KR20220115708A

KR20220115708A - 유기발광 디스플레이 장치

Info

Publication number: KR20220115708A
Application number: KR1020210018529A
Authority: KR
Inventors: 카츠시 키시모토; 박현석
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2021-02-09
Filing date: 2021-02-09
Publication date: 2022-08-18
Also published as: CN114914272A; US20220255033A1

Abstract

본 발명은 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 위하여, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1화소전극과, 상기 기판 상에 배치되며 상기 제1화소전극의 상면의 평탄도보다 더 높은 평탄도의 상면을 갖는 제2화소전극과, 상기 제1화소전극 상에 배치된 제1색 발광층과, 상기 제2화소전극 상에 배치되고 상기 제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장보다 더 긴 파장의 광을 방출할 수 있는 제2색 발광층을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

유기발광 디스플레이 장치{Organic light-emitting display apparatus}

본 발명의 실시예들은 유기발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.

유기발광 디스플레이 장치는 디스플레이 소자로서 유기발광소자를 구비한다. 유기발광소자는 화소전극과, 대향전극과, 이들 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 중간층을 포함한다. 그리고 유기발광 디스플레이 장치는 이러한 유기발광소자에 인가되는 전기적 신호를 제어하기 위한 전자소자 및/또는 배선을 포함한다.

그러나 이러한 종래의 유기발광 디스플레이 장치에는 특정 색의 광을 방출하는 화소에서의 휘도와 다른 색의 광을 방출하는 화소에서의 휘도의 비율이 사전설정된 비율과 달라질 수 있다는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1화소전극과, 상기 기판 상에 배치되며 상기 제1화소전극의 상면의 평탄도보다 더 높은 평탄도의 상면을 갖는 제2화소전극과, 상기 제1화소전극 상에 배치된 제1색 발광층과, 상기 제2화소전극 상에 배치되고 상기 제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장보다 더 긴 파장의 광을 방출할 수 있는 제2색 발광층을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.

상기 제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 450nm 내지 495nm의 파장대역에 속할 수 있다.

상기 제2색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 495nm 내지 570nm의 파장대역에 속할 수 있다.

상기 제1화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근(RMS; root mean square)은 14nm 내지 33nm일 수 있다.

상기 제2화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근은 11nm 내지 22nm일 수 있다.

상기 기판 상에 배치되며 상기 제2화소전극의 상면의 평탄도보다 더 높은 평탄도의 상면을 갖는 제3화소전극과, 상기 제3화소전극 상에 배치되고 상기 제2색 발광층에서 방출되는 광의 파장보다 더 긴 파장의 광을 방출할 수 있는 제3색 발광층을 더 구비할 수 있다.

상기 제3색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 630nm 내지 750nm의 파장대역에 속할 수 있다.

상기 제1화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근은 14nm 내지 33nm일 수 있다.

상기 제3화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근은 2nm 내지 11nm일 수 있다.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 제조 과정에서의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 4 및 도 5는 도 1의 디스플레이 장치의 제조 과정에서의 다른 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에서의 구성요소들의 두께들을 설명하기 위한 그래프들이다.
도 9는 비교예에 따른 디스플레이 장치의 특정 화소에서의 시야각에 따른 휘도비와 색좌표 변화량을 보여주는 그래프이다.
도 10은 도 9의 비교예에 따른 디스플레이 장치의 시야각에 따른 휘도비와 색좌표 변화량을 보여주는 그래프이다.
도 11은 본 실시예에 따른 디스플레이 장치의 특정 화소에서의 시야각에 따른 휘도비와 색좌표 변화량을 보여주는 그래프이다.
도 12는 도 11의 디스플레이 장치의 시야각에 따른 휘도비와 색좌표 변화량을 보여주는 그래프이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 1은 설명의 편의를 위해 유기발광 디스플레이 장치의 세 개의 화소들 각각의 일부를 개략적으로 도시한 것으로서, 박막트랜지스터들의 구성요소들은 도 1에 도시된 것과 달리, 동일한 zx 평면 내에 위치하지 않을 수도 있다. 예컨대, 제2박막트랜지스터(212)의 제2게이트전극(212b), 제2소스전극(212c) 및 제2드레인전극(212d) 모두가 동일한 zx 평면 내에 위치해야만 하는 것은 아니다. 어느 하나의 zx 평면 내에는 제2게이트전극(212b)과 제2소스전극(212c)만이 나타나고 제2드레인전극(212d)이 보이지 않을 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.

또한 세 개의 화소들이 동일한 zx 평면 내에 위치하지 않을 수도 있다. 예컨대 어느 한 zx 평면 내에는 제1화소(PX1)와 제2화소(PX2)만 나타나고 제3화소(PX3)는 나타나지 않을 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.

본 실시예에 따른 디스플레이 장치는 도 1에 도시된 것과 같이 디스플레이영역 내에 복수개의 화소들이 위치한다. 디스플레이영역 외측에 위치하는 주변영역은 각종 전자소자나 인쇄회로기판 등이 전기적으로 부착되는 영역인 패드영역을 포함한다. 이는 기판(100)이 그러한 디스플레이영역 및 주변영역을 갖는 것으로 이해될 수도 있다.

