CN111490077A - 显示设备和用于制造显示设备的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种显示设备和用于制造显示设备的方法。该显示设备包括：包括晶体管的电路元件层；显示元件层，包括连接到晶体管的第一电极、面对第一电极的第二电极、在第一电极与第二电极之间的有机图案、具有暴露第一电极的开口的像素限定层、与开口间隔开以覆盖像素限定层的一部分并连接到第二电极的辅助电极、覆盖第二电极的第一保护图案、以及覆盖第一保护图案的第二保护图案；以及覆盖显示元件层的封装层，其中第一保护图案和第二保护图案在彼此不同的方向上具有应力。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年1月28日提交的韩国专利申请第10-2019-0010691号的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本文中的本公开的一些示例实施例的方面涉及一种显示设备和用于制造显示设备的方法。
背景技术
随着技术的发展，便携式薄平板显示设备已经成为显示设备的流行类型。在平板显示设备中，发光显示设备作为自发光显示设备具有相对宽的视角、相对好的对比度和相对快的响应速度，并且因此作为下一代显示设备已经引起关注。此外，与无机发光显示设备相比，其中有机发光层由有机材料制成的有机发光显示设备具有相对好的亮度、驱动电压和响应速度特性，并且也可以是多色的。
这种有机发光显示设备包括发射红色、绿色和蓝色可见光以实现自然色屏幕的像素。发射红色可见光的有机发光层形成在红色像素中，发射绿色可见光的有机发光层形成在绿色像素中，并且发射蓝色可见光的有机发光层被提供在蓝色像素中。
这里，如果有机发光层不被形成为仅与期望像素对应，而是还形成在另一子像素中，则发射不同颜色的有机发光层可以被混合，这可以降低有机发光显示设备的图像质量。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于加强对背景技术的理解，并且因此，其可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本文中的本公开的一些示例实施例的方面涉及一种显示设备和用于制造显示设备的方法，并且例如涉及一种具有改进的工艺可靠性的显示设备和用于制造显示设备的方法。
本公开的一些示例实施例的方面包括一种显示设备，该显示设备包括位于有机发光元件上的保护层，以提供具有相对改善的耐久性的有机发光元件。因此，对应的显示设备也可以具有相对改善的可靠性。
根据本发明构思的一些示例实施例，显示设备包括：包括晶体管的电路元件层；显示元件层，包括连接到晶体管的第一电极、面对第一电极的第二电极、在第一电极与第二电极之间的有机图案、其中限定有暴露第一电极的开口的像素限定层、与开口间隔开以覆盖像素限定层的一部分并连接到第二电极的辅助电极、覆盖第二电极的第一保护图案、以及覆盖第一保护图案的第二保护图案；以及覆盖显示元件层的封装层，其中第一保护图案和第二保护图案在彼此不同的方向上具有应力。
根据一些示例实施例，第一保护图案可以包括透明导电材料。
根据一些示例实施例，第二保护图案可以包括无机材料。
根据一些示例实施例，第一保护图案可以具有张应力，并且第一保护图案的张应力的范围可以从0Mpa至200Mpa。
根据一些示例实施例，第二保护图案可以具有压应力，并且第二保护图案的压应力的范围可以从-200Mpa至0Mpa。
根据一些示例实施例，第一保护图案可以具有比第二电极的厚度大并且比第二保护图案的厚度小的厚度。
根据一些示例实施例，第一保护图案可以具有
至
的厚度，并且第二保护图案可以具有
至
的厚度。
根据一些示例实施例，封装层可以包括第一封装无机层、第二封装无机层以及在第一封装无机层与第二封装无机层之间的封装有机层，第一封装无机层和第二封装无机层中的每个包含无机材料，并且第一封装无机层可以接触第二保护图案和辅助电极的从第二保护图案被暴露的一部分。
根据一些示例实施例，辅助电极可以包括接触像素限定层的下部分和面对下部分的上部分，并且上部分的一部分可以被封装层覆盖。
根据一些示例实施例，上部分的剩余部分可以被有机图案、第二电极、第一保护图案和第二保护图案中的每个的一部分覆盖。
附图说明
附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示本发明构思的一些示例实施例的方面，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
图1是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的透视图；
图2是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图；
图3A是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的框图；
图3B是图3A的像素的等效电路图；
图3C是图示根据本发明构思的一些示例实施例的显示面板的一部分的示意性平面图；
图4是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图；
图5是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图；
图6是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图；
图7是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图；并且
图8A至图8J是图示根据本发明构思的一些示例实施例的用于制造显示设备的方法的截面图。
具体实施方式
在本说明书中，还将理解，当一个部件(或区域、层、部分等)被称为在另一部件“上”、“连接到”或“耦接到”另一部件时，其可以直接位于该另一部件上、直接连接到或直接耦接到该另一部件，或者也可以存在中间第三部件。
相同的附图标记始终指代相同的元件。此外，在附图中，为了例示清楚，部件的厚度、比率和尺寸被夸大。
术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个项目的任意和所有组合。
将理解，虽然诸如“第一”和“第二”的术语在本文中用来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与其它部件区分。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在一个实施例中被称为第一元件的元件在另一实施例中可以被称为第二元件。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
此外，“之下”、“下方”、“上方”、“上面”等用于解释附图中图示的部件的相关关联。这些术语可以是相对概念，并且基于附图中表示的方向进行描述。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。此外，术语(诸如在常用词典中的限定术语)应被解释为具有与在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中被如此明确地限定。
“包括”或“包含”的含义指定属性、固定数字、步骤、操作、元件、部件或它们的组合，但不排除其他属性、固定数字、步骤、操作、元件、部件或它们的组合。下文中，将参考附图描述本发明构思的一些示例实施例的方面。
图1是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的透视图。图2是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图。图3A是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的框图。图3B是图3A的像素的等效电路图。图3C是示出根据本发明构思的一些示例实施例的显示面板的一部分的示意性平面图。图4是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图。在下文中，将参考图1至图4描述根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的方面。
