KR20220167836A - 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 위하여, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1화소전극과, 상기 제1화소전극 상에 배치되며 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 900Å인 제1색 발광층을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치를 제공한다.
Description
본 발명의 실시예들은 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기발광 디스플레이 장치는 디스플레이 소자로서 유기발광소자를 구비한다. 유기발광소자는 화소전극과, 대향전극과, 이들 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 중간층을 포함한다. 그리고 유기발광 디스플레이 장치는 이러한 유기발광소자에 인가되는 전기적 신호를 제어하기 위한 전자소자 및/또는 배선을 포함한다.
그러나 이러한 종래의 유기발광 디스플레이 장치에는 특정 색의 광을 방출하는 화소에서의 휘도와 다른 색의 광을 방출하는 화소에서의 휘도의 비율이 사전설정된 비율과 달라질 수 있다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1화소전극과, 상기 제1화소전극 상에 배치되며 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 900Å인 제1색 발광층을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 450nm 내지 495nm의 파장대역에 속할 수 있다.
상기 제1화소전극으로부터 이격되도록 상기 기판 상에 배치된 제2화소전극과, 상기 제2화소전극 상에 배치되며 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 1500Å인 제2색 발광층을 더 구비할 수 있다.
상기 제2색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 495nm 내지 570nm의 파장대역에 속할 수 있다.
상기 제1화소전극 및 상기 제2화소전극으로부터 이격되도록 상기 기판 상에 배치된 제3화소전극과, 상기 제3화소전극 상에 배치되며 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 1500Å인 제3색 발광층을 더 구비할 수 있다.
상기 제3색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 630nm 내지 750nm의 파장대역에 속할 수 있다.
상기 제1화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 더 구비하고, 상기 제1색 발광층은 상기 제1화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 두께보다 얇은 두께를 갖는 부분을 가질 수 있다.
상기 제1화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 상기 제1색 발광층의 두께보다 얇은 두께를 갖는 상기 제1색 발광층의 부분은, 상기 제1화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 상기 제1색 발광층 부분을 일주(一周)할 수 있다.
상기 제1색 발광층은 상기 화소정의막의 상기 제1화소전극의 중앙 방향의 내측면을 덮을 수 있다.
상기 기판으로부터 상기 제1색 발광층의 가장자리 끝부분까지의 거리는, 상기 기판으로부터 상기 제1화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 상기 제1색 발광층 부분까지의 거리보다 멀 수 있다.
상기 제2화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 더 구비하고, 상기 제2색 발광층의 두께는 상기 제2화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서 가장 얇을 수 있다.
상기 제2색 발광층은 상기 화소정의막의 상기 제2화소전극의 중앙 방향의 내측면을 덮을 수 있다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 상에 제1화소전극을 형성하는 단계와, 잉크젯 프린팅법으로 제1화소전극 상에 제1색 발광층용 물질을 도팅하여 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 900Å인 제1색 발광층을 형성하는 단계를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법이 제공된다.
제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 450nm 내지 495nm의 파장대역에 속할 수 있다.
제1화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 제1색 발광층은 제1화소전극의 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 두께보다 얇은 두께를 갖는 부분을 가질 수 있다.
상기 제1화소전극을 형성하는 단계는 기판 상에 상호 이격된 제1화소전극과 제2화소전극을 형성하는 단계이고, 잉크젯 프린팅법으로 제2화소전극 상에 제2색 발광층용 물질을 도팅하여 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 1500Å인 제2색 발광층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제2색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 495nm 내지 570nm의 파장대역에 속할 수 있다.
제1화소전극과 제2화소전극 각각의 가장자리를 덮는 화소정의막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 제2색 발광층의 두께는 제2화소전극의 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서 가장 얇을 수 있다.
상기 제1화소전극을 형성하는 단계는 기판 상에 상호 이격된 제1화소전극과 제2화소전극과 제3화소전극을 형성하는 단계이고, 잉크젯 프린팅법으로 제2화소전극 상에 제3색 발광층용 물질을 도팅하여 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 1500Å인 제3색 발광층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제3색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 630nm 내지 750nm의 파장대역에 속할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 특정 화소에서의 화소전극 상면의 최상지점과 최하지점의 차이에 따른 휘도비 변화를 보여주는 그래프이다.
도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 다른 특정 화소에서의 화소전극 상면의 최상지점과 최하지점의 차이에 따른 휘도비 변화를 보여주는 그래프이다.
도 4는 도 1의 디스플레이 장치의 또 다른 특정 화소에서의 화소전극 상면의 최상지점과 최하지점의 차이에 따른 휘도비 변화를 보여주는 그래프이다.
도 5는 도 1의 디스플레이 장치의 특정 화소의 일부를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 1의 디스플레이 장치의 다른 특정 화소의 일부를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 1의 디스플레이 장치의 특정 화소의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 1의 디스플레이 장치의 다른 특정 화소의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 특정 화소에서의 화소전극 상면의 최상지점과 최하지점의 차이에 따른 휘도비 변화를 보여주는 그래프이다.
도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 다른 특정 화소에서의 화소전극 상면의 최상지점과 최하지점의 차이에 따른 휘도비 변화를 보여주는 그래프이다.
도 4는 도 1의 디스플레이 장치의 또 다른 특정 화소에서의 화소전극 상면의 최상지점과 최하지점의 차이에 따른 휘도비 변화를 보여주는 그래프이다.
