赤色の着色層３６Ｒを形成する領域に光を照射し（露光し）、例えば現像液をノズルから吐出し、未露光の感光性樹脂層を除去する。続いて、例えば純水をノズルから吐出し、不溶化した感光性樹脂層を洗浄した後に焼成し、硬化させて、所定の形状の赤色の着色層３６Ｒを形成する。赤色の着色層３６Ｒを形成する工程のプロセス温度は、１１０℃以下である。

このように、カラーフィルター層３６を形成する工程のプロセス温度は、１１０℃以下であり、発光機能層３２の熱劣化が抑制されている。プロセス温度を１１０℃以下の低温としたために、例えば着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒに水分が残留し、例えば１１０℃よりも高いプロセス温度で形成した場合と比べて、下地膜に対する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの密着性が弱くなる。つまり、下地膜に対する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの接着強度は弱くなる。
以降、下地膜に対する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの密着性を、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの密着性と称し、下地膜に対する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの接着強度を着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの接着強度と称す。

例えば、ノズルから現像液や純水を吐出することによって、感光性樹脂層に機械的ストレスが加わるので、感光性樹脂層の密着性が弱すぎると、感光性樹脂層が下地膜から剥離する恐れがある。

下地膜と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒとの接触面積が小さくなると、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの接着強度が弱くなる。着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの面積は、青色の着色層３６Ｂ、緑色の着色層３６Ｇ、赤色の着色層３６Ｒの順に小さいので、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの接着強度は、青色の着色層３６Ｂ、緑色の着色層３６Ｇ、赤色の着色層３６Ｒの順には弱くなる。すなわち、赤色の着色層３６Ｒの接着強度が最も弱く、剥がれやすい。

赤色の着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｒの発光領域Ｖ１に加えて、サブ画素１８Ｒの発光領域Ｖ１に隣り合う発光抑制領域Ｖ２にも配置されている。つまり、赤色の着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｒに加えて、隣り合うサブ画素１８Ｂやサブ画素１８Ｇの一部にも配置されている。よって、本実施形態では、赤色の着色層３６Ｒをサブ画素１８Ｒだけに配置する場合と比べて、赤色の着色層３６Ｒの配置面積（下地膜との接触面積）を大きくし、赤色の着色層３６Ｒの接着強度を強くすることができるという効果を得ることができる。

赤色の着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２において緑色の着色層３６Ｇの端部を覆い、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｂとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２において青色の着色層３６Ｂの端部を覆うように設けられている。つまり、赤色の着色層３６Ｒは、異種材料（シリコン酸窒化物）で構成された第２封止層３４ｃに接する部分に加えて、同種材料（アクリル系樹脂）で構成された着色層３６Ｂ，３６Ｇに接する部分を有している。

同種材料が接する部分では、異種材料が接する部分と比べて、下地膜に対する赤色の着色層３６Ｒの濡れ性や親和性（付着しやすさ）が向上し、赤色の着色層３６Ｒの接着強度が強くなる。よって、本実施形態では、青色の着色層３６Ｂの端部や緑色の着色層３６Ｇの端部を覆うように、赤色の着色層３６Ｒを形成することによって、第２封止層３４ｃだけを覆うように形成する場合と比べて、赤色の着色層３６Ｒの接着強度を強くすることができるという効果を得ることができる。

さらに、本実施形態の製造方法では、面積の大きい着色層から順に形成している（接着強度が強い着色層から順に形成している）。すなわち、最初に面積が最も大きい（接着強度が最も強い）青色の着色層３６Ｂを形成し、次に面積が二番目に大きい（接着強度が二番目に強い）緑色の着色層３６Ｇを形成し、最後に面積が最も小さい（接着強度が最も弱い）赤色の着色層３６Ｒを形成している。

仮に、面積が最も小さい（接着強度が最も弱い）赤色の着色層３６Ｒを最初に形成した場合、その後に形成する青色の着色層３６Ｂや緑色の着色層３６Ｇの製造工程において、例えばノズルから吐出される現像液や純水の機械的ストレスによって、赤色の着色層３６Ｒが剥離する恐れがある。本実施形態では、面積が最も小さい（接着強度が最も弱い）赤色の着色層３６Ｒを最後に形成しているので、青色の着色層３６Ｂや緑色の着色層３６Ｇの製造工程の影響を受けることがない。

