JP5326999B2 - 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えた有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器に関する。

上記有機ＥＬ装置として、基板上に形成された第１画素電極、第２画素電極、第３画素電極と、これらの画素電極をそれぞれ分離する樹脂壁と、第１画素電極と対向電極との間に形成された赤色を発光する第１有機発光層と、第２画素電極と対向電極との間に形成された緑色を発光する第２有機発光層と、第１有機発光層、第２有機発光層、第３画素電極および樹脂壁上に形成された青色を発光する第３有機発光層とを有する有機ＥＬ表示装置が知られている（特許文献１）。

上記有機ＥＬ表示装置によれば、赤色の第１有機発光層および緑色の第２有機発光層をインクジェット法で形成し、青色の第３有機発光層を真空蒸着法で形成する方法が提案されている。また、青色の第３有機発光層をインクジェット法以外の塗布法で形成することも示唆されており、塗布法として、スピンコート法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート法などが挙げられている。

特開２００７−７３５３２号公報

しかしながら、インクジェット法を含めた塗布法では、凹凸を有する膜形成領域に機能性材料を含む液状体を塗布して機能性材料からなる例えば有機発光層を形成すると、一定の膜厚を確保することが難しいという課題がある。有機発光層の膜厚の変動は輝度ムラとなる。
また、塗布法を適用可能な有機発光材料では、赤色や緑色に比べて青色の発光寿命が短いという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例の有機ＥＬ装置は、基板を含む下地層上において互いに隣り合って配置された異なる発光色が得られる第１有機ＥＬ素子および第２有機ＥＬ素子並びに第３有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置であって、前記下地層は、前記第１有機ＥＬ素子を駆動する第１駆動回路部と、前記第２有機ＥＬ素子を駆動する第２駆動回路部と、前記第３有機ＥＬ素子を駆動する第３駆動回路部とを含み、前記下地層上において、前記第１有機ＥＬ素子の第１発光層が設けられた第１膜形成領域と、前記第２有機ＥＬ素子の第２発光層が設けられた第２膜形成領域と、前記第３有機ＥＬ素子の第３発光層が設けられた第３膜形成領域とを区画する隔壁部を有し、前記隔壁部は、平面的に前記第１駆動回路部を含むように前記第１膜形成領域を区画し、前記第２駆動回路部の少なくとも一部を含まないように前記第２膜形成領域を区画し、前記第３駆動回路部の少なくとも一部を含まないように前記第３膜形成領域を区画しており、前記第１発光層に対して前記第２発光層および前記第３発光層が異なる成膜方法により形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、第２膜形成領域および第３膜形成領域は、それぞれ第２駆動回路部と第３駆動回路部の少なくとも一部を含まないように隔壁部によって区画される。したがって、第１駆動回路部を含むように隔壁部によって区画された第１膜形成領域に比べて、下地層における表面の平坦性を確保し易い。下地層の平坦性の水準に対応して、第１膜形成領域における第１発光層の成膜方法に対して、第２膜形成領域における第２発光層の成膜方法および第３膜形成領域における第３発光層の成膜方法を異ならせることによって、成膜後の膜厚のばらつきを抑制できる。すなわち、所定の膜厚を有する発光層を具備した第１〜第３有機ＥＬ素子を備え、安定した発光特性を有する有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例２］上記適用例の有機ＥＬ装置において、緑色の発光が得られる前記第２発光層および赤色の発光が得られる前記第３発光層が液状体吐出法を用いて形成され、前記第２発光層および前記第３発光層を覆うように蒸着法を用いて青色の発光が得られる前記第１発光層が形成されていることが好ましい。
この構成によれば、第１駆動回路部を含んだ第１膜形成領域には、下地層の平坦性の影響を受け難い蒸着法で青色の発光が得られる第１発光層が形成されている。また、第１膜形成領域に比べて下地層の平坦性が確保された第２膜形成領域と第３膜形成領域とには、液状体吐出法により緑色の発光が得られる第２発光層と赤色の発光が得られる第３発光層とが形成されている。したがって、第１発光層から第３発光層までを所定の膜厚で構成することが可能となり、青、緑、赤の３色の発光が安定した輝度で得られる有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例３］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１発光層は、正孔輸送性を有することが好ましい。
この構成によれば、蒸着法で形成される第１発光層において、効率のよい青色の発光を得ることができる。

［適用例４］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１発光層は、正孔輸送性と電子輸送性とを有することが好ましい。
この構成によれば、蒸着法で形成される第１発光層において、効率のよい青色の発光を得ることができると共に、第２発光層と第３発光層とを覆うように第１発光層を設けても、第１発光層が正孔輸送性に加えて電子輸送性を有するため、第２発光層および第３発光層への電荷注入を妨げず、第２発光層および第３発光層においても安定した発光が得られる。

［適用例５］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記隔壁部は、前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域に比べて平面積が大きくなるように前記第１膜形成領域を区画していることが好ましい。
この構成によれば、青色の発光材料は、緑色や赤色に比べて発光寿命が短い傾向があるため、青色の第１発光層が形成される第１膜形成領域を他の膜形成領域に比べて平面積が大きくなるように設定すれば、異なる発光色間の発光寿命を均衡させて、全体としてより発光寿命が長い有機ＥＬ装置を提供できる。
なお、発光寿命とは、有機ＥＬ素子に所定の電流を流して断続的あるいは連続的に発光させ、その発光輝度が所定の値（例えば、初期値の半分程度）となる通電時間を言う。発光輝度は、発光層を流れる電流量と発光面積に依存するので、発光面積が大きければ所定の輝度を得るための電流量を小さくすることができる。一方、発光寿命は発光層を流れる電流量に依存するので、電流量が少ないほど発光寿命が長くなる。

［適用例６］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記隔壁部は、無機材料からなる第１隔壁部と有機材料からなる第２隔壁部とを有し、前記第１膜形成領域は前記第２隔壁部のみにより区画され、前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域はそれぞれ前記第１隔壁部上に設けられた前記第２隔壁部によって区画されていることが好ましい。
この構成によれば、第１隔壁部と第２隔壁部とにより構成される所謂二層構造の隔壁部で第１膜形成領域を区画する場合に比べて、第１〜第３有機ＥＬ素子間の配置を異ならせることなく、区画された第１膜形成領域の平面積を第２膜形成領域や第３膜形成領域に比べて容易に広くすることができる。

［適用例７］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記隔壁部は、無機材料からなる第１隔壁部と有機材料からなる第２隔壁部とを有し、前記第１膜形成領域は前記第２隔壁部のみにより区画され、前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち少なくとも一方の実質的な発光領域が前記第１隔壁部により区画され、前記第２隔壁部は、複数の前記発光領域を含んで区画するように前記第１隔壁部上に設けられているとしてもよい。
この構成によれば、第２膜形成領域また第３膜形成領域を第２隔壁部によって個別に区画する場合に比べて、同一の発光色が得られる発光層の形成範囲を広く設定できる。つまり、液状体吐出法を用いて第２発光層および第３発光層を形成する場合に、より広い範囲に機能性材料を含む液状体を塗布可能となり、乾燥後に安定した膜厚（膜の断面形状）を得やすい。

［適用例８］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部並びに前記第３駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、前記隔壁部は、少なくとも前記薄膜トランジスターを含まないように前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域とをそれぞれ区画していることが好ましい。
薄膜トランジスターは、半導体層やこれに繋がる各種の電極が積層された構造となっており、下地層のうち薄膜トランジスターが設けられた部分は、その表面に段差が生じ易い。この構成によれば、薄膜トランジスターが平面的に含まれないように隔壁部によって第２膜形成領域と第３膜形成領域とがそれぞれ区画されている。したがって、第２膜形成領域と第３膜形成領域とにおける下地層の表面を平坦な状態とすることができる。すなわち、液状体吐出法に適した状態とすることができる。

［適用例９］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部並びに前記第３駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、前記隔壁部は、前記薄膜トランジスターと前記保持容量とを含まないように前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域とをそれぞれ区画しているとしてもよい。
この構成によれば、薄膜トランジスターに加えて保持容量の部分も除かれるので第２膜形成領域と第３膜形成領域とにおける下地層の表面をより平坦な状態とすることができる。

［適用例１０］本適用例の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板を含む下地層上において互いに隣り合って配置された異なる発光色が得られる第１有機ＥＬ素子および第２有機ＥＬ素子並びに第３有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基板上に前記第１有機ＥＬ素子を駆動する第１駆動回路部と、前記第２有機ＥＬ素子を駆動する第２駆動回路部と、前記第３有機ＥＬ素子を駆動する第３駆動回路部とを形成する駆動回路部形成工程と、前記基板上において前記第１駆動回路部を含む第１膜形成領域と、前記第２駆動回路部の少なくとも一部を含まない第２膜形成領域と、前記第３駆動回路部の少なくとも一部を含まない第３膜形成領域と、を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、前記第１膜形成領域に前記第１有機ＥＬ素子の第１発光層を形成すると共に、前記第２膜形成領域に前記第２有機ＥＬ素子の第２発光層を形成し、前記第３膜形成領域に前記第３有機ＥＬ素子の第３発光層を形成する発光層形成工程とを備え、前記第１発光層に対して前記第２発光層および前記第３発光層を異なる成膜方法を用いて形成することを特徴とする。