기판(100)은 글라스, 금속 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 만일 기판(100)이 플렉서블 또는 벤더블 특성을 갖는다면, 기판(100)은 예컨대 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 물론 기판(100)은 각각 이와 같은 고분자 수지를 포함하는 두 개의 층들과 그 층들 사이에 개재된 (실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등의) 무기물을 포함하는 배리어층을 포함하는 다층구조를 가질 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.

기판(100) 상에는 유기발광소자들이 배치된다. 물론 기판(100) 상에는 유기발광소자들 외에도, 이들이 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터들(211, 212, 213)도 위치할 수 있다. 유기발광소자들이 박막트랜지스터들(211, 212, 213)에 전기적으로 연결된다는 것은, 유기발광소자들의 화소전극들(311, 312, 313)이 박막트랜지스터들(211, 212, 213)에 전기적으로 연결되는 것으로 이해될 수 있다.

참고로 도 1에서는 제1박막트랜지스터(211)가 제1화소(PX1)에 위치하고, 제2박막트랜지스터(212)가 제2화소(PX2)에 위치하며, 제3박막트랜지스터(213)가 제3화소(PX3)에 위치하는 것으로 도시하고 있다. 이에 따라 제1화소(PX1)에 위치하는 제1화소전극(311)이 제1박막트랜지스터(211)에 전기적으로 연결되고, 제2화소(PX2)에 위치하는 제2화소전극(312)이 제2박막트랜지스터(212)에 전기적으로 연결되며, 제3화소(PX3)에 위치하는 제3화소전극(313)이 제3박막트랜지스터(213)에 전기적으로 연결되는 것으로 도시하고 있다.

이하에서는 편의상 제1박막트랜지스터(211)에 대해 설명하며, 이는 제2박막트랜지스터(212)와 제3박막트랜지스터(213)에도 적용될 수 있다. 즉, 제2박막트랜지스터(212)와 제3박막트랜지스터(213)의 구성요소들에 대한 설명은 생략한다.

제1박막트랜지스터(211)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 제1반도체층(211a), 제1게이트전극(211b), 제1소스전극(211c) 및 제1드레인전극(211d)을 포함할 수 있다. 제1게이트전극(211b)은 다양한 도전성 물질을 포함하며 다양한 층상구조를 가질 수 있는데, 예컨대 Mo층과 Al층을 포함할 수 있다. 제1소스전극(211c)과 제1드레인전극(211d) 역시 다양한 도전성 물질을 포함하며 다양한 층상구조를 가질 수 있는데, 예컨대 Ti층과 Al층을 포함할 수 있다.

한편, 제1반도체층(211a)과 제1게이트전극(211b)과의 절연성을 확보하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 게이트절연막(121)이 제1반도체층(211a)과 제1게이트전극(211b) 사이에 개재될 수 있다. 아울러 제1게이트전극(211b)의 상부에는 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘옥사이드, 티타늄옥사이드 또는 알루미늄옥사이드 등의 무기물을 포함하는 층간절연막(131)이 배치될 수 있으며, 제1소스전극(211c) 및 제1드레인전극(211d)은 그러한 층간절연막(131) 상에 배치될 수 있다. 이와 같이 무기물을 포함하는 절연막은 CVD(chemical vapor deposition) 또는 ALD(atomic layer deposition)를 통해 형성될 수 있다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.

이러한 구조의 제1박막트랜지스터(211)와 기판(100) 사이에는 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층 및 알루미늄옥사이드층 중 하나 이상을 포함하는 버퍼층(110)이 개재될 수 있다. 이러한 버퍼층(110)은 기판(100)의 상면의 평활성을 높이거나 기판(100) 등으로부터의 불순물이 제1박막트랜지스터(211)의 제1반도체층(211a)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다.

그리고 제1박막트랜지스터(211) 상에는 제1평탄화층(141)이 배치될 수 있다. 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 제1박막트랜지스터(211) 상부에 유기발광소자가 배치될 경우, 제1평탄화층(141)은 제1박막트랜지스터(211)를 덮는 보호막 상부를 대체로 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이러한 제1평탄화층(141)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin), BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다. 물론 필요에 따라 도 1에 도시된 것과 같이, 제1평탄화층(141) 상에 제2평탄화층(142)이 위치할 수도 있다. 이 경우 제1평탄화층(141)과 제2평탄화층(142) 사이에는 박막트랜지스터의 전극과 같은 구성요소 또는 배선 등이 위치할 수도 있다. 제2평탄화층(142)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin), BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.

제2박막트랜지스터(212)의 제2반도체층(212a), 제2게이트전극(212b), 제2소스전극(212c) 및 제2드레인전극(212d)에 대한 설명, 그리고 제3박막트랜지스터(213)의 제3반도체층(213a), 제3게이트전극(213b), 제3소스전극(213c) 및 제3드레인전극(213d)에 대한 설명은, 상술한 제1박막트랜지스터(211)의 제1반도체층(211a), 제1게이트전극(211b), 제1소스전극(211c) 및 제1드레인전극(211d)에 대한 설명으로 대체한다.

