CN112310319B - 显示面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了显示面板及其制作方法和显示装置。该显示面板包括：薄膜晶体管基板；平坦层，平坦层设置在薄膜晶体管基板的表面上；发光器件，发光器件设置在平坦层远离薄膜晶体管基板的一侧，发光器件包括蓝色发光器件、红色发光器件和绿色发光器件，蓝色发光器件包括第一阳极，红色发光器件包括第二阳极，绿色发光器件包括第三阳极，第一阳极的表面粗糙度和第二阳极远离的表面粗糙度均大于第三阳极的表面粗糙度。由此，可以增大蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件大角度的出光效率，降低单色光的色偏和白光色偏，从而改善显示面板大角度色偏的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及显示面板及其制作方法和显示装置。
背景技术
AMOLED屏具有色域广、分辨率高、可单独控制每个像素等优点，在终端应用范围日益扩大，尤其AMOLED大尺寸面板在终端市场占比越来越高，如大屏手机、笔记本电脑、车载仪表显示等。当面板尺寸增加，人的视觉角度也相应变大，此时大视角下色偏的问题逐渐显示出来。
因此，关于显示面板的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种显示面板，该显示面板的大视角色偏可以得到有效的改善，提高大视角条件下的视觉效果。
在本发明的一方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括：薄膜晶体管基板；平坦层，所述平坦层设置在薄膜晶体管基板的表面上；发光器件，所述发光器件设置在所述平坦层远离薄膜晶体管基板的一侧，所述发光器件包括蓝色发光器件、红色发光器件和绿色发光器件，所述蓝色发光器件包括第一阳极，所述红色发光器件包括第二阳极，所述绿色发光器件包括第三阳极，其中，所述第一阳极远离薄所述膜晶体管基板的表面的表面粗糙度和所述第二阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度均大于所述第三阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度。由此，蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件的第二阳极具有较大的表面粗糙度，光照射到第一阳极和第二阳极的表面时可以发生漫反射，从而不会使得光线由第一阳极和第二阳极的表面集中反射出去，进而可以增大蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件大角度的出光效率，降低单色光的色偏和白光色偏，从而改善显示面板大角度色偏的问题；另外，通过对增大第一阳极和第二阳极的表面粗糙度，可使得大视角下绿色发光器件的出光量相对减少，借此提高蓝色发光器件发出的蓝光和红色发光器件发出的红光在白光中的比例，达到改善大视角色偏的目的。
根据本发明的实施例，所述第一阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度为1.6～2.6nm，所述第二阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度为1.6～2.6nm，所述第三阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度为0.9～1.1nm。
根据本发明的实施例，显示面板还包括：粗糙绝缘层，所述粗糙绝缘层设置在所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，且所述粗糙绝缘层在所述薄膜晶体管基板上的正投影覆盖所述第一阳极和所述第二阳极在所述薄膜晶体管基板上的正投影，且与所述第三阳极在所述薄膜晶体管基板上的正投影没有交叠区域，所述第一阳极和所述第二阳极设置在所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，所述第三阳极设置在所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，其中，所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度大于所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度。
根据本发明的实施例，所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度为1.0～2.3nm，所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度小于1.0nm。
根据本发明的实施例，所述粗糙绝缘层的材料为氧化硅，厚度为200～300nm，所述氧化硅的表面粗糙度为1.0～1.8nm。