도 5는 도 1의 디스플레이 장치의 특정 화소의 일부를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 1의 디스플레이 장치의 다른 특정 화소의 일부를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 1의 디스플레이 장치의 특정 화소의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 1의 디스플레이 장치의 다른 특정 화소의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 1은 설명의 편의를 위해 유기발광 디스플레이 장치의 세 개의 화소들 각각의 일부를 개략적으로 도시한 것으로서, 박막트랜지스터들의 구성요소들은 도 1에 도시된 것과 달리, 동일한 zx 평면 내에 위치하지 않을 수도 있다. 예컨대, 제2박막트랜지스터(212)의 제2게이트전극(212b), 제2소스전극(212c) 및 제2드레인전극(212d) 모두가 동일한 zx 평면 내에 위치해야만 하는 것은 아니다. 어느 하나의 zx 평면 내에는 제2게이트전극(212b)과 제2소스전극(212c)만이 나타나고 제2드레인전극(212d)이 보이지 않을 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
또한 세 개의 화소들이 동일한 zx 평면 내에 위치하지 않을 수도 있다. 예컨대 어느 한 zx 평면 내에는 제1화소(PX1)와 제2화소(PX2)만 나타나고 제3화소(PX3)는 나타나지 않을 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치는 도 1에 도시된 것과 같이 디스플레이영역 내에 복수개의 화소들이 위치한다. 디스플레이영역 외측에 위치하는 주변영역은 각종 전자소자나 인쇄회로기판 등이 전기적으로 부착되는 영역인 패드영역을 포함한다. 이는 기판(100)이 그러한 디스플레이영역 및 주변영역을 갖는 것으로 이해될 수도 있다.
기판(100)은 글라스, 금속 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 만일 기판(100)이 플렉서블 또는 벤더블 특성을 갖는다면, 기판(100)은 예컨대 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 물론 기판(100)은 각각 이와 같은 고분자 수지를 포함하는 두 개의 층들과 그 층들 사이에 개재된 (실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등의) 무기물을 포함하는 배리어층을 포함하는 다층구조를 가질 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
기판(100) 상에는 유기발광소자들이 배치된다. 물론 기판(100) 상에는 유기발광소자들 외에도, 이들이 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터들(211, 212, 213)도 위치할 수 있다. 유기발광소자들이 박막트랜지스터들(211, 212, 213)에 전기적으로 연결된다는 것은, 유기발광소자들의 화소전극들(311, 312, 313)이 박막트랜지스터들(211, 212, 213)에 전기적으로 연결되는 것으로 이해될 수 있다.
참고로 도 1에서는 제1박막트랜지스터(211)가 제1화소(PX1)에 위치하고, 제2박막트랜지스터(212)가 제2화소(PX2)에 위치하며, 제3박막트랜지스터(213)가 제3화소(PX3)에 위치하는 것으로 도시하고 있다. 이에 따라 제1화소(PX1)에 위치하는 제1화소전극(311)이 제1박막트랜지스터(211)에 전기적으로 연결되고, 제2화소(PX2)에 위치하는 제2화소전극(312)이 제2박막트랜지스터(212)에 전기적으로 연결되며, 제3화소(PX3)에 위치하는 제3화소전극(313)이 제3박막트랜지스터(213)에 전기적으로 연결되는 것으로 도시하고 있다.
이하에서는 편의상 제1박막트랜지스터(211)에 대해 설명하며, 이는 제2박막트랜지스터(212)와 제3박막트랜지스터(213)에도 적용될 수 있다. 즉, 제2박막트랜지스터(212)와 제3박막트랜지스터(213)의 구성요소들에 대한 설명은 생략한다.
제1박막트랜지스터(211)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 제1반도체층(211a), 제1게이트전극(211b), 제1소스전극(211c) 및 제1드레인전극(211d)을 포함할 수 있다. 제1게이트전극(211b)은 다양한 도전성 물질을 포함하며 다양한 층상구조를 가질 수 있는데, 예컨대 Mo층과 Al층을 포함할 수 있다. 제1소스전극(211c)과 제1드레인전극(211d) 역시 다양한 도전성 물질을 포함하며 다양한 층상구조를 가질 수 있는데, 예컨대 Ti층/Al층/Ti층의 3층구조를 가질 수 있다.
한편, 제1반도체층(211a)과 제1게이트전극(211b)과의 절연성을 확보하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 게이트절연막(121)이 제1반도체층(211a)과 제1게이트전극(211b) 사이에 개재될 수 있다. 아울러 제1게이트전극(211b)의 상부에는 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘옥사이드, 티타늄옥사이드 또는 알루미늄옥사이드 등의 무기물을 포함하는 층간절연막(131)이 배치될 수 있으며, 제1소스전극(211c) 및 제1드레인전극(211d)은 그러한 층간절연막(131) 상에 배치될 수 있다. 이와 같이 무기물을 포함하는 절연막은 CVD(chemical vapor deposition) 또는 ALD(atomic layer deposition)를 통해 형성될 수 있다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
이러한 구조의 제1박막트랜지스터(211)와 기판(100) 사이에는 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층 및 알루미늄옥사이드층 중 하나 이상을 포함하는 버퍼층(110)이 개재될 수 있다. 이러한 버퍼층(110)은 기판(100)의 상면의 평활성을 높이거나 기판(100) 등으로부터의 불순물이 제1박막트랜지스터(211)의 제1반도체층(211a)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다.