기판(100)의 디스플레이영역 내에 있어서, 제2평탄화층(142) 상에는 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)이 위치한다. 제2평탄화층(142) 상에 위치하는 제1화소전극(311)은 도 1에 도시된 것과 같이 제2평탄화층(142) 등에 형성된 개구부를 통해 제1소스전극(211c) 및 제1드레인전극(211d) 중 어느 하나와 컨택하여 제1박막트랜지스터(211)와 전기적으로 연결된다. 제2평탄화층(142) 상에 위치하는 제2화소전극(312)도 마찬가지로 제2평탄화층(142) 등에 형성된 개구부를 통해 제2소스전극(212c) 및 제2드레인전극(212d) 중 어느 하나와 컨택하여 제2박막트랜지스터(212)와 전기적으로 연결된다. 제2평탄화층(142) 상에 위치하는 제3화소전극(313)도 마찬가지로 제2평탄화층(142) 등에 형성된 개구부를 통해 제3소스전극(213c) 및 제3드레인전극(213d) 중 어느 하나와 컨택하여 제3박막트랜지스터(213)와 전기적으로 연결된다.

대향전극(303)을 통해 광을 외부로 방출하는 상부발광(top emission) 디스플레이 장치인 경우, 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)은 알루미늄과 티타늄의 적층구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층구조(ITO/Al/ITO), 은과 ITO의 적층구조(ITO/Ag/ITO), APC 합금, APC 합금과 ITO의 적층구조(ITO/APC/ITO)와 같은, 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd) 및/또는 구리(Cu)의 합금이다.

제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)을 통해 광을 외부로 방출하는 하부 발광(bottom) 디스플레이 장치의 경우, 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)을 포함하거나, 마그네슘(Mg), 은(Ag) 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)을 포함할 수 있다.

제2평탄화층(142) 상부에는 화소정의막(150)이 배치될 수 있다. 이 화소정의막(150)은 각 부화소들에 대응하는 개구를 가짐으로써, 화소를 정의하는 역할을 한다. 즉, 화소정의막(150)은 제1화소전극(311)의 가장자리와 제2화소전극(312)의 가장자리와 제3화소전극(313)의 가장자리를 덮어, 제1화소전극(311)의 중앙 상면과 제2화소전극(312)의 중앙 상면과 제3화소전극(313)의 중앙 상면을 노출시킬 수 있다.

화소정의막(150)은 제1화소전극(311) 등의 가장자리와 제1화소전극(311) 등의 상부의 대향전극(303)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써, 제1화소전극(311) 등의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 화소정의막(150)은 예컨대 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.

제1화소전극(311) 상에는 제1색 발광층(311a)이 위치하고, 제2화소전극(312) 상에는 제2색 발광층(312a)이 위치하며, 제3화소전극(313) 상에는 제3색 발광층(313a)이 위치한다. 제1색 발광층(311a)은 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 생성하고, 제2색 발광층(312a)은 제2파장대역에 속하는 파장의 광을 생성하며, 제3색 발광층(313a)은 제3파장대역에 속하는 파장의 광을 생성할 수 있다. 제1파장대역은 450nm 내지 495nm의 파장대역일 수 있고, 제2파장대역은 495nm 내지 570nm의 파장대역일 수 있으며, 제3파장대역은 630nm 내지 750nm의 파장대역일 수 있다. 이러한 제1색 발광층(311a), 제2색 발광층(312a) 및 제3색 발광층(313a)은 잉크젯 프린팅법으로 형성될 수 있다.

물론 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313) 상에는 제1색 발광층(311a), 제2색 발광층(312a) 및 제3색 발광층(313a)만 위치하는 것은 아니다. 예컨대 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)과 제1색 발광층(311a), 제2색 발광층(312a) 및 제3색 발광층(313a) 사이에는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)이나 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)이 개재될 수 있고, 제1색 발광층(311a), 제2색 발광층(312a) 및 제3색 발광층(313a)과 대향전극(303) 사이에는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer)이나 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 위치할 수 있다. 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층 및/또는 전자 주입층은 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313) 상에서 일체(一體)인 층일 수도 있고, 필요에 따라서는 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313) 각각에 대응하도록 패터닝된 층일 수도 있다. 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층 및/또는 전자 주입층은, 증착법, 스크린 인쇄법, 레이저열전사법 또는 잉크젯 프린팅법 등으로 형성될 수 있다.

제1색 발광층(311a), 제2색 발광층(312a) 및 제3색 발광층(313a) 상부에는 대향전극(303)이 위치한다. 이러한 대향전극(303)은 디스플레이영역을 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(303)은 복수개의 유기발광소자들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)에 대응할 수 있다.