根据本发明的实施例，所述粗糙绝缘层的材料为氧化硅和氮化硅，所述氧化硅的厚度为200～300nm，所述氮化硅的厚度为80～100nm，所述粗糙绝缘层的表面粗糙度为1.2～2.3nm。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制作前面所述显示面板的方法。根据本发明的实施例，制作显示面板的方法包括：提供薄膜晶体管基板；在薄膜晶体管基板的表面上形成平坦层；在所述平坦层远离薄膜晶体管基板的一侧形成发光器件，所述发光器件包括蓝色发光器件、红色发光器件和绿色发光器件，所述蓝色发光器件包括第一阳极，所述红色发光器件包括第二阳极，所述绿色发光器件包括第三阳极，其中，所述第一阳极远离薄所述膜晶体管基板的表面的表面粗糙度和所述第二阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度均大于所述第三阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度。由此，蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件的第二阳极具有较大的表面粗糙度，光照射到第一阳极和第二阳极的表面时，不会使得光线由第一阳极和第二阳极的表面集中反射出去，进而可以增大蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件大角度的出光效率，降低单色光的色偏和白光色偏，从而改善显示面板大角度色偏的问题。
根据本发明的实施例，制作显示面板的方法还包括：在形成所述发光器件之前，预先在所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面上形成粗糙绝缘层，且所述粗糙绝缘层在所述薄膜晶体管基板上的正投影覆盖所述第一阳极和所述第二阳极在所述薄膜晶体管基板上的正投影，且与所述第三阳极在所述薄膜晶体管基板上的正投影没有交叠区域，所述第一阳极和所述第二阳极形成在所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，所述第三阳极形成在所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，其中，所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度大于所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度。
根据本发明的实施例，所述粗糙绝缘层是通过沉积氧化硅得到的，沉积氧化硅的速率为50-100埃/秒。
根据本发明的实施例，所述粗糙绝缘层是通过沉积氧化硅和氮化硅得到的，沉积氧化硅的速率为50-100埃/秒，沉积氮化硅的速率为800-1000埃/秒。
在本发明的又一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述显示面板。由此，该显示面板的大视角色偏的问题得到有效地改善。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述显示面板的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明一个实施例中显示面板的结构示意图；
图2是本发明另一个实施例中粗糙绝缘层表面的扫描电镜图；
图3中的(a)是本发明又一个实施例中第一阳极和第二阳极表面的扫描电镜图，图3中的(b)是第三阳极表面的扫描电镜图；
图4中的(a)是本发明又一个实施例中第一阳极和第二阳极的原子力里显微镜(AFM)粗糙度测试图，图4中的(b)是第三阳极的原子力里显微镜(AFM)粗糙度测试图；
图5是本发明又一个实施例中制作显示面板的流程示意图；
图6是实施例1中显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图；
图7是对比例1中显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图；
图8是对比例2中显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图；
图9是对比例3中显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图；
图10是对比例4中显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图；
图11是对比例5中显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图；