この方法によれば、第２膜形成領域および第３膜形成領域は、それぞれ第２駆動回路部と第３駆動回路部の少なくとも一部を含まないように隔壁部によって区画される。したがって、第１駆動回路部を含むように隔壁部によって区画された第１膜形成領域に比べて、下地層における表面の平坦性が確保される。下地層の平坦性の水準に対応して、第１膜形成領域における第１発光層の成膜方法に対して、第２膜形成領域における第２発光層の成膜方法および第３膜形成領域における第３発光層の成膜方法を異ならせることによって、成膜後の膜厚のばらつきを抑制できる。すなわち、所定の膜厚を有する発光層を具備した第１〜第３有機ＥＬ素子を備え、安定した発光特性を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１１］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記発光層形成工程は、液状体吐出法を用いて緑色の発光が得られる前記第２発光層および赤色の発光が得られる前記第３発光層を形成し、前記第２発光層および前記第３発光層を覆うように蒸着法を用いて青色の発光が得られる前記第１発光層を形成することが好ましい。
この方法によれば、第１駆動回路部を含んだ第１膜形成領域には、下地層の平坦性の影響を受け難い蒸着法で青色の発光が得られる第１発光層を形成する。また、第１膜形成領域に比べて下地層の平坦性が確保された第２膜形成領域と第３膜形成領域とには、液状体吐出法により緑色の発光が得られる第２発光層と赤色の発光が得られる第３発光層とを形成する。したがって、第１発光層から第３発光層までを所定の膜厚で形成することが可能となり、青、緑、赤の３色の発光が安定した輝度で得られる有機ＥＬ装置を製造することができる。また、液状体吐出法で選択的に形成された第２発光層と第３発光層を覆うように蒸着法で第１発光層を形成するため、第１発光層を所定の領域に選択的に成膜するための蒸着マスクを必要とせず、工程を簡略化できる。

［適用例１２］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記発光層形成工程は、蒸着法を用いて正孔輸送性と電子輸送性とを有する前記第１発光層を形成することが好ましい。
この方法によれば、蒸着法を用いて形成される第１発光層において、効率のよい青色の発光を得ることができると共に、第２発光層と第３発光層とを覆うように第１発光層を設けても、第１発光層が正孔輸送性に加えて電子輸送性を有するため、第２発光層および第３発光層への電荷注入を妨げず、第２発光層および第３発光層においても安定した発光が得られる有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１３］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記隔壁部形成工程は、区画された前記第１膜形成領域の平面積が前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域よりも大きくなるように前記隔壁部を形成することが好ましい。
この方法によれば、他の発光色に比べて発光寿命が短い青色の第１発光層が形成される第１膜形成領域が他の膜形成領域に比べて平面的に広くなるので、異なる発光色間の発光寿命を均衡させて、全体としてより発光寿命が長い有機ＥＬ装置を製造することができる。

［適用例１４］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記隔壁部は、無機材料からなる第１隔壁部と有機材料からなる第２隔壁部とを有し、前記隔壁部形成工程は、前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域をそれぞれ区画するように前記第１隔壁部を形成すると共に前記第１隔壁部上に前記第２隔壁部を形成し、前記第１膜形成領域を区画するように前記第２隔壁部を形成することが好ましい。
この方法によれば、第１隔壁部と第２隔壁部とにより構成される所謂二層構造の隔壁部で第１膜形成領域を区画する場合に比べて、第１〜第３有機ＥＬ素子間の配置を異ならせることなく、区画された第１膜形成領域の平面積を第２膜形成領域や第３膜形成領域に比べて容易に広くすることができる。

［適用例１５］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記隔壁部は、無機材料からなる第１隔壁部と有機材料からなる第２隔壁部とを有し、前記隔壁部形成工程は、前記第１膜形成領域を区画するように前記第２隔壁部を形成し、前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち少なくとも一方の実質的な発光領域を区画するように前記第１隔壁部を形成し、複数の前記発光領域を含んで区画するように前記第１隔壁部上に前記第２隔壁部を形成するとしてもよい。
この方法によれば、第２膜形成領域また第３膜形成領域を第２隔壁部によって個別に区画する場合に比べて、同一の発光色が得られる発光層の形成範囲を広くすることができる。つまり、液状体吐出法を用いて第２発光層および第３発光層を形成する場合に、より広い範囲に機能性材料を含む液状体を塗布可能となり、乾燥後に安定した膜厚（膜の断面形状）を有する発光層を形成することができる。

［適用例１６］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部並びに前記第３駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、前記隔壁部形成工程は、少なくとも前記薄膜トランジスターを含まないように前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域とをそれぞれ区画する前記隔壁部を形成することが好ましい。
この方法によれば、第２膜形成領域と第３膜形成領域とにおける下地層の表面が第１膜形成領域に比べて平坦な状態となり、液状体吐出法に適した表面状態とすることができる。

［適用例１７］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部並びに前記第３駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、前記隔壁部形成工程は、前記薄膜トランジスターと前記保持容量とを含まないように前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域とをそれぞれ区画する前記隔壁部を形成するとしてもよい。
この方法によれば、第２膜形成領域と第３膜形成領域とにおける下地層の表面が第１膜形成領域に比べてより平坦な状態となり、乾燥後により安定した膜厚（膜の断面形状）を有する発光層を形成することができる。

［適用例１８］本適用例の電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置、または上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、発光ムラ（輝度ムラ）が少ない安定した発光特性（輝度特性）を有する有機ＥＬ装置を備えているため、見栄えのよい電子機器を提供することができる。

第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置における有機ＥＬ素子の配置を示す概略平面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置における駆動回路部の構成を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ’線で切った青色の発光が得られる有機ＥＬ素子の構造を示す概略断面図。 図３のＢ−Ｂ’線で切った緑色の発光が得られる有機ＥＬ素子の構造を示す概略断面図。 図３のＡ−Ｃ線で切った異なる発光色が得られる３つの有機ＥＬ素子に跨った構造を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｃ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略平面図。 （ｄ）〜（ｆ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｇ）〜（ｉ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置における有機ＥＬ素子の配置を示す概略平面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置における駆動回路部の構成を示す概略平面図。 図１２のＤ−Ｄ’線で切った有機ＥＬ素子の概略断面図。 図１２のＥ−Ｅ’線で切った有機ＥＬ素子の概略断面図。 電子機器の一例としての携帯型電話機を示す概略斜視図。 変形例の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 変形例の膜形成領域の区画方法を示す概略平面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機ＥＬ装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は第１実施形態の有機ＥＬ装置における有機ＥＬ素子の配置を示す概略平面図、図３は第１実施形態の有機ＥＬ装置における駆動回路部の構成を示す概略平面図である。

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、発光単位としての有機ＥＬ素子２０を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の表示装置である。

有機ＥＬ装置１００は、走査線駆動部３に接続された複数の走査線３１と、データ線駆動部４に接続された複数のデータ線４１と、各走査線３１に並列して設けられた複数の電源線４２と、を備えている。互いに絶縁され交差する走査線３１とデータ線４１とによって区画された領域に対応して設けられた発光制御単位Ｌｕによって有機ＥＬ素子２０の発光制御が行われている。

各発光制御単位Ｌｕは、走査線３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１１と、このＴＦＴ１１を介してデータ線４１から供給される画素信号を保持する保持容量１３と、該保持容量１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１２とを含む駆動回路部を備えている。
発光単位としての有機ＥＬ素子２０は、駆動用のＴＦＴ１２を介して電源線４２に電気的に接続したときに該電源線４２から駆動電流が流れ込む陽極としての画素電極２３と、陰極としての共通電極２７と、画素電極２３と共通電極２７との間に挟み込まれた機能層２４とを有している。
これらのＴＦＴ１１，１２に接続する走査線３１とデータ線４１とを総称して信号線と呼ぶ。