대향전극(303)은 디스플레이영역을 덮되, 디스플레이영역 외측의 주변영역에까지 연장된다. 이에 따라, 대향전극(303)은 주변영역에 위치한 전극전원공급라인에 전기적으로 연결된다. 상부 발광형 디스플레이 장치의 경우, 대향전극(303)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag) 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)을 포함할 수 있다. 하부 발광형 디스플레이 장치의 경우, 대향전극(303)은 알루미늄과 티타늄의 적층구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층구조(ITO/Al/ITO), APC 합금 및 APC 합금과 ITO의 적층구조(ITO/APC/ITO)를 가져, 반사율이 높은 금속물질을 포함할 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd) 및/또는 구리(Cu)의 합금이다.

유기발광소자는 외부로부터의 수분이나 산소 등에 의해 쉽게 손상될 수 있기에, 봉지층(미도시)이 이러한 유기발광소자를 덮어 이들을 보호하도록 할 수 있다. 봉지층은 디스플레이영역을 덮으며 주변영역의 적어도 일부에까지 연장될 수 있다. 이러한 봉지층은 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.

제1무기봉지층과 제2무기봉지층은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘옥사이드, 티타늄옥사이드 또는 알루미늄옥사이드를 포함할 수 있다. 유기봉지층은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등을 포함할 수 있다.

전술한 것과 같이 제1색 발광층(311a)과 제2색 발광층(312a) 등은 잉크젯 프린팅법으로 형성한다. 즉, 화소정의막(150)에 의해 노출된 제1화소전극(311)의 상면 상에 잉크젯 프린팅법으로 제1색 발광층(311a) 형성용 물질을 위치시키고 화소정의막(150)에 의해 노출된 제2화소전극(312)의 상면 상에 잉크젯 프린팅법으로 제2색 발광층(312a) 형성용 물질을 위치시켜, 제1색 발광층(311a)과 제2색 발광층(312a)을 형성한다.

도 2 및 도 3은 제1화소전극(311) 상에 제1색 발광층(311a)을 형성하는 과정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 도 2 및 도 3에 도시된 것과 같이, 제1화소전극(311) 하부에는 제1배선(221) 등이 위치할 수 있다. 도 2 및 도 3에서는 제1평탄화층(141)과 제2평탄화층(142) 사이에 제1배선(221)이 위치하는 것으로 도시하고 있다. 이 경우, 제2평탄화층(142)의 상면은 제1배선(221)에 의해 완벽하게 평탄하지 않을 수 있다. 즉, 제2평탄화층(142)의 (+z 방향) 상면은 제1배선(221)의 (z축 방향으로의) 두께보다는 작지만 단차를 가질 수 있다. 제2평탄화층(142) 상에 위치한 제1화소전극(311)은 제2평탄화층(142)의 상면의 굴곡을 따라 형성되기에, 제1화소전극(311)의 (+z 방향) 상면은 단차를 갖게 된다.

이와 같이 상면에 단차가 존재하는 제1화소전극(311) 상에 제1색 발광층 형성용 물질(311a')을 잉크젯 프린팅법으로 형성하게 되면, 제1색 발광층 형성용 물질(311a')은 도팅된 직후에는 도 2에 도시된 것과 같은 형상을 갖게 된다. 즉, 제1화소전극(311)의 상면 중 기판(100)에 가장 가까운 부분에서의 제1색 발광층 형성용 물질(311a')은 두께(T10)를 갖는다.

이후, 제1색 발광층 형성용 물질(311a')은 유동성을 갖는 상태이기에 제1화소전극(311)의 상면을 따라 퍼지게 된다. 그리고 제1색 발광층 형성용 물질(311a')이 경화되는 과정을 거치게 된다. 그 결과, 제1색 발광층(311a)은 도 3에 도시된 것과 같이 대략 제1화소전극(311)의 상면을 따르는 형상을 갖게 된다. 즉, 제1화소전극(311)의 상면 중 기판(100)으로부터 가장 먼 부분 상에서의 제1색 발광층(311a)의 제1두께(T11)는, 제1화소전극(311)의 상면 중 기판(100)에 가장 가까운 부분 상에서의 제1색 발광층(311a)의 제2두께(T12)와 동일하거나 대략 비슷하게 된다. 이는 형성하고자 하는 제1색 발광층(311a)의 두께가 얇기 때문이다. 물론 제1색 발광층(311a)의 제1두께(T11)와 제1색 발광층(311a)의 제2두께(T12)가 동일하지 않을 수 있으며, 실제로 제1색 발광층(311a)에 두께가 위치에 따라 달라질 수 있다.

도 4 및 도 5는 제2화소전극(312) 상에 제2색 발광층(312a)을 형성하는 과정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 도 4 및 도 5에 도시된 것과 같이, 제2화소전극(312) 하부에는 제2배선(222) 등이 위치할 수 있다. 도 4 및 도 5에서는 제1평탄화층(141)과 제2평탄화층(142) 사이에 제2배선(222)이 위치하는 것으로 도시하고 있다. 이 경우, 제2평탄화층(142)의 상면은 제2배선(222)에 의해 완벽하게 평탄하지 않을 수 있다. 즉, 제2평탄화층(142)의 (+z 방향) 상면은 제2배선(222)의 (z축 방향으로의) 두께보다는 작지만 단차를 가질 수 있다. 제2평탄화층(142) 상에 위치한 제2화소전극(312)은 제2평탄화층(142)의 상면의 굴곡을 따라 형성되기에, 제2화소전극(312)의 (+z 방향) 상면은 단차를 갖게 된다.