그리고 제1박막트랜지스터(211) 상에는 제1평탄화층(141)이 배치될 수 있다. 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 제1박막트랜지스터(211) 상부에 유기발광소자가 배치될 경우, 제1평탄화층(141)은 제1박막트랜지스터(211)를 덮는 보호막 상부를 대체로 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이러한 제1평탄화층(141)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin), BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
물론 필요에 따라 도 1에 도시된 것과 같이, 제1평탄화층(141) 상에 제2평탄화층(142)이 위치할 수도 있다. 이 경우 제1평탄화층(141)과 제2평탄화층(142) 사이에는 박막트랜지스터의 전극과 같은 구성요소 또는 배선 등이 위치할 수도 있다. 제2평탄화층(142)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin), BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
제2박막트랜지스터(212)의 제2반도체층(212a), 제2게이트전극(212b), 제2소스전극(212c) 및 제2드레인전극(212d)에 대한 설명, 그리고 제3박막트랜지스터(213)의 제3반도체층(213a), 제3게이트전극(213b), 제3소스전극(213c) 및 제3드레인전극(213d)에 대한 설명은, 상술한 제1박막트랜지스터(211)의 제1반도체층(211a), 제1게이트전극(211b), 제1소스전극(211c) 및 제1드레인전극(211d)에 대한 설명으로 대체한다.
기판(100)의 디스플레이영역 내에 있어서, 제2평탄화층(142) 상에는 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)이 위치한다. 제2평탄화층(142) 상에 위치하는 제1화소전극(311)은 도 1에 도시된 것과 같이 제2평탄화층(142) 등에 형성된 컨택홀(311c)을 통해 제1소스전극(211c) 및 제1드레인전극(211d) 중 어느 하나와 컨택하여 제1박막트랜지스터(211)와 전기적으로 연결된다. 제2평탄화층(142) 상에 위치하는 제2화소전극(312)도 마찬가지로 제2평탄화층(142) 등에 형성된 컨택홀(312c)을 통해 제2소스전극(212c) 및 제2드레인전극(212d) 중 어느 하나와 컨택하여 제2박막트랜지스터(212)와 전기적으로 연결된다. 제2평탄화층(142) 상에 위치하는 제3화소전극(313)도 마찬가지로 제2평탄화층(142) 등에 형성된 컨택홀을 통해 제3소스전극(213c) 및 제3드레인전극(213d) 중 어느 하나와 컨택하여 제3박막트랜지스터(213)와 전기적으로 연결된다.
대향전극(303)을 통해 광을 외부로 방출하는 상부발광(top emission) 디스플레이 장치인 경우, 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)은 알루미늄과 티타늄의 적층구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층구조(ITO/Al/ITO), 은과 ITO의 적층구조(ITO/Ag/ITO), APC 합금, APC 합금과 ITO의 적층구조(ITO/APC/ITO)와 같은, 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd) 및/또는 구리(Cu)의 합금이다.
제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)을 통해 광을 외부로 방출하는 하부 발광(bottom) 디스플레이 장치의 경우, 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)을 포함하거나, 마그네슘(Mg), 은(Ag) 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)을 포함할 수 있다.
제2평탄화층(142) 상부에는 화소정의막(150)이 배치될 수 있다. 이 화소정의막(150)은 각 부화소들에 대응하는 개구를 가짐으로써, 화소를 정의하는 역할을 한다. 즉, 화소정의막(150)은 제1화소전극(311)의 가장자리와 제2화소전극(312)의 가장자리와 제3화소전극(313)의 가장자리를 덮어, 제1화소전극(311)의 중앙 상면과 제2화소전극(312)의 중앙 상면과 제3화소전극(313)의 중앙 상면을 노출시킬 수 있다.
화소정의막(150)은 제1화소전극(311) 등의 가장자리와 제1화소전극(311) 등의 상부의 대향전극(303)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써, 제1화소전극(311) 등의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 화소정의막(150)은 예컨대 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
제1화소전극(311) 상에는 제1색 발광층을 포함하는 제1색 중간층(311a)이 위치하고, 제2화소전극(312) 상에는 제2색 발광층을 포함하는 제2색 중간층(312a)이 위치하며, 제3화소전극(313) 상에는 제3색 발광층을 포함하는 제3색 중간층(313a)이 위치한다. 제1색 중간층(311a)은 제1파장대역에 속하는 파장의 광을 생성하고, 제2색 중간층(312a)은 제2파장대역에 속하는 파장의 광을 생성하며, 제3색 중간층(313a)은 제3파장대역에 속하는 파장의 광을 생성할 수 있다. 제1파장대역은 450nm 내지 495nm의 파장대역일 수 있고, 제2파장대역은 495nm 내지 570nm의 파장대역일 수 있으며, 제3파장대역은 630nm 내지 750nm의 파장대역일 수 있다. 이러한 제1색 중간층(311a), 제2색 중간층(312a) 및 제3색 중간층(313a)은 잉크젯 프린팅법으로 형성될 수 있다.
물론 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313) 상에는 제1색 발광층, 제2색 발광층 및 제3색 발광층만 위치하는 것은 아니다. 예컨대 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)과 제1색 발광층, 제2색 발광층 및 제3색 발광층 사이에는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)이나 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)이 개재될 수 있고, 제1색 발광층, 제2색 발광층 및 제3색 발광층과 대향전극(303) 사이에는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer)이나 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 위치할 수 있다.