走査線３１が駆動されてスイッチング用のＴＦＴ１１がオン状態になると、そのときのデータ線４１の電位が保持容量１３に保持され、該保持容量１３の状態に応じて、駆動用のＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用のＴＦＴ１２を介して、電源線４２から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層２４を介して共通電極２７に電流が流れる。機能層２４は、これを流れる電流量に応じて発光する。なお、発光制御単位Ｌｕの駆動回路部の構成は、これに限定されるものではなく、例えば、３つ以上の薄膜トランジスターを含むとしてもよい。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する走査線３１とデータ線４１とによって区分された領域に、青色の発光が得られる第１有機ＥＬ素子としての有機ＥＬ素子２０Ｂと、緑色の発光が得られる第２有機ＥＬ素子としての有機ＥＬ素子２０Ｇと、赤色の発光が得られる第３有機ＥＬ素子としての有機ＥＬ素子２０Ｒと、を有している。発光色が得られる３つの有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒは、図示省略した基板上において同一発光色の有機ＥＬ素子が列方向（図面上ではデータ線４１の延在方向）に配置され、異なる発光色の有機ＥＬ素子が行方向（図面上では走査線３１の延在方向）に隣り合って配置されている。なお、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の行方向における順番はこれに限定されるものではない。

有機ＥＬ素子２０Ｂの第１発光層は第１膜形成領域７ａに設けられている。有機ＥＬ素子２０Ｇの第２発光層は第２膜形成領域７ｂに設けられている。有機ＥＬ素子２０Ｒの第３発光層は第３膜形成領域７ｃに設けられている。

図面上において破線で示した部分は、前述した発光制御単位Ｌｕの駆動回路部のうちＴＦＴ１１，１２と保持容量１３とこれらを繋ぐ配線とが設けられた領域６ａを示している。言い換えれば、領域６ａには、それぞれＴＦＴ１１，１２と保持容量１３とが少なくとも設けられている。

第１膜形成領域７ａは、長手方向がデータ線４１に沿った略矩形状であって、平面的に領域６ａを含むように設けられている。第２膜形成領域７ｂは、長手方向がデータ線４１に沿った略矩形状であって、平面的に領域６ａを含まないように設けられている。第３膜形成領域７ｃは、第２膜形成領域７ｂと同様に長手方向がデータ線４１に沿った略矩形状であって、平面的に領域６ａを含まないように設けられている。つまり、第１膜形成領域７ａは、領域６ａを含んで設けられているため、領域６ａを含まない第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃに比べて平面積が大きくなっている。

電源線４２は、領域６ａに跨るように走査線３１に沿って設けられている。

図３に示すように、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒをそれぞれ駆動する発光制御単位Ｌｕは、スイッチング用のＴＦＴ１１と、駆動用のＴＦＴ１２と、保持容量１３とを有している。ＴＦＴ１１，１２は、走査線３１とデータ線４１との交差点近傍に設けられている。ＴＦＴ１１，１２には、走査線３１やデータ線４１、保持容量１３に接続する配線と、ＴＦＴ１１（ドレイン）とＴＦＴ１２（ゲート）とを繋ぐ配線とが設けられている。

駆動用のＴＦＴ１２は、３端子（ゲート、ソース、ドレイン）のうちの１つ（ソース）が電源線４２に接続し、各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに電源線４２から流れ込む電流を制御するものであり、各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのスイッチングを行うＴＦＴ１１に比べて耐電流、耐電圧等の関係からより大きな平面積を有する。保持容量１３は、一対の電極間に誘電層を有するものであって、一対の電極が電源線４２の延在方向と重なる位置に設けられている。なお、保持容量１３の電気容量は、走査信号におけるフレーム周波数や駆動用のＴＦＴ１２のオフ（ＯＦＦ）時漏れ電流、各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの発光特性を考慮して設計される。それゆえに実際には、適正な電気容量を定めることにより、保持容量１３の平面積が決まる。

各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒは、それぞれ走査線３１とデータ線４１とにより区分された領域に亘って設けられ平面的にほぼ同じ面積の画素電極２３ｒ，２３ｇ，２３ｂを有している。その中でも、画素電極２３ｂ上に設けられる第１膜形成領域７ａが、他の画素電極２３ｇ，２３ｒ上に設けられる第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃに比べて平面的に大きい。これは、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ間の輝度と発光寿命とを考慮して設定されたものである。現状では、青色の発光が得られる有機ＥＬ発光材料の発光寿命は、他の緑色や赤色に比べて短い。したがって、発光層が設けられる膜形成領域の平面積を青、緑、赤で同じにすると、それぞれ同じ電流量で発光させた場合には、先に青が寿命を迎えてしまう。一方、発光時の輝度は、電流量と発光面積すなわち膜形成領域の大きさとに依存する。それゆえに、青の発光面積を他の緑や赤よりも大きくすることで、緑や赤に比べて電流量を減少させてもほぼ同程度の輝度を得ることが可能となる。電流量が減少すれば必然的に発光寿命を長くすることができ、発光寿命を緑や赤と同程度とすることができる。すなわち、フルカラーの表示装置として発光色に係らず一定の発光寿命を確保することができる。本実施形態では、有機ＥＬ素子２０Ｇと有機ＥＬ２０Ｒの発光面積を有機ＥＬ素子２０Ｂに比べてほぼ２／３として発光寿命のバランスを取っている。

次に、各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの素子構造について、図４、図５、図６を参照して詳しく説明する。図４は図３のＡ−Ａ’線で切った青色の発光が得られる有機ＥＬ素子の構造を示す概略断面図、図５は図３のＢ−Ｂ’線で切った緑色の発光が得られる有機ＥＬ素子の構造を示す概略断面図、図６は図３のＡ−Ｃ線で切った異なる発光色が得られる３つの有機ＥＬ素子に跨った構造を示す概略断面図である。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型であって、図４に示すように、例えば有機ＥＬ素子２０Ｂとその発光制御単位Ｌｕとは、基板としての素子基板１上に積層形成されている。言い換えれば、発光制御単位Ｌｕが設けられた下地層上に有機ＥＬ素子２０Ｂが設けられている。
また、下地層には素子基板１、発光制御単位Ｌｕ、反射層２１、絶縁膜１７が含まれており、有機ＥＬ素子２０Ｂにおける発光が反射層２１によって反射して取り出されるトップエミッション構造となっている。このような構成は、他の有機ＥＬ素子２０Ｇ，２０Ｒにおいても同様である。

素子基板１は、透明なガラスや樹脂等の基板あるいは、不透明なシリコン等の基板が用いられる。まず、素子基板１の表面に例えばポリシリコン膜からなる半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａがそれぞれ島状に設けられる。半導体層１１ａはＴＦＴ１１を構成するものであり、半導体層１２ａはＴＦＴ１２を構成するものである。半導体層１３ａは、保持容量１３を構成するものであり一方の電極となる。したがって、一方の電極１３ａと呼ぶこともある。半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａの膜厚はおよそ５０ｎｍである。

島状の半導体層１１ａ，１２ａの外縁およびゲートと、半導体層１３ａの一部を除くほぼ全面を覆うようにゲート絶縁膜１ａが設けられている。半導体層１３ａを覆うゲート絶縁膜１ａは誘電体層として機能する。ゲート絶縁膜１ａの厚みは、およそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。

ゲート絶縁膜１ａ上には、例えばＡｌ（アルミ）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、あるいはこれらの金属化合物からなる低抵抗金属配線層が設けられ、これをパターニングすることにより、走査線３１、データ線４１（図示省略）、ＴＦＴ１１，１２の各ゲート電極１１ｄ，１２ｄを構成している。また、保持容量１３の他方の電極１３ｂや一方の電極１３ａに繋がる配線（図示省略）を構成している。そして、これらを覆うように層間絶縁膜１４が設けられている。該低抵抗金属配線層の厚みはおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。層間絶縁膜１４の厚みもおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。

層間絶縁膜１４には、ＴＦＴ１１，１２のソース１１ｂ，１２ｂやドレイン１１ｃ，１２ｃとの接続を図るためのコンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが設けられている。また、保持容量１３と電源線４２およびＴＦＴ１２との接続を図るためのコンタクトホール（図示省略）が設けられている。

層間絶縁膜１４上に例えばＡｌ、Ｔａ、Ｗ、あるいはこれらの金属化合物などの低抵抗金属配線層が設けられ、これをパターニングすることにより、電源線４２やコンタクトホール１４ｂ，１４ｃ間を繋ぐ配線、電源線４２とコンタクトホール１４ｄ間を繋ぐ配線等を構成している。該低抵抗金属配線層の厚みはおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍである。

そして、電源線４２や層間絶縁膜１４を覆うように保護膜１５が設けられ、さらに保護膜１５を覆うように平坦化層１６が設けられている。上述したゲート絶縁膜１ａ、層間絶縁膜１４、保護膜１５は、例えばＳｉＮやＳｉＯ、ＳｉＯ₂あるいはこれらシリコン化合物などの無機混合物からなる。保護膜１５の厚みはおよそ２００ｎｍ〜３００ｎｍである。平坦化層１６は、例えばアクリル系やエポキシ系の有機樹脂からなり、厚みはおよそ１μｍ〜２μｍである。

