JP2011100553A - 有機el装置、有機el装置の製造方法、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本適用例の有機EL装置100は、下地層上において、有機EL素子20Bの発光層26bが設けられた第1膜形成領域7aと、有機EL素子20Gの発光層26gが設けられた第2膜形成領域7bと、有機EL素子20Rの発光層26rが設けられた第3膜形成領域7cとを区画する隔壁部19を有し、隔壁部19は、平面的に駆動回路部を含むように第1膜形成領域7aを区画し、駆動回路部の少なくとも一部を含まないように第2膜形成領域7bと第3膜形成領域7cとを区画しており、発光層26bに対して発光層26gおよび発光層26rが異なる成膜方法により形成されている。
【選択図】図6
Description
また、塗布法を適用可能な有機発光材料では、赤色や緑色に比べて青色の発光寿命が短いという課題がある。
この構成によれば、第1駆動回路部を含んだ第1膜形成領域には、下地層の平坦性の影響を受け難い蒸着法で青色の発光が得られる第1発光層が形成されている。また、第1膜形成領域に比べて下地層の平坦性が確保された第2膜形成領域と第3膜形成領域とには、液状体吐出法により緑色の発光が得られる第2発光層と赤色の発光が得られる第3発光層とが形成されている。したがって、第1発光層から第3発光層までを所定の膜厚で構成することが可能となり、青、緑、赤の3色の発光が安定した輝度で得られる有機EL装置を提供できる。
この構成によれば、蒸着法で形成される第1発光層において、効率のよい青色の発光を得ることができる。
この構成によれば、蒸着法で形成される第1発光層において、効率のよい青色の発光を得ることができると共に、第2発光層と第3発光層とを覆うように第1発光層を設けても、第1発光層が正孔輸送性に加えて電子輸送性を有するため、第2発光層および第3発光層への電荷注入を妨げず、第2発光層および第3発光層においても安定した発光が得られる。
この構成によれば、青色の発光材料は、緑色や赤色に比べて発光寿命が短い傾向があるため、青色の第1発光層が形成される第1膜形成領域を他の膜形成領域に比べて平面積が大きくなるように設定すれば、異なる発光色間の発光寿命を均衡させて、全体としてより発光寿命が長い有機EL装置を提供できる。
なお、発光寿命とは、有機EL素子に所定の電流を流して断続的あるいは連続的に発光させ、その発光輝度が所定の値(例えば、初期値の半分程度)となる通電時間を言う。発光輝度は、発光層を流れる電流量と発光面積に依存するので、発光面積が大きければ所定の輝度を得るための電流量を小さくすることができる。一方、発光寿命は発光層を流れる電流量に依存するので、電流量が少ないほど発光寿命が長くなる。
この構成によれば、第1隔壁部と第2隔壁部とにより構成される所謂二層構造の隔壁部で第1膜形成領域を区画する場合に比べて、第1〜第3有機EL素子間の配置を異ならせることなく、区画された第1膜形成領域の平面積を第2膜形成領域や第3膜形成領域に比べて容易に広くすることができる。
この構成によれば、第2膜形成領域また第3膜形成領域を第2隔壁部によって個別に区画する場合に比べて、同一の発光色が得られる発光層の形成範囲を広く設定できる。つまり、液状体吐出法を用いて第2発光層および第3発光層を形成する場合に、より広い範囲に機能性材料を含む液状体を塗布可能となり、乾燥後に安定した膜厚(膜の断面形状)を得やすい。
薄膜トランジスターは、半導体層やこれに繋がる各種の電極が積層された構造となっており、下地層のうち薄膜トランジスターが設けられた部分は、その表面に段差が生じ易い。この構成によれば、薄膜トランジスターが平面的に含まれないように隔壁部によって第2膜形成領域と第3膜形成領域とがそれぞれ区画されている。したがって、第2膜形成領域と第3膜形成領域とにおける下地層の表面を平坦な状態とすることができる。すなわち、液状体吐出法に適した状態とすることができる。
この構成によれば、薄膜トランジスターに加えて保持容量の部分も除かれるので第2膜形成領域と第3膜形成領域とにおける下地層の表面をより平坦な状態とすることができる。
