CN114914272A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明为了实现能够显示高品质的图像的有机发光显示装置，提供一种如下的有机发光显示装置，包括：基板；第一像素电极，布置于所述基板上；第二像素电极，布置于所述基板上，并且具有比所述第一像素电极的上表面的平坦度更高的平坦度的上表面；第一颜色发光层，布置于所述第一像素电极上；以及第二颜色发光层，布置于所述第二像素电极上，并且能够发出比所述第一颜色发光层发出的光的波长更长的波长的光。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种有机发光显示装置，更详细地涉及一种能够显示高品质的图像的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置包括有机发光元件作为显示元件。有机发光元件包括像素电极、对向电极以及夹设于像素电极与对向电极之间的发光层。并且，有机发光显示装置包括用于控制施加于这样的有机发光元件的电信号的电子元件和/或布线。
发明内容
然而，在这种现有的有机发光显示装置存在发出特定颜色的光的像素处的亮度与发出另一颜色的光的像素处的亮度的比率可能和预先设定的比率变得不同的问题。
本发明是用于解决包括如上所述的问题在内的各种问题的，其目的在于提供一种能够显示高品质的图像的有机发光显示装置。然而，这种课题是示例性的，本发明的范围并不局限于此。
根据本发明的一观点，提供一种有机发光显示装置，包括：基板；第一像素电极，布置于所述基板上；第二像素电极，布置于所述基板上，并且具有比所述第一像素电极的上表面的平坦度更高的平坦度的上表面；第一颜色发光层，布置于所述第一像素电极上；以及第二颜色发光层，布置于所述第二像素电极上，并且能够发出比所述第一颜色发光层发出的光的波长更长的波长的光。
所述第一颜色发光层发出的光的波长可以属于450nm至495nm的波长带。
所述第二颜色发光层发出的光的波长可以属于495nm至570nm的波长带。
所述第一像素电极的上表面的阶梯差的均方根(RMS：root mean square)可以是14nm至33nm。
所述第二像素电极的上表面的阶梯差的均方根可以是11nm至22nm。
所述有机发光显示装置还可以包括：第三像素电极，布置于所述基板上，并且具有比所述第二像素电极的上表面的平坦度更高的平坦度的上表面；第三颜色发光层，布置于所述第三像素电极上，并且能够发出比所述第二颜色发光层发出的光的波长更长的波长的光。
所述第一颜色发光层发出的光的波长可以属于450nm至495nm的波长带。
所述第二颜色发光层发出的光的波长可以属于495nm至570nm的波长带。
所述第三颜色发光层发出的光的波长可以属于630nm至750nm的波长带。
所述第一像素电极的上表面的阶梯差的均方根可以是14nm至33nm。
所述第二像素电极的上表面的阶梯差的均方根可以是11nm至22nm。
所述第三像素电极的上表面的阶梯差的均方根可以是2nm至11nm。
除了上述内容，其他侧面、特征、优点将通过以下的用于实施发明的具体内容、权利要求范围以及附图而变得明确。
根据如上所述地构成的本发明的一实施例，能够实现显示高品质的图像的有机发光显示装置。当然，本发明的范围并不会被这样的效果所限定。
附图说明
图1是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图2以及图3是示意性地图示图1的显示装置在制造过程中的一部分的剖视图。
图4以及图5是示意性地图示图1的显示装置在制造过程中的另一部分的剖视图。
图6至图8是用于说明在根据本发明的一实施例的显示装置中的构成要素的厚度的曲线图。
图9是示出根据比较例的显示装置的在特定像素处的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。
图10是示出根据图9的比较例的显示装置的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。
图11是示出根据本实施例的显示装置的在特定像素处的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。
图12是示出图11的显示装置的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。
附图标记说明：
PX1：第一像素 PX2：第二像素
PX3：第三像素 100：基板
110：缓冲层 121：栅极绝缘膜
131：层间绝缘膜 141：第一平坦化层
142：第二平坦化层 150：像素定义膜
221：第一布线 222：第二布线
303：对向电极 311a：第一颜色发光层
311：第一像素电极 312a：第二颜色发光层
312：第二像素电极 313a：第三颜色发光层
313：第三像素电极
具体实施方式