このように低抵抗金属配線層や層間絶縁膜１４などに比べて厚い平坦化層１６を設けても、素子基板１上における平坦化層１６の表面には凹凸が生じてしまう。特に、平面的にＴＦＴ１１，１２や保持容量１３を含む第１膜形成領域７ａの表面は、ＴＦＴ１１，１２に接続を図るためのコンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄや配線の形成により、他の第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃに比べて凹凸のばらつきが大きい。

ここでいう凹凸のばらつきは、平坦化層１６表面の算術平均粗さ（Ｒａ）や平坦化層１６表面の基準面からの高さの標準偏差で定義することができる。また、発光時における画素内の輝度分布における標準偏差で定義することもできる。
ちなみに、第１膜形成領域７ａにおける表面の段差（凹凸の差）は、およそ数十ｎｍ〜数百ｎｍである。これに対して第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃにおける表面の段差（凹凸の差）は、図６の断面図上ではほとんど発生していない。

第１膜形成領域７ａに設けられた有機ＥＬ素子２０Ｂは、下地層上において順に積層形成された画素電極２３ｂ、機能層２４ｂ、共通電極２７を有している。
なお、画素電極２３ｂを反射性を有する部材で構成した場合には、反射層２１や絶縁膜１７を不要とすることができる。

反射層２１は、例えばＡｌ−Ｎｄの反射性金属材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。反射層２１を覆う絶縁膜１７は、ＳｉＮやＳｉＯなど透明な無機材料からなり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
画素電極２３ｂは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜であり、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。コンタクトホール１４ａを介してＴＦＴ１２のドレイン１２ｃに接続されている。

画素電極２３ｂを実質的に区画しているのは、画素電極２３ｂの外縁を覆うように形成された第２隔壁部としての隔壁部１９である。隔壁部１９は、フェノール系あるいはポリイミド系の樹脂材料からなり、厚み（高さ）はおよそ１μｍ〜２μｍである。

機能層２４ｂは、画素電極２３ｂ上に順に積層された正孔注入層２５と、第１発光層としての発光層２６ｂとを有している。正孔注入層２５は塗布法（液状体吐出法）を用いて形成されている。発光層２６ｂは機能性材料を蒸発させて成膜する蒸着法を用いて形成されている。

共通電極２７は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜からなり、隔壁部１９と機能層２４ｂとを覆うように設けられている。その厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。

図５に示すように、有機ＥＬ素子２０Ｂと隣り合う有機ＥＬ素子２０Ｇは、画素電極２３ｇと、機能層２４ｇと、共通電極２７とにより構成されている。これらの構成は、有機ＥＬ素子２０Ｂと同様に下地層上に設けられているが、機能層２４ｇはＴＦＴ１１，１２や保持容量１３を覆うように設けられた第１隔壁部としての絶縁膜１８と、絶縁膜１８上に設けられた隔壁部１９とによって区画された第２膜形成領域７ｂに設けられている。絶縁膜１８は、ＳｉＯ₂などの無機絶縁材料からなり、その厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。

機能層２４ｇは、順に積層された正孔注入層２５と、第２発光層としての発光層２６ｇと、発光層２６ｂとを有している。

有機ＥＬ素子２０Ｇと隣り合う有機ＥＬ素子２０Ｒも有機ＥＬ素子２０Ｇと同じ断面構造となっている。すなわち、機能層２４ｒはＴＦＴ１１，１２や保持容量１３を覆うように設けられた絶縁膜１８と、絶縁膜１８上に設けられた隔壁部１９とによって区画された第３膜形成領域７ｃに設けられている。

機能層２４ｒは、順に積層された正孔注入層２５と、第３発光層としての発光層２６ｒと、発光層２６ｂとを有している。

第２膜形成領域７ｂ（第３膜形成領域７ｃ）は、ＴＦＴ１１，１２や保持容量１３が設けられた下地層の部分（領域６ａ）を含まないように区画されているため、第１膜形成領域７ａに比べて開口した画素電極２３ｇ（画素電極２３ｒ）の表面が平坦である。

本実施形態では、正孔注入層２５および発光層２６ｇ（発光層２６ｒ）は、第２膜形成領域７ｂ（第３膜形成領域７ｃ）に機能性材料を含む液状体を塗布し、塗布された液状体を乾燥することにより成膜する塗布法（液状体吐出法）を用いて形成されている。

第２膜形成領域７ｂ（第３膜形成領域７ｃ）は、第１膜形成領域７ａに比べて平坦性が確保されているので、塗布法（液状体吐出法）を用いてもほぼ一定な膜厚（膜断面形状）を有する発光層２６ｇ（発光層２６ｒ）が得られる。

図６に示すように、発光層２６ｂは、隣り合う第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ（発光層２６ｇ）、第３膜形成領域７ｃ（発光層２６ｒ）、および隔壁部１９を覆うように形成されている。表面の凹凸に対して被覆性が優れる蒸着法で形成されているので、成膜面に凹凸があっても、発光層２６ｂはほぼ一定した膜厚を有する。また、共通電極２７は発光層２６ｂを覆うように形成されている。正孔注入層２５や発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒの詳しい形成方法については、後述する有機ＥＬ装置１００の製造方法において述べる。

発光制御単位Ｌｕや各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられた素子基板１は、透明なガラス等からなる封止基板（図示省略）と接合され、外部から水分や酸素等のガスが機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒに浸入しないように封止される。

有機ＥＬ装置１００は、各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒからの発光が反射層２１により反射され封止基板側から取り出される、所謂トップエミッション構造が採用されたフルカラー表示が可能な表示装置である。反射層２１の下層側に発光制御単位Ｌｕが設けられているので、駆動回路部を構成するＴＦＴ１１，１２や保持容量１３、およびこれらに接続する配線（走査線３１、データ線４１、電源線４２など）は、機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒからの発光の取り出しを妨げない。したがって、これらの駆動回路部の構成要素を素子基板１上に比較的自由に配置することができる。なお、有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの構成は、これに限定されない。例えば、発光色ごとの輝度を向上させるために、各機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒと反射層２１との間に光共振構造を導入してもよい。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法について、図７〜図１０を参照して説明する。図７は有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図８（ａ）〜（ｃ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略平面図、図９（ｄ）〜（ｆ）と図１０（ｇ）〜（ｉ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。

図７に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、素子基板１上に駆動回路部を形成する駆動回路部形成工程（ステップＳ１）と、隣り合う３つの発光制御単位Ｌｕごとに下地層の表面を第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに区分して、それぞれに対応する反射層２１を形成する反射層形成工程（ステップＳ２）と、発光制御単位Ｌｕに電気的に接続するように画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを形成する画素電極形成工程（ステップＳ３）と、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃをそれぞれ区画する隔壁部１９を形成する隔壁部形成工程（ステップＳ４）と、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ上に正孔注入層２５を形成する正孔注入層形成工程（ステップＳ５）と、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを形成する発光層形成工程（ステップＳ６）と、共通電極２７を形成する共通電極形成工程（ステップＳ７）と、素子基板１と封止基板とを接合して封止する封止工程（ステップＳ８）とを備えている。

ステップＳ１の駆動回路部形成工程では、まず図８（ａ）に示すように、素子基板１上にポリシリコン膜を成膜して、フォトリソグラフィ法により各半導体層１１ａ，１２ａ，１３ａを島状に形成する。膜厚はおよそ５０ｎｍである。ポリシリコン膜の形成方法としては、公知の技術を用いることができ、例えば減圧ＣＶＤ法等が挙げられる。
そして、ＴＦＴ１１，１２に対応する半導体層１１ａ，１２ａでは、ソースおよびドレイン側をマスクし、半導体層１３ａでは、電気的な接続部をマスクした状態で、素子基板１を覆うようにゲート絶縁膜１ａを形成する。ゲート絶縁膜１ａの形成方法としては、例えば、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように真空中で成膜するスパッタ法などが挙げられる。

次に、ゲート絶縁膜１ａ上に例えば、Ａｌからなる低抵抗金属膜を厚みおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより成膜する。これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図８（ｂ）に示すように、走査線３１、データ線４１、走査線３１から半導体層１１ａ上に延びてゲート電極１１ｄとなる配線３１ａ、半導体層１２ａ上から半導体層１３ａの接続部まで延びる配線１３ｃ（ゲート電極１２ｄを含む）、保持容量１３の他方の電極１３ｂを形成する。このとき、データ線４１に対して直交するように延在する走査線３１は、一旦、データ線４１上を切り欠くように形成しておく。

