JP6318676B2 - 有機発光装置の製造方法、有機発光装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
従って、本適用例に係る製造方法では、密着性が弱い第2カラーフィルターの不具合、例えば第2カラーフィルターの剥がれが抑制され、有機発光装置を安定して製造することができる。
本適用例では、第3カラーフィルターを形成した後に、第2カラーフィルターを形成しているので、第2カラーフィルターは、第3カラーフィルターを形成する工程の影響を受けない。例えば、第3カラーフィルターを形成する工程で機械的ストレスを受け第2カラーフィルターが剥がれるという不具合、すなわち第2カラーフィルターの密着性が弱いことによって発生する不具合を抑制することができる。
第2カラーフィルターを、第1カラーフィルターの端部を覆うように設けることによって、つまり第1カラーフィルターと平面的に重なる部分を有するように第2カラーフィルターを形成することによって、第1カラーフィルターと平面的に重ならない場合と比べて、第2カラーフィルターが封止層以外に接する部分の面積を大きくし、第2カラーフィルターの密着性を強くすることができる。
従って、第2カラーフィルターの密着性が弱いことによる不具合、例えば第2カラーフィルターの剥がれを抑制することができる。
よって、第2カラーフィルターの密着性が弱いことによる不具合、例えば第2カラーフィルターの剥がれを抑制することができる。従って、有機発光装置では、第2カラーフィルターの剥がれによる欠陥が抑制され、高品位の表示(無欠陥あるいは欠陥が少ない表示)を提供することができる。
「有機EL装置の概要」
実施形態1に係る有機EL装置100は、本発明における「有機発光装置」の一例であり、後述するヘッドマウントディスプレイの表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイである。
図1は、本実施形態に係る有機EL装置の概要を示す概略平面図である。図2は、本実施形態に係る有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
まず、図1及び図2を参照して、本実施形態に係る有機EL装置100の概要について、説明する。
以降の説明では、サブ画素18B、サブ画素18G、及びサブ画素18Rを、サブ画素18と称する場合がある。
なお、青色の光は本発明における「第1波長領域の光」の一例であり、赤色の光は本発明における「第2波長領域の光」の一例であり、緑色の光は本発明における「第3波長領域の光」の一例である。青色の着色層36Bは本発明における「第1カラーフィルター」の一例であり、赤色の着色層36Rは本発明における「第2カラーフィルター」の一例であり、緑色の着色層36Gは本発明における「第3カラーフィルター」の一例である。
有機EL素子30は、本発明における「発光素子」の一例である。
図3は、サブ画素の構成を示す概略平面図である。図3では、サブ画素18の構成要素のうち、画素電極31、絶縁膜28、及び着色層36B,36G,36Rが図示され、他の構成要素の図示は省略されている。
次に、図3を参照してサブ画素18の構成とその平面的な配置について説明する。
なお、サブ画素18のX方向の長さ、及びサブ画素18のY方向の長さは、それぞれ10μmよりも小さい。
なお、絶縁膜28は、本発明における「発光を抑制する絶縁膜」の一例であり、また隣り合う画素電極31間でリーク電流が流れることを抑制するものである。
詳しくは、発光領域V1(開口28CT)の面積を、青色の光を発する発光領域V1(開口28BCT)、緑色の光を発行する発光領域V1(開口28GCT)、赤色の光を発する発光領域V1(開口28RCT)の順に小さくしている。
図4は、図3のA−A’線に沿った有機EL装置の構造を示す概略断面図である。
次に、図4を参照して、有機EL装置100の断面構造を説明する。
樹脂層42は、素子基板10と保護基板40とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。
なお、基板11の母材は、シリコンに限定されず、例えば石英やガラスなどの透光性を有する絶縁基板であってもよい。
画素電極31は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの光透過性材料で構成され、サブ画素18毎に島状に形成されている。
絶縁膜28は、例えば酸化シリコンで構成され、画素電極31の周縁部を覆うように配置されている。上述したように、絶縁膜28は開口28CTを有し、開口28CTが設けられた部分が発光領域V1となり、絶縁膜28が設けられた部分が発光抑制領域V2となる。
青色の着色層36Bは、第2封止層34cの上で、サブ画素18Bの発光領域V1に隣り合う発光抑制領域V2に跨って配置されている。
発光領域V1では、光反射性を有する反射層25と、光学的距離調整層26と、画素電極31と、発光機能層32と、対向電極33とが、Z方向に順に積層されている。発光機能層32で発した光は、反射層25と対向電極33との間で繰り返し反射され、反射層25と対向電極33との間の光学的距離に対応する特定波長(共振波長)の光の強度が増幅され、表示光として保護基板40からZ方向に射出される。
すなわち、有機EL装置100は、光共振構造を有し、表示光の色純度が高められ、高品位の表示を提供することができる。
図5は、カラーフィルター層の製造方法を示す工程フローである。図6は、図4に対応する図であり、図5に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
以下に、図5及び図6を参照して、カラーフィルター層36の製造方法の概要を説明する。
以降、下地膜に対する着色層36B,36G,36Rの密着性を、着色層36B,36G,36Rの密着性と称し、下地膜に対する着色層36B,36G,36Rの接着強度を着色層36B,36G,36Rの接着強度と称す。
従って、接着強度が最も弱い赤色の着色層36Rの不具合が抑制され、有機EL装置100を安定して製造することができる。さらに、有機EL装置100では、例えば赤色の着色層36Rの剥がれによる欠陥が抑制され、高品位の表示(無欠陥あるいは欠陥が少ない表示)を提供することができる。
図7は、図4に対応する図であり、実施形態2に係る有機EL装置の概要を示す概略断面図である。図8は、カラーフィルター層の製造方法を示す工程フローである。図9は、図7に対応する図であり、図8に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