本发明可以进行多种变换，且可以具有多个实施例，特定实施例举例示出于附图中并在具体实施方式中进行详细说明。若参考与附图一起在后面详细描述的实施例，则能够明确本发明的效果和特征以及达成所述效果和特征的方法。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以多种形态实现。
以下，将参照附图详细说明本发明的实施例，且在参照附图进行说明时，对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图标记并省略对它们的重复说明。
在以下的实施例中，提及层、膜、区域、板等的各种构成要素位于另一构成要素“上”时，这不仅包括位于另一构成要素的“紧邻的上方”的情形，还包括其中间夹设有其他构成要素的情形。并且，为了便于说明，附图中的构成要素的大小可以被夸大或者缩小。例如，为了便于说明，在附图中示出的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此本发明并不一定限于图示的内容。
在以下的实施例中，x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三个轴，可以被解释为包括其的宽泛的含义。例如，x轴、y轴以及z轴虽然也可以垂直相交，但也可以指代彼此不垂直相交的彼此不同的方向。
图1是示意性地图示根据本发明的一实施例的有机发光显示装置的一部分的剖视图。图1是为了便于说明而示意性地图示有机发光显示装置的三个像素中的每一个的一部分的图，薄膜晶体管的构成要素与在图1所示的情形不同，也可以不位于相同的zx平面内。例如，例如，第二薄膜晶体管212的第二栅极电极212b、第二源极电极212c及第二漏极电极212d并不是全部要位于相同的ZX平面内。能够实现在任意一个zx平面内可以仅显示有第二栅极电极212b和第二源极电极212c而无法看出第二漏极电极212d等多种变形。
并且，也可以三个像素不位于相同的zx平面内。例如，能够实现在任意一个zx平面内可以仅显示第一像素PX1和第二像素PX2而不显示第三像素PX3等多种变形。
如图1所示，在根据本实施例的显示装置中，多个像素位于显示区域内。位于显示区域外侧的周边区域包括作为电附着各种电子元件或印刷电路基板等的区域的垫区域。这也可以理解为基板100具有这种显示区域及周边区域。
基板100可以包括玻璃、金属或高分子树脂。若基板100具有柔性或可弯曲的特性，则基板100可以包含例如聚醚砜(polyethersulphone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)之类的高分子树脂。当然，能够实现基板100也可以具有包括分别包含如这样的高分子树脂的两个层和夹设于其层间的(氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)包含无机物的阻挡层的多层结构等多种变形。
有机发光元件布置于基板100上。当然，在基板100上除了有机发光元件之外也可以设置有与有机发光元件电连接的薄膜晶体管211、212、213。有机发光元件电连接于薄膜晶体管211、212、213可以理解为有机发光元件的像素电极311、312、313电连接于薄膜晶体管211、212、213。
作为参考，在图1中图示了如下情形：第一薄膜晶体管211位于第一像素PX1，第二薄膜晶体管212位于第二像素PX2，并且第三薄膜晶体管213位于第三像素PX3。据此，图示了如下情形：位于第一像素PX1的第一像素电极311电连接于第一薄膜晶体管211，位于第二像素PX2的第二像素电极312电连接于第二薄膜晶体管212，并且位于第三像素PX3的第三像素电极313电连接于第三薄膜晶体管213。
以下，为了方便起见，针对第一薄膜晶体管211进行说明，并且这也可以适用于第二薄膜晶体管212和第三薄膜晶体管213。即，省略针对第二薄膜晶体管212和第三薄膜晶体管213的构成要素的说明。
第一薄膜晶体管211可以包括包含非晶硅、多晶硅或有机半导体物质的第一半导体层211a、第一栅极电极211b、第一源极电极211c和第一漏极电极211d。第一栅极电极211b可以包含多种导电性物质，并且可以具有多种层状结构，例如，可以包括Mo层和Al层。第一源极电极211c和第一漏极电极211d也可以包含多种导电性物质，并且也可以具有多种层状结构，例如，可以包括Ti层和Al层。
另外，为了确保第一半导体层211a与第一栅极电极211b的绝缘性，在第一半导体层211a与第一栅极电极211b之间可以夹设包含氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机物的栅极绝缘膜121。同时，在第一栅极电极211b的上部可以布置有包含氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝等的无机物的层间绝缘膜131，第一源极电极211c及第一漏极电极211d可以布置于这种层间绝缘膜131上。如此，包含无机物的绝缘膜可以通过化学气相沉积(CVD：chemical vapor deposition)或原子层沉积(ALD：atomic layer deposition)而形成。这在后述的实施例及其变形例中也相同。