次に、素子基板１のほぼ全面を覆うように層間絶縁膜１４を形成する。層間絶縁膜１４を形成する方法としては、同じくスパッタ法を用い、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように真空中で成膜する。このとき、電源線４２以外の配線を形成する部分は、予め感光性樹脂材料等を用いてマスクしておく。層間絶縁膜１４を形成した後にマスクした部分を取り除けば、図８（ｃ）に示すように、コンタクトホール１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ，１４ｇ，１４ｈを形成することができる。

次に、再びＡｌからなる低抵抗金属膜を厚みおよそ５００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより層間絶縁膜１４上に成膜する。これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図８（ｃ）に示すように、電源線４２と、各種の配線とを形成する。例えば、コンタクトホール１４ｄとコンタクトホール１４ｆとを低抵抗金属膜で埋めることにより、データ線４１とＴＦＴ１１のソースとを繋ぐ配線１１ｅを形成することができる。コンタクトホール１４ｃとコンタクトホール１４ｅとを低抵抗金属膜で埋めることにより、ＴＦＴ１１のドレインとＴＦＴ１２のゲートとを繋ぐ配線１１ｆを形成することができる。２つのコンタクトホール１４ｇ間を低抵抗金属膜で埋めることにより、途切れていた走査線３１をデータ線４１上において電気的に繋げる配線３１ｃを形成することができる。コンタクトホール１４ｂとコンタクトホール１４ｈとを低抵抗金属膜で埋めることにより、電源線４２とＴＦＴ１２のソースおよび保持容量１３の他方の電極１３ｂとを繋ぐことができる。

次に、このようにしてできあがった駆動回路部を覆うように保護膜１５を成膜する。保護膜１５の形成方法としては、例えばＳｉＮをターゲットとして厚みが２００ｎｍ〜３００ｎｍとなるように同じくスパッタ法などにより成膜する。さらに、保護膜１５を覆うように平坦化層１６を形成する。平坦化層１６の形成方法としては、感光性のアクリル系樹脂をスピンコートまたはロールコートなどの方法により厚みおよそ１μｍ〜２μｍで塗布して固化させ、フォトリソグラフィ法によりパターニングする方法が挙げられる。パターニングするのは、主に、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２のドレインとの接続を図るコンタクトホール１４ａに連通するコンタクトホール１６ａである。または、当該コンタクトホール１６ａの部分をマスクしてから平坦化層形成材料をコーティングしてもよい。

次に、ステップＳ２の反射層形成工程では、図９（ｄ）に示すように、平坦化層１６上の段差に応じて区分された第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに反射層２１を形成する。反射層２１の形成方法としては、前述した反射層形成材料であるＡｌ−Ｎｄを厚みおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるようにスパッタ法で成膜する方法が挙げられる。そして、フォトリソグラフィ法により画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒよりもやや広い平面積を有する反射層２１を形成する。続いて、反射層２１を覆うように絶縁膜１７を成膜する。絶縁膜１７の形成方法は、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとして、膜厚がおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように真空中で成膜するスパッタ法などが挙げられる。

ステップＳ３の画素電極形成工程では、図９（ｄ）に示すように、絶縁膜１７上にＩＴＯ膜をスパッタ法などにより厚みおよそ１００ｎｍとなるように成膜する。そして、これをフォトグラフィ法によりパターニングして反射層２１の上方に各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒを形成する。また、コンタクトホール１６ａをＩＴＯ膜で埋めて画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒとＴＦＴ１２（ドレイン）とを接続させる。この場合、各画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの平面積はほぼ同等である。

続いて、３つの画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒのうち画素電極２３ｇ，２３ｒの外縁部を覆うように絶縁膜１８を形成する。絶縁膜１８の形成方法としては、画素電極２３ｇ，２３ｒの外縁部以外をマスクした状態で、ＳｉＮやＳｉＯをターゲットとしてスパッタし、厚みが５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように成膜する方法が挙げられる。

さらに、ステップＳ４の隔壁部形成工程では、素子基板１の表面にフェノール系あるいはポリイミド系の感光性樹脂材料を厚みが１μｍ〜２μｍとなるようにコーティングし固化して、露光・現像することにより、絶縁膜１８上に隔壁部１９を形成する。これにより、図９（ｄ）に示すように、隔壁部１９は実質的に第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃを区画する。発光寿命を考慮して第１膜形成領域７ａの平面積が第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃに比べて大きくなるように隔壁部１９を形成する。第１膜形成領域７ａの平面積を基準とするならば、第１膜形成領域７ａに比べて第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃの平面積が小さくなるように隔壁部１９を形成する。

ステップＳ５の正孔注入層形成工程では、図９（ｄ）に示すように、ノズルから液状体を吐出可能な吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５０を用いて、正孔注入層形成材料を含む所定量の液状体６０を液滴として第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに塗布する。液状体６０は、例えば溶媒としてジエチレングリコールと水（純水）とを含み、正孔注入層形成材料として、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を重量比で０．５％含んだ溶液である。粘度がおよそ２０ｍＰａ・ｓ以下となるように溶媒の割合が調整されている。
なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ以外の正孔注入層形成材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体が挙げられる。

液状体６０が塗布された素子基板１を例えばランプアニール等の方法で加熱乾燥して溶媒を蒸発させることにより、図９（ｅ）に示すように、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃごとに、正孔注入層２５を形成する。なお、液状体６０を塗布する前に、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒの表面および画素電極２３ｇ，２３ｒの外縁を覆う絶縁膜１８の露出部分を親液処理すると共に、隔壁部１９の表面を撥液処理する表面処理を素子基板１に施してもよい。親液処理は酸素を処理ガスとしてプラズマ処理する方法、撥液処理はフッソ系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する方法が挙げられる。このようにすれば、画素電極２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ上に着弾した液状体６０はムラなく濡れ広がる。

続いて、ステップＳ６の発光層形成工程では、図９（ｆ）に示すように、まず、緑色の発光が得られる発光層形成材料を含む液状体７０Ｇと赤色の発光が得られる発光層形成材料を含む液状体７０Ｒとをそれぞれ異なる吐出ヘッド５０（吐出ヘッド５０Ｇと吐出ヘッド５０Ｒ）に充填して、対応する第２膜形成領域７ｂと、第３膜形成領域７ｃとに液滴として塗布する。
液状体７０Ｇ，７０Ｒは、例えば溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含み、発光層形成材料として緑色、赤色の発光が得られるポリフルオレン誘導体（ＰＦ）を重量比で０．７％含んだものを用いた。粘度はおよそ１４ｍＰａ・ｓである。なお、ＰＦ以外の発光層形成材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ＰＥＤＯＴ等のポリチオフェニレン誘導体、ポリメチルフェニレンシラン（ＰＭＰＳ）等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ナイルレッド、クマリン６、キナクドリン等低分子材料をドープしたものを用いてもよい。

塗布された液状体７０Ｇ，７０Ｒの乾燥方法（固化方法）としては、一般的な加熱乾燥に比べて溶媒成分を比較的均一に乾燥可能な減圧乾燥法を用いている。これにより、図１０（ｇ）に示すように、正孔注入層２５上に発光層２６ｇ，２６ｒを形成することができる。第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃは、いずれも画素電極２３ｇ，２３ｒが形成された下地層の表面における凹凸のばらつきが第１膜形成領域７ａに比べて小さくなっている。したがって、吐出ヘッド５０Ｇ，５０Ｒから吐出された液状体７０Ｇ，７０Ｒは、それぞれ対応する第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとにおいてムラ無く濡れ広がり、乾燥後に膜厚がおよそ８０ｎｍの発光層２６ｇ，２６ｒが形成された。

次に、図１０（ｈ）に示すように、第１膜形成領域７ａの正孔注入層２５上に発光層２６ｂを蒸着法により形成する。このとき、他の第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに亘って発光層２６ｂを成膜する。したがって、発光層２６ｇや発光層２６ｒの上にも発光層２６ｂが積層形成される。それゆえに、発光層２６ｂは正孔輸送性を有すると共に電子輸送性を有することが好ましい。
このような発光層２６ｂの形成方法としては、例えば青色発光が得られるキノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ３）と正孔輸送性を有するジフェニルナフチルジアミン（αＮＰＤ）とを共蒸着した後に、正孔ブロック性を有する４,４’−ビス（２,２’−ジフェニルエテン−１−イル）ビフェニル（ＤＰＢＶｉ）を蒸着する方法が挙げられる。膜厚はおよそ５０ｎｍである。また、αＮＰＤを蒸着した後に、Ａｌｑ３を蒸着した構造としてもよい。これにより、少なくとも発光層２６ｂにおける正孔輸送性が確保され、青色の発光において発光効率が改善される。
蒸着法を用いて発光層２６ｂを成膜するので、下地層の表面が数十ｎｍ〜数百ｎｍほどの段差を有する第１膜形成領域７ａであっても、正孔注入層２５上に膜厚ばらつきが少ない状態で発光層２６ｂが形成される。
これにより、正孔注入層２５と発光層２６ｂとを含む機能層２４ｂ、正孔注入層２５と発光層２６ｇおよび発光層２６ｂを含む機能層２４ｇ、正孔注入層２５と発光層２６ｒおよび発光層２６ｂを含む機能層２４ｒがそれぞれできあがる。