参考图1，根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备DD可以通过显示表面DD-IS显示图像IM。显示表面DD-IS与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面平行。显示表面DD-IS的法线方向(即，显示设备DD的厚度方向)被指示为第三方向DR3。
根据一些示例实施例，能够应用于移动终端的显示设备DD被图示为示例。根据一些示例实施例，安装在主板上的电子模块、相机模块、电力模块等可以与显示设备DD一起位于支架/壳体上以构成移动终端。根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备DD可以应用于诸如电视和监视器的大尺寸电子装置以及诸如平板PC、用于车辆的导航单元、游戏机和智能手表的中小尺寸电子装置。
根据本发明构思的一些示例实施例的有效区域DD-DA可以具有矩形形状。非有效区域DD-NDA与有效区域DD-DA相邻。非有效区域DD-NDA可以围绕有效区域DD-DA。然而，本发明构思的实施例并不限于此。例如，可以在形状方面相对地设计有效区域DD-DA和非有效区域DD-NDA，并且也可以省略非有效区域DD-NDA。
参考图2，显示设备DD包括基底层BL、电路元件层CL、显示元件层OL和封装层TFE。
基底层BL可以是显示设备DD的其他组件位于其上的基底层。基底层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以位于用于制造显示设备DD的工作基板上。其后，导电层、绝缘层等可以位于合成树脂层上。当工作基板被移除时，合成树脂层与基底层BL对应。合成树脂层可以是柔性的基于聚酰亚胺的树脂层。另外，基底层BL可以包括刚性玻璃基板、金属基板或有机/无机复合材料基板，但不限于特定实施例。
电路元件层CL位于基底层BL上。电路元件层CL包括至少一个绝缘层和电路元件。提供在电路元件层CL中的绝缘层包括至少一个无机层和/或至少一个有机层。电路元件包括信号线和像素的驱动电路。电路元件层CL可以经由通过涂覆或沉积形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺、以及通过光刻工艺图案化绝缘层、半导体层和导电层的工艺来形成。
显示元件层OL位于电路元件层CL上并且电连接到电路元件层CL。显示元件层OL包括稍后将更详细描述的有机发光元件OD(参见例如图4)。显示元件层OL可以包括诸如稍后将更详细描述的像素限定层PLE(参见例如图4)的有机层。
封装层TFE位于显示元件层OL上。封装层TFE覆盖显示元件层OL以阻挡从外部引入的水分和氧，从而保护显示元件层OL。可以以包括多个无机层和有机层的薄膜的形式来提供封装层TFE。
如图3A中所示，显示设备DD包括时序控制器TC、栅驱动器SD、数据驱动器DG和像素区域PXP。然而，这仅仅是示例。根据一些示例实施例，可以针对显示设备DD单独地提供时序控制器TC、栅驱动器SD和数据驱动器DG中的至少一个。根据一些示例实施例的时序控制器TC、栅驱动器SD、数据驱动器DG和像素区域PXP可以位于电路元件层CL上。
时序控制器TC接收输入图像信号以输出被转换为与显示设备DD的操作模式匹配的图像数据IDATA以及各种控制信号SCS和DCS。
栅驱动器SD接收来自时序控制器TC的栅驱动控制信号SCS。接收栅驱动控制信号SCS的栅驱动器SD生成多个栅信号。栅信号被连续地供给到显示设备DD。
数据驱动器DG接收来自时序控制器TC的数据驱动控制信号DCS和转换后的图像数据IDATA。数据驱动器DG基于数据驱动控制信号DCS和转换后的图像数据IDATA生成多个数据信号。数据信号被供给到显示设备DD。
显示设备DD接收来自外部的电信号以显示图像。显示设备DD包括多条栅线SL1至SLn、多条数据线DL1至DLm以及多个像素PX11至PXnm。
栅线SL1至SLn在第一方向DR1上被布置，以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。栅线SL1至SLn连续地接收来自栅驱动器SD的栅信号。
数据线DL1至DLm与栅线SL1至SLn交叉，以便与栅线SL1至SLn绝缘。数据线DL1至DLm在第一方向DR1上延伸，并且在第二方向DR2上被布置。数据线DL1至DLm接收来自数据驱动器DG的数据信号。
显示设备DD接收来自外部的第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS。像素PX11至PXnm中的每个响应于对应的栅信号而被导通。像素PX11至PXnm中的每个接收第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS，以响应于对应的数据信号生成光。第一电力电压ELVDD为具有比第二电力电压ELVSS的电平大的电平的电压。
像素PX11至PXnm连接到栅线SL1至SLn中的对应栅线，并且连接到数据线DL1至DLm中的对应数据线。
像素PX11至PXnm中的每个接收来自对应栅线的栅信号以及来自对应数据线的数据信号。像素PX11至PXnm中的每个响应于对应的栅信号而被导通。像素PX11至PXnm中的每个生成与对应的数据信号对应的光以显示图像。
像素PX11至PXnm中的每个包括至少一个晶体管、至少一个电容器和有机发光元件。图3B图示了连接到栅线SL1至SLn中的一条栅线SL、数据线DL1至DLm中的一条数据线DL以及电力线PL的一个像素PX的等效电路的示例。
像素PX包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、电容器Cst和有机发光元件OD。第一晶体管T1包括输入电极和输出电极。第一晶体管T1输出被施加到数据线DL的数据信号，该数据信号与被施加到栅线SL的栅信号对应。
电容器Cst包括连接到第一晶体管T1的第一电容器电极和接收第一电力电压ELVDD的第二电容器电极。电容器Cst充有与对应于从第一晶体管T1接收的数据信号的电压和第一电力电压ELVDD之间的差对应的电荷。
第二晶体管T2包括连接到第一晶体管T1的输出电极和电容器Cst的第一电容器电极的控制电极、通过电力线PL接收第一电力电压ELVDD的输入电极、以及输出电极。第二晶体管T2的输出电极连接到有机发光元件OD。
第二晶体管T2对应于存储在电容器Cst中的电荷控制流过有机发光元件OD的驱动电流。第二晶体管T2的导通时间根据充在电容器Cst中的电荷的量来确定。基本上，第二晶体管T2的输出电极将具有比第一电力电压ELVDD的电平小的电平的电压供给到有机发光元件OD。
有机发光元件OD包括连接到第二晶体管T2的第一电极和接收第二电力电压ELVSS的第二电极。有机发光元件OD可以包括位于第一电极与第二电极之间的发光图案。
有机发光元件OD在第二晶体管T2的导通时段中发射光。有机发光元件OD中生成的光可以具有由用于形成发光图案的材料确定的颜色。例如，有机发光元件OD中生成的光可以具有红色、绿色、蓝色和白色中的一种。
参考图3C，显示设备DD可以被划分为多个发射区域以及与发射区域相邻的非发射区域，从有机发光元件OD生成的光通过多个发射区域被发射。图3C图示了包括发射区域中的一些发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34的区域。
发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34与非发射区域NPXA彼此间隔开。发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34可以以各种形状被布置。例如，发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34可以以矩阵的形式被布置。因此，非发射区域NPXA可以具有格子形状。然而，这仅仅是示例。发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34的布置不限于特定实施例。
发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34可以与提供在像素限定层PLE中的多个开口OP对应。此外，发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34被定位成与稍后将更详细描述的有机发光元件OD(参见例如图4)的第一电极E1(参见例如图4)重叠。在图3C中，与发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34重叠的第一电极E1被图示为虚线。