图12是对比例6中显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，参照图1，该显示面板包括：薄膜晶体管基板10；平坦层(PLN)20，平坦层20设置在薄膜晶体管基板10的表面上；发光器件，发光器件设置在平坦层20远离薄膜晶体管基板10的一侧，发光器件包括蓝色发光器件31、红色发光器件32和绿色发光器件33，蓝色发光器件31包括第一阳极311，红色发光器件32包括第二阳极321，绿色发光器33件包括第三阳极331，其中，第一阳极311远离薄膜晶体管基板10的表面的表面粗糙度和第二阳极321远离薄膜晶体管基板10的表面的表面粗糙度均大于第三阳极331远离薄膜晶体管基板10的表面的表面粗糙度。由此，蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件的第二阳极具有较大的表面粗糙度，光照射到第一阳极和第二阳极的表面时，不会使得光线由第一阳极和第二阳极的表面集中反射出去，进而可以增大蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件大角度的出光效率，降低单色光的色偏和白光色偏，从而改善显示面板大角度色偏的问题；另外，通过对增大第一阳极和第二阳极的表面粗糙度，可使得大视角下绿色发光器件的出光量相对减少，借此提高蓝色发光器件发出的蓝光和红色发光器件发出的红光在白光中的比例，达到改善大视角色偏的目的。
其中，薄膜晶体管基板10的具体结构没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在一些实施例中，如图1所示，薄膜晶体管基板10包括：衬底11；缓冲层12，缓冲层12设置在衬底表面上；有源层13，有源层13设置在缓冲层远离衬底基板的一侧；栅绝缘层14，栅绝缘层14设置在缓冲层12和有源层13远离衬底11的一侧；栅极15，栅极15设置在栅绝缘层14远离衬底11的一侧；层间介质层16，层间介质层16设置在栅绝缘层14和栅极15远离衬底11的一侧；源漏电极17，源漏电极17设置在层间介质层16远离衬底11的一侧，且通过贯穿栅绝缘层14和层间介质层16的过孔与有源层13电连接。在一些实施例中，薄膜晶体管基板中可以包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，在图1中仅仅示出了驱动薄膜晶体管。
根据本发明的实施例，平坦层的材料和厚度没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择常规技术中平坦层的材料和平坦层的厚度，比如平坦层的材料包括但不限于聚酰亚胺(PI)，平坦层的厚度为0.8～1.5nm。
根据本发明的实施例，发光器件包括阳极、发光层和阴极，当然还可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层等结构中的一种或多种。在一些实施例中，参照图1，在远离薄膜晶体管基板的方向上，蓝色发光器件31包括层叠设置的第一阳极311、第一发光层312和第一阴极313，红色发光器件32包括层叠设置的第二阳极321、第二发光层322和第二阴极323，绿色发光器件33包括层叠设置的第三阳极331、第三发光层332和第三阴极333。而且，如图1所示，第一阳极311、第二阳极321和第三阳极331分别通过贯穿平坦层的过孔与薄膜晶体管基板中源漏电极17电连接，以驱动发光器件发光。
当然，如图1所示，显示面板还可以包括像素界定层50，像素界定层50设置在平坦层20远离衬底基板的一侧，且覆盖阳极(包括第一阳极、第二阳极和第三阳极)边缘的一部分，像素界定层50限定出多个开口，开口即为发光器件的有效发光区域。
根据本发明的实施例，阳极(包括第一阳极、第二阳极和第三阳极)包括层叠设置透明电极、银电极、透明电极，其中，透明电极的材料包括但不限于ITO和IZO等材料。
根据本发明的实施例，第一阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度Ra为1.6～2.6nm(比如1.6nm、1.7nm、1.8nm、1.9nm、2.0nm、2.1nm、2.2nm、2.3nm、2.4nm、2.5nm、2.6nm)，第二阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度Ra为1.6～2.6nm(比如1.6nm、1.7nm、1.8nm、1.9nm、2.0nm、2.1nm、2.2nm、2.3nm、2.4nm、2.5nm、2.6nm)。由此，第一阳极和第二阳极具有较大的表面粗糙度，光照射到第一阳极和第二阳极的表面时，不会使得光线由第一阳极和第二阳极的表面集中反射出去，进而可以增大蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件大角度的出光效率，降低单色光的色偏和白光色偏，从而改善显示面板大角度色偏的问题。若第一阳极和第二阳极的表面粗糙度小于1.6nm，则对显示面板色偏的改善效果相对较差；若第一阳极和第二阳极的表面粗糙度大于2.6nm，则会因为第一阳极和第二阳极的表面粗糙度偏大，影响后续发光层等结构的均匀性，进而影响蓝色发光器件和红色发光器件的发光效果。其中，需要说明的是，第一阳极和第二阳极的表面粗糙度的大小可以相同，也可以不同，本领域技术人员灵活选择即可。
根据本发明的实施例，第三阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度Ra为0.9～1.1nm(比如0.9nm、0.95nm、1.0nm、1.05nm、1.1nm)。由此，第三阳极的表面粗糙度相对较小，在大视角下绿色发光器件的出光量相对减少，借此提高蓝色发光器件发出的蓝光和红色发光器件发出的红光在白光中的比例，达到改善大视角色偏的目的。