この方法によれば、第1駆動回路部を含んだ第1膜形成領域には、下地層の平坦性の影響を受け難い蒸着法で青色の発光が得られる第1発光層を形成する。また、第1膜形成領域に比べて下地層の平坦性が確保された第2膜形成領域と第3膜形成領域とには、液状体吐出法により緑色の発光が得られる第2発光層と赤色の発光が得られる第3発光層とを形成する。したがって、第1発光層から第3発光層までを所定の膜厚で形成することが可能となり、青、緑、赤の3色の発光が安定した輝度で得られる有機EL装置を製造することができる。また、液状体吐出法で選択的に形成された第2発光層と第3発光層を覆うように蒸着法で第1発光層を形成するため、第1発光層を所定の領域に選択的に成膜するための蒸着マスクを必要とせず、工程を簡略化できる。
この方法によれば、蒸着法を用いて形成される第1発光層において、効率のよい青色の発光を得ることができると共に、第2発光層と第3発光層とを覆うように第1発光層を設けても、第1発光層が正孔輸送性に加えて電子輸送性を有するため、第2発光層および第3発光層への電荷注入を妨げず、第2発光層および第3発光層においても安定した発光が得られる有機EL装置を製造することができる。
この方法によれば、他の発光色に比べて発光寿命が短い青色の第1発光層が形成される第1膜形成領域が他の膜形成領域に比べて平面的に広くなるので、異なる発光色間の発光寿命を均衡させて、全体としてより発光寿命が長い有機EL装置を製造することができる。
この方法によれば、第1隔壁部と第2隔壁部とにより構成される所謂二層構造の隔壁部で第1膜形成領域を区画する場合に比べて、第1〜第3有機EL素子間の配置を異ならせることなく、区画された第1膜形成領域の平面積を第2膜形成領域や第3膜形成領域に比べて容易に広くすることができる。
この方法によれば、第2膜形成領域また第3膜形成領域を第2隔壁部によって個別に区画する場合に比べて、同一の発光色が得られる発光層の形成範囲を広くすることができる。つまり、液状体吐出法を用いて第2発光層および第3発光層を形成する場合に、より広い範囲に機能性材料を含む液状体を塗布可能となり、乾燥後に安定した膜厚(膜の断面形状)を有する発光層を形成することができる。
この方法によれば、第2膜形成領域と第3膜形成領域とにおける下地層の表面が第1膜形成領域に比べて平坦な状態となり、液状体吐出法に適した表面状態とすることができる。
この方法によれば、第2膜形成領域と第3膜形成領域とにおける下地層の表面が第1膜形成領域に比べてより平坦な状態となり、乾燥後により安定した膜厚(膜の断面形状)を有する発光層を形成することができる。
この構成によれば、発光ムラ(輝度ムラ)が少ない安定した発光特性(輝度特性)を有する有機EL装置を備えているため、見栄えのよい電子機器を提供することができる。
<有機EL装置>
まず、本実施形態の有機EL装置について、図1〜図3を参照して説明する。図1は第1実施形態の有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図、図2は第1実施形態の有機EL装置における有機EL素子の配置を示す概略平面図、図3は第1実施形態の有機EL装置における駆動回路部の構成を示す概略平面図である。
発光単位としての有機EL素子20は、駆動用のTFT12を介して電源線42に電気的に接続したときに該電源線42から駆動電流が流れ込む陽極としての画素電極23と、陰極としての共通電極27と、画素電極23と共通電極27との間に挟み込まれた機能層24とを有している。
これらのTFT11,12に接続する走査線31とデータ線41とを総称して信号線と呼ぶ。
また、下地層には素子基板1、発光制御単位Lu、反射層21、絶縁膜17が含まれており、有機EL素子20Bにおける発光が反射層21によって反射して取り出されるトップエミッション構造となっている。このような構成は、他の有機EL素子20G,20Rにおいても同様である。
ちなみに、第1膜形成領域7aにおける表面の段差(凹凸の差)は、およそ数十nm〜数百nmである。これに対して第2膜形成領域7b、第3膜形成領域7cにおける表面の段差(凹凸の差)は、図6の断面図上ではほとんど発生していない。
なお、画素電極23bを反射性を有する部材で構成した場合には、反射層21や絶縁膜17を不要とすることができる。
画素電極23bは、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)などの透明導電膜であり、厚みはおよそ50nm〜100nmである。コンタクトホール14aを介してTFT12のドレイン12cに接続されている。