图4图示了发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34中的一些区域的截面图。电路元件层CL可以包括晶体管TR和多个绝缘层BI、IL1、IL2和IH。电路元件层CL位于基底层BL上。
阻挡层BI位于基底层BL上。阻挡层BI可以覆盖基底层BL。阻挡层BI可以是包括无机材料的绝缘层。例如，阻挡层BI可以包括氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化锆(ZrOx)和氧化铪(HfOx)中的至少一种。阻挡层BI可以被提供为多层无机层。阻挡层BI可以防止或减少从外部引入的异物的情况。
根据一些示例实施例，显示设备DD可以进一步包括缓冲层。缓冲层可以位于阻挡层BI上。缓冲层可以包括无机材料或有机材料。缓冲层可以防止或减少可以使稍后将描述的半导体图案SL的特性劣化的杂质、水分或外部空气渗透的情况，并且还可以使表面平坦化。因此，电路元件层CL可以稳定地形成在基底层BL上。
晶体管TR包括半导体图案SL、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。晶体管TR通过控制电极CE控制半导体图案SL中的电荷的移动，以通过输出电极OE输出从输入电极IE输入的电信号。图4图示了图3B中所图示的晶体管T1和T2中的第二晶体管T2，即，与驱动晶体管对应的一个晶体管TR。
半导体图案SL位于阻挡层BI上。半导体图案SL可以包括晶体半导体材料、金属氧化物半导体材料、多晶硅和非晶硅中的至少一种。尽管根据本发明构思的一些示例实施例，控制电极CE位于晶体管TR中的半导体图案SL上，但本发明构思的实施例并不限于此。例如，晶体管TR可以具有底栅结构，在底栅结构中，控制电极CE位于基底层BL上并被第一绝缘层IL1覆盖，并且半导体图案SL位于第一绝缘层IL1上，但并不限于特定实施例。
第一绝缘层IL1可以位于半导体图案SL与控制电极CE之间。第一绝缘层IL1覆盖基底层BL和半导体图案SL。第一绝缘层IL1包括无机材料，但并不限于特定实施例。
控制电极CE位于半导体图案SL上。控制电极CE与半导体图案SL间隔开，第一绝缘层IL1在控制电极CE与半导体图案SL之间。控制电极CE可以与半导体图案SL重叠。
第二绝缘层IL2可以位于控制电极CE与输入电极IE之间以及控制电极CE与输出电极OE之间。第二绝缘层IL2覆盖第一绝缘层IL1和控制电极CE。第二绝缘层IL2包括无机材料，但并不限于特定实施例。
输入电极IE和输出电极OE位于第二绝缘层IL2上。输入电极IE和输出电极OE中的每个穿过第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2连接到半导体图案SL。然而，这仅仅是示例。例如，输入电极IE和输出电极OE可以直接连接到半导体图案SL。
第三绝缘层IH位于第二绝缘层IL2上。第三绝缘层IH可以覆盖晶体管TR。第三绝缘层IH可以位于晶体管TR与显示元件层OL之间，以将晶体管TR与显示元件层OL电绝缘。
显示元件层OL包括像素限定层PLE、有机发光元件OD、辅助电极ES、第一保护图案FL和第二保护图案SIL。
像素限定层PLE位于第三绝缘层IH上。开口OP可以被限定在像素限定层PLE中。像素限定层PLE包括上部分PLE-U、面对上部分PLE-U的下部分PLE-B、以及将上部分PLE-U连接到下部分PLE-B的侧部分PLE-S。开口OP可以从穿过像素限定层PLE以便被暴露的侧部分PLE-S被限定。
根据一些示例实施例，侧部分PLE-S可以在第一电极E1上朝向像素限定层PLE的上部分PLE-U倾斜。因此，开口OP的横截面可以具有梯形形状。然而，这仅仅是示例。例如，侧部分PLE-S可以与第一电极E1和上部分PLE-U垂直，但并不限于特定实施例。
开口OP可以暴露第一电极E1的一部分。根据一些示例实施例，开口OP可以被提供为多个，以与对应的第一电极重叠。基本上，开口可以与参考图3C描述的发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34对应。
有机发光元件OD可以包括第一电极E1、第二电极E2和有机图案EL。有机发光元件OD与有效区域DD-DA重叠。根据一些示例实施例，有机发光元件OD可以进一步包括空穴控制层。
第一电极E1位于第三绝缘层IH上。第一电极E1可以穿过第三绝缘层IH，并且然后电连接到晶体管TR。第一电极E1可以被提供为多个。多个第一电极可以被布置为与参考图3C描述的发射区域PXA22、PXA23、PXA24、PXA32、PXA33和PXA34中的对应发射区域重叠。
第二电极E2位于第一电极E1上。第二电极E2被定位成面对第一电极E1。根据一些示例实施例的第二电极E2可以被布置为与对应的第一电极E1重叠。第二电极E2可以被提供为多个。多个第二电极可以具有岛图案形状。因此，第二电极可以分别被布置为与对应的第一电极重叠。
第二电极E2中的每个可以包括光学透明的透射电极。例如，第二电极E2可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)和它们的混合物/化合物中的至少一种。因此，显示设备DD在它的前表面上显示图像。然而，这仅仅是示例。例如，根据显示图像的方向，第二电极E2可以是反射电极或半透反射电极。
有机图案EL位于第一电极E1与第二电极E2之间。有机发光元件OD可以根据第一电极E1与第二电极E2之间的电势差来激活有机图案EL以生成光。有机图案EL可以被提供为多个，以与对应的第一电极和第二电极重叠。
根据一些示例实施例的有机图案EL可以包括低分子有机材料或高分子有机材料。例如，当从有机图案EL发射红色可见光时，有机图案EL可以包括四苯基萘并萘(红荧烯)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)(Ir(piq)3)、双(2-苯并)[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(btp)2(acac))、三(二苯甲酰甲烷)(菲罗啉)铕(III)(Eu(dbm)3(phen))、三[4,4'-二叔丁基-(2,2')-联吡啶]钌(III)络合物(Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))、DCM1、DCM2、三(噻酚甲酰三氟丙酮)铕(Eu(TTA)3)、丁基-6-(1,1,7,7-四甲基古洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久落尼定基-9-烯基)-4H-吡喃：DCJTB)等，并且进一步包括聚合物发光材料，例如聚芴聚合物、聚乙烯聚合物等。
另外，在有机图案EL发射绿色可见光的情况下，有机图案EL可以包括作为绿色发射材料的3-(2-苯并噻唑基)-7-(二乙氨基)香豆素6、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7,-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)喹啉酮-[9,9a,1gh]香豆素(C545T)、N,N'-二甲基-喹吖啶酮(DMQA)、三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)等，并且进一步包括聚合物发光材料，例如聚芴聚合物、聚乙烯聚合物等。
此外，在有机图案EL发射蓝色可见光的情况下，有机图案EL可以包括噁二唑二聚体染料(Bis-DAPOXP)、螺环化合物(Spiro-DPVBi、Spiro-6P)、三芳胺化合物、双(苯乙烯基)胺(DPVBi、DSA)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑亚乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)、二萘嵌苯、5,8,11-四叔丁基二萘嵌苯(TPBe)、咔唑-3,3'-(1,4-亚苯基-二-2,1-乙烯二基)双[9-乙基-(9C)](BCzVB)、4,4-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、4-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(DPAVB)、4,4'-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)铱III(FIrPic)等，并且进一步包括聚合物发光材料，例如聚芴聚合物、聚乙烯聚合物等。