전자 수송층 및/또는 전자 주입층은 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313) 상에서 일체(一體)인 층일 수도 있고, 필요에 따라서는 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313) 각각에 대응하도록 패터닝된 층일 수도 있다. 제1색 발광층, 제2색 발광층 및 제3색 발광층을 잉크젯 프린팅법으로 형성하기에, 제1색 발광층, 제2색 발광층 및 제3색 발광층을 형성하기에 앞서 형성되는 홀 주입층과 홀 수송층 역시 잉크젯 프린팅법으로 형성될 수 있다. 전자 수송층 및/또는 전자 주입층은, 증착법, 스크린 인쇄법, 레이저열전사법 또는 잉크젯 프린팅법 등으로 형성될 수 있다.
제1색 중간층(311a), 제2색 중간층(312a) 및 제3색 중간층(313a) 상부에는 대향전극(303)이 위치한다. 이러한 대향전극(303)은 디스플레이영역을 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(303)은 복수개의 유기발광소자들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 제1화소전극(311), 제2화소전극(312) 및 제3화소전극(313)에 대응할 수 있다.
대향전극(303)은 디스플레이영역을 덮되, 디스플레이영역 외측의 주변영역에까지 연장된다. 이에 따라, 대향전극(303)은 주변영역에 위치한 전극전원공급라인에 전기적으로 연결된다. 상부 발광형 디스플레이 장치의 경우, 대향전극(303)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag) 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)을 포함할 수 있다. 하부 발광형 디스플레이 장치의 경우, 대향전극(303)은 알루미늄과 티타늄의 적층구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층구조(ITO/Al/ITO), APC 합금 구조, 또는 APC 합금과 ITO의 적층구조(ITO/APC/ITO)를 가져, 반사율이 높은 금속물질을 포함할 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd) 및 구리(Cu)의 합금이다.
유기발광소자는 외부로부터의 수분이나 산소 등에 의해 쉽게 손상될 수 있기에, 봉지층(미도시)이 이러한 유기발광소자를 덮어 이들을 보호하도록 할 수 있다. 봉지층은 디스플레이영역을 덮으며 주변영역의 적어도 일부에까지 연장될 수 있다. 이러한 봉지층은 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.
제1무기봉지층과 제2무기봉지층은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘옥사이드, 티타늄옥사이드 또는 알루미늄옥사이드를 포함할 수 있다. 유기봉지층은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등을 포함할 수 있다.
전술한 것과 같이 제1색 발광층, 제2색 발광층 및 제3색 발광층 등은 잉크젯 프린팅법으로 형성한다. 즉, 화소정의막(150)에 의해 노출된 제1화소전극(311)의 상면 상에 잉크젯 프린팅 헤드를 위치시켜 잉크젯 프린팅법으로 제1색 발광층 형성용 물질을 도팅하고, 화소정의막(150)에 의해 노출된 제2화소전극(312)의 상면 상에 잉크젯 프린팅 헤드를 위치시켜 잉크젯 프린팅법으로 제2색 발광층 형성용 물질을 도팅하며, 화소정의막(150)에 의해 노출된 제3화소전극(313)의 상면 상에 잉크젯 프린팅 헤드를 위치시켜 잉크젯 프린팅법으로 제3색 발광층 형성용 물질을 도팅하여, 제1색 발광층, 제2색 발광층 및 제3색 발광층을 형성한다. 물론 제1색 발광층 형성용 물질을 제1화소전극(311) 상에 도팅한 후 이를 건조 및/또는 경화시키는 과정 등을 거쳐 제1색 발광층을 형성하게 되고, 제2색 발광층 형성용 물질을 제2화소전극(312) 상에 도팅한 후 이를 건조 및/또는 경화시키는 과정 등을 거쳐 제2색 발광층을 형성하게 되며, 제3색 발광층 형성용 물질을 제3화소전극(313) 상에 도팅한 후 이를 건조 및/또는 경화시키는 과정 등을 거쳐 제3색 발광층을 형성하게 된다.
도 1에서는 제1화소전극(311)의 (+z 방향) 상면이 평탄한 것으로 도시하고 있지만, 실제로는 제1화소전극(311)의 상면은 평탄하지 않다. 제1화소전극(311)을 형성하는 과정에서 제1화소전극(311)이 균일한 두께로 형성되지 않아서 제1화소전극(311)의 상면이 평탄하지 않을 수도 있고, 제1화소전극(311)이 균일한 두께로 형성된다 하더라도 제1화소전극(311) 하부에 각종 배선들이 위치함에 따라 제1화소전극(311)이 굴곡을 가져 그 상면이 평탄하지 않을 수도 있다. 그리고 이러한 제1화소전극(311) 상에 위치하는 제1색 발광층 역시 제1색 발광층의 상면이 평탄하지 않을 수 있다. 이에 따라 제1색 발광층의 상면에는 복수개의 피크(peak) 지점들과 복수개의 밸리(valley) 지점들이 있을 수 있다.