次に、本実施形態の有機EL装置100の製造方法について、図7〜図10を参照して説明する。図7は有機EL装置の製造方法を示すフローチャート、図8(a)〜(c)は有機EL装置の製造方法を示す概略平面図、図9(d)〜(f)と図10(g)〜(i)は有機EL装置の製造方法を示す概略断面図である。
そして、TFT11,12に対応する半導体層11a,12aでは、ソースおよびドレイン側をマスクし、半導体層13aでは、電気的な接続部をマスクした状態で、素子基板1を覆うようにゲート絶縁膜1aを形成する。ゲート絶縁膜1aの形成方法としては、例えば、SiNやSiOをターゲットとして、膜厚がおよそ50nm〜100nmとなるように真空中で成膜するスパッタ法などが挙げられる。
なお、PEDOT/PSS以外の正孔注入層形成材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体が挙げられる。
液状体70G,70Rは、例えば溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含み、発光層形成材料として緑色、赤色の発光が得られるポリフルオレン誘導体(PF)を重量比で0.7%含んだものを用いた。粘度はおよそ14mPa・sである。なお、PF以外の発光層形成材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、PEDOT等のポリチオフェニレン誘導体、ポリメチルフェニレンシラン(PMPS)等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ナイルレッド、クマリン6、キナクドリン等低分子材料をドープしたものを用いてもよい。
このような発光層26bの形成方法としては、例えば青色発光が得られるキノリノールアルミ錯体(Alq3)と正孔輸送性を有するジフェニルナフチルジアミン(αNPD)とを共蒸着した後に、正孔ブロック性を有する4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルエテン−1−イル)ビフェニル(DPBVi)を蒸着する方法が挙げられる。膜厚はおよそ50nmである。また、αNPDを蒸着した後に、Alq3を蒸着した構造としてもよい。これにより、少なくとも発光層26bにおける正孔輸送性が確保され、青色の発光において発光効率が改善される。
蒸着法を用いて発光層26bを成膜するので、下地層の表面が数十nm〜数百nmほどの段差を有する第1膜形成領域7aであっても、正孔注入層25上に膜厚ばらつきが少ない状態で発光層26bが形成される。
これにより、正孔注入層25と発光層26bとを含む機能層24b、正孔注入層25と発光層26gおよび発光層26bを含む機能層24g、正孔注入層25と発光層26rおよび発光層26bを含む機能層24rがそれぞれできあがる。
共通電極27の材料としては、透明性を有するように成膜されるITOやMgAgの化合物とCa、Ba、Al等の金属やLiF等のフッ化物とを組み合わせて用いるのが好ましい。特に機能層24b,24g,24rに近い側に仕事関数が小さいCa、Ba、LiFの膜を形成し、遠い側に仕事関数が大きいITOを形成するのが好ましい。本実施形態では、LiF/MgAgの構成とした。また、共通電極27の上にSiO2、SiN等の保護層を積層してもよい。このようにすれば、共通電極27の酸化を防止することができる。共通電極27の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、CVD法等が挙げられる。特に機能層24b,24g,24rの熱による損傷を防止できるという点では、蒸着法が好ましい。
中間層は、発光層26g,26rに対する正孔の輸送性(注入性)を向上させると共に、発光層26g,26rから正孔注入層25に電子が浸入することを抑制する機能を有する。
また、発光層26bは、正孔輸送性と電子輸送性とを有するものに限定されず、青色の発光層26bとLiFとの間にAlq3などの電子輸送層を設けたり、さらに電子輸送層と発光層26bとの間にBis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminium(BAlq)のような正孔ブロック層を設けてもよい。
すなわち、これらの中間層、電子輸送層、正孔ブロック層は、発光層26b,26g,26rにおける正孔と電子との結合による励起発光の効率を改善するものである。