이와 같이 상면에 단차가 존재하는 제2화소전극(312) 상에 제2색 발광층 형성용 물질(312a')을 잉크젯 프린팅법으로 형성하게 되면, 제2색 발광층 형성용 물질(312a')은 도팅된 직후에는 도 4에 도시된 것과 같은 형상을 갖게 된다. 즉, 제2화소전극(312)의 상면 중 기판(100)에 가장 가까운 부분에서의 제2색 발광층 형성용 물질(312a')은 두께(T20)를 갖는다. 이 두께(T20)는 도 2에 도시된 것과 같은 제1색 발광층 형성용 물질(311a')의 두께(T10)보다 두꺼울 수 있다.

이후, 제2색 발광층 형성용 물질(312a')은 유동성을 갖는 상태이기에 제2화소전극(312)의 상면을 따라 퍼지게 된다. 그리고 제2색 발광층 형성용 물질(312a')이 경화되는 과정을 거치게 된다. 그 결과, 제2색 발광층(312a)은 도 5에 도시된 것과 같이 대략 제2화소전극(312)의 상면을 따르는 형상을 갖게 된다. 하지만 도 4에 도시된 제2색 발광층 형성용 물질(312a')의 두께(T20)가 도 2에 도시된 것과 같은 제1색 발광층 형성용 물질(311a')의 두께(T10)보다 두껍기에, 제2색 발광층(312a)은 제2화소전극(312)의 상면의 굴곡을 다소 평탄화하는 역할을 하게 된다. 그 결과, 제2화소전극(312)의 상면 중 기판(100)으로부터 가장 먼 부분 상에서의 제2색 발광층(312a)의 제1두께(T21)는, 제2화소전극(312)의 상면 중 기판(100)에 가장 가까운 부분 상에서의 제2색 발광층(312a)의 제2두께(T22)보다 얇게 된다. 즉, 제2색 발광층(312a)의 두께의 균일도는 제1색 발광층(311a)의 두께의 균일도보다 낮게 된다.

발광층의 두께의 균일도가 낮아지면, 해당 화소에서 방출되는 광의 휘도가 저하될 수 있다. 도 6은 제2화소(PX2)에서 방출되는 광의 휘도비와 색좌표 변화량(△u'v')을 나타내는 그래프이다. 도 6의 가로축은 제2화소전극(312)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근(RMS: root mean square)을 나타내고, 좌측의 세로축은 제2화소(PX2)에서 방출되는 광의 휘도비를 나타내며, 우측의 세로축은 제2화소(PX2)에서 방출되는 광의 색좌표 변화량(△u'v')을 나타낸다.

구체적으로, 도 6의 그래프의 실선은 제2화소전극(312)의 상면에 단차가 존재하지 않을 시 제2화소(PX2)에서 방출되는 광의 휘도를 기준으로, 제2화소전극(312)의 상면에 단차가 존재할 시 제2화소(PX2)에서 방출되는 광의 휘도의 비율을 나타낸다. 휘도비가 높을수록, 휘도 저하가 발생하지 않는다는 것을 의미한다. 그리고 도 6의 그래프의 점선은 제2화소(PX2)에서 방출되는 이상적인 광(녹색광)의 색좌표를 기준으로, 제2화소전극(312)의 상면에 단차가 존재할 시 제2화소(PX2)에서 방출되는 광의 색좌표의 변화량을 나타낸다. 색좌표 변화량(△u'v')이 적을수록, 사전설정된 색좌표에 가까운 색의 광이 방출된다는 것을 의미한다.

전술한 것과 같이 제2화소(PX2)의 제2색 발광층(312a)은 495nm 내지 570nm의 파장대역에 속하는 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.

도 6의 그래프에서 확인할 수 있는 것과 같이, 제2화소전극(312)의 상면에 형성된 단차가 커질수록 제2화소(PX2)에서 방출되는 광의 휘도가 저하된다. 따라서 제2화소전극(312)의 상면에 단차가 존재하지 않을 시 제2화소(PX2)에서 방출되는 광의 휘도를 기준으로 90% 이상의 휘도의 광이 방출되도록 하기 위해서는, 제2화소전극(312)의 상면의 단차는 도 6에서 실선으로 표시된 사각형 내의 범위일 필요가 있다. 즉, 제2화소전극(312)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 22nm 이하가 되도록 할 필요가 있다.

또한 도 6의 그래프에서 확인할 수 있는 것과 같이, 제2화소전극(312)의 상면에 형성된 단차가 작아질수록, 제2색 발광층(312a)에서 방출되는 광의 색좌표와 이상적인 제2색광의 색좌표의 차이가 커진다. 따라서 색좌표 변화량(△u'v')이 0.01 이내가 되도록 하기 위해서는, 제2화소전극(312)의 상면의 단차는 도 6에서 점선으로 표시된 사각형 내의 범위일 필요가 있다. 즉, 제2화소전극(312)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 11nm 이상이 되도록 할 필요가 있다.