根据一些示例实施例的有机图案EL可以进一步包括包含低分子材料的电子控制层。电子控制层可以包括电子传输层和电子注入层。
根据一些示例实施例，有机发光元件OD可以进一步包括空穴控制层。空穴控制层位于第一电极E1与有机图案EL之间。空穴控制层可以包括空穴注入层和空穴传输层。
空穴控制层可以具有空穴注入层或空穴传输层的单层结构，并且也可以具有由空穴注入材料或空穴传输材料制成的单层结构。此外，空穴控制层可以具有由多种不同材料形成的单层结构，或者具有从第一电极E1连续地层压的空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/空穴缓冲层、空穴注入层/空穴缓冲层、空穴传输层/空穴缓冲层、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，但并不限于此。
辅助电极ES可以位于像素限定层PLE上。例如，辅助电极ES可以覆盖像素限定层PLE的侧部分PLE-S的至少一部分和上部分PLE-U。辅助电极ES可以包括接触像素限定层PLE的下部分ES-B和面对下部分ES-B的上部分ES-U。上部分ES-U可以接触封装层TFE。
辅助电极ES可以被提供为多个。由于辅助电极ES位于对应的像素限定层PLE的上部分PLE-U上，因此多个辅助电极ES可以以矩阵形式被布置。
辅助电极ES可以电连接到有机发光元件OD的第二电极E2。辅助电极ES可以位于相邻的有机发光元件之间，以将提供在不同的有机发光元件中的第二电极彼此电连接。根据一些示例实施例，多个第二电极可以具有岛图案形状。因此，第二电极可以通过多个辅助电极彼此电连接。因此，第二电极可以用作公共电极。
第一保护图案FL位于第二电极E2上。第一保护图案FL可以覆盖第二电极E2。第一保护图案FL的一端和远端中的每个可以连接到彼此不同的辅助电极的上部分。
第一保护图案FL可以位于第二电极E2上，以提高有机发光元件OD的光效率。此外，第一保护图案FL可以用于在有机发光元件OD被图案化的同时保护有机发光元件OD。
根据一些示例实施例的第一保护图案FL可以包括透明导电材料。例如，第一保护图案FL可以包括氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟镓(IGO)中的至少一个。因此，当有机发光元件OD被提供为前发射型时，有机图案EL中生成的光可以穿过第一保护图案FL，并且然后透射到外部。
第一保护图案FL可以包括透明导电材料，以补足第二电极E2与辅助电极ES之间的电连接。例如，在形成第二电极E2时，由于第二电极E2与辅助电极ES之间的不良接触，因此第二电极E2可能不用作公共电极。根据本发明构思，第一保护图案FL可以接触第二电极E2和相邻的辅助电极，以补足第二电极E2与辅助电极ES之间的电连接，从而提供具有改善的可靠性的有机发光元件OD。
根据一些示例实施例的第一保护图案FL可以具有大约
至大约
的厚度。当第一保护图案FL具有小于大约
的厚度时，第一保护图案FL不可以用于补足第二电极E2与辅助电极ES之间的电连接。当第一保护图案FL具有超过大约
的厚度时，位于有机图案EL上的第一保护图案FL的厚度可以增大，以使光效率劣化。第一保护图案FL可以具有大于有机图案EL的厚度的厚度。
第二保护图案SIL位于第一保护图案FL上。第二保护图案SIL可以覆盖第一保护图案FL。第二保护图案SIL的一端和远端中的每个可以连接到彼此不同的辅助电极的上部分。第二保护图案SIL可以覆盖第一保护图案FL，以与辅助电极ES一起密封有机发光元件OD。因此，在形成有机发光元件OD时，第二保护图案SIL可以用于保护被提供在有机发光元件OD中的组件免受外部冲击、刻蚀材料或外部空气的影响。
根据一些示例实施例的第二保护图案SIL可以包括无机材料。例如，第二保护图案SIL可以包括氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化硅(SiOx)、碳化硅(SiCx)、氧化钛(TiOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化锌(ZnOx)中的至少一种。
根据一些示例实施例的第二保护图案SIL可以具有大约
至大约
的厚度。当第二保护图案SIL具有小于大约
的厚度时，在形成有机发光元件OD时，第二保护图案SIL不可以用于保护被提供在有机发光元件OD中的组件免受外部冲击、刻蚀材料或外部空气的影响。当第二保护图案SIL具有超过大约
的厚度时，位于有机图案EL上的第二保护图案SIL的厚度可以增大，以使光效率劣化。根据本发明构思的一些示例实施例，第一保护图案FL可以具有小于第二保护图案SIL的厚度的厚度。
根据本发明构思的第一保护图案FL和第二保护图案SIL可以分别在彼此不同的方向上具有应力。
当有机发光元件OD被图案化以被形成时，光刻胶工艺可以在与像素限定层PLE的开口OP重叠的区域上被执行多次。这里，位于电路元件层CL上的剥离层LOL(参见图8C)和光刻胶层PR(参见图8C)可以被刻蚀成底切形状，以沉积有机材料，从而形成有机发光元件OD。
由于在图案化相邻的有机发光元件的同时，先前形成的有机图案EL被暴露于大气，因此有机图案EL可以通过使用第二保护图案SIL被密封以保护有机图案EL免受刻蚀材料或外部空气的影响。
根据本发明构思的第一保护图案FL可以在与第二保护图案SIL的方向相反的方向上具有应力。例如，当第二保护图案SIL在相同条件下具有压应力时，第一保护图案FL可以具有与压应力相反的张应力。
参考图8F和图8G，形成有机发光元件OD的工艺可以包括在剥离层LOL和光刻胶层PR上形成第三沉积层FL-P的工艺以及在第三沉积层FL-P上形成第四沉积层SIL-P的工艺。根据一些示例实施例，第一保护图案FL可以是在形成第三沉积层FL-P的同时沉积的层，并且第二保护图案SIL可以是在形成第四沉积层SIL-P的同时沉积的层。这里，为了便于描述，第一保护图案FL和第二保护图案SIL被表示为单独的组件。因此，第三沉积层FL-P可以具有与第一保护图案FL的张应力相同的张应力，并且第四沉积层SIL-P可以具有与第二保护图案SIL的压应力相同的压应力。
根据本发明构思的一些示例实施例，覆盖底切UC(参考图8C)的第四沉积层SIL-P可以在恒定的工艺条件下具有压应力。具有与第四沉积层SIL-P相反的张应力的第三沉积层FL-P可以位于覆盖底切UC的形状的第二沉积层E2-P(参见图8F)和第四沉积层SIL-P之间，以防止或减少剥离层LOL和光刻胶层PR凹陷的情况。
根据一些示例实施例的第三沉积层FL-P和第一保护图案FL中的每个可以具有大约0Mpa至大约200Mpa的张应力。
当第三沉积层FL-P和第一保护图案FL中的每个具有小于大约0Mpa的张应力时，压应力可以在与第四沉积层SIL-P的方向相同的方向上被施加，以导致剥离层LOL和光刻胶层PR凹陷的现象。
当第三沉积层FL-P和第一保护图案FL中的每个具有小于大约200Mpa的张应力时，较大的应力可以在与剥离层LOL和光刻胶层PR凹陷的方向相反的方向上起作用。结果，剥离层LOL可以从位于电路元件层CL上的组件(诸如辅助电极ES)被剥落。
根据一些示例实施例的第四沉积层SIL-P和第二保护图案SIL中的每个可以具有大约-200Mpa至大约0Mpa的压应力。
当第四沉积层SIL-P和第二保护图案SIL中的每个具有小于大约-200Mpa的压应力时，大于第三沉积层FL-P的张应力的压应力可以起作用，以导致剥离层LOL和光刻胶层PR凹陷的现象。
当第四沉积层SIL-P和第二保护图案SIL中的每个具有超过大约0Mpa的张应力时，第四沉积层SIL-P和第二保护图案SIL中的每个的应力可以在与第三沉积层FL-P的张应力的方向相同的方向上起作用，以导致剥离层LOL从位于电路元件层CL上的组件(诸如辅助电极ES)被剥落的现象。
封装层TFE位于有机发光元件OD上。在此实施例中，封装层TFE可以包括第一封装无机层LIL、封装有机层OEL和第二封装无机层UIL。
第一封装无机层LIL位于显示元件层OL上。第一封装无机层LIL可以接触第二保护图案SIL以及辅助电极ES的从第二保护图案SIL被暴露的一部分。第二封装无机层UIL位于第一封装无机层LIL上。第一封装无机层LIL和第二封装无机层UIL可以密封封装有机层OEL。