主に高分子の発光層形成材料を用いる塗布法(液状体吐出法)は、低分子の発光層形成材料を用いる蒸着法に比べて、現状では形成された発光層の発光寿命が短い傾向にある。また、発光層の発光ピーク波長が長い方が、発光寿命が長い傾向にある。
1)下地層の凹凸のばらつきが大きい駆動回路部を平面的に含んだ第1膜形成領域7aに、蒸着法を用いて発光ピーク波長が最も短い青の発光層26bを形成する。該凹凸のばらつきの影響を受けずに、ほぼ一定の膜厚を有する青の発光層26bが得られる。
2)他の第2膜形成領域7bおよび第3膜形成領域7cは、第1膜形成領域7aに比べて高い平坦性を有するように駆動回路部を避けて区画し、発光層26bに比べて発光ピーク波長が長い発光層26g,26rを塗布法(液状体吐出法)により形成する。下地層の平坦性が確保されるので、ほぼ一定の膜厚(膜断面形状)を有する緑の発光層26gと赤の発光層26rとが得られる。
3)第1膜形成領域7a、第2膜形成領域7b、第3膜形成領域7cの平面積すなわち有機EL素子20B,20G,20Rの発光面積は、青の発光層26b>緑の発光層26g≧赤の発光層26rとなるように設定されている。それゆえに、発光層26b,26g,26rの輝度と発光寿命とが考慮され発光色間でのバランスが取られている。
4)蒸着法により青の発光層26bが形成される第1膜形成領域7aの平面積を他の第2膜形成領域7bや第3膜形成領域7cよりも大きくするため、隔壁部19のみで第1膜形成領域7aを区画する。絶縁膜18で第1膜形成領域7aを区画する必要がないので、所望の平面積を比較的容易に確保することができる。
<有機EL装置>
次に、第2実施形態の有機EL装置について、図11〜図14を参照して説明する。図11は第2実施形態の有機EL装置における有機EL素子の配置を示す概略平面図、図12は第2実施形態の有機EL装置における駆動回路部の構成を示す概略平面図、図13は図12のD−D’線で切った有機EL素子の概略断面図、図14は図12のE−E’線で切った有機EL素子の概略断面図である。
本実施形態では、電源線42は、走査線31に沿って延在しており、ほぼ第2膜形成領域7bや第3膜形成領域7cと平面的に重なる位置に設けられている。したがって、第1実施形態の電源線42に比べてデータ線41の延在方向に幅広く設けられている。
1)有機EL装置200は、隔壁部19により区画された第2膜形成領域7bおよび第3膜形成領域7cの下地層に駆動回路部のうち保持容量13が設けられている。保持容量13の平面積は、第2膜形成領域7bおよび第3膜形成領域7cの平面積とほぼ同一である。したがって、第1実施形態に比べて保持容量13の電気容量を大きくすることができる。
2)電源線42は、走査線31に沿って第2膜形成領域7bや第3膜形成領域7cに跨るように幅広に設けられている。したがって、第1実施形態に比べて有機EL素子20B,20G,20Rに対して駆動電流を供給ロスを低減してより安定的に供給できる。
また、素子基板1上において保持容量13が設けられた領域に対して重畳されるように設けられているので、第2膜形成領域7bや第3膜形成領域7cにおける下地層の表面を凹凸が少ない平坦な状態とすることができる。
次に本実施形態の電子機器について図15を参照して説明する。図15は電子機器の一例としての携帯型電話機を示す概略斜視図である。
表示部1001には、上記実施形態の有機EL装置100,200のいずれかが搭載されている。
したがって、発光層26b,26g,26rの膜厚ばらつきに起因する輝度ムラが低減され見映えのよいフルカラー表示が可能な携帯型電話機1000を提供することができる。
このようにすれば、第1実施形態に比べて、正孔注入層形成材料を含む液状体60や発光層形成材料を含む液状体70G,70Rをより広い範囲に亘って塗布することができるので、乾燥後に膜厚ばらつきがより抑えられた正孔注入層25や発光層26g,26rを得ることができる。
このような変形例は、塗布法を用いて機能層24g,24rの少なくとも一部が形成される第2膜形成領域7bおよび第3膜形成領域7cに適用することが好適であるが、第2膜形成領域7bと第3膜形成領域7cのいずれか一方に適用してもよい。また、3つの膜形成領域7d,7eを含むことに限定されないことは言うまでもなく、同色の発光層が形成される膜形成領域7dまたは膜形成領域7eをすべて含むとしてもよい。