包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层及氧化铝层中的一种以上的缓冲层110可以夹设于具有如上结构的第一薄膜晶体管211与基板100之间。这种缓冲层110可以起到提高基板100的上表面的平滑性、防止或最小化杂质从基板100等渗透至第一薄膜晶体管211的第一半导体层211a的作用。
并且，第一平坦化层141可以布置于第一薄膜晶体管211上。例如，如图1所示，在有机发光元件布置于第一薄膜晶体管211上部的情况下，第一平坦化层141可以起到使覆盖第一薄膜晶体管211的保护膜上部大致平坦化的作用。这样的第一平坦化层141可以利用诸如丙烯酸树脂(acryl resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)、聚酰亚胺树脂(polyimide resin)、苯并环丁烯(BCB：Benzocyclobutene)或六甲基二硅氧烷(HMDSO：hexamethyldisiloxane)等的有机物形成。当然，如图1所示，根据需要，也可以在第一平坦化层141上设置有第二平坦化层142。在此情况下，诸如薄膜晶体管的电极之类的构成要素或布线等也可以位于第一平坦化层141与第二平坦化层142之间。第二平坦化层142可以利用诸如丙烯酸树脂(acryl resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)、聚酰亚胺树脂(polyimide resin)、苯并环丁烯(BCB：Benzocyclobutene)或六甲基二硅氧烷(HMDSO：hexamethyldisiloxane)等的有机物形成。
针对第二薄膜晶体管212的第二半导体层212a、第二栅极电极212b、第二源极电极212c及第二漏极电极212d的说明以及针对第三薄膜晶体管213的第三半导体层213a、第三栅极电极213b、第三源极电极213c及第三漏极电极213d的说明用针对第一薄膜晶体管211的第一半导体层211a、第一栅极电极211b、第一源极电极211c及第一漏极电极211d的说明代替。
在基板100的显示区域内，第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313位于第二平坦化层142上。位于第二平坦化层142上的第一像素电极311如图1所示地通过形成于第二平坦化层142等的开口部而与第一源极电极211c及第一漏极电极211d中的任意一个接触，从而与第一薄膜晶体管211电连接。位于第二平坦化层142上的第二像素电极312也同样地通过形成于第二平坦化层142等的开口部而与第二源极电极212c及第二漏极电极212d中的任意一个接触，从而与第二薄膜晶体管212电连接。位于第二平坦化层142上的第三像素电极313也同样地通过形成于第二平坦化层142等的开口部而与第三源极电极213c及第三漏极电极213d中的任意一个接触，从而与第三薄膜晶体管213电连接。
在通过对向电极303向外部发出光的上部发光(top emission)显示装置的情况下，第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313可以包含反射率较高的金属物质。例如，第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313可以具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、或者可以具有铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、或者可以包含APC合金的层、或者可以具有APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和/或铜(Cu)的合金。
在通过第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313向外部发出光的底部发光(bottom emission)显示装置的情况下，第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313可以包括能够透射光的诸如ITO或IZO之类的透明的导电物质(TCM：Transparent Conductive Material)，或者可以包括诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金之类的半透射导电物质(Semi-transmissive Conductive Material)。