따라서 결과적으로, 제2화소전극(312)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 11nm 이상 22nm 이하가 되도록 할 필요가 있다.

도 7은 제1화소(PX1)에서 방출되는 광의 휘도비와 색좌표 변화량(△u'v')을 나타내는 그래프이다. 도 7의 가로축은 제1화소전극(311)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근(RMS: root mean square)을 나타내고, 좌측의 세로축은 제1화소(PX1)에서 방출되는 광의 휘도비를 나타내며, 우측의 세로축은 제1화소(PX1)에서 방출되는 광의 색좌표 변화량(△u'v')을 나타낸다.

구체적으로, 도 7의 그래프의 실선은 제1화소전극(311)의 상면에 단차가 존재하지 않을 시 제1화소(PX1)에서 방출되는 광의 휘도를 기준으로, 제1화소전극(311)의 상면에 단차가 존재할 시 제1화소(PX1)에서 방출되는 광의 휘도의 비율을 나타낸다. 휘도비가 높을수록, 휘도 저하가 발생하지 않는다는 것을 의미한다. 그리고 도 7의 그래프의 점선은 제1화소(PX1)에서 방출되는 이상적인 광(청색광)의 색좌표를 기준으로, 제1화소전극(311)의 상면에 단차가 존재할 시 제1화소(PX1)에서 방출되는 광의 색좌표의 변화량을 나타낸다. 색좌표 변화량(△u'v')이 적을수록, 사전설정된 색좌표에 가까운 색의 광이 방출된다는 것을 의미한다.

전술한 것과 같이 제1화소(PX1)의 제1색 발광층(311a)은 450nm 내지 495nm의 파장대역에 속하는 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.

도 7의 그래프에서 확인할 수 있는 것과 같이, 제1화소전극(311)의 상면에 형성된 단차가 커질수록 제1화소(PX1)에서 방출되는 광의 휘도가 저하된다. 따라서 제1화소전극(311)의 상면에 단차가 존재하지 않을 시 제1화소(PX1)에서 방출되는 광의 휘도를 기준으로 90% 이상의 휘도의 광이 방출되도록 하기 위해서는, 제1화소전극(311)의 상면의 단차는 도 7에서 실선으로 표시된 사각형 내의 범위일 필요가 있다. 즉, 제1화소전극(311)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 33nm 이하가 되도록 할 필요가 있다.

또한 도 7의 그래프에서 확인할 수 있는 것과 같이, 제1화소전극(311)의 상면에 형성된 단차가 작아질수록, 제1색 발광층(311a)에서 방출되는 광의 색좌표와 이상적인 제1색광의 색좌표의 차이가 커진다. 따라서 색좌표 변화량(△u'v')이 0.01 이내가 되도록 하기 위해서는, 제1화소전극(311)의 상면의 단차는 도 7에서 점선으로 표시된 사각형 내의 범위일 필요가 있다. 즉, 제1화소전극(311)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 14nm 이상이 되도록 할 필요가 있다.

따라서 결과적으로, 제1화소전극(311)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 14nm 이상 33nm 이하가 되도록 할 필요가 있다.

참고로 전술한 것과 같이 제2색 발광층(312a)의 두께는 제1색 발광층(311a)의 두께보다 두껍기에, 제2색 발광층(312a)이 제2화소전극(312)의 상면의 단차로부터 받는 영향은, 제1색 발광층(311a)이 제1화소전극(311)의 상면의 단차로부터 받는 영향보다 상대적으로 크다. 따라서 제2화소전극(312)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 11nm 이상 22nm 이하로서, 제1화소전극(311)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근인 14nm 이상 33nm 이하보다 상대적으로 작을 수 있다. 즉, 제2화소전극(312)의 상면의 평탄도는 제1화소전극(311)의 상면의 평탄도보다 더 높을 수 있다.

참고로 제2색 발광층(312a)의 두께가 제1색 발광층(311a)의 두께보다 두꺼운 것은, 제2색 발광층(312a)에서 방출되는 광의 파장이 제1색 발광층(311a)에서 방출되는 광의 파장보다 길기 때문이다. 유기발광 디스플레이 장치에 있어서, 짧은 파장의 광일수록 해당 파장의 광을 방출하는 발광층의 두께를 얇게 형성해도 충분하다.

도 8은 제3화소(PX3)에서 방출되는 광의 휘도비와 색좌표 변화량(△u'v')을 나타내는 그래프이다. 도 8의 가로축은 제3화소전극(313)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근(RMS: root mean square)을 나타내고, 좌측의 세로축은 제3화소(PX3)에서 방출되는 광의 휘도비를 나타내며, 우측의 세로축은 제3화소(PX3)에서 방출되는 광의 색좌표 변화량(△u'v')을 나타낸다.