さらには、塗布法を用いて機能層24bの少なくとも一部(正孔注入層25)が形成される第1膜形成領域7aにも適用することができる。
Claims (18)
- 基板を含む下地層上において互いに隣り合って配置された異なる発光色が得られる第1有機EL素子および第2有機EL素子並びに第3有機EL素子を備えた有機EL装置であって、
前記下地層は、前記第1有機EL素子を駆動する第1駆動回路部と、前記第2有機EL素子を駆動する第2駆動回路部と、前記第3有機EL素子を駆動する第3駆動回路部とを含み、
前記下地層上において、前記第1有機EL素子の第1発光層が設けられた第1膜形成領域と、前記第2有機EL素子の第2発光層が設けられた第2膜形成領域と、前記第3有機EL素子の第3発光層が設けられた第3膜形成領域とを区画する隔壁部を有し、
前記隔壁部は、平面的に前記第1駆動回路部を含むように前記第1膜形成領域を区画し、前記第2駆動回路部の少なくとも一部を含まないように前記第2膜形成領域を区画し、前記第3駆動回路部の少なくとも一部を含まないように前記第3膜形成領域を区画しており、
前記第1発光層に対して前記第2発光層および前記第3発光層が異なる成膜方法により形成されていることを特徴とする有機EL装置。 - 緑色の発光が得られる前記第2発光層および赤色の発光が得られる前記第3発光層が液状体吐出法を用いて形成され、
前記第2発光層および前記第3発光層を覆うように蒸着法を用いて青色の発光が得られる前記第1発光層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。 - 前記第1発光層は、正孔輸送性を有することを特徴とする請求項2に記載の有機EL装置。
- 前記第1発光層は、正孔輸送性と電子輸送性とを有することを特徴とする請求項2に記載の有機EL装置。
- 前記隔壁部は、前記第2膜形成領域および前記第3膜形成領域に比べて平面積が大きくなるように前記第1膜形成領域を区画していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL装置。
- 前記隔壁部は、無機材料からなる第1隔壁部と有機材料からなる第2隔壁部とを有し、
前記第1膜形成領域は前記第2隔壁部のみにより区画され、
前記第2膜形成領域および前記第3膜形成領域はそれぞれ前記第1隔壁部上に設けられた前記第2隔壁部によって区画されていることを特徴とする請求項5に記載の有機EL装置。 - 前記隔壁部は、無機材料からなる第1隔壁部と有機材料からなる第2隔壁部とを有し、
前記第1膜形成領域は前記第2隔壁部のみにより区画され、
前記第2膜形成領域および前記第3膜形成領域のうち少なくとも一方の実質的な発光領域が前記第1隔壁部により区画され、前記第2隔壁部は、複数の前記発光領域を含んで区画するように前記第1隔壁部上に設けられていることを特徴とする請求項5に記載の有機EL装置。 - 前記第1駆動回路部および前記第2駆動回路部並びに前記第3駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、
前記隔壁部は、少なくとも前記薄膜トランジスターを含まないように前記第2膜形成領域と前記第3膜形成領域とをそれぞれ区画していることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機EL装置。 - 前記第1駆動回路部および前記第2駆動回路部並びに前記第3駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、
前記隔壁部は、前記薄膜トランジスターと前記保持容量とを含まないように前記第2膜形成領域と前記第3膜形成領域とをそれぞれ区画していることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機EL装置。 - 基板を含む下地層上において互いに隣り合って配置された異なる発光色が得られる第1有機EL素子および第2有機EL素子並びに第3有機EL素子を備えた有機EL装置の製造方法であって、
前記基板上に前記第1有機EL素子を駆動する第1駆動回路部と、前記第2有機EL素子を駆動する第2駆動回路部と、前記第3有機EL素子を駆動する第3駆動回路部とを形成する駆動回路部形成工程と、