像素定义膜150可以布置于第二平坦化层142上部。该像素定义膜150具有对应于各子像素的开口，从而起到限定像素的作用。即，像素定义膜150可以覆盖第一像素电极311的边缘、第二像素电极312的边缘以及第三像素电极313的边缘，从而暴露第一像素电极311的中央上表面、第二像素电极312的中央上表面以及第三像素电极313的中央上表面。
像素定义膜150使第一像素电极311等的边缘与第一像素电极311等的上部的对向电极303之间的距离增加，从而起到防止在第一像素电极311等的边缘发生电弧等的作用。这样的像素定义膜150可以包括诸如丙烯酸树脂(acryl resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)聚酰亚胺树脂(polyimideresin)或六甲基二硅氧烷(HMDSO：hexamethyldisiloxane)等的有机物。
第一颜色发光层311a位于第一像素电极311上，第二颜色发光层312a位于第二像素电极312上，第三颜色发光层313a位于第三像素电极313上。第一颜色发光层311a可以生成属于第一波长带的波长的光，第二颜色发光层312a可以生成属于第二波长带的波长的光，并且第三颜色发光层313a可以生成属于第三波长带的波长的光。第一波长带可以是450nm至495nm的波长带，第二波长带可以是495nm至570nm的波长带，第三波长带可以是630nm至750nm的波长带。这样的第一颜色发光层311a、第二颜色发光层312a及第三颜色发光层313a可以利用喷墨印刷法形成。
当然，在第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313上并不仅仅只设置有第一颜色发光层311a、第二颜色发光层312a和第三颜色发光层313a。例如，空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)或空穴传输层(HTL：Hole Transport Layer)可以夹设于第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313与第一颜色发光层311a、第二颜色发光层312a及第三颜色发光层313a之间，并且电子传输层(ETL：Electron Transport Layer)或电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)等可以位于第一颜色发光层311a、第二颜色发光层312a及第三颜色发光层313a与对向电极303之间。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层可以是在第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313上的一体的层，根据需要也可以是对应于第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313中的每一个而图案化的层。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层可以利用沉积法、丝网印刷法、激光热转印法或喷墨印刷法等形成。
对向电极303位于第一颜色发光层311a、第二颜色发光层312a及第三颜色发光层313a上部。这样的对向电极303可以布置为覆盖显示区域。即，对向电极303可以对于多个有机发光元件而言形成为一体而与第一像素电极311、第二像素电极312及第三像素电极313对应。
对向电极303覆盖显示区域，并且延伸至显示区域外侧的周边区域。据此，对向电极303与位于周边区域的电极电源供应线电连接。在上部发光型显示装置的情况下，对向电极303可以包括能够透射光的诸如ITO或IZO之类的透明的导电物质(TCM：TransparentConductive Material)，或者可以包括诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金之类的半透射导电物质(Semi-transmissive Conductive Material)。在下部发光型显示装置的情况下，对向电极303可以包括具有反射率较高的金属物质。例如，对向电极303可以具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、或者可以具有铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、或者可以包含APC合金的层、或者可以具有APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和/或铜(Cu)的合金。