구체적으로, 도 8의 그래프의 실선은 제3화소전극(313)의 상면에 단차가 존재하지 않을 시 제3화소(PX3)에서 방출되는 광의 휘도를 기준으로, 제3화소전극(313)의 상면에 단차가 존재할 시 제3화소(PX3)에서 방출되는 광의 휘도의 비율을 나타낸다. 휘도비가 높을수록, 휘도 저하가 발생하지 않는다는 것을 의미한다. 그리고 도 8의 그래프의 점선은 제3화소(PX3)에서 방출되는 이상적인 광(적색광)의 색좌표를 기준으로, 제3화소전극(313)의 상면에 단차가 존재할 시 제3화소(PX3)에서 방출되는 광의 색좌표의 변화량을 나타낸다. 색좌표 변화량(△u'v')이 적을수록, 사전설정된 색좌표에 가까운 색의 광이 방출된다는 것을 의미한다.

전술한 것과 같이 제3화소(PX3)의 제1색 발광층(311a)은 630nm 내지 750nm의 파장대역에 속하는 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.

도 8의 그래프에서 확인할 수 있는 것과 같이, 제3화소전극(313)의 상면에 형성된 단차가 커질수록 제3화소(PX3)에서 방출되는 광의 휘도가 저하된다. 따라서 제3화소전극(313)의 상면에 단차가 존재하지 않을 시 제3화소(PX3)에서 방출되는 광의 휘도를 기준으로 90% 이상의 휘도의 광이 방출되도록 하기 위해서는, 제3화소전극(313)의 상면의 단차는 도 8에서 실선으로 표시된 사각형 내의 범위일 필요가 있다. 즉, 제3화소전극(313)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 500nm 이하가 되도록 할 필요가 있다.

한편 도 8의 그래프에서 확인할 수 있는 것과 같이, 제3화소전극(313)의 상면에 형성된 단차가 작아질수록, 제3색 발광층(313a)에서 방출되는 광의 색좌표와 이상적인 제3색광의 색좌표의 차이가 커진다. 하지만 도 8의 그래프에서 확인할 수 있는 것처럼 색좌표 변화량(△u'v')은 제3화소전극(313)의 상면에 형성된 단차에 관계 없이 0.01 이내로 유지되고 있다.

따라서 제3화소전극(313)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 11nm 이하가 되도록 할 필요가 있다. 한편, 제3화소전극(313)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근을 2nm 이하로 형성하는 것은 실제로 구현되는 유기발광 디스플레이 장치에 있어서 제3화소전극(313) 하부에 위치하는 배선 등을 고려할 시 불가능하다고 할 수 있다. 그러므로 제3화소전극(313)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 2nm 이상 11nm 이하가 되도록 할 필요가 있다.

참고로 제3색 발광층(313a)의 두께는 제2색 발광층(312a)의 두께보다 두껍기에, 제3색 발광층(313a)이 제3화소전극(313)의 상면의 단차로부터 받는 영향은, 제2색 발광층(312a)이 제2화소전극(312)의 상면의 단차로부터 받는 영향보다 상대적으로 크다. 따라서 제3화소전극(313)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근은 2nm 이상 11nm 이하로서, 제2화소전극(312)의 상면에 형성된 단차의 평균제곱근인 11nm 이상 22nm 이하보다 상대적으로 작다. 즉, 제3화소전극(313)의 상면의 평탄도는 제2화소전극(312)의 상면의 평탄도보다 더 높을 수 있다.

참고로 제3색 발광층(313a)의 두께가 제2색 발광층(312a)의 두께보다 두꺼운 것은, 제3색 발광층(313a)에서 방출되는 광의 파장이 제2색 발광층(312a)에서 방출되는 광의 파장보다 길기 때문이다. 유기발광 디스플레이 장치에 있어서, 짧은 파장의 광일수록 해당 파장의 광을 방출하는 발광층의 두께를 얇게 형성해도 충분하다.

참고로 도 6 내지 도 8의 그래프를 준비함에 있어서 화소전극의 상면의 단차가 0인 이상적인 경우의 휘도는, 화소전극의 하부에 배선이 존재하지 않도록 테스트용으로 제조한 테스트 화소들에서 측정된 것이다. 화소전극의 하부에 배선이 존재하지 않는다는 것 외의 테스트 화소의 조건들, 예컨대 각 층의 두께나 넓이 등은, 실제 유기발광 디스플레이 장치에서의 화소의 조건들과 동일하였다.

도 9는 비교예에 따른 디스플레이 장치의 녹색광을 방출하는 부화소에서의 시야각에 따른 휘도비와 색좌표 변화량을 보여주는 그래프이다. 도 9의 가로축은 시야각을 나타내고, 좌측의 세로축은 방출되는 녹색광의 휘도비를 나타내며, 우측의 세로축은 방출되는 녹색광의 색좌표 변화량(△u'v')을 나타낸다. 비교예에 따른 디스플레이 장치의 녹색광을 방출하는 부화소의 경우, 화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근이 11nm보다 작은 경우이다.