次に、ステップＳ７の共通電極形成工程では、図１０（ｉ）に示すように、第１膜形成領域７ａ〜第３膜形成領域７ｃに亘って形成された発光層２６ｂを覆うように、共通電極２７を形成する。これにより有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが完成する。
共通電極２７の材料としては、透明性を有するように成膜されるＩＴＯやＭｇＡｇの化合物とＣａ、Ｂａ、Ａｌ等の金属やＬｉＦ等のフッ化物とを組み合わせて用いるのが好ましい。特に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒに近い側に仕事関数が小さいＣａ、Ｂａ、ＬｉＦの膜を形成し、遠い側に仕事関数が大きいＩＴＯを形成するのが好ましい。本実施形態では、ＬｉＦ／ＭｇＡｇの構成とした。また、共通電極２７の上にＳｉＯ₂、ＳｉＮ等の保護層を積層してもよい。このようにすれば、共通電極２７の酸化を防止することができる。共通電極２７の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。特に機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの熱による損傷を防止できるという点では、蒸着法が好ましい。

次に、ステップＳ８の封止工程では、発光制御単位Ｌｕと有機ＥＬ素子２０とが形成された素子基板１と、封止基板とを接合することにより有機ＥＬ装置１００が完成する。素子基板１と封止基板の接合方法としては、素子基板１と封止基板との間に空間をおき、複数の有機ＥＬ素子２０を取り囲むように接着剤を配置して接合する所謂缶封止と呼ばれる方法や、当該空間に透明な樹脂を充填して封着する方法が挙げられる。

このような塗布法（液状体吐出法）と蒸着法とを使い分けた有機ＥＬ装置１００およびその製造方法によれば、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃに対して蒸着法によりすべての発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを選択的に形成する場合に比べて、蒸着マスクを不要としつつ、膜厚ムラが低減された発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを効率よく形成することができる。すなわち、異なる発光色間の輝度が均衡し、且つ輝度ムラが低減されたトップエミッション型のフルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１００を実現できると共に、効率よく製造することができる。

なお、機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒの構成は、これに限定されない。例えば、正孔注入層２５と発光層２６ｇ，２６ｒとの間に、中間層を形成してもよい。中間層形成材料を含む液状体としては、例えば、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含み、中間層形成材料として、トリフェニルアミン系ポリマー（ＴＦＰ）を重量比で０．１％程度含んだものが挙げられる。
中間層は、発光層２６ｇ，２６ｒに対する正孔の輸送性（注入性）を向上させると共に、発光層２６ｇ，２６ｒから正孔注入層２５に電子が浸入することを抑制する機能を有する。
また、発光層２６ｂは、正孔輸送性と電子輸送性とを有するものに限定されず、青色の発光層２６ｂとＬｉＦとの間にＡｌｑ３などの電子輸送層を設けたり、さらに電子輸送層と発光層２６ｂとの間にBis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminium（ＢＡｌｑ）のような正孔ブロック層を設けてもよい。
すなわち、これらの中間層、電子輸送層、正孔ブロック層は、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒにおける正孔と電子との結合による励起発光の効率を改善するものである。

また、発光層２６ｂを形成する方法として、蒸着法以外にスピンコート法やディップ法等を用いてもよい。この場合も、下地層の表面が数十ｎｍ〜数百ｎｍほどの段差を有する場合であっても、膜厚ばらつきが少ない状態で発光層２６ｂを形成することが可能である。言い換えれば、各膜形成領域７ａ，７ｂ，７ｃにおける下地層の凹凸のばらつきを考慮して、異なる成膜方法を選定し、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒを形成する。

本実施形態では、第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃの平面積すなわち有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの実質的な発光面積を発光色ごとの発光寿命を考慮して設定した。
主に高分子の発光層形成材料を用いる塗布法（液状体吐出法）は、低分子の発光層形成材料を用いる蒸着法に比べて、現状では形成された発光層の発光寿命が短い傾向にある。また、発光層の発光ピーク波長が長い方が、発光寿命が長い傾向にある。

一方で、発光寿命は発光層を流れる電流量に依存し、輝度は電流量と発光面積に依存する。ゆえに、各発光色を安定した輝度で得ながら発光色間の発光寿命のバランス（均衡）を図る観点では、下地層の凹凸のばらつきが最も大きい部分を含む第１膜形成領域７ａには、凹凸の影響を受け難くい高い被覆性を有する蒸着法で所望の膜厚を有する発光層２６ｂを形成する。これにより、膜厚ばらつきに起因して部分的に電流が集中して流れ、輝度ムラや発光寿命が短くなってしまうことを防ぐことができる。合わせて、蒸着法を用いて形成する発光層は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）、３色の発光色のうち最も発光ピーク波長が短い青色の発光層２６ｂが好ましい。

さらには、塗布法を用いて形成される発光層２６ｇ（緑）と発光層２６ｒ（赤）とを比較すると、発光層２６ｇ（緑）の方が発光寿命が短くなるおそれがある。したがって、発光層２６ｒが形成される第３膜形成領域７ｃは、発光層２６ｇが形成される第２膜形成領域７ｂよりも、その平面積を小さくすることが好ましい。言い換えれば、平面積が大きい方の膜形成領域に発光寿命が短い方の発光層を形成することが好ましい。発光寿命が短い方の発光層を流れる電流量を抑制することにより、発光色間の発光寿命の差を縮小することができる。

まとめると上記第１実施形態によれば、以下のような作用・効果が得られる。
１）下地層の凹凸のばらつきが大きい駆動回路部を平面的に含んだ第１膜形成領域７ａに、蒸着法を用いて発光ピーク波長が最も短い青の発光層２６ｂを形成する。該凹凸のばらつきの影響を受けずに、ほぼ一定の膜厚を有する青の発光層２６ｂが得られる。
２）他の第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃは、第１膜形成領域７ａに比べて高い平坦性を有するように駆動回路部を避けて区画し、発光層２６ｂに比べて発光ピーク波長が長い発光層２６ｇ，２６ｒを塗布法（液状体吐出法）により形成する。下地層の平坦性が確保されるので、ほぼ一定の膜厚（膜断面形状）を有する緑の発光層２６ｇと赤の発光層２６ｒとが得られる。
３）第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃの平面積すなわち有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの発光面積は、青の発光層２６ｂ＞緑の発光層２６ｇ≧赤の発光層２６ｒとなるように設定されている。それゆえに、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒの輝度と発光寿命とが考慮され発光色間でのバランスが取られている。
４）蒸着法により青の発光層２６ｂが形成される第１膜形成領域７ａの平面積を他の第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃよりも大きくするため、隔壁部１９のみで第１膜形成領域７ａを区画する。絶縁膜１８で第１膜形成領域７ａを区画する必要がないので、所望の平面積を比較的容易に確保することができる。

（第２実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２実施形態の有機ＥＬ装置について、図１１〜図１４を参照して説明する。図１１は第２実施形態の有機ＥＬ装置における有機ＥＬ素子の配置を示す概略平面図、図１２は第２実施形態の有機ＥＬ装置における駆動回路部の構成を示す概略平面図、図１３は図１２のＤ−Ｄ’線で切った有機ＥＬ素子の概略断面図、図１４は図１２のＥ−Ｅ’線で切った有機ＥＬ素子の概略断面図である。

本実施形態の有機ＥＬ装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して、駆動回路部のうち保持容量１３および電源線４２の配置を異ならせたものである。なお、第１実施形態と同様な構成は同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

具体的には、図１１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２００は、青、緑、赤の異なる発光色が得られる有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを有している。各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒはそれぞれ互いに交差する走査線３１とデータ線４１とによって区分された領域に設けられている。

青の発光が得られる有機ＥＬ素子２０Ｂの機能層２４ｂは、走査線３１とデータ線４１とによって区分された領域に亘って設けられた第１膜形成領域７ａに形成されている。第１膜形成領域７ａは、有機ＥＬ素子２０Ｂを駆動する駆動回路部の一部が設けられた下地層の領域６ｂを平面的に含んでいる。これに対して、隣り合う緑の発光が得られる有機ＥＬ素子２０Ｇの機能層２４ｇは第２膜形成領域７ｂに形成されている。第２膜形成領域７ｂは、有機ＥＬ素子２０Ｇを駆動する駆動回路部の一部が設けられた下地層の領域６ｂを含まないように設定されている。同じく、赤の発光が得られる有機ＥＬ素子２０Ｒの機能層２４ｒは第３膜形成領域７ｃに形成されている。第３膜形成領域７ｃは、有機ＥＬ素子２０Ｒを駆動する駆動回路部の一部が設けられた下地層の領域６ｂを含まないように設定されている。