第一封装无机层LIL和第二封装无机层UIL中的每个可以包括无机材料。例如，第一封装无机层LIL和第二封装无机层UIL中的每个可以包括氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、碳化硅(SiCx)、氧化钛(TiOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化锌(ZnOx)中的至少一种。
封装有机层OEL可以位于第一封装无机层LIL与第二封装无机层UIL之间。封装有机层OEL可以包括有机材料。例如，封装有机层OEL可以包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一种。
第一封装无机层LIL和第二封装无机层UIL可以被集成为在平面上位于显示设备DD的前表面上。根据一些示例实施例，第一封装无机层LIL和第二封装无机层UIL中的每个可以与封装有机层OEL部分地重叠。因此，第一封装无机层LIL和第二封装无机层UIL可以在区域的一部分上在第三方向DR3上彼此间隔开(封装有机层OEL在第一封装无机层LIL与第二封装无机层UIL之间)，并且在区域的另一部分上在第三方向DR3上彼此直接接触。封装层TFE可以密封有机发光元件OD以保护有机发光元件OD免受从外部引入的异物的影响。
图5是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图。相同的附图标记用于与图1至图4的部件相同的部件，并且因此将省略重复的描述。
在根据一些示例实施例的显示设备DD-1中，第二电极E2-1和第二保护图案SIL-1可以在具有彼此不同的颜色的光被发射的发射区域PXA22、PXA23和PXA24中的一个发射区域中彼此接触。
例如，发射区域PXA22、PXA23和PXA24中的一个发射区域PXA24被限定为稍后要在形成工艺中形成的发射区域。由于仅对稍后要形成的发射区域执行单个光刻工艺，因此可以在与发射区域PXA24重叠的区域中省略图4的第一保护图案FL。
由于第一保护图案FL具有岛图案形状，因此可以省略发射区域PXA22、PXA23和PXA24中的一个发射区域PXA24中的第一保护图案FL。因此，第二电极E2-1和第二保护图案SIL-1可以在发射区域PXA24中彼此接触。
根据一些示例实施例，由于在没有后续工艺剩余的发射区域PXA24中省略了第一保护图案FL，因此可以降低用于显示设备DD-1的制造成本和工艺时间。
图6是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图。相同的附图标记用于与图1至图4的部件相同的部件，并且因此将省略重复的描述。
在根据一些示例实施例的显示设备DD-2中，第一保护图案FL-2可以在发射具有彼此不同的颜色的光的发射区域PXA22、PXA23和PXA24中的一个发射区域中接触封装层TFE的第一封装无机层LIL。
例如，发射区域PXA22、PXA23和PXA24中的一个发射区域PXA24可以被限定为稍后要在形成工艺中形成的发射区域。由于仅对稍后要形成的发射区域执行单个光刻工艺，因此可以在与发射区域PXA24重叠的区域中省略图4的第二保护图案SIL。由于第二保护图案SIL具有岛图案形状，因此可以省略发射区域PXA22、PXA23和PXA24中的一个发射区域PXA24。因此，第一保护图案FL-2可以接触发射区域PXA24中的第一封装无机层LIL。
根据一些示例实施例，由于在没有后续工艺剩余的发射区域PXA24中省略了第二保护图案SIL，因此可以降低用于显示设备DD-2的制造成本和工艺时间。
图7是根据本发明构思的一些示例实施例的显示设备的截面图。相同的附图标记用于与图1至图4的部件相同的部件，并且因此将省略重复的描述。
在根据一些示例实施例的显示设备DD-3中，第二电极E2-3可以在发射具有彼此不同的颜色的光的发射区域PXA22、PXA23和PXA24中的一个发射区域中接触封装层TFE的第一封装无机层LIL。
例如，发射区域PXA22、PXA23和PXA24中的一个发射区域PXA24可以被限定为稍后要在形成工艺中形成的发射区域。由于仅对稍后要形成的发射区域执行单个光刻工艺，因此可以在与发射区域PXA24重叠的区域中省略图4的第一保护图案FL和第二保护图案SIL。由于第一保护图案FL和第二保护图案SIL中的每个具有岛图案形状，因此可以省略发射区域PXA22、PXA23和PXA24中的一个发射区域PXA24。因此，第二电极E2-3可以接触发射区域PXA24中的第一封装无机层LIL。
根据一些示例实施例，由于在没有后续工艺剩余的发射区域PXA24中省略了第一保护图案FL和第二保护图案SIL，因此可以降低用于显示设备DD-3的制造成本和工艺时间。
图8A至图8J是图示根据本发明构思的一些示例实施例的用于制造显示设备的方法的截面图。相同的附图标记用于与图1至图4的部件相同的部件，并且因此将省略重复的描述。在下文中，将参考图8A至图8J描述根据本发明构思的一些示例实施例的用于制造显示设备的方法。
根据本发明构思的一些示例实施例的用于制造显示设备的方法包括提供初始显示设备的工艺。
参考图8A，初始显示设备DD-A可以是其上形成有连接到电路元件层CL的第一电极E1、其中限定有开口OP(第一电极E1的至少一部分通过开口OP被暴露)的像素限定层PLE、以及覆盖像素限定层PLE的一部分的辅助电极ES的基板。
其后，参考图8B，用于制造显示设备的方法包括形成剥离层的工艺和形成光刻胶层的工艺。
剥离层LOL可以形成在初始显示设备DD-A上。剥离层LOL包括氟聚合物。包含在剥离层LOL中的氟聚合物可以被形成为包含大约20％重量至大约60％重量的氟的聚合物。例如，包含在剥离层LOL中的氟聚合物可以包括聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物、四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、氯三氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、和氯三氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物中的至少一种。
剥离层LOL可以通过涂布法、印刷法、沉积法等来形成。当通过涂布法和印刷法形成剥离层LOL时，如果需要，可以执行在固化和聚合之后形成光刻胶层PR的工艺。
光刻胶层PR形成在剥离层LOL上。光刻胶层PR通过在剥离层LOL上施加光刻胶复合材料来形成。光刻胶层PR可以是正型或负型的。在此实施例中，正型作为示例将被描述。
其后，参考图8C，执行形成底切UC的工艺。
底切UC可以被配置为暴露光刻胶层PR的与开口OP重叠的区域，并且然后蚀刻并移除光刻胶层PR。这里，剥离层LOL的包含氟聚合物的一部分可以被移除以形成底切UC。
其后，参考图8D，执行形成有机图案EL的工艺。有机图案EL可以以其中包含有机发光材料的第一沉积材料被沉积在通过开口OP暴露的第一电极E1上的方式来形成。可以以不使用掩模的正面沉积方式执行沉积。因此，第一沉积材料可以沉积在通过开口OP暴露的部分上以形成有机图案EL，并且也被沉积在光刻胶层PR上以形成第一沉积层EL-P。
有机图案EL可以通过沉积空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层和发光层中的一个或多个而被形成为多层。这里，可以使用多种沉积材料来沉积这些层。在此情况下，第一沉积层EL-P也可以被形成为多层。
其后，参考图8E，执行形成第二电极的工艺。第二电极E2可以被形成为连接到辅助电极ES。第二电极E2可以通过将包含透明导电材料的第二沉积材料施加在通过开口OP暴露的有机图案EL上来形成。第二电极E2可以通过溅射、物理气相沉积(PVD)或电镀来形成。
第二电极E2的形成方法可以是各向同性方法。因此，第二电极E2可以具有大于开口OP的入口的表面积的表面积，并且被形成为覆盖有机图案EL的上部分和辅助电极ES的上部分的一部分。结果，第二电极E2可以电连接到辅助电极ES。
第二沉积材料的沉积也可以以不使用掩模的正面沉积方式来执行。因此，第二沉积材料可以被沉积在有机图案EL上以形成第二电极E2，并且也被沉积在形成在光刻胶层PR上的第一沉积层EL-P上以形成第二沉积层E2-P。
其后，参考图8F，执行形成第一保护图案的工艺。第一保护图案FL可以被形成为连接到第二电极E2。第一保护图案FL可以通过在通过开口OP暴露的第二电极E2上沉积包含金属或透明导电材料的第三沉积材料来形成。