도 9에 도시된 것과 같이, 비교예에 따른 디스플레이 장치의 경우 시야각에 따라서 색좌표 변화량이 매우 크게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 즉, 시야각이 40도보다 커짐에 따라 색좌표 변화량이 매우 커지는 것을 확인할 수 있다.

도 10은 도 9에 도시된 것과 같은 결과를 보여주는 녹색부화소와, 화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근이 2nm 내지 11nm인 적색부화소와, 화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근이 14nm 내지 33nm인 청색부화소를 갖는 비교예에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 시야각에 따른 휘도비와 색좌표 변화량을 보여주는 그래프이다. 도 10의 그래프는 비교예에 따른 디스플레이 장치가 백색광을 방출하도록 설정된 상태에서 획득한 데이터를 이용한 그래프이다. 도 10의 가로축은 시야각을 나타내고, 좌측의 세로축은 방출되는 백색광의 휘도비를 나타내며, 우측의 세로축은 방출되는 백색광의 색좌표 변화량(△u'v')을 나타낸다. 도 10에서 확인할 수 있는 것과 같이, 시야각에 따라 색좌표 변화량이 매우 달라지는 것을 확인할 수 있다. 특히 시야각이 30도 근방인 경우와 시야각이 50도보다 커지는 경우 색좌표 변화량이 급격하게 증가함을 확인할 수 있다.

도 11은 본 실시예에 따른 디스플레이 장치의 녹색 화소에서의 시야각에 따른 휘도비와 색좌표 변화량을 보여주는 그래프이다. 즉, 도 11은 화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근이 11nm 내지 22nm인 녹색 화소에서의 시야각에 따른 휘도비와 색좌표 변화량을 보여주는 그래프이다. 도 11에 도시된 것과 같이, 시야각에 따른 색좌표 변화량이 매우 작은 것을 확인할 수 있다.

도 12는 도 11에 도시된 것과 같은 결과를 보여주는 녹색부화소와, 화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근이 2nm 내지 11nm인 적색부화소와, 화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근이 14nm 내지 33nm인 청색부화소를 갖는 디스플레이 장치에 있어서, 시야각에 따른 휘도비와 색좌표 변화량을 보여주는 그래프이다. 도 12의 그래프는 본 실시예에 따른 디스플레이 장치가 백색광을 방출하도록 설정된 상태에서 획득한 데이터를 이용한 그래프이다. 도 12의 가로축은 시야각을 나타내고, 좌측의 세로축은 방출되는 백색광의 휘도비를 나타내며, 우측의 세로축은 방출되는 백색광의 색좌표 변화량(△u'v')을 나타낸다. 도 12에서 확인할 수 있는 것과 같이, 시야각에 30도 근방인 경우의 색좌표 변화량이 도 10의 비교예에 따른 디스플레이 장치에서 시야각이 30도 근방인 경우의 색좌표 변화량보다 훨씬 더 작은 것을 확인할 수 있다. 특히 시야각이 50도보다 커지는 경우에도 색좌표 변화량이 매우 작게 유지됨을 확인할 수 있다.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

PX1: 제1화소 PX2: 제2화소
PX3: 제3화소 100: 기판
110: 버퍼층 121: 게이트절연막
131: 층간절연막 141: 제1평탄화층
142: 제2평탄화층 150: 화소정의막
221: 제1배선 222: 제2배선
303: 대향전극 311a: 제1색 발광층
311: 제1화소전극 312a: 제2색 발광층
312: 제2화소전극 313a: 제3색 발광층
313: 제3화소전극

Claims

기판;
상기 기판 상에 배치된 제1화소전극;
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1화소전극의 상면의 평탄도보다 더 높은 평탄도의 상면을 갖는, 제2화소전극;
상기 제1화소전극 상에 배치된 제1색 발광층; 및
상기 제2화소전극 상에 배치되고, 상기 제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장보다 더 긴 파장의 광을 방출할 수 있는, 제2색 발광층;
을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 450nm 내지 495nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 제2색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 495nm 내지 570nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근(RMS; root mean square)은 14nm 내지 33nm인, 유기발광 디스플레이 장치.
제4항에 있어서,
상기 제2화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근은 11nm 내지 22nm인, 유기발광 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제2화소전극의 상면의 평탄도보다 더 높은 평탄도의 상면을 갖는, 제3화소전극; 및
상기 제3화소전극 상에 배치되고, 상기 제2색 발광층에서 방출되는 광의 파장보다 더 긴 파장의 광을 방출할 수 있는, 제3색 발광층;
을 더 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치.
제6항에 있어서,
상기 제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 450nm 내지 495nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치.
제7항에 있어서,
상기 제2색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 495nm 내지 570nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치.
제8항에 있어서,
상기 제3색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 630nm 내지 750nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치.
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근은 14nm 내지 33nm인, 유기발광 디스플레이 장치.
제10항에 있어서,
상기 제2화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근은 11nm 내지 22nm인, 유기발광 디스플레이 장치.
제11항에 있어서,
상기 제3화소전극의 상면의 단차의 평균제곱근은 2nm 내지 11nm인, 유기발광 디스플레이 장치.