以下に、図7乃至図9を参照して、本実施形態に係る有機EL装置200の概要を、実施形態1との相違点を中心に説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
さらに、着色層36B,36G,36Rは、凸部37の一部を覆うように配置されている。
なお、凸部37は、本発明における「透明層」の一例である
本実施形態のステップS11は、実施形態1のステップS1(図5)と同じであり、本実施形態のステップS12は、実施形態1のステップS2(図5)と同じであり、本実施形態のステップS13は、実施形態1のステップS3(図5)と同じである。
1)着色層36B,36G,36Rを形成する感光性レジストを、凸部37によって形成されたセルの中に充填するので、着色層36B,36G,36Rを形成する感光性レジストの膜厚の均一性を高めることができる。
「電子機器」
図10は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図10に示すように、ヘッドマウントディスプレイ1000は、左右の目に対応して設けられた2つの表示部1001を有している。観察者Mはヘッドマウントディスプレイ1000を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部1001に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部1001に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
図11は、変形例1に係る有機EL装置のサブ画素の構成を示す概略平面図である。本変形例では、実施形態1と比べてサブ画素18B,18G,18Rの面積が異なっている。
図12は、変形例2に係る有機EL装置のサブ画素の構成を示す概略平面図である。本変形例は、実施形態1と比べてサブ画素18B,18G,18Rの面積が異なっている。
緑色の着色層36Gは、異種材料(第2封止層34c(シリコン酸窒化物))に接する部分に加えて、同種材料(青色の着色層36B(アクリル系樹脂))に接する部分を有し、同種材料に接する部分を設けることによって、緑色の着色層36Gの接着強度が強くなる。従って、接着強度が弱い緑色の着色層36Gも、赤色の着色層36Rと同様に剥がれにくくすることができる。
面積が最も小さい着色層は、赤色の着色層36Rに限定されず、例えば緑色の着色層36Gであってもよい。つまり、青色の着色層36Bの面積が最も大きく(接着強度が最も強く)、赤色の着色層36Rの面積が二番目に大きく(接着強度が二番目に強く)、緑色の着色層36Gの面積が最も小さい(接着強度が最も弱い)構成であってもよい。
さらに、面積が最も小さい緑色の着色層36Gは、面積が最も大きい青色の着色層36Bの端部や及び面積が二番目に大きい赤色の着色層36Rの端部を覆い、面積が二番目に大きい赤色の着色層36Rは、面積が最も大きい青色の着色層36Bの端部を覆うように形成することが好ましい。
上記実施形態及び上記変形例において、サブ画素18のY方向の長さは、サブ画素18B、サブ画素18G、及びサブ画素18Rでそれぞれ同じであるように構成したが、異なっていてもよく、少なくともサブ画素18の面積の関係が上記のようになっていればよい。
上記実施形態及び上記変形例において、画素電極31の面積が異なるようにしたが、画素電極31B、画素電極31G、画素電極31Rの面積は同じであってもよい。開口28BCTが設けられた部分の面積、開口28GCTが設けられた部分の面積、開口28RCTが設けられた部分の面積の関係が上記のようになっていればよい。
Claims (8)
- 有機発光層を含む発光素子と、前記発光素子上の封止層と、前記封止層上のカラーフィルター層と、を備え、
前記カラーフィルター層は、第1波長領域の光を透過させる第1カラーフィルターと、第2波長領域の光を透過させる第2カラーフィルターと、第3波長領域の光を透過させる第3カラーフィルターを有し、
前記第2カラーフィルターが対応するサブ画素の面積は前記第3カラーフィルターが対応するサブ画素の面積より小さく、前記第3カラーフィルターが対応するサブ画素の面積は前記第1カラーフィルターが対応するサブ画素の面積よりも小さい有機発光装置の製造方法であって、
前記第1カラーフィルターを形成する工程と、
その後、前記第3カラーフィルターを形成する工程と、
その後、前記第2カラーフィルターを形成する工程と、
を有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。 - 前記発光素子は、前記有機発光層の発光を抑制する絶縁膜を備え、
前記第1カラーフィルターを形成する工程よりも前に、前記封止層と前記カラーフィルター層との間で、平面視で前記絶縁膜に重なる部分にのみ透明層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記カラーフィルター層を形成するプロセス温度は、110℃以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記カラーフィルター層を構成するカラーフィルターを、ストライプ形状に形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。
- 有機発光層を含む発光素子と、前記発光素子上の封止層と、前記封止層上のカラーフィルター層と、を備え、
前記カラーフィルター層は、第1波長領域の光を透過させる第1カラーフィルターと、第2波長領域の光を透過させる第2カラーフィルターと、第3波長領域の光を透過させる第3カラーフィルターを有し、
前記第2カラーフィルターが対応するサブ画素の面積は前記第3カラーフィルターが対応するサブ画素の面積より小さく、前記第3カラーフィルターが対応するサブ画素の面積は前記第1カラーフィルターが対応するサブ画素の面積よりも小さく、
前記第1カラーフィルターと前記第2カラーフィルターとが隣り合う部分において、前記第2カラーフィルターは、前記第1カラーフィルターの端部及び前記第3カラーフィルターの端部を覆うように設けられていることを特徴とする有機発光装置。 - 前記第1カラーフィルター、前記第2カラーフィルター及び前記第3カラーフィルターが隣り合う部分には、前記封止層と前記カラーフィルター層との間に透明層が配置されていることを特徴とする請求項5に記載の有機発光装置。
- 前記カラーフィルター層を構成するカラーフィルターは、ストライプ形状であることを特徴とする請求項5または6に記載の有機発光装置。
- 請求項5乃至7のいずれか1項に記載の有機発光装置を有していることを特徴とする電子機器。
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