기판(100)의 (+z 방향) 상면에서 제1색 발광층의 상면의 복수개의 피크 지점들의 정점들까지의 거리들 중 가장 먼 거리를 최대거리라 하고, 기판(100)의 (+z 방향) 상면에서 제1색 발광층의 상면의 복수개의 밸리 지점들의 저점들까지의 거리들 중 가장 짧은 거리를 최소거리라 하면, 최대거리와 최소거리의 차이를 그 제1색 발광층에서의 최대-최소 차이로 정의할 수 있다. 도 2는 복수개의 제1화소(PX1)들에서 측정한 휘도 데이터를 이용한 그래프로서, 최대-최소 차이 변화에 따른 휘도비(상대휘도) 변화를 보여주는 그래프이다. 가로축의 단위는 Å이다.
도 2에서 확인할 수 있는 것과 같이, 최대-최소 차이가 변함에 따라 해당 화소에서 방출되는 청색광의 휘도가 달라지는 것을 확인할 수 있다. 따라서 유기발광 디스플레이 장치의 복수개의 제1색 발광층들에 있어서 최대-최소 차이들이 일정하지 않다면, 복수개의 제1화소전극(311)들에 동일한 전기적 신호가 인가된다 하더라도 복수개의 제1화소(PX1)들에서 방출되는 청색광의 휘도가 상이하게 될 수 있다. 이는 결국 유기발광 디스플레이 장치가 구현하는 이미지의 품질 저하를 초래할 수밖에 없다.
본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 경우, 제1색 발광층의 상면의 복수개의 피크 지점들 중 상술한 최대거리를 나타내는 피크 지점의 정점인 최상지점과, 제1색 발광층의 상면의 복수개의 밸리 지점들 중 상술한 최소거리를 나타내는 밸리 지점의 저점인 최하지점의 차이가, 즉 최대-최소 차이가, 400Å 내지 900Å이 되도록 한다. 도 2에서 확인할 수 있는 것과 같이, 최대-최소 차이가 400Å 내지 900Å이 되도록 할 경우, 휘도의 최대값을 기준으로 한 상대휘도가 0.9 이상으로 유지되는 것을 확인할 수 있다. 따라서 이를 통해 복수개의 제1화소전극(311)들에 동일한 전기적 신호가 인가될 시, 복수개의 제1화소(PX1)들에서 방출되는 청색광의 휘도가 대략 일정하도록 하여, 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.
마찬가지로, 도 1에서는 제2화소전극(312)의 (+z 방향) 상면이 평탄한 것으로 도시하고 있지만, 실제로는 제2화소전극(312)의 상면은 평탄하지 않다. 제2화소전극(312)을 형성하는 과정에서 제2화소전극(312)이 균일한 두께로 형성되지 않아서 제2화소전극(312)의 상면이 평탄하지 않을 수도 있고, 제2화소전극(312)이 균일한 두께로 형성된다 하더라도 제2화소전극(312) 하부에 각종 배선들이 위치함에 따라 제2화소전극(312)이 굴곡을 가져 그 상면이 평탄하지 않을 수도 있다. 그리고 이러한 제2화소전극(312) 상에 위치하는 제2색 발광층 역시 제2색 발광층의 상면이 평탄하지 않을 수 있다. 이에 따라 제2화소전극(312) 상에 위치하는 제2색 발광층의 상면에는 복수개의 피크 지점들과 복수개의 밸리 지점들이 있을 수 있다.
기판(100)의 (+z 방향) 상면에서 제2색 발광층의 상면의 복수개의 피크 지점들의 정점들까지의 거리들 중 가장 먼 거리를 최대거리라 하고, 기판(100)의 (+z 방향) 상면에서 제2색 발광층의 상면의 복수개의 밸리 지점들의 저점들까지의 거리들 중 가장 짧은 거리를 최소거리라 하면, 최대거리와 최소거리의 차이를 그 제2색 발광층에서의 최대-최소 차이로 정의할 수 있다. 도 3는 복수개의 제2화소(PX2)들에서 측정한 휘도 데이터를 이용한 그래프로서, 최대-최소 차이 변화에 따른 휘도비(상대휘도) 변화를 보여주는 그래프이다. 가로축의 단위는 Å이다.
도 3에서 확인할 수 있는 것과 같이, 최대-최소 차이가 변함에 따라 해당 화소에서 방출되는 녹색광의 휘도가 달라지는 것을 확인할 수 있다. 따라서 유기발광 디스플레이 장치의 복수개의 제2색 발광층들에 있어서 최대-최소 차이들이 일정하지 않다면, 복수개의 제2화소전극(312)들에 동일한 전기적 신호가 인가된다 하더라도 복수개의 제2화소(PX2)들에서 방출되는 녹색광의 휘도가 상이하게 될 수 있다. 이는 결국 유기발광 디스플레이 장치가 구현하는 이미지의 품질 저하를 초래할 수밖에 없다.
본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 경우, 제2색 발광층의 상면의 복수개의 피크 지점들 중 상술한 최대거리를 나타내는 피크 지점의 정점인 최상지점과, 제2색 발광층의 상면의 복수개의 밸리 지점들 중 상술한 최소거리를 나타내는 밸리 지점의 저점인 최하지점의 차이가, 즉 최대-최소 차이가, 400Å 내지 1500Å이 되도록 한다. 도 3에서 확인할 수 있는 것과 같이, 최대-최소 차이가 400Å 내지 1500Å이 되도록 할 경우, 휘도의 최대값을 기준으로 한 상대휘도가 0.9 이상으로 유지되는 것을 확인할 수 있다. 따라서 이를 통해 복수개의 제2화소전극(312)들에 동일한 전기적 신호가 인가될 시, 복수개의 제2화소(PX2)들에서 방출되는 녹색광의 휘도가 대략 일정하도록 하여, 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.
