JP5443817B2 - 画像表示装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態に係る画像表示装置1を示す図である。画像表示装置1は、有機発光ダイオードOLEDの発光を利用している。
次に、図3に示される構成を有する画像表示装置の製造方法について説明する。図5〜図11は、本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。
次に、有機発光ダイオードOLEDの発光動作について説明する。なお、図5は、本実施形態に係る画像表示装置の一画素に対応する画素回路を示す図面である。画素回路は、回路層11内に位置する。なお、図5、図7〜図11では、有機発光ダイオードOLEDの容量をCOLEDとして表している。有機発光ダイオードOLEDは、電流が流れる向きと反対方向に電圧が加わると容量として機能する。画素4は、素子基板2上にマトリックス状に配列されており、各画素回路についても各画素4に対応して素子基板2上にマトリックス状に配列される。
図7では、有機発光ダイオードOLEDの容量COLEDに電荷を蓄積する準備期間T1での画素回路における電流の流れが示されている。
図8では、第1容量素子Cs1、第2容量素子Cs2、及び第3容量素子Cs3の電荷が抜ける初期化期間T2での画素回路における電流の流れが示されている。
図9では、第1容量素子Cs1に駆動トランジスタTdの閾値電圧に対応する電荷が蓄積される閾値電圧検出期間T3での画素回路における電流の流れが示されている。
図10では、第2容量素子Cs2及び第3容量素子Cs3に画像データに応じた電荷が蓄積される書込み期間T4での画素回路における電流の流れが示されている。
図11では、有機発光ダイオードOLEDが発光する発光期間T5での画素回路における電流の流れが示されている。
2 素子基板
3 実装回路
4 画素
5 隔壁
6 絶縁物
7 封止基板
8 保護膜
9 シール材
10 回路層
11 ゲート層
12 第1絶縁膜
13 チャネル層
14 ソース・ドレイン層
15 第2絶縁膜
16 第1容量電極層
17 第1誘電体層
18 第2容量電極層
19 第2誘電体層
20 第3容量電極層
21 接続配線
22 コンタクト部
23 コンタクト電極層
24 平坦化膜
25 第1電極層
26 発光層
27 第2電極層
28 正孔注入層
29 正孔輸送層
30 有機発光層
31 電子輸送層
32 電子注入層
D1 表示部
D2 実装部
R1 発光領域
R2 非発光領域
D1 表示部
S コンタクトホール
OLED 有機発光ダイオード
Td 駆動トランジスタ
Tth 閾値電圧検出トランジスタ
TS1 第1スイッチングトランジスタ
TS2 第2スイッチングトランジスタ
CS 容量素子
VDD 電源線
Lth Tth制御線
LG 画像信号線
LS 走査線
LB 基準線
Cs1 第1容量
Cs2 第2容量
Cs3 第3容量
Claims (5)
- 電流が流れることで発光する発光素子と、
電圧を印加することで、前記発光素子に流れる電流量を調整するドライバ素子と、
前記ドライバ素子に対して印加する前記電圧に応じた電荷が蓄積されるとともに、複数の誘電体層を電極層を介して積層してなる容量素子とを備え、
前記ドライバ素子及び前記容量素子は、平面視して離間するように設けられており、
前記容量素子上に前記発光素子が重なるように形成されており、
前記ドライバ素子は、ゲート層と当該ゲート層上に形成される第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成されるチャネル層と、前記第1絶縁層上から前記チャネル層上まで形成されるソース・ドレイン層とを備え、
前記チャネル層上に、前記ゲート層と接続される接続配線が延在して形成されており、
前記接続配線の一部と前記容量素子の電極層の一部とが接続されていることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1に記載の画像表示装置において、
前記ソース・ドレイン層の一部と前記発光素子の一部とが電気的に接続されることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項2に記載の画像表示装置において、
前記ソース・ドレイン層と前記発光素子との間に、前記接続配線と同一材料のコンタクト部が形成されていることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1に記載の画像表示装置において、
前記容量素子は、前記発光素子に流れる電流量に応じた電荷が蓄積されることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1に記載の画像表示装置において、
前記発光素子の発光期間に前記容量素子に蓄積された電荷に基づいて前記ドライバ素子がオン状態となり前記発光素子が発光することを特徴とする画像表示装置。
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