よって、面積が最も小さい（接着強度が最も弱い）赤色の着色層３６Ｒを形成しても、接着強度が最も弱いことによる赤色の着色層３６Ｒの不具合（例えば、剥がれ）が抑制されるという効果を得ることができる。
従って、接着強度が最も弱い赤色の着色層３６Ｒの不具合が抑制され、有機ＥＬ装置１００を安定して製造することができる。さらに、有機ＥＬ装置１００では、例えば赤色の着色層３６Ｒの剥がれによる欠陥が抑制され、高品位の表示（無欠陥あるいは欠陥が少ない表示）を提供することができる。

（実施形態２）
図７は、図４に対応する図であり、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略断面図である。図８は、カラーフィルター層の製造方法を示す工程フローである。図９は、図７に対応する図であり、図８に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す概略断面図である。

本実施形態の有機ＥＬ装置２００では、第２封止層３４ｃとカラーフィルター層３６との間に凸部３７が設けられている。この点が、本実施形態の有機ＥＬ装置２００と実施形態１の有機ＥＬ装置１００との主な相違点である。
以下に、図７乃至図９を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

図７に示すように、凸部３７は、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと同じ主材料（色材を含まないアクリル系樹脂）で構成され、封止層３４（第２封止層３４ｃ）とカラーフィルター層３６との間で、発光抑制領域Ｖ２に配置されている。つまり、凸部３７は、青色の着色層３６Ｂと緑色の着色層３６Ｇとが隣り合う部分、緑色の着色層３６Ｇと赤色の着色層３６Ｒとが隣り合う部分、及び赤色の着色層３６Ｒと青色の着色層３６Ｂとが隣り合う部分に配置されている。
さらに、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは、凸部３７の一部を覆うように配置されている。
なお、凸部３７は、本発明における「透明層」の一例である

青色の着色層３６Ｂは、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｒとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７と、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７との間を覆うように配置され、凸部３７の側壁部や頂部に接している。

緑色の着色層３６Ｇは、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｂとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７と、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７との間を覆うように配置され、凸部３７の側壁部や頂部に接している。さらに、緑色の着色層３６Ｇは、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｂとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２において青色の着色層３６Ｂの端部を覆っている。

赤色の着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｂとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７と、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｇとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７との間を覆うように配置され、凸部３７の側壁部や頂部に接している。さらに、赤色の着色層３６Ｒは、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｂとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２において青色の着色層３６Ｂの端部を覆い、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｇとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２において緑色の着色層３６Ｇの端部を覆っている。

図８に示すように、カラーフィルター層３６の製造方法は、凸部３７を形成する工程（ステップＳ１０）と、青色の着色層３６Ｂを形成する工程（ステップＳ１１）と、緑色の着色層３６Ｇを形成する工程（ステップＳ１２）と、赤色の着色層３６Ｒを形成する工程（ステップＳ１３）と、を含んでいる。
本実施形態のステップＳ１１は、実施形態１のステップＳ１（図５）と同じであり、本実施形態のステップＳ１２は、実施形態１のステップＳ２（図５）と同じであり、本実施形態のステップＳ１３は、実施形態１のステップＳ３（図５）と同じである。

図９（a）に示すように、透明な感光性レジスト、詳しくは増感剤などを含む色味を帯びた透光性の感光性レジストを塗布し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成して、発光抑制領域Ｖ２に凸部３７を形成する。

詳しくは、透明な感光性レジストをスピンコート法で塗布し、乾燥することにより、透明な感光性樹脂層を形成する。透明な感光性樹脂層は、例えば感光性のアクリル系樹脂で構成され、光が照射された（露光された）領域が不溶化する。透明な感光性樹脂層は、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成する工程で使用する感光性樹脂層と、同じ材料で構成されている。凸部３７を形成する領域に光を照射し（露光し）、例えば現像液をノズルから吐出し、未露光の感光性樹脂層を除去する。続いて、例えば純水をノズルから吐出し、不溶化した感光性樹脂層を洗浄した後に焼成し、硬化させて、発光抑制領域Ｖ２に所定の形状の凸部３７を形成する。なお、感光性樹脂層は、光を照射（露光）することによって、透明性が増し、透明な樹脂となる。凸部３７を形成する工程のプロセス温度は、１１０℃以下である。

サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｒとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７と、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７とで、青色の着色層３６Ｂを形成する領域が区画され、後工程で使用する青色の色材を含む感光性レジストを充填するためのセル（凹部）が形成される。

サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｂとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７と、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７とで、緑色の着色層３６Ｇを形成する領域が区画され、後工程で使用する緑色の色材を含む感光性レジストを充填するためのセル（凹部）が形成される。

サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｂとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７と、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｇとの境界部分の発光抑制領域Ｖ２に配置された凸部３７とで、赤色の着色層３６Ｒを形成する領域が区画され、後工程で使用する赤色の色材を含む感光性レジストを充填するためのセル（凹部）が形成される。

図９（ｂ）に示すように、青色の色材を含む感光性レジストを、凸部３７によって形成されたセルの中に充填し、青色の感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成して、第２封止層３４ｃや凸部３７の側壁部や頂部に接するように青色の着色層３６Ｂを形成する。

図９（ｃ）に示すように、緑色の色材を含む感光性レジストを、凸部３７によって形成されたセルの中に充填し、緑色の感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成して、第２封止層３４ｃや凸部３７の側壁部や頂部に接するように緑色の着色層３６Ｇを形成する。

図９（ｄ）に示すように、赤色の色材を含む感光性レジストを凸部３７によって形成されたセルの中に充填し、赤色の感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像し、焼成して、第２封止層３４ｃや凸部３７の側壁部や頂部に接するように赤色の着色層３６Ｒを形成する。

本実施形態では、実施形態１で得られる効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
１）着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成する感光性レジストを、凸部３７によって形成されたセルの中に充填するので、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成する感光性レジストの膜厚の均一性を高めることができる。

２）凸部３７には色材（例えば、顔料）が分散されていないので、色材が分散された着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと比べて、凸部３７の接着強度を強くすることができる。

３）強い接着強度の凸部３７の側頭部や頂部に接するように、つまり同種材料の凸部３７に接するように着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成することによって、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの接着強度を強くすることができる。

４）凸部３７によって、例えばステップＳ１２において緑色の着色層３６Ｇを形成する感光性レジストが青色の着色層３６Ｂの側に流動したり、ステップＳ１３において赤色の着色層３６Ｒを形成する感光性レジストが青色の着色層３６Ｂや緑色の着色層３６Ｇの側に流動することを抑制することができる。すなわち、凸部３７によって、色材の混色を抑制することができる。

（実施形態３）
「電子機器」
図１０は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１０に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００や有機ＥＬ装置２００のいずれかが搭載されている。上記実施形態では、接着強度が最も弱い赤色の着色層３６Ｒが剥がれるという不具合が抑制され、高品位の表示を提供する有機ＥＬ装置１００や有機ＥＬ装置２００を安定して製造することができる。従って、表示部１００１に上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００や有機ＥＬ装置２００のいずれかを搭載することによって、高品位の表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を安定して提供することができる。

なお、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００や有機ＥＬ装置２００のいずれかが搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。

本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機発光装置及び当該有機発光装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）
図１１は、変形例１に係る有機ＥＬ装置のサブ画素の構成を示す概略平面図である。本変形例では、実施形態１と比べてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの面積が異なっている。

図１１に示すように、サブ画素１８ＢのＸ方向の長さ及びサブ画素１８ＧのＸ方向の長さは同じであり、サブ画素１８ＲのＸ方向の長さは、サブ画素１８ＢのＸ方向の長さ及びサブ画素１８ＧのＸ方向の長さよりも小さい。サブ画素１８ＢのＹ方向の長さ、サブ画素１８ＧのＹ方向の長さ、サブ画素１８ＲのＹ方向の長さは、それぞれ同じである。従って、サブ画素１８Ｂの面積及びサブ画素１８Ｇの面積は同じであり、サブ画素１８Ｒの面積は、サブ画素１８Ｂの面積及びサブ画素１８Ｇの面積よりも小さい。

さらに、開口２８ＢＣＴが設けられた部分の面積は、開口２８ＧＣＴが設けられた部分の面積と同じであり、開口２８ＲＣＴが設けられた部分の面積は、開口２８ＢＣＴが設けられた部分の面積、及び２８ＧＣＴが設けられた部分の面積よりも小さい。すなわち、サブ画素１８Ｂの発光領域Ｖ１の面積は、サブ画素１８Ｇの発光領域Ｖ１の面積と同じであり、サブ画素１８Ｒの発光領域Ｖ１の面積は、サブ画素１８Ｂの発光領域Ｖ１の面積、及びサブ画素１８Ｇの発光領域Ｖ１の面積よりも小さい。

さらに、青色の着色層３６Ｂの面積は、緑色の着色層３６Ｇの面積と同じであり、赤色の着色層３６Ｒの面積は、青色の着色層３６Ｂの面積及び緑色の着色層３６Ｇの面積よりも小さい。よって、赤色の着色層３６Ｒの接着強度が最も弱くなる。