마찬가지로, 도 1에서는 제3화소전극(313)의 (+z 방향) 상면이 평탄한 것으로 도시하고 있지만, 실제로는 제3화소전극(313)의 상면은 평탄하지 않다. 제3화소전극(313)을 형성하는 과정에서 제3화소전극(313)이 균일한 두께로 형성되지 않아서 제3화소전극(313)의 상면이 평탄하지 않을 수도 있고, 제3화소전극(313)이 균일한 두께로 형성된다 하더라도 제3화소전극(313) 하부에 각종 배선들이 위치함에 따라 제3화소전극(313)이 굴곡을 가져 그 상면이 평탄하지 않을 수도 있다. 그리고 이러한 제3화소전극(313) 상에 위치하는 제3색 발광층 역시 제3색 발광층의 상면이 평탄하지 않을 수 있다. 이에 따라 제3색 발광층의 상면에는 복수개의 피크 지점들과 복수개의 밸리 지점들이 있을 수 있다.
기판(100)의 (+z 방향) 상면에서 제3색 발광층의 상면의 복수개의 피크 지점들의 정점들까지의 거리들 중 가장 먼 거리를 최대거리라 하고, 기판(100)의 (+z 방향) 상면에서 제3색 발광층의 상면의 복수개의 밸리 지점들의 저점들까지의 거리들 중 가장 짧은 거리를 최소거리라 하면, 최대거리와 최소거리의 차이를 그 제3색 발광층에서의 최대-최소 차이로 정의할 수 있다. 도 4는 복수개의 제3화소(PX3)들에서 측정한 휘도 데이터를 이용한 그래프로서, 최대-최소 차이 변화에 따른 휘도비(상대휘도) 변화를 보여주는 그래프이다. 가로축의 단위는 Å이다.
도 4에서 확인할 수 있는 것과 같이, 최대-최소 차이가 변함에 따라 해당 화소에서 방출되는 적색광의 휘도가 달라지는 것을 확인할 수 있다. 따라서 유기발광 디스플레이 장치의 복수개의 제3색 발광층들에 있어서 최대-최소 차이들이 일정하지 않다면, 복수개의 제3화소전극(313)들에 동일한 전기적 신호가 인가된다 하더라도 복수개의 제3화소(PX3)들에서 방출되는 적색광의 휘도가 상이하게 될 수 있다. 이는 결국 유기발광 디스플레이 장치가 구현하는 이미지의 품질 저하를 초래할 수밖에 없다.
본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 경우, 제3색 발광층의 상면의 복수개의 피크 지점들 중 상술한 최대거리를 나타내는 피크 지점의 정점인 최상지점과, 제3색 발광층의 상면의 복수개의 밸리 지점들 중 상술한 최소거리를 나타내는 밸리 지점의 저점인 최하지점의 차이가, 즉 최대-최소 차이가, 400Å 내지 1500Å이 되도록 한다. 도 4에서 확인할 수 있는 것과 같이, 최대-최소 차이가 400Å 내지 1500Å이 되도록 할 경우, 휘도의 최대값을 기준으로 한 상대휘도가 0.9 이상으로 유지되는 것을 확인할 수 있다. 따라서 이를 통해 복수개의 제3화소전극(313)들에 동일한 전기적 신호가 인가될 시, 복수개의 제3화소(PX3)들에서 방출되는 적색광의 휘도가 대략 일정하도록 하여, 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 유기발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.
도 5는 도 1의 디스플레이 장치의 제1화소(PX1)의 일부를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 5에서는 제1화소전극(311) 상에 정공주입층(311a1), 정공수송층(311a2) 및 제1색 발광층(311a3)이 위치하는 것을 보여주고 있다.
전술한 것과 같이 제1색 발광층 등은 잉크젯 프린팅법으로 형성한다. 예컨대, 화소정의막(150)에 의해 노출된 제1화소전극(311)의 상면 상에 잉크젯 프린팅법으로 물질을 도팅하고 이를 건조 및/또는 경화시켜, 제1색 발광층 등을 형성한다. 화소정의막(150)에 의해 노출된 제1화소전극(311)의 상면 상에 잉크젯 프린팅법으로 도팅된 물질은 최초에는 유동성을 갖는 상태이지만, 시간이 경과함에 따라 건조 및/또는 경화되는 과정을 거치게 된다. 이에 따라 제1화소전극(311) 상에 잉크젯 프린팅법으로 형성되는 층들은 도 5에 도시된 것과 같은 형상을 가질 수 있다. 건조 과정에서 아직 유동성을 갖는 물질이 중앙부쪽으로 모이기 때문이다. 참고로 정공주입층(311a1)이 건조 및/또는 경화된 후에 정공수송층(311a2)을 형성하고, 정공수송층(311a2)이 건조 및/또는 경화된 후에 제1색 발광층(311a3)을 형성하게 된다.
도 6은 도 1의 디스플레이 장치의 제2화소(PX2)의 일부를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 6에서는 제2화소전극(312) 상에 정공주입층(312a1), 정공수송층(312a2) 및 제2색 발광층(312a3)이 위치하는 것을 보여주고 있다.