前記基板上において前記第1駆動回路部を含む第1膜形成領域と、前記第2駆動回路部の少なくとも一部を含まない第2膜形成領域と、前記第3駆動回路部の少なくとも一部を含まない第3膜形成領域と、を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
前記第1膜形成領域に前記第1有機EL素子の第1発光層を形成すると共に、前記第2膜形成領域に前記第2有機EL素子の第2発光層を形成し、前記第3膜形成領域に前記第3有機EL素子の第3発光層を形成する発光層形成工程とを備え、
前記第1発光層に対して前記第2発光層および前記第3発光層を異なる成膜方法を用いて形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 前記発光層形成工程は、液状体吐出法を用いて緑色の発光が得られる前記第2発光層および赤色の発光が得られる前記第3発光層を形成し、前記第2発光層および前記第3発光層を覆うように蒸着法を用いて青色の発光が得られる前記第1発光層を形成することを特徴とする請求項10に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記発光層形成工程は、蒸着法を用いて正孔輸送性と電子輸送性とを有する前記第1発光層を形成することを特徴とする請求項11に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記隔壁部形成工程は、区画された前記第1膜形成領域の平面積が前記第2膜形成領域および前記第3膜形成領域よりも大きくなるように前記隔壁部を形成することを特徴とする請求項10乃至12のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記隔壁部は、無機材料からなる第1隔壁部と有機材料からなる第2隔壁部とを有し、
前記隔壁部形成工程は、前記第2膜形成領域および前記第3膜形成領域をそれぞれ区画するように前記第1隔壁部を形成すると共に前記第1隔壁部上に前記第2隔壁部を形成し、
前記第1膜形成領域を区画するように前記第2隔壁部を形成することを特徴とする請求項13に記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記隔壁部は、無機材料からなる第1隔壁部と有機材料からなる第2隔壁部とを有し、
前記隔壁部形成工程は、前記第1膜形成領域を区画するように前記第2隔壁部を形成し、
前記第2膜形成領域および前記第3膜形成領域のうち少なくとも一方の実質的な発光領域を区画するように前記第1隔壁部を形成し、
複数の前記発光領域を含んで区画するように前記第1隔壁部上に前記第2隔壁部を形成することを特徴とする請求項13に記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記第1駆動回路部および前記第2駆動回路部並びに前記第3駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、
前記隔壁部形成工程は、少なくとも前記薄膜トランジスターを含まないように前記第2膜形成領域と前記第3膜形成領域とをそれぞれ区画する前記隔壁部を形成することを特徴とする請求項10乃至15のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記第1駆動回路部および前記第2駆動回路部並びに前記第3駆動回路部は、それぞれ薄膜トランジスターと保持容量とこれらを繋ぐ配線とを少なくとも含み、
前記隔壁部形成工程は、前記薄膜トランジスターと前記保持容量とを含まないように前記第2膜形成領域と前記第3膜形成領域とをそれぞれ区画する前記隔壁部を形成することを特徴とする請求項10乃至15のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。 - 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の有機EL装置、または請求項10乃至17のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法を用いて製造された有機EL装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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