由于有机发光元件容易因来自外部的水分或氧气等而损坏，因此封装层(未示出)可以覆盖这样的有机发光元件而保护有机发光元件。封装层可以覆盖显示区域并且可以延伸至周边区域的至少一部分。这样的封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层。
第一无机封装层和第二无机封装层可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝。有机封装层可以包含丙烯酸树脂(acryl resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)聚酰亚胺树脂(polyimide resin)等。
如上所述，第一颜色发光层311a和第二颜色发光层312a等利用喷墨印刷法形成。即，利用喷墨印刷法将第一颜色发光层形成用物质311a’(参见图2)置于借由像素定义膜150而暴露的第一像素电极311的上表面上，并且利用喷墨印刷法将第二颜色发光层形成用物质312a’(参见图4)置于借由像素定义膜150而暴露的第二像素电极312的上表面上，从而形成第一颜色发光层311a和第二颜色发光层312a。
图2及图3是示意性地图示在第一像素电极311上形成第一颜色发光层311a的过程的剖视图。如图2及图3所示，第一布线221等可以位于第一像素电极311下部。在图2和图3中图示了第一布线221位于第一平坦化层141与第二平坦化层142之间的情形。在此情况下，第二平坦化层142的上表面可能由于第一布线221而不完全平坦。即，第二平坦化层142的(+z方向)上表面可以具有阶梯差。第二平坦化层142的上表面的阶梯差可以小于第一布线221的(沿z轴方向)厚度。由于位于第二平坦化层142上的第一像素电极311沿第二平坦化层142的上表面的弯曲而形成，因此第一像素电极311的(+z方向)上表面将具有阶梯差。
如此，若在上表面存在阶梯差的第一像素电极311上利用喷墨印刷法形成第一颜色发光层形成用物质311a’，则第一颜色发光层形成用物质311a’在被打点(dotting)之后将具有如图2所示的形状。即，在第一像素电极311的上表面中的与基板100最接近的部分处的第一颜色发光层形成用物质311a’具有厚度T10。
此后，由于第一颜色发光层形成用物质311a’是具有流动性的状态，因此第一颜色发光层形成用物质311a’沿第一像素电极311的上表面扩散。然后，将经过第一颜色发光层形成用物质311a’固化的过程。其结果，如图3所示，第一颜色发光层311a将具有大致沿第一像素电极311的上表面的形状。即，第一像素电极311的上表面中距离基板100最远的部分上的第一颜色发光层311a的第一厚度T11与第一像素电极311的上表面中距离基板100最近的部分上的第一颜色发光层311a的第二厚度T12相同或大致相似。这是因为要形成的第一颜色发光层311a的厚度薄。当然，第一颜色发光层311a的第一厚度T11与第一颜色发光层311a的第二厚度T12可以不相同，实际上，第一颜色发光层311a的厚度可以根据位置而不同。
图4及图5是示意性地图示在第二像素电极312上形成第二颜色发光层312a的过程的剖视图。如图4及图5所示，第二布线222等可以位于第二像素电极312下部。在图4及图5中图示了第二布线222位于第一平坦化层141与第二平坦化层142之间的情形。在此情况下，第二平坦化层142的上表面可能由于第二布线222而不完全平坦。即，第二平坦化层142的(+z方向)上表面可以具有阶梯差。第二平坦化层142的上表面的阶梯差可以小于第二布线222的(沿z轴方向)厚度。由于位于第二平坦化层142上的第二像素电极312沿第二平坦化层142的上表面的弯曲而形成，因此第二像素电极312的(+z方向)上表面将具有阶梯差。
如此，若在上表面存在阶梯差的第二像素电极312上利用喷墨印刷法形成第二颜色发光层形成用物质312a’，则第二颜色发光层形成用物质312a’在被打点(dotting)之后将具有如图4所示的形状。即，在第二像素电极312的上表面中的与基板100最接近的部分处的第二颜色发光层形成用物质312a’具有厚度T20。该厚度T20可以大于如图2所示的第一颜色发光层形成用物质311a’的厚度T10。
此后，由于第二颜色发光层形成用物质312a’是具有流动性的状态，因此第二颜色发光层形成用物质312a’沿第二像素电极312的上表面扩散。然后，将经过第二颜色发光层形成用物质312a’固化的过程。其结果，如图5所示，第二颜色发光层312a将具有大致沿第二像素电极312的上表面的形状。然而，由于在图4所示的第二颜色发光层形成用物质312a’的厚度T20大于在图2所示的第一颜色发光层形成用物质311a’的厚度T10，因此第二颜色发光层312a将起到使第二像素电极312的上表面的弯曲多少变得平坦化的作用。其结果，第二像素电极312的上表面中距离基板100最远的部分上的第二颜色发光层312a的第一厚度T21小于第二像素电极312的上表面中距离基板100最近的部分上的第二颜色发光层312a的第二厚度T22。即，第二颜色发光层312a的厚度的均匀度变得小于第一颜色发光层311a的厚度的均匀度。