第一保护图案FL的形成方法可以是各向同性方法。因此，第一保护图案FL可以具有大于开口OP的入口的表面积的表面积，并且被形成为覆盖第二电极E2的上部分和辅助电极ES的上部分的一部分。因此，第一保护图案FL可以补足第二电极E2与辅助电极ES之间的电连接。
第三沉积材料的沉积也可以以不使用掩模的正面沉积方式来执行。因此，第三沉积材料可以被沉积在第二电极E2上以形成第一保护图案FL，并且也被沉积在形成在光刻胶层PR上的第二沉积层E2-P上以形成第三沉积层FL-P。
其后，参考图8G，执行形成第二保护图案的工艺。第二保护图案SIL可以被形成为覆盖第一保护图案FL。第二保护图案SIL可以通过在通过开口OP暴露的第一保护图案FL上施加包含无机材料的第四沉积材料来形成。
第二保护图案SIL的形成方法可以是各向同性方法。因此，第二保护图案SIL可以具有大于开口OP的入口的表面积的表面积，并且被形成为覆盖第一保护图案FL的上部分和辅助电极ES的上部分的一部分。因此，第二保护图案SIL可以用于保护被提供在有机发光元件OD中的组件免受外部冲击、刻蚀材料或外部空气的影响。
第四沉积材料的沉积也可以以不使用掩模的正面沉积方式来执行。因此，第四沉积材料可以被沉积在第一保护图案FL上以形成第二保护图案SIL，并且也被沉积在形成在光刻胶层PR上的第三沉积层FL-P上以形成第四沉积层SIL-P。
其后，参考图8H，执行移除剥离层和光刻胶层的工艺。剥离层LOL和光刻胶层PR可以使用剥离器通过剥离方式被移除。
其后，参考图8I，图8A至图8H的工艺可以被重复执行，以执行在相邻的发射区域PXA23和PXA24上连续地形成有机发光元件OD的工艺。
根据一些示例实施例，为了防止或减少被提供在所形成的发射区域PXA22上的有机图案EL被暴露于大气的情况，可以通过使用第二保护图案SIL来密封包含有机材料的有机图案EL以保护有机图案EL免受刻蚀材料或外部空气的影响。
根据本发明构思的一些示例实施例，第二保护图案SIL可以在恒定的工艺条件下具有压应力。因此，剥离层LOL和光刻胶层PR可以凹陷，以导致有机发光元件OD的缺陷。
根据本发明构思的一些示例实施例的第三沉积层FL-P和第一保护图案FL可以在与第四沉积层SIL-P和第二保护图案SIL相反的方向上具有吸引力。例如，当第四沉积层SIL-P和第二保护图案SIL中的每个在恒定的工艺条件下具有压应力时，第三沉积层FL-P和第一保护图案FL中的每个可以具有与压应力相反的张应力。因此，第四沉积层SIL-P和第二保护图案SIL中的每个的压应力可以被第三沉积层FL-P和第一保护图案FL中的每个的张应力抵消，以防止或减少剥离层LOL和光刻胶层PR凹陷的情况。
其后，参考图8J，执行形成封装层的工艺。在有机发光元件OD形成在发射区域PXA22、PXA23和PXA24中之后，封装层TFE可以被形成为覆盖有机发光元件OD的整个表面。
根据本发明构思的实施例，在形成有机发光元件时，在彼此相反的方向上具有应力的保护图案可以被布置，以保护被提供在有机发光元件中的组件免受外部冲击、刻蚀材料、外部空气等的影响。因此，可以提供具有改善的可靠性的显示设备。
对于本领域技术人员来说将显而易见的是，可以对本发明构思进行各种修改和改变。因此，本公开旨在覆盖本发明的修改和改变，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。
因此，本发明构思的实际保护范围应由所附权利要求及其等同物的技术范围确定。
Claims (10)
1.一种显示设备，包括：
包括晶体管的电路元件层；
显示元件层，包括连接到所述晶体管的第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的有机图案、具有暴露所述第一电极的开口的像素限定层、与所述开口间隔开以覆盖所述像素限定层的一部分并连接到所述第二电极的辅助电极、覆盖所述第二电极的第一保护图案、以及覆盖所述第一保护图案的第二保护图案；以及
覆盖所述显示元件层的封装层，
其中所述第一保护图案和所述第二保护图案在彼此不同的方向上具有应力。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一保护图案包括透明导电材料。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二保护图案包括无机材料。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一保护图案具有张应力，并且所述第一保护图案的所述张应力的范围从0Mpa至200Mpa。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二保护图案具有压应力，并且所述第二保护图案的所述压应力的范围从-200Mpa至0Mpa。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一保护图案具有比所述第二保护图案的厚度小的厚度。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第一保护图案具有
至
的厚度，并且
所述第二保护图案具有
至
的厚度。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述封装层包括第一封装无机层、第二封装无机层以及在所述第一封装无机层与所述第二封装无机层之间的封装有机层，所述第一封装无机层和所述第二封装无机层中的每个包含无机材料，并且
所述第一封装无机层接触所述第二保护图案和所述辅助电极的从所述第二保护图案被暴露的一部分。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述辅助电极包括接触所述像素限定层的下部分和面对所述下部分的上部分，并且
所述上部分的一部分被所述封装层覆盖。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述上部分的剩余部分被所述有机图案、所述第二电极、所述第一保护图案和所述第二保护图案中的每个的一部分覆盖。
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| SG143063A1 (en) * | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2004200146A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| WO2004077386A1 (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置、折り畳み型携帯端末 |
| KR100527191B1 (ko) * | 2003-06-03 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저저항 캐소드를 사용하는 유기 전계 발광 소자 |
| EP1505666B1 (en) * | 2003-08-05 | 2018-04-04 | LG Display Co., Ltd. | Top-emission active matrix organic electroluminescent display device and method for fabricating the same |
| JP4272145B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2009-06-03 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光素子及びそれを具備する有機電界発光ディスプレイ装置 |
| TW200537976A (en) * | 2004-05-13 | 2005-11-16 | Au Optronics Corp | Protection structure of organic light-emitting display unit and fabricating method thereof |
| US7202504B2 (en) * | 2004-05-20 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| CN102544027B (zh) * | 2004-09-15 | 2016-02-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| US7564063B2 (en) * | 2006-03-23 | 2009-07-21 | Eastman Kodak Company | Composite electrode for light-emitting device |