赤色の着色層３６Ｒは、実施形態１と同じ構成を有しているので、実施形態１と同じ効果、つまり接着強度が最も弱い赤色の着色層３６Ｒを剥がれにくくすることができる。従って、本変形例においても、接着強度が最も弱い部分の着色層（赤色の着色層３６Ｒ）が剥がれるという不具合が抑制され、高品位の表示（無欠陥あるいは欠陥が少ない表示）を提供する有機ＥＬ装置を安定して製造することができる。

（変形例２）
図１２は、変形例２に係る有機ＥＬ装置のサブ画素の構成を示す概略平面図である。本変形例は、実施形態１と比べてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの面積が異なっている。

図１２に示すように、サブ画素１８ＢのＸ方向の長さは、サブ画素１８ＧのＸ方向の長さ及びサブ画素１８ＲのＸ方向の長さよりも大きく、サブ画素１８ＧのＸ方向の長さは、サブ画素１８ＲのＸ方向の長さと同じである。サブ画素１８ＢのＹ方向の長さ、サブ画素１８ＧのＹ方向の長さ、サブ画素１８ＲのＹ方向の長さは、それぞれ同じである。従って、サブ画素１８Ｂの面積は、サブ画素１８Ｇの面積及びサブ画素１８Ｒの面積よりも大きく、サブ画素１８Ｇの面積は、サブ画素１８Ｒの面積と同じである。

さらに、開口２８ＢＣＴが設けられた部分の面積は、開口２８ＧＣＴが設けられた部分の面積及び開口２８ＲＣＴが設けられた部分の面積よりも大きく、開口２８ＧＣＴが設けられた部分の面積は、開口２８ＲＣＴが設けられた部分の面積と同じである。すなわち、サブ画素１８Ｂの発光領域Ｖ１の面積は、サブ画素１８Ｇの発光領域Ｖ１の面積及びサブ画素１８Ｒの発光領域Ｖ１の面積よりも大きく、サブ画素１８Ｇの発光領域Ｖ１の面積は、サブ画素１８Ｒの発光領域Ｖ１の面積と同じである。

さらに、青色の着色層３６Ｂの面積は、緑色の着色層３６Ｇの面積及び赤色の着色層３６Ｒの面積よりも大きく、緑色の着色層３６Ｇの面積は赤色の着色層３６Ｒの面積と同じである。よって、緑色の着色層３６Ｇ及び赤色の着色層３６Ｒの接着強度が、青色の着色層３６Ｂの接着強度よりも弱くなる。

赤色の着色層３６Ｒは実施形態１と同じ構成を有しているので、実施形態１と同じ効果、つまり接着強度が弱い赤色の着色層３６Ｒを剥がれにくくすることができる。
緑色の着色層３６Ｇは、異種材料（第２封止層３４ｃ（シリコン酸窒化物））に接する部分に加えて、同種材料（青色の着色層３６Ｂ（アクリル系樹脂））に接する部分を有し、同種材料に接する部分を設けることによって、緑色の着色層３６Ｇの接着強度が強くなる。従って、接着強度が弱い緑色の着色層３６Ｇも、赤色の着色層３６Ｒと同様に剥がれにくくすることができる。

従って、本変形例においても、接着強度が弱い着色層（緑色の着色層３６Ｇ、赤色の着色層３６Ｒ）を形成しても、接着強度が弱い着色層（緑色の着色層３６Ｇ、赤色の着色層３６Ｒ）が剥がれるという不具合が抑制され、高品位の表示（無欠陥あるいは欠陥が少ない表示）を提供する有機ＥＬ装置を安定して製造することができる。

（変形例３）
面積が最も小さい着色層は、赤色の着色層３６Ｒに限定されず、例えば緑色の着色層３６Ｇであってもよい。つまり、青色の着色層３６Ｂの面積が最も大きく（接着強度が最も強く）、赤色の着色層３６Ｒの面積が二番目に大きく（接着強度が二番目に強く）、緑色の着色層３６Ｇの面積が最も小さい（接着強度が最も弱い）構成であってもよい。

この場合も、面積の大きい着色層（接着強度が強い着色層）から順に形成することが重要である。すなわち、最初に面積が最も大きい青色の着色層３６Ｂを形成し、次に面積が二番目に大きい赤色の着色層３６Ｒを形成し、最後に面積が最も小さい緑色の着色層３６Ｇを形成することが重要である。
さらに、面積が最も小さい緑色の着色層３６Ｇは、面積が最も大きい青色の着色層３６Ｂの端部や及び面積が二番目に大きい赤色の着色層３６Ｒの端部を覆い、面積が二番目に大きい赤色の着色層３６Ｒは、面積が最も大きい青色の着色層３６Ｂの端部を覆うように形成することが好ましい。