若发光层的厚度的均匀度降低，则从相应的像素发出的光的亮度可能降低。图6是示出从第二像素PX2发出的光的亮度比和色坐标变化量(△u’v’)的曲线图。图6的横轴表示形成于第二像素电极312的上表面的阶梯差的均方根(RMS：root mean square)，左侧的纵轴表示从第二像素PX2发出的光的亮度比，右侧的纵轴表示从第二像素PX2发出的光的色坐标变化量(△u’v’)。
具体地，图6的曲线图的实线表示如下内容：以当在第二像素电极312的上表面不存在阶梯差时的从第二像素PX2发出的光的亮度为基准，当在第二像素电极312的上表面存在阶梯差时的从第二像素PX2发出的光的亮度的比率。亮度比越高，表示不会发生亮度降低现象。并且，图6的曲线图的虚线表示如下内容：以从第二像素PX2发出的理想的光(绿色光)的色坐标为基准，当在第二像素电极312的上表面存在阶梯差时的从第二像素PX2发出的光的色坐标的变化量。色坐标变化量(△u’v’)越小，表示发出越接近于预先设定的色坐标的颜色的光。
如上所述，第二像素PX2的第二颜色发光层312a可以发出属于495nm至570nm的波长带的波长的光。
如图6的曲线图中能够确认的内容，随着形成于第二像素电极312的上表面的阶梯差变大，从第二像素PX2发出的光的亮度降低。因此，为了发出以当在第二像素电极312的上表面不存在阶梯差时的从第二像素PX2发出的光的亮度为基准的90％以上的亮度的光，第二像素电极312的上表面的阶梯差有必要与在图6中用实线显示的四边形内的范围对应。即，有必要使形成于第二像素电极312的上表面的阶梯差的均方根在22nm以下。
并且，如图6的曲线图中能够确认的内容，随着形成于第二像素电极312的上表面的阶梯差变小，从第二颜色发光层312a发出的光的色坐标与理想的第二颜色光的色坐标的差变大。因此，为了使色坐标变化量(△u’v’)在0.01以内，第二像素电极312的上表面的阶梯差有必要与在图6中用虚线显示的四边形内的范围对应。即，有必要使形成于第二像素电极312的上表面的阶梯差的均方根在11nm以上。
因此，其结果，有必要使形成于第二像素电极312的上表面的阶梯差的均方根为11nm以上且22nm以下。
图7是示出从第一像素PX1发出的光的亮度比和色坐标变化量(△u’v’)的曲线图。图7的横轴表示形成于第一像素电极311的上表面的阶梯差的均方根(RMS：root meansquare)，左侧的纵轴表示从第一像素PX1发出的光的亮度比，右侧的纵轴表示从第一像素PX1发出的光的色坐标变化量(△u’v’)。
具体地，图7的曲线图的实线表示如下内容：以当在第一像素电极311的上表面不存在阶梯差时的从第一像素PX1发出的光的亮度为基准，当在第一像素电极311的上表面存在阶梯差时的从第一像素PX1发出的光的亮度的比率。亮度比越高，表示不会发生亮度降低现象。并且，图7的曲线图的虚线表示如下内容：以从第一像素PX1发出的理想的光(蓝色光)的色坐标为基准，当在第一像素电极311的上表面存在阶梯差时的从第一像素PX1发出的光的色坐标的变化量。色坐标变化量(△u’v’)越小，表示发出越接近于预先设定的色坐标的颜色的光。
如上所述，第一像素PX1的第一颜色发光层311a可以发出属于450nm至495nm的波长带的波长的光。
如图7的曲线图中能够确认的内容，随着形成于第一像素电极311的上表面的阶梯差变大，从第一像素PX1发出的光的亮度降低。因此，为了发出以当在第一像素电极311的上表面不存在阶梯差时的从第一像素PX1发出的光的亮度为基准的90％以上的亮度的光，第一像素电极311的上表面的阶梯差有必要与在图7中用实线显示的四边形内的范围对应。即，有必要使形成于第一像素电极311的上表面的阶梯差的均方根在33nm以下。
并且，如图7的曲线图中能够确认的内容，随着形成于第一像素电极311的上表面的阶梯差变小，从第一颜色发光层311a发出的光的色坐标与理想的第一颜色光的色坐标的差变大。因此，为了使色坐标变化量(△u’v’)在0.01以内，第一像素电极311的上表面的阶梯差有必要与在图7中用虚线显示的四边形内的范围对应。即，有必要使形成于第一像素电极311的上表面的阶梯差的均方根在14nm以上。
因此，其结果，有必要使形成于第一像素电极311的上表面的阶梯差的均方根为14nm以上且33nm以下。
作为参考，如上所述，由于第二颜色发光层312a的厚度大于第一颜色发光层311a的厚度，因此第二颜色发光层312a受到来自第二像素电极312的上表面的阶梯差的影响相对于第一颜色发光层311a受到来自第一像素电极311的上表面的阶梯差的影响大。因此，形成于第二像素电极312的上表面的阶梯差的均方根为11nm以上且22nm以下，可以相对小于作为形成于第一像素电极311的上表面的阶梯差的均方根的14nm以上33nm以下。即，第二像素电极312的上表面的平坦度可以更高于第一像素电极311的上表面的平坦度。