根据本发明的实施例，参照图1，显示面板还包括：粗糙绝缘层40，粗糙绝缘层40设置在平坦层20远离薄膜晶体管基板10的表面上(粗糙绝缘层40设置在平坦层20与第一阳极311和第二阳极321之间)，且粗糙绝缘层40在薄膜晶体管基板10上的正投影覆盖第一阳极311和第二阳极321在薄膜晶体管基板10上的正投影，且与第三阳极331在薄膜晶体管基板10上的正投影没有交叠区域，第一阳极311和第二阳极321设置在粗糙绝缘层40远离薄膜晶体管基板10的表面上，第三阳极331设置在平坦层20远离薄膜晶体管基板10的表面上，其中，粗糙绝缘层40远离薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度大于平坦层20远离薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度。由此，通过设置粗糙绝缘层40，使设置在其表面上的第一阳极和第二阳极具有较大的表面粗糙度；绿色发光器件的第三阳极直接设置在表面粗糙度较小的平坦层的表面上，第三阳极的表面粗糙度相对较小，保证绿色发光器件良好的发光效果，且在大视角下绿色发光器件的出光量相对减少，借此提高蓝色发光器件发出的蓝光和红色发光器件发出的红光在白光中的比例，达到改善大视角色偏的目的。
需要说明的是，在现有技术中，绿色发光器件中的第三阳极通常也是设置在平坦层远离薄膜晶体管基板的表面上，所以说，相对现有技术，第三阳极的表面粗糙度并没有发生变化。
根据本发明的实施例，粗糙绝缘层远离薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度为1.0～2.3nm(比如1.0nm、1.2nm、1.4nm、1.6nm、1.8nm、2.0nm、2.2nm、2.3nm)，如此，在上述表面粗糙度的粗糙绝缘层的表面形成第一阳极和第二阳极具有相对较大且适宜的表面粗糙度；平坦层远离薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度小于1.0nm(比如0.5nm、0.6nm、0.7nm、0.8nm、0.9nm、0.99nm)，由此，第三阳极直接设置在表面粗糙度较小的平坦层的表面上，第三阳极的表面粗糙度相对较小，保证绿色发光器件良好的发光效果，且在大视角下绿色发光器件的出光量相对减少，借此提高蓝色发光器件发出的蓝光和红色发光器件发出的红光在白光中的比例，达到改善大视角色偏的目的。
在一些实施例中，粗糙绝缘层的材料为氧化硅，厚度为200～300nm(比如200nm、210nm、220nm、230nm、240nm、250nm、260nm、270nm、280nm、290nm、300nm)，氧化硅的表面粗糙度为1.0～1.8nm(比如1.0nm、1.1nm、1.2nm、1.3nm、1.4nm、1.5nm、1.6nm、1.7nm、1.8nm)。由此，可以有效满足第一阳极和第二阳极对表面粗糙度的要求，且不会对发光器件等其他结构造成不良影响。
根据本发明的实施例，粗糙绝缘层的材料为氧化硅和氮化硅(即粗糙绝缘层包括层叠设置的氮化硅层和氧化硅层)，氧化硅的厚度为200～300nm(比如200nm、210nm、220nm、230nm、240nm、250nm、260nm、270nm、280nm、290nm、300nm)，氮化硅的厚度为80～100nm(比如80nm、85nm、90nm、95nm、100nm)，所述粗糙绝缘层的表面粗糙度为1.2～2.3nm(比如(比如1.2nm、1.3nm、1.4nm、1.5nm、1.6nm、1.7nm、1.8nm、1.9nm、2.0nm、2.1nm、2.2nm、2.3nm)。由此，可以有效满足第一阳极和第二阳极对表面粗糙度的要求，且不会对发光器件等其他结构造成不良影响。
其中，需要说明的是，粗糙绝缘层包括层叠设置的氮化硅层和氧化硅层时，其层叠顺序没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活设计，比如氮化硅层可以靠近第一阳极设置，也可以远离第一阳极设置。
在一些实施例中，粗糙绝缘层40的材料为氧化硅，其表面的扫描面电镜图可参照图2，平坦层20的材料为聚酰亚胺，在平坦层20的表面设置的第一阳极和第二阳极表面的扫描电镜图可参照图3中的(a)，第一阳极和第二阳极的原子力里显微镜(AFM)粗糙度测试图可参照图4中的(a)；在粗糙绝缘层40的表面设置的第三阳极的扫描电镜图可参照图3中的(b)，第三阳极的原子力里显微镜(AFM)粗糙度测试图可参照图4中的(b)。由图3和图4可知，相对设置在平坦层20表面上的第三阳极，设置在粗糙绝缘层40表面上的第一阳极和第二阳极具有较大的表面粗糙度。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制作前面所述显示面板的方法。根据本发明的实施例，参照图5，制作显示面板的方法包括：
S100：提供薄膜晶体管基板10。