| JP2007287354A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| US7646144B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-01-12 | Eastman Kodak Company | OLED with protective bi-layer electrode |
| JP2008300678A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法、及び半導体素子 |
| US7977867B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic EL panel |
| JP2009047879A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器 |
| KR101432110B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2014-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| GB2459895B (en) * | 2008-05-09 | 2011-04-27 | Cambridge Display Technology Limited | Organic light emissive device |
| KR100964231B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2010-06-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치 |
| TW201203651A (en) | 2010-04-27 | 2012-01-16 | Orthogonal Inc | Method for forming a multicolor OLED device |
| US9287339B2 (en) * | 2010-10-28 | 2016-03-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| US9029838B2 (en) * | 2011-06-29 | 2015-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Methods of forming inclined structures on insulation layers, organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices |
| KR102025836B1 (ko) * | 2011-11-07 | 2019-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101931176B1 (ko) * | 2012-06-11 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20140017728A (ko) * | 2012-07-31 | 2014-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP6142363B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-06-07 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機電界発光素子の製造方法 |
| KR102025835B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR102059940B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2019-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20140088369A (ko) * | 2013-01-02 | 2014-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102076034B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2020-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102083983B1 (ko) * | 2013-05-29 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| JP6191287B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2017-09-06 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| KR102117607B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2020-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102080752B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2020-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 봉지 구조물, 봉지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
| KR102203100B1 (ko) * | 2013-10-30 | 2021-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP6056082B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-01-11 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および電子機器 |
| KR102242078B1 (ko) * | 2014-08-05 | 2021-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102262598B1 (ko) * | 2014-09-03 | 2021-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20160047673A (ko) * | 2014-10-22 | 2016-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
| CN104485345A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-04-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性电极结构、其制作方法及柔性显示基板 |
| KR20160099979A (ko) * | 2015-02-13 | 2016-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102552276B1 (ko) * | 2015-02-24 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102337348B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2021-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN104934551B (zh) * | 2015-05-14 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性电极层及其制备方法、显示基板、显示装置 |