作为参考，第二颜色发光层312a的厚度比第一颜色发光层311a的厚度大的原因在于，从第二颜色发光层312a发出的光的波长比从第一颜色发光层311a发出的光的波长长。在有机发光显示装置中，越是短的波长的光，越是将发出相应的波长的光的发光层的厚度形成得较薄也足够。
图8是示出从第三像素PX3发出的光的亮度比和色坐标变化量(△u’v’)的曲线图。图8的横轴表示形成于第三像素电极313的上表面的阶梯差的均方根(RMS：root meansquare)，左侧的纵轴表示从第三像素PX3发出的光的亮度比，右侧的纵轴表示从第三像素PX3发出的光的色坐标变化量(△u’v’)。
具体地，图8的曲线图的实线表示如下内容：以当在第三像素电极313的上表面不存在阶梯差时的从第三像素PX3发出的光的亮度为基准，当在第三像素电极313的上表面存在阶梯差时的从第三像素PX3发出的光的亮度的比率。亮度比越高，表示不会发生亮度降低现象。并且，图8的曲线图的虚线表示如下内容：以从第三像素PX3发出的理想的光(红色光)的色坐标为基准，当在第三像素电极313的上表面存在阶梯差时的从第三像素PX3发出的光的色坐标的变化量。色坐标变化量(△u’v’)越小，表示发出接近于预先设定的色坐标的颜色的光。
如上所述，第三像素PX3的第一颜色发光层311a可以发出属于630nm至750nm的波长带的波长的光。
如图8的曲线图中能够确认的内容，随着形成于第三像素电极313的上表面的阶梯差变大，从第三像素PX3发出的光的亮度降低。因此，为了发出以当在第三像素电极313的上表面不存在阶梯差时的从第一像素PX1发出的光的亮度为基准的90％以上的亮度的光，第三像素电极313的上表面的阶梯差有必要与在图8中用实线显示的四边形内的范围对应。即，有必要使形成于第三像素电极313的上表面的阶梯差的均方根为11nm以下。
另外，如图8的曲线图中能够确认的内容，随着形成于第三像素电极313的上表面的阶梯差变小，从第三颜色发光层313a发出的光的色坐标与理想的第三颜色光的色坐标的差变大。然而，如图8的曲线图中能够确认的内容，色坐标变化量(△u’v’)与形成于第三像素电极313的上表面的阶梯差无关地维持在0.01以内。
因此，有必要使形成于第三像素电极313的上表面的阶梯差的均方根为11nm以下。另外，在实际实现的有机发光显示装置中，当考虑到位于第三像素电极313下部的布线等时，形成为使形成于第三像素电极313的上表面的阶梯差的均方根为小于2nm是不可能的。因此，有必要使形成于第三像素电极313的上表面的阶梯差的均方根为2nm以上且11nm以下。
作为参考，由于第三颜色发光层313a的厚度大于第二颜色发光层312a的厚度，因此第三颜色发光层313a受到来自第三像素电极313的上表面的阶梯差的影响相对于第二颜色发光层312a受到来自第二像素电极312的上表面的阶梯差的影响大。因此，形成于第三像素电极313的上表面的阶梯差的均方根为2nm以上且11nm以下，可以相对小于作为形成于第二像素电极312的上表面上的阶梯差的均方根的11nm以上且22nm以下。即，第三像素电极313的上表面的平坦度可以更高于第二像素电极312的上表面的平坦度。
作为参考，第三颜色发光层313a的厚度比第二颜色发光层312a的厚度大的原因在于，从第三颜色发光层313a发出的光的波长比从第二颜色发光层312a发出的光的波长长。在有机发光显示装置中，越是短的波长的光，越是将发出相应的波长的光的发光层的厚度形成得较薄也足够。
作为参考，在准备图6至图8的曲线图时，在像素电极的上表面的阶梯差为0的理想的情形下的亮度是在以使布线不存在于像素电极的下部的方式作为测试用而制造的测试像素中测量的亮度。除了在像素电极的下部不存在布线的条件以外，测试像素的条件(例如，各层的厚度或宽度等)与实际的有机发光显示装置中的像素的条件相同。
图9是示出根据比较例的显示装置的发出绿色光的子像素处的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。图9的横坐标表示视角，左侧的纵坐标表示发出的绿色光的亮度比，右侧的纵坐标表示发出的绿色光的色坐标变化量(△u’v’)。在根据比较例的显示装置的发出绿色光的子像素的情况下，像素电极的上表面的阶梯差的均方根是小于11nm的情形。
如图9所示，可以确认，在根据比较例的显示装置的情况下，色坐标变化量根据视角而表现得非常大。即，可以确认随着视角大于40度，色坐标变化量变得非常大。
图10是示出在根据比较例的显示装置中根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图，根据比较例的显示装置具有：表现出如图9所示的结果的绿色子像素；红色子像素，像素电极的上表面的阶梯差的均方根为2nm至11nm；蓝色子像素，像素电极的上表面的阶梯差的均方根为14nm至33nm。图10的曲线图是利用在根据比较例的显示装置被设定为发出白色光的状态下获取的数据的曲线图。图10的横轴表示视角，左侧的纵轴表示发出的白色光的亮度比，右侧的纵轴表示发出的白色光的色坐标变化量(△u’v’)。如图10中能够确认的内容，可以确认，根据视角，色坐标变化量有很大的不同。尤其，可以确认，在视角在30度附近的情况和视角大于50度的情况下，色坐标变化量急剧增加。