薄膜晶体管基板10的具体结构没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在一些实施例中，如图1所示，薄膜晶体管基板10包括：衬底11；缓冲层12，缓冲层12设置在衬底表面上；有源层13，有源层13设置在缓冲层远离衬底基板的一侧；栅绝缘层14，栅绝缘层14设置在缓冲层12和有源层13远离衬底11的一侧；栅极15，栅极15设置在栅绝缘层14远离衬底11的一侧；层间介质层16，层间介质层16设置在栅绝缘层14和栅极15远离衬底11的一侧；源漏电极17，源漏电极17设置在层间介质层16远离衬底11的一侧，且通过贯穿栅绝缘层14和层间介质层16的过孔与有源层13电连接。在一些实施例中，薄膜晶体管基板中可以包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，在图1中仅仅示出了驱动薄膜晶体管。
S200：在薄膜晶体管基板10的表面上形成平坦层20。
其中，形成平坦层的方法没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择常规技术中形成平坦层的方法和条件，比如平坦层可以通过涂覆聚酰亚胺流平、固化得到，其中，平坦层PLN制作温度(或称固化温度)为250℃左右。
根据本发明的实施例，平坦层的材料和厚度没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择常规技术中平坦层的材料和平坦层的厚度，比如平坦层的材料包括但不限于聚酰亚胺(PI)，平坦层的厚度为0.8～1.5nm。
S300：在平坦层20远离薄膜晶体管基板的一侧形成发光器件，发光器件包括蓝色发光器件31、红色发光器件32和绿色发光器件33，蓝色发光器件31包括第一阳极311，红色发光器件32包括第二阳极321，绿色发光器33件包括第三阳极331，制作的显示面板的结构示意图可参照图1，其中，第一阳极311远离薄膜晶体管基板10的表面的表面粗糙度和第二阳极321远离薄膜晶体管基板10的表面的表面粗糙度均大于第三阳极331远离薄膜晶体管基板10的表面的表面粗糙度。
根据本发明的实施例，参照图2，制作显示面板的方法还包括：在形成发光器件之前，预先在平坦层20远离薄膜晶体管基板的表面上形成粗糙绝缘层40，且粗糙绝缘层40在薄膜晶体管基板10上的正投影覆盖第一阳极311和第二阳极321在薄膜晶体管基板10上的正投影，且与第三阳极331在薄膜晶体管基板10上的正投影没有交叠区域，第一阳极311和第二阳极321形成在粗糙绝缘层10远离薄膜晶体管基板10的表面上，第三阳极331形成在平坦层20远离薄膜晶体管基板10的表面上，其中，粗糙绝缘层40远离薄膜晶体管基板10的表面的表面粗糙度大于平坦层20远离薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度。由此，通过设置粗糙绝缘层40，使设置在其表面上的第一阳极和第二阳极具有较大的表面粗糙度；绿色发光器件的第三阳极直接设置在表面粗糙度较小的平坦层的表面上，第三阳极的表面粗糙度相对较小，保证绿色发光器件良好的发光效果。
其中，在一些实施例中，形成粗糙绝缘层40的步骤可以包括：在平坦层20远离薄膜晶体管基板的表面上形成整层的原始粗糙绝缘层，然后通过湿刻工艺去除需形成绿色发光器件处的原始粗糙绝缘层，保留需形成蓝色发光器件和红色发光器件处的原始粗糙绝缘层，从而得到粗糙绝缘层。本领域技术人员可以理解，由于阳极(包括第一阳极、第二阳极和第三阳极)需要通过过孔21与源漏电极17电连接，所以可以在形成粗糙绝缘层之后，通过一步蚀刻形成贯穿平坦层和粗糙绝缘层的过孔21。
根据本发明的实施例，所述粗糙绝缘层是通过沉积氧化硅得到的，沉积氧化硅的速率为50-100埃/秒，比如50埃/秒、60埃/秒、70埃/秒、80埃/秒、90埃/秒、100埃/秒。由此，可以制作得到所需表面粗糙度和厚度的粗糙绝缘层。在一些实施例中，制备的粗糙绝缘层的厚度为200～300nm，氧化硅的表面粗糙度为1.0～1.8nm。由此，可以有效满足第一阳极和第二阳极对表面粗糙度的要求，且不会对发光器件等其他结构造成不良影响。
根据本发明的实施例，所述粗糙绝缘层是通过沉积氧化硅和氮化硅得到的，沉积氧化硅的速率为50-100埃/秒，比如50埃/秒、60埃/秒、70埃/秒、80埃/秒、90埃/秒、100埃/秒，沉积氮化硅的速率为800-1000埃/秒，比如800埃/秒、850埃/秒、900埃/秒、950埃/秒、1000埃/秒。由此，可以制作得到所需表面粗糙度和厚度的粗糙绝缘层。在一些实施例中，制备的粗糙绝缘层包括层叠设置的氮化硅层和氧化硅层，氧化硅层的厚度为200～300nm，氮化硅层的厚度为80～100nm，所述粗糙绝缘层的表面粗糙度为1.2～2.3nm。由此，可以有效满足第一阳极和第二阳极对表面粗糙度的要求，且不会对发光器件等其他结构造成不良影响。
进一步的，上述沉积形成粗糙绝缘层的具体方法包括可以为化学气相沉积(比如等离子体增强化学的气相沉积法PECVD)或物理气相沉积(比如磁控溅射法)。