| WO2016199739A1 (ja) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | シャープ株式会社 | Ｅｌ表示装置及びｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP2017068928A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | セイコーエプソン株式会社 | 有機発光装置および電子機器 |
| KR102412043B1 (ko) * | 2015-10-13 | 2022-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| CA3002752A1 (en) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
| KR102519420B1 (ko) * | 2016-05-16 | 2023-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102581258B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2023-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법 |
| KR102491880B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2023-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101926526B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2018-12-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2018033860A1 (en) * | 2016-08-15 | 2018-02-22 | Oti Lumionics Inc. | Light transmissive electrode for light emitting devices |
| KR102598926B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2023-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
| KR20180055024A (ko) * | 2016-11-15 | 2018-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR101992917B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2019-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 기판과, 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20180062293A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20180072033A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| WO2018116814A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | シャープ株式会社 | 表示装置および製造方法 |
| KR102421576B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102330862B1 (ko) * | 2017-04-27 | 2021-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102406305B1 (ko) * | 2017-05-15 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR102401398B1 (ko) * | 2017-05-15 | 2022-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광 표시장치 |
| CN110832660B (zh) * | 2017-05-17 | 2023-07-28 | Oti照明公司 | 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置 |
| US20190043640A1 (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | Vitro Flat Glass, LLC | Protective Layer Over a Functional Coating |
| US20190040523A1 (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | Vitro Flat Glass, LLC | Method of Decreasing Sheet Resistance in an Article Coated with a Transparent Conductive Oxide |
| KR102417112B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| JP2019091673A (ja) * | 2017-11-17 | 2019-06-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2019102147A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置と表示装置の製造方法 |
| KR102450340B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-10-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
| JP2019102589A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置と表示装置の製造方法 |
| KR102439307B1 (ko) * | 2018-01-29 | 2022-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102576996B1 (ko) * | 2018-04-26 | 2023-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 및 이를 포함하는 유기발광표시장치 |
| EP3605622B1 (en) * | 2018-08-03 | 2021-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing same and display device including same |
| US20200243791A1 (en) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | Avalon Holographics Inc. | Capping layer process with low temperature photoresist patterning |
| KR20200093737A (ko) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-01-28 KR KR1020190010691A patent/KR20200093737A/ko active Search and Examination
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