图11是示出根据本实施例的显示装置的绿色像素处的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。即，图11是示出在像素电极的上表面的阶梯差的均方根为11nm至22nm的绿色像素处的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。如图11所示，可以确认根据视角的色坐标变化量非常小。
图12是示出在显示装置中根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图，该显示装置具有：表现出如图11所示的结果的绿色子像素；红色子像素，像素电极的上表面的阶梯差的均方根为2nm至11nm；蓝色子像素，像素电极的上表面的阶梯差的均方根为14nm至33nm。图12的曲线图是利用在根据本实施例的显示装置被设定为发出白色光的状态下获取的数据的曲线图。图12的横轴表示视角，左侧的纵轴表示发出的白色光的亮度比，右侧的纵轴表示发出的白色光的色坐标变化量(△u’v’)。如图12中能够确认的内容，可以确认，在视角在30度附近的情况下的色坐标变化量显著小于在图10的根据比较例的显示装置中视角在30度附件的情况的色坐标变化量。尤其，可以确认，在视角变得大于50度的情况下，色坐标变化量也维持在非常小的程度。
如上，以附图中所示的实施例为参考说明了本发明，但这仅为示例性的，只要是在本技术领域中具有普通知识的人便可以理解本发明能够由此实现多种变形且能够实现等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应当根据所记载的权利要求书的技术思想而被确定。

Claims (12)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
第一像素电极，布置于所述基板上；
第二像素电极，布置于所述基板上，并且具有比所述第一像素电极的上表面的平坦度更高的平坦度的上表面；
第一颜色发光层，布置于所述第一像素电极上；以及
第二颜色发光层，布置于所述第二像素电极上，并且能够发出比所述第一颜色发光层发出的光的波长更长的波长的光。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一颜色发光层发出的光的波长属于450nm至495nm的波长带。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二颜色发光层发出的光的波长属于495nm至570nm的波长带。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一像素电极的上表面的阶梯差的均方根为14nm至33nm。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二像素电极的上表面的阶梯差的均方根为11nm至22nm。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
第三像素电极，布置于所述基板上，并且具有比所述第二像素电极的上表面的平坦度更高的平坦度的上表面；以及
第三颜色发光层，布置于所述第三像素电极上，并且能够发出比所述第二颜色发光层发出的光的波长更长的波长的光。
7.如权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一颜色发光层发出的光的波长属于450nm至495nm的波长带。
8.如权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二颜色发光层发出的光的波长属于495nm至570nm的波长带。
9.如权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，
所述第三颜色发光层发出的光的波长属于630nm至750nm的波长带。
10.如权利要求6至8中任意一项所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一像素电极的上表面的阶梯差的均方根为14nm至33nm。
11.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二像素电极的上表面的阶梯差的均方根为11nm至22nm。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，
所述第三像素电极的上表面的阶梯差的均方根为2nm至11nm。
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