根据本发明的实施例，制作的蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件的第二阳极具有较大的表面粗糙度，光照射到第一阳极和第二阳极的表面时，不会使得光线由第一阳极和第二阳极的表面集中反射出去，进而可以增大蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件大角度的出光效率，降低单色光的色偏和白光色偏，从而改善显示面板大角度色偏的问题。
在本发明的又一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述显示面板。由此，该显示面板的大视角色偏的问题得到有效地改善。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述显示面板的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
根据本发明的实施例，上述显示装置的具体种类没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在一些实施例中，显示装置的具体种类包括但不限于手机、笔记本、kindle、iPad、电视、游戏机等一切具有现实功能的显示装置。
本领域技术人员可以理解，该显示装置除了前面所述的显示面板，还包括常规显示装置所必备的结构或部件，以手机为例，除了前面所述的显示面板，还包括玻璃盖板、电池后盖、中框、主板、触控模组、音频模组、摄像模组等必备的结构或部件。
实施例
实施例1
显示面板的结构示意图参照图1所示，蓝色发光器件的第一阳极和红色发光器件的第二阳极设置在粗糙绝缘层40的表面上，绿色发光器件的第三阳极设置在平坦层20的表面上。该显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图分别参照图6中的(a)和(b)，其中图6中右图的色偏测试图中的R表示红色的色偏曲线，B表示蓝光的色偏曲线，G表示绿光的色偏曲线，W表示白光色色偏曲线。
对比例1
显示面板的结构与实施例1的区别在于：蓝色发光器件的第一阳极设置在粗糙绝缘层40的表面上，红色发光器件的第二阳极和绿色发光器件的第三阳极设置在平坦层20的表面上。该显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图分别参照图7中的(a)和(b)。
对比例2
显示面板的结构与实施例1的区别在于：绿色发光器件的第三阳极设置在粗糙绝缘层40的表面上，红色发光器件的第二阳极和蓝色发光器件的第一阳极设置在平坦层20的表面上。该显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图分别参照图8中的(a)和(b)。
对比例3
显示面板的结构与实施例1的区别在于：红色发光器件的第二阳极设置在粗糙绝缘层40的表面上，绿色发光器件的第三阳极和蓝色发光器件的第一阳极设置在平坦层20的表面上。该显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图分别参照图9中的(a)和(b)。
对比例4
显示面板的结构与实施例1的区别在于：红色发光器件的第二阳极和绿色发光器件的第三阳极设置在粗糙绝缘层40的表面上，蓝色发光器件的第一阳极设置在平坦层20的表面上。该显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图分别参照图10中的(a)和(b)。
对比例5
显示面板的结构与实施例1的区别在于：蓝色发光器件的第一阳极和绿色发光器件的第三阳极设置在粗糙绝缘层40的表面上，红色发光器件的第二阳极设置在平坦层20的表面上。该显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图分别参照图11中的(a)和(b)。
对比例6
显示面板的结构与实施例1的区别在于：蓝色发光器件的第一阳极、红色发光器件的第二阳极和绿色发光器件的第三阳极均设置在粗糙绝缘层40的表面上。该显示面板的色坐标轨迹和色偏的测试图分别参照图12中的(a)和(b)。
其中，上述实施例1和对比例1-6中，粗糙绝缘层40的材料为氧化硅，其表面的扫描面电镜图可参照图2，平坦层20的材料为聚酰亚胺，在平坦层20的表面设置的第一阳极和第二阳极表面的扫描电镜图可参照图3中的(a)，第一阳极和第二阳极的原子力里显微镜(AFM)粗糙度测试图可参照图4中的(a)；在粗糙绝缘层40的表面设置的第三阳极的扫描电镜图可参照图3中的(b)，第三阳极的原子力里显微镜(AFM)粗糙度测试图可参照图4中的(b)。由图3和图4可知，相对设置在平坦层20表面上的第三阳极，设置在粗糙绝缘层40表面上的第一阳极和第二阳极具有较大的表面粗糙度。
由上述实施例1和对比例1-6的色坐标轨迹和色偏的测试图可知，实施例1中的显示面板的大视角色偏得到了很好的改善。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管基板；
平坦层，所述平坦层设置在所述薄膜晶体管基板的表面上；
发光器件，所述发光器件设置在所述平坦层远离薄膜晶体管基板的一侧，所述发光器件包括蓝色发光器件、红色发光器件和绿色发光器件，所述蓝色发光器件包括第一阳极，所述红色发光器件包括第二阳极，所述绿色发光器件包括第三阳极，