第１膜形成領域７ａの平面積に対して、他の第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃの平面積はおよそ２／３となっている。これは第１実施形態と同様に異なる発光色の有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの発光寿命を考慮したものである。

第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃの平面積は、発光面積に相当する。発光面積が大きくなるにつれて機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒを発光させるための駆動電流を安定的に各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに供給する必要が生じ、供給ロスを生じさせないように電源線４２の電気抵抗を確保する必要がある。
本実施形態では、電源線４２は、走査線３１に沿って延在しており、ほぼ第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃと平面的に重なる位置に設けられている。したがって、第１実施形態の電源線４２に比べてデータ線４１の延在方向に幅広く設けられている。

図１２に示すように、駆動回路部のうち保持容量１３は、幅広に設けられた電源線４２と平面的に重なる位置に設けられており、ほぼ第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃの平面積に相当する大きさで設けられている。

図１３に示すように、保持容量１３の一対の電極１３ａ，１３ｂのうちの他方の電極１３ｂは、電源線４２と平面的に重なる位置に設けられたコンタクトホール（図示省略）を介して電源線４２と接続している。一方の電極１３ａは、同じく電源線４２を構成した低抵抗金属配線によりスイッチング用のＴＦＴ１１のドレインおよび駆動用のＴＦＴ１２のゲートと接続している。

このような保持容量１３の配置によれば、第１実施形態に比べてより大きな電気容量を確保することができる。

本実施形態の第１膜形成領域７ａは、素子基板１上に設けられた駆動回路部としてのＴＦＴ１１，１２および保持容量１３並びにこれらを接続する配線を含むように隔壁部１９によって区画されている。画素電極２３ｂは、隔壁部１９によって区画された第１膜形成領域７ａに亘って設けられている。

有機ＥＬ素子２０Ｂは、第１膜形成領域７ａに設けられた画素電極２３ｂと、画素電極２３ｂ上に順に積層された機能層２４ｂ、共通電極２７とを有している。機能層２４ｂは、正孔注入層２５と発光層２６ｂとを含んでいる。正孔注入層２５は塗布法（液状体吐出法）を用いて形成され、発光層２６ｂは蒸着法を用いて形成されている。発光層２６ｂは正孔輸送性と電子輸送性とを有するものである。

図１４に示すように、有機ＥＬ素子２０Ｂと隣り合う有機ＥＬ素子２０Ｇは、画素電極２３ｇと、画素電極２３ｇ上に順に積層された機能層２４ｇと、共通電極２７とを有している。機能層２４ｇは正孔注入層２５と発光層２６ｇと発光層２６ｂとを含んでいる。このうち、正孔注入層２５と発光層２６ｇは、第２膜形成領域７ｂに設けられている。第２膜形成領域７ｂは、素子基板１上に設けられた駆動回路部のうちＴＦＴ１１，１２を含まないように、絶縁膜１８と絶縁膜１８上に設けられた隔壁部１９とによって区画されている。発光層２６ｂは隔壁部１９と発光層２６ｇとを覆うように蒸着法により形成されている。正孔注入層２５と発光層２６ｇは、塗布法（液状体吐出法）を用いて形成されている。

隣り合う有機ＥＬ素子２０Ｒの断面構造も図１４に示した有機ＥＬ素子２０Ｇと同じである。すなわち、有機ＥＬ素子２０Ｒは、画素電極２３ｒと、画素電極２３ｒ上に順に積層された機能層２４ｒと、共通電極２７とを有している。機能層２４ｒは正孔注入層２５と発光層２６ｒと発光層２６ｂとを含んでいる。このうち、正孔注入層２５と発光層２６ｒは、第３膜形成領域７ｃに設けられている。第３膜形成領域７ｃは、素子基板１上に設けられた駆動回路部のうちＴＦＴ１１，１２を含まないように、絶縁膜１８と絶縁膜１８上に設けられた隔壁部１９とによって区画されている。発光層２６ｂは隔壁部１９と発光層２６ｒとを覆うように蒸着法により形成されている。正孔注入層２５と発光層２６ｒは、塗布法（液状体吐出法）を用いて形成されている。

図１４に示すように、第２膜形成領域７ｂは、断面がほぼ平らな保持容量１３と電源線４２とが設けられた下地層の領域を絶縁膜１８と絶縁膜１８上に設けられた隔壁部１９とにより区画されている。したがって、成膜面における平坦性が第１実施形態と同様に確保される。それゆえに、塗布法（液状体吐出法）を用いて第２膜形成領域７ｂにほぼ一定の膜厚（膜断面形状）を有する正孔注入層２５や発光層２６ｇを形成することができる。有機ＥＬ素子２０Ｒにおける正孔注入層２５や発光層２６ｒが設けられた第３膜形成領域７ｃも同様である。

なお、有機ＥＬ装置２００の製造方法は、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法を適用することができる。

上記第２実施形態によれば、第１実施形態の作用・効果に加えて、以下の作用・効果を奏する。
１）有機ＥＬ装置２００は、隔壁部１９により区画された第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃの下地層に駆動回路部のうち保持容量１３が設けられている。保持容量１３の平面積は、第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃの平面積とほぼ同一である。したがって、第１実施形態に比べて保持容量１３の電気容量を大きくすることができる。
２）電源線４２は、走査線３１に沿って第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃに跨るように幅広に設けられている。したがって、第１実施形態に比べて有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対して駆動電流を供給ロスを低減してより安定的に供給できる。
また、素子基板１上において保持容量１３が設けられた領域に対して重畳されるように設けられているので、第２膜形成領域７ｂや第３膜形成領域７ｃにおける下地層の表面を凹凸が少ない平坦な状態とすることができる。

（第３実施形態）
次に本実施形態の電子機器について図１５を参照して説明する。図１５は電子機器の一例としての携帯型電話機を示す概略斜視図である。

図１５に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型電話機１０００は、操作ボタン１００３を備えた本体１００２と、本体１００２にヒンジを介して折畳式に取り付けられた表示部１００１とを備えている。
表示部１００１には、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００，２００のいずれかが搭載されている。
したがって、発光層２６ｂ，２６ｇ，２６ｒの膜厚ばらつきに起因する輝度ムラが低減され見映えのよいフルカラー表示が可能な携帯型電話機１０００を提供することができる。

なお、上記有機ＥＬ装置１００，２００のいずれかが搭載された電子機器は、携帯型電話機１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワーなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。

上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００において、蒸着法を用いて形成された青の発光層２６ｂは、他の発光層２６ｇ，２６ｒを覆うように形成することに限定されない。図１６は、変形例の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。詳しくは、有機ＥＬ装置１００の構造を示した図６の概略断面図に相当するものである。例えば、図１６に示すように、変形例の有機ＥＬ装置３００は、発光層２６ｂの形成時に、第１膜形成領域７ａ以外を遮る蒸着マスクを用い、第１膜形成領域７ａだけに発光層２６ｂが蒸着され成膜されている。このような構成および製造方法によれば、発光層２６ｂを選択的に成膜するわずらわしさがあるものの、異なる発光色の発光層同士が積層されないので、それぞれ比較的容易にねらいのピーク波長を有する発光を得ることができる。

（変形例２）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００において、隔壁部１９による第１膜形成領域７ａ、第２膜形成領域７ｂ、第３膜形成領域７ｃの区画の仕方は、異なる発光色が得られる機能層２４ｂ，２４ｇ，２４ｒごとに対応した方法に限定されない。図１７は、変形例の膜形成領域の区画方法を示す概略平面図である。図１７に示すように、例えば、駆動回路部の少なくとも一部が設けられた下地層の領域６ａを含まないように、第１隔壁部としての絶縁膜１８により、機能層２４ｇのうち正孔注入層２５、発光層２６ｇが形成される膜形成領域７ｄ（実質的な発光領域）を区画する。第２膜形成領域７ｂは、複数（図１７では３つ）の膜形成領域７ｄを含むように第２隔壁部としての隔壁部１９で区画する。第３膜形成領域７ｃも同様である。すなわち、絶縁膜１８により、機能層２４ｒのうち正孔注入層２５、発光層２６ｒが形成される膜形成領域７ｅ（実質的は発光領域）を区画する。第３膜形成領域７ｃは、複数（図１７では３つ）の膜形成領域７ｅを含むように隔壁部１９で区画する。
このようにすれば、第１実施形態に比べて、正孔注入層形成材料を含む液状体６０や発光層形成材料を含む液状体７０Ｇ，７０Ｒをより広い範囲に亘って塗布することができるので、乾燥後に膜厚ばらつきがより抑えられた正孔注入層２５や発光層２６ｇ，２６ｒを得ることができる。
このような変形例は、塗布法を用いて機能層２４ｇ，２４ｒの少なくとも一部が形成される第２膜形成領域７ｂおよび第３膜形成領域７ｃに適用することが好適であるが、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃのいずれか一方に適用してもよい。また、３つの膜形成領域７ｄ，７ｅを含むことに限定されないことは言うまでもなく、同色の発光層が形成される膜形成領域７ｄまたは膜形成領域７ｅをすべて含むとしてもよい。
さらには、塗布法を用いて機能層２４ｂの少なくとも一部（正孔注入層２５）が形成される第１膜形成領域７ａにも適用することができる。