（変形例４）
上記実施形態及び上記変形例において、サブ画素１８のＹ方向の長さは、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒでそれぞれ同じであるように構成したが、異なっていてもよく、少なくともサブ画素１８の面積の関係が上記のようになっていればよい。

（変形例５）
上記実施形態及び上記変形例において、画素電極３１の面積が異なるようにしたが、画素電極３１Ｂ、画素電極３１Ｇ、画素電極３１Ｒの面積は同じであってもよい。開口２８ＢＣＴが設けられた部分の面積、開口２８ＧＣＴが設けられた部分の面積、開口２８ＲＣＴが設けられた部分の面積の関係が上記のようになっていればよい。

１０…素子基板、１１…基板、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１８，１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ…サブ画素、１９…画素、２０…画素回路、２１…スイッチング用トランジスター、２２…蓄積容量、２３…駆動用トランジスター、２５…反射層、２６…光学的距離調整層、２６ａ…第１絶縁膜、２６ｂ…第２絶縁膜、２６ｃ…第３絶縁膜、２８…絶縁膜、２８ＢＣＴ，２８ＧＣＴ，２８ＲＣＴ…開口、３０…有機ＥＬ素子、３１，３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３４…封止層、３４ａ…第１封止層、３４ｂ…平坦化層、３４ｃ…第２封止層、３６…カラーフィルター層、３６Ｂ…青色の着色層、３６Ｇ…緑色の着色層、３６Ｒ…赤色の着色層、Ｅ…表示領域、Ｖ１…発光領域、Ｖ２…発光抑制領域、Ｓ１，Ｓ１１…青色の着色層を形成する工程、Ｓ２，Ｓ１２…緑色の着色層を形成する工程、Ｓ３，Ｓ１３…赤色の着色層を形成する工程、Ｓ１０…凸部を形成する工程。

Claims (8)

1. 有機発光層を含む発光素子と、前記発光素子上の封止層と、前記封止層上のカラーフィルター層と、を備え、
   前記カラーフィルター層は、第１波長領域の光を透過させる第１カラーフィルターと、第２波長領域の光を透過させる第２カラーフィルターと、第３波長領域の光を透過させる第３カラーフィルターを有し、
   前記第２カラーフィルターが対応するサブ画素の面積は前記第３カラーフィルターが対応するサブ画素の面積より小さく、前記第３カラーフィルターが対応するサブ画素の面積は前記第１カラーフィルターが対応するサブ画素の面積よりも小さい有機発光装置の製造方法であって、
   前記第１カラーフィルターを形成する工程と、
   その後、前記第３カラーフィルターを形成する工程と、
   その後、前記第２カラーフィルターを形成する工程と、
   を有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
2. 前記発光素子は、前記有機発光層の発光を抑制する絶縁膜を備え、
   前記第１カラーフィルターを形成する工程よりも前に、前記封止層と前記カラーフィルター層との間で、平面視で前記絶縁膜に重なる部分にのみ透明層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置の製造方法。
3. 前記カラーフィルター層を形成するプロセス温度は、１１０℃以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光装置の製造方法。
4. 前記カラーフィルター層を構成するカラーフィルターを、ストライプ形状に形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
5. 有機発光層を含む発光素子と、前記発光素子上の封止層と、前記封止層上のカラーフィルター層と、を備え、
   前記カラーフィルター層は、第１波長領域の光を透過させる第１カラーフィルターと、第２波長領域の光を透過させる第２カラーフィルターと、第３波長領域の光を透過させる第３カラーフィルターを有し、
   前記第２カラーフィルターが対応するサブ画素の面積は前記第３カラーフィルターが対応するサブ画素の面積より小さく、前記第３カラーフィルターが対応するサブ画素の面積は前記第１カラーフィルターが対応するサブ画素の面積よりも小さく、
   前記第１カラーフィルターと前記第２カラーフィルターとが隣り合う部分において、前記第２カラーフィルターは、前記第１カラーフィルターの端部及び前記第３カラーフィルターの端部を覆うように設けられていることを特徴とする有機発光装置。
6. 前記第１カラーフィルター、前記第２カラーフィルター及び前記第３カラーフィルターが隣り合う部分には、前記封止層と前記カラーフィルター層との間に透明層が配置されていることを特徴とする請求項５に記載の有機発光装置。
7. 前記カラーフィルター層を構成するカラーフィルターは、ストライプ形状であることを特徴とする請求項５または６に記載の有機発光装置。
8. 請求項５乃至７のいずれか１項に記載の有機発光装置を有していることを特徴とする電子機器。

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