其中，所述第一阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度和所述第二阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度均大于所述第三阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度；
所述第一阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度为1.6～2.6nm，所述第二阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度为1.6～2.6nm，所述第三阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度为0.9～1.1nm。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
粗糙绝缘层，所述粗糙绝缘层设置在所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，且所述粗糙绝缘层在所述薄膜晶体管基板上的正投影覆盖所述第一阳极和所述第二阳极在所述薄膜晶体管基板上的正投影，且与所述第三阳极在所述薄膜晶体管基板上的正投影没有交叠区域，所述第一阳极和所述第二阳极设置在所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，所述第三阳极设置在所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，
其中，所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度大于所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度为1.0～2.3nm，所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度小于1.0nm。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙绝缘层的材料为氧化硅，厚度为200～300nm，所述氧化硅的表面粗糙度为1.0～1.8nm。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙绝缘层的材料为氧化硅和氮化硅，所述氧化硅的厚度为200～300nm，所述氮化硅的厚度为80～100nm，所述粗糙绝缘层的表面粗糙度为1.2～2.3nm。
6.一种制作权利要求1～5中任一项显示面板的方法，其特征在于，包括：
提供薄膜晶体管基板；
在所述薄膜晶体管基板的表面上形成平坦层；
在所述平坦层远离薄膜晶体管基板的一侧形成发光器件，所述发光器件包括蓝色发光器件、红色发光器件和绿色发光器件，所述蓝色发光器件包括第一阳极，所述红色发光器件包括第二阳极，所述绿色发光器件包括第三阳极，
其中，所述第一阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度和所述第二阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度均大于所述第三阳极远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成所述发光器件之前，预先在所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面上形成粗糙绝缘层，且所述粗糙绝缘层在所述薄膜晶体管基板上的正投影覆盖所述第一阳极和所述第二阳极在所述薄膜晶体管基板上的正投影，且与所述第三阳极在所述薄膜晶体管基板上的正投影没有交叠区域，
所述第一阳极和所述第二阳极形成在所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，所述第三阳极形成在所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面上，
其中，所述粗糙绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度大于所述平坦层远离所述薄膜晶体管基板的表面的表面粗糙度。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述粗糙绝缘层是通过沉积氧化硅得到的，沉积氧化硅的速率为50-100埃/秒。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述粗糙绝缘层是通过沉积氧化硅和氮化硅得到的，沉积氧化硅的速率为50-100埃/秒，沉积氮化硅的速率为800-1000埃/秒。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～5中任一项显示面板。
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