（変形例３）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００および上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００における封止基板の構成は、これに限定されない。例えば、各有機ＥＬ素子２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒと対向する封止基板に発光色に対応したカラーフィルターを設けてもよい。これによれば、色再現性に優れたトップエミッション型のフルカラー表示装置を提供できる。

（変形例４）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法において、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとで平面積が異なる場合、発光層形成工程では、平面積が小さいほど塗布後の乾燥が進み易く、乾燥速度の違いで成膜後の膜形状が安定しないおそれがある。したがって、平面積が大きい順に液状体７０Ｇ，７０Ｒを塗布することが望ましい。これによって、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃ間の乾燥速度の差を抑制して、安定した膜形状の発光層２６ｇ，２６ｒを形成することができる。

（変形例５）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法において、発光層形成工程では、第２膜形成領域７ｂと第３膜形成領域７ｃとに、それぞれ異なる種類の液状体７０Ｇ，７０Ｒを塗布すると、後から塗布した液状体の膜形成領域に対する濡れ性が低下する。したがって、異なる種類の液状体７０Ｇ，７０Ｒのうち膜形成領域に対する濡れ性が低い順に塗布することが望ましい。このようにすれば、液状体７０Ｇ，７０Ｒの各膜形成領域における濡れ性を安定的に確保してムラなく塗布することができる。

（変形例６）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法において、異なる発光層形成材料を含む液状体７０Ｇ，７０Ｒのうち、例えば、水分や酸素に曝露されたり、加熱等を受けることによって失活し易い発光層形成材料を含む液状体は、一番最後に塗布することが望ましい。これにより歩留りを向上させることができる。

１…基板としての素子基板、７ａ…第１膜形成領域、７ｂ…第２膜形成領域、７ｃ…第３膜形成領域、１１，１２…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、１３…保持容量、１８…第１隔壁部としての絶縁層、１９…第２隔壁部としての隔壁部、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…有機ＥＬ素子、２３，２３ｂ，２３ｇ，２３ｒ…画素電極、２４，２４ｂ，２４ｇ，２４ｒ…機能層、２６ｂ…第１発光層としての青色の発光層、２６ｇ…第２発光層としての緑色の発光層、２６ｒ…第３発光層としての赤色の発光層、２７…共通電極、１００，２００…有機ＥＬ装置、１０００…電子機器としての携帯型電話機。

Claims (18)

1. 基板を含む下地層上において互いに隣り合って配置された異なる発光色が得られる第１有機ＥＬ素子および第２有機ＥＬ素子並びに第３有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置であって、
   前記下地層は、前記第１有機ＥＬ素子を駆動する第１駆動回路部と、前記第２有機ＥＬ素子を駆動する第２駆動回路部と、前記第３有機ＥＬ素子を駆動する第３駆動回路部とを含み、
   前記下地層上において、前記第１有機ＥＬ素子の第１発光層が設けられた第１膜形成領域と、前記第２有機ＥＬ素子の第２発光層が設けられた第２膜形成領域と、前記第３有機ＥＬ素子の第３発光層が設けられた第３膜形成領域とを区画する隔壁部を有し、
   前記隔壁部は、平面的に前記第１駆動回路部を含むように前記第１膜形成領域を区画し、前記第２駆動回路部の少なくとも一部を含まないように前記第２膜形成領域を区画し、前記第３駆動回路部の少なくとも一部を含まないように前記第３膜形成領域を区画しており、
   前記第１発光層に対して前記第２発光層および前記第３発光層が異なる成膜方法により形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 緑色の発光が得られる前記第２発光層および赤色の発光が得られる前記第３発光層が液状体吐出法を用いて形成され、
   前記第２発光層および前記第３発光層を覆うように蒸着法を用いて青色の発光が得られる前記第１発光層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
3. 前記第１発光層は、正孔輸送性を有することを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
4. 前記第１発光層は、正孔輸送性と電子輸送性とを有することを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
5. 前記隔壁部は、前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域に比べて平面積が大きくなるように前記第１膜形成領域を区画していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
6. 前記隔壁部は、無機材料からなる第１隔壁部と有機材料からなる第２隔壁部とを有し、
   前記第１膜形成領域は前記第２隔壁部のみにより区画され、
   前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域はそれぞれ前記第１隔壁部上に設けられた前記第２隔壁部によって区画されていることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
7. 前記隔壁部は、無機材料からなる第１隔壁部と有機材料からなる第２隔壁部とを有し、
   前記第１膜形成領域は前記第２隔壁部のみにより区画され、
   前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち少なくとも一方の実質的な発光領域が前記第１隔壁部により区画され、前記第２隔壁部は、複数の前記発光領域を含んで区画するように前記第１隔壁部上に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
8. 前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部並びに前記第３駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、
   前記隔壁部は、少なくとも前記薄膜トランジスターを含まないように前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域とをそれぞれ区画していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
9. 前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部並びに前記第３駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、
   前記隔壁部は、前記薄膜トランジスターと前記保持容量とを含まないように前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域とをそれぞれ区画していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
10. 基板を含む下地層上において互いに隣り合って配置された異なる発光色が得られる第１有機ＥＬ素子および第２有機ＥＬ素子並びに第３有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記基板上に前記第１有機ＥＬ素子を駆動する第１駆動回路部と、前記第２有機ＥＬ素子を駆動する第２駆動回路部と、前記第３有機ＥＬ素子を駆動する第３駆動回路部とを形成する駆動回路部形成工程と、
    前記基板上において前記第１駆動回路部を含む第１膜形成領域と、前記第２駆動回路部の少なくとも一部を含まない第２膜形成領域と、前記第３駆動回路部の少なくとも一部を含まない第３膜形成領域と、を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
    前記第１膜形成領域に前記第１有機ＥＬ素子の第１発光層を形成すると共に、前記第２膜形成領域に前記第２有機ＥＬ素子の第２発光層を形成し、前記第３膜形成領域に前記第３有機ＥＬ素子の第３発光層を形成する発光層形成工程とを備え、
    前記第１発光層に対して前記第２発光層および前記第３発光層を異なる成膜方法を用いて形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
11. 前記発光層形成工程は、液状体吐出法を用いて緑色の発光が得られる前記第２発光層および赤色の発光が得られる前記第３発光層を形成し、前記第２発光層および前記第３発光層を覆うように蒸着法を用いて青色の発光が得られる前記第１発光層を形成することを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
12. 前記発光層形成工程は、蒸着法を用いて正孔輸送性と電子輸送性とを有する前記第１発光層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
13. 前記隔壁部形成工程は、区画された前記第１膜形成領域の平面積が前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域よりも大きくなるように前記隔壁部を形成することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
14. 前記隔壁部は、無機材料からなる第１隔壁部と有機材料からなる第２隔壁部とを有し、
    前記隔壁部形成工程は、前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域をそれぞれ区画するように前記第１隔壁部を形成すると共に前記第１隔壁部上に前記第２隔壁部を形成し、
    前記第１膜形成領域を区画するように前記第２隔壁部を形成することを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
15. 前記隔壁部は、無機材料からなる第１隔壁部と有機材料からなる第２隔壁部とを有し、
    前記隔壁部形成工程は、前記第１膜形成領域を区画するように前記第２隔壁部を形成し、
    前記第２膜形成領域および前記第３膜形成領域のうち少なくとも一方の実質的な発光領域を区画するように前記第１隔壁部を形成し、
    複数の前記発光領域を含んで区画するように前記第１隔壁部上に前記第２隔壁部を形成することを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
16. 前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部並びに前記第３駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、
    前記隔壁部形成工程は、少なくとも前記薄膜トランジスターを含まないように前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域とをそれぞれ区画する前記隔壁部を形成することを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
17. 前記第１駆動回路部および前記第２駆動回路部並びに前記第３駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、
    前記隔壁部形成工程は、前記薄膜トランジスターと前記保持容量とを含まないように前記第２膜形成領域と前記第３膜形成領域とをそれぞれ区画する前記隔壁部を形成することを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
18. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置、または請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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