전술한 것과 같이 제2색 발광층 등은 잉크젯 프린팅법으로 형성한다. 예컨대, 화소정의막(150)에 의해 노출된 제2화소전극(312)의 상면 상에 잉크젯 프린팅법으로 물질을 도팅하고 이를 건조 및/또는 경화시켜, 제2색 발광층 등을 형성한다. 화소정의막(150)에 의해 노출된 제2화소전극(312)의 상면 상에 잉크젯 프린팅법으로 도팅된 물질은 최초에는 유동성을 갖는 상태이지만, 시간이 경과함에 따라 건조 및/또는 경화되는 과정을 거치게 된다. 이에 따라 제2화소전극(312) 상에 잉크젯 프린팅법으로 형성되는 층들은 도 6에 도시된 것과 같은 형상을 가질 수 있다. 참고로 정공주입층(312a1)이 건조 및/또는 경화된 후에 정공수송층(312a2)을 형성하고, 정공수송층(312a2)이 건조 및/또는 경화된 후에 제2색 발광층(312a3)을 형성하게 된다.
제2화소(PX2)에서의 정공주입층(312a1), 정공수송층(312a2) 및 제2색 발광층(312a3)의 형상이 제1화소(PX1)에서의 정공주입층(311a1), 정공수송층(311a2) 및 제1색 발광층(311a3)의 형상과 상이한 것은, 그 두께가 상이하기 때문이다.
두께가 얇을 경우 도 5를 참조하여 전술한 것과 같이 건조 과정에서 아직 유동성을 갖는 물질이 중앙부쪽으로 모이기 때문에, 도 5에 도시된 것과 같이 각 층의 중앙부가 볼록한 형상을 갖게 된다. 즉, 제1색 발광층(311a3)은 제1화소전극(311)의 화소정의막(150)에 의해 노출된 부분의 중앙 부분(P1)에서의 두께보다 얇은 두께를 갖는 부분(P2)을 갖는다. 하지만 제2화소(PX2)에서와 같이 두께가 충분히 두꺼울 경우에는 건조 과정에서 물질이 중앙부쪽으로 모이지 않고, 전체적으로 균일하게 건조된다. 이때 도 6에 도시된 것과 같이 표면장력 등에 의해 각 층의 가장자리가 화소정의막(150)의 제2화소전극(312) 중앙 방향의 내측면을 대략적으로 덮은 상태에서 건조되기에, 제2색 발광층(312a3)의 두께는 제2화소전극(312)의 화소정의막(150)에 의해 노출된 부분의 중앙에 대응하는 부분에서 가장 얇게 된다. 그 결과, 제2색 발광층(312a3)은 도 6에 도시된 것과 같이 단면도 상에서 "U" 형상을 갖는 것으로 나타날 수 있다.
도 7은 도 1의 디스플레이 장치의 제1화소(PX1)의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 전술한 것과 같이, 제1색 발광층(311a3)은 제1화소전극(311)의 화소정의막(150)에 의해 노출된 부분의 중앙 부분(P1)에서의 두께보다 얇은 두께를 갖는 부분(P2)을 갖는다. 이에 따라, 제1화소전극(311)의 화소정의막(150)에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 제1색 발광층(311a3)의 두께보다 얇은 두께를 갖는 제1색 발광층(311a3)의 부분(P2)은, 제1화소전극(311)의 화소정의막(150)에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 제1색 발광층(311a3)의 부분(P1)을 일주(一周)할 수 있다. 물론 이 경우에도, 도 5에 도시된 것과 같이 표면장력 등에 의해 각 층의 가장자리가 화소정의막(150)의 제1화소전극(311) 중앙 방향의 내측면을 전체적으로 덮을 수 있다. 이에 따라 기판(100)으로부터 제1색 발광층(311a3)의 가장자리 끝부분까지의 거리는, 기판(100)으로부터 제1화소전극(311)의 화소정의막(150)에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 제1색 발광층(311a3)의 부분(P1)까지의 거리보다 멀게 된다. 그 결과, 제1색 발광층(311a3)은 도 5에 도시된 것과 같이 단면도 상에서 "W" 형상을 갖는 것으로 나타날 수 있다.
참고로 제1색 발광층(311a3)은 화소정의막(150)의 내측면을 덮기에, 도 7에서, 제1색 발광층(311a3)이 차지하는 부분이 제1화소전극(311)의 화소정의막(150)에 의해 덮이지 않은 부분보다 넓은 것으로 도시되어 있다.
도 8은 도 1의 디스플레이 장치의 제2화소(PX2)의 일부를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 제2색 발광층(312a3)의 경우에는 제2화소전극(312)의 화소정의막(150)에 의해 덮이지 않은 부분의 중앙에 대응하는 부분(P3)이 가장 얇기에, 제1색 발광층(311a3)과 그 형상이 상이하게 된다.
제1색 발광층(311a3)은 그 두께가 얇아 단면도 상에서 "W" 형상을 갖는 것으로 나타나며, 이에 따라 제1화소전극(311)의 상면에서의 전술한 최대-최소 차이에 의해 많은 영향을 받는다. 제2색 발광층(312a3)은 그 두께가 두꺼워 단면도 상에서 "U" 형상을 갖는 것으로 나타나며, 이에 따라 제2화소전극(312)의 상면에서의 전술한 최대-최소 차이에, 제1색 발광층(311a3)과 비교할 시 상대적으로 적은 영향을 받는다. 그 결과, 제1화소전극(311)에서의 최대-최소 차이가 400Å 내지 900Å이 되도록 하고, 제2화소전극(312)에서의 최대-최소 차이는 이보다 더 넓은 범위인 400Å 내지 1500Å이 되도록 하는 것으로 이해할 수 있다.
녹색광을 방출하는 제2화소(PX2), 제2화소전극(312) 및 제2색 발광층(312a3)에 대한 설명은, 적색광을 방출하는 제3화소(PX3), 제3화소전극(313) 및 제3색 발광층에 그대로 적용될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
PX1: 제1화소
PX2: 제2화소
PX3: 제3화소 100: 기판
110: 버퍼층 121: 게이트절연막
131: 층간절연막 141: 제1평탄화층
142: 제2평탄화층 150: 화소정의막
211: 제1박막트랜지스터 212: 제2박막트랜지스터
213: 제3박막트랜지스터 303: 대향전극
311: 제1화소전극 311a: 제1색 중간층
311a1: 정공주입층 311a2: 정공수송층
311a3: 제1색 발광층 312: 제2화소전극
312a: 제2색 중간층 312a1: 정공주입층
312a2: 정공수송층 312a3: 제2색 발광층
313: 제3화소전극 313a: 제3색 중간층
PX3: 제3화소 100: 기판
110: 버퍼층 121: 게이트절연막
131: 층간절연막 141: 제1평탄화층
142: 제2평탄화층 150: 화소정의막
211: 제1박막트랜지스터 212: 제2박막트랜지스터
213: 제3박막트랜지스터 303: 대향전극
311: 제1화소전극 311a: 제1색 중간층
311a1: 정공주입층 311a2: 정공수송층
311a3: 제1색 발광층 312: 제2화소전극
312a: 제2색 중간층 312a1: 정공주입층
312a2: 정공수송층 312a3: 제2색 발광층
313: 제3화소전극 313a: 제3색 중간층
Claims (20)
- 기판;
상기 기판 상에 배치된 제1화소전극; 및
상기 제1화소전극 상에 배치되며, 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 900Å인, 제1색 발광층;
을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 450nm 내지 495nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1화소전극으로부터 이격되도록 상기 기판 상에 배치된, 제2화소전극; 및
상기 제2화소전극 상에 배치되며, 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 1500Å인, 제2색 발광층;
을 더 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제2색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 495nm 내지 570nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제1화소전극 및 상기 제2화소전극으로부터 이격되도록 상기 기판 상에 배치된, 제3화소전극; 및
상기 제3화소전극 상에 배치되며, 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 1500Å인, 제3색 발광층;
을 더 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제5항에 있어서,
상기 제3색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 630nm 내지 750nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 더 구비하고, 상기 제1색 발광층은 상기 제1화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 두께보다 얇은 두께를 갖는 부분을 갖는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제1화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 상기 제1색 발광층의 두께보다 얇은 두께를 갖는 상기 제1색 발광층의 부분은, 상기 제1화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 상기 제1색 발광층 부분을 일주(一周)하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제1색 발광층은 상기 화소정의막의 상기 제1화소전극의 중앙 방향의 내측면을 덮는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제9항에 있어서,
상기 기판으로부터 상기 제1색 발광층의 가장자리 끝부분까지의 거리는, 상기 기판으로부터 상기 제1화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 상기 제1색 발광층 부분까지의 거리보다 먼, 유기발광 디스플레이 장치. - 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 더 구비하고, 상기 제2색 발광층의 두께는 상기 제2화소전극의 상기 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서 가장 얇은, 유기발광 디스플레이 장치. - 제11항에 있어서,
상기 제2색 발광층은 상기 화소정의막의 상기 제2화소전극의 중앙 방향의 내측면을 덮는, 유기발광 디스플레이 장치. - 기판 상에 제1화소전극을 형성하는 단계; 및
잉크젯 프린팅법으로 제1화소전극 상에 제1색 발광층용 물질을 도팅하여, 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 900Å인 제1색 발광층을 형성하는 단계;
를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법. - 제13항에 있어서,
제1색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 450nm 내지 495nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법. - 제13항 또는 제14항에 있어서,
제1화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
제1색 발광층은 제1화소전극의 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서의 두께보다 얇은 두께를 갖는 부분을 갖는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 제1화소전극을 형성하는 단계는, 기판 상에 상호 이격된 제1화소전극과 제2화소전극을 형성하는 단계이고,
잉크젯 프린팅법으로 제2화소전극 상에 제2색 발광층용 물질을 도팅하여, 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 1500Å인 제2색 발광층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법. - 제16항에 있어서,
제2색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 495nm 내지 570nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법. - 제16항 또는 제17항에 있어서,
제1화소전극과 제2화소전극 각각의 가장자리를 덮는 화소정의막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
제2색 발광층의 두께는 제2화소전극의 화소정의막에 의해 노출된 부분의 중앙에서 가장 얇은, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법. - 제16항에 있어서,
상기 제1화소전극을 형성하는 단계는, 기판 상에 상호 이격된 제1화소전극, 제2화소전극 및 제3화소전극을 형성하는 단계이고,
잉크젯 프린팅법으로 제2화소전극 상에 제3색 발광층용 물질을 도팅하여, 상면의 최상지점과 최하지점의 차이가 400Å 내지 1500Å인 제3색 발광층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법. - 제19항에 있어서,
제3색 발광층에서 방출되는 광의 파장은 630nm 내지 750nm의 파장대역에 속하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법.
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination |